JPH09181172A

JPH09181172A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH09181172A
Application number: JP33496995A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Yokoi; 孝弘横井
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1995-12-22
Filing date: 1995-12-22
Publication date: 1997-07-11

Abstract

(57)【要約】【課題】アライメントのズレが生じるとコンタクトホ
ールが必要以上にエッチングされ、他の導電部まで到達
してしまうという問題点があった。【解決手段】第１の配線層３上に積層された第２の層
間絶縁膜５を第１の配線層３に至るまでエッチングしコ
ンタクトホールを形成する際、エッチングのエッチング
エンドが、コンタクトホール１２ａを形成する際に必要
な第２の層間絶縁膜５のエッチング量にて飽和するよう
エッチングのエッチング条件をエッチングガスの添加ガ
スとしての酸素ガスの添加比率を変化させることにより
設定した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、コンタクトホー
ルを形成する際、写真製版技術におけるアライメントの
ズレが生じても、コンタクトホールが必要以上エッチン
グされることのない半導体装置の製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】図６は従来の半導体装置の製造方法を示
す断面図である。以下、この半導体装置の製造方法につ
いて説明する。まず、下層配線層１を形成した後、全面
に例えば、シリコン酸化膜から成る第１の層間絶縁膜２
を積層する。次に、この第１の層間絶縁膜２上に例えば
アルミニウムを膜厚３７０ｎｍおよびＴｉＮを膜厚３０
ｎｍにて順次積層しパターニングを行い第１の配線層３
および第１の保護膜４を形成する。次に、例えばシリコ
ン酸化膜を全面に堆積し、平坦化を行い第１の配線層３
上の膜厚が例えば８００ｎｍにて成る第２の層間絶縁膜
５を形成する。次に、レジストを塗布し写真製版技術に
よりパターニングを行いレジスト膜６を形成する（図６
（ａ））。この際、アライメントのズレの発生により紙
面上左側のレジスト膜６のパターニングは第１の配線層
３上を踏み外している。

【０００３】次に、レジスト膜６をマスクに第２の層間
絶縁膜５および第１の保護膜４のエッチングを例えばリ
アクティブイオンエッチング（以下、ＲＩＥと略す）方
法にて行い、各コンタクトホール７ａ，７ｂをそれぞれ
形成する。この際、アライメントのズレを生じているコ
ンタクトホール７の形成部は第１の層間絶縁膜２を貫通
し下層配線層１上まで到達してしまう場合がある（図６
（ｂ））。次に、レジスト膜６を除去し、各コンタクト
ホール７ａ，７ｂを介して第２の配線層８を形成する
（図６（ｃ））。

【０００４】以下、なぜアライメントのズレを生じた際
にコンタクトホール７ａのような箇所が形成されるかに
ついて説明する。まず、コンタクトホール７ａ，７ｂを
形成するときに第２の層間絶縁膜５のエッチング深さ
は、第１の保護膜４上までの８００ｎｍ以上に必要とな
る。これは、例えば図示されていない箇所と図示されて
いる箇所とにおける第２の層間絶縁膜５の膜厚のバラつ
き、また、エッチングレートのバラつき、また、エッチ
ャントのロット内でのバラつき等に伴うもので、ここで
は例えば１５０ｎｍ程のオーバーエッチングが必要とな
る。

【０００５】その上、第１の保護膜４をエッチングする
際、第１の保護膜４を確実にエッチングするために、第
１の保護膜４の膜厚の１００％に相当するオーバーエッ
チングを行わなければならない。すなわち、第１の保護
膜４は膜厚３０ｎｍの２倍の６０ｎｍに相当するエッチ
ングが必要となる。これを第２の層間絶縁膜５のエッチ
ング深さに換算すると、第２の層間絶縁膜５と第１の保
護膜４とのエッチング選択比が１０：１程度であるの
で、６０ｎｍの１０倍である６００ｎｍに相当する。

【０００６】以上のことから、アライメントのズレを生
じた第２の層間絶縁膜５のエッチング深さは８００ｎｍ
と１５０ｎｍと６００ｎｍとを加算した１５５０ｎｍほ
どとなり、図６（ｂ）に示すようにコンタクトホール７
ａの下端は下層配線層１まで到達する箇所を生じること
となる。そして、下層配線層１と第２の配線層８との短
絡が生じ、半導体装置の信頼性が低下する。なお、ここ
では便宜上第１の保護膜４を用いて説明したが、第１の
保護膜４を備えていなくともこれ以外の様々な要因によ
り上記したことと同様の現象は十分おこりうる。

【０００７】ここで、上記したようなことを防止するた
め、例えば第１の保護膜４のエッチングの際、エッチン
グ条件を第１の保護膜４のエッチング選択性が向上する
よう変えて行う方法も考えられるが、エッチング条件を
変化する際に、生じるゴミなどが半導体装置に付着し、
これにより半導体装置の信頼性が低下する。

【０００８】また、他の防止する方法として例えば特開
平６−４５４５２号公報に示すような半導体装置の製造
方法が提案されている。以下、図７によりこの半導体装
置の製造方法について説明する。まず、上記従来の場合
と同様の工程を経て下層配線層１、第１の層間絶縁膜
２、第１の配線層３、および第１の保護膜４を形成す
る。次に、第１の配線層３および第１の保護膜４の側壁
にサイドウォール９を形成する。次に、これら全てを覆
い、且つ、平坦化された第２の層間絶縁膜５を形成す
る。次に、レジストを塗布し写真製版技術によりパター
ニングを行いレジスト膜６を形成する（図７（ａ））。
この際、上記従来の場合と同様に紙面上左側のレジスト
膜６のパターニングは第１の配線層３上を踏み外してい
る。

【０００９】次に、レジスト膜６をマスクに第２の層間
絶縁膜５および第１の保護膜４のエッチングを行い、各
コンタクトホール１０ａ，１０ｂをそれぞれ形成する。
この際、アライメントのズレを生じているコンタクトホ
ール１０ａ形成部は、サイドウォール９が多少エッチン
グされ膜減りしサイドウォール９ａのようになるが、サ
イドウォール９がエッチングストッパとして作用するの
で、それ以上のエッチングは防止されている（図７
（ｂ））。次に、レジスト膜６を除去して、各コンタク
トホール１０ａ，１０ｂを介して第２の配線層１１を形
成する（図７（ｃ））。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法は以上のように行われ、コンタクトホール１０
ａ，１０ｂを形成する際、写真製版技術によるアライメ
ントのズレが発生したとしても、サイドウォール９によ
りコンタクトホール１０ａが他の箇所までエッチングさ
れるのを防止する。しかしながら、サイドウォール９を
形成することによる半導体装置の歩留まりの低下も否め
なく、また、サイドウォール９を形成する工程などが余
分に必要となりコストが高くなるという問題点があっ
た。

【００１１】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、工程数を増加させることなく低
コスト且つ、確実にコンタクトホールが必要深さ以上エ
ッチングされることのない半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の半導体装置の製造方法は、半導体基板または第１の配
線層上に積層された層間絶縁膜を半導体基板または第１
の配線層に至るまでエッチングしコンタクトホールを形
成する半導体装置の製造方法において、エッチングのエ
ッチングエンドが、コンタクトホールを形成する際に必
要な層間絶縁膜のエッチング量にて飽和するようエッチ
ングのエッチング条件を設定したものである。

【００１３】また、この発明に係る請求項２の半導体装
置の製造方法は、請求項１において、半導体基板または
第１の配線層上に第１の保護膜を備え、コンタクトホー
ルは層間絶縁膜および第１の保護膜を半導体基板または
第１の配線層に至るまでエッチングし形成するものであ
る。

【００１４】また、この発明に係る請求項３の半導体装
置の製造方法は、請求項１または請求項２において、コ
ンタクトホールをリアクティブイオンエッチング方法に
て形成するものである。

【００１５】また、この発明に係る請求項４の半導体装
置の製造方法は、請求項３において、エッチングガスの
添加ガスとしての酸素ガスの添加比率を変化させること
によりエッチング条件を設定するようにしたものであ
る。

【００１６】また、この発明に係る請求項５の半導体装
置の製造方法は、請求項３において、添加ガスとしての
不活性ガスの添加量を変化させることによりエッチング
ガスの流量を変化させてエッチング条件を設定するよう
にしたものである。

【００１７】また、この発明に係る請求項６の半導体装
置の製造方法は、請求項３において、エッチング雰囲気
の圧力を変化させることによりエッチング条件を設定す
るようにしたものである。

【００１８】また、この発明に係る請求項７の半導体装
置の製造方法は、請求項３において、エッチング雰囲気
に印加される高周波電力を変化させることによりエッチ
ング条件を設定するようにしたものである。

【００１９】また、この発明に係る請求項８の半導体装
置の製造方法は、請求項１ないし請求項７において、コ
ンタクトホールの開口幅を１．０μｍ以下としたもので
ある。

【００２０】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．以下、この発明の実施の形態を図につい
て説明する。図１および図２はこの発明の実施の形態１
における半導体装置の製造方法を示す断面図である。以
下、この実施の形態１における半導体装置の製造方法に
ついて説明する。まず、従来の場合と同様に例えば減圧
ＣＶＤ法にてポリシリコン膜を堆積し、パターニングを
行い下層配線層１を形成する。そして、これを覆うよう
に例えば減圧ＣＶＤ法や常圧ＣＶＤ法等を用いてシリコ
ン酸化膜を堆積し、例えばＣＭＰ法やエッチバック法な
どによりシリコン酸化膜を平坦化し第１の層間絶縁膜２
を形成する。

【００２１】次に、例えばアルミニウムにシリコンや銅
などを微量混合したアルミ合金膜を膜厚３７０ｎｍ堆積
し、この上に例えばＴｉＮを膜厚３０ｎｍ堆積し、これ
らのパターニングを行い、第１の配線層３および第１の
保護膜４を形成する（図１（ａ））。次に、例えばプラ
ズマＣＶＤ法にてシリコン酸化膜５ａを膜厚２０００ｎ
ｍ堆積する（図１（ｂ））。次に、例えばＣＭＰ法、ま
たは、有機ＳＯＧあるいは無機ＳＯＧを用いるエッチバ
ック法にてシリコン酸化膜５ａの膜厚１２００ｎｍ分エ
ッチングして平坦化し第２の層間絶縁膜５を形成する。

【００２２】次に、レジストを塗布し写真製版技術によ
りパターニングを行い後述するコンタクトホールの開口
幅が０．４μｍにて形成できるようなレジスト膜６を形
成する（図１（ｃ））。この際、アライメントのズレの
発生により紙面上左側のレジスト膜６のパターニングは
第１の配線層３上を踏み外している。次に、レジスト膜
６をマスクに第２の層間絶縁膜５および第１の保護膜４
のエッチングを行い、コンタクトホール１２ａ，１２ｂ
を形成する（図２（ａ））。エッチング条件としては、
例えばＥＣＲ−ＲＩＥ装置を用い、Ｃ₄Ｆ₈のエッチング
ガスに添加ガスとしてのＯ₂ガスの添加比率が３５％と
なる条件にて行う。このエッチング条件におけるエッチ
ングエンドは、コンタクトホールを形成する際に必要な
第２の層間絶縁膜５のエッチング量である例えば９５０
ｎｍにて飽和するように設定されている。

【００２３】よって、アライメントのズレの発生してい
るコンタクトホール１２ａの第１の配線層３を踏み外し
た箇所のエッチングエンドは、９５０ｎｍ深さ以上エッ
チングされず停止している。次に、各コンタクトホール
１２ａ，１２ｂを介して例えばアルミニウムにシリコン
や銅などを微量混合したアルミ合金膜を堆積し第２の配
線層１３を形成する（図２（ｂ））。

【００２４】以下、エッチング条件の設定について図３
ないし図５を用いて詳細に説明する。まず、図３はＲＩ
Ｅ方法にてシリコン酸化膜にコンタクトホールを形成し
た時、同一半導体基板上で同一エッチング時間でエッチ
ングした際の、レジスト膜のコンタクトホールの開口幅
（すなわちホールサイズ）とエッチング深さとの関係を
示す。この図から明らかなようにレジスト膜はホールサ
イズによりエッチングレートが異なることがわかる。
（この現象は一般的にＲＩＥ−１ａｇという）。このこ
とより、エッチング時間が進行しても、ある値でエッチ
ングエンドが飽和してしまうという現象が生じることが
推察できる。この現像を図４にて説明する。これは開口
幅が０．４μｍのコンタクトホールをあるエッチング条
件にて形成した際のエッチング時間とエッチング深さと
の関係を示したものである。

【００２５】このように、エッチングエンドが一定深さ
にて飽和することが確認できる。このように制御可能な
エッチング条件として、エッチングガスに添加するガス
である酸素ガスの添加率を変化させて行う方法がある。
これを図５に示す。これは開口幅が０．４μｍのコンタ
クトホールを形成した際の酸素ガスの添加率とエッチン
グ深さとの関係を示したものである。図から明らかなよ
うに上記で説明したように、９５０ｎｍの深さにてエッ
チングを飽和させたい場合は、酸素ガスの添加率が３５
％であることが確認できる。また、この図から、酸素ガ
スの添加率を変化させることにより上記した深さ以外で
もそれに適したエッチング条件を容易に設定できること
は明らかである。

【００２６】以下、酸素ガスを添加することによりエッ
チングエンドが決定できる原理について説明する。ま
ず、シリコン酸化膜のエッチングは下記式（１）に示す
ように進行すると考えられる。ＳｉＯ₂＋ＣＦｘ（イオン衝突） → ＳｉＦ₄↑＋ＣＯ↑ ・・・（１）この際、シリコン酸化膜のエッチングに伴い上記式
（１）とは別にＣＦｘから成るデポ膜が発生し堆積す
る。酸素ガスはこのデポ膜をエッチングすることができ
る。よって、酸素ガスの添加率を変化させることにより
コンタクトホール内のデポ膜の堆積が制御でき、延いて
は、コンタクトホールのエッチングエンドの制御が可能
となる。

【００２７】コンタクトホールを形成する際必要な第２
の層間絶縁膜５のエッチング量として例えば９５０ｎｍ
としたがこれは、従来の場合でも示した例えば図示され
ていない箇所と図示されている箇所とにおける第２の層
間絶縁膜５の膜厚のバラつき、また、エッチングレート
のバラつき、また、エッチャントロット内でのバラつき
等に伴うオーバーエッチング分の１５０ｎｍを第２の層
間絶縁膜５の膜厚の８００ｎｍに付加した量である。

【００２８】この際第１の保護膜４は、第２の層間絶縁
膜５のエッチング深さである９５０ｎｍより手前に存在
するため、第１の保護膜４の位置では十分エッチングが
行われる。よって第１の保護膜４のエッチングレートが
第２の層間絶縁膜５のエッチングレートより低くとも、
第２の層間絶縁膜５が９５０ｎｍ以上エッチングされな
いため、エッチング時間を十分長くすることができ、第
１の保護膜４を確実にエッチングし除去することができ
る。

【００２９】上記のように構成された実施の形態１の半
導体装置の製造方法によれば、コンタクトホール１２
ａ，１２ｂを形成する際に、第２の層間絶縁膜５のエッ
チング量が必要な値にて飽和するようにエッチング条件
を、エッチングガスの添加ガス（酸素ガス）の添加比率
を変化させることにより行っているので、特にコンタク
トホール１２ａ，１２ｂを形成時、エッチングストッパ
となる膜を形成しなくとも容易にコンタクトホール１２
ａ，１２ｂのエッチングエンドを所望の箇所にて停止で
きるため、低コスト且つ、信頼性の高い半導体装置の製
造方法を行うことができる。

【００３０】実施の形態２．上記実施の形態１ではエッ
チングガスの添加ガスである酸素ガスの添加比率を変化
させることによりエッチング条件を設定する例を示した
が、これに限られることはなく、例えば添加ガスとして
の不活性ガス（例えばＡｒガス）の添加量を変化させる
ことによりエッチングガスの流量を変化させてエッチン
グ条件を設定する方法、また、エッチング雰囲気の圧力
を変化させることによりエッチング条件を設定する方
法、また、エッチング雰囲気に印加される高周波電力を
変化させることによりエッチング条件を設定する方法等
にても上記実施の形態１と同様に行うことができる。

【００３１】以下、これら方法の原理について説明す
る。まず、上記実施の形態１にて説明した上記式（１）
と同様のエッチングが行われている時、エッチングガス
のエッチング雰囲気のレジデンスタイム（滞在時間）を
コントロールすることで、デポ膜の脱離を促進したり、
また、デポ膜堆積に寄与するラジカル量を制御すること
ができる。ここで上記した方法にてエッチング条件を設
定すると、このレジデンスタイムの設定が可能となり、
延いてはコンタクトホールを形成する際に必要な第２の
層間絶縁膜のエッチング量にて飽和させることができ
る。

【００３２】現象としては、不活性ガスの添加量が多く
なると、コンタクトホールが深くエッチングできる方向
に、また、圧力が低くなると、コンタクトホールが深く
エッチングできる方向に、また、高周波電力が大きくな
るとコンタクトホールが深くエッチングできる方向に、
それぞれ制御可能である。

【００３３】実施の形態３．また、上記各実施の形態で
は第１の保護膜４を備えている場合について説明した
が、これに限られることはなく、保護膜を備えていない
場合にも、コンタクトホールを形成する際に、アライメ
ントのズレを生じた箇所において、第２の層間絶縁膜５
が必要以上エッチングされることはない。

【００３４】実施の形態４．上記各実施の形態ではコン
タクトホールの開口幅を０．４μｍの場合について説明
したが、これに限られることはなく、コンタクトホール
の開口幅が１．０μｍより大きければ、コンタクトホー
ルが深くなったとして堆積するデポ膜はイオン衝突によ
りエッチングされ除去されるため、上記示したようにエ
ッチング条件を設定したとしてもエッチングエンドを決
定することは困難であるが、コンタクトホールの開口幅
が１．０μｍ以下であれば、コンタクトホールが深くな
るとイオン衝突がおこりくくなるため、上記したエッチ
ング条件を設定することにより、エッチングエンドを容
易に決定することができる。

【００３５】

【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、半導体基板または第１の配線層上に積層された層
間絶縁膜を半導体基板または第１の配線層に至るまでエ
ッチングしコンタクトホールを形成する半導体装置の製
造方法において、エッチングのエッチングエンドが、コ
ンタクトホールを形成する際に必要な層間絶縁膜のエッ
チング量にて飽和するようエッチングのエッチング条件
を設定したので、層間絶縁膜のエッチングが必要以上に
進行せずアライメントのズレが生じても、コンタクトホ
ールの下端が他の導電箇所まで進行することはないた
め、信頼性が高く、且つ低コストにて製造可能な半導体
装置の製造方法を提供することができる。

【００３６】また、この発明の請求項２によれば、請求
項１において、半導体基板または第１の配線層上に第１
の保護膜を備え、コンタクトホールは層間絶縁膜および
第１の保護膜を半導体基板または第１の配線層に至るま
でエッチングし形成するので、第１の保護膜を備えたと
しても層間絶縁膜のエッチングが必要以上に進行せずア
ライメントのズレが生じても、コンタクトホールの下端
が他の導電箇所まで進行することはないため、信頼性が
高く、且つ低コストにて製造可能な半導体装置の製造方
法を提供することができる。

【００３７】また、この発明の請求項３によれば、請求
項１または請求項２において、コンタクトホールをリア
クティブイオンエッチング方法にて形成するので、コン
タクトホールの深さ方向のエッチング条件の設定が容易
となり、コンタクトホールの最下端が他の導電箇所まで
進行することを確実に阻止するため、信頼性が高く、且
つ、低コストにて製造可能な半導体装置の製造方法を提
供することができる。

【００３８】また、この発明の請求項４によれば、請求
項３において、エッチングガスの添加ガスとしての酸素
ガスの添加比率を変化させることによりエッチング条件
を設定するので、容易に、且つ、確実にエッチング条件
が設定できるため、信頼性が高く、且つ、低コストにて
製造可能な半導体装置の製造方法を確実に提供すること
ができる。

【００３９】また、この発明の請求項５によれば、請求
項３において、エッチングガスの流量を添加ガスとして
の不活性ガスの添加量を変化させることによりエッチン
グ条件を設定するので、容易に、且つ、確実にエッチン
グ条件が設定できるため、信頼性が高く、且つ、低コス
トにて製造可能な半導体装置の製造方法を確実に提供す
ることができる。

【００４０】また、この発明の請求項６によれば、請求
項３において、エッチング雰囲気の圧力を変化させるこ
とによりエッチング条件を設定するので、容易に、且
つ、確実にエッチング条件が設定できるため、信頼性が
高く、且つ、低コストにて製造可能な半導体装置の製造
方法を確実に提供することができる。

【００４１】また、この発明の請求項７によれば、請求
項３において、エッチング雰囲気に印加される高周波電
力を変化させることによりエッチング条件を設定するの
で、容易に、且つ、確実にエッチング条件が設定できる
ため、信頼性が高く、且つ、低コストにて製造可能な半
導体装置の製造方法を確実に提供することができる。

【００４２】また、この発明の請求項８によれば、請求
項１ないし請求項７のいずれかにおいて、コンタクトホ
ールの開口幅を１．０μｍ以下としたので、容易に、且
つ、確実にエッチング条件が設定できるため、信頼性が
高く、且つ、低コストにて製造可能な半導体装置の製造
方法を確実に提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１の半導体装置の製造
方法を示す断面図である。

【図２】この発明の実施の形態１の半導体装置の製造
方法を示す断面図である。

【図３】ＲＩＥ−１ａｇを説明するため、ホールサイ
ズとエッチング深さとの関係を示す図である。

【図４】０．４μｍの開口幅を有するコンタクトホー
ル形成時のエッチング時間とエッチング深さとの関係を
示す図である。

【図５】０．４μｍの開口幅のコンタクトホールにお
ける酸素ガス添加率とエッチング深さとの関係を示す図
である。

【図６】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図で
ある。

【図７】他の従来の半導体装置の製造方法を示す断面
図である。

【符号の説明】

３第１の配線層、４第１の保護膜、５第２の層間
絶縁膜、１２ａ，１２ｂコンタクトホール。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/90 Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板または第１の配線層上に積層
された層間絶縁膜を上記半導体基板または上記第１の配
線層に至るまでエッチングしコンタクトホールを形成す
る半導体装置の製造方法において、上記エッチングのエ
ッチングエンドが、上記コンタクトホールを形成する際
に必要な上記層間絶縁膜のエッチング量にて飽和するよ
う上記エッチングのエッチング条件を設定したことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】半導体基板または第１の配線層上に第１
の保護膜を備え、コンタクトホールは層間絶縁膜および
第１の保護膜を上記半導体基板または上記第１の配線層
に至るまでエッチングし形成することを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】コンタクトホールをリアクティブイオン
エッチング方法にて形成することを特徴とする請求項１
また請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】エッチングガスの添加ガスとしての酸素
ガスの添加比率を変化させることによりエッチング条件
を設定するようにしたことを特徴とする請求項３記載の
半導体装置の製造方法。
【請求項５】添加ガスとしての不活性ガスの添加量を
変化させることによりエッチングガスの流量を変化させ
てエッチング条件を設定するようにしたことを特徴とす
る請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】エッチング雰囲気の圧力を変化させるこ
とによりエッチング条件を設定するようにしたことを特
徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】エッチング雰囲気に印加される高周波電
力を変化させることによりエッチング条件を設定するよ
うにしたことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の
製造方法。
【請求項８】コンタクトホールの開口幅を１．０μｍ
以下としたことを特徴とする請求項１ないし請求項７の
いずれかに記載の半導体装置の製造方法。