JPH09147315A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH09147315A JPH09147315A JP30117395A JP30117395A JPH09147315A JP H09147315 A JPH09147315 A JP H09147315A JP 30117395 A JP30117395 A JP 30117395A JP 30117395 A JP30117395 A JP 30117395A JP H09147315 A JPH09147315 A JP H09147315A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ギャップ形成面の平面精度を十分に確保して
トラック加工精度を向上させ、歩留り及び信頼性の高い
磁気ヘッドを製造する。 【解決手段】 一対の磁気コア半体ブロック３６，３７
を作製するに際して、予め平面加工が施された各外側面
３３ａ，３３ｂを基準として第２の基板ブロック３４，
３５の切断面にそれぞれ平面加工を施してギャップ形成
面３４ａ，３５ａを形成する。
トラック加工精度を向上させ、歩留り及び信頼性の高い
磁気ヘッドを製造する。 【解決手段】 一対の磁気コア半体ブロック３６，３７
を作製するに際して、予め平面加工が施された各外側面
３３ａ，３３ｂを基準として第２の基板ブロック３４，
３５の切断面にそれぞれ平面加工を施してギャップ形成
面３４ａ，３５ａを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビデオテープレコ
ーダや磁気ディスク装置等に好適な磁気ヘッドの製造方
法に関し、特に、非磁性基板に成膜された金属磁性薄膜
により閉磁路が形成されてなる磁気ヘッドの製造方法に
関する。
ーダや磁気ディスク装置等に好適な磁気ヘッドの製造方
法に関し、特に、非磁性基板に成膜された金属磁性薄膜
により閉磁路が形成されてなる磁気ヘッドの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）や磁気
ディスク装置等の磁気記録再生装置の磁気ヘッドとして
は、フェライトよりなる磁気コアの磁気ギャップ形成面
に金属磁性薄膜を成膜した、いわゆるメタル・イン・ギ
ャップ型磁気ヘッドや、一対の非磁性材料よりなる基板
で金属磁性薄膜を挟み込んだ形の、いわゆるラミネート
型磁気ヘッド等が使用されており、高画質化、デジタル
化等に対応し、高周波域で良好な電磁変換特性を示すこ
とが考慮されている。
ディスク装置等の磁気記録再生装置の磁気ヘッドとして
は、フェライトよりなる磁気コアの磁気ギャップ形成面
に金属磁性薄膜を成膜した、いわゆるメタル・イン・ギ
ャップ型磁気ヘッドや、一対の非磁性材料よりなる基板
で金属磁性薄膜を挟み込んだ形の、いわゆるラミネート
型磁気ヘッド等が使用されており、高画質化、デジタル
化等に対応し、高周波域で良好な電磁変換特性を示すこ
とが考慮されている。
【０００３】具体的に、ラミネート型の磁気ヘッドにお
いては、一対の磁気コア半体がギャップ膜を介して突き
合わせられ接合一体化されて磁気ギャップを有する磁気
コアが形成されている。
いては、一対の磁気コア半体がギャップ膜を介して突き
合わせられ接合一体化されて磁気ギャップを有する磁気
コアが形成されている。
【０００４】各磁気コア半体は、非磁性材料からなるガ
ード部材にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ等よりなる金属磁性薄膜が
狭持されてなるものであり、この金属磁性薄膜の端部が
突き合わせられることにより閉磁路が形成されることに
なる。このとき、磁気ギャップのトラック幅は上記ガー
ド部材が非磁性材料よりなることから上記金属磁性薄膜
の膜厚によって規制される。
ード部材にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ等よりなる金属磁性薄膜が
狭持されてなるものであり、この金属磁性薄膜の端部が
突き合わせられることにより閉磁路が形成されることに
なる。このとき、磁気ギャップのトラック幅は上記ガー
ド部材が非磁性材料よりなることから上記金属磁性薄膜
の膜厚によって規制される。
【０００５】この場合、上記金属磁性薄膜の代わりに、
当該金属磁性薄膜と酸化物膜或は窒化物膜等の絶縁膜と
が交互に多層積層されてなる多層膜を成膜することが好
適である。
当該金属磁性薄膜と酸化物膜或は窒化物膜等の絶縁膜と
が交互に多層積層されてなる多層膜を成膜することが好
適である。
【０００６】また、各磁気コア半体の突合せ面には、磁
気ギャップのデプスを規制するとともに磁気コイルを形
成するための線材を巻回する巻線溝がそれぞれ形成さ
れ、当該巻線溝の上部には融着ガラスが充填されてい
る。
気ギャップのデプスを規制するとともに磁気コイルを形
成するための線材を巻回する巻線溝がそれぞれ形成さ
れ、当該巻線溝の上部には融着ガラスが充填されてい
る。
【０００７】上記磁気ヘッドを製造するに際しては、先
ず、それぞれ一主面に金属磁性薄膜が成膜されてなる複
数の短冊状の非磁性基板を当該一主面にて接合一体化し
た後に、非磁性基板に所定のアジマス角をもって切断加
工を施して各基板ブロックを切り出す。
ず、それぞれ一主面に金属磁性薄膜が成膜されてなる複
数の短冊状の非磁性基板を当該一主面にて接合一体化し
た後に、非磁性基板に所定のアジマス角をもって切断加
工を施して各基板ブロックを切り出す。
【０００８】次いで、各基板ブロックの一方の切断面に
それぞれ平面加工を施してギャップ形成面を形成して磁
気コア半体ブロックを作製する。
それぞれ平面加工を施してギャップ形成面を形成して磁
気コア半体ブロックを作製する。
【０００９】続いて、上記磁気コア半体ブロックに長手
方向に沿って巻線溝を形成し、各磁気コア半体ブロック
の上記ギャップ形成面に磁気ギャップを構成するための
ギャップ膜をスパッタ等の手法により成膜した後に、一
対の各磁気コア半体ブロックを金属磁性薄膜が相対向す
るように各ギャップ膜にて突き合わせ、この状態で巻線
溝に例えば棒状のガラス材を挿入して加熱し、溶融ガラ
スにより両者を接合一体化して磁気コアブロックを作製
する。
方向に沿って巻線溝を形成し、各磁気コア半体ブロック
の上記ギャップ形成面に磁気ギャップを構成するための
ギャップ膜をスパッタ等の手法により成膜した後に、一
対の各磁気コア半体ブロックを金属磁性薄膜が相対向す
るように各ギャップ膜にて突き合わせ、この状態で巻線
溝に例えば棒状のガラス材を挿入して加熱し、溶融ガラ
スにより両者を接合一体化して磁気コアブロックを作製
する。
【００１０】次いで、上記磁気コアブロックの上面に研
磨砥石及び研磨テープ（ラッピング・テープ）を用いて
円筒研削を施して所定の曲率をもつ磁気記録媒体摺動面
を形成する。
磨砥石及び研磨テープ（ラッピング・テープ）を用いて
円筒研削を施して所定の曲率をもつ磁気記録媒体摺動面
を形成する。
【００１１】続いて、上記磁気コアブロックに磁気コイ
ルをなす線材を巻回するためのガイド溝を長手方向に沿
って形成し、磁気記録媒体に対する当り幅を確保するた
めの当り幅加工を施した後、当該磁気コアブロックに切
断加工を施して所定のチップ幅に各ヘッドチップを切り
出す。
ルをなす線材を巻回するためのガイド溝を長手方向に沿
って形成し、磁気記録媒体に対する当り幅を確保するた
めの当り幅加工を施した後、当該磁気コアブロックに切
断加工を施して所定のチップ幅に各ヘッドチップを切り
出す。
【００１２】この磁気ヘッドは、上記金属磁性薄膜の膜
厚がすなわち磁気ギャップのトラック幅となるものであ
ることから、この金属磁性薄膜の膜厚を制御することに
より簡単に狭トラック化が図れること、構造的に疑似ギ
ャップが発生しないこと、また金属磁性薄膜と酸化物膜
或は窒化物膜を交互に積層した多層膜を成膜することに
より渦電流損失を回避することが可能となる等、種々の
利点を有している。
厚がすなわち磁気ギャップのトラック幅となるものであ
ることから、この金属磁性薄膜の膜厚を制御することに
より簡単に狭トラック化が図れること、構造的に疑似ギ
ャップが発生しないこと、また金属磁性薄膜と酸化物膜
或は窒化物膜を交互に積層した多層膜を成膜することに
より渦電流損失を回避することが可能となる等、種々の
利点を有している。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、各基板ブロ
ックに平面加工を施してギャップ形成面を形成するとき
に、他方の切断面（外側面）を基準面となる。この外側
面の平面精度は切断時のものであるために不十分であ
り、その影響を受けてトラック加工精度が低下するとい
う問題がある。
ックに平面加工を施してギャップ形成面を形成するとき
に、他方の切断面（外側面）を基準面となる。この外側
面の平面精度は切断時のものであるために不十分であ
り、その影響を受けてトラック加工精度が低下するとい
う問題がある。
【００１４】そこで本発明は、上述の問題を解決すべく
提案されたものであって、ギャップ形成面の平面精度を
十分に確保してトラック加工精度を向上させ、歩留り及
び信頼性の高い磁気ヘッドの製造方法を提供することを
目的とする。
提案されたものであって、ギャップ形成面の平面精度を
十分に確保してトラック加工精度を向上させ、歩留り及
び信頼性の高い磁気ヘッドの製造方法を提供することを
目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の対象とするもの
は、一対の保護板により金属磁性薄膜を狭持してなる磁
気コア半体同士が、前記金属磁性薄膜の端面同士を対向
させてギャップ膜を介して接合されて磁気ギャップが形
成されてなる磁気ヘッドの製造方法である。
は、一対の保護板により金属磁性薄膜を狭持してなる磁
気コア半体同士が、前記金属磁性薄膜の端面同士を対向
させてギャップ膜を介して接合されて磁気ギャップが形
成されてなる磁気ヘッドの製造方法である。
【００１６】本発明の磁気ヘッドの製造方法は、それぞ
れ一主面に金属磁性薄膜が成膜されてなる複数の短冊状
の基板を積層して接合一体化させて複合基板を作製する
工程と、上記複合基板に所望の磁気コア半体ブロックの
略々２倍の幅をもって切断加工を施して第１の基板ブロ
ックを切り出した後に、当該第１の基板ブロックの両切
断面にそれぞれ平面加工を施して各外側面を形成する工
程と、第１の基板ブロックに上記外側面と平行に切断加
工を施し当該第１の基板ブロックを２等分して一対の第
２の基板ブロックを切り出した後に、当該第２の基板ブ
ロックの切断面に上記各外側面を基準としてそれぞれ平
面加工を施し各ギャップ形成面を形成して磁気コア半体
ブロックを作製する工程と、一対の磁気コア半体ブロッ
クを各ギャップ形成面にて接合一体化して磁気コアブロ
ックを作製する工程と、磁気コアブロックに切断加工を
施して各ヘッドチップ毎に切り出す工程とを経ることに
より、上記磁気ヘッドを製造するものである。
れ一主面に金属磁性薄膜が成膜されてなる複数の短冊状
の基板を積層して接合一体化させて複合基板を作製する
工程と、上記複合基板に所望の磁気コア半体ブロックの
略々２倍の幅をもって切断加工を施して第１の基板ブロ
ックを切り出した後に、当該第１の基板ブロックの両切
断面にそれぞれ平面加工を施して各外側面を形成する工
程と、第１の基板ブロックに上記外側面と平行に切断加
工を施し当該第１の基板ブロックを２等分して一対の第
２の基板ブロックを切り出した後に、当該第２の基板ブ
ロックの切断面に上記各外側面を基準としてそれぞれ平
面加工を施し各ギャップ形成面を形成して磁気コア半体
ブロックを作製する工程と、一対の磁気コア半体ブロッ
クを各ギャップ形成面にて接合一体化して磁気コアブロ
ックを作製する工程と、磁気コアブロックに切断加工を
施して各ヘッドチップ毎に切り出す工程とを経ることに
より、上記磁気ヘッドを製造するものである。
【００１７】このとき、上記磁気ヘッドとしては、磁気
ギャップがアジマス角だけ傾斜したいわゆるアジマスヘ
ッドを主な対象とし、このアジマスヘッドを製造するに
際しては、特に各第１，第２の基板ブロックを切り出す
際に、金属磁性薄膜が成膜された各基板の一主面と直交
する方向から所定のアジマス角だけ傾斜させて切断加工
を施す。
ギャップがアジマス角だけ傾斜したいわゆるアジマスヘ
ッドを主な対象とし、このアジマスヘッドを製造するに
際しては、特に各第１，第２の基板ブロックを切り出す
際に、金属磁性薄膜が成膜された各基板の一主面と直交
する方向から所定のアジマス角だけ傾斜させて切断加工
を施す。
【００１８】また、上記金属磁性薄膜として、金属磁性
薄膜と絶縁膜とが交互に積層されてなる多層膜を成膜す
ることが好適である。
薄膜と絶縁膜とが交互に積層されてなる多層膜を成膜す
ることが好適である。
【００１９】このとき、多層膜の構成要素である金属磁
性薄膜の材料としては、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｎｉ
−Ａｌ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ，
及びこれらの合金にＣｏ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｒｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｎ，Ｃ，Ｏのうちから１種或は
数種を添加した結晶質材料や、Ｃｏを主としてＺｒ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｕのうち
から１種或は数種を添加したアモルファス材料、Ｃｏ，
Ｆｅを主としてＮｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，
Ｎｂ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｒ
ｕ，Ｂのうちから１種或は数種とＮ，Ｃ，Ｏのうちから
１種或は数種を添加した多結晶質材料等のうちから選ば
れたものを用いることが好適である。
性薄膜の材料としては、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｎｉ
−Ａｌ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ，
及びこれらの合金にＣｏ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｒｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｎ，Ｃ，Ｏのうちから１種或は
数種を添加した結晶質材料や、Ｃｏを主としてＺｒ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｕのうち
から１種或は数種を添加したアモルファス材料、Ｃｏ，
Ｆｅを主としてＮｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，
Ｎｂ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｒ
ｕ，Ｂのうちから１種或は数種とＮ，Ｃ，Ｏのうちから
１種或は数種を添加した多結晶質材料等のうちから選ば
れたものを用いることが好適である。
【００２０】また、多層膜の構成要素である絶縁膜の材
料としては、酸化物或は窒化物、例えばＳｉ０2 ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，或はＳｉ3 Ｎ4 等のうちから選ばれた１種を用
いることが好ましい。
料としては、酸化物或は窒化物、例えばＳｉ０2 ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，或はＳｉ3 Ｎ4 等のうちから選ばれた１種を用
いることが好ましい。
【００２１】上述のように、本発明に係る磁気ヘッドの
製造方法においては、磁気コア半体ブロックを作製する
に際して、予め平面加工が施された各外側面を基準とし
て第２の基板ブロックの切断面にそれぞれ平面加工を施
してギャップ形成面を形成する。
製造方法においては、磁気コア半体ブロックを作製する
に際して、予め平面加工が施された各外側面を基準とし
て第２の基板ブロックの切断面にそれぞれ平面加工を施
してギャップ形成面を形成する。
【００２２】このとき、基準となる上記外側面は平面加
工によりその平面精度が十分確保されており、これを基
準として平面加工が施されて形成されたギャップ形成面
もまた十分な平面精度を有する。したがって、後続の工
程において一対の磁気コア半体ブロックを各ギャップ形
成面にて接合一体化するに際して、安定且つ高精度に各
磁気ギャップが形成され、高い加工精度に形成されたト
ラックをもつ磁気コアブロックが作製されることにな
る。
工によりその平面精度が十分確保されており、これを基
準として平面加工が施されて形成されたギャップ形成面
もまた十分な平面精度を有する。したがって、後続の工
程において一対の磁気コア半体ブロックを各ギャップ形
成面にて接合一体化するに際して、安定且つ高精度に各
磁気ギャップが形成され、高い加工精度に形成されたト
ラックをもつ磁気コアブロックが作製されることにな
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した磁気ヘッ
ドの製造方法の具体的な実施の形態について、図面を用
いて詳細に説明する。
ドの製造方法の具体的な実施の形態について、図面を用
いて詳細に説明する。
【００２４】本実施の形態において作製される磁気ヘッ
ドは、一対の非磁性材料よりなる保護板で金属磁性薄膜
を挟み込んだかたちの、いわゆるラミネート型の磁気ヘ
ッドである。
ドは、一対の非磁性材料よりなる保護板で金属磁性薄膜
を挟み込んだかたちの、いわゆるラミネート型の磁気ヘ
ッドである。
【００２５】この磁気ヘッドにおいては、図１に示すよ
うに、一対の磁気コア半体１１，１２がギャップ膜１３
を介して突き合わせられ接合一体化されて所定のトラッ
ク幅Ｔｗの磁気ギャップｇを有する磁気コア１が形成さ
れている。
うに、一対の磁気コア半体１１，１２がギャップ膜１３
を介して突き合わせられ接合一体化されて所定のトラッ
ク幅Ｔｗの磁気ギャップｇを有する磁気コア１が形成さ
れている。
【００２６】各磁気コア半体１１，１２は、それぞれ非
磁性材料からなるガード部材である一対の保護板２１，
２２にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ等よりなる多層膜１４が狭持さ
れてなるものであり、この多層膜１４の端部が突き合わ
せられることにより閉磁路が形成されることになる。こ
のとき、磁気ギャップｇのトラック幅は保護板２１，２
２が非磁性材料よりなることから多層膜１４の膜厚によ
って規制される。
磁性材料からなるガード部材である一対の保護板２１，
２２にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ等よりなる多層膜１４が狭持さ
れてなるものであり、この多層膜１４の端部が突き合わ
せられることにより閉磁路が形成されることになる。こ
のとき、磁気ギャップｇのトラック幅は保護板２１，２
２が非磁性材料よりなることから多層膜１４の膜厚によ
って規制される。
【００２７】この多層膜１４は、金属磁性薄膜と酸化物
膜或は窒化物膜等の絶縁膜とが交互に多層積層されると
ともに、最上層及び最下層に接合膜が成膜されてなるも
のである。
膜或は窒化物膜等の絶縁膜とが交互に多層積層されると
ともに、最上層及び最下層に接合膜が成膜されてなるも
のである。
【００２８】また、一方の磁気コア半体１１の突合せ面
には、磁気ギャップｇのデプスＤｐを規制するとともに
磁気コイルを形成するための線材を巻回する巻線溝１５
が形成され、当該巻線溝１５の上部には図示しない融着
ガラスが充填されている。
には、磁気ギャップｇのデプスＤｐを規制するとともに
磁気コイルを形成するための線材を巻回する巻線溝１５
が形成され、当該巻線溝１５の上部には図示しない融着
ガラスが充填されている。
【００２９】上記磁気ヘッドを製造するに際しては、先
ず、図２に示すように、両面に鏡面加工が施された複数
の短冊状の非磁性基板３１を用意し、この非磁性基板３
１の各一主面にスパッタリング法、真空蒸着法、イオン
プレーティング法、イオンビーム法等に代表される真空
薄膜形成技術により多層膜１４を成膜形成する。
ず、図２に示すように、両面に鏡面加工が施された複数
の短冊状の非磁性基板３１を用意し、この非磁性基板３
１の各一主面にスパッタリング法、真空蒸着法、イオン
プレーティング法、イオンビーム法等に代表される真空
薄膜形成技術により多層膜１４を成膜形成する。
【００３０】具体的には、最下層に融着ガラス薄膜或は
Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ等の接合膜を成膜した後に、金属磁性
薄膜と酸化物膜或は窒化物膜等の絶縁膜とを交互にそれ
ぞれ２〜５μｍ及び０．１〜０．３μｍの膜厚に積層成
膜し、最上層に接合膜を成膜して多層膜１４を形成す
る。
Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ等の接合膜を成膜した後に、金属磁性
薄膜と酸化物膜或は窒化物膜等の絶縁膜とを交互にそれ
ぞれ２〜５μｍ及び０．１〜０．３μｍの膜厚に積層成
膜し、最上層に接合膜を成膜して多層膜１４を形成す
る。
【００３１】非磁性基板３１の材料としては、非磁性フ
ェライト、酸化ジルコニウム系セラミック、結晶化ガラ
ス、非磁性酸化鉄系セラミック、チタン酸系等、或はこ
れらの接合材を用いる。
ェライト、酸化ジルコニウム系セラミック、結晶化ガラ
ス、非磁性酸化鉄系セラミック、チタン酸系等、或はこ
れらの接合材を用いる。
【００３２】上記金属磁性薄膜の材料としては、Ｆｅ−
Ａｌ−Ｓｉ合金，Ｆｅ−Ｎｉ−Ａｌ−Ｓｉ合金，Ｆｅ−
Ｇａ−Ｓｉ合金，Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ合金，及びこれらの
合金にＣｏ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｒｕ，Ａ
ｕ，Ｐｄ，Ｎ，Ｃ，Ｏ等のうちから１種或は数種を添加
した結晶質材料や、Ｃｏを主としてＺｒ，Ｔａ，Ｔｉ，
Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｕ等のうちから１種
或は数種を添加したアモルファス材料、Ｃｏ，Ｆｅを主
としてＮｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｒｕ，Ｂ等の
うちから１種或は数種とＮ，Ｃ，Ｏのうちから１種或は
数種を添加した多結晶質材料等のうちから選ばれたもの
を用いることが好適である。
Ａｌ−Ｓｉ合金，Ｆｅ−Ｎｉ−Ａｌ−Ｓｉ合金，Ｆｅ−
Ｇａ−Ｓｉ合金，Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ合金，及びこれらの
合金にＣｏ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｒｕ，Ａ
ｕ，Ｐｄ，Ｎ，Ｃ，Ｏ等のうちから１種或は数種を添加
した結晶質材料や、Ｃｏを主としてＺｒ，Ｔａ，Ｔｉ，
Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｕ等のうちから１種
或は数種を添加したアモルファス材料、Ｃｏ，Ｆｅを主
としてＮｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｒｕ，Ｂ等の
うちから１種或は数種とＮ，Ｃ，Ｏのうちから１種或は
数種を添加した多結晶質材料等のうちから選ばれたもの
を用いることが好適である。
【００３３】さらに、絶縁膜の材料としては、Ｓｉ
０2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，或はＳｉ3 Ｎ4 等のうちから選ばれ
た１種を用いることが好ましい。
０2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，或はＳｉ3 Ｎ4 等のうちから選ばれ
た１種を用いることが好ましい。
【００３４】次いで、図３に示すように、複数の非磁性
基板３１を整列させて加圧固定した状態で熱処理を施し
て接合一体化させ複合基板３２を作製する。なお、接合
膜と金属磁性薄膜との密着力を向上させるために、当該
接合膜の下地膜としてＣｒ膜等を成膜することが好まし
い。
基板３１を整列させて加圧固定した状態で熱処理を施し
て接合一体化させ複合基板３２を作製する。なお、接合
膜と金属磁性薄膜との密着力を向上させるために、当該
接合膜の下地膜としてＣｒ膜等を成膜することが好まし
い。
【００３５】続いて、図４に示すように、複合基板３２
に所定のアジマス角θをもって例えば図４中の各破線Ｍ
に沿って切断加工を施して、図５に示すように、後述の
磁気コア半体ブロック３６，３７の略々２倍の厚みを有
する第１の基板ブロック３３を切り出す。このとき、複
合基板３２の垂直方向と多層膜１４とのなす角度がアジ
マス角θとなる。ここでは、このアジマス角θを１０゜
〜２５゜程度の値とする。
に所定のアジマス角θをもって例えば図４中の各破線Ｍ
に沿って切断加工を施して、図５に示すように、後述の
磁気コア半体ブロック３６，３７の略々２倍の厚みを有
する第１の基板ブロック３３を切り出す。このとき、複
合基板３２の垂直方向と多層膜１４とのなす角度がアジ
マス角θとなる。ここでは、このアジマス角θを１０゜
〜２５゜程度の値とする。
【００３６】次いで、第１の基板ブロック３３の両切断
面にそれぞれ平面加工を施して各外側面３３ａ，３３ｂ
を形成する。
面にそれぞれ平面加工を施して各外側面３３ａ，３３ｂ
を形成する。
【００３７】その後、第１の基板ブロック３３に外側面
３３ａ，３３ｂと平行に図４及び図５中の各一点鎖線Ｎ
に沿って切断加工を施し当該第１の基板ブロック３３を
２等分して、一対の第２の基板ブロック３４，３５を切
り出す。
３３ａ，３３ｂと平行に図４及び図５中の各一点鎖線Ｎ
に沿って切断加工を施し当該第１の基板ブロック３３を
２等分して、一対の第２の基板ブロック３４，３５を切
り出す。
【００３８】続いて、図６に示すように、各第２の基板
ブロック３４，３５の切断面に各外側面３３ａ，３３ｂ
を基準としてそれぞれ平面加工を施し各ギャップ形成面
３４ａ，３５ａを形成して一対の磁気コア半体ブロック
３６，３７を作製する。
ブロック３４，３５の切断面に各外側面３３ａ，３３ｂ
を基準としてそれぞれ平面加工を施し各ギャップ形成面
３４ａ，３５ａを形成して一対の磁気コア半体ブロック
３６，３７を作製する。
【００３９】次いで、スライサーを用いて一方の磁気コ
ア半体ブロック３６の各ギャップ形成面３４ａに長手方
向に沿って巻線溝１５を形成する。
ア半体ブロック３６の各ギャップ形成面３４ａに長手方
向に沿って巻線溝１５を形成する。
【００４０】続いて、各磁気コア半体ブロック３６，３
７の各ギャップ形成面３４ａ，３５ａに鏡面加工を施
す。そして、これらギャップ形成面３４ａ，３５ａにギ
ャップ膜１３として融着用ガラス膜、或はＡｕ，Ａｇ，
Ｐｄ等（ここではＣｒを材料とした下地膜を介したＡｕ
膜）を材料としてスパッタ等により成膜する。
７の各ギャップ形成面３４ａ，３５ａに鏡面加工を施
す。そして、これらギャップ形成面３４ａ，３５ａにギ
ャップ膜１３として融着用ガラス膜、或はＡｕ，Ａｇ，
Ｐｄ等（ここではＣｒを材料とした下地膜を介したＡｕ
膜）を材料としてスパッタ等により成膜する。
【００４１】その後、図７に示すように、各磁気コア半
体ブロック３６，３７をそれぞれの多層膜１４が相対向
するようにギャップ形成面３４ａ，３５ａにて突き合わ
せ、ガラス融着法或は低温金属接合法により両者を接合
一体化させて磁気コアブロック３８を作製する。なお、
この場合の熱処理時に巻線溝１５に挿入した棒状のガラ
ス材を溶融させて充填させる。
体ブロック３６，３７をそれぞれの多層膜１４が相対向
するようにギャップ形成面３４ａ，３５ａにて突き合わ
せ、ガラス融着法或は低温金属接合法により両者を接合
一体化させて磁気コアブロック３８を作製する。なお、
この場合の熱処理時に巻線溝１５に挿入した棒状のガラ
ス材を溶融させて充填させる。
【００４２】次に、図８に示すように、磁気コアブロッ
ク３８の上面に研磨砥石、円筒研削機、及び研磨テープ
（ラッピング・テープ）を用いて円筒研削を施して所定
の曲率をもつ磁気記録媒体摺動面ａを形成する。
ク３８の上面に研磨砥石、円筒研削機、及び研磨テープ
（ラッピング・テープ）を用いて円筒研削を施して所定
の曲率をもつ磁気記録媒体摺動面ａを形成する。
【００４３】そして、図９に示すように、磁気記録媒体
摺動面ａに磁気記録媒体に対する当り幅を確保するため
の当り幅溝３９を形成した後に、当該磁気コアブロック
３８に図９中線分Ａ−Ａ’に沿って切断加工を施して所
定のチップ幅に各ヘッドチップを切り出す。
摺動面ａに磁気記録媒体に対する当り幅を確保するため
の当り幅溝３９を形成した後に、当該磁気コアブロック
３８に図９中線分Ａ−Ａ’に沿って切断加工を施して所
定のチップ幅に各ヘッドチップを切り出す。
【００４４】その後、各ヘッドチップである各磁気コア
１に巻線等の後処理を施すことにより、上記磁気ヘッド
が完成する。
１に巻線等の後処理を施すことにより、上記磁気ヘッド
が完成する。
【００４５】上述のように、本実施の形態に係る磁気ヘ
ッドの製造方法においては、磁気コア半体ブロック３
６，３７を作製するに際して、予め平面加工が施された
各外側面３３ａ，３３ｂを基準として第２の基板ブロッ
ク３４，３５の切断面にそれぞれ平面加工を施してギャ
ップ形成面３４ａ，３５ａを形成する。
ッドの製造方法においては、磁気コア半体ブロック３
６，３７を作製するに際して、予め平面加工が施された
各外側面３３ａ，３３ｂを基準として第２の基板ブロッ
ク３４，３５の切断面にそれぞれ平面加工を施してギャ
ップ形成面３４ａ，３５ａを形成する。
【００４６】このとき、基準となる外側面３３ａ，３３
ｂはその平面精度が十分確保されており、これを基準と
して平面加工が施されて形成されたギャップ形成面３４
ａ，３５ａもまた十分な平面精度を有する。したがっ
て、後続の工程において一対の磁気コア半体ブロック３
６，３７を各ギャップ形成面３４ａ，３５ａにて接合一
体化するに際して、安定且つ高精度に各磁気ギャップが
形成され、高い加工精度に形成されたトラックをもつ磁
気コアブロック３８が作製されることになる。
ｂはその平面精度が十分確保されており、これを基準と
して平面加工が施されて形成されたギャップ形成面３４
ａ，３５ａもまた十分な平面精度を有する。したがっ
て、後続の工程において一対の磁気コア半体ブロック３
６，３７を各ギャップ形成面３４ａ，３５ａにて接合一
体化するに際して、安定且つ高精度に各磁気ギャップが
形成され、高い加工精度に形成されたトラックをもつ磁
気コアブロック３８が作製されることになる。
【００４７】したがって、十分なトラック加工精度をも
ち、高い歩留り及び信頼性を有する磁気ヘッドが製造さ
れる。
ち、高い歩留り及び信頼性を有する磁気ヘッドが製造さ
れる。
【００４８】
【発明の効果】本発明の磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、ギャップ形成面の平面精度を十分に確保してトラッ
ク加工精度を向上させ、歩留り及び信頼性の高い磁気ヘ
ッドの製造が可能となる。
ば、ギャップ形成面の平面精度を十分に確保してトラッ
ク加工精度を向上させ、歩留り及び信頼性の高い磁気ヘ
ッドの製造が可能となる。
【図１】本実施の形態における磁気ヘッドを模式的に示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】非磁性基板に金属磁性薄膜と絶縁膜とからなる
多層膜が成膜された様子を模式的に示す斜視図である。
多層膜が成膜された様子を模式的に示す斜視図である。
【図３】複数の非磁性基板が接合一体化されて複合基板
が作製された様子を模式的に示す斜視図である。
が作製された様子を模式的に示す斜視図である。
【図４】複合基板から第１の基板ブロックが切り出され
る様子を模式的に示す平面図である。
る様子を模式的に示す平面図である。
【図５】切り出された第１の基板ブロックを模式的に示
す平面図である。
す平面図である。
【図６】切り出された一対の第２の基板ブロックに平面
加工が施されてギャップ形成面されてなる一対の磁気コ
ア半体ブロックを模式的に示す斜視図である。
加工が施されてギャップ形成面されてなる一対の磁気コ
ア半体ブロックを模式的に示す斜視図である。
【図７】各磁気コア半体ブロックが突き合わされて磁気
コアブロックが作製された様子を模式的に示す斜視図で
ある。
コアブロックが作製された様子を模式的に示す斜視図で
ある。
【図８】磁気コアブロックの上面に円筒研削が施されて
磁気記録媒体摺動面が形成された様子を模式的に示す斜
視図である。
磁気記録媒体摺動面が形成された様子を模式的に示す斜
視図である。
【図９】磁気コアブロックに当り幅溝が形成された後
に、当該磁気コアブロックから各ヘッドチップが切り出
される様子を模式的に示す斜視図である。
に、当該磁気コアブロックから各ヘッドチップが切り出
される様子を模式的に示す斜視図である。
１ 磁気コア １１，１２ 磁気コア半体 １４ 多層膜 ２１，２２ 保護板 ３１ 非磁性基板 ３２ 複合基板 ３３ 第１の基板ブロック ３３ａ，３３ｂ 外側面 ３４，３５ 一対の第２の基板ブロック ３４ａ，３５ａ ギャップ形成面 ３６，３７ 一対の磁気コア半体ブロック ３８ 磁気コアブロック
Claims (3)
- 【請求項１】 一対の保護板により金属磁性薄膜を狭持
してなる磁気コア半体同士が、前記金属磁性薄膜の端面
同士を対向させてギャップ膜を介して接合されて磁気ギ
ャップが形成されてなる磁気ヘッドを製造するに際し
て、 それぞれ一主面に金属磁性薄膜が成膜されてなる複数の
短冊状の基板を積層して接合一体化させて複合基板を作
製する工程と、 上記複合基板に所望の磁気コア半体ブロックの略々２倍
の幅をもって切断加工を施して第１の基板ブロックを切
り出した後に、当該第１の基板ブロックの両切断面にそ
れぞれ平面加工を施して各外側面を形成する工程と、 第１の基板ブロックに上記外側面と平行に切断加工を施
し当該第１の基板ブロックを２等分して一対の第２の基
板ブロックを切り出した後に、当該第２の基板ブロック
の切断面に上記各外側面を基準としてそれぞれ平面加工
を施し各ギャップ形成面を形成して磁気コア半体ブロッ
クを作製する工程と、 一対の磁気コア半体ブロックを各ギャップ形成面にて接
合一体化して磁気コアブロックを作製する工程と、 磁気コアブロックに切断加工を施して各ヘッドチップ毎
に切り出す工程とを有することを特徴とする磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項２】 各第１，第２の基板ブロックを切り出す
際に、金属磁性薄膜が成膜された各基板の一主面と直交
する方向から所定のアジマス角だけ傾斜させて切断加工
を施すことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項３】 金属磁性薄膜として、金属磁性薄膜と絶
縁膜とが交互に積層されてなる多層膜を成膜することを
特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30117395A JPH09147315A (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30117395A JPH09147315A (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09147315A true JPH09147315A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17893676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30117395A Withdrawn JPH09147315A (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09147315A (ja) |
-
1995
- 1995-11-20 JP JP30117395A patent/JPH09147315A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030204 |