JPH0917632A - 軟磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド - Google Patents
軟磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッドInfo
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- JPH0917632A JPH0917632A JP7162158A JP16215895A JPH0917632A JP H0917632 A JPH0917632 A JP H0917632A JP 7162158 A JP7162158 A JP 7162158A JP 16215895 A JP16215895 A JP 16215895A JP H0917632 A JPH0917632 A JP H0917632A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 飽和磁束密度が大きく、優れた軟磁気特性を
有するとともに、磁気ヘッドに加工した場合にも優れた
軟磁性が維持される軟磁性膜を提供する。 【構成】 一般式ＦｅxＭyＬzＪuＱw（但し、式中Ｍは
Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈより選ばれた少なく
とも１種類を表し、ＬはＹ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの
少なくとも１種類を表し、ＪはＡｌ、Ｇａの少なくとも
１種類を表し、ＱはＳｉ、Ｇｅの少なくとも１種類を表
し、ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｗはそれぞれ各元素の割合を原子
％で示す。）で表され、その組成範囲が６８≦ｘ＜８
０、３≦ｙ＜１２、３＜ｚ＜５、０≦ｕ＜１０、１０＜
Ｗ＜２５である軟磁性膜である。前記軟磁性膜は、非磁
性セラミックス、磁性セラミックス上に成膜され、磁気
ヘッドに加工される。
有するとともに、磁気ヘッドに加工した場合にも優れた
軟磁性が維持される軟磁性膜を提供する。 【構成】 一般式ＦｅxＭyＬzＪuＱw（但し、式中Ｍは
Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈより選ばれた少なく
とも１種類を表し、ＬはＹ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの
少なくとも１種類を表し、ＪはＡｌ、Ｇａの少なくとも
１種類を表し、ＱはＳｉ、Ｇｅの少なくとも１種類を表
し、ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｗはそれぞれ各元素の割合を原子
％で示す。）で表され、その組成範囲が６８≦ｘ＜８
０、３≦ｙ＜１２、３＜ｚ＜５、０≦ｕ＜１０、１０＜
Ｗ＜２５である軟磁性膜である。前記軟磁性膜は、非磁
性セラミックス、磁性セラミックス上に成膜され、磁気
ヘッドに加工される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドのコア材等
として使用される軟磁性膜に関し、さらにはこの軟磁性
膜を用いた磁気ヘッドに関する。
として使用される軟磁性膜に関し、さらにはこの軟磁性
膜を用いた磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばＶＴＲ（ビデオテープレコーダ
ー）等の磁気記録再生装置においては、画質等を向上さ
せるために記録信号の高密度化が進められており、これ
に対応して、磁性粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属
の粉末を用いた，いわゆるメタルテープや、強磁性金属
材料を蒸着等の手法により直接ベースフィルム上に被着
した，いわゆる蒸着テープ等の高抗磁力媒体の開発が進
められている。
ー）等の磁気記録再生装置においては、画質等を向上さ
せるために記録信号の高密度化が進められており、これ
に対応して、磁性粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属
の粉末を用いた，いわゆるメタルテープや、強磁性金属
材料を蒸着等の手法により直接ベースフィルム上に被着
した，いわゆる蒸着テープ等の高抗磁力媒体の開発が進
められている。
【０００３】ところで、磁気記録媒体の高抗磁力化が進
むにつれ、記録再生に使用する磁気ヘッドのヘッド材料
には高飽和磁束密度化が要求される。例えば、従来ヘッ
ド材料として多用されるフェライト材では、飽和磁束密
度が低く、媒体の高抗磁力化に十分に対処することは難
しい。
むにつれ、記録再生に使用する磁気ヘッドのヘッド材料
には高飽和磁束密度化が要求される。例えば、従来ヘッ
ド材料として多用されるフェライト材では、飽和磁束密
度が低く、媒体の高抗磁力化に十分に対処することは難
しい。
【０００４】このような状況から、磁気ヘッドを構成す
る磁気コアを、フェライトやセラミックス等と高飽和磁
束密度を有する軟磁性膜との複合構造とし、軟磁性膜同
士を突き合わせ磁気ギャップを構成するようにした複合
型磁気ヘッドや、各磁気コアやコイル等を薄膜技術によ
り形成し、これらを絶縁膜を介して多層構造とした薄膜
磁気ヘッドが開発されている。
る磁気コアを、フェライトやセラミックス等と高飽和磁
束密度を有する軟磁性膜との複合構造とし、軟磁性膜同
士を突き合わせ磁気ギャップを構成するようにした複合
型磁気ヘッドや、各磁気コアやコイル等を薄膜技術によ
り形成し、これらを絶縁膜を介して多層構造とした薄膜
磁気ヘッドが開発されている。
【０００５】上記の磁気ヘッドに使用される軟磁性材料
としては、例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（いわゆるセン
ダスト合金）やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ等の非晶質軟磁性膜が
知られており、これら軟磁性材料は１テラス以上の高飽
和磁束密度を有する。
としては、例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（いわゆるセン
ダスト合金）やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ等の非晶質軟磁性膜が
知られており、これら軟磁性材料は１テラス以上の高飽
和磁束密度を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、高密度磁気
記録においては、磁気ヘッドのコア材に使用される軟磁
性膜に高い飽和磁束密度が要求される。従来このような
磁気ヘッドのコア材としては、先にも述べたようにＦｅ
−Ａｌ−Ｓｉ合金、非晶質合金等が使用されてきた。し
かしながら、これらにおいて、最も軟磁気特性が得ら
れ、かつ十分な熱的安定性が得られる組成では、飽和磁
束密度は１０ｋガウス程度であり、高密度磁気記録用の
磁気ヘッドとして使用する場合にはさらに高い飽和磁束
密度が要求される。
記録においては、磁気ヘッドのコア材に使用される軟磁
性膜に高い飽和磁束密度が要求される。従来このような
磁気ヘッドのコア材としては、先にも述べたようにＦｅ
−Ａｌ−Ｓｉ合金、非晶質合金等が使用されてきた。し
かしながら、これらにおいて、最も軟磁気特性が得ら
れ、かつ十分な熱的安定性が得られる組成では、飽和磁
束密度は１０ｋガウス程度であり、高密度磁気記録用の
磁気ヘッドとして使用する場合にはさらに高い飽和磁束
密度が要求される。
【０００７】これに対して、本願出願人が開発したＦｅ
−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉの組成で構成される軟磁性膜は、軟
磁性に優れ、飽和磁束が１．２テラス程度で、磁気ヘッ
ドのコア材として優れた特性を示すことが知られてい
る。
−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉの組成で構成される軟磁性膜は、軟
磁性に優れ、飽和磁束が１．２テラス程度で、磁気ヘッ
ドのコア材として優れた特性を示すことが知られてい
る。
【０００８】ところで、磁気ヘッドを製造する際には、
セラミック基板に砥石加工を施し、その加工面に直に、
あるいは下地膜を介して軟磁性膜を成膜する必要がある
が、現行の材料では、このような加工面に成膜した場
合、磁気特性が劣化、あるいは膜自体が剥離する等の欠
点がある。
セラミック基板に砥石加工を施し、その加工面に直に、
あるいは下地膜を介して軟磁性膜を成膜する必要がある
が、現行の材料では、このような加工面に成膜した場
合、磁気特性が劣化、あるいは膜自体が剥離する等の欠
点がある。
【０００９】そこで、本発明は、磁気ヘッドコア材料と
して飽和磁束密度が大きく、優れた軟磁気特性を有する
とともに、磁気ヘッドに加工した場合でも優れた軟磁性
を維持できる軟磁性膜を提供することを目的とし、これ
により電磁変換特性に優れた磁気ヘッドを提供すること
を目的とする。
して飽和磁束密度が大きく、優れた軟磁気特性を有する
とともに、磁気ヘッドに加工した場合でも優れた軟磁性
を維持できる軟磁性膜を提供することを目的とし、これ
により電磁変換特性に優れた磁気ヘッドを提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前述の目
的を達成せんものと鋭意研究を重ねた結果、Ｆｅ−Ｒｕ
−Ｇａ−Ｓｉ、或いはＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ等の合金にＹ、
Ｈｆ、Ｚｒ等の元素を適当量添加することによって、機
械加工面などの荒れた面上でも優れた軟磁気特性が得ら
れることを見いだした。
的を達成せんものと鋭意研究を重ねた結果、Ｆｅ−Ｒｕ
−Ｇａ−Ｓｉ、或いはＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ等の合金にＹ、
Ｈｆ、Ｚｒ等の元素を適当量添加することによって、機
械加工面などの荒れた面上でも優れた軟磁気特性が得ら
れることを見いだした。
【００１１】本発明は、かかる知見に基づいて完成され
たものであって、本願第１の発明にかかる軟磁性膜は、
ＦｅxＭyＬzＪuＱw（但し、式中ＭはＲｕ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈより選ばれた少なくとも１種類を表
し、ＬはＹ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの少なくとも１種
類を表し、ＪはＡｌ、Ｇａの少なくとも１種類を表し、
ＱはＳｉ、Ｇｅの少なくとも１種類を表し、ｘ、ｙ、
ｚ、ｕ、ｗはそれぞれ各元素の割合を原子％で示す。）
なる一般式で表され、その組成範囲が ６８≦ｘ＜８０ ３≦ｙ＜１２ ３＜ｚ＜５ ０≦ｕ＜１０ １０＜Ｗ＜２５ であることを特徴とするものである。
たものであって、本願第１の発明にかかる軟磁性膜は、
ＦｅxＭyＬzＪuＱw（但し、式中ＭはＲｕ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈより選ばれた少なくとも１種類を表
し、ＬはＹ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの少なくとも１種
類を表し、ＪはＡｌ、Ｇａの少なくとも１種類を表し、
ＱはＳｉ、Ｇｅの少なくとも１種類を表し、ｘ、ｙ、
ｚ、ｕ、ｗはそれぞれ各元素の割合を原子％で示す。）
なる一般式で表され、その組成範囲が ６８≦ｘ＜８０ ３≦ｙ＜１２ ３＜ｚ＜５ ０≦ｕ＜１０ １０＜Ｗ＜２５ であることを特徴とするものである。
【００１２】また、本願第２の発明にかかる磁気ヘッド
は、磁気コアの少なくとも一部が、前記軟磁性膜により
構成されてなるものである。
は、磁気コアの少なくとも一部が、前記軟磁性膜により
構成されてなるものである。
【００１３】本発明の軟磁性膜は、基本的には、Ｆｅ−
Ａｌ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ等を
基本組成とする微結晶合金であり、優れた軟磁性薄膜が
得られ、さらに磁気ヘッドとして必要な摩耗特性を改善
するためにＲｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈを添加す
る。特に、Ｒｕを添加すると摩耗特性の改善が大きく、
かつ飽和磁束密度の低下が小さい。これらの添加量は、
所定の効果を得るため、３原子％以上とし、飽和磁束密
度の低下を押さえるために１２原子％未満とする。
Ａｌ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ等を
基本組成とする微結晶合金であり、優れた軟磁性薄膜が
得られ、さらに磁気ヘッドとして必要な摩耗特性を改善
するためにＲｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈを添加す
る。特に、Ｒｕを添加すると摩耗特性の改善が大きく、
かつ飽和磁束密度の低下が小さい。これらの添加量は、
所定の効果を得るため、３原子％以上とし、飽和磁束密
度の低下を押さえるために１２原子％未満とする。
【００１４】また、これらの合金にＹ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔ
ａ、Ｎｂ等の金属元素を前記範囲で添加することによっ
て、磁気ヘッドを作製する際の機械加工面のように荒れ
た面に成膜した場合にも磁気特性の劣化が少なく、優れ
た特性の磁気ヘッドを得ることができる。
ａ、Ｎｂ等の金属元素を前記範囲で添加することによっ
て、磁気ヘッドを作製する際の機械加工面のように荒れ
た面に成膜した場合にも磁気特性の劣化が少なく、優れ
た特性の磁気ヘッドを得ることができる。
【００１５】本発明の軟磁性膜は、スパッタリング等の
いわゆる気相メッキ技術によって製造される。スパッタ
リングは、所望の組成比となるように調整された合金タ
ーゲットを用いて行っても良いし、各原子のターゲット
を個別に用意し、その面積や印加出力等を調整して、組
成をコントロールするようにして行っても良い。特に前
者の方法を採用した場合、膜組成はターゲット組成によ
ってほぼ一意に決まるので、例えば大量生産するうえで
好適である。
いわゆる気相メッキ技術によって製造される。スパッタ
リングは、所望の組成比となるように調整された合金タ
ーゲットを用いて行っても良いし、各原子のターゲット
を個別に用意し、その面積や印加出力等を調整して、組
成をコントロールするようにして行っても良い。特に前
者の方法を採用した場合、膜組成はターゲット組成によ
ってほぼ一意に決まるので、例えば大量生産するうえで
好適である。
【００１６】上記軟磁性膜は、熱膨張係数が１００×１
０-7〜１４０×１０-7の非磁性または磁性セラミック上
に成膜することが好ましい。
０-7〜１４０×１０-7の非磁性または磁性セラミック上
に成膜することが好ましい。
【００１７】また、本発明の軟磁性膜における熱処理温
度は、最高加熱温度で５００℃以上７５０℃以下とする
ことが好ましい。
度は、最高加熱温度で５００℃以上７５０℃以下とする
ことが好ましい。
【００１８】本発明を適用した軟磁性膜は、単層膜であ
ってもよく、パーマロイ等の磁性金属や、Ａｇ、Ｃｕ等
の非磁性金属、さらにはＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2等のセラミ
ックス材料等で分断した積層構造とした多層膜であって
もよい。
ってもよく、パーマロイ等の磁性金属や、Ａｇ、Ｃｕ等
の非磁性金属、さらにはＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2等のセラミ
ックス材料等で分断した積層構造とした多層膜であって
もよい。
【００１９】上記軟磁性膜は、前述の複合型磁気ヘッド
や薄膜磁気ヘッド等、任意の構造の磁気ヘッドの磁気コ
アとして用いられるが、面粗さが０．１μｍ以上の面に
成膜された部分を少なくとも一部に持つ場合に有効であ
る。
や薄膜磁気ヘッド等、任意の構造の磁気ヘッドの磁気コ
アとして用いられるが、面粗さが０．１μｍ以上の面に
成膜された部分を少なくとも一部に持つ場合に有効であ
る。
【００２０】
【作用】Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ等の軟磁
性合金に、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈを添加す
ることで、耐摩耗性が改善される。特に、Ｒｕを添加し
た場合には、摩耗特性の改善が著しく、飽和磁束密度の
低下が小さい。
性合金に、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈを添加す
ることで、耐摩耗性が改善される。特に、Ｒｕを添加し
た場合には、摩耗特性の改善が著しく、飽和磁束密度の
低下が小さい。
【００２１】また、前記軟磁性合金に、Ｙ、Ｈｆ、Ｚ
ｒ、Ｔａ、Ｎｂ等の金属元素を添加することによって、
機械加工面のような荒れた面に成膜した場合にも磁気特
性が劣化することはなく、高い飽和磁束密度と優れた軟
磁気特性が維持される。
ｒ、Ｔａ、Ｎｂ等の金属元素を添加することによって、
機械加工面のような荒れた面に成膜した場合にも磁気特
性が劣化することはなく、高い飽和磁束密度と優れた軟
磁気特性が維持される。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、実験結果を参照しながら詳細に説明する。
いて、実験結果を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】本実施例において、軟磁性膜の成膜は、合
金ターゲット（直径１００ｍｍ）を用いたＤＣマグネト
ロンスパッタにより行った。成膜時の条件は下記の通り
である。
金ターゲット（直径１００ｍｍ）を用いたＤＣマグネト
ロンスパッタにより行った。成膜時の条件は下記の通り
である。
【００２４】スパッタ条件 到達真空度 ２×１０-4Ｐａ Ａｒガス圧 ０．５Ｐａ 投入電力 ４００Ｗ 作成した膜の膜厚は１０μｍである。
【００２５】上記条件下、各種組成を有するサンプルを
作成し、得られた各サンプルについて保磁力、透磁率、
飽和磁束密度を測定した。
作成し、得られた各サンプルについて保磁力、透磁率、
飽和磁束密度を測定した。
【００２６】なお、保磁力ＨｃはＢ−Ｈループトレーサ
ー、透磁率は８の字型透磁率測定装置により測定した。
飽和磁束密度は試料振動型磁力計により測定した。
ー、透磁率は８の字型透磁率測定装置により測定した。
飽和磁束密度は試料振動型磁力計により測定した。
【００２７】スパッタリングターゲットとしてはＦｅ−
Ｒｕ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｓｉの合金ターゲットを用いて成膜
し、６００℃、６５０℃、７００℃、７５０℃、８００
℃の各温度で熱処理した場合のターゲット組成、、磁歪
が零を示す線及び保磁力を図１から図５に、飽和磁束密
度と１ＭＨｚでの透磁率を図６から図１０に示す。さら
には、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金における保磁力のＲ
ｕ依存性を図１１に、Ｈｆ依存性を図１２に示す。
Ｒｕ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｓｉの合金ターゲットを用いて成膜
し、６００℃、６５０℃、７００℃、７５０℃、８００
℃の各温度で熱処理した場合のターゲット組成、、磁歪
が零を示す線及び保磁力を図１から図５に、飽和磁束密
度と１ＭＨｚでの透磁率を図６から図１０に示す。さら
には、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金における保磁力のＲ
ｕ依存性を図１１に、Ｈｆ依存性を図１２に示す。
【００２８】また、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｙ−Ｇａ−Ｓｉ、Ｆｅ
−Ｒｕ−Ｔａ−Ｓｉの組み合わせにおける、保磁力と飽
和磁束密度の一例を表１に示す。
−Ｒｕ−Ｔａ−Ｓｉの組み合わせにおける、保磁力と飽
和磁束密度の一例を表１に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】次に、Ｆｅ68Ｒｕ4Ｈｆ4Ｇａ6Ｓｉ18、及
びＦｅ67Ｒｕ6Ｇａ6Ｓｉ17なる組成の磁性膜を、熱膨張
係数を変えた基板上に成膜し、このときの磁気特性と膜
の状態を測定した。結果を表２に示す。
びＦｅ67Ｒｕ6Ｇａ6Ｓｉ17なる組成の磁性膜を、熱膨張
係数を変えた基板上に成膜し、このときの磁気特性と膜
の状態を測定した。結果を表２に示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】この表２から、本発明の軟磁性膜は広い熱
膨張係数の基板に適応できることがわかる。
膨張係数の基板に適応できることがわかる。
【００３３】また、非磁性の基板に機械加工を施して表
面を荒した場合の表面粗さと磁気特性の関係を表３に示
す。このときの熱処理は７００℃で行った。
面を荒した場合の表面粗さと磁気特性の関係を表３に示
す。このときの熱処理は７００℃で行った。
【００３４】
【表３】
【００３５】この表３から、本発明の軟磁性膜は荒れた
表面でも十分な軟磁性が得られることがわかる。
表面でも十分な軟磁性が得られることがわかる。
【００３６】次に、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｓｉ磁性
膜とＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ磁性膜を用いて複合型の磁
気ヘッドを作製し、相対出力を比較した。測定した相対
出力を表４に示す。ヘッド基板はＭｎ−Ｚｎフェライト
を用いてギャップ面に磁性膜が平行に成膜された形状の
磁気ヘッドとし、膜厚は４μｍ、ギャップのガラス接着
の温度は５５０℃で行った。記録再生測定は固定ヘッド
測定器を用いて自己録再で行った。磁気テープは保磁力
１７０００ｅのメタルテープを用いて、相対速度１０ｍ
／ｓで行った。
膜とＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ磁性膜を用いて複合型の磁
気ヘッドを作製し、相対出力を比較した。測定した相対
出力を表４に示す。ヘッド基板はＭｎ−Ｚｎフェライト
を用いてギャップ面に磁性膜が平行に成膜された形状の
磁気ヘッドとし、膜厚は４μｍ、ギャップのガラス接着
の温度は５５０℃で行った。記録再生測定は固定ヘッド
測定器を用いて自己録再で行った。磁気テープは保磁力
１７０００ｅのメタルテープを用いて、相対速度１０ｍ
／ｓで行った。
【００３７】
【表４】
【００３８】この表４から、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｈｆ−Ｇａ−
Ｓｉの方が出力が大きく、優れた記録再生特性を示すこ
とがわかる。
Ｓｉの方が出力が大きく、優れた記録再生特性を示すこ
とがわかる。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、Ｆｅ
−Ｇａ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ等の軟磁性合金にＲｕ
等の金属元素とＹ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ等の金属元
素の両者を添加することによって、高い飽和磁束密度と
優れた軟磁気特性、耐摩耗性が得られ、磁気ヘッドのコ
ア材として適用することによって、優れた再生特性の磁
気ヘッドを提供することができる。
−Ｇａ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ等の軟磁性合金にＲｕ
等の金属元素とＹ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ等の金属元
素の両者を添加することによって、高い飽和磁束密度と
優れた軟磁気特性、耐摩耗性が得られ、磁気ヘッドのコ
ア材として適用することによって、優れた再生特性の磁
気ヘッドを提供することができる。
【００４０】また、本発明の軟磁性膜においては、５０
０℃から８００℃までの優れた耐熱特性と、広い基板の
熱膨張係数適応性と、平坦性の良くない荒れた基板に成
膜しても十分な磁気特性が得られ、磁気ヘッドに適応し
た場合に良好な記録再生を持つ磁気ヘッドを提供するこ
とができる。
０℃から８００℃までの優れた耐熱特性と、広い基板の
熱膨張係数適応性と、平坦性の良くない荒れた基板に成
膜しても十分な磁気特性が得られ、磁気ヘッドに適応し
た場合に良好な記録再生を持つ磁気ヘッドを提供するこ
とができる。
【図１】６００℃でアニールした膜のターゲット組成と
保磁力分布、零磁歪曲線の関係を示す特性図である。
保磁力分布、零磁歪曲線の関係を示す特性図である。
【図２】６５０℃でアニールした膜のターゲット組成と
保磁力分布、零磁歪曲線の関係を示す特性図である。
保磁力分布、零磁歪曲線の関係を示す特性図である。
【図３】７００℃でアニールした膜のターゲット組成と
保磁力分布、零磁歪曲線の関係を示す特性図である。
保磁力分布、零磁歪曲線の関係を示す特性図である。
【図４】７５０℃でアニールした膜のターゲット組成と
保磁力分布、零磁歪曲線の関係を示す特性図である。
保磁力分布、零磁歪曲線の関係を示す特性図である。
【図５】８００℃でアニールした膜のターゲット組成と
保磁力分布、零磁歪曲線の関係を示す特性図である。
保磁力分布、零磁歪曲線の関係を示す特性図である。
【図６】６００℃でアニールした膜のターゲット組成と
透磁率、飽和磁束密度の関係を示す特性図である。
透磁率、飽和磁束密度の関係を示す特性図である。
【図７】６５０℃でアニールした膜のターゲット組成と
透磁率、飽和磁束密度の関係を示す特性図である。
透磁率、飽和磁束密度の関係を示す特性図である。
【図８】７００℃でアニールした膜のターゲット組成と
透磁率、飽和磁束密度の関係を示す特性図である。
透磁率、飽和磁束密度の関係を示す特性図である。
【図９】７５０℃でアニールした膜のターゲット組成と
透磁率、飽和磁束密度の関係を示す特性図である。
透磁率、飽和磁束密度の関係を示す特性図である。
【図１０】８００℃でアニールした膜のターゲット組成
と透磁率、飽和磁束密度の関係を示す特性図である。
と透磁率、飽和磁束密度の関係を示す特性図である。
【図１１】Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金における保磁力
のＲｕ依存性を示す特性図である。
のＲｕ依存性を示す特性図である。
【図１２】Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ合金における保磁力
のＨｆ依存性を示す特性図である。
のＨｆ依存性を示す特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 康成 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 ＦｅxＭyＬzＪuＱw（但し、式中ＭはＲ
ｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈより選ばれた少なくと
も１種類を表し、ＬはＹ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの少
なくとも１種類を表し、ＪはＡｌ、Ｇａの少なくとも１
種類を表し、ＱはＳｉ、Ｇｅの少なくとも１種類を表
し、ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｗはそれぞれ各元素の割合を原子
％で示す。）なる一般式で表され、その組成範囲が ６８≦ｘ＜８０ ３≦ｙ＜１２ ３＜ｚ＜５ ０≦ｕ＜１０ １０＜Ｗ＜２５ であることを特徴とする軟磁性膜。 - 【請求項２】 熱膨張係数が１００×１０ー7〜１４０×
１０ー7の非磁性セラミックスまたは磁性セラミックス上
に成膜されていることを特徴とする請求項１記載の軟磁
性膜。 - 【請求項３】 加熱最大温度が５００℃以上、７５０℃
以下とされていることを特徴とする請求項１記載の軟磁
性膜。 - 【請求項４】 磁気コアの少なくとも一部が軟磁性膜に
より構成され、 前記軟磁性膜が、ＦｅxＭyＬzＪuＱw（但し、式中Ｍは
Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈより選ばれた少なく
とも１種類を表し、ＬはＹ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの
少なくとも１種類を表し、ＪはＡｌ、Ｇａの少なくとも
１種類を表し、ＱはＳｉ、Ｇｅの少なくとも１種類を表
し、ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｗはそれぞれ各元素の割合を原子
％で示す。）なる一般式で表され、その組成範囲が ６８≦ｘ＜８０ ３≦ｙ＜１２ ３＜ｚ＜５ ０≦ｕ＜１０ １０＜Ｗ＜２５ であることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項５】 軟磁性膜が面粗さ０．１μｍ以上の面に
成膜された部分を少なくとも一部にもつことを特徴とす
る請求項４記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7162158A JPH0917632A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 軟磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド |
| US08/672,043 US5786103A (en) | 1995-06-28 | 1996-06-26 | Soft magnetic film and magnetic head employing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7162158A JPH0917632A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 軟磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917632A true JPH0917632A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15749141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7162158A Pending JPH0917632A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 軟磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5786103A (ja) |
| JP (1) | JPH0917632A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3772458B2 (ja) * | 1997-04-30 | 2006-05-10 | ソニー株式会社 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US20060042938A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-02 | Heraeus, Inc. | Sputter target material for improved magnetic layer |
| US20060286414A1 (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Heraeus, Inc. | Enhanced oxide-containing sputter target alloy compositions |
| US20070253103A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Heraeus, Inc. | Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4762755A (en) * | 1983-11-02 | 1988-08-09 | Hitachi, Ltd. | Ferromagnetic material and a magnetic head using the same material |
| JP2961034B2 (ja) * | 1993-09-16 | 1999-10-12 | アルプス電気株式会社 | 磁気ヘッド |
-
1995
- 1995-06-28 JP JP7162158A patent/JPH0917632A/ja active Pending
-
1996
- 1996-06-26 US US08/672,043 patent/US5786103A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5786103A (en) | 1998-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040113 |