JPH09120193A - 帯電装置、被帯電体および画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】円筒状の多極磁性体の表面に担持した磁性粉体
を被帯電面に接触させることで被帯電面を帯電する帯電
部材において、磁性粉体が帯電部材から被帯電面側に移
動することを防止する。 【解決手段】周方向に複数の磁極を有する多極磁性体１
０２の表面に磁性粉体１０１を担持させ、磁性粉体１０
１を被帯電体１０４に接触させてニップを構成する。多
極磁性体１０２に電圧を印加して被帯電体１０４を帯電
される。帯電時、多極磁性体１０２を停止させ、このと
き磁極の１つがニップ内でしかも被帯電体とのギャップ
が最小となる位置に停止するようにする。これにより、
帯電部材１００が磁性粉体１０１を引き付ける力を増大
させて、磁性粉体が被帯電側に移動するのを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電圧を印加した帯
電部材を像担持体の被帯電面に当接させてこれを帯電す
る接触帯電装置および画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

１．画像形成装置 画像形成装置としては、従来から原稿を複写するいわゆ
る複写機がよく知られているが、近年、コンピュータ、
ワードプロセッサ等の出力手段に使用するプリンタの需
要の伸びが著しい。このようなプリンタは従来のオフィ
スユースのみならず、パーソナルユースが多いため、低
コスト化、メンテナンスフリー化といった一層の経済
性、利便性が要求される。

【０００３】さらに、エコロジーの観点から、両面コピ
ー、再生紙利を活用した紙消費量低滅による省資源化、
消費電力の低減による省エネルギ化、オゾン量低減によ
る作業環境改善等が、経済性、利便性と同様の重要度で
求められている。

【０００４】従来の帯電方式の主流であったコロナ帯電
器は、５０〜１００μｍ程度の金属ワイヤに５〜１０ｋ
Ｖ程度の高電圧を印加し、雰囲気を電離し対向物（被帯
電体）に電荷を付与する。その過程において、ワイヤ自
身も汚れを吸着するため、定期的な清掃、交換が必要と
なる。また、コロナ放電にともない、不要なオゾンが発
生する。

【０００５】省エネルギに関しては、感光体ヒータの問
題もある。近年、画像形成装置に使用される電子写真感
光体は、耐刷枚数の増大を図るため表面硬度が高くなっ
ており、繰り返しの使用に伴って、帯電器が発生するオ
ゾンから派生されるコロナ生成物の影響により、感光体
表面が湿度に敏感となり水分を吸着しやすくなる。この
水分が感光体表面の電荷の横流れの原因となって、いわ
ゆる画像流れといった画像品質低下を引き起こす。

【０００６】このような画像流れを防止するために、実
公平１−３４２０５号公報に記載されているようなヒー
タによる加熱や、特公平２−２３８５６号公報に記載さ
れているようなマグネットローラと磁性トナーによって
形成したブラシにより感光体表面を摺察しコロナ生成物
を取り除く方法、特開昭６１−１００７８０に記載され
ているような弾性ローラによる感光体表面の摺察でコロ
ナ生成物を取り除く方法等が用いられてきた。

【０００７】感光体表面を摺察する方法は、極めて硬度
の高いアモルファスシリコン感光体で使用されるが、装
置の小型化や低コスト化が困難な一因となる。また、ヒ
ータによる常時加熱は前述のように消費電力量の増大を
招く。ヒータの容量は通常１５〜８０Ｗ程度と必ずしも
大電力量といった印象を得ないが、夜間も含め常時通電
されているケースがほとんどであり、一日あたりの消費
電力量としては、画像形成装置全体の消費電力の５〜１
５％にも達する。

【０００８】また、本発明に類似する形態での外部ヒー
タ加熱方式、すなわち、特開昭５９−１１１１７９号公
報や特開昭６２−２７８５７７号公報においても、感光
体の温度変動に伴う画像濃度不安定要素の改善について
はなんらの開示もない。

【０００９】また、画像流れの要因となる前述のオゾン
は、除去することが好ましく、従来からオゾン除去フィ
ルタで分解無害化して排出していた。特にパーソナルユ
ースの場合、排出オゾン量は極力低減しなければならな
い。このように経済面からも帯電時の発生オゾン量を大
幅に低減する方式が求められている。

【００１０】こうした状況から、発生オゾン量が皆無あ
るいは極めて微量な新たな帯電装置、画像形成装置が求
められている。 ２．帯電装置 前述の問題点を解決すべく、各種帯電装置が提案されて
いる。

【００１１】特開昭６３−２０８８７８号公報に記載さ
れているような接触帯電装置は、電圧を印加した帯電部
材を被帯電体に当接させて被帯電面を所定の電位に帯電
するもので、帯電装置として広く利用されているコロナ
帯電装置に比べ、第１に、被帯電面に所定の電位を得る
のに必要とされる印加電圧の低電圧化が図れること、第
２に、帯電過程で発生するオゾン量がないまたは極めて
微量であるため、オゾン除去フィルタの必要性がなくな
り、したがって装置の排気系の構成が簡素化されるこ
と、メンテナンスフリーであること、第３に、帯電過程
において発生したオゾンおよびオゾン生成物が被帯電面
である像担持体表面、例えば感光体表面に付着し、付着
したコロナ生成物の影響で感光体表面が湿度に敏感とな
って水分を吸着しやすくなって低抵抗化することに基づ
く画像流れを防止することができるので、終日行われて
いる加熱ヒータによる除湿の必要性がなくなること、そ
のため夜間通電等の電力消費の大幅な低減が図れるこ
と、等の長所を有している。

【００１２】上述のような長所を有する接触帯電装置
は、例えば、電子写真方式の画像形成装置（複写機、レ
ーザビームプリンタ）、静電記録方式の画像形成装置に
おいて、電子写真感光体、誘電体等の像担持体、その他
の被帯電体を帯電処理する手段として、コロナ放電装置
に代わるものとして注目され、実用化されている。従
来、接触帯電装置としては、ブレードやシート状の固定
式の帯電部材を被帯電体に当接させ、これにバイアスを
印加して帯電を行うものが周知である。

【００１３】図８にその一実施の形態を示す。８０１は
ドラム状の感光体（以下適宜「感光ドラム」という）で
あり、同図中、時計回り（矢印Ａ方向）に所定の周速度
（プロセススピード）にて回転駆動されるドラム型の電
子写真感光体である。８０２は接触帯電部材であり、電
極８０２−１、及びその帯電面に形成した抵抗層８０２
−２とを備えている。電極８０２−１は、通常アルミニ
ウム、アルミニウム合金、真鍮、銅、鉄、ステンレス等
の金属や、樹脂、セラミック等の絶縁材料に導電処理、
すなわち、金属をコーティングしたり、導電性塗料を塗
布したりしたものを用いる。抵抗層８０２−２は、ポリ
プロピレン、ポリエチレン等の樹脂や、シリコンゴム、
ウレタンゴム等のエラストマーに、酸化チタン、炭素
粉、金属粉等の導電性フィラーを分散したものが一般的
に用いられる。抵抗層８０２−２の抵抗値は、ＨＩＯＫ
Ｉ社（メーカ）製のＭΩテスターで０．２５〜１ｋＶの
印加電圧における測定にて、１×１０³ 〜１×１０¹²Ω
・cmの抵抗値を有する。８０３は帯電部材８０２に対す
る電圧印加電源であり、この電源８０３により帯電開始
電圧の２倍以上のピーク間電圧Ｖ_ppを有する振動電圧Ｖ
_acと直流電圧Ｖ_dcとを重畳したｔ重畳電圧（Ｖ_ac＋
Ｖ_dc）が帯電部材８０２の電極８０２−２に印加され、
回転駆動されている感光ドラム８０１の外周面が均一に
帯電される。

【００１４】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザビームプリンタ光８０５が走査されることによっ
て感光ドラム８０１上に静電潜像が形成される。

【００１５】この潜像は、現像剤が塗布された現像スリ
ーブ８０６によってトナーが付着され、トナー像として
顕画像化（現像）された後、転写材８０７上に転写ロー
ラ８０８を介して転写される。転写残トナーは、クリー
ニングブレード８０９によって感光ドラム上から除去さ
れる。一方、表面にトナー像が転写された転写材８０７
は、定着装置（不図示）によってトナー像が定着された
後、最終的なコピーとして画像形成装置本体外部に排出
される。

【００１６】しかしながら上述の方式では、感光ドラム
８０１と接触帯電部材８０２の直接接触、摩擦影響が大
きいため、長期の使用により接触帯電部材８０２がどう
しても摩耗し、定期的な交換が必要となる。近年、画像
形成装置の像担持体として広く用いられ始めたアモルフ
ァスシリコン感光体は半永久的な寿命を有しており、接
触帯電部材８０２の交換は装置のメンテナンスフリー化
の障害となる問題であり、改善が強く求められていた。

【００１７】その解決策として、接触帯電部材のさまざ
まな改善といった進み方の中で、特開昭５９−１３３５
６９号公報等のように、磁性体と磁性粉体（あるいは粒
子）からなる磁気ブラシ状の接触帯電部材を像担持体に
接触させこれに電荷を付与する機構の新方式が提案され
ている。

【００１８】図９（ａ）、（ｂ）にその一実施の形態を
示す。なお、図９（ａ）は感光ドラム９０１および帯電
部材９０２の軸に直角な方向の縦断面図を示し、図９
（ｂ）は帯電部材９０２の正面図を示す。９０１は像担
持体としての感光ドラムであり、矢印Ａ方向に所定の周
速度（プロセススピード）にて回転駆動されるドラム型
の電子写真感光体である。９０２は帯電部材であり、多
極磁性体９０２−２およびその帯電面に磁性粉体により
形成した磁気ブラシ層９０２−１とを備えている。

【００１９】多極磁性体９０２−２は、通常、フェライ
ト磁石、ゴムマグネット等の磁性材料を用い、円筒状
の、いわゆるマグネットローラに形成される。

【００２０】磁気ブラシ層９０２−１は、磁性酸化鉄
（フェライト）粉、マグネタイト粉、周知の磁性トナー
材等が一般的に用いられる。

【００２１】この帯電部材９０２の抵抗値は、その使用
される環境、高帯電効率、あるいは感光ドラム９０１の
表面層の耐圧特性等に応じて適宜選択されることが望ま
しい。

【００２２】感光ドラム９０１と多極磁性体９０２−２
の最近接間隙は、磁気ブラシ層９０２−１の接触幅（以
下「ニップ幅」という）を安定に制御するため、一定の
距離に安定的に設定される必要がある。この距離は５０
〜２０００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは１０
０〜１０００μｍである。

【００２３】９０３は帯電部材９０２に対する電圧印加
電源であり、この電源９０３により直流電圧Ｖ_dcが帯電
部材９０２の多極磁性体９０２−２、磁気ブラシ層９０
２−１に印加されて、回転駆動されている感光ドラム９
０１の外周面が均一に帯電される。

【００２４】さらに、画像形成元となる原稿からの反射
光９０５が感光ドラム９０１上に照射され静電潜像が形
成される。この潜像は、現像剤が塗布された現像スリー
ブ９０６によってトナー像として顕画像化された後、転
写材８０７上に転写ローラ９０８を介して転写される、
転写残トナーは、クリーニングブレード９０９によって
感光ドラム９０１上から除去される。一方、表面にトナ
ー像が転写された転写材９０７は、不図示の定着装置に
よってトナー像が定着された後、画像形成本体外部に排
出される。

【００２５】このような方式により、像担持体（感光ド
ラム）９０１と接触帯電部材９０２との接触性、摩擦性
特性が向上し、耐久劣化に対して機械的摩耗等の格段の
向上を図ることができる。 ３．感光体 ［有機光導電体（ＯＰＣ）］電子写真感光体の光導電材
料として、近年、種々の有機光導電材料の開発が進み、
特に電荷発生層と電荷輸送層を積層した機能分離型感光
体は既に実用化され複写機やレーザビームプリンタに搭
載されている。

【００２６】しかしながら、これらの感光体は一般的に
耐久性が低いことが一つの大きな欠点であるとされてき
た。耐久性としては、感度、残留電位、帯電能、画像ぼ
け等の電子写真物性面の耐久性および摺察による感光体
表面の摩耗や引っ掻き傷等の機械的耐久性に大別され、
いずれも感光体の寿命を決定する大きな要因となってい
る。

【００２７】このうち電子写真物性面の耐久性、特に画
像ぼけに関しては、コロナ帯電器から発生するオゾン、
ＮＯｘ等の活性物質により、感光体表面層に含有される
電荷輸送物質が劣化することが原因であることが知られ
ている。

【００２８】また機械的耐久性に関しては、感光層に対
して紙、ブレードまたはローラ等のクリーニング部材、
トナー等が物理的に接触して摺察することが原因である
ことが知られている。

【００２９】電子写真物性面の耐久性を向上させるため
に、オゾン、ＮＯｘ等の活性物質により劣化されにくい
電荷輸送物質を用いることが重要であり、酸化電位の高
い電荷輸送物質を選択することが知られている。また、
機械的耐久性を上げるためには、紙やクリーニング部材
による摺察に耐えるために、表面の潤滑性を高め、摩擦
力を低減すること、トナーのフィルミング融着等を防止
するために表面の離形性をよくすることなどが重要であ
り、フッ素系樹脂粉体、フッ化黒鉛、ポリオレフィン系
樹脂粉体等の滑材を表面層に配合することが知られてい
る。しかしながら、摩耗が著しく小さくなると今度は、
オゾン、ＮＯｘ等の活性物質により生成された吸湿性物
質が除去されずに感光体表面に堆積し、その結果として
表面抵抗が下がり、表面電荷が横方向に移動し、いわゆ
る画像流れを生ずるという問題があった。 ［アモルファスシリコン系感光体（ａ−Ｓｉ）］電子写
真において、感光体における感光層を形成する光導電材
料としては、高感度で、ＳＮ比［光電流（Ｉ_p ）／暗電
流（Ｉ_d ）］が高く、照射する電磁波のスペクトル特性
に適合した吸収スペクトルを有すること、光応答性が早
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体
に対して無害であること、等の特性が要求される。特
に、事務機としてオフィスで使用される画像形成装置内
に組み込まれる画像形成装置用感光体の場合には、上述
の使用時における無公害性は重要な点である。

【００３０】このような点に優れた性質を示す光導電材
料に水素化アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」という）があり、例えば、特公昭６０−３５０５９
号公報には画像形成装置用感光体としての応用が記載さ
れている。

【００３１】このような画像形成装置用感光体は、一般
的には、導電性支持体を５０〜４００℃に加熱し、この
支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶ
Ｄ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成
する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガス
を直流または高周波あるいはマイクロ法グロー放電によ
って分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法
が好適なものとして実用化されている。

【００３２】また、特開昭５４−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下「ａ−Ｓｉ：Ｘ」という）光導電
層からなる画像形成装置用感光体が提案されている。こ
の公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１〜４０
原子％含有させることにより、耐熱性が高く、画像形成
装置用感光体の光導電層として良好な電気的、光学的特
性を得ることができるとしている。

【００３３】また、特開昭５７−１１５５６号公報に、
ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導電部
材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学
的、光導電的特性および耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時的安定性について改善を図るため、シリコン原
子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層
上に、シリコン原子および炭素原子を含む非光導電性の
アモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術
が記載されている。さらに、特開昭６０−６７９５１号
公報には、アモルファスシリコン、炭素、酸素およびフ
ッ素を含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層
する感光体についての技術が記載され、特開昭６２−１
６８１６１号公報には、表面層として、シリコン原子と
炭素原子と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素とし
て含む非晶質材料を用いる技術が記載されている。

【００３４】さらに、特開昭５１−１５８６５０号公報
には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペク
トルの２１００cm^-1と２０００cm^-1の吸収ピークの吸収
係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導電層
に用いることにより高感度で高抵抗な画像形成装置用感
光体を得られることが記載されている。

【００３５】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０〜４０℃に維持して帯
電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行う
ことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗
の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技術
が開示されている。

【００３６】これらの技術により、画像形成装置用感光
体の電気的、光学的、光導電的特性および使用環境特性
が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。 ４．環境対策ヒータ 前述の感光体の高湿画像流れを防止、除去するために、
感光体内面に熱源を設けることが周知であり、最も一般
的なのは、面状または棒状の電熱ヒータを円筒状感光体
内面に配設しているものである。

【００３７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な電圧印加式の磁性粒子をブラシとして用いた帯電装置
を感光体の帯電手段として利用した場合の問題点とし
て、以下の点が挙げられる。

【００３８】特に感光体の回転速度が速く、また帯電電
位と非帯電部との電位差が大きい場合に、帯電部材の耐
久性が悪いことが挙げられる。図９（ａ）の磁気ブラシ
層９０２−１を構成する磁性粉体等のキャリヤ（以下
「帯電キャリヤ」という）が帯電工程等、感光体の回転
中に感光体表面へ移動して帯電効率が低下し、このため
画像上において感光体の回転方向に濃度差が見られるよ
うになる。特にアモルファスシリコン感光体のように高
速で使用され、極めて長い寿命を有する感光体を用いた
画像形成装置においては、帯電器のキャリヤの減少によ
り画質が低下し、これを回復するためにメテンナンス
か、または帯電部材の交換が必要となる。こうしたこと
はサービスコストの増加を招き、メンテナンスフリー化
を阻害する問題である。

【００３９】さらに、耐久時の縦スジ（以下「まだらス
ジ」という）がある。まだらスジの発生メカニズムとし
ては以下のようなことが考えられる。

【００４０】磁性体と帯電キャリヤとの磁気的吸引力に
対し、感光体の回転による摩擦等の機械的な力、磁気ブ
ラシ層と感光体表面の非帯電部との電位差により生じる
電界による電気的吸引力等により帯電キャリヤが感光体
に移動し、そのいくらかは現像器のスリーブ（現像スリ
ーブ）に磁気的に吸引される。そして、耐刷枚数が増加
するに従い、現像スリーブに吸引される帯電キャリヤが
増加して、現像剤が感光体表面に現像される際の妨げと
なり、その結果、まだらスジが発生する。このまだらス
ジの発生が問題となる。

【００４１】特開昭５９−１３３５６９号公報では、感
光体の回転方向で帯電器の下流側にブレードを設けて上
述の帯電キャリヤの再捕獲を行う機構が開示されている
が、装置の小型化、低コスト化が阻害され、あるいは上
述のごとくメンテナンスフリー化の妨げになるという問
題がある。

【００４２】そこで、本発明は、上述の問題を解決する
ようにした接触帯電装置および画像形成装置を提供する
ことを目的とするものである。

【００４３】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みてなされたものであって、円筒状の帯電部材を被帯電
体の被帯電面に接触させるとともに、前記帯電部材に電
圧を印加することで前記被帯電面を帯電させる帯電装置
において、前記帯電部材は、周方向に複数の磁極を有す
る円筒状の多極磁性体と、該多極磁性体表面と前記被帯
電面とのギャップを規制するスペーサと、前記多極磁性
体表面に担持されるとともに前記被帯電面に接触して該
被帯電面との間に帯状のニップを構成する磁性粉体と、
を有し、前記多極磁性体の表面における、周方向に隣接
する前記磁極間の距離を、前記ニップの周方向幅よりも
小さく設定する、ことを特徴とする。

【００４４】この場合、前記多極磁性体を回転可能に配
設するとともに、該多極磁性体、磁性粉体を介して前記
被帯電面を帯電するときは、前記多極磁性体を、該多極
磁性体の任意の１の磁極と前記被帯電面とのギャップが
最小となる位置に停止させるとよい。

【００４５】また、前記被帯電面の帯電不要領域が前記
ニップを通過するときは、前記帯電部材に対する印加電
圧を切るとともに、前記多極磁性体を回転させる、よう
にしてもよい。

【００４６】次に、上述の被帯電体において、導電性支
持体と、シリコン原子を母体として水素原子とハロゲン
原子とのうちの少なくとも一方を含有する非単結晶材料
を含む光導電層および電荷を保持する機能を有する表面
層を有する光受容層とを備え、前記光導電層が１０〜３
０原子％の水素を含有し、少なくとも光の入射する部分
において、サブバンドギャップ光吸収スペクトルから得
られる指数関数裾の特性エネルギが５０ｍｅＶ以上、６
０ｍｅＶ以下であり、局在状態密度が１×１０¹⁴〜５×
１０¹⁶cm^-3であり、前記表面層の電気抵抗値が１×１０
¹⁰〜５×１０¹⁵Ω・cmであることを特徴とする。

【００４７】また、前記表面層が、電荷保持粒子を含む
ものであってもよい。

【００４８】次に、次に、上述の被帯電体と、前述の帯
電装置と、前記帯電装置によって帯電された前記被帯電
体表面を露光して静電潜像を形成する潜像形成手段と、
前記静電潜像にトナーを付着させてトナー画像を形成す
る現像手段と、前記被帯電体表面のトナー画像を転写材
に転写する転写手段とを、備える、ことを特徴とする。

【００４９】［作用］以上構成に基づき、多極磁性体の
表面における、周方向に隣接する磁極間の距離を、ニッ
プ幅よりも小さく設定することのより、ニップ内に、少
なくとも１の磁極が存在するようにすることができるの
で、ニップ内において磁性粉体を多極磁性体側に引き付
ける力を増加し、これにより、帯電部材と被帯電体との
間に作用する電界によって磁性粉体が被帯電体側に移動
するのを防止する。

【００５０】さらに、帯電時に、上述のニップ内の磁極
を、これと被帯電面とのギャップが最小となる位置に停
止させるときは、磁性粉体を多極磁性体側に引き付ける
力がさらに増加される、磁性粉体の移動を一層よく防止
することができる。

【００５１】被帯電体の帯電不要領域に対応して、印加
電圧を切るときは例えばアナログ複写機におけるブラン
ク露光を省略することができ、また、多極電極を回転さ
せるときは、多極磁性体表面の磁性粉体を、ニップの長
手方向（多極磁性体表面の母線方向）に均すことができ
る。

【００５２】また、コロナ帯電と異なりオゾン生成物が
発生しないため、いわゆる「高湿流れ」対策が不要にな
り、ドラムヒータ等の除去にともない、夜間通電や消費
電力が低減されエコロジーの点からも有効である。

【００５３】

【実施の形態】以下、図面に沿って、本発明の実施の形
態について説明する。 〈実施の形態１〉 ［帯電部材］図１（ａ）、（ｂ）にそれぞれ本発明にか
かる帯電部材と被帯電体とを正面、側面から見た概略を
示してある。これらの図において、１００は接触帯電部
材、１０１は接触帯電部材における帯電キャリヤからな
る磁気ブラシ層、１０２は接触帯電部材の多極磁性体、
１０３は接触帯電部材と感光体とのギャップを規制する
スペーサ、１０４は感光体等の被帯電体（像担持体）で
ある。

【００５４】接触帯電部材の多極磁性体１０２は、通
常、フェライト磁石等の金属やプラスティックマグネッ
ト等の多極構成が可能な磁性体を用いる。その磁力線密
度はその使用するプロセススピード、印加電圧と非帯電
部との電位差による電界、被帯電体の誘電率や表面性等
多くの要因により異なるが、多極磁性体１０２の表面か
ら１ｍｍの距離において測定される、磁極位置における
磁力線密度で５００ガウス（Ｇ）以上が好ましい。より
好ましくは１０００Ｇ以上である。

【００５５】感光体と多極磁性体１０２の最近接間隙
は、磁気ブラシ層１０２の接触幅（以下「ニップ幅」と
いう）を安定に制御するため、コロやスペーサ１０３等
の適宜な方法で、一定の距離に安定的に設定される必要
がある。この距離は５０〜２００μｍの範囲が好まし
く、より好ましくは１００〜１０００μｍである。その
他にニップ調整用にブレード等の機構を設けてもよい。

【００５６】接触帯電部材１００の磁気ブラシ層１０１
は、一般に、フィライト、マグネタイト等の磁性粉体や
周知の磁性トナーのキャリヤを使用することができる。
磁性粉体の粒径は一般に１〜１００μｍの物が用いられ
る。好ましくは５０μｍ以下である。また、流動性向上
のため上述の範囲内で異なる粒径の帯電キャリヤを混合
して使用してもよい。

【００５７】また、磁気ブラシ層１０１の抵抗は帯電効
率を良好に保持し、一方でリークポチや感光体表面の微
小欠陥によって帯電部材長軸方向で電位が低下してしま
うことの防止等のために、１×１０³ 〜１×１０¹²Ω・
cmなる抵抗を有することが好ましい。より好ましくは１
×１０⁴ 〜１×１０⁹ Ω・cmである。抵抗値の測定は、
ＨＩＯＫＩ社（メーカ）製のＭΩテスターで０．２５〜
１ｋＶの印加電圧における測定にて行った。

【００５８】被帯電体１０４は、従来のものと同じもの
でもよいが、必要に応じて後述する新規な感光体を用い
るようにしてもよい。

【００５９】本発明では、上述のような磁気ブラシ層１
０１を用いた接触帯電部材１００の磁性体１０２の磁極
の向きを、電圧印加中において被帯電体１０４に最も接
近するように静止させることにより、磁気間の磁力線密
度が小さい部分の帯電キャリヤが被帯電体１０４の静電
引力、摩擦力等によって被帯電体１０４側に移動するこ
とを防止して帯電キャリヤの減少を防ぐようにしてい
る。

【００６０】また、例えば図１（ｂ）中の矢印に示すよ
うに、帯電部材１００を回転させることにより磁極間で
帯電キャリヤが被帯電体１０４上に捕獲される機会が増
加することがないようにしている。

【００６１】また、画像形成中に、転写材とこれに後続
する転写材との間（被帯電体における帯電不要領域、以
下「紙間」という）において帯電部材１００に印加して
いる電圧を切ることで、感光体等の被帯電体１０４と帯
電部材１００との間の電位差をなくし帯電キャリヤの減
少を防ぐとともに、帯電部材１００を回転させることで
は、帯電キャリヤの帯電部材長軸方向のムラを均す。 ［感光体］前述の問題を解決するための一つの手段とし
て、本出願人らは温度依存性が小さく、かつ表面耐久性
に優れた感光体を用い、長期にわたり極めて好適な画像
安定化が達成されることを見いだした。 ［有機光導電体（ＯＰＣ）］本発明に用いた好適な感光
体の一形態であるＯＰＣ感光体について以下に述べる。
図１１は、本発明の画像形成装置用感光体の層構成を説
明するための模式的構成図である。

【００６２】図１１（ｅ）に示す画像形成装置用ＯＰＣ
感光体１１００は、感光体用としての支持体１１０１の
上に、感光層（光導電層）１１０２が設けられている。
感光層１１０２は電荷発生層１１０６、電荷輸送層１１
０７からなり、必要に応じて、保護層ないし表面層１１
０４、および支持体１１０１と電荷発生層１１０６の間
に中間層を設けて構成されている。

【００６３】本発明に用いられるＯＰＣ感光体、すなわ
ち表面層、光導電層、必要に応じて設けられる中間層、
特にその表面層は、前述接触帯電部材からの電荷注入を
効率的に受容し、この電荷を有効に保持することが必要
である。本出願人らは、高融点はポリエステル樹脂と硬
化樹脂とを混成させた材料、特に表面層では、高融点ポ
リエステル樹脂と硬化樹脂の混成材にＳｎＯ₂ など金属
酸化物等の電荷保持粒子を分散させた材料がそれぞれの
樹脂成分の特性を相乗的に作用させあい、こうした条件
を満足することを見いだした。

【００６４】本発明の電子写真感光体の表面層、光導電
層、電荷輸送層および電荷発生層の形成に用いる樹脂成
分について説明する。

【００６５】ポリエステルとは酸成分とアルコール成分
との結合ポリマーであり、ジカルボン酸とグリコールと
の縮合あるいはヒドロキシ安息香酸のヒドロキシ基とカ
ルボキシ基とを有する化合物の縮合によって得られる重
合体である。

【００６６】酸成分としてテレフタル酸、イソフタル
酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸、
コハク酸、アジピン酸、セバチン酸等の脂肪族ジカルボ
ン酸、ヘキサヒドロテレフタル酸等の脂環族ジカルボン
酸、ヒドロキシエトキシ安息香り酸等のオキシカルボン
酸等を用いることができる。

【００６７】グリコール成分としては、エチレングリコ
ール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコ
ール、ヘキサメチレングリコール、シクロヘキサンジメ
チロール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレング
リコール等を使用することができる。

【００６８】なお、前述のポリエステル樹脂が実質的に
線状である範囲でペンタエリスリトール、ロリメチロー
ルプロパン、ピロメリット酸およびこれらのエステル形
成誘導体等の多官能化合物を共重合させてもよい。

【００６９】本発明に用いるポリエステル樹脂として
は、高融点ポリエステル樹脂を用いる。

【００７０】高融点ポリエステル樹脂としては、オルソ
クロロフェノール中３６℃で測定した極限粘度が０．４
ｄｌ／ｇ以上、好ましくは０．５ｄｌ／ｇ以上、さらに
好ましくは０．６５ｄｌ／ｇ以上のものが用いられる。

【００７１】好ましい高融点ポリエステル樹脂として
は、ポリアルキレンテレフタレート系樹脂が挙げられ
る。ポリアルキレンテレフタレート系樹脂は酸成分とし
て、テレフタール酸、グリコール成分として、アルキレ
ングリコールから主としてなるもである。

【００７２】その具体的例としては、テレフタル酸成分
とエチレングリコール成分とから主としてなるポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）、テレフタル酸成分と
１，４−テトラメチレングリコール（１，４−ブチレン
グリコール）成分とから主としてなるポリブチレンテレ
フタレート（ＰＢＴ）、テレフタル酸成分とシクロヘキ
サンジメチロール成分とから主としてなるポリシクロヘ
キシルジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ）等を挙げる
ことができる。他の好ましい高分子量ポリエステル樹脂
としては、ポリアルキレンナフタレート系樹脂を例示で
きる。ポリアルキレンナフタレート系樹脂は酸成分とし
てナフタレンジカルボン酸成分とグリコール成分として
アルキレングリコール成分とから主としてなるものであ
って、その具体例としては、ナフタレンジカルボン酸成
分とエチレングリコール成分とから主としてなるポリエ
チレンナフタレート（ＰＥＮ）等を挙げることができ
る。

【００７３】高融点ポリエステル樹脂としては、その融
点が好ましくは１６０℃以上、特に好ましくは２００℃
以上のものである。

【００７４】ポリエステル樹脂の他に、アクリル樹脂を
使用してもよい。

【００７５】また、バインダとしては２官能アクリル、
６官能アクリル、ホスファゼン等が使用される。

【００７６】これらの樹脂は、比較的結晶性が高く、硬
化樹脂ポリマー鎖と高融点ポリマー鎖との相互の絡み合
いが均一かつ密になって、高耐久性の表面層を形成でき
るものと考えられる。低融点ポリエステル樹脂等の場合
には、結晶性が低いので、硬化樹脂ポリマー鎖との絡み
合いの程度が大きいところと小さいところとが生じ、耐
久性が劣るものと考えられる。

【００７７】表面層には、ＳｎＯ₂ 等の電荷保持材を分
散させた物を用いた。使用条件等により適宜に選択され
た分散量を用い、抵抗値、帯電効率を制御することが好
ましい。 ［アモルファスシリコン系感光体（ａ−Ｓｉ）］本発明
に用いた好適な感光体の一形態であるアモルファスシリ
コン感光体について以下に述べる。

【００７８】アモルファスシリコン感光体の光導電層の
キャリヤの挙動に着目し、バンドギャップ内の局在状態
分布と帯電能の温度依存性や光メモリーとの関係につい
て鋭意検討した結果、光導電層の少なくとも光の入射す
る部分において、特定のエネルギ範囲の局在状態密度を
一定範囲に制御することにより前述の目的を達成できる
という知見を得た。すなわち、シリコン原子を母体と
し、水素原子および／または（以下「および／または」
を「双方またはいずれか一方」の意味に使用する）ハロ
ゲン原子を含有する非単結晶材料で構成された光導電層
を有する感光体において、その層構造を特定化するよう
に設計されて作成された感光体は、実用上著しく優れた
特性を示すばかりでなく、従来の感光体と比べてみても
あらゆる点において凌駕していること、特に画像形成装
置用の感光体として優れた特性を有していることを見出
した。

【００７９】本発明の画像形成装置用感光体は、導電性
支持体と、シリコン原子を母体とする非単結晶材料から
なる光導電層を有する感光層とから構成され、光導電層
は１０〜３０原子％の水素を含み、光吸収スペクトルの
指数関数裾（アーバックテイル）の特性エネルギが５０
以上６０ｍｅＶ以下であって、かつ局在状態密度が１×
１０¹⁴cm^-3以上１×１０¹⁶cm^-3以下であることを特徴と
している。

【００８０】上述のような構成をとるように設計された
本発明の画像形成装置用感光体は、前述した諸問題点の
全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、画像品質、耐久性および使用環境特性を示す。

【００８１】一般的に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ
内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れに基づくテイル
（裾）準位と、Ｓｉの未結合手段（ダングリングボン
ド）等の構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これ
らの準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き、
素子の特性を低下させる原因になることが知られてい
る。

【００８２】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、一定光電流法等が用
いられている。中でも一定光電流法［Ｃｏｎｓｔａｎｔ
ＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＭｅｔｈｏｄ：以下「ＣＰ
Ｍ」という］は、ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づくサブ
ギャップ光吸収スペクトルを簡便に測定する方法として
有用である。

【００８３】本出願人らは、ＣＰＭによって測定された
光吸収スペクトルから求められる指数関数裾の特性エネ
ルギ（以下「Ｅｕ」という）や局在状態密度（以下、
「ＤＯＳ」という）と感光体特性との相関を種々の条件
にわたって調べた結果、ＥｕおよびＤＯＳがａ−Ｓｉ感
光体の温度特性や光メモリと密接な関係にあることを見
出し、本発明を完成するに至った。

【００８４】ドラムヒータ等で感光体を加熱したときに
帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリヤ
（以下「熱励起キャリヤ」という）が帯電時の電界に引
かれてバンド裾の局在準位やバンドギャップ内の深い局
在準位への捕獲、放出を繰り返しながら表面を走行し、
表面電荷を打ち消してしまうことが挙げられる。このと
き、帯電器を通過する間に表面に到達する熱励起キャリ
ヤについては帯電能の低下にはほとんど影響がないが、
深い準位に捕獲された熱励起キャリヤは、帯電器を通過
した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために温度
特性として観測される。また、帯電器を通過した後に熱
励起された熱励起キャリヤも表面電荷を打ち消し帯電能
の低下を引き起こす。したがって、感光体の使用温度領
域における熱励起キャリヤの生成を抑え、なおかつこの
熱励起キャリヤの走光性を向上させることが温度特性の
向上のために必要である。

【００８５】さらに、光メモリはブランク露光や像露光
によって生じた光キャリヤがバンドギャップ内の局在準
位に捕獲され、光導電層内にこの光キャリヤが残留する
ことによって生じる。すなわち、ある複写工程において
生じた光キャリヤのうち光導電層内に残留した光キャリ
ヤが、次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による
電界によって掃き出され、光の照射された部分の電位が
他の部分よりも低くなり、その結果、画像上に濃淡が生
じる。したがって、光キャリヤが光導電層内に残留する
ことなく、１回の複写工程で走行するように、光キャリ
ヤの走行性を改善しなければならない。

【００８６】したがって、本発明のごとくＥｕおよび特
定のエネルギ範囲のＤＯＳを制御することにより、熱励
起キャリヤの生成が抑えられ、なおかつ熱励起キャリヤ
や光キャリヤが局在準位に捕獲される割合を小さくする
ことができるため、上述のキャリヤ（以下「電荷キャリ
ヤ」という）の走行性が著しく改善される。その結果、
感光体の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善さ
れ、同時に光メモリの発生を抑制することができるため
に、感光体の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフ
トーンが鮮明に表現され、かつ解像力の高い高品質の画
像を安定して得ることができる。

【００８７】以下、図面に沿って本発明の光導電部材に
ついて詳細に説明する。

【００８８】図１１は、本発明の画像形成装置用感光体
の層構成を説明するための模式的構成図である。

【００８９】図１１（ａ）に示す画像形成装置用感光体
１１００は、感光体用としての支持体１１０１の上に、
感光層１１０２が設けられている。感光層１１０２はａ
−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなり光導電性を有する光導電層１１
０３で構成されている。

【００９０】図１１（ｂ）は、本発明の画像形成装置用
感光体の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。同図に示す画像形成装置用感光体１１００は、感光
体用としての支持体１１０１の上に、感光層１１０２が
設けられている。感光層１１０２は、ａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘ
からなり光導電性を有する光導電層１１０３と、アモル
ファスシリコン系表面層１１０４とから構成されてい
る。

【００９１】図１１（ｃ）は、本発明の画像形成装置用
感光体の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。同図に示す画像形成装置用感光体１１００は、感光
体用としての支持体１１０１の上に、感光層１１０２が
設けられている。感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘか
らなり光導電性を有する光導電層１１０３と、アモルフ
ァスシリコン系表面層１１０４と、アモルファスシリコ
ン系電荷注入阻止層１１０５とから構成されている。

【００９２】図１１（ｄ）は、本発明の画像形成装置用
感光体のさらに他の層構成を説明するための模式的構成
図である。同図に示す画像形成装置用感光体１１００
は、感光体用としての支持体１１０１の上に、感光層１
１０２が設けられている。感光層１１０２は光導電層１
１０３を構成するａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなる電荷発生層
１１０６ならびに電荷輸送層１１０７と、アモルファス
シリコン系Ｓ表面層１１０４とから構成されている。 ［支持体］本発明において使用される支持体としては、
導電性でも電気絶縁性であってもよいよい。導電性支持
体としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔ
ｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれ
らの合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポ
リエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロ
ースアセテート、ポリプロピレン、ポロ塩化ビニル、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたは
シート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少
なくとも感光層を形成する側の表面を導電処理した支持
体も用いることができる。

【００９３】本発明において使用される支持体１１０１
の形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または板状
無端ベルト状であることができ、その厚さは、所望通り
の画像形成装置用感光体１１００を形成し得るように適
宜決定するが、画像形成装置用感光体１１００としての
可撓性が要求される場合には、支持体１１０１としての
機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすること
ができる。しかしながら、支持体１１０１は製造上およ
び取扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上
とされる。

【００９４】特にレーザ光などの可干渉性光を用いて像
記録を行う場合には、可視画像において現われる、いわ
ゆる干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
ために、帯電キャリヤの減少が実質的にない範囲で支持
体１１０１の表面に凹凸を設けてもよい。支持体１１０
１の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８１５
６号公報、同６０−１７８４５７号公報、同６０−２２
５８５４号公報に記載された公知の方法により作成され
る。

【００９５】また、レーザ光などの可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
別の方法として、帯電キャリヤの減少が実質的にない範
囲で支持体１１０１の表面に複数の球状痕跡窪みによる
凹凸形状を設けてもよい。すなわち、支持体１１０１の
表面が画像形成装置用感光体１１００に要求される解像
力よりも微少な凹凸を有し、しかもこの凹凸は、複数の
球状痕跡窪みによるものである。支持体１１０１の表面
に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭
６１−２３１５６１号公報に記載された公知の方法によ
り作成される。

【００９６】また、レーザ光等の可干渉光を用いた場合
の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消するさ
らに別の方法として、感光層１１０２内、あるいは感光
層１１０２の下側に光吸収層等の干渉防止用の層あるい
は領域を設けてもよい。 ［光導電層］本発明において、その目的を効果的に達成
するために支持体１１０１上、必要に応じて下引き層
（不図示）上に形成され、感光層１１０２の一部を構成
する光導電層１１０３は真空堆積膜形成方法によって、
所望特性が得られるように適宜成膜パラメータの数値条
件が設定されて作成される。具体的には、例えばグロー
放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイク
ロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電
ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオン
プレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々
の薄膜堆積法によって形成することができる。これらの
薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、
製造規模、作成される画像形成装置用感光体に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する画像形成装置用感光体を製造するに
当たっての条件の制御が比較的容易であることからして
グロー放電法、特にＲＦ帯またはＶＨＦ帯の電源周波数
を用いた高周波グロー放電法が好適である。

【００９７】グロー放電法によって光導電層１１０３を
形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給
し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給
し得るＨ供給用の原料ガスおよび／またはハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、この
反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の
位置に設定されてある所定の支持体１１０１上にａ−Ｓ
ｉ：Ｈ、Ｘからなる層を形成すればよい。

【００９８】また、本発明において光導電層１１０３中
に水素原子および／またはハロゲン原子が含有されるこ
とが必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補
償し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性
を向上させるために必須不可欠であるからである。よっ
て水素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原
子とハロゲン原子の和の量はシリコン原子と水素原子お
よび／またはハロゲン原子の和に対して１０〜３０原子
％、より好ましくは１５〜２５原子％とされのが望まし
い。

【００９９】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃
Ｈ₈ 、Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作成時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましいもの
として挙げられる。

【０１００】そして、形成される光導電層１１０３中に
水素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御
をいっそう容易になるように図り、本発明の目的を達成
する膜特性を得るために、これらのガスにさらにＨ₂ お
よび／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物の
ガスも所望量混合して層形成することが必要である。ま
た、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合しても差し支えないものである。

【０１０１】また、本発明において使用されるハロゲン
原子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素珪素化合物も有効なものとして挙げること
ができる。本発明において好適に使用し得るハロゲン化
合物としては、具体的にはフッ素ガス（Ｆ₂ ）、Ｂｒ
ｆ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃ 、ＢｒＦ₃ 、ＢｒＦ₅ 、ＩＦ₃ 、
ＩＦ₇ 等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハ
ロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には、例えば
ＳｉＦ₄ 、Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等のフッ化珪素が好ましいものと
して挙げることができる。

【０１０２】光導電層１１０３中に含有される水素原子
および／またはハロゲン原子の量を制御するには、例え
ば支持体１１０１の温度、水素原子および／またはハロ
ゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反応
容器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。

【０１０３】本発明においては、光導電層１１０３には
必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが
好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１１０３
中に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよい
し、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有して
いる部分があってもよい。

【０１０４】前述の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導性を与える周期律表III ｂ族に属する原子
（以下「第III ｂ族原子」という）またはｎ型伝導特性
を与える周期律表Ｖｂ族に属する原子（以下「第Ｖｂ族
原子」という）を用いることができる。

【０１０５】第III ｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【０１０６】光導電層１１０３に含有される伝導性を制
御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜
１×１０⁴ 原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2 〜
５×１０³ 原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０
³ 原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

【０１０７】伝導性を制御する原子、たとえば、第III
ｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第III ｂ族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応
容器中に、光導電層１１０３を形成するための他のガス
とともに導入してやればよい。第III ｂ族原子導入用の
原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり
得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用され
るのが望ましい。

【０１０８】そのような第III ｂ族原子導入用の原料物
質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ
₆ 、Ｂ₄ Ｈ₁₀、Ｂ₅ Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、Ｂ₆ Ｈ₁₀、Ｂ₆ Ｈ
₁₂、Ｂ₆ Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃ 、ＢＣｌ₃ 、ＢＢ
ｒ₃ 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ₃ 、ＧａＣｌ₃ 、Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ 、ＩｎＣｌ₃、
ＴｌＣｌ₃ 等も挙げることができる。

【０１０９】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃ 、Ｐ
₂ Ｈ₄ 、等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ、ＰＦ₃ 、ＰＦ₅ 、Ｐ
Ｃｌ₃ 、ＰＣｌ₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ₅ 、ＰＩ₃ 等のハ
ロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃ 、ＡｓＦ
₃ 、ＡｓＣｌ₃ 、ＡｓＢｒ₃ 、ＡｓＦ₅ 、ＳｂＨ₃ 、Ｓ
ｂＦ₃ 、ＳｂＦ₅ 、ＳｂＣｌ₃ 、ＳｂＣｌ₅ 、ＢｉＨ
₃ 、ＢｉＣｌ₃ 、ＢｉＢｒ₃ 等の第Ｖｂ族原子導入用の
出発物質の有効なものとして挙げることができる。

【０１１０】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂ および／またはＨｅに
より希釈して使用してもよい。

【０１１１】さらに本発明においては、光導電層１１０
３に炭素原子および／または酸素原子および／または窒
素原子を含有させることも有効である。炭素原子および
／または酸素原子／およびまたは窒素原子の含有量はシ
リコン原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子の和に
対して好ましくは１×１０^-5〜１０原子％、より好まし
くは１×１０^-4〜８原子％、最適には１×１０^-3〜５原
子％が望ましい。炭素原子および／または酸素原子およ
び／または窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含
有されてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化
するような不均一な分布をもたせた部分があってもよ
い。

【０１１２】本発明において、光導電層１１０３の層厚
は所望の電子写真特性が得られることおよび経済的効果
等の点から適宜所望に従って決定され、好ましくは２０
〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適には
２５〜４０μｍとされるのが望ましい。

【０１１３】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層１１０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガ
スと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電
力ならびに支持体温度を適宜設定することが必要であ
る。

【０１１４】希釈ガスとして使用するＨ₂ および／また
はＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選
択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂ および／または
Ｈｅを、通常の場合３〜２０倍、好ましくは４〜１５
倍、最適には５〜１０倍の範囲に制御することが望まし
い。

【０１１５】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜１０Ｔｏ
ｒｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好ま
しい。

【０１１６】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力を、通常の場合２〜７倍、好ましくは
２．５〜６倍、最適には３〜５倍の範囲に設定すること
が望ましい。

【０１１７】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場
合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３
０〜３３０℃、最適には２５０〜３１０℃とするのが望
ましい。

【０１１８】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前述
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する感光体を
形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値を
決めるのが望ましい。 ［表面層］本発明においては、上述のようにして支持体
１１０１上に形成され光導電層１１０３の上に、さらに
アモルファスシリコン系の表面層１１０４を形成するこ
とが好ましい。この表面層１１０４は自由表面１１０４
ａ（図１１（ｂ）参照）を有し、主に耐湿性、連続繰返
し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性にお
いて本発明の目的を達成するために設けられる。

【０１１９】また、本発明においては、感光層１１０２
を構成する光導電層１１０３と表面層１１０４とを形成
する非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成
要素を有しているので、積層界面において化学的な安定
性の確保が十分成されている。

【０１２０】表面層１１０４は、アモルファスシリコン
系の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）
を含有し、さらに炭素原子を含有するアモルファスシリ
コン（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ、Ｘ」という）、水素原子
（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さ
らに酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下
「ａ−ＳｉＯ：Ｈ、Ｘ」という）、水素原子（Ｈ）およ
び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに窒素原
子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ
Ｎ：Ｈ、Ｘ」という）、水素原子（Ｈ）および／または
ハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭素原子、酸素原
子、窒素原子の少なくとも一つを含有するアモルファス
シリコン（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ、Ｘ」という）等
の材料が好適に用いられる。

【０１２１】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面層１１０４は真空堆積膜形成方法によ
って、所望特性が得られるように適宜成膜パラメータの
数値条件が設定されて作成される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法など
の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。こ
れらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷
程度、製造規模、作成される画像形成装置用感光体に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、感光体の生産性から光導電層と同等の堆積法によ
ることが好ましい。

【０１２２】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ、Ｘからなる表面層１１０４を形成するには、基
本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の
原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原
料ガスおよび／またはハロゲン原子（Ｘ）を供給し得る
Ｘ供給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内
に所望のガス状態で導入して、この反応容器内にグロー
放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光
導電層１１０３を形成した支持体１１０１上にａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ、Ｘからなる層を形成すればよい。

【０１２３】本発明において用いる表面層の材質として
はシリコンを含有するアモルファス材料ならば何れでも
よいが、炭素、窒素、酸素から選ばれた元素を少なくと
も一つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ
−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。

【０１２４】表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０〜９０％の範囲が好ましい。

【０１２５】また、本発明において表面層１１０４中に
水素原子および／またはハロゲン原子が含有されること
が必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特
性を向上させるために必須不可欠である。水素含有量
は、構成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子
％、好適には３５〜６５原子％、最適に４０〜６０原子
％とするのが望ましい。また、フッ素原子の含有量とし
て、通常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．
１〜１０原子％最適には０．６〜４原子％とされるのが
望ましい。

【０１２６】これらの水素および／またはフッ素含有量
の範囲内で形成される感光体は、実際面において従来に
ない格段に優れたものとして充分適用させ得られるもの
である。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリ
コン原子や炭素原子のダングリングボンド）は画像形成
装置用感光体としての特性に悪影響を及ぼすことが知ら
れている。例えば自由表面から光導電層への電荷の注入
による帯電特性の劣化、使用環境、例えば高い湿度のも
ので表面構造が変化することによる帯電特性の変動、例
えば高い湿度のもとで表面構造が変化することによる帯
電特性の変動、さらにコロナ帯電時や光照射時に光導電
層により表面層に電荷が注入され、前述の表面層内の欠
陥に電荷がトラップされることにより、繰り返し使用時
の残像現象の発生等がこの悪影響として挙げられる。

【０１２７】しかしなが表面層内の水素含有量を３０原
子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減少
し、その結果、従来に比べて電気的特性面および高速連
続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。

【０１２８】一方、前述の表面層中の水素含有量が７１
原子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰
返し使用に耐えられなくなる。したがって、表面層中の
水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れ
た所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子の一
つである。表面層中の水素含有量は、Ｈ₂ ガスの流量、
支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得
る。

【０１２９】また、表面層中のフッ素含有量を０．０１
原子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン
原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成するこ
とが可能となる。さらに、表面層中のフッ素原子の働き
として、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素
原子の結合の切断を効果的に防止することができる。

【０１３０】一方、表面層中のフッ素含有量が１５原子
％を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合
の発生の効果およびシリコン原子と炭素原子の結合の切
断を防止する効果がほとんど認められなくなる。さらに
過剰のフッ素原子が表面層中のキャリヤの走行性を阻害
するため、残留電位や画像メモリが顕著に認められてく
る。したがって、表面層中のフッ素含有量を前述の範囲
内に制御することが所望の電子写真特性を得る上で重要
な因子の一つである。表面層中のフッ素含有量は、水素
含有量と同様にＨ₂ ガスの流量、支持体温度、放電パワ
ー、ガス圧等によって制御し得る。

【０１３１】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃ Ｈ₈ 、Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガ
ス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）
が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層作成
時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ
₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましいものとして挙げられる。ま
た、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ
₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用して
もよい。

【０１３２】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄ 、Ｃ₂ Ｈ₆ 、Ｃ₃ Ｈ₈ 、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る炭素水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、さらに層作成時の取扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点でＣＨ₄、Ｃ₂ Ｈ₆ が好ましいも
のとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料ガ
スを必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスによ
り希釈して使用してもよい。

【０１３３】窒素または酸素供給ガスとなり得る物質と
しては、ＮＨ₃ 、ＮＯ、Ｎ₂ Ｏ、ＮＯ₂ 、Ｈ₂ Ｏ、Ｏ
₂ 、ＣＯ、ＣＯ₂ 、Ｎ₂ 等のガス状態の、またはガス化
し得る化合物が有効に使用されるものとして挙げられ
る。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要
に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈し
て使用してもよい。

【０１３４】また、形成される表面層１１０４中に導入
される水素原子の導入割合の制御を一層容易になるよう
に図るために、これらのガスにさらに水素ガスまたは水
素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成
することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく
所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものであ
る。

【０１３５】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン
を含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン
誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物
が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子と
ハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化
し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効な
ものとして挙げることができる。本発明において好適に
使用し得るハロゲン化合物としては、具体的にはフッ素
ガス（Ｆ₂ ）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃ 、ＢｒＦ₃ 、
ＢｒＦ₅ 、ＩＦ₃ 、ＩＦ₇ 等のハロゲン間化合物を挙げ
ることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわ
ゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、
具体的には、例えばＳｉＦ₄ 、Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等のフッ化珪
素が好ましいものとして挙げることができる。

【０１３６】表面層１１０４中に含有される水素原子お
よび／またはハロゲン原子の量を制御するには、例えば
支持体１１０１の温度、水素原子および／またはハロゲ
ン原子を含有させるために使用される原料物質の反応容
器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。

【０１３７】炭素原子および／または酸素原子および／
または窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有され
てもよいし、表面層に層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布を持たせた部分があってもよい。

【０１３８】さらに本発明においては、表面層１１０４
には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させるこ
とが好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１１０
４中に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよい
し、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有して
いる部分があってもよい。

【０１３９】前述の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導性を与える周期律表III ｂ族に属する原子
（以下「第III ｂ族原子」という）またはｎ型伝導特性
を与える周期律表Ｖｂ族に属する原子（以下「第Ｖｂ族
原子」という）を用いることができる。

【０１４０】第III ｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａ）、ガイルム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【０１４１】表面層１０４に含有される伝導性を制御す
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１×
１０³ 原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×１
０²原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０² 原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、
たとえば、第III ｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第III ｂ族原子導入
用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質を
ガス状態で反応容器中に、表面層１１０４を形成するた
めの他のガスとともに導入してやればよい。第III ｂ族
原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原
料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のま
たは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが望ましい。そのような第III ｂ族原
子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用
としては、Ｂ₂ Ｈ₆ 、Ｂ₄ Ｈ₁₀、Ｂ₅ Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、
Ｂ₆ Ｈ₁₀、Ｂ₆ Ｈ₁₂、Ｂ₆ Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ
₃ 、ＢＣｌ₃ 、ＢＢｒ₃ 等のハロゲン化硼素等が挙げら
れる。この他、ＡｌＣｌ₃ 、ＧａＣｌ₃ 、Ｇａ（ＣＨ
₃ ）₃ 、ＩｎＣｌ₃ 、ＴｌＣｌ₃ 等も挙げることができ
る。

【０１４２】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃ 、Ｐ
₂ Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ、ＰＦ₃ 、ＰＦ₅ 、ＰＣ
ｌ₃、ＰＣｌ₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ₅ 、ＰＩ₃ 等のハロ
ゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃ 、ＡｓＦ₃ 、
ＡｓＣｌ₃ 、ＡｓＢｒ₃ 、ＡｓＦ₅ 、ＳｂＨ₃ 、ＳｂＦ
₃ 、ＳｂＦ₅ 、ＳｂＣｌ₃ 、ＳｂＣｌ₅ 、ＢｉＨ₃ 、Ｂ
ｉＣｌ₃ 、ＢｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。

【０１４３】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１４４】本発明における表面層１１０４の層厚とし
ては、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μ
ｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ましいもの
である。層厚が０．０１μｍよりも薄いと感光体を使用
中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまい、３μ
ｍを超えると残留電位の増加等の電子写真特性の低下が
みられる。

【０１４５】本発明による表面層１１０４は、その要求
される特性が所望通りに与えられるように注意深く形成
される。すなわち、Ｓｉ、Ｃおよび／またはＮおよび／
またはＯ、Ｈおよび／またはＸを構成要素とする物質は
その形成条件によって構造的には結晶からアモルファス
シリコンまでの形態を取り、電気物性的には導電性から
半導体性、絶縁性までの間の性質を、また、光導電的性
質から非光導電的性質までの間の性質を各々示すので、
本発明においては、目的に応じた所望の特性を有する化
合物が形成されるように、所望に従ってその形成条件の
選択が厳密になされる。

【０１４６】例えば、表面層１１０４を耐圧性の向上を
主な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁
性的挙動の顕著な非単結晶材料として作成される。

【０１４７】また、連続繰り返し使用特性や使用環境特
性の向上を主たる目的として表面層１１０４が設けられ
る場合には、上述の電気絶縁性の度合いはある程度緩和
され、照射される光に対してある程度の感度を有する非
単結晶材料として形成される。

【０１４８】さらに、本発明にかかる帯電装置において
は、表面層の低抵抗による画像流れを防止し、あるいは
残留電位等の影響を防止するために、一方では帯電効率
を良好にするために、層作成に際して、その抵抗値を適
宜に制御することが好ましい。

【０１４９】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１１０４を形成するには、支持体１１０１の温度、
反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定する
必要がある。

【０１５０】支持体１１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場
合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３
０〜３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望
ましい。

【０１５１】反応容器内のガス圧も同様に層設計に従っ
て適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１０^-4
〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒｒ、
最適には１×１０^-3〜１０Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。

【０１５２】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前述し
た範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決
められるものではなく、所望の特性を有する感光体を形
成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値を決
めるのが望ましい。

【０１５３】さらに本発明においては、光導電層と表面
層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表
面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設け
ることも帯電能等の特性をさらに向上させるためには有
効である。

【０１５４】また、表面層１１０４と光導電層１１０３
との間に炭素原子および／または酸素原子および／また
は窒素原子の含有量が光導電層１１０３に向かって減少
するように変化する領域を設けてもよい。これにより表
面層と光導電層の密着性を向上させ、界面での光の反射
による干渉の影響をより少なくすることができる。 ［電荷注入阻止層」本発明の画像形成装置用感光体にお
いては、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支持
体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻
止層を設けるのが一層効果的である。すなわち、電荷注
入阻止層は感光層が一定極性の帯電処理をその自由表面
に受けた際、支持体側から光導電層側に電荷が注入され
るのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受け
た際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性
依存性を有している。このような機能を付与するため
に、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電
層に比べ比較的多く含有させる。

【０１５５】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子は、この層中に万遍なく均一に分布されてもよ
いし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはいる
が、不均一に分布する状態で含有している部分があって
もよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く
分布するように含有させるのが好適である。しかしなが
ら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向にお
いては、均一な分布で万遍なく含有されることが面内方
向における特性の均一化を図る点からも必要である。

【０１５６】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導性を与える周期律表II
I 族に属する原子（以後「第III 族原子」という）また
はｎ型伝導特性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以
下「第Ｖ族原子」という）を用いることができる。

【０１５７】第III 族原子としては、具体的には、Ｂ
（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリルム）、
Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具
体的にはＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモ
ン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【０１５８】本発明において電荷注入阻止層中に含有さ
れる伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成できるように所望に従って適宜決定
されるが、好ましくは１０〜１×１０⁴ 原子ｐｐｍ、よ
り好適には５０〜５×１０³原子ｐｐｍ、最適には１×
１０² 〜１×１０³ 原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

【０１５９】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子および酸素原子の少なくとも一種を含有させる
ことによって、電荷注入阻止層に直接接触して設けられ
る他の層との間の密着性の一層の向上を図ることができ
る。

【０１６０】この層に含有される炭素原子または窒素原
子または酸素原子は、この層中に万遍なく均一に分布さ
れてもよいし、あるいは層厚方向には万遍なく含有され
てはいるが、不均一に分布する状態で含有している部分
があってもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持
体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍
なく含有されることが面内方向における特性の均一化を
図る点からも必要である。

【０１６１】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子および／または窒素原子および／
または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達
成されるように適宜決定されるが、一種の場合はその量
として、二種以上の場合はその総和として、好ましくは
１×１０^-3〜５０原子％、より好適には５×１０^-3〜３
０原子％、最適に１×１０^-2〜１０原子％とされるのが
望ましい。

【０１６２】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子および／またはハロゲン原子は層内に
存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。
電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるい
は水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１
〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には
１０〜３０原子％とするのが望ましい。

【０１６３】本発明において、電荷注入阻止層の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、および経済的効果
等の点から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは
０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとされるのが
望ましい。

【０１６４】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。

【０１６５】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層１１０５を形成するには、光導電層１１０
３と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、
反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１１０１
の温度を適宜設定することが必要である。

【０１６６】希釈ガスであるＨ₂ および／またはＨｅの
流量は、層設計に従って適宜最適範囲が選択されるが、
Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂ および／またはＨｅを、通常
の場合１〜２０倍、好ましくは３〜１５倍、最適には５
〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。

【０１６７】反応容器内のガス圧も同様に層設計に従っ
て適宜範囲が選択されるが、通常の１×１０^-4〜１０Ｔ
ｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には
１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好ましい。

【０１６８】放電電力もまた同様に層設計に従って適宜
最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対
する放電電力を、通常の場合１〜７倍、好ましくは２〜
６倍、最適には３〜５倍の範囲に設定することが望まし
い。

【０１６９】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
に従って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好
ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３
３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。

【０１７０】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前述した範囲が挙げら
れるが、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する表面
層を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層
作成ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

【０１７１】このほかに、本発明の画像形成装置用感光
体においては、感光層１１０２の支持体１１０１側に、
少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子
および／またはハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布
状態で含有する層領域を有することが望ましい。

【０１７２】また、本発明の画像形成装置用感光体にお
いては、支持体１１０１と光導電層１１０３あるいは電
荷注入阻止層１１０５との間の密着性の一層の向上を図
る目的で、例えば、Ｓｉ３₃ Ｎ₄ 、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ、
あるいはシリコン原子を母体とし、水素原子および／ま
たはハロゲン原子と、炭素原子および／または酸素原子
および／または窒素原子とを含む非晶質材料等で構成さ
れる密着層を設けてもよい。さらに、前述のごとく、支
持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するため
の光吸収層を設けてもよい。

【０１７３】次に、感光層を形成するための装置および
膜形成方法について詳述する。

【０１７４】図２は電源周波数としてＲＦ帯を用いた高
周波プラズマＣＶＤ法（以下「ＲＦ−ＰＣＶＤ」とい
う）による画像形成装置用感光体の製造装置の一例を示
す模式的な構成図である。同図に示す製造装置の構成は
以下の通りである。

【０１７５】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガス供給装置２２００、反応容器２１１１内を
減圧するための排気装置（不図示）から構成されてい
る。堆積装置２１００中の反応容器２１１１内には円筒
状支持体２１１２、支持体加熱用ヒータ２１１３、原料
ガス導入管２１１４が設置され、さらに高周波マッチン
グボックス２１１５が接続されている。

【０１７６】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄ 、
ＧｅＨ₄ 、Ｈ₂ 、ＣＨ₄ 、Ｂ₂ Ｈ₆、ＰＨ₃ 等の原料ガ
スのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２
３６、流入バルブ２２４１〜２２４６、流出バルブ２２
５１〜２２５６およびマスフローコントローラ２２１１
〜２２１６から構成され、各原料ガスのボンベは補助バ
ルブ２２６０を介して反応容器２１１１内の原料ガス導
入管２１１４に接続されている。

【０１７７】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。

【０１７８】まず、反応容器２１１１内に円筒状支持体
２１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１１１内を排気する。つづいて、
支持体加熱用ヒータ２１１３により円筒状支持体２１１
２の温度を２００〜３５０℃の所定の温度に制御する。

【０１７９】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ２
１１８を開いて反応容器２１１１およびガス配管２１１
６内を排気する。

【０１８０】次に真空計２１１９の読みが約５×１０^-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バル
ブ２２５１〜２２５６を閉じる。

【０１８１】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６に
より各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入
し、圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２
ｋｇ／cm² に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２
２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントロー
ラ２２１１〜２１６内に導入する。

【０１８２】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。

【０１８３】円筒状支持体２１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管２
１１４を介して反応容器２１１１内に導入する。次にマ
スフローコントローラ２２１１〜２２１６によって各原
料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反
応容器２１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力
になるように真空計２１１９を見ながらメインバルブ２
１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、周
波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電
力に設定して、高周波マッチングボックス２１１５を通
じて反応容器２１１１内にＲＦ電力を導入し、グロー放
電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器
２１１１内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支
持体２１１２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜
が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われ
た後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブ２２５１〜２
２５６を閉じて反応容器２１１１へのガスの流入を止
め、堆積膜の形成を終える。

【０１８４】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層が形成される。

【０１８５】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることはいうま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器２１１１
内、流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器２１１
１に至るガス配管２１１６内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バル
ブ２２６０を開き、さらにメインバルブ２１１８を全開
にして系内を一旦、高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

【０１８６】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行っている間は、円筒状支持体２１１２を駆動装置
（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効
である。

【０１８７】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の作製条件にしたがって変更が加えられること
はいうまでもない。

【０１８８】次に、電源にＶＨＦ帯の周波数を用いた高
周波プラズマＣＶＤ（以下「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」とい
う）法によって形成される画像形成装置用感光体の製造
方法について説明する。

【０１８９】前述の図２に示した製造装置におけるＲＦ
−ＰＣＶＤ法による堆積装置２１００を図３に示す堆積
装置３１００に交換して原料ガス供給装置２２００（図
３では不図示）と接続することにより、図３に示すＶＨ
Ｆ−ＰＣＶＤ法による以下の構成の画像形成装置用感光
体製造装置を得ることができる。

【０１９０】この装置は大別すると、真空密化構造の、
減圧にし得る反応容器３１１１、原料ガスの供給装置２
２００、および反応容器３１１１内を減圧にするための
排気装置（不図示）から構成されている。反応容器３１
１１内には円筒状支持体３１１２、支持体加熱用ヒータ
３１１３、原料ガス導入管３１１４、電極が設置され、
電極にはさらに高周波マッチングバックス３１１６が接
続されている。また、反応容器３１１１内は排気管３１
２１を通じて不図示の拡散ポンプに接続されている。

【０１９１】原料ガス供給装置２２００（図２参照）
は、ＳｉＨ₄ 、ＧｅＨ₄ 、Ｈ₂ 、ＣＨ₄ 、Ｂ₂ Ｈ₆ 、Ｐ
Ｈ₃ 等の原料ガスのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ
２２３１〜２２３６、流入バルブ２２４１〜２２４６、
流出バルブ２２５１〜２２５６およびマスフローコント
ローラ２２１１〜２２１６から構成され、各原料ガスの
ボンベは補助バルブ２２６０を介して反応容器３１１１
内のガス導入管３１１４に接続されている。また、円筒
状支持体３１１２によって取り囲まれた空間３１３０が
放電空間を形成している。

【０１９２】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆
積膜の形成は、以下のように行うことができる。

【０１９３】まず、反応容器３１１１内に円筒状支持体
３１１２を設置し、支持体回転用モータ（駆動装置）３
１２０によって円筒状支持体３１１２を回転し、不図示
の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器３１１
１内を排気管３１２１を介して排気し、反応容器３１１
１内の圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に調整する。つづ
いて、支持体加熱用ヒータ３１１３により円筒状支持体
３１１２の温度を２００〜３５０℃の所定の温度に加熱
保持する。

【０１９４】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２
４６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（不図示）を開いて反応容器３１１１およびガス配管２
１１６内を排気する。

【０１９５】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じる。

【０１９６】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／cm² に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２４
６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ２
２１１〜２２１６内に導入する。

【０１９７】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下のようにして円筒状支持体３１１２上に各層の
形成を行う。

【０１９８】円筒状支持体３１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ２２２１〜２２２６から所定のガスを原料ガス導入
管３１１４を介して反応容器３１１１内の放電空間３１
３０に導入する。次にマスフローコントローラ２２１１
〜２２１６によって各原料ガスが所定の流量になるよう
に調整する。その際、放電空間３１３０内の圧力が１Ｔ
ｏｒｒ以下の所定の圧力なるように真空計（不図示）を
見ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。

【０１９９】圧力が安定したところで、周波数５００Ｍ
ＨｚのＶＨＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、
マッチングボックス３１１６を通じて放電空間３１３０
にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。この
ようにして円筒状支持体３１１２によって取り囲まれた
放電空間３１３０において、導入された原料ガスは、放
電エネルギーにより励起されて解離し、円筒状支持体３
１１２上に所定の堆積膜が形成される。この時、層形成
の均一化を図るため支持体回転用モータ３１２０によっ
て、所望の回転速度で回転させる。

【０２００】所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電
力の供給を止め、流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じ
て反応容器３１１１へのガスの流入を止め、堆積膜の形
成を終える。

【０２０１】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層が形成される。

【０２０２】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられていることはいうまで
もなく、また、それぞれのガスが反応容器３１１１内、
流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器３１１１に
至るガス配管２１１６内に残留することを避けるため
に、流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ
２２６０を開き、さらにメインバルブ（不図示）を全開
にして系内を一旦、高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

【０２０３】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作製条件にしたがって変更が加えられることはいうま
でもない。

【０２０４】いずれの方法においても、堆積膜形成時の
円筒状支持体２１１２、３１１２の温度は、特に２００
℃以上３５０℃以下、好ましくは２３０℃以上３３０℃
以下、より好ましくは２５０℃以上３００℃以下が好ま
しい。

【０２０５】円筒状支持体の加熱方法は、真空仕様であ
る発熱体であればよく、より具体的にはシース状ヒータ
の巻き付けヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ等の
電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱
放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とした熱交換手
段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミック、耐熱性高分子樹脂等を使用することが
できる。

【０２０６】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で円筒状
支持体を搬送する等の方法が用いられる。

【０２０７】また、特にＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において、
放電空間の圧力として、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上５
００ｍＴｏｒｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上
３００ｍＴｏｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以
上１００ｍＴｏｒｒ以下に設定することが望ましい。

【０２０８】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間３１
３０に設けられる電極の大きさおよび形状は、放電を乱
さないならばいずれのものでもよいが、実用上は直径１
ｍｍ以上１０cm以下の円筒状が好ましい。この時、電極
の長さも円筒状支持体３１１２に電界が均一にかかる長
さであれば任意に設定できる。

【０２０９】電極の材質としては、表面が導電性となる
ものならばいずれのものでもよく、例えば、ステンレ
ス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、
Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または
表面を導電処理したガラス、セラミック、プラスチック
等が通常使用される。

【０２１０】以上述べてきた内容を単独であるいは組み
合わせて実施することにより、優れた効果を引き出すこ
とが可能である。

【０２１１】図１０にその一例を示す。１００１は像担
持体（被帯電体）である感光ドラムであり、矢印Ａ方向
に所定の周速度（プロセススピード）にて回転駆動され
るドラム型の電子写真感光体である。

【０２１２】感光体の表面層の抵抗値は、その電荷保持
能、帯電効率等の電気的特性を良好に有し、電圧により
表面層が損傷する、いわゆるピンホールリークを防止す
るために、１×１０¹⁰〜５×１０¹⁵Ω・cmなる抵抗を有
することが好ましい。より好ましくは１×１０¹²〜１×
１０¹⁴Ω・cmである。抵抗値の測定はＨＩＯＫＩ社（メ
ーカ）製のＭΩテスターで０．２５〜１ｋＶの印加電圧
における測定にて行った。

【０２１３】１００２は前述の帯電キャリヤを用いた接
触帯電部材であり、多極磁性体１００２−２およびその
面上に形成した帯電キャリヤからなるブラシ層１００２
−１とからなる。また、多極磁性体１００２−２上にブ
ラシ層１００２−１を構成した後の印加電圧がブラシ層
１００２−１の各部に良好に印加されるように、例えば
銅テープやアルミニウムテープ（３Ｍ社製ｅｌｅｃｔｒ
ｉｃａｌテープ１１８１、同１１７０）等の透磁性、導
電性のテープを張る、あるいは上述のごとく透磁性の導
電層を形成する等してもよい。

【０２１４】ブラシ層１００２−１は、前述のごとく磁
性フィライトや磁性マグ、磁性トナーのキャリヤ等の帯
電キャリヤで構成される。

【０２１５】帯電部材１００２のブラシ層１００２−１
の抵抗値は、良好な帯電効率を保持するため、一方では
ピンホール防止のためにＨＩＯＫＩ社（メーカ）製のＭ
Ωテスターで０．２５〜１ｋＶの印加電圧における測定
にて、１×１０³ 〜１×１０¹²Ω・cmなる抵抗を有する
ことが好ましい。より好ましくは１×１０⁴ 〜１×１０
⁸ Ω・cmである。

【０２１６】感光ドラム１００１と接触帯電部材１００
２の最近接間隙は、そのニップ制御のために５０〜２０
００μｍの範囲にスペーサ（不図示）等で安定的に設定
されることが好ましく、より好ましくは１００〜１００
０μｍである。その他に、ニップ調整用にブレード等の
機構を設けてもよい。

【０２１７】１００３は帯電部材１００２に対する電圧
印加電源であり、この電源１００３により直流電圧Ｖ_dc
が帯電部材１００２の帯電キャリヤからなるブラシ層１
００２−１に印加されて、回転駆動されている感光ドラ
ム１００１の外周面が均一に帯電される。

【０２１８】さらに、原稿画像の反射光１００５が感光
ドラム１００１上に照射されることで静電潜像が形成さ
れる。この潜像は、現像剤が塗布された現像スリーブ１
００６によってトナー画像として顕画像化され、その
後、トナー画像は転写材１００７上に転写部材１００８
を介して転写される。転写残トナーは、クリーニングブ
レード１００９によって感光ドラム１００１表面から除
去される。一方、転写材１００７は転写装置１０１０に
よって表面にトナー画像が定着された後装置本体外部に
排出される。また、画像形成中（コピー中）の紙間につ
いては、１０２０のブランク露光光源から感光ドラム１
００１上に強露光を照射することで、その部分の電位を
除去し、紙間のトナーの消費を抑える。

【０２１９】以下、さらに具体的に数値を挙げて、本発
明にかかる画像形成装置について詳述する。ただし、本
発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。 （請求項１、２、５に対応する実施の形態）図２に示す
ＲＦ−ＰＣＶＤ法による画像形成装置用感光体の製造装
置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリダー上に、図１４に示す条件で電荷注入阻止
層、光導電層、表面層からなる感光体を作製した。さら
に光導電層のＳｉＨ₄ とＨ₂ との混合比ならびに放電電
力を変えることによって、種々の感光体を作製した。

【０２２０】作製した感光体を画像形成装置（キヤノン
製ＮＰ６０６０をテスト用に改造）にセットして、帯電
能の温度依存性（温度特性）、メモリならびに画像欠陥
を評価した。

【０２２１】温度特性は、感光体の温度を室温から約４
５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度１℃当
たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ以下を合
格と判定した。

【０２２２】また、メモリ、画像流れについては、画像
を目視により判定し、１：非常に良好、２：良好、３：
実用上問題なし、４：実用上やや難ありの４段階にラン
ク分けした。

【０２２３】一方、円筒形のサンプルホルダーに設置し
たガラス基板（コーンニング社７０５９）ならびにＳｉ
ウエハー上に、光導電層の作製条件で膜厚約１μｍのａ
−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの
櫛型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネ
ルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（Ｄ．Ｏ．Ｓ）を測定
し、Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水素
量を測定した。

【０２２４】このときのＥｕと温度特性との関係を図４
に、Ｄ．Ｏ．Ｓとメモリランクとの関係を図５に、Ｄ．
Ｏ．Ｓと画像流れランクとの関係を図６にそれぞれ示
す。いずれのサンプルも水素含有量は１０〜３０原子％
の間であった。

【０２２５】図４、図５ならびに図６から明らかなよう
に、Ｅｕ＝５０〜６０ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓ＝１×１０¹⁴
〜１×１０¹⁶cm^-3の範囲にすることが良好な電子写真特
性を得るために必要であることがわかった。また、同様
に表面層のサンプルを作製し、櫛型電極を用いて抵抗値
の測定を行った。

【０２２６】つづいて、接触帯電部材を以下の条件で作
製した。

【０２２７】多極磁性体はプラスチックマグネットを前
述の要領でφ１８ｍｍのローラ状に構成した。その磁極
数はニップ幅内で複数存在するように構成することが好
ましい。本実施の形態では６〜１８極の複数の磁極数を
設定し作製した。

【０２２８】ブラシ層は、５〜３５μｍの磁性酸化鉄等
のキャリヤと１〜５μｍの小粒径マグ等の磁性粉を、所
定の比で混合したものを帯電キャリヤとして使用した。
この帯電キャリヤは一般にトナーに利用される周知のキ
ャリヤと同成分のものでもよい。また、ニップ幅は６〜
７ｍｍとした。

【０２２９】作製した感光体と帯電部材を図１０に示し
たような画像形成装置（キヤノン製ＮＰ６０６０をテス
ト用に改造）にセットして、帯電能力を評価した。結果
を図１２に示す。帯電部材の抵抗値が、１×１０³ 〜１
×１０¹²Ω・cmなる抵抗を有するとき、良好な帯電が得
られた。より好ましくは、１×１０⁴ 〜１×１０⁹ Ω・
cmのときに良好な帯電特性、および画像流れ等の環境特
性が得られた。

【０２３０】帯電部材抵抗が１×１０³ Ω・cm未満だっ
た場合は、異常放電、ピンホールが発生し感光体が破損
した。また、１×１０¹²Ω・cm以上だった場合は帯電効
率低下、注入による帯電が殆ど生じなかった。

【０２３１】前述の感光体の中から下記ａからｆを用
い、前述の帯電部材の中から下記ＡからＨを用いて、図
１０に示すような画像形成装置（キヤノン製ＮＰ６０６
０をテスト用に改造）を用い、温度２３℃、湿度６０％
ＲＨの環境で１０万枚の耐刷試験を行い、前後の画質を
比較した。結果を図１５に示す。

【０２３２】帯電部材への印加電圧条件は、６００
Ｖ_dc。また、コピー中においては、接触帯電部材の磁極
と被帯電部材との距離が最小になるように固定し、紙間
においては、接触帯電部材に印加する電圧を切り、接触
帯電部材をプロセススピード２５０ｍｍ／sec で回転さ
せた。なお、磁気ブラシ、すなわち帯電部材は固定して
耐久試験を行った。

【０２３３】感光体の条件は、 ａ：Ｅｕは４７ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓは９×１０¹⁵cm^-3 ｂ：Ｅｕは５０ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓは２×１０¹⁴cm^-3 ｃ：Ｅｕは５２ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓは２×１０¹⁵cm^-3 ｄ：Ｅｕは５５ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓは６×１０¹⁴cm^-3 ｅ：Ｅｕは５８ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓは８×１０¹⁵cm^-3 ｆ：Ｅｕは６４ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓは１×１０¹⁶cm^-3 本発明の接触帯電部材の多極磁性体、ブラシ層の条件
は、 Ａ：７×１０² Ω・cm １８局構造 Ｂ：６×１０⁷ Ω・cm １８局構造 Ｃ：５×１０¹⁰Ω・cm １８局構造 Ｄ：３×１０¹³Ω・cm １８局構造 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− Ｅ：５×１０¹⁰Ω・cm １０局構造 Ｆ：５×１０¹⁰Ω・cm ８局構造 Ｇ：５×１０¹⁰Ω・cm ６局構造 Ｈ：５×１０¹⁰Ω・cm ３局構造 以上の結果より、磁極間隔はニップ幅以内となると耐久
特性が優れていることが判明した。

【０２３４】さらに、サブバンドギャップ光吸収スペク
トルから得られる指数関数裾の特性エネルギが５０〜６
０ｍｅＶ、かつ局在状態密度が１×１０¹⁴〜１×１０¹⁶
cm^-3であること、ブラシ層が、１×１０³ 〜１×１０¹²
Ω・cmなる抵抗を有することが好適条件であることが判
明した。６００Ｖ_dc印加で帯電直後でＴＲｅｋ社（メー
カー）製表面電位計にて測定したところ、暗状態電位が
５５０〜６００Ｖであった。 〈実施の形態２〉次に、請求項１、２、３、４に対応す
る実施の形態２を示す。

【０２３５】図２に示す製造装置を用い、図１６に示す
作製条件で画像形成装置用感光体を作製した。このとき
の光導電層のＥｕとＤ．Ｏ．Ｓは、それぞれ５５ｍｅ
Ｖ、２×１０¹⁵cm^-3であった。

【０２３６】これに、磁極を１２極有する構成にした磁
性体と、実施の形態１同様キャリヤと磁性粉からなるブ
ラシ層を有する磁極ブラシを帯電部材Ｉとして作製し
た。抵抗は５×１０⁸ Ω・cmであった。帯電部材への印
加電圧条件は、６００Ｖ_dc。プロセススピードは２５０
ｍｍ／sec で、帯電部材を感光体との当接面で周速比が
１５０％となるように同方向に回転させた（当接面では
各々同方向に移動している：図１（ｂ）の矢印方向）。
実施の形態１と同様の評価をしたところ、良好な画像が
得られた。

【０２３７】帯電部材をコピー中にその磁極が被帯電部
材に最も近づくように向けて停止させることにより、こ
の帯電部材が回転する場合における磁極間のブラシ密度
の小さい部分による帯電ムラが生じず、画像の横方向の
濃度ムラが生じなかった。 〈実施の形態３〉次に、請求項１、２、３に対応する実
施の形態３を示す。

【０２３８】多極磁性体の磁極を図１３（ａ）に示した
ような構成にし、この磁極に沿う形で高さ１０〜１００
μｍの凸部を設けた。ブラシ層は実施の形態２と同様の
ものを用いた。この帯電部材を電圧印加中は被帯電部材
に最も近づくように向けて固定した。また、紙間に相当
する部分では、電圧印加を切り、帯電部材を所定の速度
で、感光体と逆方向に回転させる（感光体との当接面で
は各々同方向に移動する：図１（ｂ）の矢印方向）よう
にした。ブラシ層の抵抗は３×１０⁸ Ω・cmであった。

【０２３９】帯電部材への印加電圧条件は、６００Ｖ_dc
とした。また、プロセススピードは２００ｍｍ／sec で
行った。

【０２４０】これに、実施の形態２と同様の感光体を用
い、実施の形態１と同様の評価をしたところ、耐久後で
は実施の形態１よりもさらに良好な画像が得られた。

【０２４１】これは、以下の作用によるものと考えられ
る。

【０２４２】帯電キャリヤの減少の大きな要因として、
感光体による電界によって磁極が弱い部分の帯電キャリ
ヤがドラム面上に移動して帯電キャリヤの損失が生ずる
ということが挙げられる。しかし、図３のような構成に
することで、磁極部分は感光体に隣接し、また磁極がな
い部分は感光体から離れる、さらに電圧印加中において
は、帯電部材の磁極が被帯電部材の最も接近する方向に
向けて固定するため、磁極がない部分の帯電キャリヤが
感光体表面に移動することがなくなり、帯電キャリヤを
保持、抑制する効果が増加する。

【０２４３】本実施の形態の構成では、紙間において帯
電部材を回転させ磁極部に穂立ち状態の磁性粉等の帯電
キャリヤを長軸方向で均すことを行い、またその間は、
電圧印加を止めているので、磁極がない部分が感光体に
最も接近した場合でも、感光体が電界を有していないの
で感光体に帯電キャリヤが移動することがなく帯電キャ
リヤの減少を有効に防止できる。 〈実施の形態４〉外径８０ｍｍ×長さ３５８ｍｍのアル
ミニウムシリンダーを基体とし、これにアルコキシメチ
ル化ナイロンの５％メタノール溶液を浸漬法で塗布し
て、膜厚１μｍの下引き層（中間層）を設けた。

【０２４４】次にチタニルフタロシアニン顔料を１０部
（重量部、以下同様）、ポリビニルブチラール８部、お
よびシクロヘキサノン５０部を直径１ｍｍのガラスビー
ズ１００部を用いたサンドミル装置で２０時間混合分散
した。この分散液にメチルエチルケント７０〜１２０
（適宜）部を加えて下引き層上に塗布し、１００℃で５
分間乾燥して０．２μｍの電荷発生層を形成させた。

【０２４５】次にこの電荷発生層の上に、図１７に示す
構造式を有するスチリル化合物１０と、ビスフェノール
Ｚ型ポリカーボネート１０部をモノクロルベンゼン６５
部に溶解した。この溶液をディッピング法によって基体
上に塗布し、１２０℃で６０分間の熱風乾燥させて、２
０μｍ厚の電荷輸送層を形成させた。

【０２４６】次にこの電荷輸送層の上に以下の方法で膜
厚１．０μｍの表面層を設けた。

【０２４７】酸成分としてテレフタル酸を、またグリコ
ール成分としてエチレングリコールを用いて得られた高
融点ポリエチレンテレフタレート（Ａ）［極限粘度０．
７ｄｌ／ｇ、融点２５８℃（示差熱測定器を用いて１０
℃／ｍｉｎの昇温速度で測定した。また、測定サンプル
は５ｍｇで、測定しようとするポリエステル樹脂を２８
０℃で溶融後、０℃の氷水で急冷して作製した）、ガラ
ス点移転温度７０℃］１００部とエポキシ樹脂（Ｂ）
［エポキシ当量１６０：芳香族エステルタイプ：商品
名：エピコート１９０Ｐ（油化シェルエポキシ社製）］
３０部とをフェノールとテトラクロロエタン（１：１）
混合液１００ｍｌに溶解させた。さらに上述の溶液中に
電荷保持粒子として、ＳｎＯ₂ 粉を６０ｗｔ％混入し
た。次いで光重合開始剤としてトリフェニルスルフォニ
ウムヘキサフルオロアンチモネート（Ｃ）３部を添加し
て樹脂組成物溶液を調製した。

【０２４８】光の照射条件としては、２ｋＷ 高圧水銀
灯（３０Ｗ／cm）を２０cm離した位置から１３０℃で８
秒間照射して硬化させた。

【０２４９】このようにして作製した感光ドラムを、図
１０に示したような画像形成装置において、前述の帯電
部材Ａ〜Ｈを用いた。この条件下で、温度３０℃、湿度
８０％ＲＨの環境において１０万枚の耐刷試験を行い、
高湿画像流れ、およびまだらスジに着目し評価した。帯
電部材への印加電圧条件は、７００Ｖ_dc。プロセススピ
ード２００ｍｍ／sec で行った。帯電直後に測定した帯
電電位は６５０Ｖ以上であった。評価の結果を図１８に
示す。 〈実施の形態５〉実施の形態４で用いた保護層の代わり
に、電荷輸送層で用いたものと同じバインダーとして、
アクリル樹脂中にＳｎＯ₂ 粉を６０ｗｔ％混入し、層上
に膜厚１．０μｍになるように塗布して感光体表面層と
し、実施の形態４と同様に耐久テストを行った。結果を
図１８に示す。 〈比較例１〉実施の形態４で用いた感光体の保護層を用
いない以外には実施の形態５と同様の感光体を作製し、
実施の形態５と同様に耐久テストを行った。結果を図１
８に示す。

【０２５０】図１８より、被帯電体が、高融点ポリエス
テル樹脂、および硬化樹脂を含み、ＳｎＯ₂ 等の電荷保
持粒子を分散させた表面層、あるいはアクリル樹脂中に
ＳｎＯ₂ 等の電荷保持粒子を分散させた表面層を有する
ことが好適条件であることが判明した。 〈実施の形態６〉図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による
画像形成装置用感光体の製造装置を用い、実施の形態１
と同様に直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、図１９に示す条件で電荷
注入阻止層、光導電層、表面層からなる感光体を作製し
た。

【０２５１】さらに光導電層のＳｉＨ₄ とＨ₂ との混合
比、放電電力、支持体温度ならびに内圧を変えることに
より、種々の感光体を作製した。作製した感光体を画像
形成装置（キヤノン製ＮＰ６０６０をテスト用に改造）
にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、ブラ
ンク露光メモリならびにゴーストメモリを評価した。温
度特性ならびにメモリの評価は実施の形態１と同様にし
た。さらにハーフトーン画像の濃度ムラ（ガサツキ）を
メモリと同様、４段階のランク分けを行って評価した。

【０２５２】一方、光導電層の作製条件で、円筒形のサ
ンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社７
０５９）ならびにＳｉウエハー上に膜厚約１μｍのａ−
Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの櫛
型電極を蒸着して、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネ
ルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（Ｄ．Ｏ．Ｓ）を測定
し、Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水素
量ならびにＳｉ−Ｈ₂ 結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク
強度比を測定した。Ｅｕ、Ｄ．Ｏ．Ｓと温度特性、メモ
リ、画像流れとの関係は実施の形態１と同様であり、良
好な電子写真特性のためにはＥｕ＝５０〜６０ｍｅＶ、
Ｄ．Ｏ．Ｓ＝１×１０¹⁴〜１×１０¹⁶cm^-3であることが
必要であることがわかった。さらに、図７に示すＳｉ−
Ｈ₂ ／Ｓｉ−Ｈとガサツキとの関係から、Ｓｉ−Ｈ₂ ／
Ｓｉ−Ｈ＝０．２〜０．５の範囲にすることが必要であ
ることがわかった。

【０２５３】この感光体の内、Ｅｕ、Ｄ．Ｏ．Ｓおよび
Ｓｉ−Ｈ₂ ／Ｓｉ−Ｈが、各々５４ｍｅＶ、８×１０¹⁴
cm^-3、０．２９の感光体について、帯電部材Ｉを用い、
実施の形態２と同様の評価を行ったところ、良好な結果
を得た。 〈実施の形態７〉図３に示す画像形成装置用感光体の製
造装置を用い、図２０に示す作製条件で画像形成装置用
感光体を作製した。このときの光導電層のＥｕ、Ｄ．
Ｏ．ＳおよびＳｉ−Ｈ₂ ／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５３ｍ
ｅＶ、５×１０¹⁴cm^-3、０．２９であった。作製した画
像形成装置用感光体を帯電部材Ｉを用い、実施の形態６
と同様の評価をしたところ実施の形態６と同様に良好な
特性が得られた。 〈実施の形態８〉図３に示す画像形成装置用感光体の製
造装置を用い、図２１に示す作製条件で画像形成装置用
感光体を作製した。このときの光導電層のＥｕ、Ｄ．
Ｏ．ＳおよびＳｉ−Ｈ₂ ／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５６ｍ
ｅＶ、１．３×１０¹⁵cm^-3、０．３８であった。作製し
た画像形成装置用感光体を帯電部材Ｉを用い、実施の形
態６と同様の評価をしたところ実施の形態６と同様に良
好電子写真特性が得られた。 〈実施の形態９〉図３に示す画像形成装置用感光体の製
造装置を用い、図２２に示す作製条件で画像形成装置用
感光体を作製した。このときの光導電層のＥｕ、Ｄ．
Ｏ．ＳおよびＳｉ−Ｈ₂ ／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５９ｍ
ｅＶ、３×１０¹⁵cm^-3、０．４５であった。作製した画
像形成装置用感光体を帯電部材Ｉを用い、実施の形態４
と同様の評価をしたところ実施の形態４と同様に良好な
特性が得られた。

【０２５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は磁性粉体
（磁気ブラシ）を用いた接触帯電部材の多極磁性体の極
性を被帯電体の被帯電面（感光体表面）に最も接近させ
て使用することを主軸に、前述のごとき特定の構成とし
たことにより、極めて好適な画像安定化が達成された。

【０２５５】具体的には、第１に、帯電部材の多極磁性
体の磁極方向が感光体表面に最も接近する構成にした。
また磁極がニップ内に１個以上存在する構成にしたこ
と、また帯電部材を紙間においては回転させ、またその
間の電圧印加を止めることで、アナログ複写機のブラン
ク露光に相当した効果を出すとともに、母線方向での磁
性粉体（帯電キャリヤ）を均す結果を出す。電圧印加を
止めているので、帯電キャリヤの損失を抑えることがで
き、飛躍的に耐久性が向上した。また、同時に、アナロ
グ複写機で問題となるブランク露光メモリも当然解消さ
れる。よって、ブランク露光光源を複写機本体からなく
すことができる。また、これにより帯電キャリヤが現像
されてしまうこと、現像機中に混入し正規のトナー現像
が妨げられる等による画質の低下が防止され、メンテナ
ンスフリー化がさらに進んだ。

【０２５６】第２に、より効果的に帯電キャリヤ損失を
抑えるために長軸方向に磁極がある部分に凸を設けた機
構を設けることにより、帯電キャリヤの減少の大きな要
因である帯電部材への帯電キャリヤの移動を減少させ
た。

【０２５７】第３に、耐久性が向上した保護層に、さら
に温度特性や電気的特性を向上させた新規な被帯電体
（感光体）を組み合わせることにより、夜間通電無し、
省エネルギー、高画質保持のまま、高湿画像流れの除去
が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は実施の形態１における帯電部材、感光
ドラムの側面図。（ｂ）は実施の形態１における帯電部
材、感光ドラムの正面図。

【図２】本発明の画像形成装置用感光体の光受容層を形
成するための装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたグ
ロー放電法による画像形成装置用感光体の製造装置の模
式的説明図。

【図３】本発明の画像形成装置用感光体の光受容層を形
成するための装置の一例で、ＶＨＦ帯の高周波を用いた
グロー放電法による画像形成装置用感光体の製造装置の
模式的説明図。

【図４】感光体における光導電層のアーバックテイルの
特性エネルギ（Ｅｕ）と温度特性との関係を示す図。

【図５】感光体における光導電層の局在状態密度（Ｄ．
Ｏ．Ｓ）と光メモリとの関係を示す図。

【図６】感光体における光導電層の局在状態密度（Ｄ．
Ｏ．Ｓ）と画像流れとの関係を示す図。

【図７】感光体における光導電層のＳｉ−Ｈ₂ 結合とＳ
ｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比とハーフトーン濃度ムラ
（ガサツキ）との関係を示す図。

【図８】従来の画像形成装置の要部の構成を示す図。

【図９】従来の他の画像形成装置の要部の構成を示す
図。

【図１０】実施の形態１の画像形成装置の要部の構成を
示す図。

【図１１】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ感光体の構成を示
す部分断面図。

【図１２】磁気ブラシの抵抗と帯電状態との関係を示す
図。

【図１３】（ａ）は実施の形態３における帯電部材、感
光ドラムの側面図。（ｂ）は実施の形態３における帯電
部材、感光ドラムの正面図。

【図１４】実施の形態１における感光体の作製条件を示
す図。

【図１５】実施の形態１の帯電部材の耐刷試験前後の画
質を評価した図。

【図１６】実施の形態２における感光体の作製条件を示
す図。

【図１７】実施の形態４における電荷輸送層を構成する
スチリル化合物の構造式を示す図。

【図１８】実施の形態４、５の帯電部材の耐刷試験前後
の画質を評価した図。

【図１９】実施の形態６における感光体の作製条件を示
す図。

【図２０】実施の形態７における感光体の作製条件を示
す図。

【図２１】実施の形態８における感光体の作製条件を示
す図。

【図２２】実施の形態９における感光体の作製条件を示
す図。

【符号の説明】

１００ 接触帯電部材 １０１ 磁性粉体（ブラシ層） １０２ 多極磁性体（マグネットローラ） １０３ スペーサ １０４ 被帯電体（像担持体、感光体） １００１ 被帯電体（像担持体、感光体） １００２ 接触帯電部材 １００２−１ 磁性粉体（ブラシ層） １００２−２ 多極磁性体（マグネットローラ） １００３ 高圧電源 １１００ 感光体 １１０１ 支持体 １１０２ 感光層 １１０３ 光導電層 １１０４ 表面層 １１０５ 電荷注入阻止層 １１０６ 電荷発生層 １１０７ 電荷輸送層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円筒状の帯電部材を被帯電体の被帯電面
   に接触させるとともに、前記帯電部材に電圧を印加する
   ことで前記被帯電面を帯電させる帯電装置において、 前記帯電部材は、 周方向に複数の磁極を有する円筒状の多極磁性体と、 該多極磁性体表面と前記被帯電面とのギャップを規制す
   るスペーサと、 前記多極磁性体表面に担持されるとともに前記被帯電面
   に接触して該被帯電面との間に帯状のニップを構成する
   磁性粉体と、を有し、 前記多極磁性体の表面における、周方向に隣接する前記
   磁極間の距離を、前記ニップの周方向幅よりも小さく設
   定する、 ことを特徴とする帯電装置。
2. 【請求項２】 前記多極磁性体を回転可能に配設すると
   ともに、該多極磁性体、磁性粉体を介して前記被帯電面
   を帯電するときは、前記多極磁性体を、該多極磁性体の
   任意の１の磁極と前記被帯電面とのギャップが最小とな
   る位置に停止させる、 ことを特徴とする請求項１記載の帯電装置。
3. 【請求項３】 前記被帯電面の帯電不要領域が前記ニッ
   プを通過するときは、前記帯電部材に対する印加電圧を
   切るとともに、前記多極磁性体を回転させる、 ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の帯電装
   置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれか記載
   の被帯電体において、 導電性支持体と、 シリコン原子を母体として水素原子とハロゲン原子との
   うちの少なくとも一方を含有する非単結晶材料を含む光
   導電層および電荷を保持する機能を有する表面層を有す
   る光受容層とを備え、 前記光導電層が１０〜３０原子％の水素を含有し、 少なくとも光の入射する部分において、サブバンドギャ
   ップ光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エ
   ネルギが５０ｍｅＶ以上、６０ｍｅＶ以下であり、局在
   状態密度が１×１０¹⁴〜５×１０¹⁶cm^-3であり、 前記表面層の電気抵抗値が１×１０¹⁰〜５×１０¹⁵Ω・
   cmであることを特徴とする被帯電体。
5. 【請求項５】 前記表面層が、電荷保持粒子を含む、 ことを特徴とする請求項４記載の被帯電体。
6. 【請求項６】 請求項４または請求項５記載の被帯電体
   と、 請求項１ないし請求項３のいずれか記載の帯電装置と、 前記帯電装置によって帯電された前記被帯電体表面を露
   光して静電潜像を形成する潜像形成手段と、 前記静電潜像にトナーを付着させてトナー画像を形成す
   る現像手段と、 前記被帯電体表面のトナー画像を転写材に転写する転写
   手段とを、備える、 ことを特徴とする画像形成装置。