JPH09130004A - 過電流検出回路、およびこれを用いた過電流検出ｉｃ - Google Patents
過電流検出回路、およびこれを用いた過電流検出ｉｃInfo
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- JPH09130004A JPH09130004A JP7284929A JP28492995A JPH09130004A JP H09130004 A JPH09130004 A JP H09130004A JP 7284929 A JP7284929 A JP 7284929A JP 28492995 A JP28492995 A JP 28492995A JP H09130004 A JPH09130004 A JP H09130004A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 検出電流の公差を十分に低減することできる
とともに、大電流電装品における過電流を検出できる過
電流検出回路、およびこれを用いた過電流検出ＩＣを提
供すること。 【解決手段】 実装基板としてセラミック基板１０Ｆを
用いるとともに、セラミック基板１０Ｆ上に印刷・焼成
して形成した厚膜導体を過電流検出抵抗１０Ｃとして用
いる。
とともに、大電流電装品における過電流を検出できる過
電流検出回路、およびこれを用いた過電流検出ＩＣを提
供すること。 【解決手段】 実装基板としてセラミック基板１０Ｆを
用いるとともに、セラミック基板１０Ｆ上に印刷・焼成
して形成した厚膜導体を過電流検出抵抗１０Ｃとして用
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明の過電流検出回路、お
よびこれを用いた過電流検出ＩＣ（集積回路）は、電子
回路内に発生する過電流状態を検出するための過電流検
出回路、およびこれを用いた過電流検出ＩＣに関し、特
に、自動車等の車両に搭載されているテールランプ、エ
アコン、ワイパー、ウィンドウォッシャー等の電装品に
実装される電子回路内に発生する過電流状態を検出する
ための過電流検出回路、およびこれを用いた過電流検出
ＩＣに関する。
よびこれを用いた過電流検出ＩＣ（集積回路）は、電子
回路内に発生する過電流状態を検出するための過電流検
出回路、およびこれを用いた過電流検出ＩＣに関し、特
に、自動車等の車両に搭載されているテールランプ、エ
アコン、ワイパー、ウィンドウォッシャー等の電装品に
実装される電子回路内に発生する過電流状態を検出する
ための過電流検出回路、およびこれを用いた過電流検出
ＩＣに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の過電流検出回路１として
は、例えば、図４に示すようなものがある。過電流検出
回路１の主要部は、図４（ａ）に示すように、過電流状
態における検出電流１Ｅ（過電流に応じて生成される）
を検出するための過電流検出抵抗１Ｃ、過電流検出抵抗
１Ｃで検出された過電流信号を増幅するためのトランジ
スタ１Ａ、およびトランジスタ１Ａのベースに接続され
た抵抗１Ｂとから構成されていた。
は、例えば、図４に示すようなものがある。過電流検出
回路１の主要部は、図４（ａ）に示すように、過電流状
態における検出電流１Ｅ（過電流に応じて生成される）
を検出するための過電流検出抵抗１Ｃ、過電流検出抵抗
１Ｃで検出された過電流信号を増幅するためのトランジ
スタ１Ａ、およびトランジスタ１Ａのベースに接続され
た抵抗１Ｂとから構成されていた。
【０００３】過電流検出抵抗１Ｃは、図４（ｂ）に示す
ように、シャント抵抗と呼ばれるものであって、ニッケ
ル・クロムの合金材料から成る線材を、コの字形状に曲
げて形成したものであった。過電流検出抵抗１Ｃの抵抗
値の公差は±５％程度であり、過電流検出回路１の所定
の位置（則ち、抵抗１Ｂの一端とトランジスタ１Ａのエ
ミッタとの間）に挿入する形態で基板実装されていた。
ように、シャント抵抗と呼ばれるものであって、ニッケ
ル・クロムの合金材料から成る線材を、コの字形状に曲
げて形成したものであった。過電流検出抵抗１Ｃの抵抗
値の公差は±５％程度であり、過電流検出回路１の所定
の位置（則ち、抵抗１Ｂの一端とトランジスタ１Ａのエ
ミッタとの間）に挿入する形態で基板実装されていた。
【０００４】従来技術の過電流検出回路１においては、
過電流が流れた際に発生する検出電流１Ｅを過電流検出
抵抗１Ｃが検出し、検出された過電流信号によってトラ
ンジスタ１ＡがＯＮ状態となり、ＯＮ状態となったトラ
ンジスタ１Ａが過電流信号を増幅することによって、過
電流の検出が実行されていた。なお、トランジスタ１Ａ
に代えてオペアンプなどの集積回路を用いることも可能
である。
過電流が流れた際に発生する検出電流１Ｅを過電流検出
抵抗１Ｃが検出し、検出された過電流信号によってトラ
ンジスタ１ＡがＯＮ状態となり、ＯＮ状態となったトラ
ンジスタ１Ａが過電流信号を増幅することによって、過
電流の検出が実行されていた。なお、トランジスタ１Ａ
に代えてオペアンプなどの集積回路を用いることも可能
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の過電流検出回路１においては、過電流検出抵
抗１Ｃ（所謂、シャント抵抗）がニッケル・クロムの合
金材料から成る線材をコの字形状に曲げて形成したもの
であったため過電流検出抵抗１Ｃの抵抗値の公差が±５
％程度となってしまうため、検出電流１Ｅの公差を十分
に低減することが難しいという問題点があった。
うな従来の過電流検出回路１においては、過電流検出抵
抗１Ｃ（所謂、シャント抵抗）がニッケル・クロムの合
金材料から成る線材をコの字形状に曲げて形成したもの
であったため過電流検出抵抗１Ｃの抵抗値の公差が±５
％程度となってしまうため、検出電流１Ｅの公差を十分
に低減することが難しいという問題点があった。
【０００６】また、過電流検出抵抗１Ｃ（所謂、シャン
ト抵抗）が過電流検出回路１の所定の位置（則ち、抵抗
１Ｂの一端とトランジスタ１Ａのエミッタとの間）に挿
入する形態で基板実装されていたので、基板との間で接
触抵抗を生じてしまうという問題点があった。その結
果、検出電流１Ｅの公差を十分に低減することが難しい
という問題点があった。
ト抵抗）が過電流検出回路１の所定の位置（則ち、抵抗
１Ｂの一端とトランジスタ１Ａのエミッタとの間）に挿
入する形態で基板実装されていたので、基板との間で接
触抵抗を生じてしまうという問題点があった。その結
果、検出電流１Ｅの公差を十分に低減することが難しい
という問題点があった。
【０００７】さらに、過電流検出抵抗１Ｃ（所謂、シャ
ント抵抗）が過電流検出回路１の所定の位置（則ち、抵
抗１Ｂの一端とトランジスタ１Ａのエミッタとの間）に
挿入する形態で基板実装されていたので、基板との間で
熱抵抗を生じてしまうという問題点があった。その結
果、検出電流１Ｅに起因して発生するジュール熱が挿入
箇所付近に集中してしまい、大電流電装品向けの過電流
検出回路を作成することが難しいという問題点があっ
た。
ント抵抗）が過電流検出回路１の所定の位置（則ち、抵
抗１Ｂの一端とトランジスタ１Ａのエミッタとの間）に
挿入する形態で基板実装されていたので、基板との間で
熱抵抗を生じてしまうという問題点があった。その結
果、検出電流１Ｅに起因して発生するジュール熱が挿入
箇所付近に集中してしまい、大電流電装品向けの過電流
検出回路を作成することが難しいという問題点があっ
た。
【０００８】本発明は、このような従来の問題点に着目
してなされたもので、実装基板としてセラミック基板を
用いるとともに、セラミック基板上に印刷・焼成して形
成した厚膜導体を過電流検出抵抗として用いることによ
って、過電流検出抵抗の抵抗値の公差を±１％程度に低
減でき、過電流検出抵抗と実装基板との間で接触抵抗低
減でき、その結果、検出電流の公差を十分に低減するこ
とができる過電流検出回路、およびこれを用いた過電流
検出ＩＣを提供することを目的としている。
してなされたもので、実装基板としてセラミック基板を
用いるとともに、セラミック基板上に印刷・焼成して形
成した厚膜導体を過電流検出抵抗として用いることによ
って、過電流検出抵抗の抵抗値の公差を±１％程度に低
減でき、過電流検出抵抗と実装基板との間で接触抵抗低
減でき、その結果、検出電流の公差を十分に低減するこ
とができる過電流検出回路、およびこれを用いた過電流
検出ＩＣを提供することを目的としている。
【０００９】さらに、セラミック基板上に印刷・焼成し
て形成した厚膜導体を過電流検出抵抗として用いること
により、基板との間で熱抵抗を低減することができ、検
出電流に起因して発生するジュール熱を挿入箇所付近に
速やかに拡散することができ、その結果、大電流電装品
における過電流を検出できる過電流検出回路、およびこ
れを用いた過電流検出ＩＣを提供することを目的として
いる。
て形成した厚膜導体を過電流検出抵抗として用いること
により、基板との間で熱抵抗を低減することができ、検
出電流に起因して発生するジュール熱を挿入箇所付近に
速やかに拡散することができ、その結果、大電流電装品
における過電流を検出できる過電流検出回路、およびこ
れを用いた過電流検出ＩＣを提供することを目的として
いる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めの要旨とするところは、以下の各項に存する。 ［１］項 電子回路内に発生する過電流状態に応じて生成される検
出電流（１０Ｅ）を検出するための過電流検出抵抗（１
０Ｃ）を備えて成る過電流検出回路（１０）であって、
印刷および焼成して形成した厚膜導体を過電流検出抵抗
（１０Ｃ）として用いる、ことを特徴とする過電流検出
回路（１０）。
めの要旨とするところは、以下の各項に存する。 ［１］項 電子回路内に発生する過電流状態に応じて生成される検
出電流（１０Ｅ）を検出するための過電流検出抵抗（１
０Ｃ）を備えて成る過電流検出回路（１０）であって、
印刷および焼成して形成した厚膜導体を過電流検出抵抗
（１０Ｃ）として用いる、ことを特徴とする過電流検出
回路（１０）。
【００１１】［２］項 前記厚膜導体の材料としてＡｇとＰｄとの合金材料を用
いる、ことを特徴とする［１］項に記載の過電流検出回
路（１０）。 ［３］項 ［２］項に記載の厚膜導体を用いることによって、過電
流検出抵抗（１０Ｃ）の公差を±１％以内とする、こと
を特徴とする過電流検出回路（１０）。
いる、ことを特徴とする［１］項に記載の過電流検出回
路（１０）。 ［３］項 ［２］項に記載の厚膜導体を用いることによって、過電
流検出抵抗（１０Ｃ）の公差を±１％以内とする、こと
を特徴とする過電流検出回路（１０）。
【００１２】［４］項 前記過電流検出抵抗（１０Ｃ）で検出された過電流信号
を増幅するためのトランジスタ（１０Ａ）とを備えて成
る、ことを特徴とする［１］項〜［３］項に記載の過電
流検出回路（１０）。
を増幅するためのトランジスタ（１０Ａ）とを備えて成
る、ことを特徴とする［１］項〜［３］項に記載の過電
流検出回路（１０）。
【００１３】［５］項 ［１］項〜［４］項に記載の過電流検出回路（１０）を
用いた過電流検出ＩＣ（２０）であって、前記過電流検
出抵抗（１０Ｃ）または前記トランジスタ（１０Ａ）の
少なくとも一方がセラミック基板（１０Ｆ）上に作成さ
れている、ことを特徴とする過電流検出ＩＣ（２０）。
用いた過電流検出ＩＣ（２０）であって、前記過電流検
出抵抗（１０Ｃ）または前記トランジスタ（１０Ａ）の
少なくとも一方がセラミック基板（１０Ｆ）上に作成さ
れている、ことを特徴とする過電流検出ＩＣ（２０）。
【００１４】［６］項 ［１］項〜［４］項に記載の過電流検出回路（１０）を
用いた過電流検出ＩＣ（２０）であって、前記過電流検
出抵抗（１０Ｃ）および前記トランジスタ（１０Ａ）が
共通のセラミック基板（１０Ｆ）上に作成されている、
ことを特徴とする過電流検出ＩＣ（２０）。
用いた過電流検出ＩＣ（２０）であって、前記過電流検
出抵抗（１０Ｃ）および前記トランジスタ（１０Ａ）が
共通のセラミック基板（１０Ｆ）上に作成されている、
ことを特徴とする過電流検出ＩＣ（２０）。
【００１５】［７］項 前記過電流検出抵抗（１０Ｃ）または前記トランジスタ
（１０Ａ）における配線（１０Ｇ）として前記厚膜導体
を用いる、ことを特徴とする［６］項、または［７］項
に記載の過電流検出ＩＣ（２０）。
（１０Ａ）における配線（１０Ｇ）として前記厚膜導体
を用いる、ことを特徴とする［６］項、または［７］項
に記載の過電流検出ＩＣ（２０）。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
の形態を説明する。図１は本発明の実施の形態にかかる
過電流検出回路（１０）の構成図である。図２は本発明
の実施の形態にかかる過電流検出回路（１０）を用いた
過電流検出ＩＣ（２０）の構成図である。
の形態を説明する。図１は本発明の実施の形態にかかる
過電流検出回路（１０）の構成図である。図２は本発明
の実施の形態にかかる過電流検出回路（１０）を用いた
過電流検出ＩＣ（２０）の構成図である。
【００１７】始めに、発明の実施の形態の過電流検出回
路（１０）の構成を説明する。本発明の実施の形態にか
かる過電流検出回路（１０）、およびこれを用いた過電
流検出ＩＣ（集積回路の略）（２０）は、電子回路内に
発生する過電流状態を検出するためのものであって、特
に、自動車等の車両に搭載されているテールランプ、エ
アコン、ワイパー、ウィンドウォッシャー等の電装品に
実装される電子回路内に発生する過電流状態を検出する
ためのものである。
路（１０）の構成を説明する。本発明の実施の形態にか
かる過電流検出回路（１０）、およびこれを用いた過電
流検出ＩＣ（集積回路の略）（２０）は、電子回路内に
発生する過電流状態を検出するためのものであって、特
に、自動車等の車両に搭載されているテールランプ、エ
アコン、ワイパー、ウィンドウォッシャー等の電装品に
実装される電子回路内に発生する過電流状態を検出する
ためのものである。
【００１８】本発明の実施の形態にかかる過電流検出回
路（１０）は、過電流検出抵抗（１０Ｃ）とトランジス
タ（１０Ａ）とを備えて成る。過電流検出抵抗（１０
Ｃ）とは、抵抗素子を意味し、具体的には、厚膜技術を
用いて作成可能な厚膜抵抗体を用いて形成することがで
きる。なお、厚膜技術とは、ハイブリッドデバイスを形
成するための膜形成技術の一つであって、コストが安
く、設計の自由度が高いという利点を持つ。
路（１０）は、過電流検出抵抗（１０Ｃ）とトランジス
タ（１０Ａ）とを備えて成る。過電流検出抵抗（１０
Ｃ）とは、抵抗素子を意味し、具体的には、厚膜技術を
用いて作成可能な厚膜抵抗体を用いて形成することがで
きる。なお、厚膜技術とは、ハイブリッドデバイスを形
成するための膜形成技術の一つであって、コストが安
く、設計の自由度が高いという利点を持つ。
【００１９】トランジスタ（１０Ａ）とは、バイポーラ
トランジスタ素子を意味し、具体的には、ＰＮＰ型のト
ランジスタを用いている。なお、ＰＮＰ型のトランジス
タに代えてＮＰＮトランジスタを用いて過電流検出回路
（１０）を設計できることは周知技術である。またバイ
ポーラトランジスタに代えて、ＦＥＴやサイリスタを用
いて過電流検出回路（１０）を設計できることは周知技
術である。
トランジスタ素子を意味し、具体的には、ＰＮＰ型のト
ランジスタを用いている。なお、ＰＮＰ型のトランジス
タに代えてＮＰＮトランジスタを用いて過電流検出回路
（１０）を設計できることは周知技術である。またバイ
ポーラトランジスタに代えて、ＦＥＴやサイリスタを用
いて過電流検出回路（１０）を設計できることは周知技
術である。
【００２０】またトランジスタ（１０Ａ）は過電流検出
抵抗（１０Ｃ）で検出された過電流信号を増幅するため
の電子素子であって、図１に示すように、そのベースに
は、流入するエミッタ電流を制限するための抵抗（１０
Ｂ）の一端が接続されている。
抵抗（１０Ｃ）で検出された過電流信号を増幅するため
の電子素子であって、図１に示すように、そのベースに
は、流入するエミッタ電流を制限するための抵抗（１０
Ｂ）の一端が接続されている。
【００２１】さらにトランジスタ（１０Ａ）のコレクタ
は端子（１０Ｄ−３）に接続されている。過電流検出抵
抗（１０Ｃ）は電子回路内に発生する過電流状態に応じ
て生成される検出電流（１０Ｅ）を検出するための電子
素子であって、その一端とトランジスタ（１０Ａ）のエ
ミッタとは端子（１０Ｄ−１）に接続されている。
は端子（１０Ｄ−３）に接続されている。過電流検出抵
抗（１０Ｃ）は電子回路内に発生する過電流状態に応じ
て生成される検出電流（１０Ｅ）を検出するための電子
素子であって、その一端とトランジスタ（１０Ａ）のエ
ミッタとは端子（１０Ｄ−１）に接続されている。
【００２２】また、過電流検出抵抗（１０Ｃ）の他端と
抵抗（１０Ｂ）の他端とは端子（１０Ｄ−２）に接続さ
れている。次に、発明の実施の形態の過電流検出ＩＣ
（２０）の構成を説明する。本発明の実施の形態にかか
る過電流検出ＩＣ（２０）は、図２に示すように、共通
のセラミック基板（１０Ｆ）上に作成された過電流検出
回路（１０）、外部との電気的な接続をするためのリー
ドフレーム（１０Ｈ）とを備えて成る。
抵抗（１０Ｂ）の他端とは端子（１０Ｄ−２）に接続さ
れている。次に、発明の実施の形態の過電流検出ＩＣ
（２０）の構成を説明する。本発明の実施の形態にかか
る過電流検出ＩＣ（２０）は、図２に示すように、共通
のセラミック基板（１０Ｆ）上に作成された過電流検出
回路（１０）、外部との電気的な接続をするためのリー
ドフレーム（１０Ｈ）とを備えて成る。
【００２３】セラミック基板（１０Ｆ）とは、無機系基
板を意味し、具体的には、高放熱性を有するアルミナ材
料を用いて形成することができる。なお、アルミナ材料
に代えて、窒化シリコン（ＳｉＣ）、窒化アルミ（Ａｌ
Ｎ）、アルミナグリーンシート材料、ガラスセラミック
材料等の高放熱性材料を用いることは周知技術である。
板を意味し、具体的には、高放熱性を有するアルミナ材
料を用いて形成することができる。なお、アルミナ材料
に代えて、窒化シリコン（ＳｉＣ）、窒化アルミ（Ａｌ
Ｎ）、アルミナグリーンシート材料、ガラスセラミック
材料等の高放熱性材料を用いることは周知技術である。
【００２４】セラミック基板（１０Ｆ）上に印刷・焼成
して形成した厚膜導体を過電流検出抵抗（１０Ｃ）とし
て用いることにより、基板との間で熱抵抗を低減するこ
とができる。さらに、実装基板としてセラミック基板
（１０Ｆ）を用いることにより、検出電流（１０Ｅ）に
起因して発生するジュール熱を挿入箇所付近に速やかに
拡散することができ（則ち、蓄熱現象を回避することが
でき）、その結果、大電流電装品向けの過電流検出回路
（１０）を作成することが容易となる。
して形成した厚膜導体を過電流検出抵抗（１０Ｃ）とし
て用いることにより、基板との間で熱抵抗を低減するこ
とができる。さらに、実装基板としてセラミック基板
（１０Ｆ）を用いることにより、検出電流（１０Ｅ）に
起因して発生するジュール熱を挿入箇所付近に速やかに
拡散することができ（則ち、蓄熱現象を回避することが
でき）、その結果、大電流電装品向けの過電流検出回路
（１０）を作成することが容易となる。
【００２５】過電流検出回路（１０）を構成する、トラ
ンジスタ（１０Ａ）、抵抗（１０Ｂ）、および過電流検
出抵抗（１０Ｃ）を電気的に接続するための配線（１０
Ｇ）は、同一の厚膜導体を印刷（具体的には、スクリー
ン印刷）および焼成して、共通のセラミック基板（１０
Ｆ）上に形成されている。
ンジスタ（１０Ａ）、抵抗（１０Ｂ）、および過電流検
出抵抗（１０Ｃ）を電気的に接続するための配線（１０
Ｇ）は、同一の厚膜導体を印刷（具体的には、スクリー
ン印刷）および焼成して、共通のセラミック基板（１０
Ｆ）上に形成されている。
【００２６】厚膜導体を過電流検出抵抗（１０Ｃ）とし
て用いることにより、過電流検出抵抗（１０Ｃ）の抵抗
値の公差を±１％程度に低減でき、過電流検出抵抗（１
０Ｃ）と実装基板との間で接触抵抗低減でき、その結
果、検出電流（１０Ｅ）の公差を十分に低減することが
できる。
て用いることにより、過電流検出抵抗（１０Ｃ）の抵抗
値の公差を±１％程度に低減でき、過電流検出抵抗（１
０Ｃ）と実装基板との間で接触抵抗低減でき、その結
果、検出電流（１０Ｅ）の公差を十分に低減することが
できる。
【００２７】配線（１０Ｇ）に用いられる厚膜導体とし
ては、ＡｇとＰｄとの合金材料を用いている。なお、低
抵抗率の厚膜導体を実現するためにはＡｇ（銀）とＰｄ
（パラジウム）との合金材料を含有した導伝ペーストが
最適であるが、この他に、Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ（白
金），Ａｕ（金）−Ｐｄ，Ａｕ，Ａｕ−Ｐｔ等の貴金属
系の他、Ｃｕ（銅），Ｎｉ（ニッケル），Ｗ（タングス
テン）等の金属を含有した導伝ペーストを用いることも
可能である。
ては、ＡｇとＰｄとの合金材料を用いている。なお、低
抵抗率の厚膜導体を実現するためにはＡｇ（銀）とＰｄ
（パラジウム）との合金材料を含有した導伝ペーストが
最適であるが、この他に、Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ（白
金），Ａｕ（金）−Ｐｄ，Ａｕ，Ａｕ−Ｐｔ等の貴金属
系の他、Ｃｕ（銅），Ｎｉ（ニッケル），Ｗ（タングス
テン）等の金属を含有した導伝ペーストを用いることも
可能である。
【００２８】配線（１０Ｇ）は、具体的には、ＡｇとＰ
ｄとの合金材料の導体ペーストをスクリーン印刷法を用
いて共通のセラミック基板（１０Ｆ）上にパターンニン
グした後、約８５０℃で焼成して形成される。各リード
フレーム（１０Ｈ）は、端子（１０Ｄ−１）、端子（１
０Ｄ−２）、端子（１０Ｄ−３）と配線（１０Ｇ）を介
して、共通のセラミック基板（１０Ｆ）上で各々接続さ
れている。
ｄとの合金材料の導体ペーストをスクリーン印刷法を用
いて共通のセラミック基板（１０Ｆ）上にパターンニン
グした後、約８５０℃で焼成して形成される。各リード
フレーム（１０Ｈ）は、端子（１０Ｄ−１）、端子（１
０Ｄ−２）、端子（１０Ｄ−３）と配線（１０Ｇ）を介
して、共通のセラミック基板（１０Ｆ）上で各々接続さ
れている。
【００２９】過電流検出抵抗（１０Ｃ）の材料として
は、前述したように、ＡｇとＰｄとの合金材料の導体ペ
ーストをスクリーン印刷法を用いて共通のセラミック基
板（１０Ｆ）上にパターンニングした後、約８５０℃で
焼成して形成される。この様にして作成された過電流検
出抵抗（１０Ｃ）の抵抗値は、１ｃｍ×１ｃｍの面積に
対して約５０ｍΩである。
は、前述したように、ＡｇとＰｄとの合金材料の導体ペ
ーストをスクリーン印刷法を用いて共通のセラミック基
板（１０Ｆ）上にパターンニングした後、約８５０℃で
焼成して形成される。この様にして作成された過電流検
出抵抗（１０Ｃ）の抵抗値は、１ｃｍ×１ｃｍの面積に
対して約５０ｍΩである。
【００３０】本発明の実施の形態の過電流検出抵抗（１
０Ｃ）は、具体的には、０．７Ωに設定されている。ま
た公差は±１％以内としている。抵抗（１０Ｂ）は、酸
化ルテニウム（ＲｕＯ２）を主材とする導体ペーストを
スクリーン印刷法を用いて共通のセラミック基板（１０
Ｆ）上にパターンニングした後、約８５０℃で焼成して
形成される。
０Ｃ）は、具体的には、０．７Ωに設定されている。ま
た公差は±１％以内としている。抵抗（１０Ｂ）は、酸
化ルテニウム（ＲｕＯ２）を主材とする導体ペーストを
スクリーン印刷法を用いて共通のセラミック基板（１０
Ｆ）上にパターンニングした後、約８５０℃で焼成して
形成される。
【００３１】次に、発明の実施の形態の作用を説明す
る。始めに、発明の実施の形態の過電流検出回路（１
０）の動作を説明する。本発明の実施の形態にかかる過
電流検出回路（１０）、およびこれを用いた過電流検出
ＩＣ（集積回路の略）（２０）は、電子回路内に発生す
る過電流状態を検出するためのものであって、特に、自
動車等の車両に搭載されているテールランプ、エアコ
ン、ワイパー、ウィンドウォッシャー等の電装品に実装
される電子回路内に発生する過電流状態を検出すること
ができる。
る。始めに、発明の実施の形態の過電流検出回路（１
０）の動作を説明する。本発明の実施の形態にかかる過
電流検出回路（１０）、およびこれを用いた過電流検出
ＩＣ（集積回路の略）（２０）は、電子回路内に発生す
る過電流状態を検出するためのものであって、特に、自
動車等の車両に搭載されているテールランプ、エアコ
ン、ワイパー、ウィンドウォッシャー等の電装品に実装
される電子回路内に発生する過電流状態を検出すること
ができる。
【００３２】更に詳しく、発明の実施の形態の過電流検
出回路（１０）の動作を説明する。過電流検出抵抗（１
０Ｃ）は、電子回路内に発生する過電流状態に応じて生
成される検出電流（１０Ｅ）を検出することができる。
検出された検出電流（１０Ｅ）に応じて、過電流検出抵
抗（１０Ｃ）に電位が発生する。この電位によってトラ
ンジスタ（１０Ａ）をＯＮ状態にすることができる。
出回路（１０）の動作を説明する。過電流検出抵抗（１
０Ｃ）は、電子回路内に発生する過電流状態に応じて生
成される検出電流（１０Ｅ）を検出することができる。
検出された検出電流（１０Ｅ）に応じて、過電流検出抵
抗（１０Ｃ）に電位が発生する。この電位によってトラ
ンジスタ（１０Ａ）をＯＮ状態にすることができる。
【００３３】本発明の実施の形態にかかる過電流検出回
路（１０）に実装されたトランジスタ（１０Ａ）は、過
電流検出抵抗（１０Ｃ）で検出された過電流信号を増幅
することができる。抵抗（１０Ｂ）は、トランジスタ
（１０Ａ）のエミッタに流入する電流を制限することが
できる。具体的には、エミッタ電流は数ｍＡ程度に制限
されている。
路（１０）に実装されたトランジスタ（１０Ａ）は、過
電流検出抵抗（１０Ｃ）で検出された過電流信号を増幅
することができる。抵抗（１０Ｂ）は、トランジスタ
（１０Ａ）のエミッタに流入する電流を制限することが
できる。具体的には、エミッタ電流は数ｍＡ程度に制限
されている。
【００３４】次に、発明の実施の形態の過電流検出ＩＣ
（２０）の動作を説明する。過電流が発生すると、前述
したように、トランジスタ（１０Ａ）がＯＮ状態とな
る。トランジスタ（１０Ａ）がＯＮ状態となると、過電
流の一部はエミッタ電流（具体的には、エミッタ電流は
数ｍＡ程度に制限されている）としてトランジスタ（１
０Ａ）のエミッタに流入する。
（２０）の動作を説明する。過電流が発生すると、前述
したように、トランジスタ（１０Ａ）がＯＮ状態とな
る。トランジスタ（１０Ａ）がＯＮ状態となると、過電
流の一部はエミッタ電流（具体的には、エミッタ電流は
数ｍＡ程度に制限されている）としてトランジスタ（１
０Ａ）のエミッタに流入する。
【００３５】トランジスタ（１０Ａ）のエミッタに流入
したエミッタ電流はほぼそのままコレクタ電流として、
トランジスタ（１０Ａ）のコレクタより流出する。トラ
ンジスタ（１０Ａ）のコレクタより流出したコレクタ電
流は、抵抗（２０Ｃ）の電位の上昇を促す。この上昇電
位によって、トランジスタ（２０Ａ）のベース−エミッ
タ間電位が減少することによって、負荷であるランプ
（２０Ｂ）への過電流の流入を防ぐことができる。
したエミッタ電流はほぼそのままコレクタ電流として、
トランジスタ（１０Ａ）のコレクタより流出する。トラ
ンジスタ（１０Ａ）のコレクタより流出したコレクタ電
流は、抵抗（２０Ｃ）の電位の上昇を促す。この上昇電
位によって、トランジスタ（２０Ａ）のベース−エミッ
タ間電位が減少することによって、負荷であるランプ
（２０Ｂ）への過電流の流入を防ぐことができる。
【００３６】以上説明したように本発明の実施の形態に
かかる過電流検出回路（１０）、およびこれを用いた過
電流検出ＩＣ（２０）によれば、過電流検出抵抗（１０
Ｃ）および配線（１０Ｇ）を厚膜技術を用いてハイブリ
ッド化することによって、自動車等の車両に搭載されて
いるテールランプ、エアコン、ワイパー、ウィンドウォ
ッシャー等の電装品に実装される電子回路内に発生する
過電流状態を十分に小さい公差の下に検出することがで
きる。
かかる過電流検出回路（１０）、およびこれを用いた過
電流検出ＩＣ（２０）によれば、過電流検出抵抗（１０
Ｃ）および配線（１０Ｇ）を厚膜技術を用いてハイブリ
ッド化することによって、自動車等の車両に搭載されて
いるテールランプ、エアコン、ワイパー、ウィンドウォ
ッシャー等の電装品に実装される電子回路内に発生する
過電流状態を十分に小さい公差の下に検出することがで
きる。
【００３７】さらに、過電流検出抵抗（１０Ｃ）および
配線（１０Ｇ）を、高放熱性を有するセラミック基板
（１０Ｆ）上に、厚膜技術を用いてハイブリッド化する
ことによって、自動車等の車両に搭載されているテール
ランプ、エアコン、ワイパー、ウィンドウォッシャー等
の電装品に実装される電子回路内に発生する、従来に比
べて大きな過電流状態を十分に小さい公差の下に検出す
ることができる。
配線（１０Ｇ）を、高放熱性を有するセラミック基板
（１０Ｆ）上に、厚膜技術を用いてハイブリッド化する
ことによって、自動車等の車両に搭載されているテール
ランプ、エアコン、ワイパー、ウィンドウォッシャー等
の電装品に実装される電子回路内に発生する、従来に比
べて大きな過電流状態を十分に小さい公差の下に検出す
ることができる。
【００３８】
【実施例】図３は本発明の一実施例にかかる過電流検出
ＩＣ２０の応用例を示す回路図である。負荷の一実施例
としてランプ２０Ｂを用いて、過電流検出ＩＣ２０にお
ける過電流検出動作を説明する。
ＩＣ２０の応用例を示す回路図である。負荷の一実施例
としてランプ２０Ｂを用いて、過電流検出ＩＣ２０にお
ける過電流検出動作を説明する。
【００３９】始めに、構成を説明する。端子１０Ｄ−２
には、ランプ２０Ｂに過電流が流れないようにするため
のトランジスタ２０Ａが接続されている。トランジスタ
２０Ａのベースには、この過電流を検出するための抵抗
２０Ｃが接続されている。
には、ランプ２０Ｂに過電流が流れないようにするため
のトランジスタ２０Ａが接続されている。トランジスタ
２０Ａのベースには、この過電流を検出するための抵抗
２０Ｃが接続されている。
【００４０】トランジスタ２０Ａとは、バイポーラトラ
ンジスタ素子を意味し、具体的には、ＰＮＰ型のトラン
ジスタを用いている。なお、ＰＮＰ型のトランジスタに
代えてＮＰＮトランジスタを用いて過電流検出ＩＣ２０
の応用例を設計できることは周知技術である。またバイ
ポーラトランジスタに代えて、ＦＥＴやサイリスタを用
いて過電流検出ＩＣ２０の応用例を設計できることは周
知技術である。
ンジスタ素子を意味し、具体的には、ＰＮＰ型のトラン
ジスタを用いている。なお、ＰＮＰ型のトランジスタに
代えてＮＰＮトランジスタを用いて過電流検出ＩＣ２０
の応用例を設計できることは周知技術である。またバイ
ポーラトランジスタに代えて、ＦＥＴやサイリスタを用
いて過電流検出ＩＣ２０の応用例を設計できることは周
知技術である。
【００４１】次に動作を説明する。過電流に応じて検出
電流１０Ｅが過電流検出ＩＣ２０の過電流検出抵抗１０
Ｃによって検出されると、トランジスタ１０Ａのエミッ
タ−ベース間に電位が発生してトランジスタ１０ＡはＯ
Ｎ状態となる。
電流１０Ｅが過電流検出ＩＣ２０の過電流検出抵抗１０
Ｃによって検出されると、トランジスタ１０Ａのエミッ
タ−ベース間に電位が発生してトランジスタ１０ＡはＯ
Ｎ状態となる。
【００４２】トランジスタ１０Ａのベースにはエミッタ
に流入するエミッタ電流を制限する抵抗１０Ｂが接続さ
れているため、数ｍＡ程度のエミッタ電流しか流れな
い。則ち、過電流の大部分はトランジスタ２０Ａのエミ
ッタに流入する。また、トランジスタ１０Ａから流出し
たコレクタ電流エミッタ電流とほぼ同程度、つまり数ｍ
Ａは、抵抗２０Ｃに流入する。
に流入するエミッタ電流を制限する抵抗１０Ｂが接続さ
れているため、数ｍＡ程度のエミッタ電流しか流れな
い。則ち、過電流の大部分はトランジスタ２０Ａのエミ
ッタに流入する。また、トランジスタ１０Ａから流出し
たコレクタ電流エミッタ電流とほぼ同程度、つまり数ｍ
Ａは、抵抗２０Ｃに流入する。
【００４３】抵抗２０Ｃにトランジスタ１０Ａからのコ
レクタ電流が流入すると、抵抗２０Ｃに電位が発生し、
トランジスタ２０Ａのベース電位を上昇させる。これに
より、トランジスタ２０Ａのベース−エミッタ間の電位
が下降してトランジスタ２０Ａにに流入する過電流が制
限される。
レクタ電流が流入すると、抵抗２０Ｃに電位が発生し、
トランジスタ２０Ａのベース電位を上昇させる。これに
より、トランジスタ２０Ａのベース−エミッタ間の電位
が下降してトランジスタ２０Ａにに流入する過電流が制
限される。
【００４４】トランジスタ２０Ａに流入する過電流が制
限されることにより、負荷であるランプ２０Ｂに過電流
が流入することを防ぐことが可能となる。以上説明した
ように本発明の実施例にかかる過電流検出回路１０、お
よびこれを用いた過電流検出ＩＣ２０によれば、過電流
検出抵抗１０Ｃおよび配線１０Ｇを厚膜技術を用いてハ
イブリッド化することによって、自動車等の車両に搭載
されているテールランプ、エアコン、ワイパー、ウィン
ドウォッシャー等の電装品に実装される電子回路内に発
生する過電流状態を十分に小さい公差の下に検出するこ
とができる。
限されることにより、負荷であるランプ２０Ｂに過電流
が流入することを防ぐことが可能となる。以上説明した
ように本発明の実施例にかかる過電流検出回路１０、お
よびこれを用いた過電流検出ＩＣ２０によれば、過電流
検出抵抗１０Ｃおよび配線１０Ｇを厚膜技術を用いてハ
イブリッド化することによって、自動車等の車両に搭載
されているテールランプ、エアコン、ワイパー、ウィン
ドウォッシャー等の電装品に実装される電子回路内に発
生する過電流状態を十分に小さい公差の下に検出するこ
とができる。
【００４５】さらに、過電流検出抵抗１０Ｃおよび配線
１０Ｇを、高放熱性を有するセラミック基板（１０Ｆ）
上に、厚膜技術を用いてハイブリッド化することによっ
て、自動車等の車両に搭載されているテールランプ、エ
アコン、ワイパー、ウィンドウォッシャー等の電装品に
実装される電子回路内に発生する、従来に比べて大きな
過電流状態を十分に小さい公差の下に検出することがで
きる。
１０Ｇを、高放熱性を有するセラミック基板（１０Ｆ）
上に、厚膜技術を用いてハイブリッド化することによっ
て、自動車等の車両に搭載されているテールランプ、エ
アコン、ワイパー、ウィンドウォッシャー等の電装品に
実装される電子回路内に発生する、従来に比べて大きな
過電流状態を十分に小さい公差の下に検出することがで
きる。
【００４６】
【発明の効果】本発明にかかる過電流検出回路、および
これを用いた過電流検出ＩＣによれば、厚膜導体を過電
流検出抵抗として用いることにより、過電流検出抵抗の
抵抗値の公差を±１％程度に低減でき、過電流検出抵抗
と実装基板との間で接触抵抗低減でき、その結果、検出
電流の公差を十分に低減することができる。
これを用いた過電流検出ＩＣによれば、厚膜導体を過電
流検出抵抗として用いることにより、過電流検出抵抗の
抵抗値の公差を±１％程度に低減でき、過電流検出抵抗
と実装基板との間で接触抵抗低減でき、その結果、検出
電流の公差を十分に低減することができる。
【００４７】さらに、セラミック基板上に印刷・焼成し
て形成した厚膜導体を過電流検出抵抗として用いること
により、基板との間で熱抵抗を低減することができる。
さらに、実装基板としてセラミック基板を用いることに
より、検出電流に起因して発生するジュール熱を挿入箇
所付近に速やかに拡散することができ（則ち、蓄熱現象
を回避することができ）、その結果、大電流電装品向け
の過電流検出回路を作成することが容易となる。
て形成した厚膜導体を過電流検出抵抗として用いること
により、基板との間で熱抵抗を低減することができる。
さらに、実装基板としてセラミック基板を用いることに
より、検出電流に起因して発生するジュール熱を挿入箇
所付近に速やかに拡散することができ（則ち、蓄熱現象
を回避することができ）、その結果、大電流電装品向け
の過電流検出回路を作成することが容易となる。
【図１】本発明の実施の形態にかかる過電流検出回路の
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる過電流検出回路を
用いた過電流検出ＩＣの構成図である。
用いた過電流検出ＩＣの構成図である。
【図３】本発明の一実施例にかかる過電流検出ＩＣの応
用例を示す回路図である。
用例を示す回路図である。
【図４】従来の過電流検出回路を示す回路図である。
１０ 過電流検出回路 １０Ａ トランジスタ １０Ｂ 抵抗 １０Ｃ 過電流検出抵抗 １０Ｄ−１ 端子 １０Ｄ−２ 端子 １０Ｄ−３ 端子 １０Ｅ 検出電流 １０Ｆ セラミック基板 １０Ｇ 配線 ２０ 過電流検出ＩＣ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年８月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】本発明の実施の形態の過電流検出抵抗（１
０Ｃ）は、具体的には、０．７Ωに設定されている。ま
た公差は±１％以内としている。抵抗（１０Ｂ）は、酸
化ルテニウム（ＲｕＯ２）を主材とする抵抗体ペースト
をスクリーン印刷法を用いて共通のセラミック基板（１
０Ｆ）上にパターンニングした後、約８５０℃で焼成し
て形成される。
０Ｃ）は、具体的には、０．７Ωに設定されている。ま
た公差は±１％以内としている。抵抗（１０Ｂ）は、酸
化ルテニウム（ＲｕＯ２）を主材とする抵抗体ペースト
をスクリーン印刷法を用いて共通のセラミック基板（１
０Ｆ）上にパターンニングした後、約８５０℃で焼成し
て形成される。
Claims (7)
- 【請求項１】電子回路内に発生する過電流状態に応じて
生成される検出電流を検出するための過電流検出抵抗を
備えて成る過電流検出回路であって、 印刷および焼成して形成した厚膜導体を過電流検出抵抗
として用いる、 ことを特徴とする過電流検出回路。 - 【請求項２】前記厚膜導体の材料としてＡｇとＰｄとの
合金材料を用いる、 ことを特徴とする請求項１に記載の過電流検出回路。 - 【請求項３】請求項２に記載の厚膜導体を用いることに
よって、過電流検出抵抗の公差を±１％以内とする、 ことを特徴とする過電流検出回路。 - 【請求項４】前記過電流検出抵抗で検出された過電流信
号を増幅するためのトランジスタとを備えて成る、 ことを特徴とする請求項１〜３に記載の過電流検出回
路。 - 【請求項５】請求項１〜４に記載の過電流検出回路を用
いた過電流検出ＩＣであって、 前記過電流検出抵抗または前記トランジスタの少なくと
も一方がセラミック基板上に作成されている、 ことを特徴とする過電流検出ＩＣ。 - 【請求項６】請求項１〜４に記載の過電流検出回路を用
いた過電流検出ＩＣであって、 前記過電流検出抵抗および前記トランジスタが共通のセ
ラミック基板上に作成されている、 ことを特徴とする過電流検出ＩＣ。 - 【請求項７】前記過電流検出抵抗または前記トランジス
タにおける配線として前記厚膜導体を用いる、 ことを特徴とする請求項６、または７に記載の過電流検
出ＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7284929A JPH09130004A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 過電流検出回路、およびこれを用いた過電流検出ｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7284929A JPH09130004A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 過電流検出回路、およびこれを用いた過電流検出ｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09130004A true JPH09130004A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17684893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7284929A Withdrawn JPH09130004A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 過電流検出回路、およびこれを用いた過電流検出ｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09130004A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003048790A1 (en) * | 2001-12-03 | 2003-06-12 | Sanken Electric Co., Ltd. | Current detecting circuit and actuator driving apparatus |
-
1995
- 1995-11-01 JP JP7284929A patent/JPH09130004A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003048790A1 (en) * | 2001-12-03 | 2003-06-12 | Sanken Electric Co., Ltd. | Current detecting circuit and actuator driving apparatus |
| US7423857B2 (en) | 2001-12-03 | 2008-09-09 | Sanken Electric Co., Ltd. | Current detecting circuit and actuator driving apparatus |
| JP2008216262A (ja) * | 2001-12-03 | 2008-09-18 | Sanken Electric Co Ltd | 電流検出回路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |