JPH09197021A - 半導体回路内部信号確認回路および方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体回路の内部の信号出力状態を確認する
ための回路の半導体回路内における占有面積を小さくで
きるようにする。 【解決手段】 テストコントロール信号入力パッド１２
ａより入力されるテストコントロール信号がＨレベルの
とき、ブロック１１内の信号出力状態観察箇所における
信号であるモニタ出力がＬレベルのときにはモニタトラ
ンジスタ２２はオフ状態となって発光せず、モニタ出力
がＨレベルのときにはモニタトランジスタ２２がオン状
態となって発光する。例えばホトエミッション顕微鏡に
よって、モニタトランジスタ２２が発光しているか否か
を検出することによって、ブロック１１内の信号出力状
態観察箇所における信号出力状態が確認される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体回路、特に
ＣＭＯＳ（相補型金属酸化物半導体）ロジックデバイス
の内部の信号出力状態を確認するための半導体回路内部
信号確認回路および方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体回路、特にＣＭＯＳロジッ
クデバイスの内部の信号出力状態を確認する方法として
は、半導体回路内にモニタ用回路を新たに組み込んで、
モニタ出力用の出力端子にデータを出力させる方法があ
った。

【０００３】図６は、このようなモニタ用回路を組み込
んだ半導体回路としての半導体チップの概略の構成を示
すブロック図である。この半導体チップ１００は、部分
回路としての複数のブロック１０１Ａ，１０１Ｂ，…
と、複数のパッド１０２と、各ブロック１０１Ａ，１０
１Ｂ，…毎に設けられたモニタ用トランジスタ１０３
と、これらのモニタ用トランジスタ１０３のうちの一つ
を選択的にオン状態とするためのデコーダ１０４とを備
えている。複数のパッド１０２には、例えば３つのモニ
タ出力選択信号入力パッド１０２ａ，１０２ｂ，１０２
ｃと、モニタ出力パッド１０２ｄとが含まれている。各
モニタ用トランジスタ１０３は、ソースとドレインの一
方が各ブロック１０１Ａ，１０１Ｂ，…において観察し
たい信号の出力部分に接続され、他方がモニタ出力パッ
ド１０２ｄに接続されている。モニタ出力選択信号入力
パッド１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃはデコーダ１０４
の各入力端に接続され、デコーダ１０４の各出力端はそ
れぞれ各モニタ用トランジスタ１０３のゲートに接続さ
れている。この半導体チップ１００では、各モニタ用ト
ランジスタ１０３と、デコーダ１０４と、これら相互間
の配線と、モニタ出力選択信号入力パッド１０２ａ，１
０２ｂ，１０２ｃとデコーダ１０４の間の配線部分と、
モニタ出力パッド１０２ｄと各モニタ用トランジスタ１
０３の間の配線部分とが、半導体回路の内部の信号出力
状態を確認するための回路を構成している。

【０００４】この半導体チップ１００について内部の信
号出力状態を確認する場合には、テスタによって、所定
のパッド１０２にテスト用の信号を与えると共に、モニ
タ出力選択信号入力パッド１０２ａ，１０２ｂ，１０２
ｃにモニタ出力選択信号を与える。デコーダ１０４は、
モニタ出力選択信号をデコードして、所定のブロック１
０１（各１０１Ａ，１０１Ｂ，…を代表して表す。）に
接続されたモニタ用トランジスタ１０３を選択的にオン
状態にする。これにより、オン状態になったモニタ用ト
ランジスタ１０３に接続されたブロック１０１から、テ
スト用の信号に応じて出力される信号が、モニタ用トラ
ンジスタ１０３を通して、モニタ出力としてモニタ出力
パッド１０２ｄに出力される。テスタは、モニタ出力パ
ッド１０２ｄより出力されるモニタ出力を入力して、半
導体チップ１００内部の信号出力状態を確認する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来の方法では、半導体回路（半導体チップ１０
０）内における離れた数多くの場所での信号出力状態を
確認するためには、半導体回路の内部の信号出力状態を
確認するための回路の占有面積が大きくなるという問題
点があった。また、端子（モニタ出力選択信号入力パッ
ド１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃおよびモニタ出力パッ
ド１０２ｄ）を多く必要とし、半導体回路（半導体チッ
プ１００）の外形が大きくなってしまうという問題点が
あった。

【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その課題は、半導体回路の内部の信号出力状態を
確認するための回路の半導体回路内における占有面積を
小さくでき、且つ多くの端子を必要とすることなく半導
体回路の内部の信号出力状態を確認することができるよ
うにした半導体回路内部信号確認回路および方法を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体回
路内部信号確認回路は、半導体回路内に設けられ、半導
体回路内の所定の信号出力状態観察箇所における信号出
力状態に応じて選択的に発光する発光手段を備えたもの
である。

【０００８】請求項２記載の半導体回路内部信号確認回
路は、半導体回路内の所定の信号出力状態観察箇所に接
続され、外部より入力されるコントロール信号に応じ
て、信号出力状態観察箇所における信号出力状態に応じ
て出力信号が変化する状態と信号出力状態観察箇所にお
ける信号出力状態に応じて出力信号が変化しない状態と
を選択する選択手段と、選択手段の出力信号に応じて選
択的に発光する発光手段とを備えたものである。

【０００９】請求項３記載の半導体回路内部信号確認方
法は、半導体回路内に、半導体回路内の所定の信号出力
状態観察箇所における信号出力状態に応じて選択的に発
光する発光手段を設け、発光手段が発光しているか否か
を検出することによって、信号出力状態観察箇所におけ
る信号出力状態を確認するものである。

【００１０】請求項４記載の半導体回路内部信号確認方
法は、半導体回路内に、半導体回路内の所定の信号出力
状態観察箇所における信号出力状態に応じて選択的に発
光する発光手段を設け、半導体回路に、信号出力状態観
察箇所における信号出力状態を観察するためのテスト用
の信号を与えると共に、発光手段で発光される光を検出
するための検出手段を用いて任意のテスト用の信号に同
期して発光手段が発光しているか否かを検出することに
よって、信号出力状態観察箇所における信号出力状態を
確認するものである。

【００１１】請求項１記載の半導体回路内部信号確認回
路では、半導体回路内に設けられた発光手段が、半導体
回路内の所定の信号出力状態観察箇所における信号出力
状態に応じて選択的に発光するので、この発光手段が発
光しているか否かを検出することによって、信号出力状
態観察箇所における信号出力状態を確認することが可能
となる。

【００１２】請求項２記載の半導体回路内部信号確認回
路では、選択手段によって、信号出力状態観察箇所にお
ける信号出力状態に応じて出力信号が変化する状態と信
号出力状態観察箇所における信号出力状態に応じて出力
信号が変化しない状態とが選択され、選択手段によって
信号出力状態観察箇所における信号出力状態に応じて出
力信号が変化する状態が選択されたときには、選択手段
の出力信号に応じて発光手段が選択的に発光するので、
この発光手段が発光しているか否かを検出することによ
って、信号出力状態観察箇所における信号出力状態を確
認することが可能となる。

【００１３】請求項３記載の半導体回路内部信号確認方
法では、半導体回路内に設けられた発光手段が発光して
いるか否かを検出することによって、信号出力状態観察
箇所における信号出力状態が確認される。

【００１４】請求項４記載の半導体回路内部信号確認方
法では、半導体回路にテスト用の信号を与えると共に検
出手段を用いて任意のテスト用の信号に同期して発光手
段が発光しているか否かを検出することによって、発光
手段以外からの光を排除できると共に、任意のテスト用
の信号との関係における信号出力状態を確認することが
可能となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１６】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る
半導体回路内部信号確認回路を組み込んだ半導体回路と
しての半導体チップの概略の構成を示すブロック図であ
る。この半導体チップ１０は、部分回路としての複数の
ブロック１１Ａ，１１Ｂ，…と、複数のパッド１２と、
各ブロック１１Ａ，１１Ｂ，…毎に設けられた本実施の
形態に係る半導体回路内部信号確認回路としてのモニタ
用回路２０とを備えている。複数のパッド１２には、テ
ストコントロール信号入力パッド１２ａが含まれてい
る。各モニタ用回路２０は、各ブロック１１Ａ，１１
Ｂ，…のうちの信号出力状態を観察したい箇所である信
号出力状態観察箇所とテストコントロール信号入力パッ
ド１２ａとに接続されている。

【００１７】図２は、図１におけるモニタ用回路２０の
構成を示す回路図である。この図に示したように、モニ
タ用回路２０は、選択手段としてのＮＡＮＤ（論理積の
否定）回路２１と、発光手段としてのモニタトランジス
タ２２とを備えている。ＮＡＮＤ回路２１は、２つのＰ
チャネルＭＯＳトランジスタ２１ａ，２２ｂと、２つの
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２１ｃ，２２ｄとを有し
ている。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ２１ａ，２２ｂ
の各ソースは電源に接続されるようになっており、各ド
レインはＮチャネルＭＯＳトランジスタ２１ｃのドレイ
ンに接続されている。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２
１ｃのソースはＮチャネルＭＯＳトランジスタ２１ｄの
ドレインに接続され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２
１ｄのソースは接地されている。ＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ２１ａのゲートとＮチャネルＭＯＳトランジス
タ２１ｄのゲートは互いに接続され、この接続点がＮＡ
ＮＤ回路２１の一方の入力端になっている。この一方の
入力端はブロック１１（各ブロック１１Ａ，１１Ｂ，…
を代表して表す。）の信号出力状態観察箇所に接続され
ている。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ２１ｂのゲート
とＮチャネルＭＯＳトランジスタ２１ｃのゲートは互い
に接続され、この接続点がＮＡＮＤ回路２１の他方の入
力端になっている。この他方の入力端はテストコントロ
ール信号入力パッド１２ａに接続されている。

【００１８】モニタトランジスタ２２は、ＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタからなり、そのソースは電源に接続さ
れるようになっており、ドレインは接地されている。Ｎ
ＡＮＤ回路２１の出力端、すなわちＰチャネルＭＯＳト
ランジスタ２１ａ，２２ｂの各ドレインとＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタ２１ｃのドレインとの接続点は、モニ
タトランジスタ２２のゲートに接続されている。このモ
ニタトランジスタ２２は、ＮＡＮＤ回路２１の出力であ
るモニタトランジスタコントロール出力がＬレベル（例
えば０Ｖ）のときにはオン状態となって発光し、ＮＡＮ
Ｄ回路２１の出力がＨレベル（例えば５Ｖ）のときには
オフ状態となって発光しないようになっている。本実施
の形態では、このモニタトランジスタ２２の発光を観察
しやくするために、モニタトランジスタ２２の上にはＡ
ｌ配線を形成しないようにしている。

【００１９】次に、本実施の形態に係る半導体回路内部
信号確認回路としてのモニタ用回路２０の動作および本
実施の形態に係る半導体回路内部信号確認方法について
説明する。

【００２０】図２に示したように、ブロック１１内の信
号出力状態観察箇所における信号出力状態を観察する際
には、テスタ３０の電源出力端子およびテスト信号出力
端子を半導体チップ１０の所定のパッド１２に接続する
と共に、テスタ３０のテストコントロール信号出力端子
を半導体チップ１０のテストコントロール信号入力パッ
ド１２ａに接続して、テスタ３０より、半導体チップ１
０に電源を供給すると共に、テスト用の信号（以下、テ
スト信号と記す。）およびテストコントロール信号を与
える。

【００２１】モニタ用回路２０では、テストコントロー
ル信号入力パッド１２ａより入力されるテストコントロ
ール信号がＬレベルのときは、信号出力状態観察箇所に
おける信号出力状態に応じてＮＡＮＤ回路２１の出力信
号が変化しない状態となる。その結果、ＮＡＮＤ回路２
１の出力であるモニタトランジスタコントロール出力は
常にＨレベルとなり、モニタトランジスタ２２はオフ状
態となって発光しない。

【００２２】一方、テストコントロール信号入力パッド
１２ａより入力されるテストコントロール信号がＨレベ
ルのときは、信号出力状態観察箇所における信号出力状
態に応じてＮＡＮＤ回路２１の出力信号が変化する状態
となる。その結果、ブロック１１内の信号出力状態観察
箇所における信号であるモニタ出力がＬレベルのときに
は、ＮＡＮＤ回路２１の出力であるモニタトランジスタ
コントロール出力がＨレベルとなり、モニタトランジス
タ２２はオフ状態となって発光せず、モニタ出力がＨレ
ベルのときには、モニタトランジスタコントロール出力
がＬレベルとなり、モニタトランジスタ２２がオン状態
となって発光する。従って、このモニタトランジスタ２
２が発光しているか否かを検出することによって、ブロ
ック１１内の信号出力状態観察箇所における信号出力状
態を確認することができる。モニタトランジスタ２２が
発光しているか否かを検出するには、例えばホトエミッ
ション（Photoemition）顕微鏡を用いる。

【００２３】図３は、ホトエミッション顕微鏡の構成を
示す説明図である。このホトエミッション顕微鏡４０
は、被観察体を固定するチャック４１と、被観察体の光
学像を得るための光学顕微鏡４２と、この光学顕微鏡４
２によって得られる被観察体の光学像を撮像するビジュ
アルカメラ４３と、被観察体からの微弱な光を検出し増
幅する光電子カメラ４４と、ビジュアルカメラ４３およ
び光電子カメラ４４の各出力信号を入力して、光電子カ
メラ４４の出力信号に基づいて発光箇所を示す光子像を
形成すると共に、この光子像とビジュアルカメラ４３に
よって撮像された光学像とを重ね合わせた合成画像を形
成する内蔵イメージプロセッサ４５と、この内蔵イメー
ジプロセッサ４５によって形成された合成画像を表示す
るモニタ４６とを備えている。

【００２４】このホトエミッション顕微鏡４０では、例
えば照明光として赤外線を用いてビジュアルカメラ４３
によって撮像された図４（ａ）に示すような赤外線によ
る光学像と、光電子カメラ４４の出力信号に基づいて内
蔵イメージプロセッサ４５によって形成された図４
（ｂ）に示すような光子像とを内蔵イメージプロセッサ
４５によって重ね合わせて、図４（ｃ）に示すような合
成画像を形成し、この合成画像をモニタ４６によって表
示する。このようなホトエミッション顕微鏡４０を用い
ることによって、各モニタ用回路２０内のモニタトラン
ジスタ２２が発光しているか否かを検出することができ
る。

【００２５】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、簡単な構成のモニタ用回路２０を半導体回路内に組
み込むことにより、出力端子にデータを出力させること
なく、モニタ用回路２０内のモニタトランジスタ２２が
発光しているか否かを検出することで、半導体回路の内
部の信号出力状態を確認することができる。このため、
図１と図６を比較すると分かるように、従来必要として
いたデコーダ１０４およびモニタ出力パッド１０２ｄが
不要になり、また、モニタ出力選択信号入力パッド１０
２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの代わりとなるテストコント
ロール信号入力パッド１２ａは一つで済む。更に、半導
体回路の内部の信号出力状態を確認するために付加され
る配線部分が大幅に削減される。従って、半導体回路の
内部の信号出力状態を確認するための回路の半導体回路
内における占有面積を小さくでき、且つ多くの端子を必
要とすることなく半導体回路の内部の信号出力状態を確
認することができ、半導体回路の外形が大きくなるのを
防止することができる。また、モニタトランジスタ２２
が発光しているか否かの検出は、半導体回路のオーバコ
ート上から行うことができるので、非破壊の観察が可能
である。

【００２６】次に、本発明の第２の実施の形態に係る半
導体回路内部信号確認方法について説明する。

【００２７】テスタ３０より、半導体チップ１０に与え
るテスト信号が経時的に変化する場合、ホトエミッショ
ン顕微鏡４０に取り込まれる光には、モニタトランジス
タ２２以外の動作しているトランジスタ等からの光が含
まれてしまい、モニタトランジスタ２２が発光している
か否かの検出が容易ではなくなる場合がある。また、ホ
トエミッション顕微鏡４０では、被観察体の発光によっ
て得られる信号が微弱であるため、光電子カメラ４４の
出力信号を所定時間積算して、発光部分を表示するよう
にしている。このため、モニタトランジスタ２２がオ
ン、オフを繰り返す場合、モニタトランジスタ２２が常
に発光しているのか、発光したりしなかったりしている
のかを判別することができない。また、テスタ３０が、
図５（ａ）に示すようなクロック信号に同期して、図５
（ｂ），（ｃ）に示す信号Ａ、信号Ｂのような２つのテ
スト信号を半導体チップ１０に与え、且つ、図５（ｄ）
に示すように、モニタ出力が、信号ＡがＨレベルのとき
と信号ＢがＨレベルのときのいずれのときにもＨレベル
となる場合には、モニタトランジスタ２２が信号Ａに応
じて発光しているのか信号Ｂに応じて発光しているのか
を判別することができない。

【００２８】そこで、本実施の形態に係る半導体回路内
部信号確認方法は、任意のテスト信号に同期して、ホト
エミッション顕微鏡４０における光電子カメラ４４の出
力信号の取り込みを行って、モニタトランジスタ２２が
発光しているか否かを検出するようにしたものである。
ここで、図５を用いて、本実施の形態に係る方法による
動作の一例を説明する。この例では、前述のように、図
５（ａ）に示すようなクロック信号に同期して、図５
（ｂ），（ｃ）に示す信号Ａ、信号Ｂのような２つのテ
スト信号が半導体チップ１０に与えられ、且つ、図５
（ｄ）に示すように、モニタ出力が、信号ＡがＨレベル
のときと信号ＢがＨレベルのいずれのときにもＨレベル
となるようになっている。ここで、例えば信号Ｂのみと
の関係における信号出力状態を確認したい場合は、テス
タ３０によって、図５（ｅ）に示すように信号Ｂに同期
したデータ取り込み信号を生成し、このデータ取り込み
信号をホトエミッション顕微鏡４０に与える。

【００２９】ホトエミッション顕微鏡４０では、データ
取り込み信号がＨレベルのときにのみ、光電子カメラ４
４の出力信号を内蔵イメージプロセッサ４５に取り込
み、所定時間積算する。これにより、内蔵イメージプロ
セッサ４５によって光子像を形成する際に、モニタトラ
ンジスタ２２以外のトランジスタからの光や信号Ｂ以外
のテスト信号に応じてモニタトランジスタ２２が発光し
たときの光を排除でき、信号Ｂのみとの関係における信
号出力状態観察箇所の信号出力状態を確認することが可
能となる。なお、信号Ｂに応じてモニタトランジスタ２
２が発光したときの光以外の光をより厳密に排除するた
めには、図５（ｅ）に示したように、データ取り込み信
号を、信号Ｂの立ち上がりよりも若干遅く立ち上げ、信
号Ｂの立ち下がりよりも若干早く立ち下げるようにする
のが好ましい。なお、本実施の形態に係る半導体回路内
部信号確認方法を実行するための半導体チップ１０の構
成、動作およびホトエミッション顕微鏡４０の構成は、
第１の実施の形態と同様である。

【００３０】このように本実施の形態に係る半導体回路
内部信号確認方法によれば、半導体チップ１０に与える
テスト信号が経時的に変化する場合でも、モニタトラン
ジスタ２２以外からの光を排除できるため、モニタトラ
ンジスタ２２が発光しているか否かの検出が容易にな
る。また、モニタトランジスタ２２が常に発光している
のか、発光したりしなかったりしているのかを判別する
ことが可能となる。また、モニタトランジスタ２２が複
数のテスト信号に応じて発光する場合でも、どのテスト
信号に応じて発光しているのかを判別することが可能と
なる。その他の効果は、第１の実施の形態と同様であ
る。

【００３１】なお、本発明は上記各実施の形態に限定さ
れず、例えば、図２に示したモニタ用回路２０では、選
択手段としてＮＡＮＤ回路２１を用い、発光手段として
のモニタトランジスタ２０にＰチャネルＭＯＳトランジ
スタを用いたが、ＮＡＮＤ回路２１の代わりにＮＯＲ
（論理和の否定）回路を用い、モニタトランジスタ２０
としてＮチャネルＭＯＳトランジスタを用いても良い。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように請求項１または２記
載の半導体回路内部信号確認回路または請求項３記載の
半導体回路内部信号確認方法によれば、半導体回路内
に、半導体回路内の所定の信号出力状態観察箇所におけ
る信号出力状態に応じて選択的に発光する発光手段を設
け、発光手段が発光しているか否かを検出することによ
って、信号出力状態観察箇所における信号出力状態を確
認できるようにしたので、半導体回路の内部の信号出力
状態を確認するための回路の半導体回路内における占有
面積を小さくでき、且つ多くの端子を必要とすることな
く半導体回路の内部の信号出力状態を確認することがで
きるという効果を奏する。

【００３３】また、請求項４記載の半導体回路内部信号
確認方法によれば、半導体回路内に、半導体回路内の所
定の信号出力状態観察箇所における信号出力状態に応じ
て選択的に発光する発光手段を設け、半導体回路にテス
ト用の信号を与えると共に、検出手段を用いて任意のテ
スト用の信号に同期して発光手段が発光しているか否か
を検出することによって、信号出力状態観察箇所におけ
る信号出力状態を確認するようにしたので、上記効果に
加え、発光手段以外からの光を排除できると共に、任意
のテスト用の信号のみとの関係における信号出力状態を
確認することが可能となるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体回路内
部信号確認回路を組み込んだ半導体回路としての半導体
チップの概略の構成を示すブロック図である。

【図２】図１におけるモニタ用回路の構成を示す回路図
である。

【図３】ホトエミッション顕微鏡の構成を示す説明図で
ある。

【図４】ホトエミッション顕微鏡の動作を説明するため
の説明図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体回路内
部信号確認方法を説明するための説明図である。

【図６】従来のモニタ用回路を組み込んだ半導体チップ
の概略の構成を示すブロック図である。

【符号の説明】

１０…半導体チップ、１１Ａ，１１Ｂ，……ブロック、
１２…パッド、１２ａ…テストコントロール信号入力パ
ッド、２０…モニタ用回路、２１…ＮＡＮＤ回路、２２
…モニタトランジスタ、３０…テスタ、４０…ホトエミ
ッション顕微鏡

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/088 Ｈ０３Ｋ 19/00

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体回路内に設けられ、半導体回路内
   の所定の信号出力状態観察箇所における信号出力状態に
   応じて選択的に発光する発光手段を備えたことを特徴と
   する半導体回路内部信号確認回路。
2. 【請求項２】 半導体回路内の所定の信号出力状態観察
   箇所に接続され、外部より入力されるコントロール信号
   に応じて、前記信号出力状態観察箇所における信号出力
   状態に応じて出力信号が変化する状態と前記信号出力状
   態観察箇所における信号出力状態に応じて出力信号が変
   化しない状態とを選択する選択手段と、 前記選択手段の出力信号に応じて選択的に発光する発光
   手段とを備えたことを特徴とする半導体回路内部信号確
   認回路。
3. 【請求項３】 半導体回路内に、半導体回路内の所定の
   信号出力状態観察箇所における信号出力状態に応じて選
   択的に発光する発光手段を設け、前記発光手段が発光し
   ているか否かを検出することによって、前記信号出力状
   態観察箇所における信号出力状態を確認することを特徴
   とする半導体回路内部信号確認方法。
4. 【請求項４】 半導体回路内に、半導体回路内の所定の
   信号出力状態観察箇所における信号出力状態に応じて選
   択的に発光する発光手段を設け、前記半導体回路に、前
   記信号出力状態観察箇所における信号出力状態を観察す
   るためのテスト用の信号を与えると共に、前記発光手段
   で発光される光を検出するための検出手段を用いて任意
   のテスト用の信号に同期して前記発光手段が発光してい
   るか否かを検出することによって、前記信号出力状態観
   察箇所における信号出力状態を確認することを特徴とす
   る半導体回路内部信号確認方法。