JPH09175893A - 引上げ結晶重量測定装置 - Google Patents

引上げ結晶重量測定装置

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JPH09175893A JP7350040A JP35004095A JPH09175893A JP H09175893 A JPH09175893 A JP H09175893A JP 7350040 A JP7350040 A JP 7350040A JP 35004095 A JP35004095 A JP 35004095A JP H09175893 A JPH09175893 A JP H09175893A
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    • Y10T117/1032—Seed pulling

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 本発明はケーブル方式の単結晶引上げ機にお
いて、引上げ重量を検出するロードセルを簡単で且つ安
価な構成にし、しかも測定精度を向上させることを目的
とする。 【解決手段】 成長した結晶４をケーブル１で引上げる
ようにした単結晶引上げ機において、ケーブル巻取り機
構６として、負荷板１２に支持され且つケーブル１の向
きを１８０度変換するガイドプーリ１０と、ベースプレ
ート５に固定され且つケーブル１を巻取る巻取りドラム
８を設け、荷重のかかる負荷板１２を複数の小荷重用ロ
ードセル７、…で同時に支持し荷重を分散させて測定す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ケーブル方式の単
結晶引上げ機のケーブル巻取り機構に組込まれるロード
セルによって結晶重量を測定する技術の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ケーブル方式の単結晶引上げ機に
おいて、ケーブル巻取り機構にロードセルを組込み、結
晶重量の変化によって直径制御や引上げられた結晶重量
の測定を行うような技術が知られている。この際、ロー
ドセルの精度は通常フルスケールに対する誤差で表わさ
れるため、例えば結晶重量が重くなってロードセルのフ
ルスケールをそれに合せて高荷重用のものにするとそれ
だけ精度が低下し、これに対して大容量高精度のロード
セルを使用しようとすると、それだけコスト高になると
いう問題がある。
【０００３】そこでケーブル巻取り機構にロードセルを
組込む技術として、例えば特公平５−１９０８７号の図
面とか特開平７−１７２９８０号のような技術が開示さ
れている。そして前者の場合は、図３に示すように、結
晶を引上げるケーブル５１をガイドプーリ５２を介して
巻取りドラム５３で巻取るようにしたケーブル巻取り回
転機構において、結晶重量（Ｗ）の２倍の荷重（２Ｗ）
が加わるガイドプーリ５２を負荷板５４で支持し、この
負荷板５４を複数の支柱５５、５６、…で支えて荷重を
均一に分散させ、そのうち１ヵ所の支柱５５にロードセ
ル５７を設置して重量を検出するようにしている。
【０００４】また、後者の場合は、図４に示すように、
一端側が支柱５８に枢支される水平アーム５９の先端に
ガイドプーリ５２を枢着するとともに、このアーム５９
先端をロードセル５７を介して真上に懸吊支持し、ガイ
ドプーリ５２によって水平に方向変換されたケーブル５
１を巻取りドラム５３で水平に巻取ることで、結晶重量
（Ｗ）と同じ荷重のフルスケールのロードセル５７を使
用することが出来るようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前者のよう
に負荷板５４を複数の支柱５５、５６、…で支えて荷重
を分散させ、そのうち１箇所のロードセル５７で測定す
る方法は、各支柱５５、５６、…に均等に荷重を分散さ
せることが前提になっており、誤差が出やすいという難
点があった。また、後者の場合は結晶重量と同じ荷重の
フルスケースのロードセルを使用出来るものの、結晶重
量が重くなると大容量高精度のロードセルが必要とな
り、しかもリンク機構を採用しているため機構が複雑
で、組立精度の維持、メインテナンス性等に問題があっ
た。
【０００６】そこで、近年の半導体技術の進歩によっ
て、ますます大径高重量結晶が要求されるなか、構成が
簡単で安価であり、しかも精度の良い測定技術が望まれ
ていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、ケーブル方式の単結晶引上げ機のケーブル巻
取り機構に引上げ荷重を検出するロードセルを組込み、
このロードセルの検出値によって結晶直径制御又は引上
げ結晶重量の測定を行うようにした引上げ結晶重量測定
装置において、前記ロードセルを、引上げ荷重を同時に
受ける複数の小荷重用ロードセルにて構成するようにし
た。
【０００８】この際、ロードセルａのフルスケールをＡ
とし、この誤差をフルスケールＡのε％とした場合に、
結晶重量を単体のロードセルａで測定すると、誤差σa
は下記数式１ので表わされる。また、ロードセルｂの
フルスケールをＢとし、このロードセルｂの単体誤差を
σb とすると、同一容量、同一形式のロードセルｂをｎ
個同時に使用して測定した場合に、総合誤差σt は下記
の数式１ので表わされることが知られている。
【０００９】
【数１】
【００１０】このため、ロードセルｂのフルスケールＢ
が、ロードセルａのフルスケールＡの１／ｎである場
合、すなわち、Ｂ＝Ａ／ｎの場合、このロードセルｂの
誤差をε％とすると、個々のロードセルｂ、…の誤差σ
b は下記数式２ののように表わされ、このロードセル
ｂをｎ個同時に併用した場合、前記総合誤差σt は下記
数式２ののように纏められる。すなわち、小容量のロ
ードセルｂをｎ個併用して測定した場合の総合誤差σt
の方が、大容量のロードセルａ単体で測定する場合の誤
差σa よりも小さくなり測定精度が増す。
【００１１】
【数２】
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例につい
て添付した図面に基づき説明する。ここで図１は本発明
の引上げ結晶重量測定装置の平面図、図２は図１のＸ−
Ｘ線断面図である。本発明の引上げ結晶重量測定装置
は、例えばシリコン単結晶の製造方法として知られるチ
ョクラルスキー法の単結晶引上げ機等に適用され、ケー
ブル巻取り機構にロードセルを組込んで結晶重量を測定
し、重量偏差によって結晶引上げ速度とか炉内温度等を
調整して結晶直径を制御したり、或いは引上げられた結
晶重量を炉内で測定する等のため使用される。
【００１３】この引上げ重量測定装置は、図１及び図２
に示すように、引上げケーブル１下端のシードチャック
２が保持する種結晶３の下方に成長する結晶４の重量を
測定することが出来るようにされ、ベースプレート５の
上方のケーブル巻取り機構６に複数のロードセル７、…
を組込んで構成するようにしている。
【００１４】すなわち、前記巻取り機構６は、ベースプ
レート５によって支持されるケーブル巻取りドラム８
と、このケーブル巻取りドラム８の上方に位置するガイ
ドプーリ１０を備え、前記ケーブル１はガイドプーリ１
０を介して方向を１８０度変換して巻取りドラム８によ
って巻取ることが出来るようにされるとともに、前記ベ
ースプレート５にはケーブル１を挿通させるための貫通
孔が設けられ、この貫通孔にはケーブルガイドスリーブ
１１が装着されている。
【００１５】そして、前記巻取りドラム８は、シャフト
９に対して回転自在とされており、このシャフト９は、
ベースプレート５から上方に向けて突設されたブラケッ
ト５ａに軸受けされている。
【００１６】また、前記ガイドプーリ１０は、平面視略
三角形状の負荷板１２の略中央部に回転可能に取付けら
れている。すなわち、負荷板１２の中央には、ガイドプ
ーリ１０の上端の一部を突出させることの出来る切欠き
孔１２ａを形成しており、この切欠き孔１２ａの長辺側
の内面に接するよう下方に向けて一対のブラケット１２
ｂ、１２ｂを突設するとともに、このブラケット１２
ｂ、１２ｂにガイドプーリ１０の回転軸１３を枢着して
いる。そしてこの負荷板１２の略三角形の頂点附近に
は、下方に向けて突出するピボット１２ｃ、‥を設けて
いる。
【００１７】一方、ベースプレート５上には、前記負荷
板１２のピボット１２ｃ、‥に対応して３本の支柱１
４、‥を立設しており、各支柱１４、‥の上部にはロー
ドセル７、‥を取付けている。そしてこのロードセル
７、‥によってピボット１２ｃ、‥の下端部を支えるこ
とが出来るようにされるとともに、図１に示すような状
態にセットした際、ガイドプーリ１０の中心Ｐから各ピ
ボット１２ｃ、‥の支持点までの距離がいずれも同じ距
離ｓになるようにしている。
【００１８】このため、例えば結晶４の重量がＷであれ
ばガイドプーリ１０を介して負荷板１２に２Ｗの下向き
荷重が加わり、各ロードセル７、‥には均等に２Ｗ／３
の荷重が分散されて加わる。
【００１９】このような結晶重量測定装置において、例
えば１５０kgの結晶重量を引上げる時の作用について従
来例と比較しつつ説明する。結晶重量が１５０kgである
場合、負荷板１２には３００kgの荷重がかかり、単一の
ロードセル７には３００×１／３＝１００kgが加わる。
従って、フルスケールが１００kg（実際は余裕を持たせ
る必要があるが、説明上限度一杯の１００kgとする）の
ロードセルを使用し、このロードセル単体の精度がフル
スケールの０．０２％である場合、結晶重量測定精度ω
は、下記の数式３のように１１．６ｇとなる。
【００２０】
【数３】
【００２１】これに対して、例えば図３に示す従来技術
で測定する場合を考えると、この時の支柱５５、５６、
…が３本であればロードセルのフルスケールは１００kg
で良いが、結晶重量測定精度ωは１００×０．０００２
＝０．０２kg、すなわち２０ｇとなり本発明の場合の約
１／２の精度となる。しかもこの精度は各ロードセルに
荷重が均等に分散された場合であり、荷重の分散精度が
狂うと測定誤差は一層増す。
【００２２】また、例えば図４に示す従来技術で測定す
る場合を考えると、このロードセルのフルスケールは結
晶重量と同じ１５０kgが必要となり、ロードセル単体の
精度を同様に０．０２％とすると、結晶重量測定精度ω
は１５０×０．０００２＝０．０３kg、すなわち３０ｇ
の精度になり、本発明の精度の約１／３である。
【００２３】そして、引上げ結晶重量の測定精度を向上
させることが出来れば、このロードセルの検出値で制御
される結晶直径の精度も向上し、或いは引上げられた結
晶重量の測定精度も向上する。尚、ロードセルの数は実
施例のように３個に限られるものではなく、２個、或い
は３個以上であっても良いことはいうまでもない。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明は、ケーブル方式の
単結晶引上げ機で引上げ荷重を測定するようにした引上
げ結晶重量測定装置において、引上げ荷重を同時に受け
る複数の小荷重用ロードセルを配設するようにしたた
め、構造が簡単で且つ安価なロードセルを使用しながら
も測定精度を高めることが出来、このロードセルの検出
値で制御される結晶直径、又は引上げ後の重量測定の精
度を向上させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の引上げ結晶重量測定装置の平面図であ
る。
【図２】図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【図３】第１の従来例を示した図である。
【図４】第２の従来例を示した図である。
【符号の説明】
１ ケーブル ２ シードチャック ３ 種結晶 ４ 結晶 ５ ベースプレート ５ａ ブラケット ６ ケーブル巻取り機構 ７ ロードセル ８ ケーブル巻取りドラム ９ シャフト １０ ガイドプーリ １１ ケーブルガイド
スリーブ １２ 負荷板 １２ａ 切欠き孔 １２ｂ ブラケット １２ｃ ピボット １３ 回転軸 １４ 支柱 ５１ ケーブル ５２ ガイドプーリ ５３ 巻取りドラム ５４ 負荷板 ５５、５６、５８ 支柱 ５７ ロードセル ５９ 水平アーム Ｗ 結晶重量 Ｐ ガイドプーリ中心

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ケーブル方式の単結晶引上げ機のケーブ
    ル巻取り機構に引上げ荷重を検出するロードセルを組込
    み、このロードセルの検出値によって結晶直径制御又は
    引上げた結晶重量の測定を行うようにした引上げ結晶重
    量測定装置において、前記ロードセルを、引上げ荷重を
    同時に受ける複数の小荷重用ロードセルにて構成したこ
    とを特徴とする引上げ結晶重量測定装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112008002237T5 (de) 2007-08-31 2010-07-08 Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. Verfahren zur Erfassung des Durchmessers eines Einkristalls und Einkristallziehvorrichtung
KR20160090099A (ko) * 2015-01-21 2016-07-29 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템 및 제어 방법

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3402012B2 (ja) * 1995-04-21 2003-04-28 信越半導体株式会社 単結晶の成長方法及び装置
JPH10273390A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Super Silicon Kenkyusho:Kk 半導体単結晶製造装置
JP3964002B2 (ja) * 1997-06-02 2007-08-22 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 単結晶保持装置及び単結晶保持方法
US6051064A (en) * 1998-08-20 2000-04-18 Seh America, Inc. Apparatus for weighing crystals during Czochralski crystal growing
DE10007265B4 (de) * 2000-02-17 2009-10-22 Crystal Growing Systems Gmbh Kristallziehanlage
DE10124899B4 (de) * 2001-05-22 2013-09-05 Crystal Growing Systems Gmbh Kristallziehanlage mit einer Hubeinrichtung
JP5342399B2 (ja) * 2009-10-05 2013-11-13 大和製衡株式会社 吊り秤
CN102851732B (zh) * 2012-09-26 2015-08-19 南京晶升能源设备有限公司 蓝宝石单晶炉的称重机构
CN103469296A (zh) * 2013-03-29 2013-12-25 浙江晶盛机电股份有限公司 一种用于蓝宝石炉的三等分圆盘称重装置
CN106498489B (zh) * 2016-12-16 2019-06-25 南京晶升能源设备有限公司 蓝宝石单晶炉称重检测系统、传感器滤波方法及切换方法
US11255024B2 (en) * 2019-06-18 2022-02-22 Linton Crystal Technologies Corp. Seed lifting and rotating system for use in crystal growth
US11891721B2 (en) 2020-12-09 2024-02-06 Linton Kayex Technology Co., Ltd Spool-balanced seed lift

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2446293C2 (de) * 1974-04-03 1986-01-30 National Research Development Corp., London Vorrichtung zur Regelung des Stabquerschnitts beim Czochralski-Ziehen
DE2516197C3 (de) * 1975-04-14 1982-02-04 Schweizerische Aluminium AG, 3965 Chippis Wägevorrichtung zur automatischen Regelung des Durchmessers eines Kristalls beim Ziehen aus einem Tiegel
JPS57123892A (en) * 1981-01-17 1982-08-02 Toshiba Corp Preparation and apparatus of single crystal
JPH0649631B2 (ja) * 1986-10-29 1994-06-29 信越半導体株式会社 結晶径測定装置
JPS6447914A (en) * 1987-08-18 1989-02-22 Shinetsu Handotai Kk Apparatus for measuring crystal-rod lifting load
EP0355746B1 (en) * 1988-08-19 1994-07-27 Mitsubishi Materials Corporation Method for monocrystalline growth of dissociative compound semiconductors
JP2529036B2 (ja) * 1991-07-15 1996-08-28 株式会社日立製作所 高速増殖炉とそれに使用されるポンプ設備
JPH07172980A (ja) * 1993-12-20 1995-07-11 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体単結晶製造装置
JPH08259372A (ja) * 1995-03-16 1996-10-08 Komatsu Electron Metals Co Ltd 連続チャージ法による半導体単結晶の製造における原料供給方法
JP3109564B2 (ja) * 1995-03-27 2000-11-20 大倉電気株式会社 成長結晶体の重量測定装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112008002237T5 (de) 2007-08-31 2010-07-08 Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. Verfahren zur Erfassung des Durchmessers eines Einkristalls und Einkristallziehvorrichtung
US8441623B2 (en) 2007-08-31 2013-05-14 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for detecting the diameter of a single crystal and single crystal pulling apparatus
DE112008002237B4 (de) 2007-08-31 2019-01-31 Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. Verfahren zur Erfassung des Durchmessers eines Einkristalls
KR20160090099A (ko) * 2015-01-21 2016-07-29 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템 및 제어 방법
WO2016117847A3 (ko) * 2015-01-21 2016-09-15 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템 및 제어 방법
US10385472B2 (en) 2015-01-21 2019-08-20 Sk Siltron Co., Ltd. Control system and control method for diameter of single crystal ingot

Also Published As

Publication number Publication date
EP0781873A3 (en) 1997-11-05
JP3615291B2 (ja) 2005-02-02
US5879451A (en) 1999-03-09
EP0781873A2 (en) 1997-07-02

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