JPH09202738A - 結合基としてビニル基を有する液晶性化合物および液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特に広い液晶相温度範囲を有し、低粘性であ
り、かつ大きな屈折率異方性値と大きな弾性定数比Ｋ₃₃
／Ｋ₁₁を有する液晶性化合物、この化合物を含む液晶組
成物、およびこの液晶組成物を用いた液晶表示素子を提
供する。 【解決手段】 一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数
２〜１０のアルケニル基を示し、Ｒ’は炭素数１〜１０
のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、Ｆ、Ｃ
ｌ、ＣＮ、ＯＣＦ₃、ＣＦ₃、ＯＣＦ₂Ｈ、ＣＦ₂Ｈまたは
ＣＦＨ₂を示し、Ａ₁、Ａ₂はそれぞれ独立して、トラン
ス−１，４−シクロヘキシレン基、六員環上の１個以上
の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい１，
４−フェニレン基または単結合を示し、またこの化合物
を構成する各元素はその同位体で置換されていてもよ
い。）で表わされる液晶性化合物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶性化合物、液晶
組成物及び液晶表示素子に関し、さらに詳しくは分子中
央部に環を挟んで二つのトランス−１，２−エテニレン
基を有する３〜４環系の新規な液晶性化合物、およびこ
れら含有する液晶組成物、さらにはこの液晶組成物を用
いた液晶表示素子に関する。

【０００２】

【背景技術】液晶性化合物の特性である屈折率異方性、
誘電率異方性を利用した表示素子はこれまで多数作られ
てきた。時計をはじめとして電卓、ワープロ、テレビ等
にその表示素子は広く利用され、需要も年々高くなって
きている。液晶相は固体相と液体相の中間に位置し、相
はネマチック相、スメクチック相、コレステリック相に
大別され、そのうちネマチック相を利用した表示素子が
現在最も広く利用されている。さらに液晶表示に応用さ
れている表示方式としては電気光学効果に対して、ＴＮ
（ねじれネマチック）型、ＤＳ（動的散乱）型、ゲスト
−ホスト型、ＤＡＰ型等がある。特に最近では液晶表示
のカラー化が一段と進み、その表示方式はＴＮ型では薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）方式およびスーパーツイスト
ネマチック（ＳＴＮ）方式が主流であり、これらの表示
素子が量産されている。現在までに研究段階のものを含
め多くの液晶性化合物が世に知られているが、現在のと
ころ単一の液晶性物質として表示素子に封入され使用さ
れている物質は存在しない。これは表示素子材料として
期待される液晶性化合物は自然界の、とくに表示素子と
して最も使用される頻度の高い室温を中心とする、なる
べく広い温度範囲で液晶相を示すものが望ましく、また
使用される環境因子に対して十分安定であり、また表示
素子を駆動させるに十分な物理的性質を持つものでなく
てはならないのに対し単体としてこれらの条件を満たす
ものが見出されていないためである。そこで現在では数
種から２０数種の液晶性化合物または非液晶性化合物を
混合してかような特徴を持つ組成物を調整し材料として
実用に供している。これらの液晶組成物は使用環境下に
通常に存在する水分、光、熱、空気等に対しても安定で
あることを要求される。また電場および電磁放射に対す
る安定性、さらには混合する液晶性化合物が互いに使用
環境内で化学的に安定であることを必要とする。また液
晶組成物はその屈折率異方性値（△ｎ）、誘電率異方性
値（△ε）、粘度（η）、電導度および弾性定数比Ｋ₃₃
／Ｋ₁₁（Ｋ₃₃：ベンド定数、Ｋ₁₁：スプレイ弾性定数）
等の諸物性値は表示方式および素子の形状に依存して適
当な値を取る必要がある。また液晶組成物中の各成分
は、相互に良好な溶解性を持つことが重要である。これ
らの諸物性値の中で、ＳＴＮ型表示方式で用いられる液
晶性化合物に求められているものは特に低粘性、大きい
屈折率異方性値、大きい弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁、広い液
晶相温度領域、さらにごく最近では表示素子の低電圧駆
動化に伴い低いしきい値電圧といったものである。低い
粘性は高速応答化を達成するのに必要不可欠な特性であ
る。さらに、この高速応答化はセル厚を薄くして達成す
る方法もある。しかしながら、単にセル厚を薄くするだ
けでは表示コントラストや視野角が低下する。なぜな
ら、表示コントラストや視野角は屈折率異方性値（△
ｎ）とセル厚（ｄ）との積（△ｎ・ｄ）が大きく影響し
ているためである。そこで△ｎ・ｄを所望の値に保ちな
がらセル厚を薄くするためには△ｎが大きな液晶組成物
を調製しなければならず、△ｎが大きな液晶性化合物が
必要となる。また、大きい弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁は電圧
−透過率曲線を急峻にし高コントラストの表示素子を可
能にする。一般にπ電子を有する化合物、つまり分子内
にベンゼン環、二重結合、三重結合のような構造を多く
含む化合物は大きい屈折率異方性値を有することが知ら
れている。これまで、三環系および四環系の化合物を用
いて大きい屈折率異方性値を有する液晶組成物を得るに
は、三重結合、ベンゼン環を多く含む化合物、例えばト
ラン系化合物等を使用していた。しかし、この三重結
合、ベンゼン環を多く含む化合物は粘性が高くなる傾向
にあり、これらの化合物にあわせて粘性を低くする液晶
性化合物を余分に混合しなければならないと言う問題が
あった。比較的低粘性で弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁の大きな
化合物として、化合物（ａ）（特公平７−７２１４８号
記載）および（ｂ）（特開昭６１−２１５３３６号）が
既に知られている。

【０００３】

【化８】

【０００４】しかしながら、化合物（ａ）では、弾性定
数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁を大きくする目的でこれを液晶組成物に
混合すると、弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁はある程度高くなる
ものの、透明点は維持できず低くなってしまう。また化
合物（ｂ）では、（ａ）と比較して透明点は高いが粘度
が大きいので、これを組成物の成分として添加した場
合、粘度を著しく大きくしてしまう。さらに、その転移
点からも判るようにスメクチック性が著しく強く、−２
０〜−４０℃の極低温下においては組成物中にスメクチ
ック相が発現してしまう欠点があった。そのため、低粘
性で、大きな屈折率異方性値かつ大きな弾性定数比Ｋ₃₃
／Ｋ₁₁を有し、液晶相温度領域が広く、低温での溶解性
が改善された液晶性化合物の開発が望まれていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、低粘性で、大きな屈折率異方性値と大きな
弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁を有し、液晶相温度領域が広く、
低温での溶解性が改善された液晶性化合物、これを含む
液晶組成物、およびこの液晶組成物を用いた液晶表示素
子を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決する手
段として、本願で特許請求される発明は以下のとおりで
ある。 （１）一般式（１）

【０００７】

【化９】

【０００８】（式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基
または炭素数２〜１０のアルケニル基を示し、Ｒ’は炭
素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニ
ル基、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＯＣＦ₃、ＣＦ₃、ＯＣＦ₂Ｈ、
ＣＦ₂ＨまたはＣＦＨ₂を示し、Ａ₁、Ａ₂はそれぞれ独立
して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、六員環
上の１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されてい
てもよい１，４−フェニレン基、または単結合を示し、
またこの化合物を構成する各元素はその同位体で置換さ
れていてもよい。）で表される液晶性化合物。 （２） 一般式（１）においてＡ₁及びＡ₂が単結合であ
る（１）項に記載の液晶性化合物。 （３） 一般式（１）においてＡ₁がトランス−１，４
−シクロヘキシレン基であり、Ａが₂単結合である
（１）項に記載の液晶性化合物。 （４） 一般式（１）において、Ａ₁が単結合であり、
Ａ₂がトランス−１，４−シクロヘキシレン基または
１，４−フェニレン基である（１）項に記載の液晶性化
合物。 （５） 上記（１）〜（４）項のいずれかに記載の液晶
性化合物を少なくとも１種類以上含有し、２成分以上か
らなる液晶組成物およびそれを使用した液晶表示素子。 （６） 第一成分として、（１）〜（４）のいずれかに
記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第二成
分として、一般式（２）（３）および（４）

【０００９】

【化１０】

【００１０】（式中、Ｒ₁は炭素数１〜１０のアルキル
基を示し、Ｘ₁はＦ、Ｃｌ、ＯＣＦ₃、ＯＣＦ₂Ｈ、Ｃ
Ｆ₃、ＣＦ₂ＨまたはＣＦＨ₂を示し、Ｌ₁、Ｌ₂、Ｌ₃およ
びＬ₄は相互に独立してＨまたはＦを示し、Ｚ₁およびＺ
₂は相互に独立して−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−ま
たは単結合を示し、ａは１または２を示す。）で表され
る化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含
有することを特徴とする液晶組成物。 （７） 第一成分として、上記（１）〜（４）項のいず
れかに記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、
第二成分として、一般式（５）、（６）、（７）、
（８）および（９）

【００１１】

【化１１】

【００１２】（式中、Ｒ₂はＦ、炭素数１〜１０のアル
キル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示し、該
アルキル基またはアルケニル基中の隣接しない任意のメ
チレン基（−ＣＨ₂−）は酸素原子（−Ｏ−）によって
置換されていてもよい、環Ａはトランス−１，４−シク
ロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、ピリミジン−
２，５−ジイル基または１，３−ジオキサン−２，５−
ジイル基を示し、環Ｂはトランス−１，４−シクロヘキ
シレン基、１，４−フェニレン基またはピリミジン−
２，５−ジイル基を示し、環Ｃはトランス−１，４−シ
クロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し、
Ｚ₃は−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−または単結合を示
し、Ｌ₅およびＬ₆は相互に独立してＨまたはＦを示し、
ｂおよびｃは相互に独立して０または１を示す。）

【００１３】

【化１２】

【００１４】（式中、Ｒ₃は炭素数１〜１０のアルキル
基を示し、Ｌ₇はＨまたはＦを示し、ｄは０または１を
示す。）

【００１５】

【化１３】

【００１６】（式中、Ｒ₄は炭素数１〜１０のアルキル
基を示し、環Ｄおよび環Ｅは相互に独立してトランス−
１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン
基を示し、Ｚ₄よびＺ₅は相互に独立して−ＣＯＯ−また
は単結合を示し、Ｚ₆は−ＣＯＯ−または−Ｃ≡Ｃ−を
示し、Ｌ₈およびＬ₉は相互に独立してＨまたはＦを示
し、Ｘ₂はＦ、ＯＣＦ₃、ＯＣＦ₂Ｈ、ＣＦ₃、ＣＦ₂Ｈま
たはＣＦＨ₂を示し、ｅ、ｆおよびｇは相互に独立して
０または１を示す。）

【００１７】

【化１４】

【００１８】（式中、Ｒ₅およびＲ₆は相互に独立して炭
素数１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０のアル
ケニル基を示し、該アルキル基またはアルケニル基中の
隣接しない任意のメチレン基（−ＣＨ₂−）は酸素原子
（−Ｏ−）によって置換されていてもよい、環Ｇはトラ
ンス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレ
ン基またはピリミジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｈ
はトランス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４
−フェニレン基を示し、Ｚ₇は−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ
−、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ≡Ｃ−または単
結合を示し、Ｚ₈は−ＣＯＯ−または単結合を示す。）

【００１９】

【化１５】

【００２０】（式中、Ｒ₇およびＲ₈は相互に独立して炭
素数１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０のアル
ケニル基を示し、該アルキル基またはアルケニル基中の
隣接しない任意のメチレン基（−ＣＨ₂−）は酸素原子
（−Ｏ−）によって置換されていてもよい、環Ｉはトラ
ンス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレ
ン基またはピリミジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｊ
はトランス−１，４−シクロヘキシレン基、環上の１つ
以上の水素原子がＦで置換されていてもよい１，４−フ
ェニレン基、またはピリミジン−２，５−ジイル基を示
し、環Ｋはトランス−１，４−シクロヘキシレン基また
は１，４−フェニレン基を示し、Ｚ₉およびＺ₁₁は相互
に独立して−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−または単結合を
示し、Ｚ₁₀は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−
または単結合を示し、ｈは０または１を示す。）で表さ
れる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類
含有することを特徴とする液晶組成物。 （８） 第一成分として、（１）〜（４）のいずれかに
記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第二成
分の一部分として、一般式（２）、（３）および（４）
からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含
有し、第二成分の他の部分として、一般式（５）、
（６）、（７）、（８）および（９）からなる群から選
択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴
とする液晶組成物およびそれを使用した液晶表示素子。 （９） 上記（１）〜（４）項のいずれかに記載の液晶
性化合物を少なくとも１種類以上含有し、２成分以上か
らなる液晶組成物を使用した液晶表示素子。 （１０） 上記（６）項に記載の液晶組成物を使用した
液晶表示素子。 （１１） 上記（７）項に記載の液晶組成物を使用した
液晶表示素子。 （１２） 上記（８）項に記載の液晶組成物を使用した
液晶表示素子。

【００２１】本発明の液晶性化合物は、一般式（１）で
表されるように、分子中央部に環を挟んで二つのトラン
ス−１，２−エテニレン基を有する三〜四環系の誘導体
である。これらの液晶性化合物は、表示素子が使用され
る条件下において物理的および化学的にも極めて安定で
あることは勿論のこと、低温下でも液晶組成物への溶解
性が良く、広いネマチック相温度領域、低粘性、大きな
屈折率異方性値かつ大きな弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁を有す
ることを特徴とする。また、分子構成要素のうち環構
造、結合基または側鎖の構造を適当に選ぶことで所望の
物性値を任意に調整することが可能である。したがっ
て、本発明の化合物を液晶組成物の成分として用いた場
合、 １）屈折率異方性値および弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁を向上
させるので、高いコントラストが得られる、 ２）液晶組成物の透明点を維持あるいは上昇させると共
に、粘度を低下させる、 ３）ごく低温下においても結晶の析出、スメクチック相
の発現が見られない安定したネマチック液晶組成物を調
製できる、 などの特性を示し外部環境に対して安定であり、高速応
答ならびに高コントラストの新規な液晶組成物および液
晶表示素子を提供し得る。本発明の一般式（１）で示さ
れる化合物は、下記の一般式（１ａ）〜（１ｅ）に類別
される。 Ｒ−Ｃｙｃ−Ｖ−Ｃｙｃ−Ｖ−Ｃｙｃ−Ｒ’ （１ａ） Ｒ−Ｃｙｃ−Ｖ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｖ−Ｃｙｃ−Ｒ’ （１ｂ） Ｒ−Ｃｙｃ−Ｖ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｖ−Ｃｙｃ−Ｒ’ （１ｃ） Ｒ−Ｃｙｃ−Ｖ−Ｃｙｃ−Ｖ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｒ’ （１ｄ） Ｒ−Ｃｙｃ−Ｖ−Ｃｙｃ−Ｖ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｒ’ （１ｅ） (式中、Ｃｙｃはトランス−１，４−シクロヘキシレン
基、Ｐｈｅは六員環上の１つ以上の水素原子がハロゲン
原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基、Ｖ
はトランス−１，２−エテニレン基、Ｒは炭素数１〜１
０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を
示し、Ｒ’は炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜
１０のアルケニル基、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＯＣＦ₃、Ｃ
Ｆ₃、ＯＣＦ₂Ｈ、ＣＦ₂ＨまたはＣＦＨ₂を示す。） 一般式（１ａ）〜（１ｅ）で表される化合物の中で特に
好ましいものとして、下記の一般式（１−１）〜（１−
４）で表される化合物を挙げることができる。

【００２２】

【化１６】

【００２３】（式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基
または炭素数２〜１０のアルケニル基を示し、Ｒ’は炭
素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニ
ル基、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＯＣＦ₃、ＣＦ₃、ＯＣＦ₂Ｈ、
ＣＦ₂ＨまたはＣＦＨ₂を示す。） 具体的には、Ｒはメチル、エチル、１−プロピル、１−
ブチル、１−ペンチル、１−ヘキシル、１−ヘプチル、
エテニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテ
ニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、
２−ペンテニル、３−ペンテニルおよび４−ペンテニル
が好ましく、Ｒ’はメチル、エチル、１−プロピル、１
−ブチル、１−ペンチル、１−ヘキシル、１−ヘプチ
ル、エテニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−
ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニ
ル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニ
ル、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＯＣＦ₃、ＯＣＦ₂ＨおよびＣＦ₃
が好ましい。中でも、Ｒ及びＲ’が１−プロピル、１−
ペンチル、１−ヘプチルであるものが特に好ましい。

【００２４】化合物の製法 一般式（１）で表される本発明の化合物は通常の有機合
成化学的手法（例えばオーガニック・シンセシス、オー
ガニック・リアクションズ、実験化学講座等に記載の手
法）を適当に選択、組み合わせることで容易に合成でき
る。以下に一般式（１）で表される本発明の化合物の合
成経路の一例を示す。ウィッティッヒ反応を用いる公知
の方法（例えば オーガニック・リアクションズ、第１
４巻、第３章等に記載の方法）に従い、テトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ）、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒
中でナトリウムメチラート、カリウム−ｔ−ブトキシド
（ｔ−ＢｕＯＫ）、ブチルリチウム等の塩基の存在下、
ケトン誘導体（１）をメトキシメチルトリフェニルハラ
イドと反応させ、次いでアセトン中、塩酸を作用させる
ことにより化合物（２）を得る。化合物（２）に塩酸、
硫酸等の鉱酸、ギ酸、酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸等
の有機酸を作用させることによりアルデヒド誘導体と
し、次いで、塩化メチレン中、ニクロム酸ピリジニウム
（ＰＤＣ）、クロロクロム酸ピリジニウム（ＰＣＣ）等
を作用させることによりカルボン酸誘導体を製造し、こ
のカルボン酸誘導体を低級飽和アルコール中、塩化チオ
ニルを作用させてエステル誘導体（３）とする。前記と
同様にウィッティッヒ反応により、このエステル誘導体
（３）をメトキシメチルトリフェニルハライドと反応さ
せ、次いでアセトン中、塩酸を作用させることにより化
合物（４）を得る。化合物（４）とウィッティヒ試薬
（５）とのウィッティッヒ反応により化合物（６）を製
造する。ＴＨＦ、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒
中で、化合物（６）に水素化アルミニウムリチウム、水
素化ジイソブチルアルミニウム等を作用させることでア
ルコール誘導体とし、次いでこのアルコール誘導体をＰ
ＣＣで酸化してケトン誘導体とし、このケトン誘導体を
ウィッティヒ試薬（７）とウィッティッヒ反応させて化
合物（８）を得る。塩化メチレン中、炭酸カリウム、炭
酸ナトリウム等の塩基の存在下、化合物（８）に３−ク
ロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）を作用させた化合物
（９）を得る。トルエン中、化合物（９）にトリフェニ
ルホスフィンジブロミドを作用させてブロム化して化合
物（１０）を得る。、さらに酢酸中、化合物（１０）に
亜鉛を作用させることで本発明化合物（１）を製造する
ことができる。

【００２５】

【化１７】

【００２６】上記の方法に準じて下記の化合物が製造で
きる。

【００２７】

【化１８】

【００２８】

【化１９】

【００２９】

【化２０】

【００３０】

【化２１】

【００３１】

【化２２】

【００３２】

【化２３】

【００３３】このようにして得られる一般式（１）で表
される本発明の液晶性化合物はいずれも広いネマチック
相温度領域を示し、低粘性であり、大きな屈折率異方性
値かつ大きな弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁を有し、他の種々の
液晶材料と容易に混合し、ＳＴＮ型表示方式に適したネ
マチック液晶組成物の構成成分として極めて優れてい
る。本発明に係る液晶組成物は、一般式（１）で表され
る化合物の１種以上を０．１〜９９．９重量％の割合で
含有することが、優良な特性を発現せしめるために好ま
しい。一般式（１）で表される化合物と併用する他の化
合物として、一般式（２）〜（９）で表される化合物群
を例示できる。更に好ましくは、本発明により提供され
る液晶組成物は、一般式（１）で表されるる液晶性化合
物を少なくとも１種類含む第一成分だけでもよいが、こ
れに加え、第二成分として一般式（２）、（３）および
（４）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種
類の化合物（以下第二Ａ成分と称する）および／または
一般式（５）、（６）、（７）、（８）および（９）で
表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合
物（以下第二Ｂ成分と称する）を混合したものが好まし
い。これらの液晶組成物物に、しきい値電圧、液晶相温
度範囲、屈折率異方性値、誘電率異方性値および粘度等
を調整する目的で、公知の化合物を第三成分として混合
することもできる。一般式（２）、（３）および（４）
で表される化合物の好適例として、下記の一般式（２−
１）〜（２−１５）、一般式（３−１）〜（３−４８）
および一般式（４−１）〜（４−５５）で表される化合
物を挙げることができる。

【００３４】

【化２４】

【００３５】

【化２５】

【００３６】

【化２６】

【００３７】

【化２７】

【００３８】

【化２８】

【００３９】

【化２９】

【００４０】

【化３０】

【００４１】

【化３１】

【００４２】

【化３２】

【００４３】（ただし、式中Ｒ₁は、前記一般式（２）
と同一の意味を示す。） これらの一般式（２）〜（４）で示される化合物は、正
の誘電率異方性値を有し、熱安定性や化学的安定性が非
常に優れている。本発明の液晶組成物中へのこれらの化
合物の使用量は、液晶組成物の全重量に対して１〜９９
重量％の範囲が適するが、好ましくは１０〜９７重量
％、より好ましくは４０〜９５重量％である。一般式
（５）、（６）および（７）で表される化合物の好適例
として、下記の一般式（５−１）〜（５−２４）、一般
式（６−１）〜（６−３）および一般式（７−１）〜
（７−２８）で表される化合物を挙げることができる。

【００４４】

【化３３】

【００４５】

【化３４】

【００４６】

【化３５】

【００４７】

【化３６】

【００４８】（ただし、式中Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は、前記一
般式（５）〜（７）と同一の意味を示す。これら一般式
（５）〜（７）で示される化合物は、正の大きな誘電率
異方性値を有し、液晶組成物しきい値電圧を小さくする
成分として使用される。また、粘度の調整、屈折率異方
性値の調整および液晶相温度範囲を広げる等の目的や、
さらに（電圧−透過率特性）の急峻性を改良する目的に
も使用される。一般式（８）および（９）で表される化
合物の好適例として、下記の一般式（８−１）〜（８−
８）および一般式（９−１）〜（９−１３）で表される
化合物を挙げることができる。

【００４９】

【化３７】

【００５０】

【化３８】

【００５１】（ただし、式中Ｒ₅、Ｒ₆は、前記一般式
（８）及び（９）と同一の意味を示す。） 一般式（８）および（９）で表される化合物は、誘電率
異方性値が負かまたは小さな正である化合物である。一
般式（８）で表される化合物は、主として液晶組成物の
粘度を低下させる目的および／または屈折率異方性値の
調整の目的で使用される。また、一般式（９）の化合物
は液晶組成物の透明点を高くする等のネマチックレンジ
を広げる目的および／または屈折率異方性値の調整の目
的で使用される。一般式（５）〜（９）の化合物は、Ｓ
ＴＮ表示方式および通常のＴＮ表示方式用の液晶組成物
を調製する場合には、特に有用な化合物である。一般式
（５）〜（９）の化合物の使用量は、通常のＴＮ表示方
式およびＳＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合
には１〜９９重量％の範囲で任意に使用できるが、１０
〜９７重量％が、より好ましくは４０〜９５重量％が好
適である。また、その際には（２）〜（４）の化合物を
併用しても良い。

【００５２】本発明の液晶組成物は、それ自体慣用な方
法で調製される。一般には、種々の成分を高い温度で互
いに溶解させる方法がとられている。また、各成分に共
通の有機溶媒に溶解して混合したのち、減圧下溶媒を留
去しても良い。また、適当な添加物を加えることによっ
て意図する用途に応じた改良がなされ、最適化される。
このような添加物は当業者によく知られており、文献等
に詳細に記載されている。通常、液晶のらせん構造を誘
起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれを防ぐキラル
ドープ剤などが添加される。また、メロシアニン系、ス
チリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフ
タロン系、アントラキノン系およびテトラジン系等の二
色性色素を添加してゲストホスト（ＧＨ）モ−ド用の液
晶組成物として使用できる。

【００５３】本発明に係る液晶組成物をＴＦＴ液晶表示
素子に用いることによって、電圧−透過率特性の急峻性
や視野角の改善ができる。また、一般式（１）の化合物
は低粘性化合物であるので、これを用いた液晶表示素子
の応答速度は改善され極めて大きい。本発明に係る液晶
組成物は、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作
成したＮＣＡＰや、液晶中に三次元網目状高分子を作成
したポリマ−ネットワ−ク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）
に代表されるポリマ−分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣ
Ｄ）用、その他複屈折制御（ＥＣＢ）モ−ドや動的散乱
（ＤＳ）モ−ド用の液晶組成物としても使用できる。

【００５４】一般式（１）で表される本発明の液晶性化
合物を含有するネマチック液晶組成物として以下に示す
ような組成例（組成例１〜１２）を示すことができる。
ただし組成例中の化合物は次表に示す取り決めに従い略
号で示した。

【００５５】

【表１】

【００５６】（ただし、上記の表においてｓ、ｔ、ｗ、
ｘは１以上の整数を表す。） 組成例１ ３−ＨＶＨＶＨ−３ ７．０％ １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ８．０％ ３−ＨＢ−Ｃ ２４．０％ ３−ＨＢ−Ｏ２ ９．０％ ３−ＨＨ−４ １０．０％ ３−ＨＨ−５ ５．０％ ３−ＨＨＢ−１ １０．０％ ３−ＨＨＢ−３ ５．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ７．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ６．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ４．０％

【００５７】組成例２ ３−ＨＶＨＶＨ−２ ５．０％ ３−ＨＶＨＶＨ−３ ５．０％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １１．０％ １Ｖ２−ＨＢ−Ｃ １１．０％ ３−ＨＢ−Ｏ２ ５．０％ ２−ＢＴＢ−Ｏ１ ６．０％ ３−ＢＴＢ−Ｏ１ ６．０％ ４−ＢＴＢ−Ｏ１ ６．０％ ４−ＢＴＢ−Ｏ２ ６．０％ ５−ＢＴＢ−Ｏ１ ６．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ２．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ３．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ６．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ６．０％ ２−ＰｙＢＨ−３ ４．０％ ３−ＰｙＢＨ−３ ４．０％ ３−ＰｙＢＢ−２ ４．０％ ３−ＨＥＢＥＢ−１ ２．０％ ３−ＨＥＢＥＢ−Ｆ ２．０％

【００５８】組成例３ ３−ＨＶＨＨＶＨ−５ ５．０％ ２−ＢＢ−Ｃ ８．０％ ４−ＢＢ−Ｃ ６．０％ ２−ＨＢ−Ｃ １０．０％ ３−ＨＢ−Ｃ １３．０％ ３−ＨＨＢ−Ｆ ５．０％ ２−ＨＨＢ−Ｃ ４．０％ ３−ＨＨＢ−Ｃ ６．０％ ５−ＰｙＢ−Ｆ ６．０％ ３−ＰｙＢＢ−Ｆ ６．０％ ３−ＢＴＢ−１ ５．０％ ２−ＨＨＢ−１ ６．０％ ３−ＨＨＢ−１ ５．０％ ３−ＨＨＢ−３ １０．０％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５．０％

【００５９】組成例４ ２−ＨＶＨＶＨＨ−１ ３．０％ ３−ＨＶＨＶＨＢ−２ ３．０％ ３−ＤＢ−Ｃ １０．０％ ４−ＤＢ−Ｃ １２．０％ ５−ＤＢ−Ｃ ８．０％ ２−ＢＥＢ−Ｃ １０．０％ ５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ２−ＰｙＢ−Ｏ２ ４．０％ ２−ＰｙＢ−２ ２．０％ ３−ＰｙＢ−２ ２．０％ ３−ＨＥＢ−Ｏ４ ５．０％ ４−ＨＥＢ−Ｏ２ ５．０％ ３−ＨＥＢ−Ｏ２ ４．０％ １Ｏ−ＢＥＢ−２ ３．０％ ５−ＨＥＢ−１ ３．０％ ４−ＨＥＢ−４ ５．０％ ２−ＰｙＢＨ−３ ５．０％ ３−ＨＨＥＢＢ−Ｃ ３．０％ ３−ＨＢＥＢＢ−Ｃ ３．０％

【００６０】組成例５ ３−ＨＶＨＶＨ−１ ３．０％ ３−ＨＶＨＶＨ−３ ４．０％ Ｖ２−ＨＢ−Ｃ １０．０％ １Ｖ２−ＨＢ−Ｃ ８．０％ ３−ＨＢ−Ｃ １４．０％ １Ｏ１−ＨＢ−Ｃ ６．０％ ２Ｏ１−ＨＢ−Ｃ ６．０％ ２−ＨＨＢ−Ｃ ５．０％ ３−ＨＨＢ−Ｃ ５．０％ ３−ＨＨ−４ １０．０％ １Ｏ１−ＨＨ−５ ５．０％ ３−ＨＨ−ＥＭｅ ３．０％ ２−ＢＴＢ−Ｏ１ １１．０％ ３−ＨＨＢ−１ ５．０％ ３−ＨＨＢ−３ ５．０％

【００６１】組成例６ ３−ＨＶＨＶＨ−３ ４．０％ ３−ＨＶＨＨＶＨ−５ ４．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ４．０％ ２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ４．０％ ３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １２．０％ １Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １０．０％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％ ３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５．０％ ５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５．０％ ３−ＨＢＥＢ−Ｆ ６．０％ ３−ＨＢＢ−Ｆ ３．０％ ３−ＨＢ−Ｏ２ １０．０％ ３−ＨＨ−４ ５．０％ ３−ＨＨＢ−１ ６．０％ ３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ４．０％ ３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５．０％

【００６２】組成例７ ３−ＨＶＨＶＨ−４ ５．０％ ５−ＨＶＨＶＨ−３ ５．０％ ３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％ ５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．０％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％ ４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６．０％ ３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １２．０％ ５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １４．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％ ３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６．０％ ３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２．０％ ３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２．０％ ３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２．０％

【００６３】組成例８ ３−ＨＶＨＶＨ−３ ６．０％ ３−ＨＶＨＨＶＨ−５ ４．０％ ７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７．０％ ５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ ４．０％ ２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％ ３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％ ５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％ ２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ４．０％ ３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％ ５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ４．０％ ３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６．０％ ４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％ ５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．０％ ３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．０％ ５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７．０％ ３−ＨＥＢ−Ｆ ６．０％ ５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ ３．０％ １Ｏ１−ＨＢＢＨ−３ ３．０％

【００６４】組成例９ ３−ＨＶＨＶＨＨ−５ ４．０％ ３−ＨＶＨＶＨＢ−３ ４．０％ ５−ＨＢ−ＣＬ ４．０％ ７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ２−ＨＨＢ−ＣＬ ５．０％ ４−ＨＨＢ−ＣＬ １０．０％ ５−ＨＨＢ−ＣＬ ５．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １２．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％ ３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−２ ５．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−３ ５．０％

【００６５】組成例１０ ２−ＨＶＨＶＨＢ−３ ５．０％ ７−ＨＢ−Ｆ ７．０％ ３−ＨＨ−Ｏ１ ７．０％ ３−ＨＢ−Ｏ１ ６．０％ ３−ＨＨＢ−ＯＣＦ２Ｈ ３．０％ ５−ＨＨＢ−ＯＣＦ２Ｈ ４．０％ ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ １０．０％ ５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ ８．０％ ２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ６．０％ ３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７．０％ ５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ６．０％ ３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ ６．０％ ３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ ７．０％ ５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ ９．０％ ３−ＨＨＥＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％ ５−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ ３．０％

【００６６】組成例１１ ３−ＨＶＨＶＨ−２ ６．０％ ３−ＨＶＨＨＶＨ−３ ４．０％ Ｖ−ＨＢ−Ｃ １０．０％ １Ｖ−ＨＢ−Ｃ ５．０％ ３−ＢＢ−Ｃ ５．０％ ５−ＢＢ−Ｃ ５．０％ ２−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％ ４−ＢＢ−３ ３．０％ ３−Ｈ２Ｂ−Ｏ２ ８．０％ ５−Ｈ２Ｂ−Ｏ２ ５．０％ ３−ＢＥＢ−Ｃ ５．０％ ５−ＨＥＢ−Ｏ１ ５．０％ ５−ＨＥＢ−Ｏ３ ８．０％ ５−ＢＢＢ−Ｃ ３．０％ ４−ＢＰｙＢ−Ｃ ４．０％ ４−ＢＰｙＢ−５ ４．０％ ５−ＨＢ２Ｂ−４ ３．０％ ５−ＨＢＢ２Ｂ−３ ２．０％ １Ｖ−ＨＨ−１Ｏ１ ５．０％ １Ｖ２−ＨＢＢ−３ ５．０％

【００６７】組成例１２ ２−ＨＶＨＶＨＨ−２ ３．０％ ３−ＨＶＨＶＨＨ−２ ３．０％ ５−ＨＶＨＶＨＢ−２ ４．０％ ４−ＨＥＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ５−ＨＥＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ２−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％ ３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％ ４−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８．０％ ５−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８．０％ １Ｏ３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ６．０％ ３−ＨＨＥＢ（Ｆ）−Ｆ ５．０％ ５−ＨＨＥＢ（Ｆ）−Ｆ ５．０％ ２−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％ ３−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％ ５−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％ ３−ＨＢＴＢ−２ ５．０％ Ｖ２−ＨＨ−３ ４．０％ Ｖ２−ＨＨＢ−１ ４．０％

【００６８】組成例１３ Ｖ−ＨＶＨＶＨ−２Ｖ ３．０％ ２Ｖ−ＨＶＨＶＨ−Ｖ２ ４．０％ Ｖ２−ＨＢ−Ｃ １０．０％ １Ｖ２−ＨＢ−Ｃ ８．０％ ３−ＨＢ−Ｃ １４．０％ １Ｏ１−ＨＢ−Ｃ ６．０％ ２Ｏ１−ＨＢ−Ｃ ６．０％ ２−ＨＨＢ−Ｃ ５．０％ ３−ＨＨＢ−Ｃ ５．０％ ３−ＨＨ−４ １０．０％ １Ｏ１−ＨＨ−５ ５．０％ ３−ＨＨ−ＥＭｅ ３．０％ ２−ＢＴＢ−Ｏ１ １１．０％ ３−ＨＨＢ−１ ５．０％ ３−ＨＨＢ−３ ５．０％

【００６９】組成例１４ １Ｖ−ＨＶＨＶＨＨ−２Ｖ１ ４．０％ Ｖ−ＨＶＨＶＨＢ−５ ４．０％ ５−ＨＢ−ＣＬ ４．０％ ７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％ ２−ＨＨＢ−ＣＬ ５．０％ ４−ＨＨＢ−ＣＬ １０．０％ ５−ＨＨＢ−ＣＬ ５．０％ ３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １２．０％ ５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％ ３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−２ ５．０％ ３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−３ ５．０％

【００７０】

【実施例】以下、実施例により本発明をより詳細に説明
するが、本発明はこれらの実施例によりなんら制限され
るものではない。なお、化合物の構造は核磁気共鳴スペ
クトル（以下、¹Ｈ−ＮＭＲと略す。）、質量スペクト
ル（以下、ＭＳと略す。）等で確認した。実施例中、Ｎ
ＭＲにおいてｄは二重線、ｍは多重線、Ｊはカップリン
グ定数を表す。ＭＳにおいてＭ⁺は分子イオンピーク、
（）内はイオン強度を表す。Ｃｒは結晶相を、Ｓはスメ
クチック相を、Ｎはネマチック相を、Ｉｓｏは等方性液
体相を示し、相転移温度の単位は全て℃である。 実施例１ トランス−１，４−ビス−（（Ｅ）−２−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキサ
ン（一般式（１）において、Ａ₁及びＡ₂が共有結合、Ｒ
及びＲ’がプロピル基である、化合物Ｎｏ．４）の製造 第１段 （トランス−４−プロピルシクロヘキシル）メチルトリ
フェニルホスホニウムブロミド３６７．７グラム（７６
３．７ミリモル）をＴＨＦ３．５リットルに懸濁させ、
窒素気流下−５０℃に冷却した。この混合物にｔ−Ｂｕ
ＯＫ９４．３グラム（８４０．４ミリモル）を加え１時
間攪拌した。次いでこの溶液に、トランス−４−ホルミ
ルシクロヘキサンカルボン酸メチル１００．０グラム
（５８７．５ミリモル）のＴＨＦ１リットル溶液を−５
０℃以下を保ちながら３０分かけて滴下した。滴下終了
後、反応温度を徐々に室温まで昇温させ、さらに５時間
攪拌した。反応液から減圧下で溶媒を留去し、残渣に水
５００ミリリットルを加え、生成物をトルエン５００ミ
リリットルで抽出した。有機層を水２００ミリリットル
で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減
圧下で溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、粗製のト
ランス−４−（２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エテニル）シクロヘキサンカルボン酸メチル１
４０．９グラムを得た。

【００７１】第２段 窒素気流下、氷浴上でＴＨＦ２００ミリリットルに水素
化アルミニウムリチウム１３．７グラム（３６０．１ミ
リモル）を加え、第１段で得られたトランス−４−（２
−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エテニ
ル）シクロヘキサンカルボン酸メチル１４０．９グラム
（４８１．８ミリモル）のＴＨＦ１．５リットル溶液を
攪拌しながら４０分かけて徐々に滴下した。滴下終了
後、室温で５時間攪拌した後、氷浴上で２Ｎ−水酸化ナ
トリウム水溶液２００ミリリットルを徐々に加えて反応
を終了させた。反応液を湯浴上で５０℃に加温し、懸濁
物が固まったところでセライト濾過をし、濾液から減圧
下で溶媒を留去して、粗製のトランス−４−（２−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）エテニル）シク
ロヘキサンカルビノール７６．４グラムを得た。

【００７２】第３段 窒素気流下、氷浴上で塩化メチレン８００ミリリットル
にＰＣＣ６８．５グラム（３１７．８ミリモル）および
シリカゲル６８．５グラムを添加し、攪拌しながら、第
２段で得られたトランス−４−（２−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキサンカ
ルビノール７６．４グラム（２８８．９ミリモル）を加
え、氷浴上で１時間、更に室温で５時間攪拌した。反応
液より塩化メチレン不溶物を濾過により除去した後、減
圧下で溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付して、粗製の
トランス−４−（２−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）エテニル）シクロヘキサンカルバルデヒド４
４．０グラムを得た。 第４段 （トランス−４−プロピルシクロヘキシル）メチルトリ
フェニルホスホニウムブロミド１０５．０グラム（２１
８．１ミリモル）をＴＨＦ１リットルに懸濁させ、窒素
気流下−５０℃に冷却した。この混合物にｔ−ＢｕＯＫ
２６．９グラム（２３９．７ミリモル）を加え１時間攪
拌した。この混合物に、第３段で得られたトランス−４
−（２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エ
テニル）シクロヘキサンカルバルデヒド４４．０グラム
（１６７．７ミリモル）のＴＨＦ４５０ミリリットル溶
液を−５０℃以下を保ちながら２０分かけて滴下した。
滴下終了後、反応温度を徐々に室温まで昇温させ、さら
に５時間攪拌した。反応液から減圧下で溶媒を留去し、
残渣に水２５０ミリリットルを加え、生成物をトルエン
２５０ミリリットルで抽出した。有機層を水１００ミリ
リットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た後、減圧下で溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（展開溶媒ヘプタン）に付して、
粗製のトランス−１，４−ビス−（２−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキサン
５１．６グラムを得た。

【００７３】第５段 窒素気流下、氷浴上塩化メチレン１．０リットルにｍＣ
ＰＢＡ９２．５グラム（５３６．１ミリモル）および炭
酸カリウム１８５．２グラム（１３４０．０ミリモル）
を加え攪拌し、第４段で得られたトランス−１，４−ビ
ス−（２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
エテニル）シクロヘキサン５１．６グラム（１３４．１
ミリモル）の塩化メチレン５００ミリリットル溶液を２
０分かけて滴下した。滴下終了後、室温で５時間攪拌し
た後、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液５００ミリリット
ルを加えて反応を終了させた。反応液から有機層を分取
し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液５００ミリリットル
で２回、さらに水５００ミリリットルで３回洗浄し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下で溶媒を留去し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開
溶媒：酢酸エチル／ヘプタン＝１／９の混合溶媒）に付
して、粗製のトランス−１，４−ビス−（２−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）エポキシエチル）シ
クロヘキサン３９．１グラムを得た。 第６段 第５段で得られたトランス−１，４−ビス−（２−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）エポキシエチ
ル）シクロヘキサン３９．１グラム（９３．８ミリモ
ル）とトリフェニルホスフィンジブロミド１２６．７グ
ラム（３００．２ミリモル）とをトルエン４００ミリリ
ットルに溶解し、３時間加熱還流した。反応液から減圧
下で溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（展開溶媒：トルエン）に付し、さらにヘプ
タン／エタノールの（５／１）混合溶媒から再結晶し
て、トランス−１，４−ビス−（（Ｅ）−１，２−ジブ
ロモ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
エチル）シクロヘキサン１４．５グラムを得た。

【００７４】第７段 トランス−１，４−ビス−（（Ｅ）−１，２−ジブロモ
−２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチ
ル）シクロヘキサン１４．５グラム（２０．６ミリモ
ル）、亜鉛８．１グラム（１２３．９ミリモル）および
酢酸１５０ミリリットルをトルエン１５０ミリリットル
に加え、室温で１２時間攪拌した。反応液から不溶物を
濾過により除去した後、水１５０ミリリットルを加え
た。この混合物から有機層を分取し、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液１５０ミリリットルで３回さらに水１５０
ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した後、減圧下で溶媒を留去した。残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ヘ
プタン＝１／９の混合溶媒）に付して、トランス−１，
４−ビス−（（Ｅ）−２−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）エテニル）シクロヘキサンの粗生成物を
得た。この粗生成物をヘプタン／エタノール（１／２）
の混合溶媒から再結晶して、標題化合物４．１グラム
（収率１．８％）を得た。各種スペクトルデータの測定
結果は目的物の構造を指示した。 相転移温度：Ｃｒ 室温以下 Ｓ_B １７１．８ Ｎ
２１０．３ Ｉｓｏ ＭＳ：ｍ／ｅ＝３８４（Ｍ⁺，４８％），２９９（２
３），１８９（１８），１３５（２４），８１（７
２），６７（１００）． ＮＭＲ：以下のチャートに示す。

【００７５】

【図１】

【００７６】実施例２ トランス−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）エテニル）−トランス−４’−
（（Ｅ）−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）エテニル）ビシクロヘキサン（一般式（１）におい
て、Ａ₁がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、Ａ₂
が共有結合、Ｒがプロピル基、Ｒ’がペンチル基であ
る、化合物Ｎｏ．１１）の製造 第１段 （トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）メチルトリ
フェニルホスホニウムブロミド２６２．５グラム（５１
５．２ミリモル）をＴＨＦ２．５リットルに懸濁させ、
窒素気流下−５０℃に冷却した。この混合物にｔ−Ｂｕ
ＯＫ６３．６グラム（５６６．８ミリモル）を加え１時
間攪拌した。次いでこの混合物に、トランス−４−（ト
ランス−４−ホルミルシクロヘキシル）シクロヘキサン
カルボン酸メチル１００．０グラム（３９６．３ミリモ
ル）のＴＨＦ１リットル溶液を−５０℃以下を保ちなが
ら３０分かけて滴下した。滴下終了後、反応温度を徐々
に室温まで昇温させ、さらに５時間攪拌した。反応液か
ら減圧下で溶媒を留去し、残渣に水５００ミリリットル
を加えた後、生成物をトルエン５００ミリリットルで抽
出した。有機層を水２００ミリリットルで３回洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で溶媒を留
去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（展開溶媒：ヘプタン）に付して、粗製のトランス−４
−（トランス−４−（２−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）シクロヘキ
サンカルボン酸メチル１３２．４グラムを得た。

【００７７】第２段 窒素気流下、氷浴上でＴＨＦ２００ミリリットルに水素
化アルミニウムリチウム９．４グラム（２４７．７ミリ
モル）を加え、攪拌しながら、第１段で得られたトラン
ス−４−（トランス−４−（２−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）シク
ロヘキサンカルボン酸メチル１３２．４グラム（３２
８．８ミリモル）のＴＨＦ１．３リットル溶液を４０分
かけて徐々に滴下した。この混合物を室温で５時間攪拌
した後、氷浴上で２Ｎ−水酸化ナトリウム水溶液３００
ミリリットルを徐々に加えて反応を終了させた。反応液
を湯浴上で５０℃に加温し、懸濁物が固まったところで
セライト濾過を行い、濾液から減圧下で溶媒を留去し
て、粗製のトランス−４−（トランス−４−（２−（ト
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エテニル）シク
ロヘキシル）シクロヘキサンカルビノール７２．７グラ
ム（１９４．０ミリモル）を得た。 第３段 窒素気流下、氷浴上で塩化メチレン７００ミリリットル
にＰＣＣ４６．０グラム（２１３．４ミリモル）および
シリカゲル４６．０グラムを加え攪拌した。次に、この
混合物に第２段で得られたトランス−４−（トランス−
４−（２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
エテニル）シクロヘキシル）シクロヘキサンカルビノー
ル７２．７グラム（１９４．０ミリモル）を加え、氷浴
上で１時間、さらに室温で５時間攪拌した。反応液から
塩化メチレン不溶物を濾過により除去した後、減圧下で
溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（展開溶媒：ヘプタン）に付して、粗製のトラン
ス−４−（トランス−４−（２−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキシル）シク
ロヘキサンカルバルデヒド４０．５グラムを得た。

【００７８】第４段 （トランス−４−プロピルシクロヘキシル）メチルトリ
フェニルホスホニウムブロミド６８．０グラム（１４
１．２ミリモル）をＴＨＦ７００ミリリットルに懸濁さ
せ、窒素気流下−５０℃に冷却した。この混合物にｔ−
ＢｕＯＫ１７．４グラム（１５５．１ミリモル）を加え
１時間攪拌した。次いでこの混合物に、第３段で得られ
たトランス−４−（トランス−４−（２−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキシ
ル）シクロヘキサンカルバルデヒド４０．５グラム（１
０８．７ミリモル）のＴＨＦ４００ミリリットル溶液を
−５０℃以下を保ちながら２０分かけて滴下した。滴下
終了後、反応温度を徐々に室温まで昇温させ、さらに５
時間攪拌した。反応液から減圧下で溶媒を留去し、残渣
に水２００ミリリットルを加えた後、生成物をトルエン
２００ミリリットルで抽出した。有機層を水１００ミリ
リットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た後、減圧下で溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（展開溶媒ヘプタン）に付して、
粗製のトランス−４−（２−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）エテニル）−トランス−４’−（２−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エテニル）
ビシクロヘキサン４４．１グラムを得た。 第５段 窒素気流下、氷浴上塩化メチレン６００ミリリットルに
ｍＣＰＢＡ６１．５グラム（３５６．５ミリモル）およ
び炭酸カリウム１２３．２グラム（８９１．４ミリモ
ル）を加え攪拌し、第４段で得られたトランス−４−
（２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エテ
ニル）−トランス−４’−（２−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）エテニル）ビシクロヘキサン４
４．１グラム（８９．１ミリモル）の塩化メチレン４５
０ミリリットル溶液を２０分かけて滴下した。滴下終了
後、反応液を室温で５時間攪拌した後、飽和チオ硫酸ナ
トリウム水溶液４５０ミリリットルを加えて反応を終了
させた。反応液から有機層を分取し、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液４５０ミリリットルで２回、さらに水４５
０ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥した後、減圧下で溶媒を留去した、残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ヘ
プタン＝１／９の混合溶媒）に付して、粗製のトランス
−４−（２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）エポキシエチル）−トランス−４’−（２−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）エポキシエチル）
ビシクロヘキサン３３．３グラムを得た。

【００７９】第６段 第５段で得られたトランス−４−（２−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）エポキシエチル）−トラン
ス−４’−（２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）エポキシエチル）ビシクロヘキサン３３．３グラ
ム（６３．２ミリモル）と、トリフェニルホスフィンジ
ブロミド８５．４グラム（２０２．３ミリモル）とをト
ルエン３５０ミリリットルに溶解し、３時間加熱還流し
た。反応液から減圧下で溶媒を留去した。残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）
に付し、さらにヘプタン／エタノールの（５／１）混合
溶媒から再結晶して、トランス−４−（（Ｅ）−１，２
−ジブロモ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）エチル）−４’−（（Ｅ）−１，２−ジブロモ−
２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチ
ル）ビシクロヘキサン１０．３グラムを得た。 第７段 第６段で得られたトランス−４−（（Ｅ）−１，２−ジ
ブロモ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）エチル）−４’−（（Ｅ）−１，２−ジブロモ−２
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）
ビシクロヘキサン１０．３グラム（１２．６ミリモ
ル）、亜鉛４．９グラム（７４．９ミリモル）および酢
酸１００ミリリットルをトルエン１００ミリリットルに
加え、室温で１２時間攪拌した。攪拌終了後、反応液か
ら不溶物を濾過により除去し、水１００ミリリットルを
加えた。この混合物から分取した有機層を飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液１００ミリリットルで３回、さらに水
１００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した後、減圧下で溶媒を留去した。残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチ
ル／ヘプタン＝１／９の混合溶媒）に付し、粗製のトラ
ンス−４−（（Ｅ）−２−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）エテニル）−トランス−４’−（（Ｅ）
−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エテ
ニル）ビシクロヘキサンを得た。この粗生成物をヘプタ
ン／エタノール（１／２）の混合溶媒から再結晶し、標
題化合物３．０グラム（収率１．５％）を得た。 ＭＳ：ｍ／ｅ＝４９４（Ｍ⁺）

【００８０】実施例３ トランス−１−（（Ｅ）−２−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）エテニル）−４−（（Ｅ）−２−
（トランス−４−（４−ペンチルフェニル）シクロヘキ
シル）エテニル）シクロヘキサン（一般式（１）におい
て、Ａ₁が単結合、Ａ₂がフェニレン基、Ｒがプロピル
基、Ｒ’がペンチル基である、化合物Ｎｏ．２７）の製
造 第１段 （トランス−４−（４−ペンチルフェニル）シクロヘキ
シル）メチルトリフェニルホスホニウムブロミド４４
７．３グラム（７６３．８ミリモル）をＴＨＦ４．５リ
ットルに懸濁させ窒素気流下−５０℃に冷却した。この
混合物にｔ−ＢｕＯＫ９４．３グラム（８４０．４ミリ
モル）を加え１時間攪拌した。次いでこの混合物にトラ
ンス−４−ホルミルシクロヘキサンカルボン酸メチル１
００．０グラム（５８７．５ミリモル）のＴＨＦ１リッ
トル溶液を−５０℃以下を保ちながら３０分かけて滴下
した。滴下終了後、反応温度を徐々に室温まで昇温し、
さらに５時間攪拌した。反応液より減圧下で溶媒を留去
し、残渣に水５００ミリリットルを加え、生成物をトル
エン５００ミリリットルで抽出した。有機層を水２００
ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した後、減圧下で溶媒を留去した。残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付
し、粗製のトランス−４−（２−（トランス−４−（４
−ペンチルフェニル）シクロヘキシル）エテニル）シク
ロヘキサンカルボン酸メチル１８４．１グラムを得た。

【００８１】第２段 窒素気流下、氷浴上でＴＨＦ１００ミリリットルに水素
化アルミニウムリチウム１３．２グラム（３４７．８ミ
リモル）を加え、攪拌しながら、第１段で得られたトラ
ンス−４−（２−（トランス−４−（４−ペンチルフェ
ニル）シクロヘキシル）エテニル）シクロヘキサンカル
ボン酸メチル１８４．１グラム（４６４．２ミリモル）
のＴＨＦ１．８リットル溶液を４０分かけて滴下した。
滴下終了後、室温で５時間攪拌した後、氷浴上で２Ｎ−
水酸化ナトリウム水溶液２００ミリリットルを徐々に加
えて反応を終了させた。反応液を湯浴上で５０℃に加温
し、懸濁物が固まったところでセライト濾過を行い、減
圧下で溶媒を留去することにより粗製のトランス−４−
（２−（トランス−４−（４−ペンチルフェニル）シク
ロヘキシル）エテニル）シクロヘキサンカルビノール１
０６．１グラムを得た。 第３段 窒素気流下、氷浴上で塩化メチレン１．０リットルにＰ
ＣＣ６８．２グラム（３１６．４ミリモル）およびシリ
カゲル６８．２グラムを加え攪拌した。この混合物に第
２段で得られたトランス−４−（２−（トランス−４−
（４−ペンチルフェニル）シクロヘキシル）エテニル）
シクロヘキサンカルビノール１０６．１グラム（２８
７．８ミリモル）を加え、氷浴上で１時間、さらに室温
で５時間攪拌した。反応液から塩化メチレン不溶物を濾
過により除去した後、減圧下で溶媒を留去した。残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプ
タン）に付し、粗製のトランス−４−（２−（トランス
−４−（４−ペンチルフェニル）シクロヘキシル）エテ
ニル）シクロヘキサンカルバルデヒド６２．２グラムを
得た。

【００８２】第４段 （トランス−４−プロピルシクロヘキシル）メチルトリ
フェニルホスホニウムブロミド１０６．２グラム（２２
０．６ミリモル）をＴＨＦ１リットルに懸濁させ、窒素
気流下−５０℃に冷却した。次いでこの混合物にｔ−Ｂ
ｕＯＫ２７．２グラム（２４２．４ミリモル）を加え１
時間攪拌した。この混合物に第３段で得られたトランス
−４−（２−（トランス−４−（４−ペンチルフェニ
ル）シクロヘキシル）エテニル）シクロヘキサンカルバ
ルデヒド６２．２グラム（１６９．７ミリモル）のＴＨ
Ｆ４５０ミリリットル溶液を−５０℃以下を保ちながら
２０分かけて滴下した。滴下終了後、反応温度を徐々に
室温まで昇温させ、さらに５時間攪拌した。反応液から
減圧下で溶媒を留去した後、残渣に水２５０ミリリット
ルを加え、生成物をトルエン２５０ミリリットルで抽出
した。有機層を水１００ミリリットルで３回洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で溶媒を留去
した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展
開溶媒ヘプタン）に付し、粗製のトランス−１−（２−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エテニル）
−４−（２−（トランス−４−（４−ペンチルフェニ
ル）シクロヘキシル）エテニル）シクロヘキサン６４．
７グラムを得た。 第５段 窒素気流下、氷浴上塩化メチレン１．０リットルにｍＣ
ＰＢＡ９３．０グラム（５２９．８ミリモル）および炭
酸カリウム１８３．１グラム（１３２４．８ミリモル）
を加え攪拌し、この混合物に第４段で得られたトランス
−１−（２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）エテニル）−４−（２−（トランス−４−（４−ペ
ンチルフェニル）シクロヘキシル）エテニル）シクロヘ
キサン６４．７グラム（１３２．４ミリモル）の塩化メ
チレン５００ミリリットル溶液を２０分かけて滴下し
た。滴下終了後、室温で５時間攪拌した後、飽和チオ硫
酸ナトリウム水溶液５００ミリリットルを加えて反応を
終了させた。反応液から有機層を分取し、飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液５００ミリリットルで２回、さらに水
５００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した後、減圧下で溶媒を留去した。残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル
／ヘプタン＝１／９の混合溶媒）に付して、粗製のトラ
ンス−１−（２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）エポキシエチル）−４−（２−（トランス−４−
（４−ペンチルフェニル）シクロヘキシル）エポキシエ
チル）シクロヘキサン５０．３グラムを得た。

【００８３】第６段 第５段で得られたトランス−１−（２−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）エポキシエチル）−４−
（２−（トランス−４−（４−ペンチルフェニル）シク
ロヘキシル）エポキシエチル）シクロヘキサン５０．３
グラム（９６．６ミリモル）と、トリフェニルホスフィ
ンジブロミド１３０．５グラム（３０９．２ミリモル）
とをトルエン５００ミリリットルに溶解し、３時間加熱
還流した。反応液から減圧下で溶媒を留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエ
ン）に付し、次いでヘプタン／エタノール（５／１）の
混合溶媒から再結晶して、トランス−１−（（Ｅ）−
１，２−ジブロモ−２−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）エチル）−４−（（Ｅ）−１，２−ジブロ
モ−２−（トランス−４−（４−ペンチルフェニル）シ
クロヘキシル）エチル）シクロヘキサン１６．４グラム
を得た。 第７段 第６段で得られたトランス−１−（（Ｅ）−１，２−ジ
ブロモ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）エチル）−４−（（Ｅ）−１，２−ジブロモ−２−
（トランス−４−（４−ペンチルフェニル）シクロヘキ
シル）エチル）シクロヘキサン１６．４グラム（２０．
３ミリモル）、亜鉛８．０グラム（１２２．４ミリモ
ル）および酢酸１５０ミリリットルをトルエン１５０ミ
リリットルに加え、室温で１２時間攪拌した。攪拌終了
後、反応液から不溶物を濾過により除去した後、水１５
０ミリリットルを加えた。有機層を分取し、飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液１５０ミリリットルで３回、さらに
水１５０ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した後、減圧下で溶媒を留去した。残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エ
チル／ヘプタン＝１／９の混合溶媒）に付し、トランス
−１−（（Ｅ）−２−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）エテニル）−４−（（Ｅ）−２−（トランス
−４−（４−ペンチルフェニル）シクロヘキシル）エテ
ニル）シクロヘキサンの粗生成物を得た。この粗生成物
をヘプタン／エタノール（１／２）の混合溶媒から再結
晶し、標題化合物５．０グラム（収率１．８％）を得
た。 ＭＳ：ｍ／ｅ＝４８８（Ｍ⁺）

【００８４】実施例４（使用例１） ４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾ
ニトリル ３０％（重量、以下同じ） ４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾ
ニトリル ４０％ ４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）ベンゾ
ニトリル ３０％ からなるネマチック液晶組成物の透明点（Ｃｐ.）は５
２．３℃であった。この液晶組成物をセル厚９μｍのＴ
Ｎセル（ねじれネマチックセル）に封入したものの動作
しきい値電圧（Ｖ_th）は１．６０Ｖ、誘電率異方性値
（△ε）は１０．７、屈折率異方性値（△ｎ）は０．１
１９、また２０℃における粘度（η₂₀）は２１．４ｍＰ
ａ・ｓであった。この液晶組成物を母液晶Ａとする。上
記母液晶Ａの８５重量部と、実施例１に示したトランス
−１，４−ビス−（（Ｅ）−２−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）エテニル）シクロヘキサン（化合
物Ｎｏ．４）１５重量部とを混合して得られた新たな液
晶組成物の物性値を測定した。その結果Ｃｐ.：８３．
２℃、Ｖ_th：１．９９Ｖ、△ε：９．５、△ｎ：０．１
３７、η₂₀：１９．３ｍＰａ・ｓであった。また、この
組成物を−２０℃のフリーザー中に２５日間放置した
が、結晶の析出およびスメクチック相の発現はともに認
められなかった。

【００８５】実施例５（比較例１） 本発明の化合物と比較する化合物として、従来技術の項
に示した化合物（ｂ）を特許記載の方法に準じて実際に
合成した。実施例４に示した母液晶Ａ８５部に化合物
（ｂ）１５部を添加して得られた組成物の物性値を測定
した。粘度の測定結果を実施例４の結果と併せて表２に
示す。

【００８６】

【表２】

【００８７】表２から判るように本発明の化合物は比較
化合物に対し低粘性である。また、比較化合物が２０日
でスメクチック相の発現が確認されたのに対し、本願の
化合物は２５日以上に渡り、スメクチック相の発現や結
晶の析出は見られず、著しく優れた低温相溶性を有す
る。

【００８８】

【発明の効果】一般式（１）で表される本発明の化合
物、すなわち分子中央部に環を挟んで二つのトランス−
１，２−エテニレン基を同時に有する三〜四環系の化合
物は、いずれも広い液晶相温度範囲を示し、低粘性であ
り、大きな屈折率異方性値かつ大きな弾性定数比Ｋ₃₃／
Ｋ₁₁を有し、他の種々の液晶材料と低温下においても容
易に混合し、ＳＴＮ型表示方式に適したネマチック液晶
組成物の構成成分として極めて優れている。また、従来
の化合物特に、特開昭６１−２１５３３６号記載の化合
物に比べて粘性が低く、また著しく優れた低温相溶性を
有する。従って本発明の化合物を液晶組成物の成分とし
て用いた場合、他の液晶材料との相溶性に優れていると
いう特徴に加え、分子構成要素の六員環、置換基および
／または結合基を適当に選択することにより、所望の物
性を有する新たな液晶組成物を提供することが可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で製造したトランス−１，４−ビス−
（（Ｅ）−２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）エテニル）シクロヘキサンの核磁気共鳴スペクト
ル。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 43/18 7419−4Ｈ Ｃ０７Ｃ 43/18 43/20 7419−4Ｈ 43/20 255/46 9357−4Ｈ 255/46 255/50 9357−4Ｈ 255/50 Ｃ０９Ｋ 19/30 9279−4Ｈ Ｃ０９Ｋ 19/30 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数
   ２〜１０のアルケニル基を示し、Ｒ’は炭素数１〜１０
   のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、Ｆ、Ｃ
   ｌ、ＣＮ、ＯＣＦ₃、ＣＦ₃、ＯＣＦ₂Ｈ、ＣＦ₂Ｈまたは
   ＣＦＨ₂を示し、Ａ₁、Ａ₂はそれぞれ独立して、トラン
   ス−１，４−シクロヘキシレン基、六員環上の１個以上
   の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい１，
   ４−フェニレン基、または単結合を示し、またこの化合
   物を構成する各元素はその同位体で置換されていてもよ
   い。）で表される液晶性化合物。
2. 【請求項２】 一般式（１）においてＡ₁及びＡ₂が共に
   単結合である請求項１に記載の液晶性化合物。
3. 【請求項３】 一般式（１）においてＡ₁がトランス−
   １，４−シクロヘキシレン基であり、Ａ₂が単結合であ
   る請求項１に記載の液晶性化合物。
4. 【請求項４】 一般式（１）においてＡ₁が共有結合で
   があり、Ａ₂がトランス−１，４−シクロヘキシレン基
   または１，４−フェニレン基である請求項１に記載の液
   晶性化合物。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の液晶性
   化合物を少なくとも１種類以上含有し、２成分以上から
   なる液晶組成物。
6. 【請求項６】 第一成分として、請求項１〜４のいずれ
   かに記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第
   二成分として、一般式（２）、（３）および（４） 【化２】 （式中、Ｒ₁は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｘ₁
   はＦ、Ｃｌ、ＯＣＦ₃、ＯＣＦ₂Ｈ、ＣＦ₃、ＣＦ₂Ｈまた
   はＣＦＨ₂を示し、Ｌ₁、Ｌ₂、Ｌ₃およびＬ₄は相互に独
   立してＨまたはＦを示し、Ｚ₁およびＺ₂は相互に独立し
   て−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合を示
   し、ａは１または２を示す。）で表される化合物群から
   選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特
   徴とする液晶組成物。
7. 【請求項７】 第一成分として、請求項１〜４のいずれ
   かに記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第
   二成分として、一般式（５）、（６）、（７）、（８）
   および（９） 【化３】 （式中、Ｒ₂はＦ、炭素数１〜１０のアルキル基または
   炭素数２〜１０のアルケニル基を示し、該アルキル基お
   よびアルケニル基中の隣接しない任意のメチレン基は酸
   素原子によって置換されていてもよい、環Ａはトランス
   −１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン
   基、ピリミジン−２，５−ジイル基または１，３−ジオ
   キサン−２，５−ジイル基を示し、環Ｂはトランス−
   １，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基ま
   たはピリミジン−２，５−ジイル基を示し、環Ｃはトラ
   ンス−１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェ
   ニレン基を示し、Ｚ₃は−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−ま
   たは単結合を示し、Ｌ₅およびＬ₆は相互に独立してＨま
   たはＦを示し、ｂおよびｃは相互に独立して０または１
   を示す。） 【化４】 （式中、Ｒ₃は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｌ₇
   はＨまたはＦを示し、ｄは０または１を示す。） 【化５】 （式中、Ｒ₄は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、環
   Ｄおよび環Ｅは相互に独立してトランス−１，４−シク
   ロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ
   ₄よびＺ₅は相互に独立して−ＣＯＯ−または単結合を示
   し、Ｚ₆は−ＣＯＯ−または−Ｃ≡Ｃ−を示し、Ｌ₈およ
   びＬ₉は相互に独立してＨまたはＦを示し、Ｘ₂はＦ、Ｏ
   ＣＦ₃、ＯＣＦ₂Ｈ、ＣＦ₃、ＣＦ₂ＨまたはＣＦＨ₂を示
   し、ｅ、ｆおよびｇは相互に独立して０または１を示
   す。） 【化６】 （式中、Ｒ₅およびＲ₆は相互に独立して炭素数１〜１０
   のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示
   し、該アルキル基およびアルケニル基中の隣接しない任
   意のメチレン基は酸素原子によって置換されていてもよ
   い、環Ｇはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、
   １，４−フェニレン基またはピリミジン−２，５−ジイ
   ル基を示し、環Ｈはトランス−１，４−シクロヘキシレ
   ン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ₇は−Ｃ≡
   Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ
   ≡Ｃ−または単結合を示し、Ｚ₈は−ＣＯＯ−または単
   結合を示す。） 【化７】 （式中、Ｒ₇およびＲ₈は相互に独立して炭素数１〜１０
   のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示
   し、該アルキル基およびアルケニル基中の隣接しない任
   意のメチレン基は酸素原子によって置換されていてもよ
   い、環Ｉはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、
   １，４−フェニレン基またはピリミジン−２，５−ジイ
   ル基を示し、環Ｊはトランス−１，４−シクロヘキシレ
   ン基、環上の１つ以上の水素原子がＦで置換されていて
   もよい１，４−フェニレン基、またはピリミジン−２，
   ５−ジイル基を示し、環Ｋはトランス−１，４−シクロ
   ヘキシレン基または１，４−フェニレン基を示し、Ｚ₉
   およびＺ₁₁は相互に独立して−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂
   −または単結合を示し、Ｚ₁₀は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡
   Ｃ−、−ＣＯＯ−または単結合を示し、ｈは０または１
   を示す。）で表される化合物群から選択される化合物を
   少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成
   物。
8. 【請求項８】 第一成分として、請求項１〜４のいずれ
   かに記載の液晶性化合物を少なくとも１種類含有し、第
   二成分の一部分として、一般式（２）、（３）および
   （４）からなる群から選択される化合物を少なくとも１
   種類含有し、第二成分の他の部分として、一般式
   （５）、（６）、（７）、（８）および（９）からなる
   群から選択される化合物を少なくとも１種類含有するこ
   とを特徴とする液晶組成物
9. 【請求項９】 請求項１〜４のいずれかに記載の液晶性
   化合物を少なくとも１種類以上含有し、２成分以上から
   なる液晶組成物を使用した液晶表示素子。
10. 【請求項１０】 請求項６に記載の液晶組成物を使用し
    た液晶表示素子。
11. 【請求項１１】 請求項７に記載の液晶組成物を使用し
    た液晶表示素子。
12. 【請求項１２】 請求項８に記載の液晶組成物を使用し
    た液晶表示素子。