JPH09134899A - 洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH09134899A JPH09134899A JP23280596A JP23280596A JPH09134899A JP H09134899 A JPH09134899 A JP H09134899A JP 23280596 A JP23280596 A JP 23280596A JP 23280596 A JP23280596 A JP 23280596A JP H09134899 A JPH09134899 A JP H09134899A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体集積回路等の半導体装置を洗浄する工
程において、フッ酸及びフッ酸とフッ化アンモニウムの
混合水溶液などの洗浄液中で、半導体装置の表面に微粒
子が付着し、歩留まりが低下する。 【解決手段】 洗浄液中に存在する微粒子２に付着され
やすい膜１を、その微粒子２と静電気反発力の大きい膜
４で被覆して、膜１と微粒子２との間の静電気反発力を
増大させる。 【効果】 微粒子の付着を防止できるため、これに起因
する不良を低減でき、半導体装置、薄膜デバイス、ディ
スク等のエレクトロニクス部品の歩留りを高めることが
できる。
程において、フッ酸及びフッ酸とフッ化アンモニウムの
混合水溶液などの洗浄液中で、半導体装置の表面に微粒
子が付着し、歩留まりが低下する。 【解決手段】 洗浄液中に存在する微粒子２に付着され
やすい膜１を、その微粒子２と静電気反発力の大きい膜
４で被覆して、膜１と微粒子２との間の静電気反発力を
増大させる。 【効果】 微粒子の付着を防止できるため、これに起因
する不良を低減でき、半導体装置、薄膜デバイス、ディ
スク等のエレクトロニクス部品の歩留りを高めることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の電
子材料、磁性材料、光学材料、セラミックスなど多くの
製造プロセスにおいて、無機物または有機物を含む化合
物の試料を洗浄する方法及び本洗浄方法を用いた製品の
製造方法に係る。
子材料、磁性材料、光学材料、セラミックスなど多くの
製造プロセスにおいて、無機物または有機物を含む化合
物の試料を洗浄する方法及び本洗浄方法を用いた製品の
製造方法に係る。
【０００２】特に、半導体基板表面への微粒子の付着を
防止あるいは低減させるのに適した洗浄方法及びそれ用
いた半導体装置の製造方法に関する。
防止あるいは低減させるのに適した洗浄方法及びそれ用
いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】半導体ウェハ等の基板の表面に形成され
る集積回路は、近年ますます集積度が増加しており、そ
れにつれてパターンの線幅が微細化してきている。次期
６４ＭＤＲＡＭにおいて最小加工寸法は０．３μｍであ
り、その製造工程において、より微小な微粒子が製品の
品質や歩留りの向上の障害になると考えられる。
る集積回路は、近年ますます集積度が増加しており、そ
れにつれてパターンの線幅が微細化してきている。次期
６４ＭＤＲＡＭにおいて最小加工寸法は０．３μｍであ
り、その製造工程において、より微小な微粒子が製品の
品質や歩留りの向上の障害になると考えられる。
【０００４】従来、基板表面を洗浄する手段として、ア
ールシーエーレビュー３１（１９７０年）第１８７頁か
ら第２０６頁［ＲＣＡ Ｒｅｖｉｅｗ，３１（１９７
０）Ｐ．１８７〜２０６］で述べられているように、ア
ンモニア水と過酸化水素水の混合水溶液を８０℃程度に
加熱し、これにウェハを浸漬する方法や、超純水中で、
超音波を加える方法がある。
ールシーエーレビュー３１（１９７０年）第１８７頁か
ら第２０６頁［ＲＣＡ Ｒｅｖｉｅｗ，３１（１９７
０）Ｐ．１８７〜２０６］で述べられているように、ア
ンモニア水と過酸化水素水の混合水溶液を８０℃程度に
加熱し、これにウェハを浸漬する方法や、超純水中で、
超音波を加える方法がある。
【０００５】また、レジスト３７（図１６）を除去しな
いでウェットエッチングによりＳｉＯ2膜３９を除去す
る方法もあった。この方法は、図１６に示すように、ポ
リＳｉ膜３８上にＳｉＯ2膜３９、ポリＳｉ膜４０が形
成され、フィンを形成する際、使用されていた。なお、
この後は、レジスト３７とＳｉＯ2膜３９が除去され、
ポリＳｉ３８、４０上に図示しないＳｉ3Ｎ4が形成さ
れ、１．５枚フィンが形成される。
いでウェットエッチングによりＳｉＯ2膜３９を除去す
る方法もあった。この方法は、図１６に示すように、ポ
リＳｉ膜３８上にＳｉＯ2膜３９、ポリＳｉ膜４０が形
成され、フィンを形成する際、使用されていた。なお、
この後は、レジスト３７とＳｉＯ2膜３９が除去され、
ポリＳｉ３８、４０上に図示しないＳｉ3Ｎ4が形成さ
れ、１．５枚フィンが形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記集積回路における
集積度の高密度化により次期６４ＭＤＲＡＭにおける最
小加工寸法は０．３μｍであり、それにつれて、洗浄の
対象となる微粒子の大きさも微小化し、０．０３μｍの
微粒子をも除去する必要があると考えられている。
集積度の高密度化により次期６４ＭＤＲＡＭにおける最
小加工寸法は０．３μｍであり、それにつれて、洗浄の
対象となる微粒子の大きさも微小化し、０．０３μｍの
微粒子をも除去する必要があると考えられている。
【０００７】微粒子が微小化するにつれて大気中におけ
る存在数が増加し、現在（１６ＭＤＲＡＭ）対象となっ
ている０．０５μｍの微粒子より０．０３μｍの微粒子
は数倍多く存在する。また、微粒子が微小化するにつれ
て、基板に付着しやすくなると考えられ、微粒子の洗浄
技術の必要性がますます高まっているといえる。
る存在数が増加し、現在（１６ＭＤＲＡＭ）対象となっ
ている０．０５μｍの微粒子より０．０３μｍの微粒子
は数倍多く存在する。また、微粒子が微小化するにつれ
て、基板に付着しやすくなると考えられ、微粒子の洗浄
技術の必要性がますます高まっているといえる。
【０００８】しかし、超音波等機械的な力で基板から微
粒子を除去する従来法では、微粒子が微小化するにつれ
て、その質量や表面積が小さくなるため、１個当たりに
印加できる機械的な力は小さくなり除去しにくくなる。
また、基板へのダメージも、半導体の集積度の向上に伴
って問題になってきている。そのため従来法では、微小
化した微粒子の除去は難しいと考えられる。
粒子を除去する従来法では、微粒子が微小化するにつれ
て、その質量や表面積が小さくなるため、１個当たりに
印加できる機械的な力は小さくなり除去しにくくなる。
また、基板へのダメージも、半導体の集積度の向上に伴
って問題になってきている。そのため従来法では、微小
化した微粒子の除去は難しいと考えられる。
【０００９】例えば、フッ酸やフッ酸とフッ化アンモニ
ウムの混合水溶液の場合、上記液中で見られる微粒子
は、半導体ウェハ裏面に付着していた微粒子が離脱する
等種々の要因で発生するものや、酸化膜をエッチングす
る際新たに発生するものがある。特に後者は、酸化膜を
エッチングする際化学反応等により発生するＳｉを主成
分とするものや、ドライエッチング等酸化膜エッチング
工程以前に生じた反応生成物が基板に付着し、エッチン
グにより離脱したもの等を含む。これら後者の要因で発
生する微粒子は、上記溶液及び半導体ウェハ裏面等を清
浄にしても、基板への付着を防止することが極めて困難
な微粒子である。
ウムの混合水溶液の場合、上記液中で見られる微粒子
は、半導体ウェハ裏面に付着していた微粒子が離脱する
等種々の要因で発生するものや、酸化膜をエッチングす
る際新たに発生するものがある。特に後者は、酸化膜を
エッチングする際化学反応等により発生するＳｉを主成
分とするものや、ドライエッチング等酸化膜エッチング
工程以前に生じた反応生成物が基板に付着し、エッチン
グにより離脱したもの等を含む。これら後者の要因で発
生する微粒子は、上記溶液及び半導体ウェハ裏面等を清
浄にしても、基板への付着を防止することが極めて困難
な微粒子である。
【００１０】また、上記の１．５枚フィンでは、ＳｉＯ
2膜３９（図１６）のウェットエッチング終了時にポリ
Ｓｉ膜面３８が露出するため、このポリＳｉ膜面３８に
微粒子が付着する。具体的には製品上の微粒子付着数は
０．９個／ｃｍ2以上であった。
2膜３９（図１６）のウェットエッチング終了時にポリ
Ｓｉ膜面３８が露出するため、このポリＳｉ膜面３８に
微粒子が付着する。具体的には製品上の微粒子付着数は
０．９個／ｃｍ2以上であった。
【００１１】これらウエハに付着した微粒子は、半導体
装置の製造工程において、製品の歩留りを低減させる主
な要因の一つになっている。
装置の製造工程において、製品の歩留りを低減させる主
な要因の一つになっている。
【００１２】そこで、本発明の目的は、半導体集積回路
等の半導体装置を高歩留りで製造するために、半導体装
置を洗浄する工程において、フッ酸及びフッ酸とフッ化
アンモニウムの混合水溶液などの洗浄液中で、半導体装
置の表面に微粒子が付着するのを防止するあるいは低減
することが可能な、洗浄方法及びそれを用いた半導体装
置の製造方法を提供することにある。
等の半導体装置を高歩留りで製造するために、半導体装
置を洗浄する工程において、フッ酸及びフッ酸とフッ化
アンモニウムの混合水溶液などの洗浄液中で、半導体装
置の表面に微粒子が付着するのを防止するあるいは低減
することが可能な、洗浄方法及びそれを用いた半導体装
置の製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的は、微粒子が付
着しやすい基板や膜を覆うように、微粒子との静電気反
発力の大きな膜を形成することにより達成される。これ
により、溶液中にある微粒子の基板表面への付着を防止
することが可能となる。なお、シリコンよりも微粒子が
吸着しやすい膜の洗浄に特に効果がある。具体的にはア
ルミニウム膜やポリシリコン膜に微粒子が付着しやす
く、これらの膜に特に効果がある。
着しやすい基板や膜を覆うように、微粒子との静電気反
発力の大きな膜を形成することにより達成される。これ
により、溶液中にある微粒子の基板表面への付着を防止
することが可能となる。なお、シリコンよりも微粒子が
吸着しやすい膜の洗浄に特に効果がある。具体的にはア
ルミニウム膜やポリシリコン膜に微粒子が付着しやす
く、これらの膜に特に効果がある。
【００１４】図１に基板を特定の物質で被覆することに
より静電気反発力が増加する概念図を示す。図１（ａ）
は基板と微粒子間の静電気反発力が小さいため、微粒子
が基板に付着している状態を示している。図１（ｂ）は
本発明の概念図、すなわち特定の物質を基板に被覆する
ことにより静電気反発力が増加し、微粒子の付着を防止
している状態を示している。
より静電気反発力が増加する概念図を示す。図１（ａ）
は基板と微粒子間の静電気反発力が小さいため、微粒子
が基板に付着している状態を示している。図１（ｂ）は
本発明の概念図、すなわち特定の物質を基板に被覆する
ことにより静電気反発力が増加し、微粒子の付着を防止
している状態を示している。
【００１５】次に、図２に、本発明の基本概念図を示
す。図２（ａ）は、基板−微粒子間の距離とポテンシャ
ルエネルギー（Ｗ）の関係を示したものであり、図２
（ｂ）は、基板１と微粒子２との間の表面電荷３により
形成される電気二重層による静電気反発力、図２（ｃ）
は、基板１と微粒子２との間のｖａｎ ｄｅｒ Ｗａａ
ｌｓ力による引力を示す概念図である。図２（ａ）に示
すように、液中では基板１と微粒子２との間のポテンシ
ャルエネルギーＷは、ｖａｎ ｄｅｒ Ｗａａｌｓ力に
よる引力（ＶA）と電気二重層による静電気反発力（Ｖ
R）の２つのポテンシャルの和（Ｗ＝ＶA＋ＶR）であ
り、このポテンシャルの山を超えることにより基板に微
粒子が付着すると考えられる。そこで、本発明は、この
ポテンシャルの山を高くして、基板への微粒子の付着を
低減させるために基板の表面電位（実験的にはゼータ電
位値として測定できる。）の絶対値を大きくし静電気反
発力を高めることに着目してなされたものである。
す。図２（ａ）は、基板−微粒子間の距離とポテンシャ
ルエネルギー（Ｗ）の関係を示したものであり、図２
（ｂ）は、基板１と微粒子２との間の表面電荷３により
形成される電気二重層による静電気反発力、図２（ｃ）
は、基板１と微粒子２との間のｖａｎ ｄｅｒ Ｗａａ
ｌｓ力による引力を示す概念図である。図２（ａ）に示
すように、液中では基板１と微粒子２との間のポテンシ
ャルエネルギーＷは、ｖａｎ ｄｅｒ Ｗａａｌｓ力に
よる引力（ＶA）と電気二重層による静電気反発力（Ｖ
R）の２つのポテンシャルの和（Ｗ＝ＶA＋ＶR）であ
り、このポテンシャルの山を超えることにより基板に微
粒子が付着すると考えられる。そこで、本発明は、この
ポテンシャルの山を高くして、基板への微粒子の付着を
低減させるために基板の表面電位（実験的にはゼータ電
位値として測定できる。）の絶対値を大きくし静電気反
発力を高めることに着目してなされたものである。
【００１６】図３に基板への微粒子の付着数と微粒子の
ゼータ電位の関係を示す。図３において、５はフッ酸で
エッチング処理したシリコン（Ｓｉ）粒子（容積比でＨ
Ｆ［市販のフッ酸濃度５０％、以下同様］：Ｈ2Ｏ＝
１：９９のフッ酸に浸漬後フィルタで捕集した微粒子。
以降ベアＳｉ粒子という。）、６は処理しないＳｉ粒
子、７はポリスチレン粒子である。粒子の種類によって
ゼータ電位が異なっており、また同じＳｉ粒子でも表面
状態によりゼータ電位の値が異なり、基板への微粒子の
付着量が異なっている。したがって、ゼータ電位を制御
することによって基板への微粒子の付着を防止あるいは
低減することができると考えられる。
ゼータ電位の関係を示す。図３において、５はフッ酸で
エッチング処理したシリコン（Ｓｉ）粒子（容積比でＨ
Ｆ［市販のフッ酸濃度５０％、以下同様］：Ｈ2Ｏ＝
１：９９のフッ酸に浸漬後フィルタで捕集した微粒子。
以降ベアＳｉ粒子という。）、６は処理しないＳｉ粒
子、７はポリスチレン粒子である。粒子の種類によって
ゼータ電位が異なっており、また同じＳｉ粒子でも表面
状態によりゼータ電位の値が異なり、基板への微粒子の
付着量が異なっている。したがって、ゼータ電位を制御
することによって基板への微粒子の付着を防止あるいは
低減することができると考えられる。
【００１７】また、基板と微粒子のゼータ電位は、一般
的には負であるが、まれにアルミナ基板とアルミナ粒子
の様に両者が正である場合もあり得る。本明細書では、
ゼータ電位を制御するとは、その絶対値を大きくするこ
とを意味する。
的には負であるが、まれにアルミナ基板とアルミナ粒子
の様に両者が正である場合もあり得る。本明細書では、
ゼータ電位を制御するとは、その絶対値を大きくするこ
とを意味する。
【００１８】なお、基板及び微粒子の帯電のメカニズム
等については、例えば北原文雄「分散・乳化系の化学」
（工学図書Ｓ５４年）の第７７から７９頁において解説
されている。
等については、例えば北原文雄「分散・乳化系の化学」
（工学図書Ｓ５４年）の第７７から７９頁において解説
されている。
【００１９】本発明によれば、ゼータ電位を制御できる
物質で基板を被覆することにより、溶液中の基板のゼー
タ電位の絶対値が大きくなり、液中の基板と微粒子との
間の静電気反発力が増大する。その結果、微粒子と基板
間のポテンシャルエネルギーが高くなり、基板への微粒
子の付着を防止あるいは低減することが可能となる。
物質で基板を被覆することにより、溶液中の基板のゼー
タ電位の絶対値が大きくなり、液中の基板と微粒子との
間の静電気反発力が増大する。その結果、微粒子と基板
間のポテンシャルエネルギーが高くなり、基板への微粒
子の付着を防止あるいは低減することが可能となる。
【００２０】また同時に、この洗浄法を用いることによ
り、高品質な半導体を、従来以上に高歩留りで製造する
ことが可能となる。
り、高品質な半導体を、従来以上に高歩留りで製造する
ことが可能となる。
【００２１】微粒子付着数のゼータ電位依存性を、図４
に示す。ここでは、Ｓｉ粒子を分散したフッ化アンモニ
ウム／フッ酸のｖｏｌ％比で２０のフッ酸とフッ化アン
モニウムの混合水溶液中にＳｉウェハを浸漬し、微粒子
付着数を測定した。ゼ−タ電位は界面活性剤の添加量に
より制御している。ゼータ電位が−２０ｍＶ付近では微
粒子付着数は２〜８個／ｃｍ2と多く、かつばらつきが
大きいが、ゼータ電位が−２５ｍＶ以下になると微粒子
付着数が２個／ｃｍ2以下と少なくなっている。すなわ
ち本発明は、基板を特定の物質で被覆し基板のゼータ電
位の絶対値を約２５ｍＶ以上とすることにより達成され
る。上記微粒子付着数のゼータ電位依存性はフッ酸中の
場合でも同様の傾向を示す。また、このゼータ電位のし
きい値は、液中イオン濃度、液の組成等によって変化す
る。
に示す。ここでは、Ｓｉ粒子を分散したフッ化アンモニ
ウム／フッ酸のｖｏｌ％比で２０のフッ酸とフッ化アン
モニウムの混合水溶液中にＳｉウェハを浸漬し、微粒子
付着数を測定した。ゼ−タ電位は界面活性剤の添加量に
より制御している。ゼータ電位が−２０ｍＶ付近では微
粒子付着数は２〜８個／ｃｍ2と多く、かつばらつきが
大きいが、ゼータ電位が−２５ｍＶ以下になると微粒子
付着数が２個／ｃｍ2以下と少なくなっている。すなわ
ち本発明は、基板を特定の物質で被覆し基板のゼータ電
位の絶対値を約２５ｍＶ以上とすることにより達成され
る。上記微粒子付着数のゼータ電位依存性はフッ酸中の
場合でも同様の傾向を示す。また、このゼータ電位のし
きい値は、液中イオン濃度、液の組成等によって変化す
る。
【００２２】なお、微粒子の付着数が０．１個／ｃｍ2
以下以下であると、極めて歩留まりが向上する。
以下以下であると、極めて歩留まりが向上する。
【００２３】
【発明の実施の形態】先ず初めに、溶液中の静電気反発
力の指標となる表面電位、即ちゼ−タ電位の測定法につ
いて述べる。
力の指標となる表面電位、即ちゼ−タ電位の測定法につ
いて述べる。
【００２４】ゼータ電位は、通常電気泳動法により求め
ることができる。電気泳動とは、液中に電場をかけたと
き、表面電荷を持つ微粒子が移動する現象をいい、その
微粒子の移動速度を測定することによって、移動速度と
比例関係にある微粒子のゼータ電位を求めることができ
る。本発明では、この原理に基づいたペンケム社（Ｐｅ
ｎ Ｋｅｍ Ｉｎｃ．）製レーザ ズィー ティエム
モデル ５０１（ＬＡＳＥＲ ＺＥＥ ＴＭ Ｍｏｄｅ
ｌ ５０１）により、微粒子のゼータ電位の測定を行っ
た。
ることができる。電気泳動とは、液中に電場をかけたと
き、表面電荷を持つ微粒子が移動する現象をいい、その
微粒子の移動速度を測定することによって、移動速度と
比例関係にある微粒子のゼータ電位を求めることができ
る。本発明では、この原理に基づいたペンケム社（Ｐｅ
ｎ Ｋｅｍ Ｉｎｃ．）製レーザ ズィー ティエム
モデル ５０１（ＬＡＳＥＲ ＺＥＥ ＴＭ Ｍｏｄｅ
ｌ ５０１）により、微粒子のゼータ電位の測定を行っ
た。
【００２５】本発明の効果を確認するために、レジスト
材料の粒子、ポリスチレン粒子、Ｓｉ粒子、ＳｉＯ2粒
子、Ｓｉ3Ｎ4粒子及びＦｅ粒子を用いた。これらの粒子
を用いたのは、単に粒子径の揃ったものが容易に入手で
きるためであり、本発明の効果は、もちろんこれらの微
粒子に限定されるものではない。
材料の粒子、ポリスチレン粒子、Ｓｉ粒子、ＳｉＯ2粒
子、Ｓｉ3Ｎ4粒子及びＦｅ粒子を用いた。これらの粒子
を用いたのは、単に粒子径の揃ったものが容易に入手で
きるためであり、本発明の効果は、もちろんこれらの微
粒子に限定されるものではない。
【００２６】レジスト粒子は、東京応化製 ＴＨＭＲ−
ｉＰ３１００（主成分はメチル−３−メトキシプロピオ
ネイトノボラック樹脂）のレジスト材料を塊状に固化さ
せ、それを粉砕して平均粒子径（以下粒子径と略す。）
１μｍにしたものを用いた。ポリスチレン粒子は、ダウ
ケミカル社（Ｔｈｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ
ｍｐａｎｙ）製の スーパー モデファイド ユニフォ
ーム ラテックス パーティクルズ（Ｓｕｒｆａｃｅ
ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｕｎｉｆｏｒｍ Ｌａｔｅｘ Ｐａ
ｒｔｉｃｌｅｓ）の粒子径１〜０．０３８μｍのものを
用いた。Ｓｉ粒子、ＳｉＯ2粒子、Ｓｉ3Ｎ4粒子及びＦ
ｅ粒子は、高純度化学研究所製の粒子径１μｍのものを
用いた。Ｓｉ粒子については、前処理しない場合と、容
積比が、ＨＦ：Ｈ Ｏ＝１：９９のフッ酸中にて１分間
エッチング処理した後実験に用いたベアＳｉ粒子の場合
とがある。
ｉＰ３１００（主成分はメチル−３−メトキシプロピオ
ネイトノボラック樹脂）のレジスト材料を塊状に固化さ
せ、それを粉砕して平均粒子径（以下粒子径と略す。）
１μｍにしたものを用いた。ポリスチレン粒子は、ダウ
ケミカル社（Ｔｈｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ
ｍｐａｎｙ）製の スーパー モデファイド ユニフォ
ーム ラテックス パーティクルズ（Ｓｕｒｆａｃｅ
ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｕｎｉｆｏｒｍ Ｌａｔｅｘ Ｐａ
ｒｔｉｃｌｅｓ）の粒子径１〜０．０３８μｍのものを
用いた。Ｓｉ粒子、ＳｉＯ2粒子、Ｓｉ3Ｎ4粒子及びＦ
ｅ粒子は、高純度化学研究所製の粒子径１μｍのものを
用いた。Ｓｉ粒子については、前処理しない場合と、容
積比が、ＨＦ：Ｈ Ｏ＝１：９９のフッ酸中にて１分間
エッチング処理した後実験に用いたベアＳｉ粒子の場合
とがある。
【００２７】ゼータ電位の値は、粒子径に依存しない実
験結果を得ており、上記粒子径での測定データは、半導
体ウェハのような平面状の物質や、０．０５μｍ程度の
超微粒子においてもそのまま用いることができると考え
られる。したがって、本発明で用いるレジスト材料、Ｓ
ｉ3Ｎ4等で被覆した半導体ウェハのゼータ電位は、それ
ぞれの粒子のゼータ電位から値を得ることができる。表
１に、レジスト材料、Ｓｉ3Ｎ4等のゼータ電位を示す。
験結果を得ており、上記粒子径での測定データは、半導
体ウェハのような平面状の物質や、０．０５μｍ程度の
超微粒子においてもそのまま用いることができると考え
られる。したがって、本発明で用いるレジスト材料、Ｓ
ｉ3Ｎ4等で被覆した半導体ウェハのゼータ電位は、それ
ぞれの粒子のゼータ電位から値を得ることができる。表
１に、レジスト材料、Ｓｉ3Ｎ4等のゼータ電位を示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】（実施例１）本発明による微粒子の付着防
止効果を、以下の手順により確認した。図５に示すよう
に、０．０３８μｍのポリスチレン粒子を液槽１０の中
で市販の５０％フッ酸及び４０％フッ化アンモニウムを
用いた容積比ＨＦ：ＮＨ4Ｆ：Ｈ2Ｏ＝１：５：１９（Ｈ
Ｆ２％，ＮＨ4Ｆ８％）混合水溶液に分散し（液中粒子
濃度は５×１０5個／ｃｍ3に調製。）、６インチＳｉウ
ェハ９を一定時間浸漬した。次いで、これを液槽１０中
より引き上げてスピンナー乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）により、ポリスチレン粒子付着数を測定した。浸漬
時間とポリスチレン粒子付着数との関係を、図６及び図
７に線１１として示す。浸漬時間とともに、付着数は増
加することが分かった。
止効果を、以下の手順により確認した。図５に示すよう
に、０．０３８μｍのポリスチレン粒子を液槽１０の中
で市販の５０％フッ酸及び４０％フッ化アンモニウムを
用いた容積比ＨＦ：ＮＨ4Ｆ：Ｈ2Ｏ＝１：５：１９（Ｈ
Ｆ２％，ＮＨ4Ｆ８％）混合水溶液に分散し（液中粒子
濃度は５×１０5個／ｃｍ3に調製。）、６インチＳｉウ
ェハ９を一定時間浸漬した。次いで、これを液槽１０中
より引き上げてスピンナー乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）により、ポリスチレン粒子付着数を測定した。浸漬
時間とポリスチレン粒子付着数との関係を、図６及び図
７に線１１として示す。浸漬時間とともに、付着数は増
加することが分かった。
【００３０】次に、レジスト材料を被覆したＳｉウェハ
を用いて、同様の条件でポリスチレン粒子の付着実験を
行った。その結果を、図６に線１２として示す。ほとん
ど付着は見られなかった。
を用いて、同様の条件でポリスチレン粒子の付着実験を
行った。その結果を、図６に線１２として示す。ほとん
ど付着は見られなかった。
【００３１】また、レジスト材料を被覆したＳｉウェハ
の代りに、Ｓｉ3Ｎ4を被覆したＳｉウェハを用いて同様
の実験を行った結果でも、ほとんどポリスチレン粒子の
付着が見られなかった。これを図７に線１３として示
す。
の代りに、Ｓｉ3Ｎ4を被覆したＳｉウェハを用いて同様
の実験を行った結果でも、ほとんどポリスチレン粒子の
付着が見られなかった。これを図７に線１３として示
す。
【００３２】以上の結果より、レジスト材料やＳｉ3Ｎ4
を被覆することにより、Ｓｉウェハへの微粒子の付着数
を格段に低減させることができた。
を被覆することにより、Ｓｉウェハへの微粒子の付着数
を格段に低減させることができた。
【００３３】なお、レジスト材料としては感光性樹脂等
が挙げられ、具体的には、ノボラック樹脂、環化天然ゴ
ム、環化合成ゴム、ポリケイ皮酸ビニル、ポリメチルイ
ソプロペニルケトン、ポリビニルフェノール、感光性ポ
リイミド、ポリビニル−ｐ−アジドベンゾエート、ポリ
メタクリロイルオキシベンザルアセトフェノン、ポリビ
ニルシンナミリデンアセテート、ポリメタクリル酸メチ
ル、４，４’−ジアジドジフェニルスルフィド、ポリ−
４−ビニルフェノール、３，３’−ジアジドジフェニル
スルホン、クロロメチル化ポリスチレン、２，４−ジク
ロロ安息香酸誘導体を結合したスチレン化ポリマー、塩
素化スチレン系ポリマー、メタクリル酸ヘキサフルオロ
ブチル重合体、メタクリル酸テトラフルオロプロピル重
合体、ナフトキノンジアジド化合物、メタクリル酸メチ
ル−アクリルニトリル共重合体、ポリメタクリル酸グリ
シジル、ポリ２−メチル−１ペンテンスルホン、ヨウ素
化ポリスチレン、ポリα−シアノアクリレート、ポリメ
タクリル酸ヘキサフルオロブチル、ポリメタクリル酸ジ
メチルテトラフルオロプロピル、ポリメタクリル酸トリ
クロロエチル、ポリトリフルオロエチル−α−クロロア
クリレート、側鎖にマレイン酸メチルを導入したポリメ
タクリル酸エステル、塩素化ポリメチルスルホン、ノボ
ラック樹脂−ベンゾキノンジアジド、トリクロロエチル
メタクリレート重合体、トリフルオロエチルクロロアク
リレート重合体、ポリメタクリレート、エチルアクリレ
ート共重合体、スルホン共重合体等が挙げられる。特
に、ノボラック樹脂、環化天然ゴム、環化合成ゴム、ポ
リケイ皮酸ビニルが、フッ酸に耐性があるため優れてい
る。また、感光剤としては、ｏ−ナフトキノンジアジド
化合物、ビスアジド化合物、増感剤、α−ナフトキノン
ジアジド化合物、４−アジドカルコン等が挙げられる。
この増感剤としては、例えばアミンやアミドなどが挙げ
られる。また、微粒子付着防止の効果がある膜として、
この他有機膜でも良く、特に有機膜を構成する有機材料
が極性基を有していたり、分子内に水酸基（−ＯＨ）、
エステル結合（−ＣＯＯ−）、酸アミド（−ＣＯＮＨ
−）、エーテル結合（−Ｏ−）を有するものでも良い。
具体的には、２ーアミノエタノールや２−プロパノール
が挙げられる。また、この膜は、紫外線照射等の表面処
理により静電気反発力を生じるようになったものでも良
い。
が挙げられ、具体的には、ノボラック樹脂、環化天然ゴ
ム、環化合成ゴム、ポリケイ皮酸ビニル、ポリメチルイ
ソプロペニルケトン、ポリビニルフェノール、感光性ポ
リイミド、ポリビニル−ｐ−アジドベンゾエート、ポリ
メタクリロイルオキシベンザルアセトフェノン、ポリビ
ニルシンナミリデンアセテート、ポリメタクリル酸メチ
ル、４，４’−ジアジドジフェニルスルフィド、ポリ−
４−ビニルフェノール、３，３’−ジアジドジフェニル
スルホン、クロロメチル化ポリスチレン、２，４−ジク
ロロ安息香酸誘導体を結合したスチレン化ポリマー、塩
素化スチレン系ポリマー、メタクリル酸ヘキサフルオロ
ブチル重合体、メタクリル酸テトラフルオロプロピル重
合体、ナフトキノンジアジド化合物、メタクリル酸メチ
ル−アクリルニトリル共重合体、ポリメタクリル酸グリ
シジル、ポリ２−メチル−１ペンテンスルホン、ヨウ素
化ポリスチレン、ポリα−シアノアクリレート、ポリメ
タクリル酸ヘキサフルオロブチル、ポリメタクリル酸ジ
メチルテトラフルオロプロピル、ポリメタクリル酸トリ
クロロエチル、ポリトリフルオロエチル−α−クロロア
クリレート、側鎖にマレイン酸メチルを導入したポリメ
タクリル酸エステル、塩素化ポリメチルスルホン、ノボ
ラック樹脂−ベンゾキノンジアジド、トリクロロエチル
メタクリレート重合体、トリフルオロエチルクロロアク
リレート重合体、ポリメタクリレート、エチルアクリレ
ート共重合体、スルホン共重合体等が挙げられる。特
に、ノボラック樹脂、環化天然ゴム、環化合成ゴム、ポ
リケイ皮酸ビニルが、フッ酸に耐性があるため優れてい
る。また、感光剤としては、ｏ−ナフトキノンジアジド
化合物、ビスアジド化合物、増感剤、α−ナフトキノン
ジアジド化合物、４−アジドカルコン等が挙げられる。
この増感剤としては、例えばアミンやアミドなどが挙げ
られる。また、微粒子付着防止の効果がある膜として、
この他有機膜でも良く、特に有機膜を構成する有機材料
が極性基を有していたり、分子内に水酸基（−ＯＨ）、
エステル結合（−ＣＯＯ−）、酸アミド（−ＣＯＮＨ
−）、エーテル結合（−Ｏ−）を有するものでも良い。
具体的には、２ーアミノエタノールや２−プロパノール
が挙げられる。また、この膜は、紫外線照射等の表面処
理により静電気反発力を生じるようになったものでも良
い。
【００３４】さらに、本実施例では、洗浄液として、フ
ッ酸とフッ化アンモニウムの混合溶液を用いたが、
（Ａ）フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、有機酸の何れ
かを含む酸性溶液、（Ｂ）前記（Ａ）の酸性溶液と過酸
化水素水、フッ化アンモニウム等を含む酸性溶液、
（Ｃ）アンモニア水、アミン等のいずれか１種類以上を
含むアルカリ性溶液、（Ｄ）前記（Ｃ）のアルカリ性溶
液と過酸化水素水、フッ化アンモニウム等を含むアルカ
リ性溶液、（Ｅ）前記（Ａ）あるいは（Ｂ）と、前記
（Ｃ）あるいは（Ｄ）とを含む混合液、または前記
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）を含む混合液、（Ｆ）
水（超純水）等の中性溶液でも良い。酸性溶液としては
特にｐＨが１〜４の間にあるとき、特にフッ化アンモニ
ウムを用いた場合に微粒子付着の防止効果が優れてい
る。また、この洗浄液に、陽イオン界面活性剤、陰イオ
ン界面活性剤、両性界面活性剤、２−アミノエタノール
や２−プロパノール等の有機溶剤等の添加剤を添加して
も良い。
ッ酸とフッ化アンモニウムの混合溶液を用いたが、
（Ａ）フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、有機酸の何れ
かを含む酸性溶液、（Ｂ）前記（Ａ）の酸性溶液と過酸
化水素水、フッ化アンモニウム等を含む酸性溶液、
（Ｃ）アンモニア水、アミン等のいずれか１種類以上を
含むアルカリ性溶液、（Ｄ）前記（Ｃ）のアルカリ性溶
液と過酸化水素水、フッ化アンモニウム等を含むアルカ
リ性溶液、（Ｅ）前記（Ａ）あるいは（Ｂ）と、前記
（Ｃ）あるいは（Ｄ）とを含む混合液、または前記
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）を含む混合液、（Ｆ）
水（超純水）等の中性溶液でも良い。酸性溶液としては
特にｐＨが１〜４の間にあるとき、特にフッ化アンモニ
ウムを用いた場合に微粒子付着の防止効果が優れてい
る。また、この洗浄液に、陽イオン界面活性剤、陰イオ
ン界面活性剤、両性界面活性剤、２−アミノエタノール
や２−プロパノール等の有機溶剤等の添加剤を添加して
も良い。
【００３５】さらに、被覆される材料は、Ｓｉ、ポリＳ
ｉ等各種半導体装置に用いられる材料の他、金属、合
金、セラミックス等、無機物や有機物であってもよい。
また、被覆される材料は、平板のみならず、球形、ブロ
ック状等、または様々な複雑な形状を有するものであっ
ても良い。さらに、大きさに関しては、超微粒子等微小
なものから大きなものまでどのような大きさのものであ
っても良い。
ｉ等各種半導体装置に用いられる材料の他、金属、合
金、セラミックス等、無機物や有機物であってもよい。
また、被覆される材料は、平板のみならず、球形、ブロ
ック状等、または様々な複雑な形状を有するものであっ
ても良い。さらに、大きさに関しては、超微粒子等微小
なものから大きなものまでどのような大きさのものであ
っても良い。
【００３６】（実施例２）次に、市販の５０％フッ酸及
び４０％フッ化アンモニウムを用いて、容積比でＨＦ：
ＮＨ4Ｆ：Ｈ2Ｏ＝１：５：３５（ＨＦ１．２５％，ＮＨ
4Ｆ５％）のフッ酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液
を調製して粒子径１μｍのＳｉ粒子を分散させ（粒子濃
度は５×１０7個／ｃｍ3に調製）、実施例１と同様に６
インチＳｉウェハ９へのＳｉ粒子の付着実験を行った。
なお、微粒子付着数は、異物検査装置（テンコール イ
ンスツルメント社（ＴＥＮＣＯＲ ＩＮＳＴＵＲＵＭＥ
ＮＴＳ Ｉｎｃ．）製のサーフスキャン ３０００（Ｓ
ｕｒｆｓｃａｎ ３０００）測定粒子径０．３μｍ以
上）を用いて測定した。その結果を、図８に線１４とし
て示す。この結果より、浸漬時間と共に付着数が増加す
ることが分かった。
び４０％フッ化アンモニウムを用いて、容積比でＨＦ：
ＮＨ4Ｆ：Ｈ2Ｏ＝１：５：３５（ＨＦ１．２５％，ＮＨ
4Ｆ５％）のフッ酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液
を調製して粒子径１μｍのＳｉ粒子を分散させ（粒子濃
度は５×１０7個／ｃｍ3に調製）、実施例１と同様に６
インチＳｉウェハ９へのＳｉ粒子の付着実験を行った。
なお、微粒子付着数は、異物検査装置（テンコール イ
ンスツルメント社（ＴＥＮＣＯＲ ＩＮＳＴＵＲＵＭＥ
ＮＴＳ Ｉｎｃ．）製のサーフスキャン ３０００（Ｓ
ｕｒｆｓｃａｎ ３０００）測定粒子径０．３μｍ以
上）を用いて測定した。その結果を、図８に線１４とし
て示す。この結果より、浸漬時間と共に付着数が増加す
ることが分かった。
【００３７】更に、Ｓｉ3Ｎ4を被覆したＳｉウェハを用
いて、同様の条件でＳｉ粒子の付着実験を行った。その
結果を、図８に線１５で示す。この実験の結果から、Ｓ
ｉ粒子の付着がほとんど見られなかったことがわかる。
いて、同様の条件でＳｉ粒子の付着実験を行った。その
結果を、図８に線１５で示す。この実験の結果から、Ｓ
ｉ粒子の付着がほとんど見られなかったことがわかる。
【００３８】（実施例３）次に、実施例２と同じフッ酸
とフッ化アンモニウムの混合水溶液を調製して、粒子径
１μｍのベアＳｉ粒子を分散させ（粒子濃度は５×１０
7個／ｃｍ3に調製）、同様に６インチＳｉウェハ９への
付着実験を行った。その結果を、図９に線１６で示す。
この結果から、浸漬時間と共にベアＳｉ粒子の付着数が
増加することが分かった。
とフッ化アンモニウムの混合水溶液を調製して、粒子径
１μｍのベアＳｉ粒子を分散させ（粒子濃度は５×１０
7個／ｃｍ3に調製）、同様に６インチＳｉウェハ９への
付着実験を行った。その結果を、図９に線１６で示す。
この結果から、浸漬時間と共にベアＳｉ粒子の付着数が
増加することが分かった。
【００３９】次に、レジスト材料を被覆したＳｉウェハ
を用いて、同様の条件でベアＳｉ粒子の付着実験を行
い、得られた結果を図９に線１７で示す。この結果か
ら、レジスト材料を被覆したＳｉウェハへのベアＳｉ粒
子の付着は、ほとんど見られなかった。
を用いて、同様の条件でベアＳｉ粒子の付着実験を行
い、得られた結果を図９に線１７で示す。この結果か
ら、レジスト材料を被覆したＳｉウェハへのベアＳｉ粒
子の付着は、ほとんど見られなかった。
【００４０】（実施例４）次に、実施例２と同じフッ酸
とフッ化アンモニウムの混合水溶液を調製して粒子径１
μｍのＳｉＯ2粒子を分散させ（粒子濃度は５×１０7個
／ｃｍ3に調製）、同様に６インチＳｉウェハ９への付
着実験を行った。その結果を、図１０に線１８で示す。
この結果より、浸漬時間と共にＳｉＯ2粒子の付着数が
増加することが分かった。
とフッ化アンモニウムの混合水溶液を調製して粒子径１
μｍのＳｉＯ2粒子を分散させ（粒子濃度は５×１０7個
／ｃｍ3に調製）、同様に６インチＳｉウェハ９への付
着実験を行った。その結果を、図１０に線１８で示す。
この結果より、浸漬時間と共にＳｉＯ2粒子の付着数が
増加することが分かった。
【００４１】次に、レジスト材料を被覆したＳｉウェハ
を用いて、上記と同様の条件で付着実験を行った。その
結果を、同じく図１０に線１９として示す。この実験の
結果から、レジスト材料を被覆したＳｉウェハへのＳｉ
Ｏ2粒子の付着は、ほとんど見られなかった。
を用いて、上記と同様の条件で付着実験を行った。その
結果を、同じく図１０に線１９として示す。この実験の
結果から、レジスト材料を被覆したＳｉウェハへのＳｉ
Ｏ2粒子の付着は、ほとんど見られなかった。
【００４２】（実施例５）次に、実施例２と同じフッ酸
とフッ化アンモニウムの混合水溶液を調製して粒子径１
μｍのＦｅ粒子を分散させ（粒子濃度は５×１０7個／
ｃｍ3に調製）、同様に６インチＳｉウェハ９への付着
実験を行った。その結果を図１１に線２０として示す。
この結果より、浸漬時間と共にＦｅ粒子の付着数は増加
することが分かった。
とフッ化アンモニウムの混合水溶液を調製して粒子径１
μｍのＦｅ粒子を分散させ（粒子濃度は５×１０7個／
ｃｍ3に調製）、同様に６インチＳｉウェハ９への付着
実験を行った。その結果を図１１に線２０として示す。
この結果より、浸漬時間と共にＦｅ粒子の付着数は増加
することが分かった。
【００４３】次に、レジスト材料を被覆したＳｉウェハ
を用いて、上記と同様の条件でＦｅ粒子の付着実験を行
った。得られた結果を、同じく図１１に線２１で示す。
この実験の結果から、レジスト材料を被覆したＳｉウェ
ハへのＦｅ粒子の付着はほとんど見られなかった。
を用いて、上記と同様の条件でＦｅ粒子の付着実験を行
った。得られた結果を、同じく図１１に線２１で示す。
この実験の結果から、レジスト材料を被覆したＳｉウェ
ハへのＦｅ粒子の付着はほとんど見られなかった。
【００４４】（実施例６）半導体製造ラインで製造され
ている従来製品から発生する微粒子の付着防止につい
て、実施例２と同様の実験を行った。ここで、実験に用
いた従来製品はスタック型フィン構造を有する半導体素
子（ティ エマ 他、 アイ イー ディーエム テク
ニカル ダイジェスト，ｐｐ５９２〜５９４，１９８８
（Ｔ．Ｅｍａ ｅｔ ａｌ．，ＩＥＤＭ Ｔｅｃｈ．Ｄ
ｉｇ．，ｐｐ５９２〜５９４，１９８８参照））が形成
されたウェハ（以下、半導体製品ウェハと略す）であ
る。図１２に、従来製品のフィン構造キャパシタ部の断
面図を示す。
ている従来製品から発生する微粒子の付着防止につい
て、実施例２と同様の実験を行った。ここで、実験に用
いた従来製品はスタック型フィン構造を有する半導体素
子（ティ エマ 他、 アイ イー ディーエム テク
ニカル ダイジェスト，ｐｐ５９２〜５９４，１９８８
（Ｔ．Ｅｍａ ｅｔ ａｌ．，ＩＥＤＭ Ｔｅｃｈ．Ｄ
ｉｇ．，ｐｐ５９２〜５９４，１９８８参照））が形成
されたウェハ（以下、半導体製品ウェハと略す）であ
る。図１２に、従来製品のフィン構造キャパシタ部の断
面図を示す。
【００４５】実験は、図１３に示すオーバーフロータイ
プのエッチング槽２９を用い、このエッチング槽２９
に、実施例２と同様に調製した混合水溶液３０を満たし
た状態で行った。図１３に示すように、液循環系３４の
配管には循環ポンプ３５が設置され、そのポンプから流
れた溶液をフィルタ３６で清浄化された水溶液が、再び
エッチング槽２９に入るように構成されている。図１２
に示した半導体製品ウェハ３１と微粒子付着数測定用の
ウェハとして自然酸化膜付きＳｉウェハ及び全面にＳｉ
3Ｎ4（膜厚０．０３μｍ）またはレジスト材料（膜厚１
μｍ）の膜を均一に形成したＳｉウェハなどの微粒子付
着数測定用のウエハ３２を、それぞれウェハカセット３
３に装着し、１０分間浸漬した。その後、微粒子付着数
測定用の各ウェハ３２をエッチング槽２９から引上げ、
水洗した後スピンナにより乾燥して、異物検査装置で各
Ｓｉウェハ３２に付着した微粒子数を測定した。その結
果を、表２に示す。
プのエッチング槽２９を用い、このエッチング槽２９
に、実施例２と同様に調製した混合水溶液３０を満たし
た状態で行った。図１３に示すように、液循環系３４の
配管には循環ポンプ３５が設置され、そのポンプから流
れた溶液をフィルタ３６で清浄化された水溶液が、再び
エッチング槽２９に入るように構成されている。図１２
に示した半導体製品ウェハ３１と微粒子付着数測定用の
ウェハとして自然酸化膜付きＳｉウェハ及び全面にＳｉ
3Ｎ4（膜厚０．０３μｍ）またはレジスト材料（膜厚１
μｍ）の膜を均一に形成したＳｉウェハなどの微粒子付
着数測定用のウエハ３２を、それぞれウェハカセット３
３に装着し、１０分間浸漬した。その後、微粒子付着数
測定用の各ウェハ３２をエッチング槽２９から引上げ、
水洗した後スピンナにより乾燥して、異物検査装置で各
Ｓｉウェハ３２に付着した微粒子数を測定した。その結
果を、表２に示す。
【００４６】この表からわかるように、自然酸化膜付き
ウェハに対して、ウェハ全面にＳｉ3Ｎ4またはレジスト
材料の膜を均一に形成したＳｉウェハ上への付着微粒子
数は、一桁以上少なかった。
ウェハに対して、ウェハ全面にＳｉ3Ｎ4またはレジスト
材料の膜を均一に形成したＳｉウェハ上への付着微粒子
数は、一桁以上少なかった。
【００４７】
【表２】
【００４８】（実施例７）実施例６と同様に、半導体製
品ウェハを用いて実験を行った。ただし、フッ酸とフッ
化アンモニウムの混合水溶液は市販の５０％フッ酸及び
４０％フッ化アンモニウムを用いて容積比でＨＦ：ＮＨ
4Ｆ：Ｈ2Ｏ＝１：５：１９の組成のものとした。実験の
結果を、表３に示す。
品ウェハを用いて実験を行った。ただし、フッ酸とフッ
化アンモニウムの混合水溶液は市販の５０％フッ酸及び
４０％フッ化アンモニウムを用いて容積比でＨＦ：ＮＨ
4Ｆ：Ｈ2Ｏ＝１：５：１９の組成のものとした。実験の
結果を、表３に示す。
【００４９】この表に示されるように、実施例６と同様
に、自然酸化膜付きウェハに対して、Ｓｉウェハ全面に
Ｓｉ3Ｎ4またはレジスト材料の均一な膜を形成したＳｉ
ウェハ上への微粒子付着数は少なかった。
に、自然酸化膜付きウェハに対して、Ｓｉウェハ全面に
Ｓｉ3Ｎ4またはレジスト材料の均一な膜を形成したＳｉ
ウェハ上への微粒子付着数は少なかった。
【００５０】
【表３】
【００５１】（実施例８）フィン構造のキャパシタ部を
有する半導体製品ウェハの製造方法を、図１４と図１５
を用いて説明する。図１４の２２に示す半導体基板にト
ランジスタを形成した後、ＳｉＯ2膜４６上にＳｉ3Ｎ4
膜（膜厚０．０５〜０．１μｍ）２３を成長させる。次
いで、ＳｉＯ2膜２４（膜厚約０．１μｍ）、ポリＳｉ
膜２５、ＳｉＯ2膜２６（膜厚約０．１μｍ）を順次成
長させ、コンタクトホール（口径約０．５μｍ）２７を
形成する。この後、ポリＳｉ膜２８を全面に成長させる
〔図１４（ａ）〕。次に、パターン状のレジスト３７を
形成した後〔図１４（ｂ）〕、このレジストをマスクと
し、Ｓｉ3Ｎ4膜２３をストッパーとして、ポリＳｉ膜２
５、ＳｉＯ2膜２６をドライエッチングによりパターニ
ングする〔図１４（ｃ）〕。以上の工程は、前記ティー
エマ 他の文献に示されている。
有する半導体製品ウェハの製造方法を、図１４と図１５
を用いて説明する。図１４の２２に示す半導体基板にト
ランジスタを形成した後、ＳｉＯ2膜４６上にＳｉ3Ｎ4
膜（膜厚０．０５〜０．１μｍ）２３を成長させる。次
いで、ＳｉＯ2膜２４（膜厚約０．１μｍ）、ポリＳｉ
膜２５、ＳｉＯ2膜２６（膜厚約０．１μｍ）を順次成
長させ、コンタクトホール（口径約０．５μｍ）２７を
形成する。この後、ポリＳｉ膜２８を全面に成長させる
〔図１４（ａ）〕。次に、パターン状のレジスト３７を
形成した後〔図１４（ｂ）〕、このレジストをマスクと
し、Ｓｉ3Ｎ4膜２３をストッパーとして、ポリＳｉ膜２
５、ＳｉＯ2膜２６をドライエッチングによりパターニ
ングする〔図１４（ｃ）〕。以上の工程は、前記ティー
エマ 他の文献に示されている。
【００５２】従来は、図１４（ｃ）までの工程の後、特
開平４−３０４６４に記述されるように、図１４（ｄ）
に示す如く、レジスト３７を除去し、次いでウェットエ
ッチングによりＳｉＯ2膜２４と２６を除去し、フィン
構造を形成していた〔図１４（ｅ）〕。
開平４−３０４６４に記述されるように、図１４（ｄ）
に示す如く、レジスト３７を除去し、次いでウェットエ
ッチングによりＳｉＯ2膜２４と２６を除去し、フィン
構造を形成していた〔図１４（ｅ）〕。
【００５３】これに対し、本発明では、図１４の（ａ）
〜（ｃ）までと同様の工程を経た図１５（ｃ）に示すよ
うな状態で、レジスト３７を残したままＳｉＯ2膜２４
と２６をエッチング除去する。図１４に示したような、
レジストを除去した後にエッチングを行う製造方法の場
合には、露出したポリＳｉ面２８に微粒子が付着した。
しかし、図１５に示すような、レジスト３７を残したま
まエッチングする製造方法の場合、レジスト面３７への
微粒子付着が少なく、かつ、ＳｉＯ2膜２４をエッチン
グ後に露出するＳｉ3Ｎ4膜２３への微粒子付着も少なか
った。
〜（ｃ）までと同様の工程を経た図１５（ｃ）に示すよ
うな状態で、レジスト３７を残したままＳｉＯ2膜２４
と２６をエッチング除去する。図１４に示したような、
レジストを除去した後にエッチングを行う製造方法の場
合には、露出したポリＳｉ面２８に微粒子が付着した。
しかし、図１５に示すような、レジスト３７を残したま
まエッチングする製造方法の場合、レジスト面３７への
微粒子付着が少なく、かつ、ＳｉＯ2膜２４をエッチン
グ後に露出するＳｉ3Ｎ4膜２３への微粒子付着も少なか
った。
【００５４】このため、製品上の微粒子付着数（半導体
素子面上の０．３μｍ以上の微粒子を、日本ケー・エル
・エー製モデルＫＬＡ−２１１１外観検査装置にて測
定）は、従来の方法によれば平均０．９個／ｃｍ2であ
ったのに対して、本発明の方法では０．２個／ｃｍ2以
下であった。この結果を、表４に示す。
素子面上の０．３μｍ以上の微粒子を、日本ケー・エル
・エー製モデルＫＬＡ−２１１１外観検査装置にて測
定）は、従来の方法によれば平均０．９個／ｃｍ2であ
ったのに対して、本発明の方法では０．２個／ｃｍ2以
下であった。この結果を、表４に示す。
【００５５】ここで、図１５に示すレジスト３７が被覆
されていないポリＳｉ面２５とポリＳｉ面２８の向き合
った面への微粒子付着に関して、以下に述べる。
されていないポリＳｉ面２５とポリＳｉ面２８の向き合
った面への微粒子付着に関して、以下に述べる。
【００５６】図１４及び図１５に示す半導体製品ウェハ
の、ウェットエッチング中に発生する微粒子の大きさの
大半は、０．１μｍ以上である。一方、図１５に示すレ
ジスト３７が塗布されていないポリＳｉ面２５とポリＳ
ｉ面２８の、向き合った面の間隔が約０．１μｍであ
る。したがって、上記大きさの微粒子が入り込めないた
め、ポリＳｉ面２５とポリＳｉ面２８間への微粒子付着
は問題にならない。
の、ウェットエッチング中に発生する微粒子の大きさの
大半は、０．１μｍ以上である。一方、図１５に示すレ
ジスト３７が塗布されていないポリＳｉ面２５とポリＳ
ｉ面２８の、向き合った面の間隔が約０．１μｍであ
る。したがって、上記大きさの微粒子が入り込めないた
め、ポリＳｉ面２５とポリＳｉ面２８間への微粒子付着
は問題にならない。
【００５７】したがって、本実施例は、エッチング終了
時に微粒子が付着しにくいＳｉ3Ｎ4面を露出させる点に
特徴があり、レジスト面との併用により製品への微粒子
付着低減に効果があるものである。なお、本実施例でウ
エットエッチングに用いた溶液は、洗浄液としての役割
をも果たすが、これとは別に、ウエットエッチングを行
った後に、ウエットエッチングに使用した溶液とは別の
洗浄液にウエハーを浸しても良い。
時に微粒子が付着しにくいＳｉ3Ｎ4面を露出させる点に
特徴があり、レジスト面との併用により製品への微粒子
付着低減に効果があるものである。なお、本実施例でウ
エットエッチングに用いた溶液は、洗浄液としての役割
をも果たすが、これとは別に、ウエットエッチングを行
った後に、ウエットエッチングに使用した溶液とは別の
洗浄液にウエハーを浸しても良い。
【００５８】
【表４】
【００５９】（実施例９）ここで、図１４に示したよう
な工程を経て製造された従来の半導体製品ウェハと、本
発明による図１５に示したような工程を経て製造された
半導体製品ウェハとを用いて、フッ酸とフッ化アンモニ
ウムの混合水溶液による酸化膜エッチング処理を、１枚
ずつ行った。なお、微粒子付着数は、実施例８と同様に
して測定した。
な工程を経て製造された従来の半導体製品ウェハと、本
発明による図１５に示したような工程を経て製造された
半導体製品ウェハとを用いて、フッ酸とフッ化アンモニ
ウムの混合水溶液による酸化膜エッチング処理を、１枚
ずつ行った。なお、微粒子付着数は、実施例８と同様に
して測定した。
【００６０】表５に示されるように、本発明による半導
体製品ウェハの微粒子付着数は少なかった。
体製品ウェハの微粒子付着数は少なかった。
【００６１】
【表５】
【００６２】（実施例１０）図１３に示すオーバーフロ
ータイプのエッチング槽中に入れた実施例２で用いた混
合水溶液中に、図１２に示したものと同様の半導体製品
ウェハを１０分間浸漬した後、微粒子付着数を測定し
た。なお、微粒子付着数は、実施例８と同様にして測定
した。
ータイプのエッチング槽中に入れた実施例２で用いた混
合水溶液中に、図１２に示したものと同様の半導体製品
ウェハを１０分間浸漬した後、微粒子付着数を測定し
た。なお、微粒子付着数は、実施例８と同様にして測定
した。
【００６３】次に、図１２に示した半導体製品ウェハを
用いて、このウエハの周辺部から５ｍｍを除いた全面
に、陰イオン界面活性剤を塗布した後、同様の実験を行
った。
用いて、このウエハの周辺部から５ｍｍを除いた全面
に、陰イオン界面活性剤を塗布した後、同様の実験を行
った。
【００６４】表６に示されるように、陰イオン界面活性
剤を塗布した半導体製品ウェハへの微粒子の付着は、ほ
とんど見られなかった。
剤を塗布した半導体製品ウェハへの微粒子の付着は、ほ
とんど見られなかった。
【００６５】
【表６】
【００６６】（実施例１１）本発明を実施するための洗
浄システムの一例を、図１７に示す。図１７において、
洗浄液またはエッチング液調合部４１で調合された洗浄
液またはエッチング液と、静電気反発力を有する物質貯
蔵部４２から供給される静電気反発力を有する物質を、
被覆装置４３で半導体製品ウェハに被覆し、Ｓｉウェハ
搬送系４４から洗浄槽４５に運ばれる半導体製品ウェハ
の洗浄に用いられる。
浄システムの一例を、図１７に示す。図１７において、
洗浄液またはエッチング液調合部４１で調合された洗浄
液またはエッチング液と、静電気反発力を有する物質貯
蔵部４２から供給される静電気反発力を有する物質を、
被覆装置４３で半導体製品ウェハに被覆し、Ｓｉウェハ
搬送系４４から洗浄槽４５に運ばれる半導体製品ウェハ
の洗浄に用いられる。
【００６７】
【発明の効果】本発明によれば、洗浄液またはエッチン
グ液中における微粒子の付着を防止及び低減することが
できるため、半導体装置、薄膜デバイス、ディスク等の
エレクトロニクス部品の歩留りを高めることができ、低
コストで上記製品を製造することができる。
グ液中における微粒子の付着を防止及び低減することが
できるため、半導体装置、薄膜デバイス、ディスク等の
エレクトロニクス部品の歩留りを高めることができ、低
コストで上記製品を製造することができる。
【図１】基板を特定の物質で被覆し、静電気反発力によ
り基板に微粒子が付着しにくくなる概念図である。
り基板に微粒子が付着しにくくなる概念図である。
【図２】本発明に係る基板−微粒子間の距離とポテンシ
ャルエネルギーの関係を示す図である。
ャルエネルギーの関係を示す図である。
【図３】微粒子のゼータ電位と微粒子付着数の関係を示
す図である。
す図である。
【図４】微粒子のゼータ電位と微粒子付着数の関係を示
す図である。
す図である。
【図５】微粒子を分散させたフッ酸とフッ化アンモニウ
ムの混合水溶液に６インチＳｉウエハを浸漬して取り出
す工程図である。
ムの混合水溶液に６インチＳｉウエハを浸漬して取り出
す工程図である。
【図６】ウェハの浸漬時間と微粒子付着数との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図７】ウェハの浸漬時間と微粒子付着数との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図８】ウェハの浸漬時間と微粒子付着数との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図９】ウェハの浸漬時間と微粒子付着数との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図１０】ウェハの浸漬時間と微粒子付着数との関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図１１】ウェハの浸漬時間と微粒子付着数との関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図１２】従来の半導体製品ウェハのフィン構造キャパ
シタ部の断面図である。
シタ部の断面図である。
【図１３】各種ウエハをフッ酸とフッ化アンモニウムの
混合水溶液に浸漬して取り出す工程図である。
混合水溶液に浸漬して取り出す工程図である。
【図１４】従来法によって製造される半導体製品ウェハ
のフィン構造キャパシタ部の各製造工程の断面図であ
る。
のフィン構造キャパシタ部の各製造工程の断面図であ
る。
【図１５】本発明によって製造される半導体製品ウェハ
のフィン構造キャパシタ部の各製造工程の断面図であ
る。
のフィン構造キャパシタ部の各製造工程の断面図であ
る。
【図１６】従来の半導体製品ウェハのフィン構造キャパ
シタ部の断面図である。
シタ部の断面図である。
【図１７】本発明に係る洗浄システムの一例を示す図で
ある。
ある。
１…基板、２…微粒子、３…表面電荷、４…静電気反発
力を有する物質、５…ベアＳｉ粒子、６…Ｓｉ粒子、７
…ポリスチレン粒子、８…Ａｌ2Ｏ3粒子、９…６インチ
Ｓｉウェハ、１０…液槽、１１…Ｓｉウェハの場合、１
２…Ｓｉウェハにレジスト材料を被覆したウェハの場
合、１３…ＳｉウェハにＳｉ3Ｎ4を被覆したウェハの場
合、１４…Ｓｉウェハの場合、１５…Ｓｉウェハにレジ
スト材料を被覆したウェハの場合、１６…Ｓｉウェハの
場合、１７…Ｓｉウェハにレジスト材料を被覆したウェ
ハの場合、１８…Ｓｉウェハの場合、１９…Ｓｉウェハ
にレジスト材料を被覆したウェハの場合、２０…Ｓｉウ
ェハの場合、２１…Ｓｉウェハにレジスト材料を被覆し
たウェハの場合、２２…半導体基板、２３…Ｓｉ3Ｎ
4膜、２４…ＳｉＯ2膜、２５…ポリＳｉ膜、２６…Ｓｉ
Ｏ2膜，２７…コンタクトホール，２８…ポリＳｉ膜，
２９…エッチング槽、３０…エッチング液、３１…半導
体製品ウェハ、３２…自然酸化膜付きウェハ及びＳｉウ
ェハ全面にＳｉ3Ｎ4またはレジスト材料の均一な膜を形
成したウェハ、３３…ウェハカセット、３４…液循環
系、３５…循環ポンプ、３６…フィルタ、３７…レジス
ト、３８…ポリＳｉ膜、３９…ＳｉＯ2膜、４０…ポリ
Ｓｉ膜、４１…洗浄液またはエッチング液調合部、４２
…静電反発力を有する物質貯蔵部、４３…静電反発力を
有する物質被覆装置、４４…Ｓｉウェハ搬送系、４５…
洗浄槽、４６…ＳｉＯ2膜。
力を有する物質、５…ベアＳｉ粒子、６…Ｓｉ粒子、７
…ポリスチレン粒子、８…Ａｌ2Ｏ3粒子、９…６インチ
Ｓｉウェハ、１０…液槽、１１…Ｓｉウェハの場合、１
２…Ｓｉウェハにレジスト材料を被覆したウェハの場
合、１３…ＳｉウェハにＳｉ3Ｎ4を被覆したウェハの場
合、１４…Ｓｉウェハの場合、１５…Ｓｉウェハにレジ
スト材料を被覆したウェハの場合、１６…Ｓｉウェハの
場合、１７…Ｓｉウェハにレジスト材料を被覆したウェ
ハの場合、１８…Ｓｉウェハの場合、１９…Ｓｉウェハ
にレジスト材料を被覆したウェハの場合、２０…Ｓｉウ
ェハの場合、２１…Ｓｉウェハにレジスト材料を被覆し
たウェハの場合、２２…半導体基板、２３…Ｓｉ3Ｎ
4膜、２４…ＳｉＯ2膜、２５…ポリＳｉ膜、２６…Ｓｉ
Ｏ2膜，２７…コンタクトホール，２８…ポリＳｉ膜，
２９…エッチング槽、３０…エッチング液、３１…半導
体製品ウェハ、３２…自然酸化膜付きウェハ及びＳｉウ
ェハ全面にＳｉ3Ｎ4またはレジスト材料の均一な膜を形
成したウェハ、３３…ウェハカセット、３４…液循環
系、３５…循環ポンプ、３６…フィルタ、３７…レジス
ト、３８…ポリＳｉ膜、３９…ＳｉＯ2膜、４０…ポリ
Ｓｉ膜、４１…洗浄液またはエッチング液調合部、４２
…静電反発力を有する物質貯蔵部、４３…静電反発力を
有する物質被覆装置、４４…Ｓｉウェハ搬送系、４５…
洗浄槽、４６…ＳｉＯ2膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 勝彦 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 舟橋 倫正 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (22)
- 【請求項１】基体上に、単結晶シリコンと同等または単
結晶シリコンよりも微粒子に付着されやすい材料からな
る第１の膜を形成する工程と、 前記第１の膜を覆うように、前記微粒子と静電気反発力
を有する第２の膜を形成する工程と、 前記第２の膜が形成された前記基体を、前記微粒子を含
む洗浄液を用いて洗浄する工程とを有することを特徴と
する洗浄方法。 - 【請求項２】基体上にアルミニウム膜を形成する工程
と、 前記アルミニウム膜が露出しないように、洗浄液中に存
在する大半の微粒子と静電気反発力を有する第２の膜を
形成する工程と、 前記第２の膜が形成された前記基体を、前記洗浄液を用
いて洗浄する工程とを有することを特徴とする洗浄方
法。 - 【請求項３】基体上にポリシリコン膜を形成する工程
と、 前記ポリシリコン膜が露出しないように、洗浄液中に存
在する大半の微粒子と静電気反発力を有する第２の膜を
形成する工程と、 前記第２の膜が形成された前記基体を、前記洗浄液を用
いて洗浄する工程とを有することを特徴とする洗浄方
法。 - 【請求項４】洗浄液中におけるゼータ電位の絶対値が２
５ｍＶ以上の膜が形成された基体を、前記洗浄液を用い
て洗浄することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項５】基体上に、単結晶シリコンと同等または単
結晶シリコンよりも微粒子に付着されやすい材料からな
る第１の膜を形成する工程と、 前記第１の膜が露出しないように、前記微粒子と静電気
反発力を有する２種類以上の膜を形成する工程と、 前記２種類以上の膜が形成された前記基体を、洗浄液に
浸漬させて洗浄する工程とを有することを特徴とする洗
浄方法。 - 【請求項６】基体上に、単結晶シリコンと同等または単
結晶シリコンよりも微粒子に付着されやすい材料からな
る第１の膜を形成する工程と、 前記第１の膜が露出しないように、レジスト、Ｓｉ
3Ｎ4、ＳｉＯ2の少なくとも何れか一つからなる第２の
膜を形成する工程と、 前記第２の膜が形成された前記基体を、前記微粒子を含
む洗浄液を用いて洗浄する工程とを有することを特徴と
する洗浄方法。 - 【請求項７】前記レジストは、ノボラック樹脂、環化天
然ゴム、環化合成ゴム、ポリケイ皮酸ビニル、ポリメチ
ルイソプロペニルケトン、ポリビニルフェノール、感光
性ポリイミド、ポリビニル−ｐ−アジドベンゾエート、
ポリメタクリロイルオキシベンザルアセトフェノン、ポ
リビニルシンナミリデンアセテート、ポリメタクリル酸
メチル、４，４’−ジアジドジフェニルスルフィド、ポ
リ−４−ビニルフェノール、３，３’−ジアジドジフェ
ニルスルホン、クロロメチル化ポリスチレン、２，４−
ジクロロ安息香酸誘導体を結合したスチレン化ポリマ
ー、塩素化スチレン系ポリマー、メタクリル酸ヘキサフ
ルオロブチル重合体、メタクリル酸テトラフルオロプロ
ピル重合体、ナフトキノンジアジド化合物、メタクリル
酸メチル−アクリルニトリル共重合体、ポリメタクリル
酸グリシジル、ポリ２−メチル−１ペンテンスルホン、
ヨウ素化ポリスチレン、ポリα−シアノアクリレート、
ポリメタクリル酸ヘキサフルオロブチル、ポリメタクリ
ル酸ジメチルテトラフルオロプロピル、ポリメタクリル
酸トリクロロエチル、ポリトリフルオロエチル−α−ク
ロロアクリレート、側鎖にマレイン酸メチルを導入した
ポリメタクリル酸エステル、塩素化ポリメチルスルホ
ン、ノボラック樹脂−ベンゾキノンジアジド、トリクロ
ロエチルメタクリレート重合体、トリフルオロエチルク
ロロアクリレート重合体、ポリメタクリレート、エチル
アクリレート共重合体、スルホン共重合体のうち、少な
くともいずれか１つが含まれていることを特徴とする請
求項６記載の洗浄方法。 - 【請求項８】前記レジストは、ｏ−ナフトキノンジアジ
ド化合物、ビスアジド化合物、増感剤、α−ナフトキノ
ンジアジド化合物、４−アジドカルコンの少なくとも１
つが含まれていることを特徴とする請求項６または７に
記載の洗浄方法。 - 【請求項９】基体上にアルミニウム膜を形成する工程
と、 前記アルミニウム膜が露出しないように、レジスト、Ｓ
ｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2の少なくとも何れか一つからなる第２
の膜を形成する工程と、 前記第２の膜が形成された前記基体を、洗浄液を用いて
洗浄する工程とを有することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項１０】基体上にポリシリコン膜を形成する工程
と、 前記ポリシリコン膜を覆うように、レジスト、Ｓｉ
3Ｎ4、ＳｉＯ2の少なくとも何れか一つからなる第２の
膜を形成する工程と、 前記第２の膜が形成された前記基体を、洗浄液を用いて
洗浄する工程とを有することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項１１】基体上に、単結晶シリコンと同等または
単結晶シリコンよりも微粒子に付着されやすい材料から
なる第１の膜を形成する工程と、 前記第１の膜が露出しないように有機膜を形成する工程
と、 前記有機膜が形成された基体を、洗浄液を用いて洗浄す
る工程とを有することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項１２】前記第１の膜はアルミニウム膜またはポ
リシリコン膜であることを特徴とする請求項１１記載の
洗浄方法。 - 【請求項１３】前記有機膜は、極性基を有する膜である
ことを特徴とする請求項１１記載の洗浄方法。 - 【請求項１４】前記有機膜は水酸基、エステル結合、酸
アミド結合、エーテル結合の少なくとも何れか１つを有
していることを特徴とする請求項１１記載の洗浄方法。 - 【請求項１５】洗浄液中におけるゼータ電位の絶対値が
２５ｍＶ以上の膜が形成された基体を、 （Ａ）フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、有機酸の何れ
かを含む酸性溶液、または（Ｂ）前記酸性溶液と過酸化
水素水、フッ化アンモニウムとを含む酸性溶液、または
（Ｃ）アンモニア水、アミンのいずれか１種類以上を含
むアルカリ性溶液、または（Ｄ）それら１種類以上のア
ルカリ性溶液と過酸化水素水、フッ化アンモニウムを含
むアルカリ性溶液、または（Ｅ）前記（Ａ）あるいは
（Ｂ）と、前記（Ｃ）あるいは（Ｄ）との混合液、また
は前記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）の混合液、また
は（Ｆ）中性溶液である前記洗浄液に、浸漬させて洗浄
する工程とを有することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項１６】前記洗浄液は陽イオン界面活性剤、陰イ
オン界面活性剤、両性界面活性剤、有機溶剤が添加さて
いることを特徴とする請求項１５記載の洗浄方法。 - 【請求項１７】基体上に、単結晶シリコンと同等または
単結晶シリコンよりも微粒子が付着しやすい材料からな
る第１の膜を形成する工程と、 前記第１の膜を覆うように、洗浄液中の大半の微粒子と
静電気反発力を有する第２の膜を形成する工程と、 第２の膜が形成された前記基体を、ｐＨ１から４の前記
洗浄中で洗浄する工程とを有することを特徴とする洗浄
方法。 - 【請求項１８】洗浄液におけるゼータ電位の絶対値が２
５ｍＶ以上の膜が形成された基体を、ｐＨ１から４の洗
浄液を用いて洗浄することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項１９】基体が露出しないように、洗浄液中に存
在する大半の微粒子と静電気反発力を有する膜を形成し
て、前記基体を前記洗浄液に浸漬させて洗浄することを
特徴とする洗浄方法。 - 【請求項２０】基体上に、単結晶シリコンと同等または
単結晶シリコンよりも微粒子に付着されやすい材料から
なる第１の膜を形成する工程と、 前記第１の膜上に、前記微粒子と静電気反発力を有する
第２の膜を形成する工程と、 前記第２の膜上に、第３の膜を形成する工程と、 前記第３の膜上に、所望の形状を有するレジスト膜を形
成する工程と、 前記レジスト膜をマスクとし、前記第２の膜をストッパ
ーとして、前記第３の膜をドライエッチングする工程
と、 前記レジスト膜が形成された前記基体を洗浄液に浸漬さ
せる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２１】基体上に、溶液におけるゼータ電位の絶
対値が２５ｍＶ以上の第１の膜を形成する工程と、 前記第１の膜上に、前記溶液中に存在する大半の微粒子
と静電気反発力を有する第２の膜を形成する工程と、 前記第２の膜上に、第３の膜を形成する工程と、 前記第３の膜上に、所望の形状を有するレジスト膜を形
成する工程と、 前記レジスト膜をマスクとし、前記第２の膜をストッパ
ーとして、前記第３の膜をドライエッチングする工程
と、 前記レジスト膜が形成された前記基体を前記溶液に浸漬
する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２２】基体上に、単結晶シリコンと同等または
単結晶シリコンよりも微粒子に付着されやすい材料から
なる第１の膜を形成する工程と、 前記第１の膜上に、第２の膜を形成する工程と、 前記第２の膜上に、第３の膜とポリシリコン膜との積層
膜を形成する工程と、 前記積層膜上にレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜をマスクとし、前記第２の膜をストッパ
ーとして、前記積層膜をドライエッチングする工程と、 前記レジスト膜が形成された前記基体を、溶液に浸漬さ
せ、前記第３の膜をウエットエッチングする工程とを有
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23280596A JP3863229B2 (ja) | 1995-09-07 | 1996-09-03 | 洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22988795 | 1995-09-07 | ||
| JP7-229887 | 1995-09-07 | ||
| JP23280596A JP3863229B2 (ja) | 1995-09-07 | 1996-09-03 | 洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09134899A true JPH09134899A (ja) | 1997-05-20 |
| JP3863229B2 JP3863229B2 (ja) | 2006-12-27 |
Family
ID=26529048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23280596A Expired - Fee Related JP3863229B2 (ja) | 1995-09-07 | 1996-09-03 | 洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415261B1 (ko) * | 1998-03-26 | 2004-03-26 | 이기원 | 전자표시장치및기판용세정및식각조성물 |
| WO2008013148A1 (fr) * | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Sustainable Titania Technology Inc. | Procédé de protection d'un corps de base |
| US7427168B2 (en) | 2002-03-01 | 2008-09-23 | Tokyo Electron Limited | Developing method and developing unit |
| JP4689855B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2011-05-25 | イーケーシー テクノロジー，インコーポレイティド | 残渣剥離剤組成物およびその使用方法 |
| EP2365043A2 (en) | 2010-03-10 | 2011-09-14 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and polishing method using the same |
| JP2012074678A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-04-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法 |
| JP6053246B1 (ja) * | 2015-07-30 | 2016-12-27 | バンドー化学株式会社 | 電極の製造方法 |
| WO2017017911A1 (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | バンドー化学株式会社 | 電極の製造方法 |
-
1996
- 1996-09-03 JP JP23280596A patent/JP3863229B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| US9365802B2 (en) | 2010-08-31 | 2016-06-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Cleaning liquid for semiconductor device substrates and method of cleaning substrate for semiconductor devices |
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| WO2017017911A1 (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | バンドー化学株式会社 | 電極の製造方法 |
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