JPH0470605A - 分岐合波光導波回路 - Google Patents

分岐合波光導波回路

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JPH0470605A
JPH0470605A JP17934890A JP17934890A JPH0470605A JP H0470605 A JPH0470605 A JP H0470605A JP 17934890 A JP17934890 A JP 17934890A JP 17934890 A JP17934890 A JP 17934890A JP H0470605 A JPH0470605 A JP H0470605A
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Tsutomu Kito
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、基板上に形成された1本の主導波路と2本以
上の分岐導波路を有し、光の分岐及び合波を行う分岐合
波光導波回路に関するものである。
(従来の技術) 光集積回路において、光分岐回路及び光合波回路は、そ
の基本構成要素として必要不可欠である。
このような分岐合波光導波回路としては、従来より、2
本以上の分岐先導波路を有するY分岐先導波回路か知ら
れている。
このY分岐先導波回路は、方向性結合器を用いた分岐先
導波回路に比べ、波長依存性が無(、分岐比の偏差か小
さいという長所を有しており、特に、IXNスプリッタ
等への応用が期待されている。
第2図は、従来のY分岐先導波回路を示す構成図であっ
て、同図の(a)は上面図、同図の(b)は(a)のA
−A線矢視方向の断面図である。第2図において、1は
基板、2はクラッド、31は主導波路、32は主導波路
31から徐々に外径が拡大して延びる拡大導波路、33
.34は分岐導波路である。
このY分岐先導波回路は、各導波路31. 32゜33
.34が基板1上のクラッド2中に埋め込まれる形で形
成されており、分岐導波路33. 34の曲率半径をR
1主導波路31の幅W3、と分岐導波路33.34の幅
W33.W34が全て等しく、かつ、分岐点4近傍の分
岐導波路33.34に囲まれたクサビ形の先端幅が零で
あるような理想的な形状を有している。
このようなY分岐光導波回路の作製は、例えば特開昭5
8−105111号公報に開示されているような方法に
より行われる。
即ち、5rCIa 、 GeC1a 、 TICja 
、pcff 3 、 BcJ23の塩化物を出発材料と
し、例えば、まず、第3図の(a)乃至(C)に示すよ
うに、シリコン等の基板1上にクラッド層2 a sコ
ア層3を順次堆積する。
次いで、同図の(d)に示すように、エツチング加工に
より、第2図に示す各導波路31,32゜33.34に
対応するコア層3の部分のみを残して除去し、その後、
クラッド層2aを堆積してY形の導波路を埋め込むこと
により、分岐合波光導波回路としてのY分岐先導波回路
が作製される。
(発明か解決しようとする課題) 上記した分岐合波光導波回路においては、低損失化のた
め、分岐点4の形状が理想的な脱酸形状に近い形状とな
るように作製される。
しかしながら、現状の作製技術では、導波路が近接して
いる分岐点4の近傍部を精度良く加工したり、クラッド
層2aで埋め込むことは困難であった。
即ち、第4図の(a)に示すように、分岐点4近傍に形
状変形が生じたり、同図の(b)に示すように、クラッ
ドガラスが分岐点4近傍の分岐導波路33と34との間
に充填されずクラッド層2aに空隙5か生じたり、同図
の(C)に示すように、分岐点4近傍の分岐導波路33
と34との間にクラッドガラスの供給が足りないため、
分岐導波路33.34が傾く等の導波路変形が生じる等
、種々の不都合があった。
このため、従来においては、分岐合波光導波回路を設計
通りに再現性良く製作することか困難であった。
また、従来のY分岐先導波回路においては、分岐点4近
傍の不完全性のため、7M偏波光の方がTE偏波光より
も散乱損失が大きくなるという分岐損失の偏波依存性が
見られていた。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は、分岐点近傍でのパターン変形や導波路の埋め
込み不良等が発生せず、製作が容易で、かつ、再現性に
優れた低損失の分岐合波光導波回路を提供することにあ
る。
(課題を解決するための0手段) 上記目的を達成するため、請求項(1)では、基板上の
クラッド中に形成された、主導波路と該主導波路から徐
々に外径が拡大して延びる拡大導波路と該拡大導波路に
接続される2本以上の分岐導波路とからなる分岐合波光
導波回路において、前記拡大導波路と前記分岐導波路と
の接続部において両導波路軸が一致した状態で拡大導波
路と各分岐導波路とを所定の間隙をもって分離し、かつ
、谷分岐導波路同士を所定の間隔をもって分離した。
また、請求項(2)では、間隙及び間隔を3〜10μm
に設定した。
(作用) 請求項(1)によれば、回路作製時に、主導波路、拡大
導波路、分岐導波路をクラッドに埋め込む工程において
、各導波路間、特に分岐点近傍に対してもクラツド材が
十分に供給される。
また、請求項(2)によれば、導波路間隙及び間隔が3
μm未満でないことから導波路作製の容易性が確保され
、また、導波路間隙及び間隔が10μmより大きくない
ことから低損失性か確保される。
(実施例) 第1図は、本発明に係る分岐合波光導波回路の第1の実
施例を示す構成図であって、従来例を示す第2図と同一
構成部分は同一符号をもって表す。
即ち、2はクラッド、31は主導波路、32aは主導波
路31から連続する拡大導波路、33a234aは分岐
導波路である。
分岐導波路33a、34aは、曲率を持たない直接導波
路でその分岐角度は1度に設定してあり、それぞれが拡
大導波路32aと導波路軸が一致した状態で、端面32
0aと330a及び320aと340a同士が所定の間
隙LGAPをもって分離して形成されている。かつ、分
岐導波路33aと34a同士も互いの最接近距離が所定
の間隔W。A、をもって分離して形成されている。
この拡大導波路32aと分岐導波路33a及び34aと
の導波路間隙り。A、並びに分岐導波路33aと34a
同士の導波路間隔W6A、の値は、導波路作製技術の現
状から3μm以上が望ましく、また、損失の増大等の点
から10μm以下が望ましい。
このような構成の分岐合波光導波回路は、第3図に示す
工程と同様の工程を経て作製される。
即ち、例えば直径3インチ、厚さ700μmのシリコン
基板1上に火炎堆積法によって、まず、クラッド層2a
として組成が810□−P205−3203の多孔質ガ
ラス膜を堆積する。
次に、コア層3として組成が5iOz   Gem、、
−P205B203の多孔質ガラスを堆積し、その後、
温度1.390℃のHeと02との混合雰囲気中で2時
間熱処理する。
次いで、反応性イオンエツチングにより上述したような
先導波路パターンを形成する。その後、このコア層3を
埋め込むように上記したと同様のクラッド層2aを堆積
することにより作製される。
実際に、この方法によりコア寸法8×8μm1比屈折率
差0.25%を有する分岐合波光導波回路を作製した。
第5図及び第6図は、上記した導波路間隙LGAP及び
分岐導波路間隔WGAPと導波回路損失との関係を示す
グラフである。第5図の横軸は導波路間隙LGAPの長
さを、縦軸は分岐導波路間隔W6A、が3ttm、4μ
m、5.czmの場合の過剰損失を表し、また、第6図
の横軸は導波路間隔W6A、を、縦軸は導波路間隙L 
GAPが4μmの場合の過剰損失を表している。
第5図から分かるように、導波路間隙り。A、が10μ
m程度では、過剰損失はほとんど無視できる。また、第
6図から分かるように分岐導波路間隔W6A、も4μm
程度までは、過剰損失を0 、3dB以下に抑えること
ができる。
以上説明したように、本第1の実施例によれば、導波路
間隙LGAP及び分岐導波路間隔WGAPを3〜10μ
mとしたので、従来の作製時のエツチング工程における
導波路パターンの変形を防止することができる。
また、主導波路31、拡大導波路32a、分岐導波路3
3a、34aを埋め込むクラッド2が導波路間に入り込
み易くなり、分岐導波路33aと34a間に空隙が生じ
たり、2本の分岐導波路33a、34aが互いに傾くよ
うな変形が防止される。
従って、第1図の分岐合波光導波回路は、設計通りに再
現性良(作製することができる。また、Y分岐の分岐点
近傍の不完全性が生じないため、7M偏波光がTE偏波
光よりも散乱損失が太き(なるという、分岐損失の偏波
依存性を抑制することかできる。
第7図は、本発明に係る分岐合波光導波回路の第2の実
施例を示す構成図である。
本第2の実施例が前記第1の実施例と異なる点は、分岐
導波路33b、34bを曲率をもたない直線導波路では
なく、曲率半径40+++m以上の曲線導波路により構
成したことにある。なお、拡大導波路32bの広がり角
度は1度である。
本第2の実施例においても、前記第1の実施例と同様の
効果を得ることができる。
第8図は、本発明に係る分岐合波光導波回路の第3の実
施例を示す構成図である。
本第3の実施例においては、前記第1及び第2の実施例
では拡大導波路と分岐導波路の端面320aと330a
及び320aと340a同士が光軸(導波路軸)に対し
て直交するような構成となっていたのに対し、拡大導波
路32cの端面320cとこれに対向する分岐導波路3
3c、34cの端面330c、 340cを光軸に対し
て90°を除く所定角度を持つように構成している。
このような構成にすることにより、前記第1及び第2の
実施例の効果に加えて、各導波路端面からの反射戻り光
を抑制することができ、ひいては分岐合波光導波回路の
信頼性の向上を図れる利点がある。
(発明の効果) 以上説明したように、請求項(1)によれば、拡大導波
路と分岐導波路との接続部において両導波路軸が一致し
た状態で、テーパ状導波路と各分岐導波路とを所定の間
隙をもって分離し、かつ、各分岐導波路同士を所定の間
隔をもって分離したので、分岐点近傍でのパターン変形
や導波路埋め込み不良を防止できるとともに、分岐損失
の偏波依存性を抑制することができる。このため、作製
が容易で、かつ、再現性に優れた低損失の分岐合波光導
波回路を提供できる利点がある。
また、請求項(2)によれば、導波路間隙及び間隔を3
〜10μmに設定したので、上記効果に加えて、より低
損失で、導波路加工の容易な分岐合波光導波回路を実現
できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る分岐合波光導波回路の第1の実施
例を示す構成図、第2図は従来例の構成図、第3図は分
岐合波光導波回路の作製方法の説明図、第4図は従来の
問題点の説明図、第5図は導波路間隙長と過剰損失との
関係を示すグラフ、第6図は分岐導波路間隔と過剰損失
との関係を示すグラフ、第7図は本発明に係る分岐合波
光導波回路の第2の実施例を示す構成図、第8図は本発
明に係る分岐合波光導波回路の第3の実施例を示す構成
図である。 図中、1・・・基板、2・・・クラッド、2a・・・ク
ラッド層、3・・・コア層、31・・・主導波路、32
a。 32 b 、  32 c−−−拡大導波路、33a、
33b。 33c、34a、34b、34cm・・分岐導波路、L
GAP・・・導波路間隙、W6A、・・・分岐導波路間
隔。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人弁理士 吉  1) 精  孝 第 図 第 図 導波路間隙LGAI)(μm) 導波路間隙と過剰損失との関係2示すグラフ第5図 導波路間隔Wc、xp(pm) 導波路間隔と過剰損失との関係2示すグラフ第6図 第 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上のクラッド中に形成された、主導波路と該
    主導波路から徐々に外径が拡大して延びる拡大導波路と
    該拡大導波路に接続される2本以上の分岐導波路とから
    なる分岐合波光導波回路において、 前記拡大導波路と前記分岐導波路との接続部において両
    導波路軸が一致した状態で拡大導波路と各分岐導波路と
    を所定の間隙をもって分離し、かつ、各分岐導波路同士
    を所定の間隔をもって分離した ことを特徴とする分岐合波光導波回路。
  2. (2)前記間隙及び間隔を3〜10μmに設定した請求
    項(1)記載の分岐合波光導波回路。
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