JPH09162378A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH09162378A JPH09162378A JP7323406A JP32340695A JPH09162378A JP H09162378 A JPH09162378 A JP H09162378A JP 7323406 A JP7323406 A JP 7323406A JP 32340695 A JP32340695 A JP 32340695A JP H09162378 A JPH09162378 A JP H09162378A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトダイオードの受光感度を向上させ、ト
ランジスタを容易に集積化可能とする。 【解決手段】 低キャリア密度のｐ- サブ６の半導体基
板上に、ｎ埋込層１１とｎエピ層７とｎ+ コレクタ層１
０とで形成されたコレクタと、ｐベース層８と、ｎ+ エ
ミッタ層９とで構成されたトランジスタが形成されてい
る。トランジスタの周囲はｐ+ 絶縁層１２で囲まれてお
り、ｐ- サブ６の半導体基板とｎ埋込層１１との間には
ｐ+ 絶縁層１２に接するようにｐ埋込層１３が埋め込ま
れている。ｐ- サブ６の半導体基板上には外部から光が
入射された時に電流を発生するよう、ｎエピ層７とｐ-
サブ６とで構成されたフォトダイオード１４が形成され
ている。
ランジスタを容易に集積化可能とする。 【解決手段】 低キャリア密度のｐ- サブ６の半導体基
板上に、ｎ埋込層１１とｎエピ層７とｎ+ コレクタ層１
０とで形成されたコレクタと、ｐベース層８と、ｎ+ エ
ミッタ層９とで構成されたトランジスタが形成されてい
る。トランジスタの周囲はｐ+ 絶縁層１２で囲まれてお
り、ｐ- サブ６の半導体基板とｎ埋込層１１との間には
ｐ+ 絶縁層１２に接するようにｐ埋込層１３が埋め込ま
れている。ｐ- サブ６の半導体基板上には外部から光が
入射された時に電流を発生するよう、ｎエピ層７とｐ-
サブ６とで構成されたフォトダイオード１４が形成され
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光半導体装置に関
し、特にフォトダイオードと集積回路とを一体に形成し
た光半導体装置に関する。
し、特にフォトダイオードと集積回路とを一体に形成し
た光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光半導体装置において
は、図３に示すように、ｐ+ サブ２６の基板上に、ｎ埋
込層３１とｎエピ層２７とｎ+ コレクタ層３０とで形成
されたコレクタと、ｐベース層２８と、ｎ+ エミッタ層
２９とで構成されたトランジスタが形成されている。こ
のトランジスタの周囲はｐ+ 絶縁層３２で囲まれてお
り、トランジスタがまわりに対して電気的に絶縁された
構造となっている。
は、図３に示すように、ｐ+ サブ２６の基板上に、ｎ埋
込層３１とｎエピ層２７とｎ+ コレクタ層３０とで形成
されたコレクタと、ｐベース層２８と、ｎ+ エミッタ層
２９とで構成されたトランジスタが形成されている。こ
のトランジスタの周囲はｐ+ 絶縁層３２で囲まれてお
り、トランジスタがまわりに対して電気的に絶縁された
構造となっている。
【０００３】ここで、コレクタ端子２２はｎ+ コレクタ
層３０に電気的に接続されるように、ベース端子２３は
ｐベース層２８に電気的に接続されるように、エミッタ
端子２４はｎ+ エミッタ層２９に電気的に接続されるよ
うに、グランド端子２５はｐ+ サブ２６に電気的に接続
されるように夫々形成されている。
層３０に電気的に接続されるように、ベース端子２３は
ｐベース層２８に電気的に接続されるように、エミッタ
端子２４はｎ+ エミッタ層２９に電気的に接続されるよ
うに、グランド端子２５はｐ+ サブ２６に電気的に接続
されるように夫々形成されている。
【０００４】また、基板上には外部から光が入射された
時に電流を発生するように、ｎエピ層２７とｐ+ サブ２
６とで構成されたフォトダイオード（ＰＤ）３３が形成
されている。ここで、フォトダイオードカソード端子２
１はｎエピ層２７上に形成されたｎ+ エミッタ層２９に
電気的に接続されるように形成されている。
時に電流を発生するように、ｎエピ層２７とｐ+ サブ２
６とで構成されたフォトダイオード（ＰＤ）３３が形成
されている。ここで、フォトダイオードカソード端子２
１はｎエピ層２７上に形成されたｎ+ エミッタ層２９に
電気的に接続されるように形成されている。
【０００５】これに対して、他の光半導体装置において
は、図４に示すように、ｎサブ４３の基板上に、ｎ- エ
ピ層４４及びｎ- コレクタ層４７の低キャリア密度領域
を有し、その周囲にｐベース層４５を形成しており、ｎ
- コレクタ層４７の上部にｎ+ コレクタ層４６及びコレ
クタ端子４１が形成されている。
は、図４に示すように、ｎサブ４３の基板上に、ｎ- エ
ピ層４４及びｎ- コレクタ層４７の低キャリア密度領域
を有し、その周囲にｐベース層４５を形成しており、ｎ
- コレクタ層４７の上部にｎ+ コレクタ層４６及びコレ
クタ端子４１が形成されている。
【０００６】ｎ- エピ層４４とｎ- コレクタ層４７との
接合部にはｐベース層４５のキャリアによって反転層が
でき、トランジスタが構成されている。また、ｎサブ４
３とｎ- エピ層４４とｐベース層４５とによって、ＰＩ
Ｎフォトダイオード（ＰＩＮ−ＰＤ）４８が構成されて
いる。上記の他の光半導体装置については、特公昭６３
−２９４２４号公報に詳述されている。
接合部にはｐベース層４５のキャリアによって反転層が
でき、トランジスタが構成されている。また、ｎサブ４
３とｎ- エピ層４４とｐベース層４５とによって、ＰＩ
Ｎフォトダイオード（ＰＩＮ−ＰＤ）４８が構成されて
いる。上記の他の光半導体装置については、特公昭６３
−２９４２４号公報に詳述されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光半導
体装置では、高キャリア密度のｐ+ サブを基板として用
いているため、フォトダイオードに逆バイアス電圧を印
加しても空乏層が主にｎエピ層の領域にしか拡がらない
ので、ｐ+ サブの領域に空乏層を拡げられず、フォトダ
イオードの受光感度を向上させることができない。
体装置では、高キャリア密度のｐ+ サブを基板として用
いているため、フォトダイオードに逆バイアス電圧を印
加しても空乏層が主にｎエピ層の領域にしか拡がらない
ので、ｐ+ サブの領域に空乏層を拡げられず、フォトダ
イオードの受光感度を向上させることができない。
【０００８】また、ｐ+ サブの領域に空乏層を拡げるた
め、低キャリア密度のサブを用いると、空乏層の拡がり
に伴ってリーク電流が大きくなり、トランジスタの形成
部の電気的な絶縁性を保つことができず、低キャリア密
度のサブを用いて光半導体装置を製造することは困難で
ある。
め、低キャリア密度のサブを用いると、空乏層の拡がり
に伴ってリーク電流が大きくなり、トランジスタの形成
部の電気的な絶縁性を保つことができず、低キャリア密
度のサブを用いて光半導体装置を製造することは困難で
ある。
【０００９】さらに、図４に示すような光半導体装置で
は、トランジスタの周囲がｐ+ 絶縁層で囲まれていない
ため、つまりトランジスタがまわりに対して電気的に絶
縁された構造となっていないため、トランジスタの集積
化が困難である。
は、トランジスタの周囲がｐ+ 絶縁層で囲まれていない
ため、つまりトランジスタがまわりに対して電気的に絶
縁された構造となっていないため、トランジスタの集積
化が困難である。
【００１０】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、フォトダイオードの受光感度を向上させることが
でき、トランジスタを容易に集積化することができる光
半導体装置を提供することにある。
消し、フォトダイオードの受光感度を向上させることが
でき、トランジスタを容易に集積化することができる光
半導体装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による光半導体装
置は、低キャリア密度の半導体基板と、前記半導体基板
上に形成されたフォトダイオードと、前記半導体基板上
に前記フォトダイオードと一体に形成された集積回路
と、前記集積回路を周囲から絶縁分離するためのｐ型の
絶縁層とを備えている。
置は、低キャリア密度の半導体基板と、前記半導体基板
上に形成されたフォトダイオードと、前記半導体基板上
に前記フォトダイオードと一体に形成された集積回路
と、前記集積回路を周囲から絶縁分離するためのｐ型の
絶縁層とを備えている。
【００１２】本発明による他の光半導体装置は、上記の
構成のほかに、前記半導体基板と前記集積回路の形成部
との間に前記ｐ型の絶縁層に接するように埋め込んだｐ
型の埋込層を具備している。
構成のほかに、前記半導体基板と前記集積回路の形成部
との間に前記ｐ型の絶縁層に接するように埋め込んだｐ
型の埋込層を具備している。
【００１３】
【発明の実施の形態】まず、本発明の作用について以下
に述べる。
に述べる。
【００１４】低キャリア密度のｐ- サブまたはｎ- サブ
の半導体基板上に形成されたフォトダイオードと一体に
トランジスタを形成し、このトランジスタを周囲から絶
縁分離するためにｐ型の絶縁層を形成する。
の半導体基板上に形成されたフォトダイオードと一体に
トランジスタを形成し、このトランジスタを周囲から絶
縁分離するためにｐ型の絶縁層を形成する。
【００１５】これら半導体基板とトランジスタの形成部
との間にｐ型の絶縁層に接するようにｐ型の埋込層を埋
め込む。これによって、フォトダイオードの受光感度を
向上させることができ、トランジスタの集積化が容易と
なる。
との間にｐ型の絶縁層に接するようにｐ型の埋込層を埋
め込む。これによって、フォトダイオードの受光感度を
向上させることができ、トランジスタの集積化が容易と
なる。
【００１６】次に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は本発明の一実施例の構成を示す断
面図である。図において、本発明の一実施例では抵抗率
が３００〜１５００Ωｃｍの低キャリア密度のｐ- サブ
６の半導体基板上に、ｎ埋込層１１とｎエピ層７とｎ+
コレクタ層１０とで形成されたコレクタと、ｐベース層
８と、ｎ+ エミッタ層９とで構成されたトランジスタが
形成されている。
して説明する。図１は本発明の一実施例の構成を示す断
面図である。図において、本発明の一実施例では抵抗率
が３００〜１５００Ωｃｍの低キャリア密度のｐ- サブ
６の半導体基板上に、ｎ埋込層１１とｎエピ層７とｎ+
コレクタ層１０とで形成されたコレクタと、ｐベース層
８と、ｎ+ エミッタ層９とで構成されたトランジスタが
形成されている。
【００１７】ここで、コレクタ端子２はｎ+ コレクタ層
１０に電気的に接続されるように、ベース端子３はｐベ
ース層８に電気的に接続されるように、エミッタ端子４
はｎ+ エミッタ層９に電気的に接続されるように、グラ
ンド端子５はｐ- サブ６に電気的に接続されるように夫
々形成されている。
１０に電気的に接続されるように、ベース端子３はｐベ
ース層８に電気的に接続されるように、エミッタ端子４
はｎ+ エミッタ層９に電気的に接続されるように、グラ
ンド端子５はｐ- サブ６に電気的に接続されるように夫
々形成されている。
【００１８】また、トランジスタの周囲はｐ+ 絶縁層１
２で囲まれており、トランジスタがまわりに対して電気
的に絶縁された構造となっている。さらに、ｐ- サブ６
の半導体基板とｎ埋込層１１との間には、ｐ+ 絶縁層１
２に接するように抵抗率が２０〜４０Ωｃｍのｐ埋込層
１３が埋め込まれている。
２で囲まれており、トランジスタがまわりに対して電気
的に絶縁された構造となっている。さらに、ｐ- サブ６
の半導体基板とｎ埋込層１１との間には、ｐ+ 絶縁層１
２に接するように抵抗率が２０〜４０Ωｃｍのｐ埋込層
１３が埋め込まれている。
【００１９】これによって、トランジスタに対する電気
的な絶縁性能を、図３に示す抵抗率が２０〜４０Ωｃｍ
の高キャリア密度のｐ+ サブを用いた従来例と同等に保
っている。
的な絶縁性能を、図３に示す抵抗率が２０〜４０Ωｃｍ
の高キャリア密度のｐ+ サブを用いた従来例と同等に保
っている。
【００２０】一方、ｐ- サブ６の半導体基板上には外部
から光が入射された時に電流を発生するように、ｎエピ
層７とｐ- サブ６とで構成されたフォトダイオード（Ｐ
Ｄ）１４が形成されている。ここで、フォトダイオード
カソード端子１はｎエピ層７上に形成されたｎ+ エミッ
タ層９に電気的に接続されるように形成されている。
から光が入射された時に電流を発生するように、ｎエピ
層７とｐ- サブ６とで構成されたフォトダイオード（Ｐ
Ｄ）１４が形成されている。ここで、フォトダイオード
カソード端子１はｎエピ層７上に形成されたｎ+ エミッ
タ層９に電気的に接続されるように形成されている。
【００２１】上記のｐ埋込層１３によって、低キャリア
密度のｐ- サブ６を用いた時の空乏層の拡がりに伴って
大きくなるリーク電流を遮断することができるので、電
気的な絶縁性能を高キャリア密度のｐ+ サブを用いた従
来例と同等に保つことができる。
密度のｐ- サブ６を用いた時の空乏層の拡がりに伴って
大きくなるリーク電流を遮断することができるので、電
気的な絶縁性能を高キャリア密度のｐ+ サブを用いた従
来例と同等に保つことができる。
【００２２】このような構造において、抵抗率を２０〜
４０Ωｃｍから３００〜１５００Ωｃｍに大きくした低
キャリア密度のｐ- サブ６の半導体基板を用いているの
で、フォトダイオード１４の受光感度を従来に比べて４
〜１０倍に向上させることができる。
４０Ωｃｍから３００〜１５００Ωｃｍに大きくした低
キャリア密度のｐ- サブ６の半導体基板を用いているの
で、フォトダイオード１４の受光感度を従来に比べて４
〜１０倍に向上させることができる。
【００２３】また、上記のような構造は半導体集積回路
の製造プロセスと同じプロセスで実現することができ、
ｎエピ層７の厚さを従来よりも薄くすることができると
ともに、トランジスタの周囲をｐ+ 絶縁層１２で囲んで
いるので、トランジスタを容易に集積化することができ
る。
の製造プロセスと同じプロセスで実現することができ、
ｎエピ層７の厚さを従来よりも薄くすることができると
ともに、トランジスタの周囲をｐ+ 絶縁層１２で囲んで
いるので、トランジスタを容易に集積化することができ
る。
【００２４】図２は本発明の他の実施例の構成を示す断
面図である。図において、本発明の他の実施例では低キ
ャリア密度のｎ- サブ１６の半導体基板上に、ｎ埋込層
１１とｎエピ層７とｎ+ コレクタ層１０とで形成された
コレクタと、ｐベース層８と、ｎ+ エミッタ層９とで構
成されたトランジスタが形成されている。
面図である。図において、本発明の他の実施例では低キ
ャリア密度のｎ- サブ１６の半導体基板上に、ｎ埋込層
１１とｎエピ層７とｎ+ コレクタ層１０とで形成された
コレクタと、ｐベース層８と、ｎ+ エミッタ層９とで構
成されたトランジスタが形成されている。
【００２５】ここで、コレクタ端子２はｎ+ コレクタ層
１０に電気的に接続されるように、ベース端子３はｐベ
ース層８に電気的に接続されるように、エミッタ端子４
はｎ+ エミッタ層９に電気的に接続されるように、グラ
ンド端子５はｐ+ 絶縁層１２に電気的に接続されるよう
に夫々形成されている。
１０に電気的に接続されるように、ベース端子３はｐベ
ース層８に電気的に接続されるように、エミッタ端子４
はｎ+ エミッタ層９に電気的に接続されるように、グラ
ンド端子５はｐ+ 絶縁層１２に電気的に接続されるよう
に夫々形成されている。
【００２６】また、トランジスタの周囲はｐ+ 絶縁層１
２で囲まれており、トランジスタがまわりに対して電気
的に絶縁された構造となっている。さらに、ｎ- サブ１
６の半導体基板とｎ埋込層１１との間には、ｐ+ 絶縁層
１２に接するように抵抗率が２０〜４０Ωｃｍのｐ埋込
層１３が埋め込まれている。
２で囲まれており、トランジスタがまわりに対して電気
的に絶縁された構造となっている。さらに、ｎ- サブ１
６の半導体基板とｎ埋込層１１との間には、ｐ+ 絶縁層
１２に接するように抵抗率が２０〜４０Ωｃｍのｐ埋込
層１３が埋め込まれている。
【００２７】これによって、トランジスタに対する電気
的な絶縁性能を、図３に示す抵抗率が２０〜４０Ωｃｍ
の高キャリア密度のｐ+ サブを用いた従来例と同等に保
っている。
的な絶縁性能を、図３に示す抵抗率が２０〜４０Ωｃｍ
の高キャリア密度のｐ+ サブを用いた従来例と同等に保
っている。
【００２８】一方、ｎ- サブ１６の半導体基板上には外
部から光が入射された時に電流を発生するように、ｐ埋
込層１３とｎ- サブ１６とがｐｎ接合されて構成された
フォトダイオード（ＰＤ）１８が形成されている。
部から光が入射された時に電流を発生するように、ｐ埋
込層１３とｎ- サブ１６とがｐｎ接合されて構成された
フォトダイオード（ＰＤ）１８が形成されている。
【００２９】ここで、フォトダイオードカソード端子１
はｎ- サブ１６に電気的に接続されるように、フォトダ
イオードアノード端子１５はｐ埋込層１３上に形成され
たｐ+ アノード層１７に電気的に接続されるように夫々
形成されている。
はｎ- サブ１６に電気的に接続されるように、フォトダ
イオードアノード端子１５はｐ埋込層１３上に形成され
たｐ+ アノード層１７に電気的に接続されるように夫々
形成されている。
【００３０】上記のｐ埋込層１３によって、低キャリア
密度のｎ- サブ６を用いた時の空乏層の拡がりに伴って
大きくなるリーク電流を遮断することができるので、電
気的な絶縁性能を高キャリア密度のｐ+ サブを用いた従
来例と同等に保つことができる。
密度のｎ- サブ６を用いた時の空乏層の拡がりに伴って
大きくなるリーク電流を遮断することができるので、電
気的な絶縁性能を高キャリア密度のｐ+ サブを用いた従
来例と同等に保つことができる。
【００３１】このような構造において、抵抗率を従来例
よりも大きくした低キャリア密度のｎ- サブ６の半導体
基板を用いているので、フォトダイオード１８の受光感
度を従来に比べて４〜１０倍に向上させることができ
る。
よりも大きくした低キャリア密度のｎ- サブ６の半導体
基板を用いているので、フォトダイオード１８の受光感
度を従来に比べて４〜１０倍に向上させることができ
る。
【００３２】また、上記のような構造は半導体集積回路
の製造プロセスと同じプロセスで実現することができ、
ｎエピ層７の厚さを従来よりも薄くすることができると
ともに、トランジスタの周囲をｐ+ 絶縁層１２で囲んで
いるので、トランジスタを容易に集積化することができ
る。
の製造プロセスと同じプロセスで実現することができ、
ｎエピ層７の厚さを従来よりも薄くすることができると
ともに、トランジスタの周囲をｐ+ 絶縁層１２で囲んで
いるので、トランジスタを容易に集積化することができ
る。
【００３３】さらに、グランド端子５をｐ+ 絶縁層１２
に接続して接地しているため、ｐ埋込層１３がｐ+ 絶縁
層１２を通してグランド端子５に接続されるので、アー
ス電位（ゼロ電位）に安定しやすくなる。
に接続して接地しているため、ｐ埋込層１３がｐ+ 絶縁
層１２を通してグランド端子５に接続されるので、アー
ス電位（ゼロ電位）に安定しやすくなる。
【００３４】このように、低キャリア密度のｐ- サブ６
またはｎ- サブ１６の半導体基板上に形成されたフォト
ダイオードと一体にトランジスタを形成し、このトラン
ジスタを周囲から絶縁分離するためにｐ型の絶縁層１２
を形成するとともに、半導体基板とトランジスタの形成
部との間にｐ型の絶縁層１２に接するようにｐ型の埋込
層１３を埋め込むことによって、フォトダイオードの受
光感度を向上させることができ、トランジスタを容易に
集積化することができる。
またはｎ- サブ１６の半導体基板上に形成されたフォト
ダイオードと一体にトランジスタを形成し、このトラン
ジスタを周囲から絶縁分離するためにｐ型の絶縁層１２
を形成するとともに、半導体基板とトランジスタの形成
部との間にｐ型の絶縁層１２に接するようにｐ型の埋込
層１３を埋め込むことによって、フォトダイオードの受
光感度を向上させることができ、トランジスタを容易に
集積化することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、低
キャリア密度の半導体基板上に形成されたフォトダイオ
ードと一体に集積回路を形成し、この集積回路を周囲か
ら絶縁分離するためにｐ型の絶縁層を形成するととも
に、半導体基板と集積回路の形成部との間にｐ型の絶縁
層に接するようにｐ型の埋込層を埋め込むことによっ
て、フォトダイオードの受光感度を向上させることがで
き、トランジスタを容易に集積化することができるとい
う効果がある。
キャリア密度の半導体基板上に形成されたフォトダイオ
ードと一体に集積回路を形成し、この集積回路を周囲か
ら絶縁分離するためにｐ型の絶縁層を形成するととも
に、半導体基板と集積回路の形成部との間にｐ型の絶縁
層に接するようにｐ型の埋込層を埋め込むことによっ
て、フォトダイオードの受光感度を向上させることがで
き、トランジスタを容易に集積化することができるとい
う効果がある。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図３】従来例の構成を示す断面図である。
【図４】他の従来例の構成を示す断面図である。
１ フォトダイオードカソード端子 ２ コレクタ端子 ３ ベース端子 ４ エミッタ端子 ５ グランド端子 ６ ｐ- サブ ７ ｎエピ層 ８ ｐベース層 ９ ｎ+ エミッタ層 １０ ｎ+ コレクタ層 １１ ｎ埋込層 １２ ｐ+ 絶縁層 １３ ｐ埋込層 １４，１８ フォトダイオード １５ フォトダイオードアノード端子 １６ ｎ- サブ １７ ｐ+ アノード層
Claims (4)
- 【請求項１】 低キャリア密度の半導体基板と、前記半
導体基板上に形成されたフォトダイオードと、前記半導
体基板上に前記フォトダイオードと一体に形成された集
積回路と、前記集積回路を周囲から絶縁分離するための
ｐ型の絶縁層とを有することを特徴とする光半導体装
置。 - 【請求項２】 前記半導体基板と前記集積回路の形成部
との間に前記ｐ型の絶縁層に接するように埋め込んだｐ
型の埋込層を含むことを特徴とする請求項１記載の光半
導体装置。 - 【請求項３】 前記半導体基板を低キャリア密度のｐ-
サブで構成したことを特徴とする請求項１または請求項
２記載の光半導体装置。 - 【請求項４】 前記半導体基板と前記フォトダイオード
の形成部との間に埋め込んだｐ型の埋込層を含み、前記
半導体基板を低キャリア密度のｎ- サブで構成したこと
を特徴とする請求項１または請求項２記載の光半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7323406A JPH09162378A (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7323406A JPH09162378A (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162378A true JPH09162378A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18154361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7323406A Pending JPH09162378A (ja) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162378A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174357A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPS63217658A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JPH0298977A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Fuji Electric Co Ltd | 電荷蓄積形フォトダイオード |
-
1995
- 1995-12-13 JP JP7323406A patent/JPH09162378A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174357A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPS63217658A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JPH0298977A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Fuji Electric Co Ltd | 電荷蓄積形フォトダイオード |
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