JPH09178775A - 試験デバイスを探針するための探針カード - Google Patents

試験デバイスを探針するための探針カード

Info

Publication number
JPH09178775A
JPH09178775A JP8317780A JP31778096A JPH09178775A JP H09178775 A JPH09178775 A JP H09178775A JP 8317780 A JP8317780 A JP 8317780A JP 31778096 A JP31778096 A JP 31778096A JP H09178775 A JPH09178775 A JP H09178775A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
probe card
conductor
conductive
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8317780A
Other languages
English (en)
Inventor
Randy J Schwindt
ジェイ シュヴィント ランディ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FormFactor Beaverton Inc
Original Assignee
Cascade Microtech Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cascade Microtech Inc filed Critical Cascade Microtech Inc
Publication of JPH09178775A publication Critical patent/JPH09178775A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
    • G01R1/07371—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate card or back card with apertures through which the probes pass
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/18—Screening arrangements against electric or magnetic fields, e.g. against earth's field
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/08—Locating faults in cables, transmission lines, or networks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2822—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere of microwave or radiofrequency circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フェムトアンペア領域に至る超低電流の測定
に用いることができる低価格の探針カードを提供する。 【解決手段】 セラミックの刃状体の複数の探針装置の
縁部がガラス−エポキシ材料の誘電体ボードの開口部の
周囲にマウントされ、刃状体の先端部分に固定された探
針の先端が開口部の下の試験デバイスの探針パターン上
に位置する。カードと試験装置のチャネルとを接続する
複数のケーブルを具える。ケーブルのボード上部分は同
軸型で、内部誘電体と外部導体との間の摩擦電気効果を
抑制する内部層を含む。内側導電性領域と探針装置の背
面導体とがケーブルの外部導体を経てガード電位に設定
され、探針装置の他の側の信号経路をガードする。ケー
ブルの導入部分はコネクタでボード上部分と接続され、
同軸型で、内部誘電体と外部導体との間の内部層及びシ
ールド層を有する。導体カバーと外側導電性領域がカー
ド上の部品をシールドする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ上の集積回
路のような試験デバイスを探針するために用いられる探
針カードに関し、更に特に超低電流を測定するのに適し
た探針カードに関する。
【０００２】通常は、探針カードの構成において誘電体
ボードが基板として用いられる。複数の探針装置が、ボ
ードの開口部の周りに放射状の配置でマウントされ、こ
れによりこれらの装置の探針素子、例えば細長い導体針
が、試験デバイスの接触サイトを探針するために適した
パターンの上でボードの開口部の下に先端を有する。探
針装置は複数の相互接続線によって個々に試験装置のそ
れぞれのチャネルに接続され、対応する探針装置と誘電
体ボードの外縁との間に延びる各々の接続線のボード上
部分が、相互接続ケーブル又はボード上に直接形成され
た導体接続パターンを具える。通常の型の一つは、試験
デバイスが半導体ウェハ上に形成された集積回路であ
り、探針カードが支持用具又は試験ヘッドによってウェ
ハの上部にマウントされ、ウェハの下の支持体が、ウェ
ハ上の各々のデバイスが連続的に探針カードの針即ち探
針素子と接触するように、ウェハを動かす。
【０００３】超低電流（フェムトアンペア領域まで）の
測定に用いるために特に適した探針カードについては、
探針カードの設計者は、漏洩電流の影響を無くすか又は
少なくとも減らす技術の開発に関心を持っていた。この
漏洩電流は、周囲のケーブル又はチャネルから特定のケ
ーブル又はチャネルに流れ込むことがある好ましくない
電流であり、その特定のケーブル又はチャネルで測定さ
れる電流に誤差を与えるものである。空間的に離れた二
つの導体の間の所定の電位差について、それらの間を流
れる漏洩電流の量は、導体を分離している絶縁材料の体
積抵抗に依存して変化する。即ち、比較的低い抵抗の絶
縁体が用いられる場合は漏洩電流は比較的高くなる。従
って、ゴムとガラス−エポキシ材料とは比較的低抵抗絶
縁体であり、それらを通して比較的大きい漏洩電流が流
れることが知られているので、低電流探針カードの設計
者は、通常ガラス−エポキシボードに対してゴム絶縁単
心電線の使用を避ける。
【０００４】チャネル間漏洩電流を抑制するために用い
られてきた技術の一つは、各々の導入電線の内部心の周
囲を円筒状の「ガード」導体で囲むものである。この導
体は試験装置の出力チャネルのフィードバック回路によ
って内部心と同電位に保たれる。外部のガード導体と内
部導体心の電位は実質的に相互に追随し合うので、これ
らの導体を分離している内部誘電体が低抵抗材料ででき
ているか或いは高抵抗材料でできているかに関係なく、
内部誘電体を流れる漏洩電流は無視できる。それでもそ
れぞれのケーブルのガード導体間に漏洩電流が流れ得る
が、これらのガード導体は内部導体心と異なり低インピ
ーダンスであるので、これは一般的に問題にならない。
このガード技術を用いることによって、或る種の探針カ
ード設計の低レベル電流の測定能力について著しい改善
を行うことができる。
【０００５】低電流の測定能力を更に改善するために、
探針カードは、探針又は他の素子をマウントする個々の
探針装置間の漏洩電流を小さくするように構成される。
これらの装置については、低抵抗材料に代わってより高
抵抗の絶縁材料が用いられ、これに関連してガード機能
を具えるために追加の導電面が各々の装置に設けられ
る。アセンブリの一つの型は、例えば各々の探針装置
が、比較的高い体積抵抗を持つ材料として知られている
セラミック材料の薄い刃状体を用いて構成される。刃状
体の一方の側に長く延びた導体が設けられて信号線を形
成し、刃状体の他の側には、ガードのために背面側導電
面が設けられている。この装置の探針素子は細いタング
ステンのような導体針によって形成され、信号トレース
から片持ち針のように延びている。このような装置は、
例えばArizona のTempe にあるCerprobe Corporationか
ら市販されている。
【０００６】探針カードのアセンブリにおいては、針が
試験デバイスを探針するのに適したパターンの上で開口
部の中に先端を有するように、セラミックの刃状体の縁
部がカードの開口部の周りに放射状の配置でマウントさ
れる。それぞれの刃状体の導電性の背面が、対応するケ
ーブルのガード導体に接続され、更に探針カードの開口
部の近辺の対応する導電性パッド又は「ランド」に接続
される。この方法により、刃状体の反対側の背面導体及
びその下の導電性ランドによって各々の導電路がガード
される。
【０００７】しかしながら、上記のようなガードされた
ケーブル及びセラミック探針装置を用いたとしても、不
所望のバックグラウンド電流のレベルは、１フェムトア
ンペア又はそれ以下の電流を監視することができる市販
の試験装置の最新世代の能力に合致するにはまだ充分に
減少していない。このように、試験装置の設計技術と足
並みを揃えるために、探針カードの設計において他の変
更が必要であることは明らかである。
【０００８】最新世代の探針カードにおいては、探針カ
ード中の低抵抗漏洩経路を系統的に除去する方向、及
び、信号経路に沿って導体の周囲に長い精巧なガード構
造を設ける方向に沿って努力がなされてきた。例えば、
新しい設計の一つは、ガラス−エポキシ主ボード全体が
セラミック材料のボードに代えられる。セラミック材料
は、上記のように、漏洩電流に対して比較的高い抵抗を
示す。この設計においては、導入電線は主ボード上に直
接形成された導電性信号トレースによって置き換えられ
る。このトレースは、主ボードの外側縁部からボードの
開口部を囲む各々の導電性パッドに延びている。それぞ
れのパッドは順に対応するセラミックの刃状体の信号経
路に接続される。更に、一対のガードトレースが各々の
信号トレースの両側に形成され、これにより、各々のト
レースが漏洩電流に対して更に隔離される。
【０００９】他の新しい設計においては、三次元のガー
ドが可能な三つの活性層を有するセラミック材料の主ボ
ードが用いられる。この主ボード上にあり、それに接続
されたものは、他のガード構造を含む４クワドラントイ
ンタフェースボードである。これら二つのボードアセン
ブリの間には「ポーゴーカロセル」を含む第３ユニット
がある。このポーゴーカロセルは、インタフェースボー
ドと下側の主ボードとを相互接続する複数の信号線を形
成するためにポーゴーピンを用いる。これらのポーゴー
ピンにおいては、低抵抗絶縁体を高抵抗絶縁体で置き換
えるための努力は実際の極限まで行われたこと、即ち、
通常内部導体の周囲を囲む絶縁体が完全に除かれている
ことが認められる。
【００１０】上記の探針カードの設計は現在の技術の状
況を表している。前述の例から、この技術の基礎はチャ
ネル間漏洩電流の抑制にあったことが分かる。これらの
新しい設計を用いれば、フェムトアンペアレベルに近い
低電流を測定することができる。しかしながら、これら
の新しい設計に用いられるセラミック材料は、それが代
替するガラス−エポキシ材料に比較して高価である。セ
ラミック材料についての他の問題点は、それらが、例え
ば探針カードを取り扱う間に皮膚から出る表面汚染物質
の吸着に比較的敏感であることである。これらの汚染物
質は、漏洩電流のレベルにかなりの増大を生じさせる程
に、セラミック材料の表面抵抗を低下させる。加える
に、これらの新しい設計に用いられる更に高価で精巧な
ガード構造は、設計及びアセンブリのコストを大きく押
し上げる原因になっている。これらの開発を基にして、
カードの低電流測定機能のゆるやかな改善のみが行われ
ることを予想することができる。この改善は、例えば、
更に精巧なガードシステムから、又は高抵抗絶縁材料の
領域の新しい研究から生ずるように思われる。
【００１１】更に、低レベル電流を測定するための特定
の探針カードのポテンシャルが完全に実現されるか否か
に影響する設計に無関係の他の因子があることに注意す
べきである。例えば、探針カードの組立てに特別な注意
が払われなければ、例えば皮膚からの油及び塩分或いは
半田のフラックスによって残された残留物のような表面
汚染物質がカードの表面を汚染し、その性能を低下させ
ることがある（これらのイオン的な特性により、このよ
うな汚染物質は好ましくない電気化学的な影響を生ず
る）。更に、カードが正しく設計され且つ組立てられた
にしても、カードが試験装置に適切に接続されないこと
もあり、又は、電圧及び電流のオフセットの影響が完全
にないように装置が正しく較正されていないこともあ
る。
【００１２】更に、探針カード又は相互接続電線が交流
電界に対してピックアップサイトとして振る舞うことも
ある。この交流電界は、試験装置の入力回路によって整
流され、表示される直流値の誤差の原因になることもあ
る。従って、これらの電界の妨害を遮蔽するために、探
針カード、相互接続線及び試験装置について、固有のシ
ールド手段を用いることが必要である。これらの要因に
ついて、作用する要因が多く且つ相互に関係し合うの
で、新しい探針カードの設計を試験する際に、新しい型
の探針カード中の好ましくないバックグラウンド電流の
原因を分離することは極めて難しい。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】前述の観点から、必要
なものは、超低レベル電流の測定に用いることができ、
比較的低価格の材料から、比較的簡単な組立て工程によ
り高価ではない価格で生産することができる探針カード
である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、発明者が、設
計における若干の段階における少なくとも第１の問題点
は、異なる信号チャネル間を流れる漏洩電流を如何に最
良に抑制するかではなくて、摩擦電気効果の結果として
各ケーブル又は信号チャネル内部に生起する電流を如何
に最良に抑制するかであることを発見したことによる。
ガードされたケーブルにおいては、ガード導体と内部誘
電体との間にそれらの間の摩擦により摩擦電気電流が起
こることがあり、これにより自由電子が導体から流れ出
し、電荷の不平衡を発生させ、これが電流を発生させ
る。
【００１５】発明者はこの摩擦電気効果が重要な問題で
ある可能性を認識し、これまで使用していたガードケー
ブルに代えて「低ノイズ」ケーブルを用いることによっ
てこの洞察を試験した。これらの低ノイズケーブルは、
サイズの要請に合致させるために注文生産品であり、探
針カードの低電流測定能力に対して著しい差異を示し
た。実際に、これらのケーブルを比較的低価格のガラス
−エポキシボードと共に用い、且つ従来はこの型の材料
では超低電流測定に充分な高抵抗を得ることはできない
と考えられていた場合にあっても、発明者は、フェムト
アンペア領域に近い電流測定を達成することができた。
この発見の数週間以内に、この探針カードのプロトタイ
プから得られた測定データが、顧客からのそれぞれ１０
万ドルの価格に当たる二つの探針施設の購入注文に対し
て役立てられた時に、この発明の商業的な価値が既に明
らかになった。
【００１６】発明者は摩擦電気効果の問題に対する新し
い解法を発見したことに対して特許を請求するものでは
ないことに注意すべきである。この問題に対し、ケーブ
ル技術においては比較的簡単な解法を見出すことができ
る。即ち、外部導体と内部誘電体との間に、摩擦電気効
果を抑制するために適した組成物からなる材料の層を追
加して設けることによって「低ノイズ」ケーブルを構成
する方法は既知である。この層は、特に内部誘電体と物
理的に両立し得る非金属部分を含み、これにより、この
誘電体に対する過度の摩擦を防止しており、他方、外部
導体から流れ出る自由電子によって生起される電荷の不
平衡を直ちに消滅させるに充分な導電性を有する部分を
含む。発明者は、摩擦電気効果問題に対するこの特別の
解法が発明者の発明として特許を請求するものではな
い。むしろ、発明者は、この特別の問題は、発明者の発
見が関係する低電流探針カードの設計の分野において、
性能を低下させる主な原因であると認識している。
【００１７】顧みれば、探針カード設計の分野の研究者
によって、なぜもっと早期に摩擦電気効果の重要性が認
識されなかったのかということを考えなければならな
い。理由の一つは、この効果の重要性の証明が、単にガ
ードケーブルを低ノイズケーブルで置き換える問題では
ないことである。発明の属する技術分野の項で前述した
ように、主誘電体ボード上に直接形成されたトレース
は、新しい時代の探針カード設計では大部分がガードケ
ーブルで置き換えられ、そのため、この問題を簡単な解
法に変えることができる設計から始めるためには、古く
且つ効果が少ないと思われる技術に戻らなければならな
い。
【００１８】更に、発明の属する技術分野の項で述べた
設計に関係しない要因により、低ノイズケーブルを含む
探針カードを組立て且つ試験を行う通常の技術者は、低
電流測定のためのこの探針カードの優れた能力を感じ取
る必要がない。例えば、組立て中に探針カード上に付着
した表面汚染が、低ノイズケーブルの効果を隠してしま
う程に広がることがあり得る。このため、探針カード設
計の分野において、チャネル間漏洩電流を抑制する問題
に焦点を絞った指針によって提案された解法が、偶然に
実質的に摩擦電気効果問題を解決したことを付け加える
ことができる。ケーブルをセラミックボード上のトレー
スのような導体で置き換えること、又は（ポーゴーピン
によって形成される信号線のように）周囲に絶縁物が全
くない信号導体を用いることを含むこれらの解法は、摩
擦電気効果問題に対する発明者の比較的簡単な解法に比
べて複雑且つ高価である。
【００１９】しかしながら、これらの代替解法は問題を
隠すこととなり、その効果が間接的且つ緩やかであるこ
とが、現在の洗練された探針カードの設計者によってさ
えも摩擦電気効果問題に対する更に直接的な解法が見逃
された理由を説明する助けになる。
【００２０】従って、本発明は超低電流を測定するため
に用いるための探針カードを提供するものであり、この
探針カードは、誘電体ボード、このボードの開口部の周
りに放射状の配置で縁部がマウントされた複数の探針装
置、及び各々の探針装置を試験装置の対応するチャネル
に接続するための複数のケーブルを含む。これらのケー
ブルは、ガードモードで用いるのに適した構造、即ちケ
ーブルの内部導体即ちコアの周囲を囲む外部導体を含
み、この外部導体が内部導体に対してガード導体として
用いられる構造である。更に、これらのケーブルは、外
部導体とその下にある内部誘電体との間に、内部誘電体
と外部導体との間の摩擦電流の発生を、内部誘電体と外
部導体とが相互に直接隣接する場合に起きる電流より少
ない電流に減少させるのに適した組成物からなる材料の
内部層を含む。
【００２１】前述の構造によれば、探針カードは、バッ
クグラウンド電流の重要な発生源が比較的簡単な方法で
抑制され、これにより、超低電流の測定の可能性を達成
するために重要性の低い原因を抑制するための複雑且つ
高価な構造を必要としなくなる。次に図面を用いてなさ
れる詳細な説明を考察することによって、本発明のこの
及び他の特徴及び利点が更に容易に理解される。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１は本発明によって構成される
低電流探針カード20の例を示す図である。更に図２及び
４によれば、このカードは複数の探針素子22を含む。図
示された好ましい実施例においては、これらの探針素子
は、一般的に、先端が試験デバイス（図示されていな
い）上の接触サイトを探針するために適したパターン中
にあるような長さで、放射状に配置されているタングス
テンの針からなる。例えば、試験されるべきデバイスが
半導体ウェハ上の個々の回路であり且つ正方形状の接触
サイトを持つ場合には、この針は正方形状の接触サイト
の中に先端がある。
【００２３】更に、探針カードには複数のケーブル24が
含まれる。この探針カードを使用する際には、これらの
ケーブルの各々は、試験装置（図示されていない）の別
々のチャネルに接続され、各々のチャネルを対応する探
針素子の一つに電気的に接続される。図にはただ６個の
ケーブル及び探針素子が示されているに過ぎないが、こ
の小さい数は説明を容易にするためにのみ選ばれたこと
が認識されるべきである。実際には図示された探針カー
ドに２４個のケーブル及び探針素子が含まれる。以下に
説明するように、これより大きい数さえもあり得る。
【００２４】図示された好ましい実施例の探針カード20
は、誘電体ボード26がＦＲ４ガラス−エポキシ材料から
なる。このボードは、一般的にその上に他のカード部品
が搭載される探針カードの基板となる。図１に示すよう
に、各々のケーブルは導入部分28及びボード上部分30を
含み、それぞれの部分はプラグイン型コネクタ32によっ
て分離可能なように相互に接続され、これにより、ケー
ブルの導入部分を分離して試験を行うことが容易にな
る。
【００２５】以下に更に説明するように、これらのケー
ブルは相互に同軸状の導電性層及び誘電体層を含み、更
に、各々のケーブル中に、摩擦電気効果を抑制し、これ
がなければこの効果によって各ケーブル内部に発生する
好ましくない電流を小さくするのに適した材料からなる
少なくとも一つの層を含む。この材料層は、探針カード
に含まれる他の構造と共に、この探針カードを１フェム
トアンペア又はそれ以下の超低電流の測定のために使用
することができるようにする。セラミックボード上の導
電性トレースを用いる設計と比較すると、この設計が低
価格であるばかりでなく、表面汚染の影響を受け難く且
つ、例えば主ボード上に湿気が凝縮し得る低温での試験
環境で満足できるように継続して動作することができ
る。
【００２６】図３及び４を参照すると、各々のケーブル
のボード上部分30は探針装置34の一端に電気的に接続さ
れ、この探針装置の他端は探針素子即ち針22を含む。図
示の例の探針カード20においては、各々の探針装置が、
好ましくはセラミック又は同等の高抵抗絶縁材料から形
成された誘電体基板36を含む。このセラミック基板即ち
「刃状体」は一対の広い平行面を持ち、これらは相互に
薄い縁部によって接続されている。各々の刃状体の一つ
の側には長く延びた導体経路38が形成され、他の側には
背面導体面40がある。
【００２７】下部導体（図示されていない）は各々の縁
部の下側部分に沿って形成されており、この導体は対応
する長く延びた導体経路38に電気的に接続されている。
次に各々の探針素子即ち針22は、図４に示されるよう
に、これらの導体の一つにそれぞれ電気的に接続され、
この素子即ち針は、片持ち型で対応する基板36を超えて
延びている。図示された特定の実施例においては、基板
即ち刃状体36は一般的には断面がＬ字形であり、縁部が
誘電体ボード26上にマウントされ、各々のＬ字形の刃状
体の短い腕がボードの開口部42を通って延びており、こ
れにより、刃状体の先端が開口部の下に位置するように
なっている。上述のように、ここで説明された型の刃状
体は、Arizona のTempe にあるCerprobe Corporationか
ら市販されている。
【００２８】図３を見ると、複数の内側導電性領域44
が、誘電体ボード26上の開口部42の周囲に、相互の間隙
を持ってこれを取り巻いて形成されている。更に、ボー
ド上には、内側導電性領域と間隙を持ってこれを取り巻
いて外側導電性領域46が形成されている。この外側導電
性領域は、ボードの四隅に向かって外方に延びている。
図３及び４に示すように、半田接続48が、各々のセラミ
ック刃状体36の背面導体面40を内側導電性領域44の対応
する一つに電気的に接続し、これにより、セラミック刃
状体が開口部42の周囲に放射状に縁部マウントされる。
セラミック刃状体は、このようにしてケーブルのボード
上部分30と接続される。
【００２９】図６は、ケーブル24の一つのボード上部分
30について、図１の線６−６に沿って切断した断面図で
ある。この部分は同軸構造を持ち、内部導体即ちコア5
0、内部誘電体52、内部層54、外部導体56及び絶縁外装5
8を含む。内部層54は、内部誘電体と外部導体との間の
摩擦電流の発生を、内部誘電体と外部導体とが相互に直
接隣接する場合に生起するよりも少なくなるように減少
させるのに適した組成物である。
【００３０】前述の課題を解決するための手段の項で述
べたように、この内部層54は、ケーブルの曲げ又は温度
変化が起きても内部誘電体に対して過度の摩擦が生じな
いように、内部誘電体52と同様の物理的特性を持つべき
である。同時に、この内部層は、外部導体から流れ出し
た自由電子によって引き起こされる電荷の不平衡を消滅
させるために充分な導電性を持つべきである。この目的
に適した材料は、テフロン（商標）のようなフッ素樹脂
又はポリ塩化ビニル又はポリエチレンのような他の絶縁
材料と、グラファイト又は他の充分な導電性の添加物と
を含む化合物である。
【００３１】無線周波数（ｒｆ）ケーブル技術の分野に
おいては、上記で述べた型の層を含むケーブルは一般的
に「低ノイズ」と呼ばれている。この型のケーブルの市
販元には、Indiana のRichmondにあるBelden Wire and
Cable Company 及びスイスのHerisau にあるSuhner HF-
Kabel が含まれる。図示された好ましい実施例に関して
は、用いられたケーブルはConneticutt のWallingford
にあるTimes Microwave Systemから購入したものであ
る。所望の２４チャネルの容量を持ち、直径が標準のＲ
Ｇ１７Ｂケーブルの直径を超えないようにするため、こ
れらのケーブルは注文生産であった。
【００３２】各々のケーブルのボード上部分30を対応す
る探針装置34に接続する際に、探針カードの低電流測定
性能をかなり低下させる欠陥の発生を避けるために、若
干の注意が必要であることに注意すべきである。図３及
び４を参照すると、半田接続60が各々のケーブルの内部
導体50を対応する探針装置34の長く延びた導体経路38の
後端に接続している。接続を行う前に、ケーブル中の内
部コア50を取り巻く導体及び誘電体層が、探針装置34の
後端から或る距離62だけ離れて後退しているようにケー
ブルの位置を定めることが望ましい。これは、毛髪の細
い繊維又は他の汚染物質が低抵抗又は導電性ブリッジを
形成し、信号線を跨ぐ低抵抗のシャント又は短絡を引き
起こす可能性を低減する。
【００３３】更に、この接続を行う際に、内部誘電体52
を形成する材料の構造的特性を劣化させないため、ケー
ブルを加熱し過ぎないようにすることが肝要である。こ
の内部誘電体52を形成する材料は、例えば温度に対する
安定性を増すために大気中で延伸されたテフロン（商
標）から構成することができる。最後に、接続が終了し
た後、好ましくない電気化学的な影響を防止し、ガラス
−エポキシボード26の表面抵抗を適切なレベルに保持す
るため、残った半田フラックス残留物の全てをボードか
ら除去する。
【００３４】好ましくないシャント接続の可能性を更に
減らすために、ケーブルの外部導体即ち金属組紐56が、
対応する内側導電性領域44を通して間接的に背面導体表
面40に接続される。即ち、半田接続64が金属組紐を内側
導電性領域に電気的に接続し、第２の半田接続48が内側
導電性領域を背面導体表面40に電気的に接続する。ここ
でもケーブルを加熱し過ぎないように、及び回路ボード
の上に半田のフラックスの残留物を残さないように注意
しなければならない。
【００３５】探針カードを使用している間、信号の変化
又は電圧が、内部導体50、長く延びた導体経路38及び探
針素子22によってカードに沿って伝送される。好ましく
は、試験装置は、試験装置の出力チャネルのフィードバ
ック回路が瞬間的な信号電圧に合致する「ガード」電圧
を供給するように接続される。このガード電圧は、外部
導体56及び対応する内側導電性領域44に印加される。こ
のようにして、各々の長く延びた導体経路が、刃状体36
の反対側にある背面導体表面40及びその経路の下側に位
置する対応する内側導電性領域44によってガードされ
る。各々の長く延びた経路に流入又は流出する漏洩電流
を小さくすることにより、このガードシステムは、好ま
しくないバックグラウンド電流を減らし、摩擦電気効果
の抑制によってケーブルについて達成される効果を助長
する。
【００３６】電流を乱す可能性のある他の源は、探針カ
ードを取り巻く外部環境の交流電界によって起きる。こ
の問題に対する一つの通常の解法は、交流ピックアップ
に対して試験装置、相互接続ケーブル及び探針カードを
シールドするために、これらの部品を全て「ワイヤか
ご」に入れることである。
【００３７】例示の探針カード20に関し、交流ピックア
ップの問題はもっと簡単な方法で対処できる。図５は、
ケーブル24の特定の一つの導入部分28を図１の線５−５
に沿って切断した断面図である。図６に示されたこのケ
ーブルのボード上部分30と同様に、導入部分は、内部導
体即ちコア50a 、内部誘電体52a 、内部層54a 、外部導
体56a 及び絶縁外装58a を含む。しかしながら、このケ
ーブルの導入部分は第２内部誘電体66及び第２外部導体
68を含む。事実上、このケーブルの導入部分は「低ノイ
ズ」型の同軸ケーブルであり、第２外部導体がこのケー
ブルの導入部分の自己シールドのためのシールド導体と
して作用するように接続される。
【００３８】第２外部即ちシールド導体68は、プラグイ
ン型コネクタ32を通して誘電体ボード26の外側導電性領
域46に電気的に接続される。このコネクタ32は、このよ
うな接続を行うために適した金属の外部表面を有する。
外側導電性領域46は、次に導体カバー70に電気的に接続
される。第２外部導体が試験装置によつてシールド電位
に設定されると、この電位は一般的には地気であるが、
ケーブルの導入部分のみならずボード上の探針カード部
品も実質的に交流電界に対してシールドされる。特に、
外側導電性領域46及び導体カバー70は、誘電体ボード上
にマウントされている探針カード部品を実質的に取り囲
み且つシールドする、自己充足の且つ小型のシールドボ
ックスを形成する。導体カバーの頂上には覗き穴72が設
けられ、この穴に顕微鏡の直視管を挿入し、探針素子即
ち針22が試験中のデバイスの接触サイトの上に位置して
いることを容易に見ることができる。
【００３９】本発明の広義の原理から逸脱することなし
に本発明に変更を加えることが可能であることが認識さ
れるべきである。例えば、探針カードでもっと多い数の
チャネルを扱おうとすれば、１列だけではなく２列にケ
ーブルがマウントされるケーブルコネクタを用いること
によって、より多数のケーブルを受入れるように探針カ
ードを修正することができる。当業者にとっては種々の
設計の変更が自明である。
【００４０】本明細書で用いられている用語及び表現
は、限定するために用いられたものではなく、説明の用
語として用いられているものであり、このような用語及
び表現の使用に際しては、図示され且つ説明された特徴
と等価な特徴又はそれの部分を除外する意図は存在せ
ず、本発明の範囲は特許請求の範囲によってのみ定義さ
れ且つ限定されるものであることが認識されるべきであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によって構成される低電流探針カードの
例をカード上の導体カバーの一部分を除去して示す平面
図である。
【図２】図１の低電流探針カードの例の側面図である。
【図３】図１の低電流探針カードの例の開口部の周囲の
部分を露出して示す平面図である。
【図４】図３の線４−４に沿った側面断面図である。
【図５】図１の線５−５に沿ったケーブルの特定の一つ
の導入部分の断面図である。
【図６】図１の線６−６に沿ったケーブルの特定の一つ
のボード上部分の断面図である。
【符号の説明】
２０ 低電流探針カード ２２ 探針素子 ２４ ケーブル ２６ 誘電体ボード ２８ ケーブルの導入部分 ３０ ケーブルのボード上部分 ３２ プラグイン型コネクタ ３４ 探針装置 ３６ 誘電体基板（刃状体） ３８ 長く延びた導体経路 ４０ 背面導体面 ４２ ボードの開口部 ４４ 内側導電性領域 ４６ 外側導電性領域 ４８、６０、６４ 半田接続 ５０ 内部導体（コア） ５２ 内部誘電体 ５４ 内部層 ５６ 外部導体（金属組紐） ５８ 絶縁外装 ６６ 第２内部誘電体 ６８ 第２外部導体 ７０ 導体カバー ７２ 覗き穴

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （ａ）開口部を有する誘電体ボード、
    （ｂ）試験デバイス上の複数の探針サイトに対応する探
    針のための複数の探針装置であって、各々が、第１面及
    び第２面を有する誘電体基板、前記第１面上に長く延び
    た導電路、及び、前記長く延びた導電路の一端に接続さ
    れ片持ち針のように前記基板の外へ延びた探針素子を有
    し、前記開口部の周りに放射状の配置で縁部がマウント
    され、これにより前記探針素子が前記サイトを探針する
    ために適したパターン上の前記開口部の下に先端を有す
    るように構成される探針装置、及び（ｃ）各々の探針装
    置を試験装置の対応するチャネルに接続するための複数
    のケーブルであって、各々が、内部導体、内部誘電体、
    及び外部導体を含み、各々の内部導体が前記導電路の対
    応する一つに電気的に接続され、各々が、更に前記内部
    誘電体と前記外部導体との間に、前記内部誘電体と前記
    外部導体との間の摩擦電流を、前記内部誘電体と前記外
    部導体とが相互に直接隣接する場合に起きる電流より少
    ない電流に減少させるのに適した組成物からなる材料の
    内部層を含むケーブルを具備する試験デバイスを探針す
    るための探針カード。
  2. 【請求項２】 各々の探針装置が、前記第２面に導電面
    を含み、各々の外部導体が前記導電面の対応する一つに
    電気的に接続され、更に、前記探針装置が、前記導電面
    と前記導電路とが周回順に交互に配置される構成を有す
    る請求項１に記載の探針カード。
  3. 【請求項３】 前記誘電体ボードが、前記開口部の周囲
    を相互に間隙を置いて囲む複数の内側導電性領域を含
    み、各々の導電面が前記内側導電性領域の対応する一つ
    に電気的に接続される請求項２に記載の探針カード。
  4. 【請求項４】 更に前記誘電体ボードの上を覆う導電性
    カバーを含む請求項１に記載の探針カード。
  5. 【請求項５】 前記誘電体ボードが、複数の内側導電性
    領域の周囲を間隙を置いて囲む外側導電性領域を含み、
    前記カバーが低い縁を含み、この縁に沿って、前記カバ
    ーが前記外側導電性領域に電気的に接続される請求項４
    に記載の探針カード。
  6. 【請求項６】 各々のケーブルが、前記ボードに接続す
    る導入部分を含み、前記導入部分が、前記外部導体の周
    囲を半径方向に間隙を置いて囲むシールド導体を含み、
    前記シールド導体が、前記カバーに電気的に接続される
    請求項４に記載の探針カード。
  7. 【請求項７】 更にケーブルコネクタを含み、このコネ
    クタを通して前記ケーブルが、前記カバーによって構成
    されシールドされた空間中に直接導入され、前記ケーブ
    ルコネクタが、前記シールド導体と前記カバーとを相互
    に接続する電気的接続経路を構成する請求項６に記載の
    探針カード。
  8. 【請求項８】 前記誘電体ボードが、前記開口部の周囲
    を相互に間隙を置いて囲む複数の内側導電性領域を含
    み、各々の探針装置が、各々の長く延びた導電路が前記
    内側導電性領域の対応する一つの上に位置するようにマ
    ウントされ、各々の外部導体が前記内側導電性領域の対
    応する一つに直接接続される請求項１に記載の探針カー
    ド。
  9. 【請求項９】 前記誘電体ボードが主としてガラス−エ
    ポキシ材料からなる請求項１に記載の探針カード。
JP8317780A 1995-12-01 1996-11-28 試験デバイスを探針するための探針カード Pending JPH09178775A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/566,137 US5729150A (en) 1995-12-01 1995-12-01 Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables
US08/566137 1995-12-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09178775A true JPH09178775A (ja) 1997-07-11

Family

ID=24261652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8317780A Pending JPH09178775A (ja) 1995-12-01 1996-11-28 試験デバイスを探針するための探針カード

Country Status (4)

Country Link
US (5) US5729150A (ja)
JP (1) JPH09178775A (ja)
KR (1) KR100292438B1 (ja)
DE (1) DE19648949C2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100855208B1 (ko) * 2000-09-28 2008-09-01 테라다인 인코퍼레이티드 고성능 테스터 인터페이스 모듈
KR20180042672A (ko) * 2016-10-18 2018-04-26 삼성전기주식회사 프로브 설치 시스템, 프로브 유닛 및 전기 특성 검사 장치

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7064566B2 (en) * 1993-11-16 2006-06-20 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit
US5876528A (en) * 1995-02-17 1999-03-02 Bently Nevada Corporation Apparatus and method for precluding fluid wicking
US6232789B1 (en) * 1997-05-28 2001-05-15 Cascade Microtech, Inc. Probe holder for low current measurements
US5561377A (en) * 1995-04-14 1996-10-01 Cascade Microtech, Inc. System for evaluating probing networks
US6075376A (en) 1997-12-01 2000-06-13 Schwindt; Randy J. Low-current probe card
US5729150A (en) * 1995-12-01 1998-03-17 Cascade Microtech, Inc. Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US6586954B2 (en) * 1998-02-10 2003-07-01 Celadon Systems, Inc. Probe tile for probing semiconductor wafer
US6201402B1 (en) 1997-04-08 2001-03-13 Celadon Systems, Inc. Probe tile and platform for large area wafer probing
US6034533A (en) * 1997-06-10 2000-03-07 Tervo; Paul A. Low-current pogo probe card
JP3586106B2 (ja) * 1998-07-07 2004-11-10 株式会社アドバンテスト Ｉｃ試験装置用プローブカード
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6456099B1 (en) 1998-12-31 2002-09-24 Formfactor, Inc. Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit
US6293005B1 (en) 1999-03-01 2001-09-25 Bently Nevada Corporation Cable and method for precluding fluid wicking
US6476628B1 (en) * 1999-06-28 2002-11-05 Teradyne, Inc. Semiconductor parallel tester
US6445202B1 (en) * 1999-06-30 2002-09-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
US6468098B1 (en) * 1999-08-17 2002-10-22 Formfactor, Inc. Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure
JP4183859B2 (ja) * 1999-09-02 2008-11-19 株式会社アドバンテスト 半導体基板試験装置
US6684340B1 (en) * 1999-10-07 2004-01-27 Endress + Hauser Gmbh + Co. Measuring instrument having two pairs of lines connected to two indentical pairs of terminals, via which signal current flows through one pair and supply current flows through the other pair
US6965226B2 (en) 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
DE10143173A1 (de) 2000-12-04 2002-06-06 Cascade Microtech Inc Wafersonde
FR2820825B1 (fr) * 2001-02-13 2006-08-04 Agilent Technologies Inc Carte de sondes
US7396236B2 (en) * 2001-03-16 2008-07-08 Formfactor, Inc. Wafer level interposer
US6856150B2 (en) * 2001-04-10 2005-02-15 Formfactor, Inc. Probe card with coplanar daughter card
WO2003052435A1 (en) 2001-08-21 2003-06-26 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6816031B1 (en) * 2001-12-04 2004-11-09 Formfactor, Inc. Adjustable delay transmission line
US6956362B1 (en) * 2001-12-14 2005-10-18 Lecroy Corporation Modular active test probe and removable tip module therefor
US6992495B2 (en) * 2002-06-28 2006-01-31 Celadon Systems, Inc. Shielded probe apparatus for probing semiconductor wafer
US6847219B1 (en) * 2002-11-08 2005-01-25 Cascade Microtech, Inc. Probe station with low noise characteristics
US7170305B2 (en) 2005-02-24 2007-01-30 Celadon Systems, Inc. Apparatus and method for terminating probe apparatus of semiconductor wafer
US6963207B2 (en) * 2003-03-06 2005-11-08 Celadon Systems, Inc. Apparatus and method for terminating probe apparatus of semiconductor wafer
US6975128B1 (en) 2003-03-28 2005-12-13 Celadon Systems, Inc. Electrical, high temperature test probe with conductive driven guard
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US7250626B2 (en) 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
US7187188B2 (en) 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
DE202004021093U1 (de) 2003-12-24 2006-09-28 Cascade Microtech, Inc., Beaverton Aktiver Halbleiterscheibenmessfühler
US7176705B2 (en) * 2004-06-07 2007-02-13 Cascade Microtech, Inc. Thermal optical chuck
JP2008512680A (ja) 2004-09-13 2008-04-24 カスケード マイクロテック インコーポレイテッド 両面プロービング構造体
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US9404940B1 (en) 2006-01-06 2016-08-02 Teledyne Lecroy, Inc. Compensating probing tip optimized adapters for use with specific electrical test probes
US7671613B1 (en) 2006-01-06 2010-03-02 Lecroy Corporation Probing blade conductive connector for use with an electrical test probe
US9140724B1 (en) 2006-01-06 2015-09-22 Lecroy Corporation Compensating resistance probing tip optimized adapters for use with specific electrical test probes
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7728609B2 (en) 2007-05-25 2010-06-01 Celadon Systems, Inc. Replaceable probe apparatus for probing semiconductor wafer
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
US8410806B2 (en) 2008-11-21 2013-04-02 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
CN104377101B (zh) 2013-08-14 2017-08-08 Fei 公司 用于带电粒子束系统的电路探头
MY186784A (en) * 2015-05-07 2021-08-20 Technoprobe Spa Testing head having vertical probes, in particular for reduced pitch applications
CN107894521B (zh) * 2016-10-04 2021-08-20 旺矽科技股份有限公司 同轴探针卡装置
CN107831338B (zh) * 2017-09-26 2023-05-30 杭州西湖电子研究所 一种具有双屏蔽功能的线缆接头组件
KR102682284B1 (ko) * 2018-08-29 2024-07-10 삼성디스플레이 주식회사 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장치
US11199438B2 (en) 2019-08-16 2021-12-14 Advanced Energy Industries, Inc. Triboelectric-based cable sensors
KR102118618B1 (ko) * 2020-02-26 2020-06-04 주식회사 엠시스 노이즈 차단구조를 갖는 마이크로 캔틸레버 프로브 핀카드

Family Cites Families (197)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3445770A (en) * 1965-12-27 1969-05-20 Philco Ford Corp Microelectronic test probe with defect marker access
US3700998A (en) 1970-08-20 1972-10-24 Computer Test Corp Sample and hold circuit with switching isolation
US3849728A (en) 1973-08-21 1974-11-19 Wentworth Labor Inc Fixed point probe card and an assembly and repair fixture therefor
US4382228A (en) * 1974-07-15 1983-05-03 Wentworth Laboratories Inc. Probes for fixed point probe cards
US4045737A (en) * 1975-12-22 1977-08-30 Charles Wheeler Coberly Integrated circuit probe
US4161692A (en) * 1977-07-18 1979-07-17 Cerprobe Corporation Probe device for integrated circuit wafers
US4195259A (en) * 1978-04-04 1980-03-25 Texas Instruments Incorporated Multiprobe test system and method of using same
FR2418466A1 (fr) * 1978-02-24 1979-09-21 Telecommunications Sa Appareil pour etablir des prises de contact temporaires sur des circuits electriques
JPS5830013A (ja) 1980-10-08 1983-02-22 レイケム・コ−ポレイシヨン 低ノイズケ−ブル及びその製造方法
US4697143A (en) 1984-04-30 1987-09-29 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe
US4626775A (en) * 1984-05-04 1986-12-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Radio frequency probing apparatus for surface acoustic wave devices
US4593243A (en) * 1984-08-29 1986-06-03 Magnavox Government And Industrial Electronics Company Coplanar and stripline probe card apparatus
NL8403755A (nl) * 1984-12-11 1986-07-01 Philips Nv Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaags gedrukte bedrading met doorverbonden sporen in verschillende lagen en meerlaags gedrukte bedrading vervaardigd volgens de werkwijze.
US4686463A (en) * 1984-12-24 1987-08-11 Logan John K Microwave probe fixture
US4678865A (en) * 1985-04-25 1987-07-07 Westinghouse Electric Corp. Low noise electroencephalographic probe wiring system
US4749942A (en) 1985-09-26 1988-06-07 Tektronix, Inc. Wafer probe head
US5829128A (en) 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
US6043563A (en) * 1997-05-06 2000-03-28 Formfactor, Inc. Electronic components with terminals and spring contact elements extending from areas which are remote from the terminals
US5917707A (en) * 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US5476211A (en) * 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US4727319A (en) 1985-12-24 1988-02-23 Hughes Aircraft Company Apparatus for on-wafer testing of electrical circuits
DE3752143T2 (de) * 1986-01-24 1998-03-12 Fuji Photo Film Co Ltd Vorrichtung zum Beladen von Blattfilmen
JP2609232B2 (ja) * 1986-09-04 1997-05-14 日本ヒューレット・パッカード株式会社 フローテイング駆動回路
US4731577A (en) * 1987-03-05 1988-03-15 Logan John K Coaxial probe card
US4894612A (en) * 1987-08-13 1990-01-16 Hypres, Incorporated Soft probe for providing high speed on-wafer connections to a circuit
US4791363A (en) 1987-09-28 1988-12-13 Logan John K Ceramic microstrip probe blade
US5021186A (en) 1988-03-25 1991-06-04 Nissan Chemical Industries, Ltd. Chloroisocyanuric acid composition having storage stability
US4871964A (en) 1988-04-12 1989-10-03 G. G. B. Industries, Inc. Integrated circuit probing apparatus
US5323035A (en) 1992-10-13 1994-06-21 Glenn Leedy Interconnection structure for integrated circuits and method for making same
US4983910A (en) * 1988-05-20 1991-01-08 Stanford University Millimeter-wave active probe
US4998062A (en) * 1988-10-25 1991-03-05 Tokyo Electron Limited Probe device having micro-strip line structure
US4849689A (en) 1988-11-04 1989-07-18 Cascade Microtech, Inc. Microwave wafer probe having replaceable probe tip
US5045781A (en) 1989-06-08 1991-09-03 Cascade Microtech, Inc. High-frequency active probe having replaceable contact needles
US4965865A (en) * 1989-10-11 1990-10-23 General Signal Corporation Probe card for integrated circuit chip
JPH04127577A (ja) 1990-09-19 1992-04-28 Nec Corp ｐｉｎダイオード
US5126286A (en) 1990-10-05 1992-06-30 Micron Technology, Inc. Method of manufacturing edge connected semiconductor die
US5136237A (en) 1991-01-29 1992-08-04 Tektronix, Inc. Double insulated floating high voltage test probe
US5229782A (en) * 1991-07-19 1993-07-20 Conifer Corporation Stacked dual dipole MMDS feed
US5214243A (en) * 1991-10-11 1993-05-25 Endevco Corporation High-temperature, low-noise coaxial cable assembly with high strength reinforcement braid
US5537372A (en) 1991-11-15 1996-07-16 International Business Machines Corporation High density data storage system with topographic contact sensor
US5274336A (en) 1992-01-14 1993-12-28 Hewlett-Packard Company Capacitively-coupled test probe
US5345170A (en) * 1992-06-11 1994-09-06 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems
US6380751B2 (en) * 1992-06-11 2002-04-30 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US5382898A (en) * 1992-09-21 1995-01-17 Cerprobe Corporation High density probe card for testing electrical circuits
US5371654A (en) 1992-10-19 1994-12-06 International Business Machines Corporation Three dimensional high performance interconnection package
US6295729B1 (en) * 1992-10-19 2001-10-02 International Business Machines Corporation Angled flying lead wire bonding process
JP2668768B2 (ja) 1993-03-30 1997-10-27 ベクターセミコン株式会社 電気的特性測定用プローブ装置
US6722032B2 (en) * 1995-11-27 2004-04-20 International Business Machines Corporation Method of forming a structure for electronic devices contact locations
US5810607A (en) 1995-09-13 1998-09-22 International Business Machines Corporation Interconnector with contact pads having enhanced durability
US6054651A (en) * 1996-06-21 2000-04-25 International Business Machines Corporation Foamed elastomers for wafer probing applications and interposer connectors
US5811982A (en) 1995-11-27 1998-09-22 International Business Machines Corporation High density cantilevered probe for electronic devices
US5914614A (en) 1996-03-12 1999-06-22 International Business Machines Corporation High density cantilevered probe for electronic devices
DE4316111A1 (de) * 1993-05-13 1994-11-17 Ehlermann Eckhard Für Hochtemperaturmessungen geeignete Prüfkarte für integrierte Schaltkreise
JPH06334004A (ja) 1993-05-25 1994-12-02 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波帯用プロービング装置
US5441690A (en) 1993-07-06 1995-08-15 International Business Machines Corporation Process of making pinless connector
US5326428A (en) * 1993-09-03 1994-07-05 Micron Semiconductor, Inc. Method for testing semiconductor circuitry for operability and method of forming apparatus for testing semiconductor circuitry for operability
JP3096197B2 (ja) 1993-09-28 2000-10-10 株式会社日本マイクロニクス プローブカード
US6836962B2 (en) * 1993-11-16 2005-01-04 Formfactor, Inc. Method and apparatus for shaping spring elements
US6741085B1 (en) * 1993-11-16 2004-05-25 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US5820014A (en) 1993-11-16 1998-10-13 Form Factor, Inc. Solder preforms
US6525555B1 (en) * 1993-11-16 2003-02-25 Formfactor, Inc. Wafer-level burn-in and test
US5601740A (en) 1993-11-16 1997-02-11 Formfactor, Inc. Method and apparatus for wirebonding, for severing bond wires, and for forming balls on the ends of bond wires
US5772451A (en) 1993-11-16 1998-06-30 Form Factor, Inc. Sockets for electronic components and methods of connecting to electronic components
US6029344A (en) * 1993-11-16 2000-02-29 Formfactor, Inc. Composite interconnection element for microelectronic components, and method of making same
US6442831B1 (en) * 1993-11-16 2002-09-03 Formfactor, Inc. Method for shaping spring elements
US6727580B1 (en) * 1993-11-16 2004-04-27 Formfactor, Inc. Microelectronic spring contact elements
US5974662A (en) 1993-11-16 1999-11-02 Formfactor, Inc. Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
US5983493A (en) 1993-11-16 1999-11-16 Formfactor, Inc. Method of temporarily, then permanently, connecting to a semiconductor device
US6023103A (en) * 1994-11-15 2000-02-08 Formfactor, Inc. Chip-scale carrier for semiconductor devices including mounted spring contacts
US5806181A (en) 1993-11-16 1998-09-15 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US6064213A (en) * 1993-11-16 2000-05-16 Formfactor, Inc. Wafer-level burn-in and test
US5832601A (en) 1993-11-16 1998-11-10 Form Factor, Inc. Method of making temporary connections between electronic components
US5878486A (en) * 1993-11-16 1999-03-09 Formfactor, Inc. Method of burning-in semiconductor devices
US6336269B1 (en) 1993-11-16 2002-01-08 Benjamin N. Eldridge Method of fabricating an interconnection element
US6184053B1 (en) * 1993-11-16 2001-02-06 Formfactor, Inc. Method of making microelectronic spring contact elements
US5912046A (en) 1993-11-16 1999-06-15 Form Factor, Inc. Method and apparatus for applying a layer of flowable coating material to a surface of an electronic component
US5477011A (en) * 1994-03-03 1995-12-19 W. L. Gore & Associates, Inc. Low noise signal transmission cable
JP3578232B2 (ja) 1994-04-07 2004-10-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 電気接点形成方法、該電気接点を含むプローブ構造および装置
US5808533A (en) * 1994-05-05 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Modular relay
US5565788A (en) 1994-07-20 1996-10-15 Cascade Microtech, Inc. Coaxial wafer probe with tip shielding
US5506515A (en) * 1994-07-20 1996-04-09 Cascade Microtech, Inc. High-frequency probe tip assembly
US6727579B1 (en) * 1994-11-16 2004-04-27 Formfactor, Inc. Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures
MY112945A (en) * 1994-12-20 2001-10-31 Ibm Electronic devices comprising dielectric foamed polymers
US5610529A (en) * 1995-04-28 1997-03-11 Cascade Microtech, Inc. Probe station having conductive coating added to thermal chuck insulator
US6090261A (en) 1995-05-26 2000-07-18 Formfactor, Inc. Method and apparatus for controlling plating over a face of a substrate
US6042712A (en) * 1995-05-26 2000-03-28 Formfactor, Inc. Apparatus for controlling plating over a face of a substrate
US6033935A (en) * 1997-06-30 2000-03-07 Formfactor, Inc. Sockets for "springed" semiconductor devices
US6685817B1 (en) * 1995-05-26 2004-02-03 Formfactor, Inc. Method and apparatus for controlling plating over a face of a substrate
US5998864A (en) 1995-05-26 1999-12-07 Formfactor, Inc. Stacking semiconductor devices, particularly memory chips
US6150186A (en) 1995-05-26 2000-11-21 Formfactor, Inc. Method of making a product with improved material properties by moderate heat-treatment of a metal incorporating a dilute additive
DE19536837B4 (de) 1995-10-02 2006-01-26 Alstom Vorrichtung und Verfahren zum Einspritzen von Brennstoffen in komprimierte gasförmige Medien
US5742174A (en) * 1995-11-03 1998-04-21 Probe Technology Membrane for holding a probe tip in proper location
JP3838381B2 (ja) * 1995-11-22 2006-10-25 株式会社アドバンテスト プローブカード
US5785538A (en) 1995-11-27 1998-07-28 International Business Machines Corporation High density test probe with rigid surface structure
US6075376A (en) * 1997-12-01 2000-06-13 Schwindt; Randy J. Low-current probe card
US5729150A (en) * 1995-12-01 1998-03-17 Cascade Microtech, Inc. Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables
US5814847A (en) 1996-02-02 1998-09-29 National Semiconductor Corp. General purpose assembly programmable multi-chip package substrate
US5994152A (en) 1996-02-21 1999-11-30 Formfactor, Inc. Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
US5804607A (en) 1996-03-21 1998-09-08 International Business Machines Corporation Process for making a foamed elastomeric polymer
US5726211A (en) * 1996-03-21 1998-03-10 International Business Machines Corporation Process for making a foamed elastometric polymer
US5700844A (en) 1996-04-09 1997-12-23 International Business Machines Corporation Process for making a foamed polymer
JP3022312B2 (ja) 1996-04-15 2000-03-21 日本電気株式会社 プローブカードの製造方法
KR100471341B1 (ko) * 1996-05-23 2005-07-21 제네시스 테크놀로지 가부시키가이샤 콘택트프로브및그것을구비한프로브장치
US5808475A (en) 1996-06-07 1998-09-15 Keithley Instruments, Inc. Semiconductor probe card for low current measurements
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US6050829A (en) * 1996-08-28 2000-04-18 Formfactor, Inc. Making discrete power connections to a space transformer of a probe card assembly
JP2000502812A (ja) * 1996-09-13 2000-03-07 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン ウエハ・レベルのテストおよびバーンインのための集積化コンプライアント・プローブ
US6089718A (en) * 1996-10-30 2000-07-18 Seiko Epson Corporation Projection display device
US6104201A (en) 1996-11-08 2000-08-15 International Business Machines Corporation Method and apparatus for passive characterization of semiconductor substrates subjected to high energy (MEV) ion implementation using high-injection surface photovoltage
US6690185B1 (en) * 1997-01-15 2004-02-10 Formfactor, Inc. Large contactor with multiple, aligned contactor units
US6520778B1 (en) * 1997-02-18 2003-02-18 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structures, and methods of making same
JP3770999B2 (ja) * 1997-04-21 2006-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置及びレーザー照射方法
US6229327B1 (en) * 1997-05-30 2001-05-08 Gregory G. Boll Broadband impedance matching probe
US6215196B1 (en) * 1997-06-30 2001-04-10 Formfactor, Inc. Electronic component with terminals and spring contact elements extending from areas which are remote from the terminals
JPH1152298A (ja) 1997-07-31 1999-02-26 Sharp Corp 偏光照明装置及び投射型画像表示装置
US6118287A (en) 1997-12-09 2000-09-12 Boll; Gregory George Probe tip structure
JP3862845B2 (ja) * 1998-02-05 2006-12-27 セイコーインスツル株式会社 近接場用光プローブ
JP3553791B2 (ja) * 1998-04-03 2004-08-11 株式会社ルネサステクノロジ 接続装置およびその製造方法、検査装置並びに半導体素子の製造方法
US6720501B1 (en) * 1998-04-14 2004-04-13 Formfactor, Inc. PC board having clustered blind vias
US6078500A (en) 1998-05-12 2000-06-20 International Business Machines Inc. Pluggable chip scale package
TW513595B (en) * 1998-05-26 2002-12-11 Ind Tech Res Inst Projection system of reflection-type liquid crystal display system
US6672875B1 (en) * 1998-12-02 2004-01-06 Formfactor, Inc. Spring interconnect structures
US6644982B1 (en) * 1998-12-04 2003-11-11 Formfactor, Inc. Method and apparatus for the transport and tracking of an electronic component
US6206273B1 (en) * 1999-02-17 2001-03-27 International Business Machines Corporation Structures and processes to create a desired probetip contact geometry on a wafer test probe
US6208225B1 (en) * 1999-02-25 2001-03-27 Formfactor, Inc. Filter structures for integrated circuit interfaces
US6538538B2 (en) * 1999-02-25 2003-03-25 Formfactor, Inc. High frequency printed circuit board via
US6218910B1 (en) * 1999-02-25 2001-04-17 Formfactor, Inc. High bandwidth passive integrated circuit tester probe card assembly
US6448865B1 (en) * 1999-02-25 2002-09-10 Formfactor, Inc. Integrated circuit interconnect system
US6539531B2 (en) * 1999-02-25 2003-03-25 Formfactor, Inc. Method of designing, fabricating, testing and interconnecting an IC to external circuit nodes
US6499121B1 (en) * 1999-03-01 2002-12-24 Formfactor, Inc. Distributed interface for parallel testing of multiple devices using a single tester channel
US6452411B1 (en) * 1999-03-01 2002-09-17 Formfactor, Inc. Efficient parallel testing of integrated circuit devices using a known good device to generate expected responses
US7013221B1 (en) * 1999-07-16 2006-03-14 Rosetta Inpharmatics Llc Iterative probe design and detailed expression profiling with flexible in-situ synthesis arrays
US6888362B2 (en) * 2000-11-09 2005-05-03 Formfactor, Inc. Test head assembly for electronic components with plurality of contoured microelectronic spring contacts
US6713374B2 (en) * 1999-07-30 2004-03-30 Formfactor, Inc. Interconnect assemblies and methods
US6309071B1 (en) * 1999-08-04 2001-10-30 Sharp Laboratories Of America, Inc. Liquid crystal projection display system
US7009415B2 (en) * 1999-10-06 2006-03-07 Tokyo Electron Limited Probing method and probing apparatus
JP2001174482A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Corp 電気的特性評価用接触針、プローブ構造体、プローブカード、および電気的特性評価用接触針の製造方法
US6339338B1 (en) * 2000-01-18 2002-01-15 Formfactor, Inc. Apparatus for reducing power supply noise in an integrated circuit
US6384614B1 (en) * 2000-02-05 2002-05-07 Fluke Corporation Single tip Kelvin probe
US6509751B1 (en) * 2000-03-17 2003-01-21 Formfactor, Inc. Planarizer for a semiconductor contactor
US6677744B1 (en) * 2000-04-13 2004-01-13 Formfactor, Inc. System for measuring signal path resistance for an integrated circuit tester interconnect structure
US6731128B2 (en) * 2000-07-13 2004-05-04 International Business Machines Corporation TFI probe I/O wrap test method
US6970005B2 (en) * 2000-08-24 2005-11-29 Texas Instruments Incorporated Multiple-chip probe and universal tester contact assemblage
GB0021975D0 (en) * 2000-09-07 2000-10-25 Optomed As Filter optic probes
US7005842B2 (en) * 2000-12-22 2006-02-28 Tokyo Electron Limited Probe cartridge assembly and multi-probe assembly
US7006046B2 (en) * 2001-02-15 2006-02-28 Integral Technologies, Inc. Low cost electronic probe devices manufactured from conductive loaded resin-based materials
US6856150B2 (en) * 2001-04-10 2005-02-15 Formfactor, Inc. Probe card with coplanar daughter card
US6882239B2 (en) * 2001-05-08 2005-04-19 Formfactor, Inc. Electromagnetically coupled interconnect system
JP2002343879A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3979793B2 (ja) * 2001-05-29 2007-09-19 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社 プローブ設計装置及びプローブ設計方法
US6729019B2 (en) * 2001-07-11 2004-05-04 Formfactor, Inc. Method of manufacturing a probe card
US6862727B2 (en) * 2001-08-24 2005-03-01 Formfactor, Inc. Process and apparatus for adjusting traces
US6678876B2 (en) * 2001-08-24 2004-01-13 Formfactor, Inc. Process and apparatus for finding paths through a routing space
US6549106B2 (en) * 2001-09-06 2003-04-15 Cascade Microtech, Inc. Waveguide with adjustable backshort
US6714828B2 (en) * 2001-09-17 2004-03-30 Formfactor, Inc. Method and system for designing a probe card
DE10294376D2 (de) * 2001-09-24 2004-08-26 Jpk Instruments Ag Vorrichtung und Verfahren für ein Rastersondenmikroskop
US6882546B2 (en) * 2001-10-03 2005-04-19 Formfactor, Inc. Multiple die interconnect system
US7071714B2 (en) * 2001-11-02 2006-07-04 Formfactor, Inc. Method and system for compensating for thermally induced motion of probe cards
JP3976733B2 (ja) * 2001-11-13 2007-09-19 株式会社アドバンテスト 波長分散測定システムおよび方法
US6822463B1 (en) * 2001-12-21 2004-11-23 Lecroy Corporation Active differential test probe with a transmission line input structure
US6891385B2 (en) * 2001-12-27 2005-05-10 Formfactor, Inc. Probe card cooling assembly with direct cooling of active electronic components
US7020363B2 (en) * 2001-12-28 2006-03-28 Intel Corporation Optical probe for wafer testing
US6741092B2 (en) * 2001-12-28 2004-05-25 Formfactor, Inc. Method and system for detecting an arc condition
US7015707B2 (en) * 2002-03-20 2006-03-21 Gabe Cherian Micro probe
US6828767B2 (en) * 2002-03-20 2004-12-07 Santronics, Inc. Hand-held voltage detection probe
US6806697B2 (en) * 2002-04-05 2004-10-19 Agilent Technologies, Inc. Apparatus and method for canceling DC errors and noise generated by ground shield current in a probe
DE10220343B4 (de) * 2002-05-07 2007-04-05 Atg Test Systems Gmbh & Co. Kg Reicholzheim Vorrichtung und Verfahren zum Prüfen von Leiterplatten und Prüfsonde
KR100470970B1 (ko) * 2002-07-05 2005-03-10 삼성전자주식회사 반도체 검사장치용 프로브카드의 니들고정장치 및 방법
US6881072B2 (en) * 2002-10-01 2005-04-19 International Business Machines Corporation Membrane probe with anchored elements
US7026832B2 (en) * 2002-10-28 2006-04-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Probe mark reading device and probe mark reading method
US6864694B2 (en) * 2002-10-31 2005-03-08 Agilent Technologies, Inc. Voltage probe
US6727716B1 (en) * 2002-12-16 2004-04-27 Newport Fab, Llc Probe card and probe needle for high frequency testing
JP2004199796A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Shinka Jitsugyo Kk 薄膜磁気ヘッドの特性測定用プローブピンの接続方法及び薄膜磁気ヘッドの特性測定方法
JP2004265942A (ja) * 2003-02-20 2004-09-24 Okutekku:Kk プローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置
US6902941B2 (en) * 2003-03-11 2005-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Probing of device elements
US7022976B1 (en) * 2003-04-02 2006-04-04 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamically adjustable probe tips
US7002133B2 (en) * 2003-04-11 2006-02-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Detecting one or more photons from their interactions with probe photons in a matter system
US7023225B2 (en) * 2003-04-16 2006-04-04 Lsi Logic Corporation Wafer-mounted micro-probing platform
TWI220163B (en) * 2003-04-24 2004-08-11 Ind Tech Res Inst Manufacturing method of high-conductivity nanometer thin-film probe card
US6900652B2 (en) * 2003-06-13 2005-05-31 Solid State Measurements, Inc. Flexible membrane probe and method of use thereof
KR100523139B1 (ko) * 2003-06-23 2005-10-20 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 테스트시 사용되는 프로빙 패드의 수를 감소시키기위한 반도체 장치 및 그의 테스팅 방법
US6956388B2 (en) * 2003-06-24 2005-10-18 Agilent Technologies, Inc. Multiple two axis floating probe assembly using split probe block
US6870381B2 (en) * 2003-06-27 2005-03-22 Formfactor, Inc. Insulative covering of probe tips
US7015708B2 (en) * 2003-07-11 2006-03-21 Gore Enterprise Holdings, Inc. Method and apparatus for a high frequency, impedance controlled probing device with flexible ground contacts
US7015703B2 (en) * 2003-08-12 2006-03-21 Scientific Systems Research Limited Radio frequency Langmuir probe
US7025628B2 (en) * 2003-08-13 2006-04-11 Agilent Technologies, Inc. Electronic probe extender
JP3812559B2 (ja) * 2003-09-18 2006-08-23 Ｔｄｋ株式会社 渦電流プローブ
US7286013B2 (en) * 2003-09-18 2007-10-23 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd Coupled-inductance differential amplifier
US7034553B2 (en) * 2003-12-05 2006-04-25 Prodont, Inc. Direct resistance measurement corrosion probe
US7009188B2 (en) * 2004-05-04 2006-03-07 Micron Technology, Inc. Lift-out probe having an extension tip, methods of making and using, and analytical instruments employing same
US7015709B2 (en) * 2004-05-12 2006-03-21 Delphi Technologies, Inc. Ultra-broadband differential voltage probes
US7019541B2 (en) * 2004-05-14 2006-03-28 Crown Products, Inc. Electric conductivity water probe
US7023231B2 (en) * 2004-05-14 2006-04-04 Solid State Measurements, Inc. Work function controlled probe for measuring properties of a semiconductor wafer and method of use thereof
US7015690B2 (en) * 2004-05-27 2006-03-21 General Electric Company Omnidirectional eddy current probe and inspection system
TWI252925B (en) * 2004-07-05 2006-04-11 Yulim Hitech Inc Probe card for testing a semiconductor device
US7001785B1 (en) * 2004-12-06 2006-02-21 Veeco Instruments, Inc. Capacitance probe for thin dielectric film characterization
US7005879B1 (en) * 2005-03-01 2006-02-28 International Business Machines Corporation Device for probe card power bus noise reduction

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100855208B1 (ko) * 2000-09-28 2008-09-01 테라다인 인코퍼레이티드 고성능 테스터 인터페이스 모듈
KR20180042672A (ko) * 2016-10-18 2018-04-26 삼성전기주식회사 프로브 설치 시스템, 프로브 유닛 및 전기 특성 검사 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20040227537A1 (en) 2004-11-18
KR19980043156A (ko) 1998-09-05
KR100292438B1 (ko) 2001-06-01
US7071718B2 (en) 2006-07-04
US6137302A (en) 2000-10-24
DE19648949C2 (de) 2001-05-31
US6995579B2 (en) 2006-02-07
US5729150A (en) 1998-03-17
US20050231226A1 (en) 2005-10-20
US20060202708A1 (en) 2006-09-14
DE19648949A1 (de) 1997-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09178775A (ja) 試験デバイスを探針するための探針カード
US6232789B1 (en) Probe holder for low current measurements
US6847219B1 (en) Probe station with low noise characteristics
US6075376A (en) Low-current probe card
US20040027145A1 (en) Low-current pogo probe card
JP2002311052A (ja) ブレード状接続針
JP3082140U (ja) 試験デバイスを探針するための探針カード
US20070190823A1 (en) Electrical connector for semiconductor device test fixture and test assembly
US5418332A (en) Electrical cable using combination of high resistivity and low resistivity materials as conductors
US20210057131A1 (en) Cabling apparatus for high-resistance applications

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20010410