JPH0918318A - 光電センサ及びその閾値設定方法 - Google Patents
光電センサ及びその閾値設定方法Info
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- JPH0918318A JPH0918318A JP18781795A JP18781795A JPH0918318A JP H0918318 A JPH0918318 A JP H0918318A JP 18781795 A JP18781795 A JP 18781795A JP 18781795 A JP18781795 A JP 18781795A JP H0918318 A JPH0918318 A JP H0918318A
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- light
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- photoelectric sensor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光電センサにおいて、検出物体を配置せずに
自動的に閾値を設定できるようにすること。 【構成】 光電センサに投光部１と受光部２を設ける。
そして受光部２に入光があるときにオン又はオフのいず
れかを選択するＬ／Ｄ切換スイッチ７を設ける。反射型
光電センサではＬonモードとして、物体のない状態でテ
ィーチングスイッチ５を投入する。こうすれば閾値設定
部１２は受光レベルより高いレベルに閾値を設定する。
透過型光電センサでは、物体のない状態でＬ／Ｄ切換ス
イッチをＤonとしてティーチングスイッチ５を投入す
る。こうすれば閾値設定部１２は受光レベルより高いレ
ベルに閾値を設定する。
自動的に閾値を設定できるようにすること。 【構成】 光電センサに投光部１と受光部２を設ける。
そして受光部２に入光があるときにオン又はオフのいず
れかを選択するＬ／Ｄ切換スイッチ７を設ける。反射型
光電センサではＬonモードとして、物体のない状態でテ
ィーチングスイッチ５を投入する。こうすれば閾値設定
部１２は受光レベルより高いレベルに閾値を設定する。
透過型光電センサでは、物体のない状態でＬ／Ｄ切換ス
イッチをＤonとしてティーチングスイッチ５を投入す
る。こうすれば閾値設定部１２は受光レベルより高いレ
ベルに閾値を設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は物体検知の閾値を容易に
設定できるようにした光電センサ及びその閾値設定方法
に関するものである。
設定できるようにした光電センサ及びその閾値設定方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来光電センサ等の閾値設定方法として
は、例えば図４（ａ）に示すように反射型の光電センサ
１００において物体を接近させずに投光部より光を照射
し、受光部で背景からの反射光を受光する。このときの
受光レベルを図４（ｂ）に示すＶR とすると、これより
高い所定レベルＶtha を閾値として設定する第１の方法
がある。又第２の方法として図４（ａ），（ｄ）に示す
ように検出物体を配置せずに受光レベルＶR より高い閾
値Ｖtha を設定する場合（ワーク無しティーチング）
と、図４（ｃ）に示すように検出物体を反射型光電セン
サの前方に配置し、そのとき得られる反射光のレベルＶ
R を検出して、これより所定値低いレベルに閾値Ｖthb
を設定する場合（ワーク有りティーチング）のいずれか
を選択する方法がある。この場合にはワーク無しティー
チングとワーク有りティーチングを切換えるスイッチ動
作が必要となる。又ワーク無しティーチング及びワーク
有りティーチングのいずれも行い、この中間値に正式の
閾値を設定するようにした方法も考えられている。
は、例えば図４（ａ）に示すように反射型の光電センサ
１００において物体を接近させずに投光部より光を照射
し、受光部で背景からの反射光を受光する。このときの
受光レベルを図４（ｂ）に示すＶR とすると、これより
高い所定レベルＶtha を閾値として設定する第１の方法
がある。又第２の方法として図４（ａ），（ｄ）に示す
ように検出物体を配置せずに受光レベルＶR より高い閾
値Ｖtha を設定する場合（ワーク無しティーチング）
と、図４（ｃ）に示すように検出物体を反射型光電セン
サの前方に配置し、そのとき得られる反射光のレベルＶ
R を検出して、これより所定値低いレベルに閾値Ｖthb
を設定する場合（ワーク有りティーチング）のいずれか
を選択する方法がある。この場合にはワーク無しティー
チングとワーク有りティーチングを切換えるスイッチ動
作が必要となる。又ワーク無しティーチング及びワーク
有りティーチングのいずれも行い、この中間値に正式の
閾値を設定するようにした方法も考えられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来の光電センサの感度調整方法において、ワーク有
りティーチングは検知領域にワークを配置する必要があ
る。しかし検出物体が微小な物体である場合には、検出
領域に物体を設置すること自体が難しく、ワーク有りテ
ィーチングを選択することが難しいという欠点がある。
又光電センサが投受光部に光ファイバを設け光ファイバ
の他端を検出領域に接近させる場合には、光ファイバの
配置によって透過型光電センサと反射型光電センサとの
いずれにも用いることができる。しかし光ファイバが接
続される光電センサ本体側にとってみれば、受光信号か
らは透過型か反射型かの区別がつかず、適正な位置に閾
値を設定することができないという欠点があった。
な従来の光電センサの感度調整方法において、ワーク有
りティーチングは検知領域にワークを配置する必要があ
る。しかし検出物体が微小な物体である場合には、検出
領域に物体を設置すること自体が難しく、ワーク有りテ
ィーチングを選択することが難しいという欠点がある。
又光電センサが投受光部に光ファイバを設け光ファイバ
の他端を検出領域に接近させる場合には、光ファイバの
配置によって透過型光電センサと反射型光電センサとの
いずれにも用いることができる。しかし光ファイバが接
続される光電センサ本体側にとってみれば、受光信号か
らは透過型か反射型かの区別がつかず、適正な位置に閾
値を設定することができないという欠点があった。
【０００４】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたものであって、検出対象を検知領域に配置でき
ない場合にも自動的に閾値を設定可能な光電センサ及び
その閾値設定方法を提供することを目的とする。
なされたものであって、検出対象を検知領域に配置でき
ない場合にも自動的に閾値を設定可能な光電センサ及び
その閾値設定方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１の発明
は、投光部と、物体検知領域を介して前記投光部の光を
受光する受光部と、閾値設定モードと動作モードとを切
換えるモード切換手段と、前記受光部に入光があるとき
にオン又はオフのいずれかを選択して切換えるＬ／Ｄ切
換手段と、前記モード切換手段が閾値設定モードであっ
て前記Ｌ／Ｄ切換手段がオンに設定されているとき前記
受光手段に受光されるレベルより高いレベルを閾値と
し、Ｌ／Ｄ切換手段がオフに設定されているとき前記受
光手段に受光される受光レベルより低いレベルを閾値と
して設定する閾値設定手段と、前記モード切換手段が動
作モードのときに前記受光出力と閾値とを比較する比較
手段と、前記モード切換手段が動作モードのときに前記
Ｌ／Ｄ切換手段の切換えによって前記比較手段の出力を
反転させる反転手段と、を具備することを特徴とするも
のである。
は、投光部と、物体検知領域を介して前記投光部の光を
受光する受光部と、閾値設定モードと動作モードとを切
換えるモード切換手段と、前記受光部に入光があるとき
にオン又はオフのいずれかを選択して切換えるＬ／Ｄ切
換手段と、前記モード切換手段が閾値設定モードであっ
て前記Ｌ／Ｄ切換手段がオンに設定されているとき前記
受光手段に受光されるレベルより高いレベルを閾値と
し、Ｌ／Ｄ切換手段がオフに設定されているとき前記受
光手段に受光される受光レベルより低いレベルを閾値と
して設定する閾値設定手段と、前記モード切換手段が動
作モードのときに前記受光出力と閾値とを比較する比較
手段と、前記モード切換手段が動作モードのときに前記
Ｌ／Ｄ切換手段の切換えによって前記比較手段の出力を
反転させる反転手段と、を具備することを特徴とするも
のである。
【０００６】本願の請求項２の発明は、投光部より光を
投光し、受光部より物体検知領域を介して前記投光部の
光を受光し、前記受光部に入光があるときにオン又はオ
フのいずれかを選択して切換えるＬ／Ｄ切換手段を用
い、Ｌ／Ｄ切換手段に入光があるときにオンに設定され
ているときに前記受光部に受光されるレベルより高いレ
ベルを閾値として設定し、前記Ｌ／Ｄ切換手段に入光が
あるときオフに設定されているときに前記受光部に受光
されるレベルより低いレベルを閾値として設定すること
を特徴とするものである。
投光し、受光部より物体検知領域を介して前記投光部の
光を受光し、前記受光部に入光があるときにオン又はオ
フのいずれかを選択して切換えるＬ／Ｄ切換手段を用
い、Ｌ／Ｄ切換手段に入光があるときにオンに設定され
ているときに前記受光部に受光されるレベルより高いレ
ベルを閾値として設定し、前記Ｌ／Ｄ切換手段に入光が
あるときオフに設定されているときに前記受光部に受光
されるレベルより低いレベルを閾値として設定すること
を特徴とするものである。
【０００７】
【作用】このような特徴を有する本願の請求項１，２の
発明によれば、閾値設定モードのときにはモード切換手
段により閾値設定モードに切換える。そして投光部より
光を照射し、投光部からの光を物体検知領域を介して受
光部によって受光する。そして反射型光電センサとして
用いる場合には、Ｌ／Ｄ切換手段を入光時にオンと設定
する。このとき受光手段より得られるレベルより高いレ
ベルを閾値として設定する。又透過型光電センサとして
用いる場合には、Ｌ／Ｄ切換手段を入光時にオフに設定
して受光レベルより低いレベルを閾値として設定する。
こうして閾値の設定を終えた後にモード切換手段を動作
モードに切換える。そうすれば受光手段の受光レベルと
設定した閾値とを比較手段によって比較する。Ｌ／Ｄ切
換手段の設定を変えなければ反転手段によって出力の反
転なく外部に出力し、Ｌ／Ｄ切換手段の設定を切換える
と比較手段の出力も反転させて物体検知信号として出力
するようにしている。
発明によれば、閾値設定モードのときにはモード切換手
段により閾値設定モードに切換える。そして投光部より
光を照射し、投光部からの光を物体検知領域を介して受
光部によって受光する。そして反射型光電センサとして
用いる場合には、Ｌ／Ｄ切換手段を入光時にオンと設定
する。このとき受光手段より得られるレベルより高いレ
ベルを閾値として設定する。又透過型光電センサとして
用いる場合には、Ｌ／Ｄ切換手段を入光時にオフに設定
して受光レベルより低いレベルを閾値として設定する。
こうして閾値の設定を終えた後にモード切換手段を動作
モードに切換える。そうすれば受光手段の受光レベルと
設定した閾値とを比較手段によって比較する。Ｌ／Ｄ切
換手段の設定を変えなければ反転手段によって出力の反
転なく外部に出力し、Ｌ／Ｄ切換手段の設定を切換える
と比較手段の出力も反転させて物体検知信号として出力
するようにしている。
【０００８】
【実施例】図１は本発明による光電センサの一実施例を
示すブロック図である。本図において投光部１は投光回
路１ａと投光素子１ｂとを有しており、光を物体検知領
域に照射するものである。又これに対応して物体検知領
域からの反射光を受光する受光部２が設けられる。受光
部２は受光素子２ａとその出力を電気信号に変換する受
光回路２ｂとを有しており、その出力は増幅器３を介し
て制御部４に入力される。制御部４はマイクロコンピュ
ータとプログラム及びデータを保持するメモリによって
構成されている。制御部４には一定周期のクロック信号
を発生するクロック発生部５を有しており、このクロッ
クによって投光駆動部６から投光部１に投光パルスが与
えられる。又制御部４には閾値の設定時に用いられるテ
ィーチングスイッチ５、閾値の設定モード「ＳＥＴ」と
動作モード「ＲＵＮ」とを切換えるモード切換スイッチ
６、及びＬon／Ｄonを切換えるＬ／Ｄ切換スイッチ７が
接続されている。Ｌ／Ｄ切換スイッチ７は受光部に入光
があるときに出力をオンとする（Ｌオン）か、入光がな
いときに出力をオンとする（Ｄオン）のいずれかを選択
する切換手段である。
示すブロック図である。本図において投光部１は投光回
路１ａと投光素子１ｂとを有しており、光を物体検知領
域に照射するものである。又これに対応して物体検知領
域からの反射光を受光する受光部２が設けられる。受光
部２は受光素子２ａとその出力を電気信号に変換する受
光回路２ｂとを有しており、その出力は増幅器３を介し
て制御部４に入力される。制御部４はマイクロコンピュ
ータとプログラム及びデータを保持するメモリによって
構成されている。制御部４には一定周期のクロック信号
を発生するクロック発生部５を有しており、このクロッ
クによって投光駆動部６から投光部１に投光パルスが与
えられる。又制御部４には閾値の設定時に用いられるテ
ィーチングスイッチ５、閾値の設定モード「ＳＥＴ」と
動作モード「ＲＵＮ」とを切換えるモード切換スイッチ
６、及びＬon／Ｄonを切換えるＬ／Ｄ切換スイッチ７が
接続されている。Ｌ／Ｄ切換スイッチ７は受光部に入光
があるときに出力をオンとする（Ｌオン）か、入光がな
いときに出力をオンとする（Ｄオン）のいずれかを選択
する切換手段である。
【０００９】次に制御部４内には増幅器３からの出力を
Ａ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部１０を有している。又読取
部１１はクロック発生部８のクロックに同期してＡ／Ｄ
変換部１０の出力とティーチングスイッチ５の設定とを
読取るものである。又読取部１１で読取られたティーチ
ングのタイミングは閾値生成部１２に与えられる。閾値
生成部１２はモード判定部１３で閾値設定モードが判定
されたときに、後述するように閾値を生成するものであ
る。モード判定部１３はモード切換スイッチ６及びＬ／
Ｄ切換スイッチ７の出力に基づいて動作モードとＬon／
Ｄonの設定とを判定して閾値生成部１２及び反転部１５
に出力するものである。又制御部４内にはこうして生成
された閾値とＡ／Ｄ変換値とを比較する比較部１４を有
している。比較部１４は閾値設定時の入力レベルが閾値
を変えて変化したときに物体検知信号を出力するもので
ある。又制御部４内には比較部１４の出力をモード判定
部１３からの出力に基づいて反転する反転部１５を有し
ており、反転部１５の出力は出力回路１６を介して外部
に物体検知信号として出力される。
Ａ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部１０を有している。又読取
部１１はクロック発生部８のクロックに同期してＡ／Ｄ
変換部１０の出力とティーチングスイッチ５の設定とを
読取るものである。又読取部１１で読取られたティーチ
ングのタイミングは閾値生成部１２に与えられる。閾値
生成部１２はモード判定部１３で閾値設定モードが判定
されたときに、後述するように閾値を生成するものであ
る。モード判定部１３はモード切換スイッチ６及びＬ／
Ｄ切換スイッチ７の出力に基づいて動作モードとＬon／
Ｄonの設定とを判定して閾値生成部１２及び反転部１５
に出力するものである。又制御部４内にはこうして生成
された閾値とＡ／Ｄ変換値とを比較する比較部１４を有
している。比較部１４は閾値設定時の入力レベルが閾値
を変えて変化したときに物体検知信号を出力するもので
ある。又制御部４内には比較部１４の出力をモード判定
部１３からの出力に基づいて反転する反転部１５を有し
ており、反転部１５の出力は出力回路１６を介して外部
に物体検知信号として出力される。
【００１０】ここで投光部１，２と増幅器３、制御部４
及びスイッチ５〜７、出力回路１６によって光電センサ
本体２０が構成されており、投受光部の投光素子１ｂと
受光素子２ａには夫々投光用光ファイバ２１，受光用光
ファイバ２２が接続される。これらの光ファイバ２１，
２２の端面を対向して配置させれば透過型光電センサと
なり、端面を隣接して配置すれば反射型光電センサとし
て構成できる。
及びスイッチ５〜７、出力回路１６によって光電センサ
本体２０が構成されており、投受光部の投光素子１ｂと
受光素子２ａには夫々投光用光ファイバ２１，受光用光
ファイバ２２が接続される。これらの光ファイバ２１，
２２の端面を対向して配置させれば透過型光電センサと
なり、端面を隣接して配置すれば反射型光電センサとし
て構成できる。
【００１１】次に本実施例の動作について説明する。本
実施例ではまず閾値を設定する設定モードの場合には、
モード切換スイッチ６を閾値設定モードである「ＳＥ
Ｔ」とする。次いで検出物体のない状態で動作させる。
こうすればクロック発生部８より周期的にクロック信号
が発生し、投光駆動部９を介して投光部１より光が物体
検知領域に照射される。このとき検出物体がないので、
反射型光電センサの場合にはティーチングスイッチ５を
オンとしたときのタイミング信号をクロックに同期させ
て読取る。そしてこのときのＬ／Ｄ切換スイッチ７の設
定を読取る。反射型の光電センサの場合には光が入光す
ればオンとなる状態、即ちＬonとなるように設定してお
く。こうすれば図２（ａ），（ｃ）に示すようにワーク
のないａの状態では、受光レベルは低い背景のレベルと
なっている。従ってこのときＡ／Ｄ変換部１０より得ら
れる出力レベルよりも高いレベル、例えば＋１０％のレ
ベルに閾値Ｔh1を設定する。そしてモード切換スイッチ
６を動作モード「ＲＵＮ」に切換えると、この閾値に基
づいて比較部１４で入力信号が弁別される。そしてＬ／
Ｄ切換スイッチ７をそのままの状態としておけば、図２
（ｂ），（ｃ）に示すように物体が検知領域に到来して
受光レベルが上昇すると閾値Ｔh1を越えることとなり、
このとき比較部１４より出力が得られ、反転部１５によ
る反転を行わずにそのまま出力回路１６を介して物体検
知信号を出力する。受光レベルが低下し閾値Ｔh1以下と
なれば、物体非検知の状態を出力する。又動作モードに
おいてＬ／Ｄ切換スイッチ７を反転させると、反転部１
５により出力を反転して出力回路１６より外部に出力す
る。ここで閾値Ｔh1の設定は状態ａの入力レベルより高
く、ダイミナックレンジを考慮して設定するものとす
る。
実施例ではまず閾値を設定する設定モードの場合には、
モード切換スイッチ６を閾値設定モードである「ＳＥ
Ｔ」とする。次いで検出物体のない状態で動作させる。
こうすればクロック発生部８より周期的にクロック信号
が発生し、投光駆動部９を介して投光部１より光が物体
検知領域に照射される。このとき検出物体がないので、
反射型光電センサの場合にはティーチングスイッチ５を
オンとしたときのタイミング信号をクロックに同期させ
て読取る。そしてこのときのＬ／Ｄ切換スイッチ７の設
定を読取る。反射型の光電センサの場合には光が入光す
ればオンとなる状態、即ちＬonとなるように設定してお
く。こうすれば図２（ａ），（ｃ）に示すようにワーク
のないａの状態では、受光レベルは低い背景のレベルと
なっている。従ってこのときＡ／Ｄ変換部１０より得ら
れる出力レベルよりも高いレベル、例えば＋１０％のレ
ベルに閾値Ｔh1を設定する。そしてモード切換スイッチ
６を動作モード「ＲＵＮ」に切換えると、この閾値に基
づいて比較部１４で入力信号が弁別される。そしてＬ／
Ｄ切換スイッチ７をそのままの状態としておけば、図２
（ｂ），（ｃ）に示すように物体が検知領域に到来して
受光レベルが上昇すると閾値Ｔh1を越えることとなり、
このとき比較部１４より出力が得られ、反転部１５によ
る反転を行わずにそのまま出力回路１６を介して物体検
知信号を出力する。受光レベルが低下し閾値Ｔh1以下と
なれば、物体非検知の状態を出力する。又動作モードに
おいてＬ／Ｄ切換スイッチ７を反転させると、反転部１
５により出力を反転して出力回路１６より外部に出力す
る。ここで閾値Ｔh1の設定は状態ａの入力レベルより高
く、ダイミナックレンジを考慮して設定するものとす
る。
【００１２】さてこの光電センサを光ファイバ２１，２
２に対向させて配置し、その間に通過する物体を検出す
る透過型の光電センサとして使用する場合には、まずＬ
／Ｄ切換スイッチ７をＤonモードとする。そしてモード
切換スイッチ６を「ＳＥＴ」モードに切換えると、周期
的に投光部１より光が照射される。そして図３（ａ）に
示すように物体検知領域に検出物体を配置しなければ、
図３（ｃ）の状態ａに示すように受光部に得られる出力
レベルは高いレベルとなっている。そしてティーチング
スイッチ５を投入すると、その時点の受光レベルより低
い値、例えば−１０％のレベルに閾値設定部１２によっ
て閾値Ｔh2を設定する。次いでモード切換スイッチ６を
動作モードとし、動作させる。図３（ｂ）に示すように
対向する投受光ファイバ２１，２２間に物体が到来する
と遮光状態となって、図３（ｃ）の状態ｂに示すように
受光レベルが低下する。そのため閾値Ｔh2より低いレベ
ルでオンとする物体検知信号を出力することができる。
この場合にはＬ／Ｄ切換スイッチ７の設定を変えなけれ
ば比較部１４の出力が反転されずに出力され、遮光状態
で物体検知信号が出力される。ここでＬ／Ｄ切換スイッ
チ７を反転させてＬonモードとすると、反転部１５で出
力が反転して外部に出力される。このように本発明で
は、Ｌ／Ｄ切換スイッチを用いて閾値の設定を極めて容
易に行えるようにしている。
２に対向させて配置し、その間に通過する物体を検出す
る透過型の光電センサとして使用する場合には、まずＬ
／Ｄ切換スイッチ７をＤonモードとする。そしてモード
切換スイッチ６を「ＳＥＴ」モードに切換えると、周期
的に投光部１より光が照射される。そして図３（ａ）に
示すように物体検知領域に検出物体を配置しなければ、
図３（ｃ）の状態ａに示すように受光部に得られる出力
レベルは高いレベルとなっている。そしてティーチング
スイッチ５を投入すると、その時点の受光レベルより低
い値、例えば−１０％のレベルに閾値設定部１２によっ
て閾値Ｔh2を設定する。次いでモード切換スイッチ６を
動作モードとし、動作させる。図３（ｂ）に示すように
対向する投受光ファイバ２１，２２間に物体が到来する
と遮光状態となって、図３（ｃ）の状態ｂに示すように
受光レベルが低下する。そのため閾値Ｔh2より低いレベ
ルでオンとする物体検知信号を出力することができる。
この場合にはＬ／Ｄ切換スイッチ７の設定を変えなけれ
ば比較部１４の出力が反転されずに出力され、遮光状態
で物体検知信号が出力される。ここでＬ／Ｄ切換スイッ
チ７を反転させてＬonモードとすると、反転部１５で出
力が反転して外部に出力される。このように本発明で
は、Ｌ／Ｄ切換スイッチを用いて閾値の設定を極めて容
易に行えるようにしている。
【００１３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、光電センサを反射型として用いる場合も透過型とし
て用いる場合であっても、物体を検知位置に配置してテ
ィーチングする必要がなく、物体のない状態で適正なレ
ベルに閾値を設定することができるという効果が得られ
る。この場合にスイッチ等は全て既存のもので足り、新
たなハードウェアを追加する必要がなくなるという効果
も得られる。
ば、光電センサを反射型として用いる場合も透過型とし
て用いる場合であっても、物体を検知位置に配置してテ
ィーチングする必要がなく、物体のない状態で適正なレ
ベルに閾値を設定することができるという効果が得られ
る。この場合にスイッチ等は全て既存のもので足り、新
たなハードウェアを追加する必要がなくなるという効果
も得られる。
【図１】本発明の一実施例による光電センサの全体構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図２】本実施例による光電センサを反射型光電センサ
としたときにその先端のファイバと物体の有無及び受光
レベルの変化を示すグラフである。
としたときにその先端のファイバと物体の有無及び受光
レベルの変化を示すグラフである。
【図３】本実施例による光電センサを透過型光電センサ
としたときにファイバと物体の関係及びそのときの受光
レベルの変化を示すグラフである。
としたときにファイバと物体の関係及びそのときの受光
レベルの変化を示すグラフである。
【図４】従来の光電センサの閾値設定状態を示す概略図
である。
である。
１ 投光部 ２ 受光部 ４ 制御部 ５ ティーチングスイッチ ６ モード切換スイッチ ７ Ｌ／Ｄ切換スイッチ ８ クロック発生部 ９ 投光駆動部 １０ Ａ／Ｄ変換部 １１ 読取部 １２ 閾値生成部 １３ モード判定部 １４ 比較部 １５ 反転部 １６ 出力回路 ２０ 光電センサ本体 ２１ 投光用光ファイバ ２２ 受光用光ファイバ
Claims (2)
- 【請求項１】 投光部と、 物体検知領域を介して前記投光部の光を受光する受光部
と、 閾値設定モードと動作モードとを切換えるモード切換手
段と、 前記受光部に入光があるときにオン又はオフのいずれか
を選択して切換えるＬ／Ｄ切換手段と、 前記モード切換手段が閾値設定モードであって前記Ｌ／
Ｄ切換手段がオンに設定されているとき前記受光手段に
受光されるレベルより高いレベルを閾値とし、Ｌ／Ｄ切
換手段がオフに設定されているとき前記受光手段に受光
される受光レベルより低いレベルを閾値として設定する
閾値設定手段と、 前記モード切換手段が動作モードのときに前記受光出力
と閾値とを比較する比較手段と、 前記モード切換手段が動作モードのときに前記Ｌ／Ｄ切
換手段の切換えによって前記比較手段の出力を反転させ
る反転手段と、を具備することを特徴とする光電セン
サ。 - 【請求項２】 投光部より光を投光し、 受光部より物体検知領域を介して前記投光部の光を受光
し、 前記受光部に入光があるときにオン又はオフのいずれか
を選択して切換えるＬ／Ｄ切換手段を用い、Ｌ／Ｄ切換
手段に入光があるときにオンに設定されているときに前
記受光部に受光されるレベルより高いレベルを閾値とし
て設定し、 前記Ｌ／Ｄ切換手段に入光があるときオフに設定されて
いるときに前記受光部に受光されるレベルより低いレベ
ルを閾値として設定することを特徴とする光電センサの
閾値設定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18781795A JPH0918318A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 光電センサ及びその閾値設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18781795A JPH0918318A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 光電センサ及びその閾値設定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0918318A true JPH0918318A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=16212766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18781795A Pending JPH0918318A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 光電センサ及びその閾値設定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0918318A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210974A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Tietech Co Ltd | 反射型光電スイッチ |
| JP2008128936A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Nec Computertechno Ltd | 光センサ装置検知レベル調整方法および光センサ装置検知レベル調整システム |
| JP2009135779A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Sunx Ltd | ヘッド分離型光電センサ |
| WO2012073531A1 (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | オムロン株式会社 | スイッチ |
| JP2013102424A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-23 | Omron Corp | 光電センサ |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP18781795A patent/JPH0918318A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210974A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Tietech Co Ltd | 反射型光電スイッチ |
| JP4589739B2 (ja) * | 2005-01-25 | 2010-12-01 | 株式会社タイテック | 反射型光電スイッチ |
| JP2008128936A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Nec Computertechno Ltd | 光センサ装置検知レベル調整方法および光センサ装置検知レベル調整システム |
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| CN102714113A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-10-03 | 欧姆龙株式会社 | 开关 |
| JP2013102424A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-23 | Omron Corp | 光電センサ |
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