JPH09174921A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents
発光ダイオードアレイInfo
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- JPH09174921A JPH09174921A JP34012695A JP34012695A JPH09174921A JP H09174921 A JPH09174921 A JP H09174921A JP 34012695 A JP34012695 A JP 34012695A JP 34012695 A JP34012695 A JP 34012695A JP H09174921 A JPH09174921 A JP H09174921A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光ダイオードアレイの発光素子と外部回路
を接続するのが困難であったり、各発光素子の発光中心
が千鳥状に一して発光バラツキが発生し、集束性光ファ
イバアレイとの位置合わせが困難であるという問題があ
った。 【解決手段】 半導体基板上に一導電型を呈する島状の
第一の半導体層を列状に設け、この第一の半導体層の一
端部が隣接する島ごとに交互に露出するように、逆導電
型を呈する第二の半導体層を前記第一の半導体層上に積
層して設け、前記第一の半導体層の露出部に共通電極を
接続して設けると共に、前記第二の半導体層上に個別電
極を接続して設け、この個別電極と前記第二の半導体層
の接続部から前記第一の半導体層の露出部までの島ごと
の領域が、直線状もしくはほぼ直線状に並ぶように前記
第一の半導体層の露出部及び前記個別電極を設けた。
を接続するのが困難であったり、各発光素子の発光中心
が千鳥状に一して発光バラツキが発生し、集束性光ファ
イバアレイとの位置合わせが困難であるという問題があ
った。 【解決手段】 半導体基板上に一導電型を呈する島状の
第一の半導体層を列状に設け、この第一の半導体層の一
端部が隣接する島ごとに交互に露出するように、逆導電
型を呈する第二の半導体層を前記第一の半導体層上に積
層して設け、前記第一の半導体層の露出部に共通電極を
接続して設けると共に、前記第二の半導体層上に個別電
極を接続して設け、この個別電極と前記第二の半導体層
の接続部から前記第一の半導体層の露出部までの島ごと
の領域が、直線状もしくはほぼ直線状に並ぶように前記
第一の半導体層の露出部及び前記個別電極を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオードアレ
イに関し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光源な
どに用いられる発光ダイオードアレイに関する。
イに関し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光源な
どに用いられる発光ダイオードアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の発光ダイオードアレイを図４およ
び図５に示す。図５は、図４のＡ−Ａ線断面図である。
図４および図５において、２１は半導体基板、２２は島
状半導体層、２３は個別電極、２４は共通電極である。
び図５に示す。図５は、図４のＡ−Ａ線断面図である。
図４および図５において、２１は半導体基板、２２は島
状半導体層、２３は個別電極、２４は共通電極である。
【０００３】半導体基板２１は、例えばシリコン（Ｓ
ｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの単結晶半導体基
板などから成る。
ｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの単結晶半導体基
板などから成る。
【０００４】島状半導体層２２は、ガリウム砒素やアル
ミニウムガリウム砒素などの化合物半導体層などから成
り、一導電型不純物を含有する層２２ａと逆導電型不純
物を含有する層２２ｂから成る。逆導電型不純物を含有
する層２２ａと一導電型不純物を含有する層２２ｂの界
面部分で半導体接合部が形成される。この島状半導体層
２２は、例えばＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法でガリウム砒素
やアルミニムガリウム砒素などから成る単結晶半導体層
を形成した後に、メサエッチングなどによって島状に形
成される。
ミニウムガリウム砒素などの化合物半導体層などから成
り、一導電型不純物を含有する層２２ａと逆導電型不純
物を含有する層２２ｂから成る。逆導電型不純物を含有
する層２２ａと一導電型不純物を含有する層２２ｂの界
面部分で半導体接合部が形成される。この島状半導体層
２２は、例えばＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法でガリウム砒素
やアルミニムガリウム砒素などから成る単結晶半導体層
を形成した後に、メサエッチングなどによって島状に形
成される。
【０００５】島状半導体層２２の表面部分には、例えば
窒化シリコン膜（Ｓｉx Ｎy ）などから成る保護膜２５
が形成されており、この保護膜２５の表面部分には、例
えば金（Ａｕ）などから成る個別電極２３が形成されて
いる。この個別電極２３は、保護膜２５に形成されたス
ルーホールを介して逆導電型不純物を含有する半導体層
２２ｂに接続されている。この個別電極２３は、島状半
導体層２２のうちの逆導電型不純物を含有する層２２ａ
の上面部分から壁部分を経由して、基板２１の端面近傍
まで、隣接する島状半導体層２２ごとに交互に他の端面
側に延在するように形成されている。また、基板２１の
裏面側のほぼ全面には共通電極２４が形成されている。
窒化シリコン膜（Ｓｉx Ｎy ）などから成る保護膜２５
が形成されており、この保護膜２５の表面部分には、例
えば金（Ａｕ）などから成る個別電極２３が形成されて
いる。この個別電極２３は、保護膜２５に形成されたス
ルーホールを介して逆導電型不純物を含有する半導体層
２２ｂに接続されている。この個別電極２３は、島状半
導体層２２のうちの逆導電型不純物を含有する層２２ａ
の上面部分から壁部分を経由して、基板２１の端面近傍
まで、隣接する島状半導体層２２ごとに交互に他の端面
側に延在するように形成されている。また、基板２１の
裏面側のほぼ全面には共通電極２４が形成されている。
【０００６】島状半導体層２２、個別電極２３および共
通電極２４で個々の発光ダイオードが構成され、この発
光ダイオードは半導体基板基板２１上に一列状に並ぶよ
うに形成される。この場合、例えば個別電極２３が発光
ダイオードのアノード電極となり、共通電極２４がカソ
ード電極となる。なお、個別電極２３はその広幅部分に
おいて外部回路とボンディングワイヤなどで接続され
る。
通電極２４で個々の発光ダイオードが構成され、この発
光ダイオードは半導体基板基板２１上に一列状に並ぶよ
うに形成される。この場合、例えば個別電極２３が発光
ダイオードのアノード電極となり、共通電極２４がカソ
ード電極となる。なお、個別電極２３はその広幅部分に
おいて外部回路とボンディングワイヤなどで接続され
る。
【０００７】このような発光ダイオードアレイでは、例
えば個別電極２３から共通電極２４に向けて順方向に電
流を流すと、逆導電型不純物を含有する層２２ｂには電
子が注入され、一導電型不純物を含有する層２２ａには
正孔が注入される。これら少数キャリアの一部が多数キ
ャリアと発光再結合することによって光を生じる。ま
た、列状に形成された発光素子のいずれかの個別電極２
３を選択して電流を流して発光させることにより、例え
ばページプリンタ用感光ドラムの露光用光源として用い
られる。
えば個別電極２３から共通電極２４に向けて順方向に電
流を流すと、逆導電型不純物を含有する層２２ｂには電
子が注入され、一導電型不純物を含有する層２２ａには
正孔が注入される。これら少数キャリアの一部が多数キ
ャリアと発光再結合することによって光を生じる。ま
た、列状に形成された発光素子のいずれかの個別電極２
３を選択して電流を流して発光させることにより、例え
ばページプリンタ用感光ドラムの露光用光源として用い
られる。
【０００８】ところが、この従来の発光ダイオードアレ
イでは、半導体基板２１の表面側に形成した島状半導体
層２２上に、個別電極２３を設けると共に、半導体基板
２１の裏面側に共通電極２４を設けていることから、個
別電極２３と共通電極２４の形成工程が２回になり、製
造工程が煩雑になるという問題があった。
イでは、半導体基板２１の表面側に形成した島状半導体
層２２上に、個別電極２３を設けると共に、半導体基板
２１の裏面側に共通電極２４を設けていることから、個
別電極２３と共通電極２４の形成工程が２回になり、製
造工程が煩雑になるという問題があった。
【０００９】また、個別電極２３と共通電極２４が半導
体基板２１の表裏両面にあると、ワイヤボンディング法
などによって外部回路と接続する際に、その接続作業が
困難であるという問題もあった。
体基板２１の表裏両面にあると、ワイヤボンディング法
などによって外部回路と接続する際に、その接続作業が
困難であるという問題もあった。
【００１０】そこで、本発明者等は特願平７−１９２８
５７号において、図６および図７に示すように、半導体
基板２１上に、一導電型不純物を含有する下層半導体層
２２ａを設けると共に、この下層半導体層２２ａ上に逆
導電型不純物を含有する上層半導体層２２ｂを下層半導
体層２２ａよりも小面積となるように設け、下層半導体
層２２ａの露出部分に共通電極２４を接続して設け、上
層半導体層２２ｂに個別電極２３を接続して設けること
を提案した。
５７号において、図６および図７に示すように、半導体
基板２１上に、一導電型不純物を含有する下層半導体層
２２ａを設けると共に、この下層半導体層２２ａ上に逆
導電型不純物を含有する上層半導体層２２ｂを下層半導
体層２２ａよりも小面積となるように設け、下層半導体
層２２ａの露出部分に共通電極２４を接続して設け、上
層半導体層２２ｂに個別電極２３を接続して設けること
を提案した。
【００１１】このように構成すると、半導体基板２１の
同じ側に個別電極２３と共通電極２４を設けることがで
き、個別電極２３と共通電極２４を一回の工程で同時に
形成できることから、発光ダイオードアレイの製造工程
が簡略化されると共に、個別電極２３と共通電極２４が
同じ側に位置することから、ワイヤボンディング法など
による外部回路との接続作業も容易になる。なお、図７
中、２５は窒化シリコン膜などから成る絶縁膜である。
同じ側に個別電極２３と共通電極２４を設けることがで
き、個別電極２３と共通電極２４を一回の工程で同時に
形成できることから、発光ダイオードアレイの製造工程
が簡略化されると共に、個別電極２３と共通電極２４が
同じ側に位置することから、ワイヤボンディング法など
による外部回路との接続作業も容易になる。なお、図７
中、２５は窒化シリコン膜などから成る絶縁膜である。
【００１２】また、図６に示すように、共通電極２４
は、隣接する島状半導体層２２ごとに異なる群に属する
ように二群に分けて設けられ、個別電極２３は隣接する
島状半導体層２２が同じ個別電極２３で接続されるよう
に設けられている。
は、隣接する島状半導体層２２ごとに異なる群に属する
ように二群に分けて設けられ、個別電極２３は隣接する
島状半導体層２２が同じ個別電極２３で接続されるよう
に設けられている。
【００１３】このような発光ダイオードでは、図６中の
楕円で示すように、上層半導体層２２ｂと個別電極２３
との接続部から下層半導体層２２ａと共通電極２４との
接続部にかけて電流が一番強く流れ、一番強く発光す
る。
楕円で示すように、上層半導体層２２ｂと個別電極２３
との接続部から下層半導体層２２ａと共通電極２４との
接続部にかけて電流が一番強く流れ、一番強く発光す
る。
【００１４】ところが、この従来の発光ダイオードアレ
イでは、上層半導体層２２ｂが半導体基板２１上で一列
状に並ぶように形成されることから、発光ダイオードア
レイとしてみた場合、各発光ダイオードにおける発光強
度の一番強い発光中心が千鳥状になり、発光バラツキに
分布が生じるという問題があった。
イでは、上層半導体層２２ｂが半導体基板２１上で一列
状に並ぶように形成されることから、発光ダイオードア
レイとしてみた場合、各発光ダイオードにおける発光強
度の一番強い発光中心が千鳥状になり、発光バラツキに
分布が生じるという問題があった。
【００１５】また、各発光素子の発光中心が千鳥状に位
置することから、この発光ダイオードアレイを用いて光
プリンタヘッドを組み立てる場合、集束性光ファイバと
の位置合わせが困難であるという問題があった。
置することから、この発光ダイオードアレイを用いて光
プリンタヘッドを組み立てる場合、集束性光ファイバと
の位置合わせが困難であるという問題があった。
【００１６】本発明はこのような従来技術の問題点を解
消するためになされたものであり、発光素子と外部回路
との接続の困難性を解消すると共に、各発光素子の発光
中心が千鳥状に位置して発光バラツキに分布が生じるこ
とを解消した発光ダイオードアレイを提供することを目
的とする。
消するためになされたものであり、発光素子と外部回路
との接続の困難性を解消すると共に、各発光素子の発光
中心が千鳥状に位置して発光バラツキに分布が生じるこ
とを解消した発光ダイオードアレイを提供することを目
的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る発光ダイオードアレイでは、半導体基
板上に一導電型を呈する島状の第一の半導体層を列状に
設け、この第一の半導体層の一端部が隣接する島ごとに
交互に露出するように、逆導電型を呈する第二の半導体
層を前記第一の半導体層上に積層して設け、前記第一の
半導体層の露出部に共通電極を接続して設けると共に、
前記第二の半導体層上に個別電極を接続して設け、この
個別電極と前記第二の半導体層の接続部から前記第一の
半導体層の露出部までの島ごとの領域が、直線状もしく
はほぼ直線状に並ぶように前記第一の半導体層の露出部
及び前記個別電極を設けた。
に、本発明に係る発光ダイオードアレイでは、半導体基
板上に一導電型を呈する島状の第一の半導体層を列状に
設け、この第一の半導体層の一端部が隣接する島ごとに
交互に露出するように、逆導電型を呈する第二の半導体
層を前記第一の半導体層上に積層して設け、前記第一の
半導体層の露出部に共通電極を接続して設けると共に、
前記第二の半導体層上に個別電極を接続して設け、この
個別電極と前記第二の半導体層の接続部から前記第一の
半導体層の露出部までの島ごとの領域が、直線状もしく
はほぼ直線状に並ぶように前記第一の半導体層の露出部
及び前記個別電極を設けた。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を添付
図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る発光
ダイオードアレイの一実施形態を示す図であり、図２は
図１のＡ−Ａ線断面図である。図１および図２におい
て、１は半導体基板、２は第一の半導体層、３は第二の
半導体層、４は個別電極、５ａ、５ｂは共通電極であ
る。
図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る発光
ダイオードアレイの一実施形態を示す図であり、図２は
図１のＡ−Ａ線断面図である。図１および図２におい
て、１は半導体基板、２は第一の半導体層、３は第二の
半導体層、４は個別電極、５ａ、５ｂは共通電極であ
る。
【００１９】半導体基板１は、例えばシリコン（Ｓｉ）
やガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの単結晶半導体基板か
ら成り、一導電型半導体不純物を含有する。
やガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの単結晶半導体基板か
ら成り、一導電型半導体不純物を含有する。
【００２０】第一の半導体層２は、ガリウム砒素やガリ
ウム砒素とアルミニウムガリウム砒素などから成り、一
導電型不純物を含有する。この第一の半導体層２は、例
えばＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などで形成される。すなわ
ち、半導体基板１の自然酸化膜を８００〜１０００℃の
高温で除去し、次に４５０℃以下の低温で核となるアモ
ルファスシリコンガリウム砒素をＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ
法で０．１〜２μｍ程度の厚みに成長させた後、５００
〜７００℃まで昇温して再結晶化し、ガリウム砒素単結
晶を成長させる（二段階成長法）。この場合、ガリウム
の原料としてはトリメチルガリウム（（ＣＨ3 ）3 Ｇ
ａ）などが用いられ、砒素の原料としてはアルシン（Ａ
ｓＨ3 ）などが用いられる。次に７５０℃〜１０００℃
の高温でのアニールと６００℃以下の低温への急冷を数
回繰り返す（温度サイクル法）等のポストアニールを行
う。ガリウム砒素とアルミニムガリウム砒素の二層構造
にする場合は、さらにアルミニムガリウム砒素層を形成
する。アルミニウムの原料としては、トリメチルアルミ
ニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）などが用いられる。
ウム砒素とアルミニウムガリウム砒素などから成り、一
導電型不純物を含有する。この第一の半導体層２は、例
えばＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などで形成される。すなわ
ち、半導体基板１の自然酸化膜を８００〜１０００℃の
高温で除去し、次に４５０℃以下の低温で核となるアモ
ルファスシリコンガリウム砒素をＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ
法で０．１〜２μｍ程度の厚みに成長させた後、５００
〜７００℃まで昇温して再結晶化し、ガリウム砒素単結
晶を成長させる（二段階成長法）。この場合、ガリウム
の原料としてはトリメチルガリウム（（ＣＨ3 ）3 Ｇ
ａ）などが用いられ、砒素の原料としてはアルシン（Ａ
ｓＨ3 ）などが用いられる。次に７５０℃〜１０００℃
の高温でのアニールと６００℃以下の低温への急冷を数
回繰り返す（温度サイクル法）等のポストアニールを行
う。ガリウム砒素とアルミニムガリウム砒素の二層構造
にする場合は、さらにアルミニムガリウム砒素層を形成
する。アルミニウムの原料としては、トリメチルアルミ
ニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）などが用いられる。
【００２１】前記第一の半導体層２上には、第二の半導
体層３が形成される。第二の半導体層３も、アルミニウ
ムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）などの化合物半導体膜
から成り、逆導電型不純物を含有する。一導電型不純物
を含有する第一の半導体層２と逆導電型不純物を含有す
る第二の半導体層３の界面部分で半導体接合部が形成さ
れる。この第一の半導体層２と第二の半導体層３とは、
島状に形成される。第一の半導体層２は、例えばＺｎ、
Ｃｄなどの半導体不純物元素を１０18〜１０19ｃｍ-3程
度含有し、第二の半導体層３は、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｇ
ｅ、Ｓｉなどの不純物元素を１０16〜１０19ｃｍ-3程度
含有する。
体層３が形成される。第二の半導体層３も、アルミニウ
ムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）などの化合物半導体膜
から成り、逆導電型不純物を含有する。一導電型不純物
を含有する第一の半導体層２と逆導電型不純物を含有す
る第二の半導体層３の界面部分で半導体接合部が形成さ
れる。この第一の半導体層２と第二の半導体層３とは、
島状に形成される。第一の半導体層２は、例えばＺｎ、
Ｃｄなどの半導体不純物元素を１０18〜１０19ｃｍ-3程
度含有し、第二の半導体層３は、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｇ
ｅ、Ｓｉなどの不純物元素を１０16〜１０19ｃｍ-3程度
含有する。
【００２２】半導体基板１上の全面もしくは一部に、第
一の半導体層２と第二の半導体層３を積層して形成した
後に、第一の半導体層２および第二の半導体層３を島状
にエッチングし、さらに第一の半導体層２の一部が隣接
する島状半導体２２ごとに交互に露出するように第二の
半導体層３をエッチングする。
一の半導体層２と第二の半導体層３を積層して形成した
後に、第一の半導体層２および第二の半導体層３を島状
にエッチングし、さらに第一の半導体層２の一部が隣接
する島状半導体２２ごとに交互に露出するように第二の
半導体層３をエッチングする。
【００２３】なお、第二の半導体層３は、化合物の混晶
比が異なる複数の層で形成してもよい。
比が異なる複数の層で形成してもよい。
【００２４】島状に形成された第一の半導体層２と第二
の半導体層３は例えば窒化シリコン膜などから成る保護
膜６で被覆され、第二の半導体層３の露出部分から半導
体基板１の端面近傍まで延在するように、例えば金（Ａ
ｕ）などから成る共通電極５ａ、５ｂが形成される。第
一の半導体層２は、島状半導体層の一つおきに異なる共
通電極５ａ、５ｂに交互に接続されている。すなわち、
第一の半導体層２を二つの群に分けて、この群ごとに異
なる共通電極５ａ、５ｂに接続している。
の半導体層３は例えば窒化シリコン膜などから成る保護
膜６で被覆され、第二の半導体層３の露出部分から半導
体基板１の端面近傍まで延在するように、例えば金（Ａ
ｕ）などから成る共通電極５ａ、５ｂが形成される。第
一の半導体層２は、島状半導体層の一つおきに異なる共
通電極５ａ、５ｂに交互に接続されている。すなわち、
第一の半導体層２を二つの群に分けて、この群ごとに異
なる共通電極５ａ、５ｂに接続している。
【００２５】また、第二の半導体層３の表面から壁面部
を経由して半導体基板１の反対側の端面近傍まで延在す
るように、個別電極４が形成されている。この個別電極
４は、隣接する第二の半導体層３ごとに一つ形成されて
いる。すなわち、異なる群に属する隣接する発光ダイオ
ードごとに個別電極４を設けている。個別電極４の広幅
部分が外部回路と接続するためのワイヤボンディングを
行う電極パッドとなる。個別電極４と共通電極５ａ、５
ｂの組み合わせを選択することにより、個々の発光ダイ
オードを選択して発光させることができる。
を経由して半導体基板１の反対側の端面近傍まで延在す
るように、個別電極４が形成されている。この個別電極
４は、隣接する第二の半導体層３ごとに一つ形成されて
いる。すなわち、異なる群に属する隣接する発光ダイオ
ードごとに個別電極４を設けている。個別電極４の広幅
部分が外部回路と接続するためのワイヤボンディングを
行う電極パッドとなる。個別電極４と共通電極５ａ、５
ｂの組み合わせを選択することにより、個々の発光ダイ
オードを選択して発光させることができる。
【００２６】すなわち、図１および図２に示すように、
半導体基板１がｐ型、第一の半導体層２がｎ型、第二の
半導体層３がｐ型であるとすれば、第二の半導体層５と
第一の半導体層２との間に電源７ａを順方向に接続した
場合、一方の共通電極５ａを開放した状態で他方の共通
電極６ｂを接続すれば、共通電極６ｂに接続されている
発光ダイオードだけが発光する。したがって、隣接する
第二の半導体層３毎に共通する個別電極４を設けても、
共通電極５ａ、５ｂは別々に接続されていることから、
この共通電極５ａ、５ｂと半導体基板１との間の電圧印
加状態を変えることで隣接する発光ダイオードを選択的
に発光させることが可能になる。
半導体基板１がｐ型、第一の半導体層２がｎ型、第二の
半導体層３がｐ型であるとすれば、第二の半導体層５と
第一の半導体層２との間に電源７ａを順方向に接続した
場合、一方の共通電極５ａを開放した状態で他方の共通
電極６ｂを接続すれば、共通電極６ｂに接続されている
発光ダイオードだけが発光する。したがって、隣接する
第二の半導体層３毎に共通する個別電極４を設けても、
共通電極５ａ、５ｂは別々に接続されていることから、
この共通電極５ａ、５ｂと半導体基板１との間の電圧印
加状態を変えることで隣接する発光ダイオードを選択的
に発光させることが可能になる。
【００２７】この場合、発光中心となる第二の半導体層
３と共通電極５側の領域は、直線状もしくはほぼ直線状
に配列されていることから、発光ダイオードアレイ全体
を見ると直線状もしくはほぼ直線状に発光することにな
り、発光バラツキの分布はない。
３と共通電極５側の領域は、直線状もしくはほぼ直線状
に配列されていることから、発光ダイオードアレイ全体
を見ると直線状もしくはほぼ直線状に発光することにな
り、発光バラツキの分布はない。
【００２８】上記実施例では、複数の半導体発光素子を
二群に分けて二本の共通電極５ａ、５ｂに接続すると共
に、それぞれの群に属する半導体発光素子を２個１組で
個別電極４に接続することについて述べたが、複数の半
導体発光素子を３群若しくはそれ以上に分けて３個１組
若しくはそれ以上で個別電極５に接続してもよい。
二群に分けて二本の共通電極５ａ、５ｂに接続すると共
に、それぞれの群に属する半導体発光素子を２個１組で
個別電極４に接続することについて述べたが、複数の半
導体発光素子を３群若しくはそれ以上に分けて３個１組
若しくはそれ以上で個別電極５に接続してもよい。
【００２９】図３は、本発明に係る発光ダイオードアレ
イの他の実施形態を示す図である。この実施形態では、
島状の第一の半導体層２自体を直線状若しくはほぼ直線
状に形成すると共に、この島状部の一端部が隣接する島
毎に交互に露出するように形成されている。また、第三
の半導体層には、島毎に交互に反対側に延在する個別電
極４が設けられていると共に、第一の半導体層２上に共
通電極５ａ、５ｂが設けられている。このように、島状
の第一の半導体層２を直線状もしくはほぼ直線状に形成
しても発光ダイオードの発光中心を直線状もしくはほぼ
直線状に形成することができる。また個別電極４を個々
に設けた発光ダイオードアレイでも発光中心を直線状も
しくはほぼ直線状に形成することができる。
イの他の実施形態を示す図である。この実施形態では、
島状の第一の半導体層２自体を直線状若しくはほぼ直線
状に形成すると共に、この島状部の一端部が隣接する島
毎に交互に露出するように形成されている。また、第三
の半導体層には、島毎に交互に反対側に延在する個別電
極４が設けられていると共に、第一の半導体層２上に共
通電極５ａ、５ｂが設けられている。このように、島状
の第一の半導体層２を直線状もしくはほぼ直線状に形成
しても発光ダイオードの発光中心を直線状もしくはほぼ
直線状に形成することができる。また個別電極４を個々
に設けた発光ダイオードアレイでも発光中心を直線状も
しくはほぼ直線状に形成することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る発光ダイオ
ードアレイでは、半導体基板上に一導電型を呈する島状
の第一の半導体層を列状に設け、この第一の半導体層の
一端部が隣接する島ごとに交互に露出するように、逆導
電型を呈する第二の半導体層を前記第一の半導体層上に
積層して設け、前記第一の半導体層の露出部に共通電極
を接続して設けると共に、前記第二の半導体層上に個別
電極を接続して設け、この個別電極と前記第二の半導体
層の接続部から前記第一の半導体層の露出部までの島ご
との領域が、直線状もしくはほぼ直線状に並ぶように前
記第一の半導体層の露出部及び前記個別電極を設けたこ
とから、発光素子と外部回路との接続が容易になり、ま
た各発光素子の発光中心が直線状もしくはほぼ直線状に
形成され、集束性光ファイバなどの取り付けも容易にな
る。
ードアレイでは、半導体基板上に一導電型を呈する島状
の第一の半導体層を列状に設け、この第一の半導体層の
一端部が隣接する島ごとに交互に露出するように、逆導
電型を呈する第二の半導体層を前記第一の半導体層上に
積層して設け、前記第一の半導体層の露出部に共通電極
を接続して設けると共に、前記第二の半導体層上に個別
電極を接続して設け、この個別電極と前記第二の半導体
層の接続部から前記第一の半導体層の露出部までの島ご
との領域が、直線状もしくはほぼ直線状に並ぶように前
記第一の半導体層の露出部及び前記個別電極を設けたこ
とから、発光素子と外部回路との接続が容易になり、ま
た各発光素子の発光中心が直線状もしくはほぼ直線状に
形成され、集束性光ファイバなどの取り付けも容易にな
る。
【図１】本発明に係る発光ダイオードアレイの一実施形
態を示す図である。
態を示す図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明に係る発光ダイオードアレイの他の実施
形態を示す図である。
形態を示す図である。
【図４】従来の発光ダイオードアレイを示す図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線断面図である。
【図６】従来の他の発光ダイオードアレイを示す図であ
る。
る。
【図７】図６のＡ−Ａ線断面図である。
１・・・半導体基板、２・・・第一の半導体層、３・・
・第二の半導体層、４・・・第三の半導体層、５・・・
個別電極、６・・・共通電極
・第二の半導体層、４・・・第三の半導体層、５・・・
個別電極、６・・・共通電極
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に一導電型を呈する島状の
第一の半導体層を列状に設け、この第一の半導体層の一
端部が隣接する島ごとに交互に露出するように、逆導電
型を呈する第二の半導体層を前記第一の半導体層上に積
層して設け、前記第一の半導体層の露出部に共通電極を
接続して設けると共に、前記第二の半導体層上に個別電
極を接続して設け、この個別電極と前記第二の半導体層
の接続部から前記第一の半導体層の露出部までの島ごと
の領域が、直線状もしくはほぼ直線状に並ぶように前記
第一の半導体層の露出部及び前記個別電極を設けた発光
ダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34012695A JPH09174921A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 発光ダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34012695A JPH09174921A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 発光ダイオードアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09174921A true JPH09174921A (ja) | 1997-07-08 |
Family
ID=18333977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34012695A Pending JPH09174921A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 発光ダイオードアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09174921A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105430904A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-03-23 | 晶阳照明有限公司 | 用于发光装置的可弯灯丝及其制造方法 |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP34012695A patent/JPH09174921A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105430904A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-03-23 | 晶阳照明有限公司 | 用于发光装置的可弯灯丝及其制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040706 |