JPH09223761A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有効な電磁波シールド構造を持ち、かつ、高
い生産性および信頼性のもとに量産可能な構造を持ち、
しかも薄型の表面実装用としても有効な構造を持つ半導
体装置と、その製造方法を提供する。 【解決手段】 封止樹脂３の少なくとも一表面を金属箔
５ａで覆い、その金属箔５ａを、封止樹脂３内を通る導
体６ａによって、封止樹脂３内でグランドリード２０に
導通させた構造とする。製造方法においては、封止樹脂
３の成形時に、後で導体６ａを充填するための孔を形成
するか、あるいは樹脂注入前の金型キャビティ内に導体
６ａを挿入した状態で封止樹脂３の成形を行うことで、
上記構造を高い生産性のもとに得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型の半導体
装置とその製造方法に関し、更に詳しくは、電磁波シー
ルド機能を備えた樹脂封止型の半導体装置とその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の動作の高速化に伴い、近
年、その電磁波シールドの必要性は益々大きくなりつつ
ある。安価で量産性に優れ、特に民生用に多用されてい
る樹脂封止型の半導体装置に関しても、当然のことなが
らその電磁的なシールド機能が要求されている。

【０００３】半導体装置の電磁波シールドに関しては既
に多数の提案がなされているが、基本的には、半導体装
置の主表面を金属板や金属箔等の導電性材料で覆い、そ
の導電性材料を接地する構造を採ることが、有効な解決
策であることは既に判明している。

【０００４】このような基本的構造を持つ電磁波シール
ドの具体的な提案として、従来、例えば特開平４−２７
７６６１号公報には、封止樹脂の上面に導電性材料から
なるシールド板を載せるとともに、封止樹脂内で半導体
素子を搭載した接地電位のアイランドに導体からなる吊
りピンを接続し、その吊りピンを封止樹脂の側面から外
部に引き出して上方に向けて折り曲げ、シールド板に接
続した構造が記載されている。

【０００５】また、特開昭６２−４３４７号公報には、
封止樹脂の表面に導電膜を塗着し、その導電膜を、半導
体装置を搭載する基板の接地回路に対して外付けの接続
片によって接続した構造が記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
の電磁波シールドに対して有効であることが判明してい
る前記した基本的な構造を採るに際して問題となるの
は、その具体的構造をどのようにすれば生産性並びに信
頼性に優れたものになるかという点である。

【０００７】先に例示した各提案のうち、前者のもので
は封止樹脂の側面から外部に引き出した吊りピンを、封
止樹脂の上面に載せられたシールド板に接するように折
り曲げる必要があるが、このような工程を良好な生産性
のもとに高歩留りで実現して量産に供するのは困難であ
るし、また、後者のものでは、半導体装置の実装時に外
付けの部材を用いて装置上面の導電膜と基板の接地回路
を接続する必要があって、実装工程における作業性ない
しは生産性を低下させてしまうという問題がある。

【０００８】また、いずれの提案においても、封止樹脂
の上面に設けられた導電性材料の接地を、封止樹脂の外
側において吊りピンや外付けの接続片で行うため、特に
厚みが０．４〜２．０ｍｍ程度の表面実装用の薄型半導
体装置に適用するには不向きである。

【０００９】本発明はこのような実情に鑑みてなされた
もので、有効な電磁波シールド構造を持ち、かつ、高い
生産性および信頼性のもとに量産可能な構造を持ち、し
かも上記のような薄型の表面実装用の半導体装置に適用
して特に有効な構造を持つ半導体装置と、その製造方法
の提供を目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体装置は、半導体素子とリードフレー
ムの一部とが封止樹脂によって封止された半導体装置に
おいて、封止樹脂の少なくとも一表面が金属箔で被覆さ
れているとともに、その金属箔が、封止樹脂内を通って
リードフレームのグランドリードに達する導体によっ
て、当該グランドリードと導通していることによって特
徴づけられる。

【００１１】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
上記した構成を有する半導体装置を製造する方法であっ
て、封止樹脂成形用の一対の金型の少なくとも一方に、
その金型キャビティ内を金型開閉方向に伸びるピンを固
着しておくとともに、その金型キャビティ面に、上記ピ
ンを貫通させた状態で金属箔を仮固定し、かつ、金型内
部に半導体素子とリードフレームの一部とを配置した状
態で、型締めして樹脂を注入することにより、封止樹脂
の少なくとも一面が金属箔で覆われ、かつ、その金属箔
および封止樹脂を通ってリードフレームのグランドリー
ドに達する孔が穿たれた半導体装置を得た後、その孔内
に導体を充填することによって特徴づけられる。

【００１２】更に、同じ構成を持つ半導体装置を製造す
る他の方法として、本発明では、封止樹脂成形用の一対
の金型の少なくとも一方に、金型キャビティに通ずる貫
通孔を形成しておくとともに、その金型キャビティ面
に、所定位置に孔または開口が形成された金属箔を、そ
の孔または開口と上記貫通孔とが重なるように仮固定
し、かつ、金型内部に半導体素子とリードフレームの一
部とを配置した状態で型締めした後、上記貫通孔を介し
て金型キャビティ内に導体チップを挿入してその先端を
リードフレームのグランドリードにまで至らせ、次いで
金型内部に樹脂を注入する方法を採用することもでき
る。

【００１３】本発明の半導体装置において、金属箔で被
覆される封止樹脂の面は、半導体装置の２つの主表面の
うちいずれか一方であればよいが、双方の主表面を覆う
ことがより好ましい。

【００１４】また、本発明の半導体装置において、金属
箔によって半導体装置の２つの主表面の双方を覆う場
合、多層リードフレームを用いた半導体装置にあって
は、一方の金属箔を、半導体素子搭載用の金属箔と兼用
させてもよい（図４参照）。

【００１５】本発明において封止樹脂の表面を被覆する
金属箔の厚みは、１０μｍ以上、４０μｍ以下とするこ
とが好ましく、また、この金属箔には、封止樹脂との接
触面に厚み０．１〜５０μｍの耐熱性有機材料層を設け
ておくことが、封止樹脂との接着性を良好なものとする
うえで望ましい。このような耐熱性有機材料としては、
公知の各種耐熱材料の使用が可能であるが、具体的には
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、カルボジイミド樹脂、
ポリエーテルイミド樹脂等を挙げることができる。ま
た、この金属箔の半導体装置の表面側となる面には、上
記と同様の耐熱性有機材料に適当な顔料を添加した材料
を塗布したマーキング層を形成しておくことが好まし
い。

【００１６】本発明において用いられる金属箔の材質は
特に限定されないが、その一例として、Ａｌ，Ｃｕ，５
０Ｎｉ−鉄、４２Ｎｉ−鉄等を挙げることができる。特
に鉄系の合金を用いる場合、本発明の半導体装置の製造
方法において、後述するように、金属箔の金型キャビテ
ィ面への仮固定の手段として磁石を用いることが可能と
なって好ましい。

【００１７】本発明の半導体装置において、以上のよう
な金属箔による封止樹脂の一主表面での被覆率は、５０
％以上とすることが好ましく、より好ましくは７０％以
上である。

【００１８】本発明の半導体装置における封止樹脂の材
料は、当分野において常用される公知の各種材料とする
ことができる。すなわち、エポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂等の耐熱性樹脂に、必要に応じて適宜の充填材を添加
したものを一例として挙げることができる。

【００１９】そして、本発明の半導体装置において、封
止樹脂の内部を通ってその表面を被覆した金属箔とグラ
ンドリードとを接続する導体としては、各種の金属、例
えばＡｌ，Ａｕ，Ｃｕや、あるいは、金属粉末（例えば
Ａｇ）を含有する有機材料等を採用することができる。

【００２０】また、本発明の半導体装置における導体の
位置は、封止樹脂内を直線的に通ってグランドリードの
インナーリード部に対してコンタクト可能な位置であれ
ば任意とすることができるが、好ましくは装置の主表面
の四隅部分であり、また、その数は任意であるが、一つ
の金属箔について１〜４個程度が適当である。

【００２１】更に、本発明の半導体装置において用いら
れる導体の断面形状（金属箔とグランドリードとを繋ぐ
方向に直交する方向に沿う断面形状）は任意であり、ま
た、その断面の寸法は、例えば断面形状を円形としたと
き、直径１００μｍ〜５ｍｍ程度とするのが適当であ
る。

【００２２】本発明において、以上のような導体とグラ
ンドリードとのコンタクトを確実にするために、グラン
ドリードの導体に対するコンタクト位置に、例えば、導
体の断面形状・寸法と略同等の形状・寸法を有する凹
所、あるいは貫通孔等を設けておいてもよい。また、導
体と金属箔とのコンタクトを確実にするために、導体の
先端を金属箔よりも外部にまで臨ませて、金属箔表面に
接する部分を形成してもよい（図１参照）。

【００２３】本発明の半導体装置の各製造方法におい
て、金型キャビティ面に金属箔を仮固定する方法として
は、その金属箔を鉄系合金とする場合には、前記したよ
うに、また、図２に例示するように、例えば金型内に埋
め込んだ磁石によって金属箔をキャビティに吸着する方
法を採用することができる。

【００２４】金属箔として鉄系合金以外のものを用いる
場合には、金型に吸引用の孔を形成して、金属箔を吸引
吸着する方法や、金属箔の金型当接面側に仮固定用の接
着剤層を形成しておく方法を採用することができる。た
だし、この場合、接着剤層は導体とのコンタクトを妨げ
ないように、導体貫通部分の周辺領域には設けないよう
にすることが好ましい。

【００２５】また、本発明の半導体装置の製造方法のう
ち、金型キャビティ内を型の開閉方向に伸びるピンを設
けることにより孔が穿たれた封止樹脂を成形した後、そ
の孔内に導体を充填する方法において、導体を孔内に充
填するには、導体を金属材料とする場合には、封止樹脂
に形成された孔にピン状の導体を挿入すればよく、ま
た、導体として金属粉末を含有する有機材料を採用する
場合には、溶融状態の導電性有機材料を孔内に注入した
後に固化させる方法、あるいは、既にピン状に固化させ
た導電性有機材料を孔内に挿入する方法のいずれをも採
用することができる。

【００２６】また、上記の本発明の方法において、金型
キャビティ面に仮固定する金属箔には、封止樹脂に孔を
形成するためのピンの位置に対応して、同ピンと略同等
の形状・寸法を持つ孔をあらかじめ形成しておくことが
好ましい。

【００２７】一方、本発明の半導体装置の製造方法のう
ち、金型に貫通孔を形成して、型締めの後、封止樹脂注
入前にその貫通孔を介してキャビティ内に導体チップを
挿入する方法において、導体チップとは、金属材料また
は前記したような固化状態の導電性有機材料のいずれを
も指す。

【００２８】また、この樹脂注入前にキャビティ内に導
体チップを挿入する本発明の製造方法においては、グラ
ンドリードに対する導体チップの位置ずれを防止するこ
とを目的として、グランドリードの該当箇所にあらかじ
め凹所等を形成しておくことが望ましい。

【００２９】

【作用】本発明の半導体装置によれば、封止樹脂の一表
面を被覆した金属箔が、封止樹脂の内部を通ってグラン
ドリードに至る導体によって、封止樹脂内でグランドリ
ードに接続される。この構造は、樹脂封止工程において
封止樹脂に穿った孔に導体を充填するか、あるいは同工
程において樹脂注入前に金型キャビティ内に導体チップ
を挿入する、という量産性に優れた本発明の製造方法の
採用を可能とし、また、金属箔を接地するための部材が
封止樹脂の外部に一切存在しないために、表面実装型の
薄型半導体装置の電磁波シールド構造として特に適した
構造となり得ると同時に、実装工程における作業性ない
しは生産性に影響を与えることがない。

【００３０】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態の模式
的縦断面図である。半導体素子１およびリードフレーム
２の一部が封止樹脂３によって封止されているととも
に、そのリードフレーム２の各リードと半導体素子１と
がワイヤ４によって相互に接続されている。

【００３１】封止樹脂３の上下面、つまり半導体装置の
２つの主表面３ａ，３ｂは、それぞれ金属箔５ａ，５ｂ
によって被覆されており、その各金属箔５ａ，５ｂは、
それぞれ導体６ａ，６ｂによってリードフレーム２のグ
ランドリード２０と導通している。

【００３２】すなわち、各導体６ａ，６ｂは、それぞ
れ、一端が金属箔５ａまたは５ｂを貫通して封止樹脂３
の外部に臨んでいるとともに、他端は封止樹脂３の内部
を通ってグランドリード２０のインナーリード部にまで
達してそこにコンタクトがとられている。また、この例
において各導体６ａ，６ｂは、金属粉末を含有した有機
材料によって形成されており、金属箔５ａ，５ｂを貫通
して外部に臨む部分が他の部分に比して大径となって頭
部を形成し、その頭部が金属箔５ａ，５ｂの表面に接触
することによって、これら両者の確実なコンタクトを実
現している。

【００３３】次に、以上の本発明の実施の形態の製造方
法について述べる。図２（Ａ）〜（Ｄ）はその製造方法
の主要部分を模式的断面図によって順に示した説明図で
ある。

【００３４】製造工程における手順を述べる前に、ま
ず、この製造方法に用いる封止樹脂成形用の上下一対の
金型１１，１２について説明すると、各金型１１，１２
には、その内部に平板状の磁石２１，２２を配置してい
るとともに、金型１１，１２のキャビティ面のうち、半
導体装置の主表面に相当する２つの面のそれぞれに、キ
ャビティ内を金型１１，１２の開閉方向に沿って伸びる
孔明け用ピンＰが固着されている。これらの各ピンＰの
長さは、型締め状態でその先端面がグランドリード２０
の表面に接する長さである。

【００３５】さて、以上のような成形用の金型１１，１
２を用いて、まず、図２（Ａ）に示すように、磁石２
１，２２による吸引力を利用して、鉄系合金からなる金
属箔５ａ，５ｂをそれぞれ金型１１，１２のキャビティ
面に仮固定する。ここで、各金属箔５ａ，５ｂには、孔
明け用ピンＰの位置に対応して、ピンＰの直径よりも若
干大きな直径の孔を形成しておき、そこをピンＰが貫通
するようにする。この状態で、半導体素子１とリードフ
レーム２とをワイヤ４によって相互に接続したものを金
型１１，１２の間に配置する。

【００３６】次に、（Ｂ）に示すように金型１１，１２
の型締めを行った後、（Ｃ）に示すようにキャビティ内
に樹脂を注入し、封止樹脂３の成形を行う。以上のよう
な封止樹脂成形工程により得られる半導体装置は、
（Ｄ）に示すように、封止樹脂３の上下面、つまり２つ
の主表面３ａ，３ｂがそれぞれ金属箔５ａ，５ｂによっ
て覆われ、また、孔明け用ピンＰの配設位置に対応する
位置に、金属箔５ａ，５ｂおよび封止樹脂３を通って装
置外部に開口し、かつ、その先端がグランドリード２０
のインナーリード部の表面に達する孔７ａ，７ｂが形成
されたものとなる。

【００３７】そして、このような各孔７ａ，７ｂ内に、
Ａｇ等の金属粉末を含有させてなる導電性樹脂を注入し
て固化させることにより、図１に示した構造の半導体装
置が得られる。なお、この導電性樹脂の注入に際して
は、導体６ａ，６ｂの頭部に対応した形状を備えた樹脂
吐出型が用いられる。

【００３８】以上の本発明の製造方法を適用して、実際
に図１に示した構造に準じた構造を持つ半導体装置を実
際に製造した例について、以下に具体的に述べる。金属
箔５ａ，５ｂとして４２％Ｎｉ−鉄合金（厚み１５μ
ｍ）の片面にポリエーテルイミド樹脂を厚み５μｍに塗
工したものを用い、２７ｍｍ角の正方形状に加工すると
ともに、その隅部に直径２ｍｍの孔を１箇所だけ穿っ
た。

【００３９】図２に示した金型１１，１２として２８ｍ
ｍ角１．４ｍｍ厚のＱＦＰ用金型を用い、上下の金型１
１，１２のそれぞれに、直径１ｍｍの孔明け用ピンＰを
上記金属箔５ａ，５ｂの孔位置に対応させて１本ずつ固
着した。

【００４０】そして、その金型１１，１２のキャビティ
面に、上記した金属箔５ａ，５ｂをポリエーテルイミド
樹脂塗工面をキャビティ内に向くように、また、先に穿
たれている孔にそれぞれ孔明け用ピンＰが貫通するよう
に磁石２１，２２の吸引力を利用して仮固定した。

【００４１】次いで１６８ピンのリードフレーム２とこ
れに接続された半導体素子１を金型１１，１２内にセッ
トした後に型締めし、樹脂を注入して封止樹脂３の成形
を行うことにより、２つの主表面３ａ，３ｂが金属箔５
ａ，５ｂで覆われ、かつ、その各主表面に対してそれぞ
れ１個ずつの孔７ａ，７ｂが穿たれた半導体装置を得
た。

【００４２】成形後、Ａｇ微粉末を８０重量％含有する
エポキシ樹脂を各孔７ａ，７ｂ内に充填して固化させる
ことにより、各主表面を覆う金属箔５ａ，５ｂがそれぞ
れ一つの導体６ａ，６ｂによって封止樹脂３内でグラン
ドリード２０に導通した半導体装置を得た。

【００４３】このようにして得られた半導体装置の各金
属箔５ａ，５ｂとグランドリード２０との導通を確認し
たところ、十分に導通していることが確認された。次
に、図１に示した構造の半導体装置を製造するための、
他の方法について述べる。

【００４４】図３は（Ａ）〜（Ｄ）はその製造手順をの
主要部分を模式的断面図で順に示す図である。この製造
方法において用いられる封止樹脂成形用の金型１０１，
１０２には、半導体装置の各主表面に対応する位置にお
いて、キャビティと金型外とを連通させる貫通孔Ｈを形
成している。また、各金型１０１，１０２には、図２の
例と同様に金属箔５ａ，５ｂを仮固定するための磁石２
１，２２を設けている。

【００４５】この製造方法においては、金属箔５ａ，５
ｂには金型１０１，１０２の貫通孔Ｈに対応する位置に
あらかじめ孔を形成しておき、その孔がそれぞれ貫通孔
Ｈと一致するように金属箔５ａ，５ｂをキャビティ面に
仮固定し、かつ、半導体素子１およびリードフレーム２
を金型１０１，１０２の間にセットする（Ａ）。

【００４６】次に、（Ｂ）のように金型１０１，１０２
の型締めの後、（Ｃ）に示すように各貫通孔Ｈを介して
ピン状の導体６ａ，６ｂをキャビティ内に挿入し、その
先端をグランドリード２０のインナーリード部に当接さ
せる。この例においてピン状の導体６ａ，６ｂは、図示
のように頭部を有するリベット様のものとし、キャビテ
ィ内に挿入状態においてその頭部がそれぞれ金属箔５
ａ，５ｂの表面に当接した状態とする。

【００４７】その後、（Ｄ）に示すようにキャビティ内
に封止樹脂３を注入して成形する。これにより、図１に
示したものと同等の構造を持つ半導体装置が得られる。
次に、本発明の半導体装置の他の実施の形態について述
べる。

【００４８】図４はその構成を示す模式的断面図であ
る。この実施の形態は、リードフレーム本体２０１と素
子搭載用の金属箔５０とが接着剤層２０２を介して積層
された、多層リードフレーム２００を用い、その素子搭
載用の金属箔５０を、一方の主表面における電磁波シー
ルド用の金属箔と兼用させている点に特徴がある。

【００４９】すなわち、この例において封止樹脂３は、
多層リードフレーム２００の素子搭載用の金属箔５０の
素子搭載面側のみを封止するように成形され、いわゆる
片面モールド型の半導体装置を構成し、素子搭載用の金
属箔５０の片面が半導体装置の一方の主表面を覆った構
造となっている。また、他方の主表面は、先の例と全く
同様な金属箔５ａによって覆われ、その金属箔５ａは、
同じく先の例と同様な導体６ａによって、リードフレー
ム本体２０１のグランドリード２０に導通している。

【００５０】そして、多層リードフレーム２００の金属
箔５０は、接着剤層２０２を貫通しする導体６０によっ
て、グランドリード２０に導通している。この図４にお
いても、半導体装置の２つの主表面がそれぞれ金属箔５
ａ，５０によって覆われ、かつ、その各金属箔５ａ，５
０が封止樹脂３ないしは接着剤層２０２を通る導体６
ａ，６０によって、半導体装置の内部でグランドリード
２０に接続され、図１に示した構造と同等の電磁波シー
ルド機能を発揮することができる。

【００５１】この図４に示した構造の半導体装置の製造
方法については、金属箔５ａと導体６ａの形成は図２ま
たは図３の方法をそのまま適用することができ、また、
導体６０に関しては、例えば、多層リードフレーム２０
０の製造時において、金属箔５０に導体６０を貫通させ
るための孔を穿っておき、その孔の周囲近傍を除いて金
属箔５０の一面に接着剤層２０２を形成し、その接着剤
層２００を介してリードフレーム本体２０１と金属箔５
０とを相互に接合した後、金属箔５０の孔とその周囲に
形成されている接着剤層２０２の不存在部分に導電性樹
脂を注入して固化させることで導体６０を得る、等の方
法を採用することができる。

【００５２】

【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、封止樹脂
の表面を覆った金属箔が、封止樹脂の内部を通る導体に
よって装置内部でグランドリードに導通しているから、
金属箔の接地用の配線等が半導体装置外に存在せず、特
に表面実装型等の薄型半導体装置に適用して信頼性が高
く、かつ、実装工程に全く影響を及ぼすことのない電磁
波シールドを達成できる。

【００５３】また、金属箔とグランドリードとを封止樹
脂内で導通させる本発明の半導体装置の構造は、封止樹
脂の成形工程において電磁波シールド用の金属箔のセッ
ト並びにその金属箔のグランドリードへの接続を行う、
本発明の製造方法の適用を可能とし、高い生産性のもと
に高歩留りの量産を可能とする。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の実施の形態の構造を示す
模式的断面図

【図２】図１の構造を持つ半導体装置を得るための本発
明の製造方法の例の手順説明図

【図３】図１の構造を持つ半導体装置を得るための本発
明の製造方法の他の例の手順説明図

【図４】本発明の半導体装置の他の実施の形態の構造を
示す模式的断面図

【符号の説明】

１ 半導体素子 ２ リードフレーム ２０ グランドリード ３ 封止樹脂 ３ａ，３ｂ 主表面 ５ａ，５ｂ 金属箔 ６ａ，６ｂ 導体 １１，１２，１０１，１０２ 金型 ２１，２２ 磁石 Ｈ 貫通孔 Ｐ 孔明け用ピン ５０ 素子搭載用金属箔 ６０ 導体 ２００ 多層リードフレーム ２０１ リードフレーム本体 ２０２ 接着剤層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子とリードフレームの一部とが
   封止樹脂によって封止された半導体装置において、封止
   樹脂の少なくとも一表面が金属箔で被覆されているとと
   もに、その金属箔が、封止樹脂内を通ってリードフレー
   ムのグランドリードに達する導体によって、当該グラン
   ドリードと導通していることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 上記導体が、金属を含有する有機材料で
   あることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体装置の
   製造方法であって、封止樹脂成形用の一対の金型の少な
   くとも一方に、当該金型キャビティ内で金型開閉方向に
   伸びるピンを固着しておくとともに、その金型キャビテ
   ィ面に、上記ピンを貫通させた状態で金属箔を仮固定
   し、かつ、金型内部に半導体素子とリードフレームの一
   部とを配置した状態で、型締めして樹脂を注入すること
   により、封止樹脂の少なくとも一面が金属箔で覆われ、
   かつ、その金属箔および封止樹脂を通ってリードフレー
   ムのグランドリードに達する孔が穿たれた半導体装置を
   得た後、その孔内に導体を充填することを特徴とする半
   導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１または２に記載の半導体装置の
   製造方法であって、封止樹脂成形用の一対の金型の少な
   くとも一方に、金型キャビティに通ずる貫通孔を形成し
   ておくとともに、その金型キャビティ面に、所定位置に
   孔または開口が形成された金属箔を、その孔または開口
   と上記貫通孔とが重なるように仮固定し、かつ、金型内
   部に半導体素子とリードフレームの一部とを配置した状
   態で型締めした後、上記貫通孔を介して金型キャビティ
   内に導体チップを挿入してその先端をリードフレームの
   グランドリードにまで至らせ、次いで金型内部に樹脂を
   注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。