JPH09214292A - 高周波同調回路 - Google Patents
高周波同調回路Info
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- JPH09214292A JPH09214292A JP8037254A JP3725496A JPH09214292A JP H09214292 A JPH09214292 A JP H09214292A JP 8037254 A JP8037254 A JP 8037254A JP 3725496 A JP3725496 A JP 3725496A JP H09214292 A JPH09214292 A JP H09214292A
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- tuning
- transformer
- tuning circuit
- coil
- circuit
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J3/00—Continuous tuning
- H03J3/28—Continuous tuning of more than one resonant circuit simultaneously, the tuning frequencies of the circuits having a substantially constant difference throughout the tuning range
- H03J3/32—Arrangements for ensuring tracking with variable capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/12—Bandpass or bandstop filters with adjustable bandwidth and fixed centre frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1775—Parallel LC in shunt or branch path
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複同調回路のＱ値のバランスが悪い上、帯域
幅を広くしているので、リップルが発生する。従って、
温度等の変化による周波数ズレによって感度が劣化した
り、２次高調波による混変調が発生する。 【解決手段】 １次側コイルを入力側とし、２次側コイ
ルに、カソードを共通接続した１対の可変容量ダイオー
ド素子を並列に接続して第１の同調回路を形成した入力
側の同調トランス、２次側コイルを出力側とし、１次側
コイルに、可変容量素子を直列に接続して第２の同調回
路を形成した出力側の同調トランスを備え、入力側の同
調トランスと出力側の同調トランスを接続し、出力側の
複合トランスのＱ値を入力側の複合トランスのＱ値の２
倍にする。 【効果】 リップルの発生を防止できるので、温度等の
変化による周波数ズレに対する感度劣化を改善でき、２
次高調波による混変調を防止できる。
幅を広くしているので、リップルが発生する。従って、
温度等の変化による周波数ズレによって感度が劣化した
り、２次高調波による混変調が発生する。 【解決手段】 １次側コイルを入力側とし、２次側コイ
ルに、カソードを共通接続した１対の可変容量ダイオー
ド素子を並列に接続して第１の同調回路を形成した入力
側の同調トランス、２次側コイルを出力側とし、１次側
コイルに、可変容量素子を直列に接続して第２の同調回
路を形成した出力側の同調トランスを備え、入力側の同
調トランスと出力側の同調トランスを接続し、出力側の
複合トランスのＱ値を入力側の複合トランスのＱ値の２
倍にする。 【効果】 リップルの発生を防止できるので、温度等の
変化による周波数ズレに対する感度劣化を改善でき、２
次高調波による混変調を防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スーパーヘテロダ
イン受信機のＲＦ段に用いられ、２次高調波信号を抑圧
する高周波同調回路に関する。
イン受信機のＲＦ段に用いられ、２次高調波信号を抑圧
する高周波同調回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の高周波同調回路の回路図、
図６は従来の高周波同調回路の特性図である。従来の高
周波同調回路は、入力側の同調トランスＴ７と出力側の
同調トランスＴ８を備え、入力側の同調トランスＴ７と
出力側の同調トランスＴ８を接続して複同調回路が形成
される。入力側の同調トランスＴ７は、１次側コイルＬ
１８を入力側とし、２次側コイルＬ１９に、カソードを
共通接続した可変容量ダイオードＤ１０、Ｄ１１からな
る１対の可変容量ダイオード及びコンデンサＣ７をそれ
ぞれ並列に接続して同調回路５１が形成される。また、
出力側の同調トランスＴ８は、２次側コイルＬ２１を出
力側とし、１次側コイルＬ２０に、可変容量ダイオード
Ｄ１２を直列に接続し、かつコンデンサＣ８を並列に接
続して同調回路５２が形成される。そして、入力側の同
調トランスＴ７の２次側コイルＬ１９を出力側の同調ト
ランスＴ８の１次側コイルＬ２０のタップに接続して同
調回路５１と同調回路５２からなる複同調回路が形成さ
れる。なお、Ｒ７とＲ８は、バイアス抵抗である。
図６は従来の高周波同調回路の特性図である。従来の高
周波同調回路は、入力側の同調トランスＴ７と出力側の
同調トランスＴ８を備え、入力側の同調トランスＴ７と
出力側の同調トランスＴ８を接続して複同調回路が形成
される。入力側の同調トランスＴ７は、１次側コイルＬ
１８を入力側とし、２次側コイルＬ１９に、カソードを
共通接続した可変容量ダイオードＤ１０、Ｄ１１からな
る１対の可変容量ダイオード及びコンデンサＣ７をそれ
ぞれ並列に接続して同調回路５１が形成される。また、
出力側の同調トランスＴ８は、２次側コイルＬ２１を出
力側とし、１次側コイルＬ２０に、可変容量ダイオード
Ｄ１２を直列に接続し、かつコンデンサＣ８を並列に接
続して同調回路５２が形成される。そして、入力側の同
調トランスＴ７の２次側コイルＬ１９を出力側の同調ト
ランスＴ８の１次側コイルＬ２０のタップに接続して同
調回路５１と同調回路５２からなる複同調回路が形成さ
れる。なお、Ｒ７とＲ８は、バイアス抵抗である。
【０００３】この高周波同調回路は、アンテナ回路から
の信号が入力側の同調トランスＴ７に入力され、入力さ
れた信号が１次側コイルＬ１８から２次側コイルＬ１９
に伝達されて同調回路５１によって受信周波数の信号が
選択される。そして、この同調回路５１の信号が、出力
側の同調トランスＴ８の１次側コイルＬ２０に伝達され
る。出力側の同調トランスＴ８に伝達された信号は、同
調回路５２によって受信周波数の信号が選択される。こ
の同調回路５２の信号が２次側コイルＬ２１に伝達され
て出力される。
の信号が入力側の同調トランスＴ７に入力され、入力さ
れた信号が１次側コイルＬ１８から２次側コイルＬ１９
に伝達されて同調回路５１によって受信周波数の信号が
選択される。そして、この同調回路５１の信号が、出力
側の同調トランスＴ８の１次側コイルＬ２０に伝達され
る。出力側の同調トランスＴ８に伝達された信号は、同
調回路５２によって受信周波数の信号が選択される。こ
の同調回路５２の信号が２次側コイルＬ２１に伝達され
て出力される。
【０００４】この高周波同調回路を形成する入力側の同
調トランスＴ７と出力側の同調トランスＴ８は同じＱ値
のものが用いられる。また、可変容量ダイオードＤ１
０、Ｄ１１、Ｄ１２は同じ電圧対容量特性のものが用い
られ、可変容量ダイオードにより発生する２次高調波を
抑圧する為に、同調回路５１だけ可変容量ダイオードＤ
１０とＤ１１のカソードを共通接続した１対の可変容量
ダイオードが用いられる。この様にして形成された従来
の高周波同調回路は、同調回路５２の合成容量が同調回
路５１の合成容量のほぼ２倍になって同調回路５２の共
振インピーダンスも同調回路５１の共振インピーダンス
の２倍になる。従って、同調回路５１と同調回路５２か
らなる複同調回路が形成される高周波同調回路は、Ｑ値
のバランスが悪い回路となる。その上、この様な高周波
同調回路では、トラッキングエラーによる感度差を無く
すために図６の様に帯域幅６３を広くしているので、図
６に実線で示された特性６１の様にリップルが発生しや
すくなる。
調トランスＴ７と出力側の同調トランスＴ８は同じＱ値
のものが用いられる。また、可変容量ダイオードＤ１
０、Ｄ１１、Ｄ１２は同じ電圧対容量特性のものが用い
られ、可変容量ダイオードにより発生する２次高調波を
抑圧する為に、同調回路５１だけ可変容量ダイオードＤ
１０とＤ１１のカソードを共通接続した１対の可変容量
ダイオードが用いられる。この様にして形成された従来
の高周波同調回路は、同調回路５２の合成容量が同調回
路５１の合成容量のほぼ２倍になって同調回路５２の共
振インピーダンスも同調回路５１の共振インピーダンス
の２倍になる。従って、同調回路５１と同調回路５２か
らなる複同調回路が形成される高周波同調回路は、Ｑ値
のバランスが悪い回路となる。その上、この様な高周波
同調回路では、トラッキングエラーによる感度差を無く
すために図６の様に帯域幅６３を広くしているので、図
６に実線で示された特性６１の様にリップルが発生しや
すくなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この様に高周波同調回
路の特性にリップルが発生した場合、減衰量が最小とな
る周波数Ｆ1 は、図６に点線で示されたリップルが発生
しない場合の特性６２の中心周波数Ｆ0 より低い周波数
となっている。従って、この減衰量が最小となる周波数
Ｆ1 が温度や湿度の変化により受信周波数からずれた場
合、受信周波数の信号が減衰されて感度が劣化するとい
う問題を有している。この高周波同調回路を用いて例え
ば１０１０ＫＨｚの信号を受信している時、１０３０Ｋ
Ｈｚの信号と１０５０ＫＨｚの信号が入力されると、同
調回路５１において２次高調波を抑圧しているにもかか
わらず同調回路５２に伝達され、１０３０ＫＨｚの信号
によって２０６０ＫＨｚの２次高調波が発生する。従っ
て、２０６０ＫＨｚの２次高調波の信号と１０５０ＫＨ
ｚの信号が合成されて１０１０ＫＨｚの信号が発生し、
混変調を起こすという問題を有している。
路の特性にリップルが発生した場合、減衰量が最小とな
る周波数Ｆ1 は、図６に点線で示されたリップルが発生
しない場合の特性６２の中心周波数Ｆ0 より低い周波数
となっている。従って、この減衰量が最小となる周波数
Ｆ1 が温度や湿度の変化により受信周波数からずれた場
合、受信周波数の信号が減衰されて感度が劣化するとい
う問題を有している。この高周波同調回路を用いて例え
ば１０１０ＫＨｚの信号を受信している時、１０３０Ｋ
Ｈｚの信号と１０５０ＫＨｚの信号が入力されると、同
調回路５１において２次高調波を抑圧しているにもかか
わらず同調回路５２に伝達され、１０３０ＫＨｚの信号
によって２０６０ＫＨｚの２次高調波が発生する。従っ
て、２０６０ＫＨｚの２次高調波の信号と１０５０ＫＨ
ｚの信号が合成されて１０１０ＫＨｚの信号が発生し、
混変調を起こすという問題を有している。
【０００６】本発明は、帯域幅を広くしてもリップルが
発生するのを防止でき、温度や湿度の変化による周波数
ズレに対しても感度劣化が改善できる高周波同調回路を
提供することを目的とする。また、本発明は、２次高調
波による混変調を抑圧できる高周波同調回路を提供す
る。
発生するのを防止でき、温度や湿度の変化による周波数
ズレに対しても感度劣化が改善できる高周波同調回路を
提供することを目的とする。また、本発明は、２次高調
波による混変調を抑圧できる高周波同調回路を提供す
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波同調回路
は、１次側コイルを入力側とし、２次側コイルを用いて
第１の同調回路を形成してある入力側の同調トランス、
２次側コイルを出力側とし、１次側コイルを用いて第２
の同調回路を形成してある出力側の同調トランスを備
え、入力側の同調トランスと出力側の同調トランスを接
続して複同調回路を形成し、出力側の同調トランスのＱ
値を入力側の同調トランスのＱ値の２倍にしたものであ
る。第１の同調回路は、入力側の同調トランスの２次側
コイルに、カソードを共通接続した１対の可変容量ダイ
オード素子を並列に接続して形成され、第２の同調回路
は、出力側の同調トランスの１次側コイルに、可変容量
素子を直列に接続して形成される。この第１の同調回路
と第２の同調回路は、共振インピーダンスを等しくす
る。
は、１次側コイルを入力側とし、２次側コイルを用いて
第１の同調回路を形成してある入力側の同調トランス、
２次側コイルを出力側とし、１次側コイルを用いて第２
の同調回路を形成してある出力側の同調トランスを備
え、入力側の同調トランスと出力側の同調トランスを接
続して複同調回路を形成し、出力側の同調トランスのＱ
値を入力側の同調トランスのＱ値の２倍にしたものであ
る。第１の同調回路は、入力側の同調トランスの２次側
コイルに、カソードを共通接続した１対の可変容量ダイ
オード素子を並列に接続して形成され、第２の同調回路
は、出力側の同調トランスの１次側コイルに、可変容量
素子を直列に接続して形成される。この第１の同調回路
と第２の同調回路は、共振インピーダンスを等しくす
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】入力側の同調トランスは、１次側
コイルを入力側とし、２次側コイルに、カソードを共通
接続した１対の可変容量ダイオード素子を並列に接続し
て第１の同調回路が形成される。また、出力側の同調ト
ランスは、２次側コイルを出力側とし、１次側コイルに
可変容量素子を直列に接続して第２の同調回路が形成さ
れる。この入力側の同調トランスと出力側の同調トラン
スが接続され、第１の同調回路と第２の同調回路によっ
て複同調回路が形成される。そして、出力側の同調トラ
ンスのＱ値が入力側の同調トランスのＱ値の２倍に設定
され、第１の同調回路の共振インピーダンスと第２の同
調回路のインピーダンスが等しくなる。
コイルを入力側とし、２次側コイルに、カソードを共通
接続した１対の可変容量ダイオード素子を並列に接続し
て第１の同調回路が形成される。また、出力側の同調ト
ランスは、２次側コイルを出力側とし、１次側コイルに
可変容量素子を直列に接続して第２の同調回路が形成さ
れる。この入力側の同調トランスと出力側の同調トラン
スが接続され、第１の同調回路と第２の同調回路によっ
て複同調回路が形成される。そして、出力側の同調トラ
ンスのＱ値が入力側の同調トランスのＱ値の２倍に設定
され、第１の同調回路の共振インピーダンスと第２の同
調回路のインピーダンスが等しくなる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の高周波同調回路の実施例を示
す図１乃至図４を参照して説明する。図１は本発明の高
周波同調回路の第１の実施例を示す回路図である。図１
において、Ｔ１は入力側の同調トランス、Ｔ２は出力側
の同調トランス、１１、１２はそれぞれ同調回路であ
る。入力側の同調トランスＴ１は、１次側コイルＬ１を
入力側とし、２次側コイルＬ２の一端に、カソードを共
通接続した１対の可変容量ダイオード素子Ｄ１とＤ２を
２次側コイルＬ２と並列に接続すると共に、コンデンサ
Ｃ１を２次側コイルＬ２と並列に接続して同調回路１１
が形成される。また、出力側の同調トランスＴ２は、２
次側コイルＬ４を出力側とし、１次側コイルＬ３の一端
に、可変容量ダイオードＤ３を直列に接続すると共に、
コンデンサＣ２を１次側コイルＬ３と並列に接続して同
調回路１２が形成される。この出力側の同調トランスＴ
２の１次側コイルＬ３にはタップが形成され、入力側の
同調トランスＴ１の２次側コイルＬ２の他端が接続され
る。そして、入力側の同調トランスＴ１の同調回路１１
と出力側の同調トランスＴ２の同調回路１２によって複
同調回路が形成される。なお、Ｒ１は可変容量ダイオー
ドＤ１とＤ２の共通接続したカソードに接続されたバイ
アス抵抗であり、Ｒ２は可変容量ダイオードＤ３のカソ
ードに接続されたバイアス抵抗であり、バイアス抵抗Ｒ
１とＲ２は同じ抵抗値に設定される。
す図１乃至図４を参照して説明する。図１は本発明の高
周波同調回路の第１の実施例を示す回路図である。図１
において、Ｔ１は入力側の同調トランス、Ｔ２は出力側
の同調トランス、１１、１２はそれぞれ同調回路であ
る。入力側の同調トランスＴ１は、１次側コイルＬ１を
入力側とし、２次側コイルＬ２の一端に、カソードを共
通接続した１対の可変容量ダイオード素子Ｄ１とＤ２を
２次側コイルＬ２と並列に接続すると共に、コンデンサ
Ｃ１を２次側コイルＬ２と並列に接続して同調回路１１
が形成される。また、出力側の同調トランスＴ２は、２
次側コイルＬ４を出力側とし、１次側コイルＬ３の一端
に、可変容量ダイオードＤ３を直列に接続すると共に、
コンデンサＣ２を１次側コイルＬ３と並列に接続して同
調回路１２が形成される。この出力側の同調トランスＴ
２の１次側コイルＬ３にはタップが形成され、入力側の
同調トランスＴ１の２次側コイルＬ２の他端が接続され
る。そして、入力側の同調トランスＴ１の同調回路１１
と出力側の同調トランスＴ２の同調回路１２によって複
同調回路が形成される。なお、Ｒ１は可変容量ダイオー
ドＤ１とＤ２の共通接続したカソードに接続されたバイ
アス抵抗であり、Ｒ２は可変容量ダイオードＤ３のカソ
ードに接続されたバイアス抵抗であり、バイアス抵抗Ｒ
１とＲ２は同じ抵抗値に設定される。
【００１０】この様に接続される入力側の同調トランス
Ｔ１と出力側の同調トランスＴ２は、互いにＱ値を異な
らせたものが用いられており、出力側の同調トランスＴ
２のＱ値が入力側の同調トランスＴ１のＱ値の２倍に設
定される。また、可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３
は、ほぼ同じ電圧対容量特性のものが用いられ、可変容
量ダイオードＤ１のカソードと可変容量ダイオードＤ２
のカソードが共通接続される。この入力側の同調トラン
スＴ１及び、カソードを共通接続した可変容量ダイオー
ドＤ１、Ｄ２が前述の様に接続されて同調回路１１が形
成される。また、この出力側の同調トランスＴ２と可変
容量ダイオードＤ３が前述の様に接続されて同調回路１
２が形成される。この同調回路１１と同調回路１２と
は、同調回路１２の合成容量が同調回路１１の合成容量
の２倍になり、出力側の複合トランスＴ２のＱ値が入力
側の複合トランスＴ１のＱ値の２倍になるので、共振イ
ンピーダンスが等しくなる。
Ｔ１と出力側の同調トランスＴ２は、互いにＱ値を異な
らせたものが用いられており、出力側の同調トランスＴ
２のＱ値が入力側の同調トランスＴ１のＱ値の２倍に設
定される。また、可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３
は、ほぼ同じ電圧対容量特性のものが用いられ、可変容
量ダイオードＤ１のカソードと可変容量ダイオードＤ２
のカソードが共通接続される。この入力側の同調トラン
スＴ１及び、カソードを共通接続した可変容量ダイオー
ドＤ１、Ｄ２が前述の様に接続されて同調回路１１が形
成される。また、この出力側の同調トランスＴ２と可変
容量ダイオードＤ３が前述の様に接続されて同調回路１
２が形成される。この同調回路１１と同調回路１２と
は、同調回路１２の合成容量が同調回路１１の合成容量
の２倍になり、出力側の複合トランスＴ２のＱ値が入力
側の複合トランスＴ１のＱ値の２倍になるので、共振イ
ンピーダンスが等しくなる。
【００１１】この様に形成された高周波同調回路は、ア
ンテナ回路からの信号が入力側の同調トランスＴ１の１
次側コイルＬ１に入力される。この入力された信号は、
同調トランスＴ１の２次側コイルＬ２に伝達される。そ
して、同調トランスＴ１の２次側コイルＬ２を用いた同
調回路１１で受信周波数の信号が選択され、出力側の同
調トランスＴ２の１次側コイルＬ３に伝達される。出力
側の複合トランスＴ２に伝達された信号は、同調回路１
２によって受信周波数の信号が選択され、この同調回路
１２の信号が２次側コイルＬ５に伝達されて出力され
る。
ンテナ回路からの信号が入力側の同調トランスＴ１の１
次側コイルＬ１に入力される。この入力された信号は、
同調トランスＴ１の２次側コイルＬ２に伝達される。そ
して、同調トランスＴ１の２次側コイルＬ２を用いた同
調回路１１で受信周波数の信号が選択され、出力側の同
調トランスＴ２の１次側コイルＬ３に伝達される。出力
側の複合トランスＴ２に伝達された信号は、同調回路１
２によって受信周波数の信号が選択され、この同調回路
１２の信号が２次側コイルＬ５に伝達されて出力され
る。
【００１２】図２は、本発明の高周波同調回路の実施例
の特性図であり、横軸が周波数、縦軸が減衰量を示して
いる。この高周波同調回路は、リップルが発生すること
なく減衰量が最小となる周波数が中心周波数Ｆ0 に一致
し、かつ帯域内減衰量の変動が小さい特性となる。従っ
て、トラッキングエラーによる感度差も小さくできる。
そして、この中心周波数Ｆ0 を、受信周波数に対応させ
てそれぞれの同調回路を構成する１対の可変容量ダイオ
ード及び、可変容量ダイオードに加える電圧を変えるこ
とにより所望の受信周波数の信号を受信できる。
の特性図であり、横軸が周波数、縦軸が減衰量を示して
いる。この高周波同調回路は、リップルが発生すること
なく減衰量が最小となる周波数が中心周波数Ｆ0 に一致
し、かつ帯域内減衰量の変動が小さい特性となる。従っ
て、トラッキングエラーによる感度差も小さくできる。
そして、この中心周波数Ｆ0 を、受信周波数に対応させ
てそれぞれの同調回路を構成する１対の可変容量ダイオ
ード及び、可変容量ダイオードに加える電圧を変えるこ
とにより所望の受信周波数の信号を受信できる。
【００１３】図３は本発明の高周波同調回路の第２の実
施例を示す回路図である。図３において、Ｔ３は入力側
の同調トランス、Ｔ４は出力側の同調トランス、３１、
３２はそれぞれ同調回路である。入力側の同調トランス
Ｔ３は、２次側を２つに分割して２次側コイルＬ６と１
次結合コイルＬ７が形成される。そして、１次側コイル
Ｌ５を入力側とし、２次側コイルＬ６に、カソードを共
通接続した１対の可変容量ダイオード素子Ｄ４とＤ５を
２次側コイルＬ６と並列に接続すると共に、コンデンサ
Ｃ３を２次側コイルＬ６と並列に接続して同調回路３１
が形成される。１次結合コイルＬ７は、２次側コイルＬ
６に磁気結合させる。また、出力側の同調トランスＴ４
は、１次側を２つに分割して１次側コイルＬ８と２次結
合コイルＬ９が形成される。そして、２次側コイルＬ１
０を出力側とし、１次側コイルＬ８に、可変容量ダイオ
ードＤ６を直列に接続すると共に、コンデンサＣ４を１
次側コイルＬ８と並列に接続して同調回路３２が形成さ
れる。２次結合コイルＬ９は、１次側コイルＬ８に磁気
結合させる。入力側の同調トランスＴ３の１次結合コイ
ルＬ７と出力側の同調トランスＴ４の２次結合コイルＬ
９が接続され、同調回路３１と同調回路３２によって複
同調回路が形成される。なお、バイアス抵抗Ｒ３とバイ
アス抵抗Ｒ４は同じ抵抗値に設定される。
施例を示す回路図である。図３において、Ｔ３は入力側
の同調トランス、Ｔ４は出力側の同調トランス、３１、
３２はそれぞれ同調回路である。入力側の同調トランス
Ｔ３は、２次側を２つに分割して２次側コイルＬ６と１
次結合コイルＬ７が形成される。そして、１次側コイル
Ｌ５を入力側とし、２次側コイルＬ６に、カソードを共
通接続した１対の可変容量ダイオード素子Ｄ４とＤ５を
２次側コイルＬ６と並列に接続すると共に、コンデンサ
Ｃ３を２次側コイルＬ６と並列に接続して同調回路３１
が形成される。１次結合コイルＬ７は、２次側コイルＬ
６に磁気結合させる。また、出力側の同調トランスＴ４
は、１次側を２つに分割して１次側コイルＬ８と２次結
合コイルＬ９が形成される。そして、２次側コイルＬ１
０を出力側とし、１次側コイルＬ８に、可変容量ダイオ
ードＤ６を直列に接続すると共に、コンデンサＣ４を１
次側コイルＬ８と並列に接続して同調回路３２が形成さ
れる。２次結合コイルＬ９は、１次側コイルＬ８に磁気
結合させる。入力側の同調トランスＴ３の１次結合コイ
ルＬ７と出力側の同調トランスＴ４の２次結合コイルＬ
９が接続され、同調回路３１と同調回路３２によって複
同調回路が形成される。なお、バイアス抵抗Ｒ３とバイ
アス抵抗Ｒ４は同じ抵抗値に設定される。
【００１４】この出力側の同調トランスＴ４のＱ値は、
入力側の同調トランスＴ３のＱ値の２倍に設定される。
また、可変容量ダイオードＤ４、Ｄ５、Ｄ６は、ほぼ同
じ電圧対容量特性に設定される。そして、同調回路３１
の共振インピーダンスと同調回路３２の共振インピーダ
ンスを等しくする。
入力側の同調トランスＴ３のＱ値の２倍に設定される。
また、可変容量ダイオードＤ４、Ｄ５、Ｄ６は、ほぼ同
じ電圧対容量特性に設定される。そして、同調回路３１
の共振インピーダンスと同調回路３２の共振インピーダ
ンスを等しくする。
【００１５】本実施例の高周波同調回路は、アンテナ回
路からの信号が入力側の同調トランスＴ３の１次側コイ
ルＬ５に入力される。そして、１次側コイルＬ５から２
次側コイルＬ６に伝達されて同調回路３１で受信周波数
の信号が選択され、１次結合コイルＬ７に伝達される。
この１次結合コイルＬ７に伝達された信号は、出力側の
同調トランスＴ４に伝達される。出力側の同調トランス
Ｔ４に伝達された信号は、２次結合コイルＬ９から１次
側コイルＬ８に伝達され、同調回路３２によって受信周
波数の信号が選択される。この同調回路３２の信号が２
次側コイルＬ１０に伝達されて出力される。この様な高
周波同調回路は、リップルが発生することなく減衰量が
最小となる周波数を中心周波数に一致させて帯域内減衰
量の変動を小さくできると共に、第１の実施例のものよ
り減衰量を急峻にできる。
路からの信号が入力側の同調トランスＴ３の１次側コイ
ルＬ５に入力される。そして、１次側コイルＬ５から２
次側コイルＬ６に伝達されて同調回路３１で受信周波数
の信号が選択され、１次結合コイルＬ７に伝達される。
この１次結合コイルＬ７に伝達された信号は、出力側の
同調トランスＴ４に伝達される。出力側の同調トランス
Ｔ４に伝達された信号は、２次結合コイルＬ９から１次
側コイルＬ８に伝達され、同調回路３２によって受信周
波数の信号が選択される。この同調回路３２の信号が２
次側コイルＬ１０に伝達されて出力される。この様な高
周波同調回路は、リップルが発生することなく減衰量が
最小となる周波数を中心周波数に一致させて帯域内減衰
量の変動を小さくできると共に、第１の実施例のものよ
り減衰量を急峻にできる。
【００１６】図４は本発明の高周波同調回路の第３の実
施例を示す回路図である。図４において、Ｔ５は入力側
の同調トランス、Ｔ６は出力側の同調トランス、４１、
４２はそれぞれ同調回路である。入力側の同調トランス
Ｔ５は、１次側コイルＬ１１、２次側コイルＬ１２、１
次結合コイルＬ１３からなり、２次側コイルＬ１２に、
カソードを共通接続した１対の可変容量ダイオード素子
Ｄ７とＤ８を２次側コイルＬ１２と並列に接続すると共
に、コンデンサＣ５を２次側コイルＬ１２と並列に接続
して同調回路４１が形成される。また、出力側の同調ト
ランスＴ６は、１次側コイルＬ１４、２次結合コイルＬ
１５、２次側コイルＬ１６からなり、１次側コイルＬ１
４に、可変容量ダイオードＤ９を直列に接続すると共
に、コンデンサＣ６を１次側コイルＬ１４と並列に接続
して同調回路４２が形成される。そして、入力側の同調
トランスＴ５の１次結合コイルＬ１３と出力側の同調ト
ランスＴ６の２次結合コイルＬ１５がコイル素子Ｌ１７
を介して接続され、同調回路４１と同調回路４２からな
る複同調回路が形成される。入力側の同調トランスＴ５
の信号は、このコイル素子Ｌ１７によって受信帯域（５
２０ＫＨｚ〜１７１０ＫＨｚ）よりも高い周波数の信号
が抑圧されて出力側の同調トランスＴ６に伝達される。
そして、出力側の同調トランスＴ６の２次側コイルＬ１
６から出力される。
施例を示す回路図である。図４において、Ｔ５は入力側
の同調トランス、Ｔ６は出力側の同調トランス、４１、
４２はそれぞれ同調回路である。入力側の同調トランス
Ｔ５は、１次側コイルＬ１１、２次側コイルＬ１２、１
次結合コイルＬ１３からなり、２次側コイルＬ１２に、
カソードを共通接続した１対の可変容量ダイオード素子
Ｄ７とＤ８を２次側コイルＬ１２と並列に接続すると共
に、コンデンサＣ５を２次側コイルＬ１２と並列に接続
して同調回路４１が形成される。また、出力側の同調ト
ランスＴ６は、１次側コイルＬ１４、２次結合コイルＬ
１５、２次側コイルＬ１６からなり、１次側コイルＬ１
４に、可変容量ダイオードＤ９を直列に接続すると共
に、コンデンサＣ６を１次側コイルＬ１４と並列に接続
して同調回路４２が形成される。そして、入力側の同調
トランスＴ５の１次結合コイルＬ１３と出力側の同調ト
ランスＴ６の２次結合コイルＬ１５がコイル素子Ｌ１７
を介して接続され、同調回路４１と同調回路４２からな
る複同調回路が形成される。入力側の同調トランスＴ５
の信号は、このコイル素子Ｌ１７によって受信帯域（５
２０ＫＨｚ〜１７１０ＫＨｚ）よりも高い周波数の信号
が抑圧されて出力側の同調トランスＴ６に伝達される。
そして、出力側の同調トランスＴ６の２次側コイルＬ１
６から出力される。
【００１７】これらの高周波同調回路は、それぞれリッ
プルの無い特性を有している。従って、これらの高周波
同調回路を用いて例えば１０１０ＫＨｚの信号を受信し
ている時、１０３０ＫＨｚの信号と１０５０ＫＨｚの信
号が入力されても、それぞれ減衰されるので、第２の同
調回路に伝達されて混変調を起こす原因となるエネルギ
ーが抑圧される。
プルの無い特性を有している。従って、これらの高周波
同調回路を用いて例えば１０１０ＫＨｚの信号を受信し
ている時、１０３０ＫＨｚの信号と１０５０ＫＨｚの信
号が入力されても、それぞれ減衰されるので、第２の同
調回路に伝達されて混変調を起こす原因となるエネルギ
ーが抑圧される。
【００１８】
【発明の効果】本発明の高周波同調回路は、１次側コイ
ルを入力側とし、２次側コイルに、カソードを共通接続
した１対の可変容量ダイオード素子を並列に接続して第
１の同調回路を形成してある入力側の同調トランス、２
次側コイルを出力側とし、１次側コイルに可変容量素子
を直列に接続して第２の同調回路を形成してある出力側
の同調トランスを備え、入力側の同調トランスと出力側
の同調トランスを接続して複同調回路を形成し、出力側
の同調トランスのＱ値を入力側の同調トランスのＱ値の
２倍にしているので、第１の同調回路の共振インピーダ
ンスと第２の同調回路の共振インピーダンスが等しくな
り、リップルが発生するのを防止できる。従って、温度
や湿度の変化による周波数ズレに対しても感度劣化が改
善できる。また、２次高調波による混変調を抑圧でき
る。
ルを入力側とし、２次側コイルに、カソードを共通接続
した１対の可変容量ダイオード素子を並列に接続して第
１の同調回路を形成してある入力側の同調トランス、２
次側コイルを出力側とし、１次側コイルに可変容量素子
を直列に接続して第２の同調回路を形成してある出力側
の同調トランスを備え、入力側の同調トランスと出力側
の同調トランスを接続して複同調回路を形成し、出力側
の同調トランスのＱ値を入力側の同調トランスのＱ値の
２倍にしているので、第１の同調回路の共振インピーダ
ンスと第２の同調回路の共振インピーダンスが等しくな
り、リップルが発生するのを防止できる。従って、温度
や湿度の変化による周波数ズレに対しても感度劣化が改
善できる。また、２次高調波による混変調を抑圧でき
る。
【図１】 本発明の高周波同調回路の第１の実施例を示
す回路図である。
す回路図である。
【図２】 本発明の高周波同調回路の実施例の特性図で
ある。
ある。
【図３】 本発明の高周波同調回路の第２の実施例を示
す回路図である。
す回路図である。
【図４】 本発明の高周波同調回路の第３の実施例を示
す回路図である。
す回路図である。
【図５】 従来の高周波同調回路の回路図である。
【図６】 従来の高周波同調回路の特性図である。
Ｔ１ 入力側の同調トランス Ｔ２ 出力側の同調トランス １１ 同調回路 １２ 同調回路
Claims (4)
- 【請求項１】 １次側コイルを入力側とし、２次側コイ
ルを用いて第１の同調回路を形成してある入力側の同調
トランス、 ２次側コイルを出力側とし、１次側コイルを用いて第２
の同調回路を形成してある出力側の同調トランスを備
え、 該入力側の同調トランスと該出力側の同調トランスを接
続して複同調回路を形成し、該出力側の同調トランスの
Ｑ値を該入力側の同調トランスのＱ値の２倍にしたこと
を特徴とする高周波同調回路。 - 【請求項２】 １次側コイルを入力側とし、２次側コイ
ルに、カソードを共通接続した１対の可変容量ダイオー
ド素子を並列に接続して第１の同調回路を形成してある
入力側の同調トランス、 ２次側コイルを出力側とし、１次側コイルに可変容量素
子を直列に接続して第２の同調回路を形成してある出力
側の同調トランスを備え、 該入力側の同調トランスと該出力側の同調トランスを接
続して複同調回路を形成し、該出力側の同調トランスの
Ｑ値を該入力側の同調トランスのＱ値の２倍にしたこと
を特徴とする高周波同調回路。 - 【請求項３】 １次側コイルを入力側とし、２次側コイ
ルに、カソードを共通接続した１対の可変容量ダイオー
ド素子を並列に接続して第１の同調回路を形成してある
入力側の同調トランス、 ２次側コイルを出力側とし、１次側コイルに可変容量素
子を直列に接続して第２の同調回路を形成してある出力
側の同調トランスを備え、 該入力側の同調トランスと該出力側の同調トランスを接
続して複同調回路を形成し、第１の同調回路の共振イン
ピーダンスと第２の同調回路の共振インピーダンスを等
しくしたことを特徴とする高周波同調回路。 - 【請求項４】 前記入力側の同調トランスと前記出力側
の同調トランスがインダクタンス素子を介して接続され
た請求項１、２、３のいずれかに記載の高周波同調回
路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08037254A JP3107512B2 (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 高周波同調回路 |
| US08/779,242 US5864267A (en) | 1996-01-31 | 1997-01-03 | Electronic-tuning type radio-frequency tuning circuit |
| DE19703219A DE19703219A1 (de) | 1996-01-31 | 1997-01-29 | Hochfrequenz-Abstimmschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08037254A JP3107512B2 (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 高周波同調回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09214292A true JPH09214292A (ja) | 1997-08-15 |
| JP3107512B2 JP3107512B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=12492518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08037254A Expired - Fee Related JP3107512B2 (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 高周波同調回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5864267A (ja) |
| JP (1) | JP3107512B2 (ja) |
| DE (1) | DE19703219A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111342428A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-06-26 | 合肥工业大学 | 一种基于温度特性的变压器保护方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3829142B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2006-10-04 | Ｔｄｋ株式会社 | 放電灯駆動装置 |
| EP2854268B1 (en) | 2011-09-15 | 2018-11-07 | Cold Plasma Medical Technologies, Inc. | Cold plasma treatment devices and associated methods |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1944119A (en) * | 1930-05-27 | 1934-01-16 | Rca Corp | Convertible band pass receiver |
| US2104792A (en) * | 1935-08-10 | 1938-01-11 | Johnson Lab Inc | High-frequency resonant system |
| US2238763A (en) * | 1936-12-21 | 1941-04-15 | Telefunken Gmbh | Arrangement for variable adjustment of band width |
| US2194566A (en) * | 1937-03-12 | 1940-03-26 | Rca Corp | Receiver selectivity control circuit |
| US2234461A (en) * | 1937-07-03 | 1941-03-11 | Nat Television Corp | Method and apparatus for controlling the frequency band width of coupled circuits |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP08037254A patent/JP3107512B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-01-03 US US08/779,242 patent/US5864267A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-01-29 DE DE19703219A patent/DE19703219A1/de not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111342428A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-06-26 | 合肥工业大学 | 一种基于温度特性的变压器保护方法 |
| CN111342428B (zh) * | 2020-02-26 | 2022-03-15 | 合肥工业大学 | 一种基于温度特性的变压器保护方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19703219A1 (de) | 1997-08-07 |
| US5864267A (en) | 1999-01-26 |
| JP3107512B2 (ja) | 2000-11-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |