JPH09153762A - 表面実装型圧電振動子 - Google Patents
表面実装型圧電振動子Info
- Publication number
- JPH09153762A JPH09153762A JP33817595A JP33817595A JPH09153762A JP H09153762 A JPH09153762 A JP H09153762A JP 33817595 A JP33817595 A JP 33817595A JP 33817595 A JP33817595 A JP 33817595A JP H09153762 A JPH09153762 A JP H09153762A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- piezoelectric vibrator
- thickness
- electrode
- welding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サポートの接合強度を落とすことなく、か
つ、サポートの接合強度ばらつきを生じさせないより信
頼性の高い表面実装型圧電振動子を提供する。 【解決手段】前記絶縁基板１の接続電極３，４の上面に
金属板９，１０が銀ロー付けされており、この金属板上
面にて、前記サポートが溶接されてなることを特徴とす
る。また、前記金属板の厚みはサポートの厚み以上のも
のを用いると好ましい。
つ、サポートの接合強度ばらつきを生じさせないより信
頼性の高い表面実装型圧電振動子を提供する。 【解決手段】前記絶縁基板１の接続電極３，４の上面に
金属板９，１０が銀ロー付けされており、この金属板上
面にて、前記サポートが溶接されてなることを特徴とす
る。また、前記金属板の厚みはサポートの厚み以上のも
のを用いると好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は通信機器の基準発振
源、あるいはマイクロコンピュータのクロック源として
用いられる水晶振動子や圧電単結晶振動子、圧電セラミ
ック振動子に関し、特にプリント配線基板への実装を考
慮した表面実装型圧電振動子用のセラミックパッケージ
の電極形成方法に関するものである。
源、あるいはマイクロコンピュータのクロック源として
用いられる水晶振動子や圧電単結晶振動子、圧電セラミ
ック振動子に関し、特にプリント配線基板への実装を考
慮した表面実装型圧電振動子用のセラミックパッケージ
の電極形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術について水晶振動子を例にし
て説明する。セラミックパッケージを用いた表面実装型
水晶振動子は、セラミック基板の上面に接続電極が設け
られており、これら接続電極は、例えばタングステンを
メタライズしこの上面にニッケルメッキ並びに金メッキ
を行った構成である。そして、この接続電極の上に、レ
ーザー溶接、あるいはスポット溶接等の手法により、金
属製のサポートが搭載され、さらに、この上に矩形状の
ＡＴカット水晶板が搭載されて導電性接合材により電気
的機械的に接合する。そして、キャップをかぶせて気密
封止していた。
て説明する。セラミックパッケージを用いた表面実装型
水晶振動子は、セラミック基板の上面に接続電極が設け
られており、これら接続電極は、例えばタングステンを
メタライズしこの上面にニッケルメッキ並びに金メッキ
を行った構成である。そして、この接続電極の上に、レ
ーザー溶接、あるいはスポット溶接等の手法により、金
属製のサポートが搭載され、さらに、この上に矩形状の
ＡＴカット水晶板が搭載されて導電性接合材により電気
的機械的に接合する。そして、キャップをかぶせて気密
封止していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記セ
ラミック基板の接続電極上にレーザー溶接、又はスポッ
ト溶接等によりサポートを搭載する場合、接続電極の強
度、接続電極の厚みばらつきが原因で以下のような問題
点があった。すなわち、セラミック基板上の接続電極の
厚みが薄いために（例えば電極厚み１５μｍ）、接合物
であるサポートの接合強度が弱くなったり、あるいは被
接合物であるセラミック基板の損傷、破壊を生じる事が
あった。また、反対にセラミック基板上の接続電極の厚
みを増やすことにより（例えば電極厚み３０μｍ以
上）、上記問題点は解決するものの、接続電極上面であ
るサポート溶接面の平面度が悪化して凹凸部が形成され
（特に中央部分が周部分に対して低くなり、その高低差
は約１０μｍ）、このサポート溶接面の凹凸が、接合物
であるサポートと被接合物であるセラミック基板の接続
電極との間にギャップを生じさせてサポートの接合強度
ばらつき（スプラッシュの発生）を招いていた。これ
は、焼成前のグリーンシート上にメタライズ電極を形成
する際、グリーンシート上のメタライズ電極は周辺部か
ら中心部へと、徐々に硬化する事が要因と考えられ、従
来では解決できないものとされていた。
ラミック基板の接続電極上にレーザー溶接、又はスポッ
ト溶接等によりサポートを搭載する場合、接続電極の強
度、接続電極の厚みばらつきが原因で以下のような問題
点があった。すなわち、セラミック基板上の接続電極の
厚みが薄いために（例えば電極厚み１５μｍ）、接合物
であるサポートの接合強度が弱くなったり、あるいは被
接合物であるセラミック基板の損傷、破壊を生じる事が
あった。また、反対にセラミック基板上の接続電極の厚
みを増やすことにより（例えば電極厚み３０μｍ以
上）、上記問題点は解決するものの、接続電極上面であ
るサポート溶接面の平面度が悪化して凹凸部が形成され
（特に中央部分が周部分に対して低くなり、その高低差
は約１０μｍ）、このサポート溶接面の凹凸が、接合物
であるサポートと被接合物であるセラミック基板の接続
電極との間にギャップを生じさせてサポートの接合強度
ばらつき（スプラッシュの発生）を招いていた。これ
は、焼成前のグリーンシート上にメタライズ電極を形成
する際、グリーンシート上のメタライズ電極は周辺部か
ら中心部へと、徐々に硬化する事が要因と考えられ、従
来では解決できないものとされていた。
【０００４】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、サポートの接合強度を落とすことなく、か
つ、サポートの接合強度ばらつきを生じさせないより信
頼性の高い表面実装型圧電振動子を提供することを目的
としている。
れたもので、サポートの接合強度を落とすことなく、か
つ、サポートの接合強度ばらつきを生じさせないより信
頼性の高い表面実装型圧電振動子を提供することを目的
としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明による表面実装型圧電振動子は、前記絶縁
基板の接続電極の上面に金属板がろう接されており、こ
の金属板上面にて、前記サポートが溶接されてなること
を特徴とする。また、前記金属板の厚みはサポートの厚
み以上のものを用いると好ましい。
めに、本発明による表面実装型圧電振動子は、前記絶縁
基板の接続電極の上面に金属板がろう接されており、こ
の金属板上面にて、前記サポートが溶接されてなること
を特徴とする。また、前記金属板の厚みはサポートの厚
み以上のものを用いると好ましい。
【０００６】上述の構成により、セラミック基板の接続
電極の上面の金属板によりサポート接合面が平滑化され
る。そして、その後のサポート搭載する際に、溶接強度
ばらつきが抑えられるとともに、サポートは金属板との
溶接であるために接合強度が増す。そして、圧電振動子
としての電気的特性の安定化、表面実装型圧電振動子と
しての耐衝撃性能の向上が行える。また、金属板の厚み
をサポートの厚み以上とすることにより溶接時に、接続
電極、並びに、セラミック基板を損傷することのない溶
接が可能となる。
電極の上面の金属板によりサポート接合面が平滑化され
る。そして、その後のサポート搭載する際に、溶接強度
ばらつきが抑えられるとともに、サポートは金属板との
溶接であるために接合強度が増す。そして、圧電振動子
としての電気的特性の安定化、表面実装型圧電振動子と
しての耐衝撃性能の向上が行える。また、金属板の厚み
をサポートの厚み以上とすることにより溶接時に、接続
電極、並びに、セラミック基板を損傷することのない溶
接が可能となる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例についてセラミックケ
ースを用いた表面実装型水晶振動子を例にとり、図面を
参照して説明する。図１は本発明の実施例を示す分解斜
視図であり、図２は図１のサポートを搭載した状態の分
解斜視図であり、図３本発明の実施例を示す斜視図であ
り、図４は図３のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
ースを用いた表面実装型水晶振動子を例にとり、図面を
参照して説明する。図１は本発明の実施例を示す分解斜
視図であり、図２は図１のサポートを搭載した状態の分
解斜視図であり、図３本発明の実施例を示す斜視図であ
り、図４は図３のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【０００８】図１に示すように、セラミック基板１は長
方形状のアルミナからなり、薄板状に加工され、かつそ
の側面に切り欠きが設けられている。このセラミック基
板１の外周近傍には、例えば、周状のアルミナコート２
が設けられている。このアルミナコートの内方において
は、接続電極３，４が設けられている。この接続電極
３，４には、この電極をセラミック基板１の裏面へ導く
ビア３１，４１（貫通孔を設けこれに金属の電極材料を
充填したもの）が設けられている。このビア３１，４１
により表面の接続電極３，４は裏面電極３２，４２と導
通している。この接続電極３，４の上に平板状の金属板
９，１０が対向して配置され、例えば銀ロー付け等の手
法により電気的機械的に接合されている。金属板９，１
０は例えばコバール、４２アロイ等からなる。これら接
続電極、裏面電極は例えばタングステンをメタライズ
し、この上面にニッケルメッキ並びに金メッキを行った
構成であり、例えば、電極の膜厚は約３０μｍとしてい
る。そしてサポート５，６はＣｕ−Ｎｉ−Ｚｎ系合金、
洋白、ＳＵＳ等の金属板からなり、基板結合部５１，６
１と素子搭載部５２，６２と連結部５３，６３とを有す
る構造となっている。このサポートの５，６の基板結合
部５１，６１を、例えばレーザー溶接、スポット溶接、
シーム溶接等により接続電極３，４に電気的機械的な接
合を施す。このようにしてサポート５，６はセラミック
基板１上に対向して設けられる。そして表裏面に励振電
極７１，７２が形成された矩形状のＡＴカット水晶板７
をサポート５，６の素子搭載部５２，６２に搭載し、導
電性接合材（図示せず）により電気的機械的な接続が施
される。キャップ８はセラミック基板と同じアルミナ製
で、逆凹型でその外周寸法は前記アルミナコートの寸法
と等しく設計されており、封止ガラスＧにてこのアルミ
ナコートとキャップを接合することにより気密封止され
る。
方形状のアルミナからなり、薄板状に加工され、かつそ
の側面に切り欠きが設けられている。このセラミック基
板１の外周近傍には、例えば、周状のアルミナコート２
が設けられている。このアルミナコートの内方において
は、接続電極３，４が設けられている。この接続電極
３，４には、この電極をセラミック基板１の裏面へ導く
ビア３１，４１（貫通孔を設けこれに金属の電極材料を
充填したもの）が設けられている。このビア３１，４１
により表面の接続電極３，４は裏面電極３２，４２と導
通している。この接続電極３，４の上に平板状の金属板
９，１０が対向して配置され、例えば銀ロー付け等の手
法により電気的機械的に接合されている。金属板９，１
０は例えばコバール、４２アロイ等からなる。これら接
続電極、裏面電極は例えばタングステンをメタライズ
し、この上面にニッケルメッキ並びに金メッキを行った
構成であり、例えば、電極の膜厚は約３０μｍとしてい
る。そしてサポート５，６はＣｕ−Ｎｉ−Ｚｎ系合金、
洋白、ＳＵＳ等の金属板からなり、基板結合部５１，６
１と素子搭載部５２，６２と連結部５３，６３とを有す
る構造となっている。このサポートの５，６の基板結合
部５１，６１を、例えばレーザー溶接、スポット溶接、
シーム溶接等により接続電極３，４に電気的機械的な接
合を施す。このようにしてサポート５，６はセラミック
基板１上に対向して設けられる。そして表裏面に励振電
極７１，７２が形成された矩形状のＡＴカット水晶板７
をサポート５，６の素子搭載部５２，６２に搭載し、導
電性接合材（図示せず）により電気的機械的な接続が施
される。キャップ８はセラミック基板と同じアルミナ製
で、逆凹型でその外周寸法は前記アルミナコートの寸法
と等しく設計されており、封止ガラスＧにてこのアルミ
ナコートとキャップを接合することにより気密封止され
る。
【０００９】尚、金属板としてコバール、４２アロイに
限らず、他の金属であってもよい。また、接続電極とし
て、タングステンの代わりにモリブデンマンガンを用い
たもの、ニッケルの代わりにニッケルコバールを用いた
もの、金の代わりに銀、銅を用いたものであってもよ
い。
限らず、他の金属であってもよい。また、接続電極とし
て、タングステンの代わりにモリブデンマンガンを用い
たもの、ニッケルの代わりにニッケルコバールを用いた
もの、金の代わりに銀、銅を用いたものであってもよ
い。
【００１０】尚、本発明の実施例では表面実装型水晶振
動子についてのみ例にしたが、同様のパッケージを用い
ることにより、圧電単結晶振動子、圧電セラミック振動
子についても同様に実施することができる。また、表面
実装型水晶フィルタに転用すること事や水晶発振器等に
応用する事も可能である。すなわち、接続電極上にサポ
ートを溶接し、そのサポートに素子を搭載する構成のあ
らゆる電子部品に実施することが可能である。また、本
発明の実施例では、ガラス封止のセラミックパッケージ
について説明したが、シーム封止のパッケージにも適用
できる事は言うまでもない。
動子についてのみ例にしたが、同様のパッケージを用い
ることにより、圧電単結晶振動子、圧電セラミック振動
子についても同様に実施することができる。また、表面
実装型水晶フィルタに転用すること事や水晶発振器等に
応用する事も可能である。すなわち、接続電極上にサポ
ートを溶接し、そのサポートに素子を搭載する構成のあ
らゆる電子部品に実施することが可能である。また、本
発明の実施例では、ガラス封止のセラミックパッケージ
について説明したが、シーム封止のパッケージにも適用
できる事は言うまでもない。
【００１１】
【発明の効果】本発明の特許請求項１により、セラミッ
ク基板の接続電極の上面の金属板によりサポート接合面
が平滑化される。そして、その後のサポート搭載する際
に、溶接強度ばらつきが抑えられるとともに、サポート
は金属板との溶接であるために接合強度が増す。そし
て、圧電振動子としての電気的特性の安定化、表面実装
型圧電振動子としての耐衝撃性能の向上が行えるより信
頼性の高い表面実装型圧電振動子を提供することができ
る。
ク基板の接続電極の上面の金属板によりサポート接合面
が平滑化される。そして、その後のサポート搭載する際
に、溶接強度ばらつきが抑えられるとともに、サポート
は金属板との溶接であるために接合強度が増す。そし
て、圧電振動子としての電気的特性の安定化、表面実装
型圧電振動子としての耐衝撃性能の向上が行えるより信
頼性の高い表面実装型圧電振動子を提供することができ
る。
【００１２】本発明の特許請求項２により、サポート溶
接時に、接続電極、並びに、セラミック基板を損傷する
ことのない溶接が可能となる。
接時に、接続電極、並びに、セラミック基板を損傷する
ことのない溶接が可能となる。
【図１】本発明の実施例を示す分解斜視図である。
【図２】図１のサポートを搭載した状態の分解斜視図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施例を示す斜視図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
１ セラミック基板 ２ アルミナコート ３，４ 接続電極 ５，６ サポート ７ 水晶板 ８ キャップ ９，１０ 金属板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１２月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記セ
ラミック基板の接続電極上にレーザー溶接、又はスポッ
ト溶接等によりサポートを搭載する場合、接続電極の強
度、接続電極の厚みばらつきが原因で以下のような問題
点があった。すなわち、セラミック基板上の接続電極の
厚みが薄いために（例えば電極厚み１５μｍ）、接合物
であるサポートの接合強度が弱くなったり、あるいは被
接合物であるセラミック基板の損傷、破壊を生じる事が
あった。また、反対にセラミック基板上の接続電極の厚
みを増やすことにより（例えば電極厚み３０μｍ以
上）、上記問題点は解決するものの、接続電極上面であ
るサポート溶接面の平面度が悪化して凹凸部が形成され
（特に中央部分が周部分に対して低くなり、その高低差
は約１０μｍ）、このサポート溶接面の凹凸が、接合物
であるサポートと被接合物であるセラミック基板の接続
電極との間にギャップを生じさせてサポートの接合強度
ばらつき（スプラッシュの発生）を招いていた。これ
は、焼成前のグリーンシート上にメタライズ電極を形成
する際、グリーンシート上のメタライズ電極は周辺部か
ら中心部へと、徐々に焼成が進む事が要因と考えられ、
従来では解決できないものとされていた。
ラミック基板の接続電極上にレーザー溶接、又はスポッ
ト溶接等によりサポートを搭載する場合、接続電極の強
度、接続電極の厚みばらつきが原因で以下のような問題
点があった。すなわち、セラミック基板上の接続電極の
厚みが薄いために（例えば電極厚み１５μｍ）、接合物
であるサポートの接合強度が弱くなったり、あるいは被
接合物であるセラミック基板の損傷、破壊を生じる事が
あった。また、反対にセラミック基板上の接続電極の厚
みを増やすことにより（例えば電極厚み３０μｍ以
上）、上記問題点は解決するものの、接続電極上面であ
るサポート溶接面の平面度が悪化して凹凸部が形成され
（特に中央部分が周部分に対して低くなり、その高低差
は約１０μｍ）、このサポート溶接面の凹凸が、接合物
であるサポートと被接合物であるセラミック基板の接続
電極との間にギャップを生じさせてサポートの接合強度
ばらつき（スプラッシュの発生）を招いていた。これ
は、焼成前のグリーンシート上にメタライズ電極を形成
する際、グリーンシート上のメタライズ電極は周辺部か
ら中心部へと、徐々に焼成が進む事が要因と考えられ、
従来では解決できないものとされていた。
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも、接続電極が形成された絶縁
基板と、金属製のサポートと、励振電極が形成された圧
電板と、これらを封止するキャップとを具備する表面実
装型圧電振動子において、前記絶縁基板の接続電極の上
面に金属板がろう接されており、この金属板上面に、前
記サポートが溶接されてなることを特徴とする表面実装
型圧電振動子。 - 【請求項２】 前記金属板の厚みはサポートの厚み以上
のものが用いられいることを特徴とする特許請求項１記
載の表面実装型圧電振動子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33817595A JPH09153762A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 表面実装型圧電振動子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33817595A JPH09153762A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 表面実装型圧電振動子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153762A true JPH09153762A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=18315632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33817595A Pending JPH09153762A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 表面実装型圧電振動子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153762A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007109883A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Tdk Corp | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2009512369A (ja) * | 2005-10-20 | 2009-03-19 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 機械的に敏感な電子構成素子のための中空室を備えたハウジングおよび該ハウジングを製造するための方法 |
| JP2016220179A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-22 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電デバイス |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP33817595A patent/JPH09153762A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007109883A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Tdk Corp | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2009512369A (ja) * | 2005-10-20 | 2009-03-19 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 機械的に敏感な電子構成素子のための中空室を備えたハウジングおよび該ハウジングを製造するための方法 |
| JP2016220179A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-22 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電デバイス |
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