JPH0917746A

JPH0917746A - 半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH0917746A
Application number: JP16080995A
Authority: JP
Inventors: Yoshimichi Hirobe; 嘉道廣部
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1995-06-27
Filing date: 1995-06-27
Publication date: 1997-01-17

Abstract

(57)【要約】【目的】低コストな（経済的な）方法を用いて配線金属
膜のカバレッジが改善された半導体装置およびその製造
方法を提供する。【構成】拡散層３を有するシリコン基板１上の絶縁膜２
にコンタクト穴４を形成し、絶縁膜２上と、コンタクト
穴４の底面及び内周壁とに第１のポリシリコン膜５を成
膜し、リン（Ｐ）を第１のポリシリコン膜５に拡散する
ことにより第１のポリシリコン膜５に導電性を付与す
る。続いて、第２のポリシリコン膜６によりコンタクト
穴を埋め込む。その後、スパッタ法などによってＡｌ合
金膜よりなる配線金属膜７を成膜し、続いて、第２の配
線膜と第２のポリシリコン膜６と第１のポリシリコン膜
５との不要部分を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置およびその
製造方法に関し、特に、コンタクト部の配線構造および
コンタクトの形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の高集積化・高速化に伴い、
配線構造やトランジスタのゲート電極の微細化が進めら
れている。特に、最近のＶＬＳＩではＬＳＩ内部で基板
との電気的な接続を確保するために形成されるコンタク
ト穴の微細化に伴い、コンタクト穴の深さ／コンタクト
径比（以下、アスペクト比と称す）が増加し、配線金属
の埋め込みが難しくなり、配線の信頼性が問題となって
きている。

【０００３】従来のＬＳＩにおけるコンタクト部の構造
は、図５に示すように、シリコン基板１上に絶縁膜２に
設けられたコンタクト穴にアルミニウム（Ａｌ）を主成
分とするＡｌ合金膜よりなる配線金属膜７が形成されて
いる。図５の構造は、リンを拡散した高濃度ｎ形拡散層
３を有するシリコン基板１上にＣＶＤ法などにより絶縁
膜２を成膜し、例えば、フォトリソグラフィ技術と異方
性エッチング技術などにより絶縁膜２にコンタクト穴４
を形成し、スパッタリング法などによりＡｌ合金膜７を
堆積させることにより得られる。

【０００４】しかし、このような構造および製造方法で
は、配線の微細化によりコンタクトのサイズが小さくな
りコンクト穴４のアスペクト比が大きくなると、配線金
属膜７のコンタクト穴４内での被覆率（カバレッジ）が
悪く、コンタクト穴の縦の壁ではコンタクト穴の側壁下
部ほど膜が薄くなり、その一番底の部分では影になって
クラックが生じたりする。その結果、断線が起こって回
路が壊れるなどの故障を引き起こし、信頼性に問題があ
った。

【０００５】この種の問題を解決するために、コンタク
ト穴での配線金属膜のカバレッジを改善する構造および
その製造方法がいくつか提案されている。一例として、
図６に示す構造があり、この構造の製造方法としては、
まず、第１の配線層２１上の絶縁層２にコンタクト穴を
形成し、プラグと呼ばれる金属膜２３を前記コンタクト
穴に埋め込み、Ａｌ合金膜よりなる第２の配線層２２を
形成する。ここで、金属膜２３の形成方法としては、タ
ングステン（Ｗ）膜をＣＶＤ技術で形成する方法（特開
平５−８２６５５号公報）、Ｗ膜とチタンナイトライド
（ＴｉＮ）膜あるいはチタンタングステン（ＴｉＷ）膜
との複合膜をＣＶＤ技術で形成する方法（特開平６−２
９２３７号公報）、Ａｌ膜をリフトオフ技術で形成する
方法（特開平２−１２５４２２号公報）が提案されてい
る。このような構造にすることにより、コンタクト部に
おける第２の配線層２２のカバレッジは改善される。

【０００６】その他のコンタクト構造の改良構造を図７
に示す。この構造は、半導体基板１内の拡散層３上の絶
縁膜２にコンタクト穴４を形成し、コンタクト穴４の内
面および絶縁膜２にポリシリコン膜５を形成し、その
後、ポリシリコン膜５にリンをドープして電気的導電性
を付与し、続いて、リンがドープされたポリシリコン膜
５上にＡｌ合金膜よりなる配線金属膜７をスパッタリン
グ法で堆積することにより得られる。。

【０００７】更に、図７の構造の改良形として、図８に
示す構造（特開平２−１９４６３７号公報、特開平５−
１０２１５０号公報）がある。図８の構造は、半導体基
板１内の拡散層３上の絶縁膜２にコンタクト穴４を形成
し、その後、Ｗ膜を堆積し、続いて、スパッタエッチン
グ装置または反応性イオンエッチング装置などによる異
方性エッチングによって絶縁膜２上およびコンタクト穴
４底部のＷ膜を除去し、コンタクト穴４の側壁にのみＷ
膜２４ｂを残し、その後、Ａｌ合金膜よりなる配線金属
膜７をスパッタリング法で堆積することにより得られ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６の
構造においては、コンタクト穴の全部または途中までプ
ラグと呼ばれる金属膜２３（通例、Ｗ膜、ＴｉＮ膜、Ｔ
ｉＷ膜等の高融点金属膜）が埋め込まれるが、この金属
膜２３の形成には専用のＣＶＤ装置が必要となり、ＣＶ
Ｄ装置は高価なので、製造コストが高くならざるを得な
い。このため、すべての半導体装置に適用できる訳でな
く、高機能な半導体装置に限定される。

【０００９】また、金属膜２３として高融点金属の代わ
りにＡｌ膜を用いる方法は、コンタクト穴内のＡｌ膜を
リフトオフ技術で形成しなければならず、処理工程の確
実性（歩留り）に問題がある。また、図８の構造におい
ては、コンタクト穴４形成後にＣＶＤ法でＷ膜を堆積
し、スパッタエッチングまたは反応性イオンエッチング
で平面部のＷ膜を除去する為に、Ｗ膜形成専用のＣＶＤ
装置及びＷ膜エッチング専用のエッチング装置が必要で
あり、製造コストが高くなってしまうという問題点があ
る。

【００１０】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的は、半導体装置のコンタクト部におい
て、専用の高価な設備を使用することなく、低コストな
（経済的な）方法を用いて配線金属膜のカバレッジが改
善された半導体装置およびその製造方法を提供すること
にある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するために、半導体基板上の絶縁膜に形成さ
れたコンタクト穴と、前記コンタクト穴の内周壁及び底
面に沿って形成された前記半導体基板と同じ導電形の第
１のポリシリコン膜と、前記第１のポリシリコン膜に沿
って前記コンタクト穴を埋め込むように形成された第２
のポリシリコン膜とを備えてなることを特徴とする。

【００１２】請求項２の発明は、半導体基板上の絶縁膜
に形成されたコンタクト穴と、前記コンタクト穴の内周
壁及び底面に沿って形成された前記半導体基板と同じ導
電形のポリシリコン膜と、該ポリシリコン膜の一部を熱
酸化することにより前記コンタクト穴を埋め込むように
形成されたシリコン酸化膜とを備えてなることを特徴と
する。

【００１３】請求項３の発明は、半導体基板上の絶縁膜
に形成されたコンタクト穴と、前記コンタクト穴の内周
壁及び底面に沿って形成された前記半導体基板と同じ導
電形のポリシリコン膜と、該ポリシリコン膜に電気的導
電性をもたせる為に前記コンタクト穴を埋め込むように
形成されたスピン・オン・ガラス膜とを備えてなること
を特徴とする。

【００１４】請求項４の発明は、半導体基板上の絶縁膜
にコンタクト穴を形成する第１の工程と、前記絶縁膜及
び前記コンタクト穴の底面と内周壁とに第１のポリシリ
コン膜を形成する第２の工程と、前記第１のポリシリコ
ン膜に前記半導体基板と同じ導電形の電気的導電性をも
たせる第３の工程と、第２のポリシリコン膜を前記コン
タクト穴を埋め込むように形成する第４の工程と、前記
コンタクト穴領域以外の領域の第２のポリシリコン膜の
みに前記半導体基板と同じ導電形の電気的導電性をもた
せる第５の工程とを含むことを特徴とする。

【００１５】請求項５の発明は、半導体基板上の絶縁膜
にコンタクト穴を形成する第１の工程と、前記絶縁膜及
び前記コンタクト穴の底面と内周壁とに第１のポリシリ
コン膜を形成する第２の工程と、前記第１のポリシリコ
ン膜に前記半導体基板と同じ導電形の電気的導電性をも
たせる第３の工程と、前記第１のポリシリコン膜の一部
を熱酸化することによって形成される酸化膜により前記
コンタクト穴を埋め込む第４の工程と、前記酸化膜をコ
ンタクトコンタクト穴領域以外の領域における前記第１
のポリシリコン膜に達する深さまでエッチングすること
により前記コンタクト穴のみに前記酸化膜を残す第５の
工程とを含むことを特徴とする。

【００１６】請求項６の発明は、半導体基板上の絶縁膜
にコンタクト穴を形成する第１の工程と、前記絶縁膜及
び前記コンタクト穴の底面と内周壁とに第１のポリシリ
コン膜を形成する第２の工程と、前記ポリシリコン膜に
前記半導体基板と同じ導電形の不純物を含有するスピン
・オン・ガラス膜を塗布して熱処理することにより前記
ポリシリコン膜に電気的導電性をもたせる第３の工程
と、前記スピン・オン・ガラス膜をコンタクト穴領域以
外の領域における前記第１のポリシリコン膜に達する深
さまで除去することにより前記コンタクト穴のみに前記
スピン・オン・ガラス膜を残す第４の工程とを含むこと
を特徴とする。

【００１７】

【作用】請求項１の発明の構成によれば、コンタクト穴
の内周壁及び底面に沿って形成された半導体基板と同じ
導電形の第１のポリシリコン膜と前記第１のポリシリコ
ン膜に沿って前記コンタクト穴を埋め込むように形成さ
れた第２のポリシリコン膜とを有するので、コンタクト
穴のカバレッジが改善され、かつ配線金属膜は第１のポ
リシリコン膜を介して前記半導体に接続されるので、配
線金属膜の断線を防止することができる。

【００１８】請求項２の発明の構成によれば、コンタク
ト穴の内周壁及び底面に沿って形成された半導体基板と
同じ導電形のポリシリコン膜と、該ポリシリコン膜の一
部を熱酸化することにより前記コンタクト穴を埋め込む
ように形成されたシリコン酸化膜とを備えてなるので、
配線金属膜のカバレッジが改善され、かつ配線金属膜は
ポリシリコン膜を介して前記半導体に接続されるので、
配線金属膜の断線を防止することができる。

【００１９】請求項３の発明の構成によれば、コンタク
ト穴の内周壁及び底面に沿って形成された半導体基板と
同じ導電形のポリシリコン膜と、該ポリシリコン膜に電
気的導電性をもたせる為に前記コンタクト穴を埋め込む
ように形成されたスピン・オン・ガラス膜とを備えてな
るので、配線金属膜のカバレッジが改善され、かつ配線
金属膜はポリシリコン膜を介して前記半導体に接続され
るので、配線金属膜の断線を防止することができる。

【００２０】請求項４の発明の構成によれば、絶縁膜及
びコンタクト穴の底面と内周壁とに第１のポリシリコン
膜を形成し、前記第１のポリシリコン膜に半導体基板と
同じ導電形の電気的導電性をもたせ、第２のポリシリコ
ン膜を前記コンタクト穴を埋め込むように形成し、前記
コンタクト穴領域以外の領域の第２のポリシリコン膜の
みに前記半導体基板と同じ導電形の電気的導電性をもた
せるので、従来よりも低コストで配線金属膜のカバレッ
ジを改善でき、配線金属膜は前記第１のポリシリコン膜
を介して前記半導体基板と接続されるので配線金属膜の
断線が防止され且つ配線金属膜形成後の熱処理による接
続抵抗の増加が防止された半導体装置を得ることができ
る。

【００２１】請求項５の発明の構成によれば、絶縁膜及
びコンタクト穴の底面と内周壁とに第１のポリシリコン
膜を形成し、前記第１のポリシリコン膜に半導体基板と
同じ導電形の電気的導電性をもたせ、前記第１のポリシ
リコン膜の一部を熱酸化することによって形成される酸
化膜により前記コンタクト穴を埋め込み、前記酸化膜を
コンタクトコンタクト穴領域以外の領域における前記第
１のポリシリコン膜に達する深さまでエッチングするこ
とにより前記コンタクト穴のみに前記酸化膜を残すの
で、従来よりも低コストで配線金属膜のカバレッジが改
善でき、配線金属膜は前記第１のポリシリコン膜を介し
て前記半導体基板と接続されるので配線金属膜の断線が
防止され且つ配線金属膜形成後の熱処理による接続抵抗
の増加が防止された半導体装置を得ることができる。

【００２２】請求項６の発明の構成によれば、絶縁膜及
びコンタクト穴の底面と内周壁とに第１のポリシリコン
膜を形成し、前記ポリシリコン膜に半導体基板と同じ導
電形の不純物を含有するスピン・オン・ガラス膜を塗布
して熱処理することにより前記ポリシリコン膜に電気的
導電性をもたせ、前記スピン・オン・ガラス膜をコンタ
クト穴領域以外の領域における前記第１のポリシリコン
膜に達する深さまで除去することにより前記コンタクト
穴のみに前記スピン・オン・ガラス膜を残すので、従来
よりも低コストで配線金属膜のカバレッジが改善でき、
配線金属膜は前記第１のポリシリコン膜を介して前記半
導体基板と接続されるので配線金属膜の断線を防止され
且つ配線金属膜形成後の熱処理による接続抵抗の増加が
防止された半導体装置を得ることができる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。（実施例１）本実施例は請求項１及び請求項４の発明に
対応するものであり、請求項１の発明に対応する半導体
装置の構造は図１（ｃ）に示す構造である。

【００２４】図１（ｃ）に示す半導体装置の製造方法を
以下に説明する。まず、拡散層（例えば、ｎ形シリコン
層）３を有するシリコン基板１上に例えばボロンとリン
を含んだシリコン酸化膜よりなる絶縁膜２をＣＶＤ法な
どによって成膜する。続いて、例えば、フォトレジスト
層をスピン塗布乾燥し、通常のフォトリソグラフィ技術
によってコンタクト穴４に対応する開孔を有するレジス
ト層（図示せず）を形成し、次に、前記レジスト層をマ
スクとして、例えば、反応性ドライエッチング装置など
によって絶縁膜２を異方性エッチングすることによりコ
ンタクト穴４を形成し、その後、前記レジスト層を酸素
プラズマ処理、有機溶剤処理などによって除去すること
により図１（ａ）に示す構造が得られる。

【００２５】次に、絶縁膜２上と、コンタクト穴４の底
面及び側面とに第１のポリシリコン膜５をＣＶＤ法など
によって成膜する。ここで、例えば、コンタクト穴４の
直径が０．６μｍ程度の場合、第１のポリシリコン膜５
の厚さは０．１〜０．１５μｍとする。その後、ＰＯＣ
ｌ₃ガスを用いてリン（Ｐ）を第１のポリシリコン膜５
に拡散することにより第１のポリシリコン膜５に導電性
を付与する。続いて、ＰＯＣｌ₃の熱処理で形成された
リンガラスを希フッ酸水溶液などにより除去した後、Ｃ
ＶＤ法などによって第２のポリシリコン膜６を成膜す
る。ここで、第２のポリシリコン膜はコンタクト穴を埋
め込む度にその膜厚は０．１５〜０．２μｍ程度とす
る。その後、ＰＯＣｌ₃を用いてリンを拡散する。その
後、ＰＯＣｌ ₃の熱処理で形成されたリンガラス膜を希
フッ酸水溶液で除去することにより図１（ｂ）に示す構
造が得られる。

【００２６】その後、スパッタ法などによって例えばＡ
ｌ・Ｓｉ・Ｃｕ膜等のＡｌ合金よりなる配線金属膜７を
０．８μｍ程度の厚さに成膜することにより図１（ｃ）
に示す構造が得られる。その後、通常のフォトリソグラ
フィ技術とイオンミリング等とにより第２の配線膜と第
２のポリシリコン膜６と第１のポリシリコン膜５との不
要部分を除去する。

【００２７】図１（ｃ）の構造では、配線金属膜７から
の電流は第２のポリシリコン膜６の平面部６ａから第１
のポリシリコン膜５の側壁部５ａを介し、シリコン基板
１内の拡散層３に流れる。なお、第１のポリシリコン膜
の代わりに、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳ
ｉ）膜などを用いてもよいことは勿論である。

【００２８】（実施例２）本実施例は請求項２及び請求
項５の発明に対応するものであり、請求項２の発明に対
応する半導体装置の構造は図２（ｅ）に示す構造であ
る。図２（ｅ）に示す半導体装置の製造方法を以下に説
明する。まず、実施例１の図１（ａ）と同様の手順で、
拡散層（例えば、ｎ形シリコン層）３を有するシリコン
基板１上に形成された例えばボロンとリンを含んだシリ
コン酸化膜よりなる絶縁膜２にコンタクト穴４を形成す
ることにより図２（ａ）に示す構造が得られる。

【００２９】次に、ＣＶＤ法などによって全面にポリシ
リコン膜５を成膜する。ここで、コンタクト穴４の直径
が例えば０．６μｍ程度の場合、ポリシリコン膜５の厚
さは０．２〜０．２５μｍ程度に設定する。次に、ＰＯ
Ｃｌ₃ガスを用いてポリシリコン膜５にリンをドープし
て、ポリシリコン膜５に導電性を付与することにより図
２（ｂ）に示す構造が得られる。

【００３０】次に、リンがドープされたポリシリコン膜
５を熱酸化などにより酸化することによってシリコン酸
化膜６を形成し、シリコン酸化膜６によってコンタクト
穴４を埋め込むことにより図２（ｃ）に示す構造がえら
れる。この時、シリコン酸化膜６はポリシリコン膜５を
消費しながら形成される。つまり、コンタクト穴４を完
全に埋め込むために必要なシリコン酸化膜６の厚さは、
図４に示すように、例えば熱酸化などによりシリコン基
板１１にシリコン酸化膜を形成する場合、シリコン酸化
膜はもとのシリコン表面位置の上下方向に成膜され、（形成されたシリコン酸化膜の厚さ）×０．４５の厚さのシリコンが消費されるという基本特性にしたが
って決定される。

【００３１】次に、コンタクト穴４の部分のみにシリコ
ン酸化膜６ｂが残るようにシリコン酸化膜６をエッチン
グすることにより図２（ｄ）に示す構造が得られる。そ
の後、Ａｌ金属膜よりなる配線金属膜７を実施例１の図
１（ｃ）と同じ工程で形成することにより図２（ｅ）に
示す構造が得られる。図２（ｅ）の構造では、配線金属
膜７からの電流は、第１のポリシリコン膜５の平面部５
ａから側壁部５ｂを介しシリコン基板１内の拡散層３に
流れる。

【００３２】（実施例３）本実施例は請求項３及び請求
項６の発明に対応するものであり、請求項３の発明に対
応する半導体装置の構造は図３（ｅ）に示す構造であ
る。図３（ｅ）に示す半導体装置の製造方法を以下に説
明する。まず、実施例１の図１（ａ）と同様の手順で、
拡散層（例えば、ｎ形シリコン層）３を有するシリコン
基板１上に形成された例えばボロンとリンを含んだシリ
コン酸化膜よりなる絶縁膜２にコンタクト穴４を形成す
ることにより図３（ａ）に示す構造が得られる。

【００３３】次に、ＣＶＤ法などによって全面にポリシ
リコン膜５を０．１〜０．１５μｍの厚さに成膜するこ
とにより図３（ｂ）に示す構造が得られる。その後、リ
ンとシリコン酸化物を含んだガラス溶液を全面に塗布
し、８００〜１０００℃の熱処理を行い、前記ガラス溶
液をガラス化してＳＯＧ膜９を形成することにより図３
（ｃ）に示す構造が得られる。この時、コンタクト穴４
内部に満たされたＳＯＧ膜９ｂ中に含まれるＰがポリシ
リコン膜５内に拡散し、ポリシリコン膜５には電気的導
電性が付与される。

【００３４】次に、希フッ酸などによって、ＳＯＧ膜９
を平坦部のＳＯＧ膜９ａの厚さだけエッチングすること
により図３（ｄ）に示す構造が得られる。その後、スパ
ッタ法などによってＡｌ合金膜よりなる第２の配線層７
を堆積する。続いて、第２の配線層７の不要部分を除去
することにより図３（ｅ）に示す構造がえられる。

【００３５】

【発明の効果】請求項１の発明は、コンタクト穴の内周
壁及び底面に沿って形成された半導体基板と同じ導電形
の第１のポリシリコン膜と前記第１のポリシリコン膜に
沿って前記コンタクト穴を埋め込むように形成された第
２のポリシリコン膜とを有するので、コンタクト穴のカ
バレッジが改善され、かつ配線金属膜は第１のポリシリ
コン膜を介して前記半導体に接続されるので、配線金属
膜の断線を防止することができるという効果がある。

【００３６】請求項２の発明は、コンタクト穴の内周壁
及び底面に沿って形成された半導体基板と同じ導電形の
ポリシリコン膜と、該ポリシリコン膜の一部を熱酸化す
ることにより前記コンタクト穴を埋め込むように形成さ
れたシリコン酸化膜とを備えてなるので、請求項１の発
明の効果と同様の効果がある。請求項３の発明は、コン
タクト穴の内周壁及び底面に沿って形成された半導体基
板と同じ導電形のポリシリコン膜と、該ポリシリコン膜
に電気的導電性をもたせる為に前記コンタクト穴を埋め
込むように形成されたスピン・オン・ガラス膜とを備え
てなるので、請求項１の発明の効果と同様の効果があ
る。

【００３７】請求項４の発明は、絶縁膜及びコンタクト
穴の底面と内周壁とに第１のポリシリコン膜を形成し、
前記第１のポリシリコン膜に半導体基板と同じ導電形の
電気的導電性をもたせ、第２のポリシリコン膜を前記コ
ンタクト穴を埋め込むように形成し、前記コンタクト穴
領域以外の領域の第２のポリシリコン膜のみに前記半導
体基板と同じ導電形の電気的導電性をもたせるので、従
来よりも低コストで配線金属膜のカバレッジを改善で
き、配線金属膜は前記第１のポリシリコン膜を介して前
記半導体基板と接続されるので配線金属膜の断線が防止
され且つ配線金属膜形成後の熱処理による接続抵抗の増
加が防止された半導体装置を得ることができるという効
果がある。

【００３８】請求項５の発明は、絶縁膜及びコンタクト
穴の底面と内周壁とに第１のポリシリコン膜を形成し、
前記第１のポリシリコン膜に半導体基板と同じ導電形の
電気的導電性をもたせ、前記第１のポリシリコン膜の一
部を熱酸化することによって形成される酸化膜により前
記コンタクト穴を埋め込み、前記酸化膜をコンタクトコ
ンタクト穴領域以外の領域における前記第１のポリシリ
コン膜に達する深さまでエッチングすることにより前記
コンタクト穴のみに前記酸化膜を残すので、請求項４の
発明の効果と同様の効果がある。

【００３９】請求項６の発明は、絶縁膜及びコンタクト
穴の底面と内周壁とに第１のポリシリコン膜を形成し、
前記ポリシリコン膜に半導体基板と同じ導電形の不純物
を含有するスピン・オン・ガラス膜を塗布して熱処理す
ることにより前記ポリシリコン膜に電気的導電性をもた
せ、前記スピン・オン・ガラス膜をコンタクト穴領域以
外の領域における前記第１のポリシリコン膜に達する深
さまで除去することにより前記コンタクト穴のみに前記
スピン・オン・ガラス膜を残すので、請求項４の発明の
効果と同様の効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の主要工程断面図である。

【図２】本発明の実施例２の主要工程断面図である。

【図３】本発明の実施例３の主要工程断面図である。

【図４】本発明の背景となる、シリコンを酸化してシリ
コン酸化膜を形成するときの体積膨脹の原理説明図であ
る。

【図５】従来例を示す断面図である。

【図６】従来例を示す断面図である。

【図７】従来例を示す断面図である。

【図８】従来例を示す断面図である。

【符号の説明】

１シリコン基板２絶縁膜３拡散層４コンタクト穴５第１のポリシリコン膜６第２のポリシリコン膜７配線金属膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上の絶縁膜に形成されたコン
タクト穴と、前記コンタクト穴の内周壁及び底面に沿っ
て形成された前記半導体基板と同じ導電形の第１のポリ
シリコン膜と、前記第１のポリシリコン膜に沿って前記
コンタクト穴を埋め込むように形成された第２のポリシ
リコン膜とを備えてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】半導体基板上の絶縁膜に形成されたコン
タクト穴と、前記コンタクト穴の内周壁及び底面に沿っ
て形成された前記半導体基板と同じ導電形のポリシリコ
ン膜と、該ポリシリコン膜の一部を熱酸化することによ
り前記コンタクト穴を埋め込むように形成されたシリコ
ン酸化膜とを備えてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】半導体基板上の絶縁膜に形成されたコン
タクト穴と、前記コンタクト穴の内周壁及び底面に沿っ
て形成された前記半導体基板と同じ導電形のポリシリコ
ン膜と、該ポリシリコン膜に電気的導電性をもたせる為
に前記コンタクト穴を埋め込むように形成されたスピン
・オン・ガラス膜とを備えてなることを特徴とする半導
体装置。
【請求項４】半導体基板上の絶縁膜にコンタクト穴を
形成する第１の工程と、前記絶縁膜及び前記コンタクト
穴の底面と内周壁とに第１のポリシリコン膜を形成する
第２の工程と、前記第１のポリシリコン膜に前記半導体
基板と同じ導電形の電気的導電性をもたせる第３の工程
と、第２のポリシリコン膜を前記コンタクト穴を埋め込
むように形成する第４の工程と、前記コンタクト穴領域
以外の領域の第２のポリシリコン膜のみに前記半導体基
板と同じ導電形の電気的導電性をもたせる第５の工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】半導体基板上の絶縁膜にコンタクト穴を
形成する第１の工程と、前記絶縁膜及び前記コンタクト
穴の底面と内周壁とに第１のポリシリコン膜を形成する
第２の工程と、前記第１のポリシリコン膜に前記半導体
基板と同じ導電形の電気的導電性をもたせる第３の工程
と、前記第１のポリシリコン膜の一部を熱酸化すること
によって形成される酸化膜により前記コンタクト穴を埋
め込む第４の工程と、前記酸化膜をコンタクトコンタク
ト穴領域以外の領域における前記第１のポリシリコン膜
に達する深さまでエッチングすることにより前記コンタ
クト穴のみに前記酸化膜を残す第５の工程とを含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】半導体基板上の絶縁膜にコンタクト穴を
形成する第１の工程と、前記絶縁膜及び前記コンタクト
穴の底面と内周壁とに第１のポリシリコン膜を形成する
第２の工程と、前記ポリシリコン膜に前記半導体基板と
同じ導電形の不純物を含有するスピン・オン・ガラス膜
を塗布して熱処理することにより前記ポリシリコン膜に
電気的導電性をもたせる第３の工程と、前記スピン・オ
ン・ガラス膜をコンタクト穴領域以外の領域における前
記第１のポリシリコン膜に達する深さまで除去すること
により前記コンタクト穴のみに前記スピン・オン・ガラ
ス膜を残す第４の工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。