JPH09148474A - ボールグリッドアレイ半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
ボールグリッドアレイ半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH09148474A JPH09148474A JP30790495A JP30790495A JPH09148474A JP H09148474 A JPH09148474 A JP H09148474A JP 30790495 A JP30790495 A JP 30790495A JP 30790495 A JP30790495 A JP 30790495A JP H09148474 A JPH09148474 A JP H09148474A
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- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボールグリッドアレイ半導体装置に反りが発
生した場合であっても、母基板と信頼性の高い接続がで
きるボールグリッドアレイ半導体装置及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 配線回路を有する基板１上に半導体チッ
プ２を搭載し、その半導体チップ２を封止材４で封止
し、基板１の半導体チップ２を搭載した面と反対側の面
に複数のハンダバンプ６を形成したボールグリッドアレ
イ半導体装置であって、ハンダバンプ６の先端を結ぶこ
とにより形成される面が、後加工して平面状に形成され
ている。そのため、ボールグリッドアレイ半導体装置を
母基板に実装するとき、ハンダバンプ６と母基板の電極
の間に隙間が生じにくくなり、信頼性の高い接続が可能
となる。
生した場合であっても、母基板と信頼性の高い接続がで
きるボールグリッドアレイ半導体装置及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 配線回路を有する基板１上に半導体チッ
プ２を搭載し、その半導体チップ２を封止材４で封止
し、基板１の半導体チップ２を搭載した面と反対側の面
に複数のハンダバンプ６を形成したボールグリッドアレ
イ半導体装置であって、ハンダバンプ６の先端を結ぶこ
とにより形成される面が、後加工して平面状に形成され
ている。そのため、ボールグリッドアレイ半導体装置を
母基板に実装するとき、ハンダバンプ６と母基板の電極
の間に隙間が生じにくくなり、信頼性の高い接続が可能
となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気・電子機器等
に使用されるボールグリッドアレイ半導体装置及びその
製造方法に関するものである。
に使用されるボールグリッドアレイ半導体装置及びその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体装置の高機能化に伴い、半
導体装置の外部端子の数は増大する傾向にある。そのた
め、半導体装置の４つの側面に端子を形成したＱＦＰと
呼ばれる半導体装置等が検討され実用化されている。し
かし、さらに外部端子の数が増大すると、端子を形成す
る面を増やしたり、端子の間隔を狭くしたとしても、半
導体装置の大きさが大きくなる傾向にあり、半導体装置
の大きさが大きくなると、電気・電子機器等を使用する
とき、半導体装置と、半導体装置を実装するプリント配
線板（以下母基板と記す）の熱膨張率の差により、ハン
ダ等によって形成された、それらの接合部に亀裂が発生
し、信頼性を低下させるという問題や、母基板の大きさ
が大きくなり電気信号の伝達速度が低下するという問題
があった。そこで、ＰＧＡ（ピングリッドアレイ）半導
体装置と呼ばれる、半導体装置の１つの面にピン状の端
子を格子状に形成した半導体装置が検討され、実用化さ
れている。しかし、このＰＧＡ半導体装置は端子を母基
板の穴に挿入して実装する必要があり、部品実装の自動
化が困難であった。そのため、近年、ボールグリッドア
レイ（ＢＧＡ）半導体装置と呼ばれる、ＰＧＡ半導体装
置の端子の形状をボール状とし、表面実装に対応した半
導体装置が検討されている。
導体装置の外部端子の数は増大する傾向にある。そのた
め、半導体装置の４つの側面に端子を形成したＱＦＰと
呼ばれる半導体装置等が検討され実用化されている。し
かし、さらに外部端子の数が増大すると、端子を形成す
る面を増やしたり、端子の間隔を狭くしたとしても、半
導体装置の大きさが大きくなる傾向にあり、半導体装置
の大きさが大きくなると、電気・電子機器等を使用する
とき、半導体装置と、半導体装置を実装するプリント配
線板（以下母基板と記す）の熱膨張率の差により、ハン
ダ等によって形成された、それらの接合部に亀裂が発生
し、信頼性を低下させるという問題や、母基板の大きさ
が大きくなり電気信号の伝達速度が低下するという問題
があった。そこで、ＰＧＡ（ピングリッドアレイ）半導
体装置と呼ばれる、半導体装置の１つの面にピン状の端
子を格子状に形成した半導体装置が検討され、実用化さ
れている。しかし、このＰＧＡ半導体装置は端子を母基
板の穴に挿入して実装する必要があり、部品実装の自動
化が困難であった。そのため、近年、ボールグリッドア
レイ（ＢＧＡ）半導体装置と呼ばれる、ＰＧＡ半導体装
置の端子の形状をボール状とし、表面実装に対応した半
導体装置が検討されている。
【０００３】このボールグリッドアレイ半導体装置は、
図２に示すように、配線回路を有する基板１上に半導体
チップ２が搭載され、その半導体チップ２と基板１がボ
ンディングワイヤー３で電気的に接続され、基板１の半
導体チップ２を搭載した面が、封止材４で封止されてい
る。また、基板１の半導体チップ２が搭載された面と反
対側の面には、半導体チップ２と電気的に接続された複
数のバンプ用電極５が形成されており、さらにその複数
のバンプ用電極５にハンダバンプ６が形成されている。
このハンダバンプ６は、半導体装置を母基板に実装する
ときに溶融し、半導体装置と母基板の電気的な接続を行
う。
図２に示すように、配線回路を有する基板１上に半導体
チップ２が搭載され、その半導体チップ２と基板１がボ
ンディングワイヤー３で電気的に接続され、基板１の半
導体チップ２を搭載した面が、封止材４で封止されてい
る。また、基板１の半導体チップ２が搭載された面と反
対側の面には、半導体チップ２と電気的に接続された複
数のバンプ用電極５が形成されており、さらにその複数
のバンプ用電極５にハンダバンプ６が形成されている。
このハンダバンプ６は、半導体装置を母基板に実装する
ときに溶融し、半導体装置と母基板の電気的な接続を行
う。
【０００４】このボールグリッドアレイ半導体装置は、
一般に図３に示すような方法で製造されている。図３
（ａ）に示すように、一方の面に半導体チップ２と電気
的に接続するためのチップ用電極７を有し、他方の面に
ハンダバンプ６を形成するためのバンプ用電極５を有
し、そのチップ用電極７とバンプ用電極５の間を配線回
路で接続した基板１を用いて、その基板１の一方の面に
半導体チップ２を接着剤を用いて接着する。次いで、図
３（ｂ）に示すように、チップ用電極７と半導体チップ
２を金線等のボンディングワイヤー３で接続する。次い
で、図３（ｃ）に示すように、半導体チップ２やチップ
用電極７等を、エポキシ樹脂等の封止材４でコーティン
グした後、樹脂を硬化させて封止する。次いで、図３
（ｄ）に示すように、半導体チップ２が搭載された面と
反対側の面のバンプ用電極５に、ハンダペーストの印刷
等によりハンダを供給した後、加熱することにより、ハ
ンダバンプ６を形成して製造される。
一般に図３に示すような方法で製造されている。図３
（ａ）に示すように、一方の面に半導体チップ２と電気
的に接続するためのチップ用電極７を有し、他方の面に
ハンダバンプ６を形成するためのバンプ用電極５を有
し、そのチップ用電極７とバンプ用電極５の間を配線回
路で接続した基板１を用いて、その基板１の一方の面に
半導体チップ２を接着剤を用いて接着する。次いで、図
３（ｂ）に示すように、チップ用電極７と半導体チップ
２を金線等のボンディングワイヤー３で接続する。次い
で、図３（ｃ）に示すように、半導体チップ２やチップ
用電極７等を、エポキシ樹脂等の封止材４でコーティン
グした後、樹脂を硬化させて封止する。次いで、図３
（ｄ）に示すように、半導体チップ２が搭載された面と
反対側の面のバンプ用電極５に、ハンダペーストの印刷
等によりハンダを供給した後、加熱することにより、ハ
ンダバンプ６を形成して製造される。
【０００５】上記のように、ボールグリッドアレイ半導
体装置は、基板の片面を封止材で封止し、他の面にハン
ダバンプを形成してなる構造であるため、基板及び封止
材等の熱膨張係数の違いにより、ハンダを供給した後の
加熱や、封止後の加熱等により、ボールグリッドアレイ
半導体装置に反りが発生する場合があった。この反りが
発生したボールグリッドアレイ半導体装置は、母基板に
実装するとき、ボールグリッドアレイ半導体装置のハン
ダバンプと、母基板の電極の間に部分的に大きな隙間が
生じる。この大きな隙間が生じた半導体装置を加熱し、
ハンダバンプを溶融させると、大きな隙間が生じていな
いハンダバンプの部分は、図４（ａ）に示すように、基
板１と母基板８の間でほぼ太さが変わらないか又は中央
部が太い形状で接続されるが、大きな隙間が発生したハ
ンダバンプの部分は、図４（ｂ）に示すように、母基板
８の電極と接続されないという問題が発生する場合や、
接続された場合であっても、図４（ｃ）に示すように、
接続する面積が部分的に細い形状となり、この細い部分
は、電気・電子機器等を使用するとき、半導体装置と母
基板８の熱膨張率の差により、その細い部分に亀裂が発
生し、電気的信頼性が低下するという問題が発生する場
合があった。ボールグリッドアレイ半導体装置は、ハン
ダバンプ６が一方の面にあるため、母基板８に実装する
とハンダバンプ６は、ボールグリッドアレイ半導体装置
の下側に隠れてしまい、接続状態の外観検査が困難であ
り、上記のハンダバンプ６と、母基板１の電極の接続す
る面積が部分的に細くなった図４（ｃ）のような場合の
検査は、Ｘ線観察等非常に複雑な方法を用いる必要があ
り、信頼性の高い接続ができるボールグリッドアレイ半
導体装置及びその製造方法が求められている。
体装置は、基板の片面を封止材で封止し、他の面にハン
ダバンプを形成してなる構造であるため、基板及び封止
材等の熱膨張係数の違いにより、ハンダを供給した後の
加熱や、封止後の加熱等により、ボールグリッドアレイ
半導体装置に反りが発生する場合があった。この反りが
発生したボールグリッドアレイ半導体装置は、母基板に
実装するとき、ボールグリッドアレイ半導体装置のハン
ダバンプと、母基板の電極の間に部分的に大きな隙間が
生じる。この大きな隙間が生じた半導体装置を加熱し、
ハンダバンプを溶融させると、大きな隙間が生じていな
いハンダバンプの部分は、図４（ａ）に示すように、基
板１と母基板８の間でほぼ太さが変わらないか又は中央
部が太い形状で接続されるが、大きな隙間が発生したハ
ンダバンプの部分は、図４（ｂ）に示すように、母基板
８の電極と接続されないという問題が発生する場合や、
接続された場合であっても、図４（ｃ）に示すように、
接続する面積が部分的に細い形状となり、この細い部分
は、電気・電子機器等を使用するとき、半導体装置と母
基板８の熱膨張率の差により、その細い部分に亀裂が発
生し、電気的信頼性が低下するという問題が発生する場
合があった。ボールグリッドアレイ半導体装置は、ハン
ダバンプ６が一方の面にあるため、母基板８に実装する
とハンダバンプ６は、ボールグリッドアレイ半導体装置
の下側に隠れてしまい、接続状態の外観検査が困難であ
り、上記のハンダバンプ６と、母基板１の電極の接続す
る面積が部分的に細くなった図４（ｃ）のような場合の
検査は、Ｘ線観察等非常に複雑な方法を用いる必要があ
り、信頼性の高い接続ができるボールグリッドアレイ半
導体装置及びその製造方法が求められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、ボールグリッドアレイ半導体装置に反りが発生し
た場合であっても、母基板と信頼性の高い接続ができる
ボールグリッドアレイ半導体装置及びその製造方法を提
供することにある。
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、ボールグリッドアレイ半導体装置に反りが発生し
た場合であっても、母基板と信頼性の高い接続ができる
ボールグリッドアレイ半導体装置及びその製造方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
ボールグリッドアレイ半導体装置は、配線回路を有する
基板上に半導体チップを搭載し、その半導体チップを封
止材で封止し、前記基板の半導体チップを搭載した面と
反対側の面に複数のハンダバンプを形成したボールグリ
ッドアレイ半導体装置において、ハンダバンプの先端を
結ぶことにより形成される面が、後加工して平面状に形
成されていることを特徴とする。
ボールグリッドアレイ半導体装置は、配線回路を有する
基板上に半導体チップを搭載し、その半導体チップを封
止材で封止し、前記基板の半導体チップを搭載した面と
反対側の面に複数のハンダバンプを形成したボールグリ
ッドアレイ半導体装置において、ハンダバンプの先端を
結ぶことにより形成される面が、後加工して平面状に形
成されていることを特徴とする。
【０００８】本発明の請求項２に係るボールグリッドア
レイ半導体装置の製造方法は、請求項１記載のボールグ
リッドアレイ半導体装置の製造方法であって、後加工の
方法が、ハンダバンプを研磨して、ハンダバンプの先端
を結ぶことにより形成される面を、平面状に形成する方
法であることを特徴とする。
レイ半導体装置の製造方法は、請求項１記載のボールグ
リッドアレイ半導体装置の製造方法であって、後加工の
方法が、ハンダバンプを研磨して、ハンダバンプの先端
を結ぶことにより形成される面を、平面状に形成する方
法であることを特徴とする。
【０００９】本発明の請求項３に係るボールグリッドア
レイ半導体装置の製造方法は、請求項１記載のボールグ
リッドアレイ半導体装置の製造方法であって、後加工の
方法が、ハンダバンプを加熱加圧して、ハンダバンプの
先端を結ぶことにより形成される面を、平面状に形成す
る方法であることを特徴とする。
レイ半導体装置の製造方法は、請求項１記載のボールグ
リッドアレイ半導体装置の製造方法であって、後加工の
方法が、ハンダバンプを加熱加圧して、ハンダバンプの
先端を結ぶことにより形成される面を、平面状に形成す
る方法であることを特徴とする。
【００１０】本発明のボールグリッドアレイ半導体装置
によると、ボールグリッドアレイ半導体装置に反りが発
生した場合であっても、ハンダバンプの先端を結ぶこと
により形成される面が平面状に形成されているため、ボ
ールグリッドアレイ半導体装置を母基板に実装すると
き、ボールグリッドアレイ半導体装置のハンダバンプと
母基板の電極の間に隙間が生じにくくなり、信頼性の高
い接続が可能となる。
によると、ボールグリッドアレイ半導体装置に反りが発
生した場合であっても、ハンダバンプの先端を結ぶこと
により形成される面が平面状に形成されているため、ボ
ールグリッドアレイ半導体装置を母基板に実装すると
き、ボールグリッドアレイ半導体装置のハンダバンプと
母基板の電極の間に隙間が生じにくくなり、信頼性の高
い接続が可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明に係るボールグリッドアレ
イ半導体装置を図面に基づいて説明する。図１は本発明
に係るボールグリッドアレイ半導体装置の構造を説明す
る断面図であり、図３は本発明のボールグリッドアレイ
半導体装置の製造方法を説明する工程図であり、図４は
ボールグリッドアレイ半導体装置を母基板に実装した状
態を説明する断面図であり、図５は本発明に係るボール
グリッドアレイ半導体装置の製造方法の一実施の形態を
説明する側面図である。
イ半導体装置を図面に基づいて説明する。図１は本発明
に係るボールグリッドアレイ半導体装置の構造を説明す
る断面図であり、図３は本発明のボールグリッドアレイ
半導体装置の製造方法を説明する工程図であり、図４は
ボールグリッドアレイ半導体装置を母基板に実装した状
態を説明する断面図であり、図５は本発明に係るボール
グリッドアレイ半導体装置の製造方法の一実施の形態を
説明する側面図である。
【００１２】本発明のボールグリッドアレイ半導体装置
は、図１に示すように、配線回路を有する基板１上に半
導体チップ２を搭載し、その半導体チップ２を封止材４
で封止し、前記基板１の半導体チップ２を搭載した面と
反対側の面に複数のハンダバンプ６が形成されている。
そのハンダバンプ６の先端を結ぶことにより仮想的に形
成する面は、ハンダバンプ６形成後に、後加工して平面
状に形成されている。このハンダバンプ６の先端を結ぶ
ことにより仮想的に形成する面が、平面状に形成されて
いるため、ボールグリッドアレイ半導体装置を母基板に
実装するとき、ボールグリッドアレイ半導体装置のハン
ダバンプと母基板の電極の間に隙間が生じにくくなり、
図４（ａ）に示すように、基板１と母基板８の間がほぼ
太さが変わらないか又は中央部が太い形状で接続され、
信頼性の高い接続が可能となる。
は、図１に示すように、配線回路を有する基板１上に半
導体チップ２を搭載し、その半導体チップ２を封止材４
で封止し、前記基板１の半導体チップ２を搭載した面と
反対側の面に複数のハンダバンプ６が形成されている。
そのハンダバンプ６の先端を結ぶことにより仮想的に形
成する面は、ハンダバンプ６形成後に、後加工して平面
状に形成されている。このハンダバンプ６の先端を結ぶ
ことにより仮想的に形成する面が、平面状に形成されて
いるため、ボールグリッドアレイ半導体装置を母基板に
実装するとき、ボールグリッドアレイ半導体装置のハン
ダバンプと母基板の電極の間に隙間が生じにくくなり、
図４（ａ）に示すように、基板１と母基板８の間がほぼ
太さが変わらないか又は中央部が太い形状で接続され、
信頼性の高い接続が可能となる。
【００１３】なお、上記平面状とは均一な平面のみでは
なく、ほぼ平面状であればよく、半導体装置を母基板に
実装するとき、ハンダバンプが溶けて少し高さが低くな
るため、そのとき少しの高さの差は吸収され、ほぼ平面
状であれば信頼性の高い接続が可能となる。また、全て
のハンダバンプが後加工されていなくてもよく、ハンダ
バンプの一部を後加工することにより、ハンダバンプの
先端を結ぶことにより仮想的に形成する面が、平面状に
なるような場合でもよい。
なく、ほぼ平面状であればよく、半導体装置を母基板に
実装するとき、ハンダバンプが溶けて少し高さが低くな
るため、そのとき少しの高さの差は吸収され、ほぼ平面
状であれば信頼性の高い接続が可能となる。また、全て
のハンダバンプが後加工されていなくてもよく、ハンダ
バンプの一部を後加工することにより、ハンダバンプの
先端を結ぶことにより仮想的に形成する面が、平面状に
なるような場合でもよい。
【００１４】後加工して、ハンダバンプの先端を結ぶこ
とにより形成される面を、平面状に形成する方法として
は、例えば、ハンダバンプを研磨する方法や、ハンダバ
ンプを加熱加圧する方法が挙げられる。研磨する方法の
場合は、ハンダバンプの中心に銅球等の核となるものを
入れ周囲にハンダで包んだような複合材料からなるハン
ダバンプの場合でも加工することができる。なお研摩に
は切削等のように削りとる方法も含む。これらの後加工
は、複数のハンダバンプを含む大きさで研磨又は加熱加
圧すると短時間で加工することができ好ましいが、ハン
ダバンプを一つずつ後加工してもよい。
とにより形成される面を、平面状に形成する方法として
は、例えば、ハンダバンプを研磨する方法や、ハンダバ
ンプを加熱加圧する方法が挙げられる。研磨する方法の
場合は、ハンダバンプの中心に銅球等の核となるものを
入れ周囲にハンダで包んだような複合材料からなるハン
ダバンプの場合でも加工することができる。なお研摩に
は切削等のように削りとる方法も含む。これらの後加工
は、複数のハンダバンプを含む大きさで研磨又は加熱加
圧すると短時間で加工することができ好ましいが、ハン
ダバンプを一つずつ後加工してもよい。
【００１５】なお、研磨する方法としては、図５に示す
ように、固定部１０及び研磨材１１の付いた回転板１２
よりなる研磨装置を用いて、固定部１０にボールグリッ
ドアレイ半導体装置をハンダバンプ６が研磨材１１の方
向に向くよう固定する。次いで、研磨材１１の付いた回
転板１２を回転させた後、研磨材１１をハンダバンプ６
に接触させて研磨を行う方法等が挙げられる。なお研磨
量は、ボールグリッドアレイ半導体装置の反りの大きさ
及びハンダバンプの大きさにより適宜調整する。
ように、固定部１０及び研磨材１１の付いた回転板１２
よりなる研磨装置を用いて、固定部１０にボールグリッ
ドアレイ半導体装置をハンダバンプ６が研磨材１１の方
向に向くよう固定する。次いで、研磨材１１の付いた回
転板１２を回転させた後、研磨材１１をハンダバンプ６
に接触させて研磨を行う方法等が挙げられる。なお研磨
量は、ボールグリッドアレイ半導体装置の反りの大きさ
及びハンダバンプの大きさにより適宜調整する。
【００１６】また、加熱加圧する方法としては、ハンダ
との濡れ性の悪い金属をハンダが溶融する程度の温度に
加温し、ハンダバンプに押し当てることにより平面化す
る方法や、ハンダが溶融する程度の温度の気体をハンダ
バンプに当てた後、ハンダとの濡れ性の悪い金属にハン
ダバンプを押し当てることにより平面化する方法や、ハ
ンダが軟化する程度の温度の気体をハンダバンプに当て
た後、ハンダとの濡れ性の悪い金属にボールグリッドア
レイ半導体装置を挟み加圧して、ハンダバンプを変形さ
せることにより平面化する方法等が挙げられる。
との濡れ性の悪い金属をハンダが溶融する程度の温度に
加温し、ハンダバンプに押し当てることにより平面化す
る方法や、ハンダが溶融する程度の温度の気体をハンダ
バンプに当てた後、ハンダとの濡れ性の悪い金属にハン
ダバンプを押し当てることにより平面化する方法や、ハ
ンダが軟化する程度の温度の気体をハンダバンプに当て
た後、ハンダとの濡れ性の悪い金属にボールグリッドア
レイ半導体装置を挟み加圧して、ハンダバンプを変形さ
せることにより平面化する方法等が挙げられる。
【００１７】なお、後加工する工程以前のボールグリッ
ドアレイ半導体装置の製造方法は、特に限定するもので
はない。例えば、図３（ａ）に示すように、一方の面に
半導体チップ２と電気的に接続するためのチップ用電極
７を有し、他方の面にハンダバンプ６を形成するための
バンプ用電極５を有し、そのチップ用電極７とバンプ用
電極５の間を配線回路で接続した基板１を用いて、その
基板１の一方の面に半導体チップ２を接着剤を用いて接
着する。次いで、図３（ｂ）に示すように、チップ用電
極７と半導体チップ２を金線等のボンディングワイヤー
３で接続する。次いで、図３（ｃ）に示すように、半導
体チップ２やチップ用電極７等を、エポキシ樹脂等の封
止材４でコーティングした後、樹脂を硬化させて封止す
る。次いで、図３（ｄ）に示すように、半導体チップ２
が搭載された面と反対側の面のバンプ用電極５に、ハン
ダペーストの印刷等によりハンダを供給した後、加熱す
ることにより、ハンダバンプ６を形成して製造される方
法が挙げられる。また別の製造方法としては、一方の面
に半導体チップと電気的に接続するためのチップ用電極
を有し、他方の面にハンダバンプを形成するためのバン
プ用電極を有し、そのチップ用電極とバンプ用電極の間
を配線回路で接続した基板を用いて、その基板の一方の
面のバンプ用電極に、ハンダペーストの印刷等によりハ
ンダを供給した後、加熱することにより、ハンダバンプ
を形成する。次いで、ハンダバンプが形成された面と反
対側の面に半導体チップを接着剤を用いて接着した後、
チップ用電極と半導体チップをボンディングワイヤーで
接続する。次いで、半導体チップやチップ用電極等を、
封止材で封止する方法が挙げられる。なお上記半導体チ
ップが搭載される基板や封止材としては熱硬化性樹脂
や、セラミック及びセラミック含有熱硬化性樹脂等各種
のものが使用できる。またハンダバンプとしては、中心
部に銅球等の核となるものを入れ周囲にハンダで包んだ
ような複合材料からなるハンダバンプ等も使用できる。
ドアレイ半導体装置の製造方法は、特に限定するもので
はない。例えば、図３（ａ）に示すように、一方の面に
半導体チップ２と電気的に接続するためのチップ用電極
７を有し、他方の面にハンダバンプ６を形成するための
バンプ用電極５を有し、そのチップ用電極７とバンプ用
電極５の間を配線回路で接続した基板１を用いて、その
基板１の一方の面に半導体チップ２を接着剤を用いて接
着する。次いで、図３（ｂ）に示すように、チップ用電
極７と半導体チップ２を金線等のボンディングワイヤー
３で接続する。次いで、図３（ｃ）に示すように、半導
体チップ２やチップ用電極７等を、エポキシ樹脂等の封
止材４でコーティングした後、樹脂を硬化させて封止す
る。次いで、図３（ｄ）に示すように、半導体チップ２
が搭載された面と反対側の面のバンプ用電極５に、ハン
ダペーストの印刷等によりハンダを供給した後、加熱す
ることにより、ハンダバンプ６を形成して製造される方
法が挙げられる。また別の製造方法としては、一方の面
に半導体チップと電気的に接続するためのチップ用電極
を有し、他方の面にハンダバンプを形成するためのバン
プ用電極を有し、そのチップ用電極とバンプ用電極の間
を配線回路で接続した基板を用いて、その基板の一方の
面のバンプ用電極に、ハンダペーストの印刷等によりハ
ンダを供給した後、加熱することにより、ハンダバンプ
を形成する。次いで、ハンダバンプが形成された面と反
対側の面に半導体チップを接着剤を用いて接着した後、
チップ用電極と半導体チップをボンディングワイヤーで
接続する。次いで、半導体チップやチップ用電極等を、
封止材で封止する方法が挙げられる。なお上記半導体チ
ップが搭載される基板や封止材としては熱硬化性樹脂
や、セラミック及びセラミック含有熱硬化性樹脂等各種
のものが使用できる。またハンダバンプとしては、中心
部に銅球等の核となるものを入れ周囲にハンダで包んだ
ような複合材料からなるハンダバンプ等も使用できる。
【００１８】
【発明の効果】本発明の請求項１に係るボールグリッド
アレイ半導体装置によると、ボールグリッドアレイ半導
体装置に反りが発生した場合であっても、ハンダバンプ
の先端を結ぶことにより形成される面が平面状に形成さ
れているため、ボールグリッドアレイ半導体装置を母基
板に実装するとき、ボールグリッドアレイ半導体装置の
ハンダバンプと母基板の電極の間に隙間が生じにくくな
り、信頼性の高い接続が可能となる。
アレイ半導体装置によると、ボールグリッドアレイ半導
体装置に反りが発生した場合であっても、ハンダバンプ
の先端を結ぶことにより形成される面が平面状に形成さ
れているため、ボールグリッドアレイ半導体装置を母基
板に実装するとき、ボールグリッドアレイ半導体装置の
ハンダバンプと母基板の電極の間に隙間が生じにくくな
り、信頼性の高い接続が可能となる。
【００１９】本発明の請求項２及び請求項３に係るボー
ルグリッドアレイ半導体装置の製造方法によると、信頼
性の高い接続が可能なボールグリッドアレイ半導体装置
が得られる。
ルグリッドアレイ半導体装置の製造方法によると、信頼
性の高い接続が可能なボールグリッドアレイ半導体装置
が得られる。
【図１】本発明に係るボールグリッドアレイ半導体装置
の構造を説明する断面図である。
の構造を説明する断面図である。
【図２】本発明の従来例のボールグリッドアレイ半導体
装置の構造を説明する断面図である。
装置の構造を説明する断面図である。
【図３】本発明のボールグリッドアレイ半導体装置の製
造方法を説明する工程図である。
造方法を説明する工程図である。
【図４】ボールグリッドアレイ半導体装置を母基板に実
装した状態を説明する断面図であり、（ａ）はハンダバ
ンプと母基板の間の隙間が小さい場合、（ｂ）及び
（ｃ）はハンダバンプと母基板の電極の間の隙間が大き
い場合の図である。
装した状態を説明する断面図であり、（ａ）はハンダバ
ンプと母基板の間の隙間が小さい場合、（ｂ）及び
（ｃ）はハンダバンプと母基板の電極の間の隙間が大き
い場合の図である。
【図５】本発明に係るボールグリッドアレイ半導体装置
の製造方法の一実施の形態を説明する側面図である。
の製造方法の一実施の形態を説明する側面図である。
１ 基板 ２ 半導体チップ ３ ボンディングワイヤー ４ 封止材 ５ バンプ用電極 ６ ハンダバンプ ７ チップ用電極 ８ 母基板
Claims (3)
- 【請求項１】 配線回路を有する基板（１）上に半導体
チップ（２）を搭載し、その半導体チップ（２）を封止
材（４）で封止し、前記基板（１）の半導体チップ
（２）を搭載した面と反対側の面に複数のハンダバンプ
（６）を形成したボールグリッドアレイ半導体装置にお
いて、ハンダバンプ（６）の先端を結ぶことにより形成
される面が、後加工して平面状に形成されていることを
特徴とするボールグリッドアレイ半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のボールグリッドアレイ半
導体装置の製造方法であって、後加工の方法が、ハンダ
バンプ（６）を研磨して、ハンダバンプ（６）の先端を
結ぶことにより形成される面を、平面状に形成する方法
であることを特徴とするボールグリッドアレイ半導体装
置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のボールグリッドアレイ半
導体装置の製造方法であって、後加工の方法が、ハンダ
バンプ（６）を加熱加圧して、ハンダバンプ（６）の先
端を結ぶことにより形成される面を、平面状に形成する
方法であることを特徴とするボールグリッドアレイ半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30790495A JPH09148474A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | ボールグリッドアレイ半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30790495A JPH09148474A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | ボールグリッドアレイ半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148474A true JPH09148474A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17974576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30790495A Pending JPH09148474A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | ボールグリッドアレイ半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148474A (ja) |
-
1995
- 1995-11-27 JP JP30790495A patent/JPH09148474A/ja active Pending
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