JPH09181116A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH09181116A JPH09181116A JP33646695A JP33646695A JPH09181116A JP H09181116 A JPH09181116 A JP H09181116A JP 33646695 A JP33646695 A JP 33646695A JP 33646695 A JP33646695 A JP 33646695A JP H09181116 A JPH09181116 A JP H09181116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- lead portion
- inner lead
- reinforcing
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 効率よくインナーリード部の補強を図り、信
頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 ベースフィルム１のデバイスホール２に
対して、インナーリード部３と補強リード部８とがデバ
イスホール２の各辺から内側に突出した構造のフィルム
キャリアに半導体チップ６がはめ込まれ、半導体チップ
６上のボンディングパッド部に形成したバンプ７とイン
ナーリード部３および補強リード部８が接合され、半導
体装置を構成している。ここで、補強リード部８は半導
体チップ６の四隅に設けられたバンプ７ａにより、半導
体チップ６に対して斜めに交わるように接合されてい
る。その結果、半導体チップ６とベースフィルム１との
接合強度を向上することができ、インナーリード部３を
断線から保護することができる。
頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 ベースフィルム１のデバイスホール２に
対して、インナーリード部３と補強リード部８とがデバ
イスホール２の各辺から内側に突出した構造のフィルム
キャリアに半導体チップ６がはめ込まれ、半導体チップ
６上のボンディングパッド部に形成したバンプ７とイン
ナーリード部３および補強リード部８が接合され、半導
体装置を構成している。ここで、補強リード部８は半導
体チップ６の四隅に設けられたバンプ７ａにより、半導
体チップ６に対して斜めに交わるように接合されてい
る。その結果、半導体チップ６とベースフィルム１との
接合強度を向上することができ、インナーリード部３を
断線から保護することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＡＢ（Tape Aut
omated Bonding）方式の半導体装置に関するものであ
り、特に半導体チップとフィルムキャリアとの接続強度
を向上させた半導体装置に関するものである。
omated Bonding）方式の半導体装置に関するものであ
り、特に半導体チップとフィルムキャリアとの接続強度
を向上させた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＴＡＢ方式の半導体装置について
説明する。従来の半導体装置は、一般に半導体チップと
ベースフィルムとにより構成されていた。半導体チップ
は、半導体回路装置である。ベースフィルムは、ポリイ
ミド等のフィルムに導電性材料の細線により構成したイ
ンナーリードが形成されたものである。
説明する。従来の半導体装置は、一般に半導体チップと
ベースフィルムとにより構成されていた。半導体チップ
は、半導体回路装置である。ベースフィルムは、ポリイ
ミド等のフィルムに導電性材料の細線により構成したイ
ンナーリードが形成されたものである。
【０００３】以下、図面を参照しながら説明する。図２
は従来の半導体装置を示す平面構成図であり、内部構造
透視図である。図２において半導体装置は、ベースフィ
ルム１の開口部であるデバイスホール２に対して、イン
ナーリード部３がデバイスホール２の各辺から突出して
おり、またインナーリード部３と同様に補強インナーリ
ード部４が突出した構造である。前記インナーリード部
３は、ベースフィルム１の外側では外部との電気的接続
用のアウターリード部５となるものである。そして前記
デバイスホール２に対して半導体チップ６がはめ込ま
れ、半導体チップ６上のボンディングパッド部に形成し
たバンプ７とインナーリード部３および補強インナーリ
ード部４が接合され、半導体装置を構成していた。
は従来の半導体装置を示す平面構成図であり、内部構造
透視図である。図２において半導体装置は、ベースフィ
ルム１の開口部であるデバイスホール２に対して、イン
ナーリード部３がデバイスホール２の各辺から突出して
おり、またインナーリード部３と同様に補強インナーリ
ード部４が突出した構造である。前記インナーリード部
３は、ベースフィルム１の外側では外部との電気的接続
用のアウターリード部５となるものである。そして前記
デバイスホール２に対して半導体チップ６がはめ込ま
れ、半導体チップ６上のボンディングパッド部に形成し
たバンプ７とインナーリード部３および補強インナーリ
ード部４が接合され、半導体装置を構成していた。
【０００４】またＴＡＢ実装の構造上、インナーリード
部３のコーナー部付近の接合強度劣化、リード強度劣化
が激しく、断線にいたることがあり、信頼性上、不具合
を生じることがあり、補強インナーリード部４は半導体
チップ６とインナーリード部３との接合の強度およびイ
ンナーリードの強度を補強するためのものである。した
がって、半導体チップ６の各辺の外側で補強インナーリ
ード部４によりインナーリード部３と半導体チップ６と
の接合、インナーリード部３を補強した構造であった。
なお図２においては、補強インナーリード４を他のイン
ナーリード部３よりも太くしている。
部３のコーナー部付近の接合強度劣化、リード強度劣化
が激しく、断線にいたることがあり、信頼性上、不具合
を生じることがあり、補強インナーリード部４は半導体
チップ６とインナーリード部３との接合の強度およびイ
ンナーリードの強度を補強するためのものである。した
がって、半導体チップ６の各辺の外側で補強インナーリ
ード部４によりインナーリード部３と半導体チップ６と
の接合、インナーリード部３を補強した構造であった。
なお図２においては、補強インナーリード４を他のイン
ナーリード部３よりも太くしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は、
半導体チップのコーナー部付近のインナーリード部を太
くすることで、強度劣化の激しい半導体チップのコーナ
ー部のインナーリード部の補強を図っていた。しかしな
がら、この構成では、インナーリード部の垂直方向の力
に対して、弱い構造を残したままであり、確実なインナ
ーリード部の補強が十分になされているとはいえない状
況にあった。
半導体チップのコーナー部付近のインナーリード部を太
くすることで、強度劣化の激しい半導体チップのコーナ
ー部のインナーリード部の補強を図っていた。しかしな
がら、この構成では、インナーリード部の垂直方向の力
に対して、弱い構造を残したままであり、確実なインナ
ーリード部の補強が十分になされているとはいえない状
況にあった。
【０００６】本発明は、上述のような従来の事柄を解決
するものであり、より効率よくインナーリード部の補強
を図り、信頼性の高いＴＡＢ方式の半導体装置を提供す
ることを課題とする。
するものであり、より効率よくインナーリード部の補強
を図り、信頼性の高いＴＡＢ方式の半導体装置を提供す
ることを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の半導体装置は、ベースフィルムの開口部に
突出して設けられたインナーリード部と、前記開口部内
で前記インナーリード部とバンプによりそのボンディン
グパッドが接合された半導体チップと、前記開口部に突
出して設けられ、前記インナーリード部と半導体チップ
との接合を補強している補強リード部を有した半導体装
置に対して、補強リード部は半導体チップの四隅に対し
て斜めに交わるように接合した構造を有する。また補強
リード部は、半導体チップの四隅に設けられた電気的回
路を構成しないバンプに対して接合され、かつ半導体チ
ップに対して斜めに交わるように接合した構造を有する
ものである。
に、本発明の半導体装置は、ベースフィルムの開口部に
突出して設けられたインナーリード部と、前記開口部内
で前記インナーリード部とバンプによりそのボンディン
グパッドが接合された半導体チップと、前記開口部に突
出して設けられ、前記インナーリード部と半導体チップ
との接合を補強している補強リード部を有した半導体装
置に対して、補強リード部は半導体チップの四隅に対し
て斜めに交わるように接合した構造を有する。また補強
リード部は、半導体チップの四隅に設けられた電気的回
路を構成しないバンプに対して接合され、かつ半導体チ
ップに対して斜めに交わるように接合した構造を有する
ものである。
【０００８】このように、補強リード部が半導体チップ
の四隅へ斜交に延びているので、構造上、インナーリー
ド部の保持強度が高まり、半導体チップの各辺に配列さ
れ、接合されたインナーリード部を激しい強度劣化から
保護することができる。また補強リード部は、チップに
対して斜交に配設され、半導体チップに対してインナー
リード部の占有位置に影響を与えない位置に配設される
ので、配設スペースを考慮して、補強リード部をインナ
ーリード部よりも太くすることも可能になり、さらに補
強効果を向上させることができる。
の四隅へ斜交に延びているので、構造上、インナーリー
ド部の保持強度が高まり、半導体チップの各辺に配列さ
れ、接合されたインナーリード部を激しい強度劣化から
保護することができる。また補強リード部は、チップに
対して斜交に配設され、半導体チップに対してインナー
リード部の占有位置に影響を与えない位置に配設される
ので、配設スペースを考慮して、補強リード部をインナ
ーリード部よりも太くすることも可能になり、さらに補
強効果を向上させることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。本発明の半導体装置
は、半導体チップとベースフィルムとにより構成される
ものであり、半導体チップは半導体回路装置であって、
ベースフィルムはポリイミド等のフィルムに導電性材料
の細線により構成したインナーリード群が形成されたも
のである。
て、図面を参照しながら説明する。本発明の半導体装置
は、半導体チップとベースフィルムとにより構成される
ものであり、半導体チップは半導体回路装置であって、
ベースフィルムはポリイミド等のフィルムに導電性材料
の細線により構成したインナーリード群が形成されたも
のである。
【００１０】図１は本発明の実施の形態を示す平面構成
図であり、内部構造透視図である。図１において、この
半導体装置は、ベースフィルム１の開口部であるデバイ
スホール２に対して、インナーリード部３がデバイスホ
ール２の各辺から内側に突出しており、またインナーリ
ード部３と同様に補強リード部８が突出した構造であ
る。前記インナーリード部３は、ベースフィルム１の外
側では、外部との電気的接続用のアウターリード部５と
なるものである。そして、デバイスホール２に対して半
導体チップ６がはめ込まれ、半導体チップ６上のボンデ
ィングパッド部に形成したバンプ７とインナーリード部
３および補強リード部８が熱圧着により接合され、半導
体装置を構成している。ここで、補強リード部８は半導
体チップ６の四隅に設けられた電気的回路を構成しない
バンプ７ａに対して接合されたものであり、その接合状
態は、半導体チップ６に対して、斜めに交わるように接
合されている。その結果、インナーリード部３に垂直方
向にかかる力に強く、半導体チップ６とベースフィルム
１との接合強度を向上することができ、インナーリード
部３を断線から保護することができる。したがって、信
頼性の高いＴＡＢ方式の半導体装置を実現できるもので
ある。なお、補強リード部８は前記のように、半導体チ
ップ６の四隅に設けられた電気的回路を構成しないバン
プ７ａに対して接合する他、半導体チップ６の四隅にダ
ミーボンディングパッドを設けて、そのダミーボンディ
ングパッドに対して接着剤により接合してもよい。ただ
し、インナーリード部３と半導体チップ６とはバンプに
よる接合であるため、補強リード部８もバンプにより接
合するほうが、一括して接合できるので、製造工程上、
都合がよい。
図であり、内部構造透視図である。図１において、この
半導体装置は、ベースフィルム１の開口部であるデバイ
スホール２に対して、インナーリード部３がデバイスホ
ール２の各辺から内側に突出しており、またインナーリ
ード部３と同様に補強リード部８が突出した構造であ
る。前記インナーリード部３は、ベースフィルム１の外
側では、外部との電気的接続用のアウターリード部５と
なるものである。そして、デバイスホール２に対して半
導体チップ６がはめ込まれ、半導体チップ６上のボンデ
ィングパッド部に形成したバンプ７とインナーリード部
３および補強リード部８が熱圧着により接合され、半導
体装置を構成している。ここで、補強リード部８は半導
体チップ６の四隅に設けられた電気的回路を構成しない
バンプ７ａに対して接合されたものであり、その接合状
態は、半導体チップ６に対して、斜めに交わるように接
合されている。その結果、インナーリード部３に垂直方
向にかかる力に強く、半導体チップ６とベースフィルム
１との接合強度を向上することができ、インナーリード
部３を断線から保護することができる。したがって、信
頼性の高いＴＡＢ方式の半導体装置を実現できるもので
ある。なお、補強リード部８は前記のように、半導体チ
ップ６の四隅に設けられた電気的回路を構成しないバン
プ７ａに対して接合する他、半導体チップ６の四隅にダ
ミーボンディングパッドを設けて、そのダミーボンディ
ングパッドに対して接着剤により接合してもよい。ただ
し、インナーリード部３と半導体チップ６とはバンプに
よる接合であるため、補強リード部８もバンプにより接
合するほうが、一括して接合できるので、製造工程上、
都合がよい。
【００１１】また、補強リード部８が半導体チップ６の
四隅に対して、斜めに交わるように接合されているの
で、半導体チップ６内で電気的回路を構成しているイン
ナーリード部３の占有位置に影響を与えず、補強リード
部８を配設することができる。したがって、従来のよう
にインナーリード部領域にダミーの補強インナーリード
部を設けたり、太い補強インナーリード部を設けたりす
る場合に比較して、補強リード部８を半導体チップ６領
域内に効率的に配設できる。また補強リード部は、半導
体チップ６に対してインナーリード部３の占有位置に影
響を与えない位置に配設されるので、配設スペースを考
慮して、補強リード部８をインナーリード部３よりも太
くすることも可能になり、さらに補強効果を向上させる
ことができる。
四隅に対して、斜めに交わるように接合されているの
で、半導体チップ６内で電気的回路を構成しているイン
ナーリード部３の占有位置に影響を与えず、補強リード
部８を配設することができる。したがって、従来のよう
にインナーリード部領域にダミーの補強インナーリード
部を設けたり、太い補強インナーリード部を設けたりす
る場合に比較して、補強リード部８を半導体チップ６領
域内に効率的に配設できる。また補強リード部は、半導
体チップ６に対してインナーリード部３の占有位置に影
響を与えない位置に配設されるので、配設スペースを考
慮して、補強リード部８をインナーリード部３よりも太
くすることも可能になり、さらに補強効果を向上させる
ことができる。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、補強リード部が半導体
チップに対して、斜めに交わるように接合されているの
で、インナーリード部に垂直方向にかかる力に強く、半
導体チップとベースフィルムとの接合強度を向上するこ
とができ、インナーリード部を保護し、信頼性の高いＴ
ＡＢ方式の半導体装置を実現することができる。
チップに対して、斜めに交わるように接合されているの
で、インナーリード部に垂直方向にかかる力に強く、半
導体チップとベースフィルムとの接合強度を向上するこ
とができ、インナーリード部を保護し、信頼性の高いＴ
ＡＢ方式の半導体装置を実現することができる。
【図１】本発明の半導体装置の実施の形態を示す平面図
【図２】従来の半導体装置を示す平面図
１ ベースフィルム ２ デバイスホール ３ インナーリード部 ４ 補強インナーリード部 ５ アウターリード部 ６ 半導体チップ ７ バンプ ８ 補強リード部
フロントページの続き (72)発明者 水谷 篤人 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ベースフィルムの開口部に突出して設け
られたインナーリード部と、前記開口部内で前記インナ
ーリード部と接合された半導体チップと、前記開口部に
突出して設けられ、前記インナーリード部と半導体チッ
プとの接合を補強している補強リード部を有した半導体
装置であって、前記補強リード部は前記半導体チップの
四隅に対して斜めに交わるように接合されていることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 ベースフィルムの開口部に突出して設け
られたインナーリード部と、前記開口部内で前記インナ
ーリード部とバンプによりそのボンディングパッドが接
合された半導体チップと、前記開口部に突出して設けら
れ、前記インナーリード部と半導体チップとの接合を補
強している補強リード部を有した半導体装置であって、
前記補強リード部は前記半導体チップの四隅に設けられ
た電気的回路を構成しないバンプに対して接合され、か
つ前記半導体チップに対して斜めに交わるように接合さ
れていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 補強リード部はインナーリード部よりも
太いことを特徴とする請求項１〜請求項２のいずれかに
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33646695A JPH09181116A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33646695A JPH09181116A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181116A true JPH09181116A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18299439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33646695A Pending JPH09181116A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09181116A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008168618A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-24 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド |
-
1995
- 1995-12-25 JP JP33646695A patent/JPH09181116A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008168618A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-24 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド |
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