JPH09120171A - 光導電性画像形成部材 - Google Patents
光導電性画像形成部材Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシ
アニンの簡便で経済的な製造方法及び近赤外線に感光性
を有し、ゼログラフィック電気特性に優れた光導電性画
像形成部材を提供する。 【解決手段】 支持基体、光発生層、及び電荷輸送層、
特にアリールアミン正孔輸送層、を含む光導電性画像形
成部材であって、該光発生層が下記式のテトラフルオロ
ヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む。 【化１】
アニンの簡便で経済的な製造方法及び近赤外線に感光性
を有し、ゼログラフィック電気特性に優れた光導電性画
像形成部材を提供する。 【解決手段】 支持基体、光発生層、及び電荷輸送層、
特にアリールアミン正孔輸送層、を含む光導電性画像形
成部材であって、該光発生層が下記式のテトラフルオロ
ヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野及び従来技術】本発明は、概し
てヒドロキシガリウムフタロシアニン及びその光導電性
画像形成部材に関する。更に詳細には、本発明はテトラ
フルオロ置換フタロシアニン、その光導電性画像形成部
材、及びその製造方法に関する。具体例では、本発明の
方法は、フルオロフタロニトリルを、Ｎ−メチルピロリ
ドン、１−クロロナフタレンのようなハロナフタレン、
キノリン、好ましくは１−クロロナフタレン等のような
有機溶媒中でガリウムハライド好ましくはガリウムクロ
ライドと反応させ、先駆物質顔料テトラフルオロハロガ
リウムフタロシアニン、好ましくはテトラフルオロクロ
ロガリウムフタロシアニンを提供する工程、次に前記先
駆物質を加水分解又は酸ペースト化して、好ましくはテ
トラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンＩ型を
提供する工程；その次に、Ｉ型をＮ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアミノエタノール、イソプロパノー
ル、好ましくはＮ−メチルピロリドンのようなある種の
溶媒の存在下で混合して、使用される溶媒毎にテトラフ
ルオロヒドロキシガリウムフタロシアニン（高感度のＶ
型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンを
含む）の独特の多形となる工程と、を含む。本発明の具
体例は、Ｉ型、ＩＩ型、ＩＩＩ型、ＩＶ型及びＶ型のよ
うなある種のテトラフルオロヒドロキシガリウムフタロ
シアニン、その製造方法、及びその光導電性画像形成部
材に関する。更に、具体例では、本発明はテトラフルオ
ロヒドロキシガリウムフタロシアニンとヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンとの混合物、その製造方法、及びそ
の光導電性画像形成部材に関する。
てヒドロキシガリウムフタロシアニン及びその光導電性
画像形成部材に関する。更に詳細には、本発明はテトラ
フルオロ置換フタロシアニン、その光導電性画像形成部
材、及びその製造方法に関する。具体例では、本発明の
方法は、フルオロフタロニトリルを、Ｎ−メチルピロリ
ドン、１−クロロナフタレンのようなハロナフタレン、
キノリン、好ましくは１−クロロナフタレン等のような
有機溶媒中でガリウムハライド好ましくはガリウムクロ
ライドと反応させ、先駆物質顔料テトラフルオロハロガ
リウムフタロシアニン、好ましくはテトラフルオロクロ
ロガリウムフタロシアニンを提供する工程、次に前記先
駆物質を加水分解又は酸ペースト化して、好ましくはテ
トラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンＩ型を
提供する工程；その次に、Ｉ型をＮ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアミノエタノール、イソプロパノー
ル、好ましくはＮ−メチルピロリドンのようなある種の
溶媒の存在下で混合して、使用される溶媒毎にテトラフ
ルオロヒドロキシガリウムフタロシアニン（高感度のＶ
型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンを
含む）の独特の多形となる工程と、を含む。本発明の具
体例は、Ｉ型、ＩＩ型、ＩＩＩ型、ＩＶ型及びＶ型のよ
うなある種のテトラフルオロヒドロキシガリウムフタロ
シアニン、その製造方法、及びその光導電性画像形成部
材に関する。更に、具体例では、本発明はテトラフルオ
ロヒドロキシガリウムフタロシアニンとヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンとの混合物、その製造方法、及びそ
の光導電性画像形成部材に関する。
【０００２】本発明の具体例において本発明と関係する
利点の例は、注意深い目視検査で観察して、顔料Ｖ型テ
トラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む
光発生層のコーティングの優良な分散品質と、スペクト
ルの赤外領域、具体例では約５００〜約９００ｎｍに広
がるＶ型顔料のブロードなスペクトル応答と、例えば約
７５〜約１２５Ｖｃｍ2 ／ｅｒｇ、具体例では約１００
Ｖｃｍ2 ／ｅｒｇの高感光度のような優良なゼログラフ
ィック（静電複写）特性と、例えば約０〜約２０Ｖ／
秒、具体例では約１１Ｖ／秒の低い暗減衰と、例えば約
０〜約２０Ｖ、具体例では約１１Ｖの低い残留電圧と、
ＨＯＧａＰｃとの相溶性と、１ポット製造用の電位と、
を含む。
利点の例は、注意深い目視検査で観察して、顔料Ｖ型テ
トラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む
光発生層のコーティングの優良な分散品質と、スペクト
ルの赤外領域、具体例では約５００〜約９００ｎｍに広
がるＶ型顔料のブロードなスペクトル応答と、例えば約
７５〜約１２５Ｖｃｍ2 ／ｅｒｇ、具体例では約１００
Ｖｃｍ2 ／ｅｒｇの高感光度のような優良なゼログラフ
ィック（静電複写）特性と、例えば約０〜約２０Ｖ／
秒、具体例では約１１Ｖ／秒の低い暗減衰と、例えば約
０〜約２０Ｖ、具体例では約１１Ｖの低い残留電圧と、
ＨＯＧａＰｃとの相溶性と、１ポット製造用の電位と、
を含む。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は近赤外
線に感光度のある、改良された積層型光応答性画像形成
部材を提供することに関する。
線に感光度のある、改良された積層型光応答性画像形成
部材を提供することに関する。
【０００４】本発明の他の目的はＩ型、ＩＩ型、ＩＩＩ
型、ＩＶ型およびＶ型のテトラフルオロヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンの単純で経済的な製造方法を提供す
ることである。
型、ＩＶ型およびＶ型のテトラフルオロヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンの単純で経済的な製造方法を提供す
ることである。
【０００５】本発明の更なる目的は、ある新規のＩ型、
ＩＩ型、ＩＩＩ型、ＩＶ型およびＶ型のテトラフルオロ
ヒドロキシガリウムフタロシアニン、及びその光導電性
画像形成部材を提供することであり、得られる型（タイ
プ）はＸＲＰＤ（Ｘ線粉末回折）により決定され、その
型は例えば選択する溶媒に依存する。
ＩＩ型、ＩＩＩ型、ＩＶ型およびＶ型のテトラフルオロ
ヒドロキシガリウムフタロシアニン、及びその光導電性
画像形成部材を提供することであり、得られる型（タイ
プ）はＸＲＰＤ（Ｘ線粉末回折）により決定され、その
型は例えば選択する溶媒に依存する。
【０００６】本発明の更なる目的は、ヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン、特にＶ型と、テトラフルオロヒドロ
キシガリウムフタロシアニン、特にＶ型との混合物、そ
の製造方法、およびその光導電性画像形成部材を提供す
ることである。
ムフタロシアニン、特にＶ型と、テトラフルオロヒドロ
キシガリウムフタロシアニン、特にＶ型との混合物、そ
の製造方法、およびその光導電性画像形成部材を提供す
ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のこれらの及び他
の目的は、本発明の具体例においてテトラフルオロヒド
ロキシガリウムフタロシアニン、その製造方法、及びそ
の光導電性画像形成部材を提供することにより達成され
得る。具体例のフタロシアニンは図２乃至６に示され
る。また、具体例では、ヒドロキシフタロシアニンとテ
トラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンとの混
合物、及びその光導電性画像形成部材が提供される。本
発明の好適な具体例は、テトラフルオロヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンＶ型、およびヒドロキシガリウムフ
タロシアニンＶ型とのその混合物、例えば置換フタロシ
アニン約１〜約９９重量％、好ましくは約４０〜約７０
重量％と、無置換ヒドロキシガリウムフタロシアニン、
特にＶ型、約１〜約９９重量％、好ましくは約３０〜約
６０重量％に関する。
の目的は、本発明の具体例においてテトラフルオロヒド
ロキシガリウムフタロシアニン、その製造方法、及びそ
の光導電性画像形成部材を提供することにより達成され
得る。具体例のフタロシアニンは図２乃至６に示され
る。また、具体例では、ヒドロキシフタロシアニンとテ
トラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンとの混
合物、及びその光導電性画像形成部材が提供される。本
発明の好適な具体例は、テトラフルオロヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンＶ型、およびヒドロキシガリウムフ
タロシアニンＶ型とのその混合物、例えば置換フタロシ
アニン約１〜約９９重量％、好ましくは約４０〜約７０
重量％と、無置換ヒドロキシガリウムフタロシアニン、
特にＶ型、約１〜約９９重量％、好ましくは約３０〜約
６０重量％に関する。
【０００８】本発明の具体例での方法は、フルオロフタ
ロニトリルをハロナフタレン、特にクロロナフタレンの
ような溶媒中でガリウムハライド、特にガリウムクロラ
イドと、反応させることにより、テトラフルオロ−ハロ
ガリウムフタロシアニン、特にテトラフルオロクロロガ
リウムフタロシアニンを生成し、次にそれを加水分解ま
たは酸ペースト化して、テトラフルオロヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンＩ型を提供し、次に、溶媒、例えば
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアミノエタノ
ール、イソプロパノール又はＮ−メチルピロリドンの存
在下で有効時間、例えばボールミル磨砕により、混合し
て、Ｉ型をＶ型のテトラフルオロヒドロキシガリウムフ
タロシアニンにすることを含む。
ロニトリルをハロナフタレン、特にクロロナフタレンの
ような溶媒中でガリウムハライド、特にガリウムクロラ
イドと、反応させることにより、テトラフルオロ−ハロ
ガリウムフタロシアニン、特にテトラフルオロクロロガ
リウムフタロシアニンを生成し、次にそれを加水分解ま
たは酸ペースト化して、テトラフルオロヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンＩ型を提供し、次に、溶媒、例えば
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアミノエタノ
ール、イソプロパノール又はＮ−メチルピロリドンの存
在下で有効時間、例えばボールミル磨砕により、混合し
て、Ｉ型をＶ型のテトラフルオロヒドロキシガリウムフ
タロシアニンにすることを含む。
【０００９】本発明の具体例は、テトラフルオロヒドロ
キシガリウムフタロシアニンＶ型の製造方法に関し、該
方法は、１重量部のガリウムクロライドを、使用される
ガリウムクロライドの部当たり約５〜約１００重量部、
好ましくは約１５重量部の量のキノリン、クロロナフタ
レンのようなハロナフタレン、またはＮ−メチルピロリ
ドンのような溶媒中で約１〜約１０重量部、好ましくは
４重量部の４−フルオロフタロニトリルと反応させ、顔
料先駆物質テトラフルオロクロロガリウムフタロシアニ
ンを提供し、次にその顔料先駆物質テトラフルオロクロ
ロガリウムフタロシアニンをジメチルホルムアミドのよ
う成分で洗浄し、Ｘ線粉末回折で決定して先駆物質Ｉ型
テトラフルオロクロロガリウムフタロシアニンの純粋
な、即ち９５〜９９．９％純粋な形態を提供し；得られ
たテトラフルオロクロロガリウムフタロシアニン顔料１
重量部を、約１〜約１００重量部、具体例では約２５重
量部の量の約９４％の濃硫酸中に、該顔料を該酸中に有
効時間、例えば約３０秒〜約２４時間、具体例では約２
時間、約−５〜約２５℃、好ましくは約０℃の温度で空
気中又はアルゴンや窒素のような不活性雰囲気下で攪拌
することにより溶解し；得られた混合物を、攪拌された
有機溶媒、例えば水性アンモニアに、約０．５〜約１０
ｍｌ／分、具体例では約１ｍｌ／分の速さの滴下方法
で、貧溶媒に添加し〔該貧溶媒は使用された硫酸の容量
部当たり約１〜約１０容量部、好ましくは約４容量部の
濃水性アンモニア溶液（１４．８Ｎ）と、約１〜約１０
容量部、好ましくは約６容量部の水とからなる混合物、
又は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、メタノール、
又はエタノールの貧溶媒水溶液とすることができ、該貧
溶媒混合物を、該溶媒混合物の入っているフラスコの底
まで渦を十分に起こすことのできる速度で攪拌しなが
ら、約−２５〜約１０℃、具体例では約−５℃の温度ま
で冷却する〕；得られたブルー顔料を例えば濾過によっ
て単離し；及び、得られたテトラフルオロヒドロキシガ
リウムフタロシアニン生成物を、脱イオン水で再分散す
ることにより洗浄し、脱イオン水の部分から濾過し（該
部分は、使用された先駆物質顔料テトラフルオロクロロ
ガリウムフタロシアニンの重量部当たり約１０〜約４０
０容量部、具体例では約２００容量部である）；（生成
物、即ちダークブルーの固体は、１５．６°及び２６．
５°に主ピーク、及び６．５°２Θに最高ピークを有す
るそのＸ線回折パターンを基準として、Ｉ型テトラフル
オロヒドロキシガリウムフタロシアニンであることを確
認した）、次に、得られたＩ型テトラフルオロヒドロキ
シガリウムフタロシアニン生成物を、例えばＩ型テトラ
フルオロヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、直
径約１〜５ｍｍの球形ガラスビーズの存在下で、約２５
℃の室温で、約１２時間〜約２週間、好ましくは約１週
間の間、ボールミル磨砕することにより、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、イソプロパ
ノールのような溶媒で処理することを含み、これにより
約９５〜９９．５％までの純度のテトラフルオロヒドロ
キシガリウムフタロシアニンＶ型が得られる。
キシガリウムフタロシアニンＶ型の製造方法に関し、該
方法は、１重量部のガリウムクロライドを、使用される
ガリウムクロライドの部当たり約５〜約１００重量部、
好ましくは約１５重量部の量のキノリン、クロロナフタ
レンのようなハロナフタレン、またはＮ−メチルピロリ
ドンのような溶媒中で約１〜約１０重量部、好ましくは
４重量部の４−フルオロフタロニトリルと反応させ、顔
料先駆物質テトラフルオロクロロガリウムフタロシアニ
ンを提供し、次にその顔料先駆物質テトラフルオロクロ
ロガリウムフタロシアニンをジメチルホルムアミドのよ
う成分で洗浄し、Ｘ線粉末回折で決定して先駆物質Ｉ型
テトラフルオロクロロガリウムフタロシアニンの純粋
な、即ち９５〜９９．９％純粋な形態を提供し；得られ
たテトラフルオロクロロガリウムフタロシアニン顔料１
重量部を、約１〜約１００重量部、具体例では約２５重
量部の量の約９４％の濃硫酸中に、該顔料を該酸中に有
効時間、例えば約３０秒〜約２４時間、具体例では約２
時間、約−５〜約２５℃、好ましくは約０℃の温度で空
気中又はアルゴンや窒素のような不活性雰囲気下で攪拌
することにより溶解し；得られた混合物を、攪拌された
有機溶媒、例えば水性アンモニアに、約０．５〜約１０
ｍｌ／分、具体例では約１ｍｌ／分の速さの滴下方法
で、貧溶媒に添加し〔該貧溶媒は使用された硫酸の容量
部当たり約１〜約１０容量部、好ましくは約４容量部の
濃水性アンモニア溶液（１４．８Ｎ）と、約１〜約１０
容量部、好ましくは約６容量部の水とからなる混合物、
又は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、メタノール、
又はエタノールの貧溶媒水溶液とすることができ、該貧
溶媒混合物を、該溶媒混合物の入っているフラスコの底
まで渦を十分に起こすことのできる速度で攪拌しなが
ら、約−２５〜約１０℃、具体例では約−５℃の温度ま
で冷却する〕；得られたブルー顔料を例えば濾過によっ
て単離し；及び、得られたテトラフルオロヒドロキシガ
リウムフタロシアニン生成物を、脱イオン水で再分散す
ることにより洗浄し、脱イオン水の部分から濾過し（該
部分は、使用された先駆物質顔料テトラフルオロクロロ
ガリウムフタロシアニンの重量部当たり約１０〜約４０
０容量部、具体例では約２００容量部である）；（生成
物、即ちダークブルーの固体は、１５．６°及び２６．
５°に主ピーク、及び６．５°２Θに最高ピークを有す
るそのＸ線回折パターンを基準として、Ｉ型テトラフル
オロヒドロキシガリウムフタロシアニンであることを確
認した）、次に、得られたＩ型テトラフルオロヒドロキ
シガリウムフタロシアニン生成物を、例えばＩ型テトラ
フルオロヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、直
径約１〜５ｍｍの球形ガラスビーズの存在下で、約２５
℃の室温で、約１２時間〜約２週間、好ましくは約１週
間の間、ボールミル磨砕することにより、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、イソプロパ
ノールのような溶媒で処理することを含み、これにより
約９５〜９９．５％までの純度のテトラフルオロヒドロ
キシガリウムフタロシアニンＶ型が得られる。
【００１０】先駆物質テトラフルオロクロロガリウムフ
タロシアニンの製造のために、具体例の方法は、１重量
部のガリウムクロライドを、約１〜約１０重量部、好ま
しくは約４重量部の４−フルオロフタロニトリルと、約
５〜約１００重量部、好ましくは約１５重量部の量の１
−クロロナフタレン溶媒の存在下で反応させることによ
り、未精製のテトラフルオロクロロガリウムフタロシア
ニンが得られ、次にそのテトラフルオロクロロガリウム
フタロシアニンを、例えば、洗浄されている固体先駆物
質顔料の容量の約１〜１０倍、好ましくは３倍の量で、
約７０〜約１５０℃、好ましくは約１５０℃の温度の熱
ジメチルホルムアミドで洗浄することにより、約９９．
５％の純度まで精製される。
タロシアニンの製造のために、具体例の方法は、１重量
部のガリウムクロライドを、約１〜約１０重量部、好ま
しくは約４重量部の４−フルオロフタロニトリルと、約
５〜約１００重量部、好ましくは約１５重量部の量の１
−クロロナフタレン溶媒の存在下で反応させることによ
り、未精製のテトラフルオロクロロガリウムフタロシア
ニンが得られ、次にそのテトラフルオロクロロガリウム
フタロシアニンを、例えば、洗浄されている固体先駆物
質顔料の容量の約１〜１０倍、好ましくは３倍の量で、
約７０〜約１５０℃、好ましくは約１５０℃の温度の熱
ジメチルホルムアミドで洗浄することにより、約９９．
５％の純度まで精製される。
【００１１】また、Ｉ型テトラフルオロヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン生成物を下記工程、即ち（１）１重
量部の中間顔料Ｉ型テトラフルオロヒドロキシガリウム
フタロシアニンを、シールガラス瓶中の約５〜約２５重
量部、具体例では約１５重量部の量で存在するＮ−メチ
ルピロリドンのような溶媒および直径約１〜１０ｍｍ、
具体例では１ｍｍの球形ガラスビーズに添加する工程；
（２）約２５℃の室温で、約１２時間〜約２週間、具体
例では約１週間ボールミル磨砕する工程；（３）得られ
た顔料分散体をワットマン(Whatman) ＧＦ／Ｆグレード
ガラス繊維濾布を取り付けたブッフナー（Buchner)漏斗
を介して濾過する工程；（４）この顔料を、使用された
顔料Ｉ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシア
ニンの重量部当たり約１０〜約１００容量部、具体例で
は約５０容量部の量のアセトン、又はメタノール等のよ
うな溶媒で、洗浄する工程；（５）得られたフィルタケ
ークを、オーブン中で約４０〜約１００℃、具体例では
約５０℃の温度で乾燥する工程；により、より高い感光
性の多形に転化することができ、ブルー固体を、例えば
９０％よりも大きい、より詳細には９５％の許容可能な
収率で単離し、約９９．５％まで、より詳細には９８％
の純度のＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロ
シアニンは６．０°、１３．４°、１４．７°、１５．
９°、１６．９°、２６．１°及び２７．０°にピー
ク、及び６．６°２Θに最高ピークを有するＸ線回折パ
ターンを示す。
ウムフタロシアニン生成物を下記工程、即ち（１）１重
量部の中間顔料Ｉ型テトラフルオロヒドロキシガリウム
フタロシアニンを、シールガラス瓶中の約５〜約２５重
量部、具体例では約１５重量部の量で存在するＮ−メチ
ルピロリドンのような溶媒および直径約１〜１０ｍｍ、
具体例では１ｍｍの球形ガラスビーズに添加する工程；
（２）約２５℃の室温で、約１２時間〜約２週間、具体
例では約１週間ボールミル磨砕する工程；（３）得られ
た顔料分散体をワットマン(Whatman) ＧＦ／Ｆグレード
ガラス繊維濾布を取り付けたブッフナー（Buchner)漏斗
を介して濾過する工程；（４）この顔料を、使用された
顔料Ｉ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシア
ニンの重量部当たり約１０〜約１００容量部、具体例で
は約５０容量部の量のアセトン、又はメタノール等のよ
うな溶媒で、洗浄する工程；（５）得られたフィルタケ
ークを、オーブン中で約４０〜約１００℃、具体例では
約５０℃の温度で乾燥する工程；により、より高い感光
性の多形に転化することができ、ブルー固体を、例えば
９０％よりも大きい、より詳細には９５％の許容可能な
収率で単離し、約９９．５％まで、より詳細には９８％
の純度のＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロ
シアニンは６．０°、１３．４°、１４．７°、１５．
９°、１６．９°、２６．１°及び２７．０°にピー
ク、及び６．６°２Θに最高ピークを有するＸ線回折パ
ターンを示す。
【００１２】本発明のテトラフルオロヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンは、下記化学式を参照して示される。
ムフタロシアニンは、下記化学式を参照して示される。
【００１３】
【化２】
【００１４】ここで、Ｖ型のような形態毎に、結晶構造
（又はパッキング）は変化する、即ち同様でない。
（又はパッキング）は変化する、即ち同様でない。
【００１５】本発明のテトラフルオロヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンを他の顔料、特に前記テトラフルオロ
ヒドロキシガリウムフタロシアニンと非常に似た化学構
造を有するＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンと合
体するか又は混合することができる。前記混合物は、例
えば約５〜約１５Ｖ／秒の望ましい度合いの暗減衰およ
び例えば約０〜約２０Ｖの残留電圧を維持しながら、約
１００〜約３００Ｖ．ｃｍ2 ／ｅｒｇの範囲の感光性を
有する受光体を製造するという利点を有する。テトラフ
ルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンとヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンとの混合物を、例えば０％のＶ
型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンと
１００％のＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン；５
０％のＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシ
アニンと５０％のＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン；１００％のＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウム
フタロシアニンと０％のＶ型ヒドロキシガリウムフタロ
シアニン等の異なる量、及びその両方のあらゆる比率で
製造することができ、上記記載した及び表２に示される
ような感光性の範囲を有する受光体デバイスを得ること
ができる。
ムフタロシアニンを他の顔料、特に前記テトラフルオロ
ヒドロキシガリウムフタロシアニンと非常に似た化学構
造を有するＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンと合
体するか又は混合することができる。前記混合物は、例
えば約５〜約１５Ｖ／秒の望ましい度合いの暗減衰およ
び例えば約０〜約２０Ｖの残留電圧を維持しながら、約
１００〜約３００Ｖ．ｃｍ2 ／ｅｒｇの範囲の感光性を
有する受光体を製造するという利点を有する。テトラフ
ルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンとヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンとの混合物を、例えば０％のＶ
型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンと
１００％のＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン；５
０％のＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシ
アニンと５０％のＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン；１００％のＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウム
フタロシアニンと０％のＶ型ヒドロキシガリウムフタロ
シアニン等の異なる量、及びその両方のあらゆる比率で
製造することができ、上記記載した及び表２に示される
ような感光性の範囲を有する受光体デバイスを得ること
ができる。
【００１６】２つの乾燥顔料、即ちＶ型テトラフルオロ
ヒドロキシガリウムフタロシアニンとＶ型ヒドロキシガ
リウムフタロシアニンを所望の比率、例えば５０％のＶ
型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンと
５０％のＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンでシー
ル瓶中に合体して、例えば約２５℃の室温で、約１時間
以上、具体例では約１〜１０時間の間ボールミル磨砕に
より混合を行うことにより、混合物を製造することがで
きる。
ヒドロキシガリウムフタロシアニンとＶ型ヒドロキシガ
リウムフタロシアニンを所望の比率、例えば５０％のＶ
型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンと
５０％のＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンでシー
ル瓶中に合体して、例えば約２５℃の室温で、約１時間
以上、具体例では約１〜１０時間の間ボールミル磨砕に
より混合を行うことにより、混合物を製造することがで
きる。
【００１７】本発明の方法によって得られたテトラフル
オロヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料、特にＶ型
を有する様々な異なった積層型光導電性画像形成部材を
製造することができる。従って、具体例では積層型光応
答性画像形成部材は、支持基体、ブロッキング層、電荷
輸送層、特にアリールアミン正孔輸送層、及びそれらの
間に配置された光発生層を含み、この光発生層が本明細
書に示されたＩ型乃至Ｖ型の光発生顔料、及びヒドロキ
シガリウムフタロシアニンとテトラフルオロヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン光発生顔料の混合物を含む。本
発明の他の具体例は、正に帯電した積層型光応答性画像
形成部材に関し、これは支持基体、ブロッキング層、電
荷輸送層、特にアリールアミン正孔輸送層、及びトップ
オーバーコーティング（表面処理塗）層として、本発明
の方法により得られたＶ型テトラフルオロヒドロキシガ
リウムフタロシアニン顔料を含む。更に本発明に従っ
て、改良され負に帯電した光応答性画像形成部材が提供
され、これは支持基体、薄い接着層、ポリ（ビニルブチ
ラール）のようなポリマー樹脂バインダ中に分散された
本発明の方法により得られたＶ型テトラフルオロヒドロ
キシガリウムフタロシアニン光発生剤、及びトップ層と
してポリカーボネートのようなポリマー樹脂バインダ中
に分散されたアリールアミン正孔輸送分子、を含む。
オロヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料、特にＶ型
を有する様々な異なった積層型光導電性画像形成部材を
製造することができる。従って、具体例では積層型光応
答性画像形成部材は、支持基体、ブロッキング層、電荷
輸送層、特にアリールアミン正孔輸送層、及びそれらの
間に配置された光発生層を含み、この光発生層が本明細
書に示されたＩ型乃至Ｖ型の光発生顔料、及びヒドロキ
シガリウムフタロシアニンとテトラフルオロヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン光発生顔料の混合物を含む。本
発明の他の具体例は、正に帯電した積層型光応答性画像
形成部材に関し、これは支持基体、ブロッキング層、電
荷輸送層、特にアリールアミン正孔輸送層、及びトップ
オーバーコーティング（表面処理塗）層として、本発明
の方法により得られたＶ型テトラフルオロヒドロキシガ
リウムフタロシアニン顔料を含む。更に本発明に従っ
て、改良され負に帯電した光応答性画像形成部材が提供
され、これは支持基体、薄い接着層、ポリ（ビニルブチ
ラール）のようなポリマー樹脂バインダ中に分散された
本発明の方法により得られたＶ型テトラフルオロヒドロ
キシガリウムフタロシアニン光発生剤、及びトップ層と
してポリカーボネートのようなポリマー樹脂バインダ中
に分散されたアリールアミン正孔輸送分子、を含む。
【００１８】本発明の光応答性又は光導電性画像形成部
材は数多くの周知の方法、処理パラメータ、及び所望の
部材に依存する層のコーティング順序により製造され得
る。正の電荷に適した画像形成部材を、光発生剤と正孔
輸送層の付着順序を逆にすることにより製造することが
できる。画像形成部材の光発生層及び電荷輸送層を、溶
液又は分散体として、選択基体上に、スプレーコータ
ー、ディップコーター、押出コーター、ローラコータ
ー、ワイヤ・バーコーター、スロットコーター、ドクタ
ーブレードコーター及びグラビアコーター等を用いてコ
ーティングして、４０℃〜約２００℃で１０分〜数時
間、静置状態下又は空気流中で乾燥させることができ
る。コーティングは、乾燥後に０．０１〜約３０μｍの
最終コーティング厚みを与えるように行われる。所与の
層の製造条件は、最終デバイスにおいて最適な性能及び
コストを得られるように設定され得る。
材は数多くの周知の方法、処理パラメータ、及び所望の
部材に依存する層のコーティング順序により製造され得
る。正の電荷に適した画像形成部材を、光発生剤と正孔
輸送層の付着順序を逆にすることにより製造することが
できる。画像形成部材の光発生層及び電荷輸送層を、溶
液又は分散体として、選択基体上に、スプレーコータ
ー、ディップコーター、押出コーター、ローラコータ
ー、ワイヤ・バーコーター、スロットコーター、ドクタ
ーブレードコーター及びグラビアコーター等を用いてコ
ーティングして、４０℃〜約２００℃で１０分〜数時
間、静置状態下又は空気流中で乾燥させることができ
る。コーティングは、乾燥後に０．０１〜約３０μｍの
最終コーティング厚みを与えるように行われる。所与の
層の製造条件は、最終デバイスにおいて最適な性能及び
コストを得られるように設定され得る。
【００１９】本発明の画像形成部材は、様々な静電複写
画像形成及び印刷システム、特にゼログラフィック方法
として従来より知られている画像形成及び印刷システム
において有用である。特に、本発明の画像形成部材はゼ
ログラフィック画像形成方法において有用であり、この
画像形成部材では、Ｉ型テトラフルオロヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン顔料が約５００〜約９００ｎｍ、好
ましくは約６００〜約８５０ｎｍの波長の光を吸収し、
６２８、７０８、及び７９２ｎｍに主ピークを有する；
ＩＩ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン顔料が約５００〜約９００ｎｍ、好ましくは約６００
〜約８５０ｎｍの波長の光を吸収し、６３４、７１６、
及び７８９ｎｍに主ピークを有する；ＩＩＩ型テトラフ
ルオロヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が約５０
０〜約９００ｎｍ、好ましくは約６００〜約８５０ｎｍ
の波長の光を吸収し、６２３及び７９０ｎｍに主ピーク
を有する；ＩＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフ
タロシアニン顔料が約５００〜約９００ｎｍ、好ましく
は約６００〜約８５０ｎｍの波長の光を吸収し、６２２
及び６９６ｎｍに主ピークを有する；Ｖ型テトラフルオ
ロヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が約５００〜
約９００ｎｍ、好ましくは約６００〜約８５０ｎｍの波
長の光を吸収し、６３１及び７９９ｎｍに主ピークを有
する。周知の方法であるが静電潜像は、先ず画像形成部
材上に形成されて、次いでスチレンメタクリレート、ス
チレンアクリレート、スチレンブタジエンのような樹
脂、ポリエステル、およびカーボンブラックのような顔
料のトナ−で現像され、その後、画像は適切な基体に転
写されてそれに定着する。本発明のＶ型テトラフルオロ
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を使用する画像
形成部材は高い感光度を示し、約７００〜約８００ｎｍ
の単色光線に露光した場合でさえ、一般的に約５．０ｅ
ｒｇ／ｃｍ2 又はそれよりも少ないＥ1/2 を有する。
画像形成及び印刷システム、特にゼログラフィック方法
として従来より知られている画像形成及び印刷システム
において有用である。特に、本発明の画像形成部材はゼ
ログラフィック画像形成方法において有用であり、この
画像形成部材では、Ｉ型テトラフルオロヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン顔料が約５００〜約９００ｎｍ、好
ましくは約６００〜約８５０ｎｍの波長の光を吸収し、
６２８、７０８、及び７９２ｎｍに主ピークを有する；
ＩＩ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン顔料が約５００〜約９００ｎｍ、好ましくは約６００
〜約８５０ｎｍの波長の光を吸収し、６３４、７１６、
及び７８９ｎｍに主ピークを有する；ＩＩＩ型テトラフ
ルオロヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が約５０
０〜約９００ｎｍ、好ましくは約６００〜約８５０ｎｍ
の波長の光を吸収し、６２３及び７９０ｎｍに主ピーク
を有する；ＩＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフ
タロシアニン顔料が約５００〜約９００ｎｍ、好ましく
は約６００〜約８５０ｎｍの波長の光を吸収し、６２２
及び６９６ｎｍに主ピークを有する；Ｖ型テトラフルオ
ロヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が約５００〜
約９００ｎｍ、好ましくは約６００〜約８５０ｎｍの波
長の光を吸収し、６３１及び７９９ｎｍに主ピークを有
する。周知の方法であるが静電潜像は、先ず画像形成部
材上に形成されて、次いでスチレンメタクリレート、ス
チレンアクリレート、スチレンブタジエンのような樹
脂、ポリエステル、およびカーボンブラックのような顔
料のトナ−で現像され、その後、画像は適切な基体に転
写されてそれに定着する。本発明のＶ型テトラフルオロ
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を使用する画像
形成部材は高い感光度を示し、約７００〜約８００ｎｍ
の単色光線に露光した場合でさえ、一般的に約５．０ｅ
ｒｇ／ｃｍ2 又はそれよりも少ないＥ1/2 を有する。
【００２０】更に、本発明の画像形成部材を、典型的に
は６６０〜約８３０ｎｍの波長で機能するガリウムヒ素
発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイを用いる電子印刷方法
のために選択することができる。
は６６０〜約８３０ｎｍの波長で機能するガリウムヒ素
発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイを用いる電子印刷方法
のために選択することができる。
【００２１】本発明の１つの負に帯電した光応答性画像
形成部材は、示された順に支持基体と、例えばグッドイ
ヤーケミカル(Goodyear Chemical) 社より入手できるポ
リエステル４９，０００を含む接着層と、必要に応じて
不活性なポリマーバインダ中に分散される、本発明の方
法により得られるＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンを含む光発生層と、その上に、ポリカ
ーボネートバインダ中に分散されたＮ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミンを含む正孔輸送層
と、を含む。正に帯電した光応答性画像形成部材は、基
体と、その上に、ポリカーボネートバインダ中に分散さ
れたＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチ
ルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジア
ミンを含む電荷輸送層と、必要に応じて不活性なポリマ
ーバインダ中に分散された、本発明の方法により得られ
たＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニ
ンを含むトップ光発生層と、を含む。
形成部材は、示された順に支持基体と、例えばグッドイ
ヤーケミカル(Goodyear Chemical) 社より入手できるポ
リエステル４９，０００を含む接着層と、必要に応じて
不活性なポリマーバインダ中に分散される、本発明の方
法により得られるＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンを含む光発生層と、その上に、ポリカ
ーボネートバインダ中に分散されたＮ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミンを含む正孔輸送層
と、を含む。正に帯電した光応答性画像形成部材は、基
体と、その上に、ポリカーボネートバインダ中に分散さ
れたＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチ
ルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジア
ミンを含む電荷輸送層と、必要に応じて不活性なポリマ
ーバインダ中に分散された、本発明の方法により得られ
たＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニ
ンを含むトップ光発生層と、を含む。
【００２２】本発明の画像形成部材のために選択される
基体層の例は、半透明及び実質的に透明とすることがで
き、その基体層は要求される機械特性を有するあらゆる
適切な材料を含み得る。従って、基体は例えば市販のポ
リマーであるマイラー（ＭＹＬＡＲ；商標名）、チタン
を含むマイラーのような無機又は有機ポリマー材料を含
む絶縁材料の層、インジウムスズオキサイド若しくはそ
の上に配置されたアルミニウムのような半導電性の表面
層又はアルミニウム、クロム、ニッケル若しくは黄銅等
を含む導電性材料を有する有機又は無機材料の層を含ん
でもよい。
基体層の例は、半透明及び実質的に透明とすることがで
き、その基体層は要求される機械特性を有するあらゆる
適切な材料を含み得る。従って、基体は例えば市販のポ
リマーであるマイラー（ＭＹＬＡＲ；商標名）、チタン
を含むマイラーのような無機又は有機ポリマー材料を含
む絶縁材料の層、インジウムスズオキサイド若しくはそ
の上に配置されたアルミニウムのような半導電性の表面
層又はアルミニウム、クロム、ニッケル若しくは黄銅等
を含む導電性材料を有する有機又は無機材料の層を含ん
でもよい。
【００２３】基体層の厚みは経済的な配慮を含む多くの
ファクタに依存するので、この基体層は、例えば３，０
００μｍを越える実質的な厚みを有するか又はシステム
に悪影響を及ぼさなければ最低の厚みを有することがで
きる。一具体例のこの層厚みは約７５〜約３００μｍで
ある。
ファクタに依存するので、この基体層は、例えば３，０
００μｍを越える実質的な厚みを有するか又はシステム
に悪影響を及ぼさなければ最低の厚みを有することがで
きる。一具体例のこの層厚みは約７５〜約３００μｍで
ある。
【００２４】更に画像形成部材に関しては、光発生層は
好ましくは本発明の方法により得られてポリマーバイン
ダ中に分散されたＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンを含む。光発生層の厚みは他の層の厚
みやこの層に含まれる光発生材料の量を含む多数のファ
クタに依存する。従って、この層はジヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン光発生組成物が約５〜約１００容量％
の量で存在する場合、約０．０５〜約１０μｍの厚みを
有し得る。１つの具体例では、光発生組成物がこの層中
に３０〜７５容量％の量で存在する場合、この層は約
０．２５〜約１μｍの厚みを有する。具体例のこの層の
最高厚みは、感光性、電気特性、機械的な配慮のような
ファクタに主に依存する。必要に応じたポリマーバイン
ダ材料を有する又は有さない適切な溶媒中で、本発明の
方法により得られたＶ型ヒドロキシガリウムフタロシア
ニンの分散体をコーティングすることにより、光発生層
を製造することができる。分散体を、ペイントシェー
カ、ボールミル、サンドミル、及びアトリッター（磨砕
機）のような装置中でＶ型を混合及び／又は粉砕するこ
とによって製造することができる。ガラスビーズ、スチ
ールボール又はセラミックビーズのような一般的な粉砕
媒体をこの装置中で使用することができる。例えば、
（光発生顔料とバインダの総重量％に基づいて）約１０
〜約７０重量％、好ましくは約３５重量％の量で存在す
るバインダ樹脂は、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ
（ビニルカルバゾール）、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、ポリ（ビニルクロライド）、ポリアクリレート及
びメタクリレート、ビニルクロライドとビニルアセテー
トのコポリマー、フェノキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ
（ビニルアルコール）、ポリアクリロニトリル、及びポ
リスチレンン等のような数多くの周知のポリマーから選
択され得る。本発明の具体例において、デバイスの他の
すでにコーティングされた層を乱さない又はそれらに悪
影響を与えないコーティング溶媒を選択することが望ま
しい。光発生層のコーティング溶媒用に選択することが
できる溶媒の例は、ケトン、アルコール、芳香族炭化水
素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、エーテル、アミン、ア
ミド及びエステル等がある。特定の溶媒例は、シクロヘ
キサノン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノー
ル、エタノール、ブタノール、アミルアルコール、トル
エン、キシレン、クロロベンゼン、カーボンテトラクロ
ライド、クロロホルム、メチレンクロライド、トリクロ
ロエチレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチ
ルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ブチルアセテート、エチルアセテート及びメトキ
シエチルアセテート等である。
好ましくは本発明の方法により得られてポリマーバイン
ダ中に分散されたＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンを含む。光発生層の厚みは他の層の厚
みやこの層に含まれる光発生材料の量を含む多数のファ
クタに依存する。従って、この層はジヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン光発生組成物が約５〜約１００容量％
の量で存在する場合、約０．０５〜約１０μｍの厚みを
有し得る。１つの具体例では、光発生組成物がこの層中
に３０〜７５容量％の量で存在する場合、この層は約
０．２５〜約１μｍの厚みを有する。具体例のこの層の
最高厚みは、感光性、電気特性、機械的な配慮のような
ファクタに主に依存する。必要に応じたポリマーバイン
ダ材料を有する又は有さない適切な溶媒中で、本発明の
方法により得られたＶ型ヒドロキシガリウムフタロシア
ニンの分散体をコーティングすることにより、光発生層
を製造することができる。分散体を、ペイントシェー
カ、ボールミル、サンドミル、及びアトリッター（磨砕
機）のような装置中でＶ型を混合及び／又は粉砕するこ
とによって製造することができる。ガラスビーズ、スチ
ールボール又はセラミックビーズのような一般的な粉砕
媒体をこの装置中で使用することができる。例えば、
（光発生顔料とバインダの総重量％に基づいて）約１０
〜約７０重量％、好ましくは約３５重量％の量で存在す
るバインダ樹脂は、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ
（ビニルカルバゾール）、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、ポリ（ビニルクロライド）、ポリアクリレート及
びメタクリレート、ビニルクロライドとビニルアセテー
トのコポリマー、フェノキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ
（ビニルアルコール）、ポリアクリロニトリル、及びポ
リスチレンン等のような数多くの周知のポリマーから選
択され得る。本発明の具体例において、デバイスの他の
すでにコーティングされた層を乱さない又はそれらに悪
影響を与えないコーティング溶媒を選択することが望ま
しい。光発生層のコーティング溶媒用に選択することが
できる溶媒の例は、ケトン、アルコール、芳香族炭化水
素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、エーテル、アミン、ア
ミド及びエステル等がある。特定の溶媒例は、シクロヘ
キサノン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノー
ル、エタノール、ブタノール、アミルアルコール、トル
エン、キシレン、クロロベンゼン、カーボンテトラクロ
ライド、クロロホルム、メチレンクロライド、トリクロ
ロエチレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチ
ルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ブチルアセテート、エチルアセテート及びメトキ
シエチルアセテート等である。
【００２５】本発明の具体例の光発生層のコーティング
を噴霧、浸漬、又はワイヤーバー方法により行うことが
でき、この場合、４０〜１５０℃で５〜９０分間乾燥
後、光発生層の最終的な乾燥厚みは０．０１〜３０μ
ｍ、好ましくは０．１〜１５μｍである。
を噴霧、浸漬、又はワイヤーバー方法により行うことが
でき、この場合、４０〜１５０℃で５〜９０分間乾燥
後、光発生層の最終的な乾燥厚みは０．０１〜３０μ
ｍ、好ましくは０．１〜１５μｍである。
【００２６】光発生顔料として選択することができるポ
リマーバインダ材料の実例は、米国特許第３，１２１，
００６号に開示されたようなポリマーを含む。
リマーバインダ材料の実例は、米国特許第３，１２１，
００６号に開示されたようなポリマーを含む。
【００２７】通常、支持基体と接触する接着剤として、
ポリエステル、ポリアミド、ポリ（ビニルブチラー
ル）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタン、及び
ポリアクリロニトリルを含む様々な公知の物質を選択す
ることができる。この層は、約０．００１〜約１μｍの
厚みを有する。必要に応じて、この層は導電性及び非導
電性の粒子、例えば酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化ケイ
素、及びカーボンブラック等を含み、例えば本発明の具
体例において、所望の電気及び光学特性を提供すること
ができる。
ポリエステル、ポリアミド、ポリ（ビニルブチラー
ル）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタン、及び
ポリアクリロニトリルを含む様々な公知の物質を選択す
ることができる。この層は、約０．００１〜約１μｍの
厚みを有する。必要に応じて、この層は導電性及び非導
電性の粒子、例えば酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化ケイ
素、及びカーボンブラック等を含み、例えば本発明の具
体例において、所望の電気及び光学特性を提供すること
ができる。
【００２８】一般的に約５〜約７５μｍの厚み、好まし
くは約１０〜約４０μｍの厚みを有する、電荷輸送層、
特に正孔輸送層に選択されるアリールアミンは、高絶縁
性及び透明なポリマーバインダ中に分散された下記式の
分子を含む。
くは約１０〜約４０μｍの厚みを有する、電荷輸送層、
特に正孔輸送層に選択されるアリールアミンは、高絶縁
性及び透明なポリマーバインダ中に分散された下記式の
分子を含む。
【００２９】
【化３】
【００３０】式中、Ｘはアルキル基又はハロゲンであ
り、特にＣｌ及びＣＨ3 から成る群から選択されたこれ
らの置換基である。ヒドラゾンのような他の電荷輸送成
分も具体例において選択することができる。
り、特にＣｌ及びＣＨ3 から成る群から選択されたこれ
らの置換基である。ヒドラゾンのような他の電荷輸送成
分も具体例において選択することができる。
【００３１】特定のアリールアミンの例は、アルキルが
メチル、エチル、プロピル、ブチル及びヘキシル等から
なる群から選択されるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ビス（アルキルフェニル）−１，１−ビフェニル−
４，４’−ジアミンであり、またハロ置換基が好ましく
はクロロ置換基であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ビス（ハロフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンである。他の周知の電荷輸送層分子は、
例えば米国特許第４，９２１，７７３号及び第４，４６
４，４５０号を参照して選択することができる。
メチル、エチル、プロピル、ブチル及びヘキシル等から
なる群から選択されるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ビス（アルキルフェニル）−１，１−ビフェニル−
４，４’−ジアミンであり、またハロ置換基が好ましく
はクロロ置換基であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ビス（ハロフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンである。他の周知の電荷輸送層分子は、
例えば米国特許第４，９２１，７７３号及び第４，４６
４，４５０号を参照して選択することができる。
【００３２】輸送層用の高絶縁性及び透明なポリマーバ
インダ材料の例は、米国特許第３，１２１，００６号
（この開示内容は本明細書中に全て援用されて本発明の
一部とする）に記載されたような材料を含む。ポリマー
バインダ材料の特定の例は、ポリカーボネート、アクリ
レートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマ
ー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリ
ウレタン及びエポキシを含み、同様にこれらのブロッ
ク、ランダム又はその交互共重合体を含む。好適な電気
的に不活性のバインダは約２０，０００〜約１００，０
００の分子量を有し、約５０，０００〜約１００，００
０の分子量を有することが特に好ましいポリカーボネー
ト樹脂を含む。一般的に輸送層は、電荷輸送材料を約１
０〜約７５重量％、好ましくはこの材料を約３５〜約５
０重量％含む。
インダ材料の例は、米国特許第３，１２１，００６号
（この開示内容は本明細書中に全て援用されて本発明の
一部とする）に記載されたような材料を含む。ポリマー
バインダ材料の特定の例は、ポリカーボネート、アクリ
レートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマ
ー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリ
ウレタン及びエポキシを含み、同様にこれらのブロッ
ク、ランダム又はその交互共重合体を含む。好適な電気
的に不活性のバインダは約２０，０００〜約１００，０
００の分子量を有し、約５０，０００〜約１００，００
０の分子量を有することが特に好ましいポリカーボネー
ト樹脂を含む。一般的に輸送層は、電荷輸送材料を約１
０〜約７５重量％、好ましくはこの材料を約３５〜約５
０重量％含む。
【００３３】また本発明の範囲内には、本明細書に記載
された光応答性デバイスを有する画像形成及び印刷方法
が含まれる。これらの方法は一般的に、画像形成部材上
に静電潜像を形成し、次いでその画像をトナー組成物で
現像する（米国特許第４，５６０，６３５号、第４，２
９８，６９７号、及び４，３３８，３９０号を参照）。
された光応答性デバイスを有する画像形成及び印刷方法
が含まれる。これらの方法は一般的に、画像形成部材上
に静電潜像を形成し、次いでその画像をトナー組成物で
現像する（米国特許第４，５６０，６３５号、第４，２
９８，６９７号、及び４，３３８，３９０号を参照）。
【００３４】
〔実施例Ｉ〕 先駆物質−テトラフルオロクロロガリウムフタロシアニ
ンの合成：アルゴン雰囲気下に維持された機械的攪拌
機、コンデンサ及びサーモメーターを取り付けた５００
ｍｌの三つ口フラスコに、４−フルオロフタロニトリル
（４９．５ｇ−０．３３８モル）、ガリウムクロライド
（１４．９ｇ−０．０８４６モル；アルドリッチケミカ
ル(Aldrich Chemical)）およびモレキュラーシーブで乾
燥させた２００ｍｌの１−クロロナフタレンを充填し
た。その混合物を２００℃で２時間加熱して攪拌した。
その生成物を〜１５０℃まで冷却して、沸騰ＤＭＦによ
り約１５０℃まで予め加熱した１５０ｍｌのＭ−多孔性
ガラス漏斗を介して濾過した。次に、それを１００ｍｌ
の沸騰ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）で３
回、次いで室温の１００ｍｌのＤＭＦで３回、次に５０
ｍｌのメタノールで３回、徹底的に洗浄し、ブルーの粉
末２３．２ｇ（４０％の収率）を提供した。この中間生
成物に関する典型的なＸ線回折パターンを図１に示す。
ンの合成：アルゴン雰囲気下に維持された機械的攪拌
機、コンデンサ及びサーモメーターを取り付けた５００
ｍｌの三つ口フラスコに、４−フルオロフタロニトリル
（４９．５ｇ−０．３３８モル）、ガリウムクロライド
（１４．９ｇ−０．０８４６モル；アルドリッチケミカ
ル(Aldrich Chemical)）およびモレキュラーシーブで乾
燥させた２００ｍｌの１−クロロナフタレンを充填し
た。その混合物を２００℃で２時間加熱して攪拌した。
その生成物を〜１５０℃まで冷却して、沸騰ＤＭＦによ
り約１５０℃まで予め加熱した１５０ｍｌのＭ−多孔性
ガラス漏斗を介して濾過した。次に、それを１００ｍｌ
の沸騰ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）で３
回、次いで室温の１００ｍｌのＤＭＦで３回、次に５０
ｍｌのメタノールで３回、徹底的に洗浄し、ブルーの粉
末２３．２ｇ（４０％の収率）を提供した。この中間生
成物に関する典型的なＸ線回折パターンを図１に示す。
【００３５】〔実施例ＩＩ〕 先駆物質の加水分解：硫酸（１２５ｇ）を１２５ｍｌの
三角フラスコ中で０℃まで冷却した。その冷やした酸
に、上記記載したように製造したブルー固体顔料先駆物
質５ｇを添加した。固体の添加は約１５分間で完了し
た。その間に溶液の温度は約１０〜１５℃に上昇した。
次に、得られた酸溶液を０℃で２時間攪拌した。その時
点で、酸溶液を濃縮（〜３３％）アンモニア（２６５ｍ
ｌ）と、５℃未満の温度に冷却した脱イオン水（４３５
ｍｌ）とから成る混合物に滴下方法で添加した。溶解顔
料の添加を約４５分で完了した。その間に溶液の温度は
約２０℃に上昇した。次に、得られた再沈殿顔料を冷却
浴から取り出し、室温で１時間攪拌した。次に、その再
沈殿顔料をワットマン９３４−ＡＨグレードガラス繊維
フィルタを取り付けた磁製漏斗により濾過した。得られ
たブルー顔料を新しい脱イオン水中に、室温で１時間攪
拌することにより再分散させて、先程のように濾過し
た。この工程を少なくとも３回、濾液の導電度が＜２０
μＳになるまで繰り返した。得られたフィルタケークを
一晩、５０℃でオーブン乾燥して、ダークブルーの固体
のＩ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン４．７５ｇ（９５％）を得た。この中間生成顔料に関
する典型的なＸ線回折パターンは図２に示される。
三角フラスコ中で０℃まで冷却した。その冷やした酸
に、上記記載したように製造したブルー固体顔料先駆物
質５ｇを添加した。固体の添加は約１５分間で完了し
た。その間に溶液の温度は約１０〜１５℃に上昇した。
次に、得られた酸溶液を０℃で２時間攪拌した。その時
点で、酸溶液を濃縮（〜３３％）アンモニア（２６５ｍ
ｌ）と、５℃未満の温度に冷却した脱イオン水（４３５
ｍｌ）とから成る混合物に滴下方法で添加した。溶解顔
料の添加を約４５分で完了した。その間に溶液の温度は
約２０℃に上昇した。次に、得られた再沈殿顔料を冷却
浴から取り出し、室温で１時間攪拌した。次に、その再
沈殿顔料をワットマン９３４−ＡＨグレードガラス繊維
フィルタを取り付けた磁製漏斗により濾過した。得られ
たブルー顔料を新しい脱イオン水中に、室温で１時間攪
拌することにより再分散させて、先程のように濾過し
た。この工程を少なくとも３回、濾液の導電度が＜２０
μＳになるまで繰り返した。得られたフィルタケークを
一晩、５０℃でオーブン乾燥して、ダークブルーの固体
のＩ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン４．７５ｇ（９５％）を得た。この中間生成顔料に関
する典型的なＸ線回折パターンは図２に示される。
【００３６】〔実施例ＩＩＩ〕 新しい多形への転化：実施例ＩＩＩで製造された中間生
成顔料（３．０ｇ）を、ガラスビーズ（直径１ｍｍ）９
０ｇを含む１２０ｍｌのガラス瓶中のＮ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド４５ｍｌへ添加した（表１参照）。瓶をシ
ールして、ボールミルに１週間置いた。得られた固体
を、ワットマンＧＦ／Ｆグレードガラス繊維フィルタを
取り付けた磁製漏斗を介して濾過により単離して、アセ
トン（５０ｍｌ）〔ＢＤＨ保証（Assured)〕で５回フィ
ルタ内で洗浄した。フィルタケークを５０℃で一晩、オ
ーブン乾燥して、ダークブルー固体のＩＩ型テトラフル
オロヒドロキシガリウムフタロシアニン２．８ｇ（９３
％）を得た。得られた多形に対するＸ線回折パターンを
図３に示す。
成顔料（３．０ｇ）を、ガラスビーズ（直径１ｍｍ）９
０ｇを含む１２０ｍｌのガラス瓶中のＮ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド４５ｍｌへ添加した（表１参照）。瓶をシ
ールして、ボールミルに１週間置いた。得られた固体
を、ワットマンＧＦ／Ｆグレードガラス繊維フィルタを
取り付けた磁製漏斗を介して濾過により単離して、アセ
トン（５０ｍｌ）〔ＢＤＨ保証（Assured)〕で５回フィ
ルタ内で洗浄した。フィルタケークを５０℃で一晩、オ
ーブン乾燥して、ダークブルー固体のＩＩ型テトラフル
オロヒドロキシガリウムフタロシアニン２．８ｇ（９３
％）を得た。得られた多形に対するＸ線回折パターンを
図３に示す。
【００３７】〔実施例ＩＶ〕ジメチルアミノエタノール
を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの代わりに溶媒とし
て選択すること以外は上記実施例ＩＩＩの方法を繰り返
した。その結果得られた生成物はＩＩＩ型テトラフルオ
ロヒドロキシガリウムフタロシアニンであった。この得
られた多形に対するＸ線回折パターンは図４に示され
る。
を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの代わりに溶媒とし
て選択すること以外は上記実施例ＩＩＩの方法を繰り返
した。その結果得られた生成物はＩＩＩ型テトラフルオ
ロヒドロキシガリウムフタロシアニンであった。この得
られた多形に対するＸ線回折パターンは図４に示され
る。
【００３８】〔実施例Ｖ〕イソプロパノールを、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミドの代わりに溶媒として選択する
こと以外は上記実施例ＩＩＩの方法を繰り返した。その
結果得られた生成物はＩＶ型テトラフルオロヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンであった。この得られた多形に
対するＸ線回折パターンは図５に示される。
−ジメチルホルムアミドの代わりに溶媒として選択する
こと以外は上記実施例ＩＩＩの方法を繰り返した。その
結果得られた生成物はＩＶ型テトラフルオロヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンであった。この得られた多形に
対するＸ線回折パターンは図５に示される。
【００３９】〔実施例ＶＩ〕Ｎ−メチルピロリドンを、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの代わりに溶媒として選
択すること以外、上記実施例ＩＩＩの方法を繰り返し
た。その結果得られた生成物はＶ型テトラフルオロヒド
ロキシガリウムフタロシアニンであった。この得られた
多形に対するＸ線回折パターンは図６に示される。
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの代わりに溶媒として選
択すること以外、上記実施例ＩＩＩの方法を繰り返し
た。その結果得られた生成物はＶ型テトラフルオロヒド
ロキシガリウムフタロシアニンであった。この得られた
多形に対するＸ線回折パターンは図６に示される。
【００４０】〔実施例ＶＩＩ〕 無置換ヒドロキシガリウムフタロシアニン 先駆物質−アルコキシ橋架けガリウムフタロシアニン二
量体の合成：２０ガロンのガラス内張り反応がまを窒素
でパージして、トルエン３２ｋｇを充填した。反応がま
の攪拌機を始動して、ガリウムトリクロライド３．０ｋ
ｇを反応がまの充填口を介して充填した。反応がまの充
填口を閉じて、反応がまジャケットに冷却を施しながら
攪拌機の速度を２００ｒｐｍに増加した。ナトリウムメ
トキサイド溶液１１．０４ｋｇ（メタノール中で２５重
量％）を添加容器から反応がま中へ３０分間にわたって
充填した。次に、反応がまにｏ−フタロジニトリル８．
７３２ｋｇとエチレングリコール２０ｋｇを充填した。
次に、反応がまを、反応がまジャケットに熱油を供給し
て、加熱した。１９５〜２００℃の反応温度まで加熱中
に、メタノールとトルエンを留去した。蒸留物２０ｋｇ
を除去後、他の２０ｋｇのエチレングリコールを添加容
器からこの反応がま中に１０分間にわたって充填した。
反応を１９５〜２００℃で５時間行った。５時間の反応
時間の終わりに、冷却を施した。反応がまの温度が９０
℃になると、反応がまの内容物を攪拌真空フィルタ中に
排出して、濾液を流出させた。未精製材料を２回、反応
がまをすすぐために使用された熱ＤＭＦ５０ｋｇで再ス
ラリー洗浄した。洗浄を、熱ＤＭＦ１００ｋｇにより７
５〜９０℃で２回以上行った。次に、その材料を脱イオ
ン水５０ｋｇにより７５〜９０℃で３回再スラリー洗浄
した。次に、得られたウェットケークを、温かいメタノ
ール（４５℃）５０ｋｇで３０分間、更に３回、再スラ
リー洗浄して濾過した。メタノールを真空棚型乾燥機中
で６０℃で乾燥した。その結果、アルコキシ橋架けガリ
ウムフタロシアニン二量体〔（ＰｃＧａＯＣＨ）〕８．
５１ｋｇ（収率８１．４％）を得た。
量体の合成：２０ガロンのガラス内張り反応がまを窒素
でパージして、トルエン３２ｋｇを充填した。反応がま
の攪拌機を始動して、ガリウムトリクロライド３．０ｋ
ｇを反応がまの充填口を介して充填した。反応がまの充
填口を閉じて、反応がまジャケットに冷却を施しながら
攪拌機の速度を２００ｒｐｍに増加した。ナトリウムメ
トキサイド溶液１１．０４ｋｇ（メタノール中で２５重
量％）を添加容器から反応がま中へ３０分間にわたって
充填した。次に、反応がまにｏ−フタロジニトリル８．
７３２ｋｇとエチレングリコール２０ｋｇを充填した。
次に、反応がまを、反応がまジャケットに熱油を供給し
て、加熱した。１９５〜２００℃の反応温度まで加熱中
に、メタノールとトルエンを留去した。蒸留物２０ｋｇ
を除去後、他の２０ｋｇのエチレングリコールを添加容
器からこの反応がま中に１０分間にわたって充填した。
反応を１９５〜２００℃で５時間行った。５時間の反応
時間の終わりに、冷却を施した。反応がまの温度が９０
℃になると、反応がまの内容物を攪拌真空フィルタ中に
排出して、濾液を流出させた。未精製材料を２回、反応
がまをすすぐために使用された熱ＤＭＦ５０ｋｇで再ス
ラリー洗浄した。洗浄を、熱ＤＭＦ１００ｋｇにより７
５〜９０℃で２回以上行った。次に、その材料を脱イオ
ン水５０ｋｇにより７５〜９０℃で３回再スラリー洗浄
した。次に、得られたウェットケークを、温かいメタノ
ール（４５℃）５０ｋｇで３０分間、更に３回、再スラ
リー洗浄して濾過した。メタノールを真空棚型乾燥機中
で６０℃で乾燥した。その結果、アルコキシ橋架けガリ
ウムフタロシアニン二量体〔（ＰｃＧａＯＣＨ）〕８．
５１ｋｇ（収率８１．４％）を得た。
【００４１】〔実施例ＶＩＩＩ〕 先駆物質（Ｉ型ＨＯＧａＰｃ）の加水分解：硫酸（１２
５ｇ）を１２５ｍｌの三角フラスコ内で４０℃まで加熱
した。その加熱した酸に上記記載したように製造したブ
ルー固体のアルコキシ橋架けガリウムフタロシアニン二
量体〔（ＰｃＧａＯＣＨ）〕５ｇを添加した。固体の添
加は約１５分間で完了した。その間に溶液の温度は約４
７〜４８℃まで上昇した。次にこの酸性溶液を４０℃で
２時間攪拌した。その時点で、酸性溶液を濃縮（〜３３
％）アンモニア（２６５ｍｌ）と５℃未満の温度に冷却
した脱イオン水（４３５ｍｌ）とからなる混合物に、滴
下方法で添加した。溶解された顔料の添加を約３０分間
にわたって完了した。その間に溶液の温度は約３５〜４
０℃に上昇した。次に、この再沈殿した顔料を冷却浴か
ら取り出し、室温で１時間攪拌した。次に得られた顔料
を、ワットマン９３４−ＡＨグレードガラス繊維フィル
タを取り付けた磁製漏斗によって濾過した。得られたブ
ルー顔料を新しい脱イオン水中に、室温で１時間攪拌す
ることにより再び分散させて、先程のように濾過した。
この工程を少なくも３回、炉液の導電度が＜２０μＳな
るまで繰り返した。フィルタケークを５０℃で１晩、オ
ーブン乾燥して、ダークブルーの固体のＩ型ヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン４．７５ｇ（９５％）を得た。
５ｇ）を１２５ｍｌの三角フラスコ内で４０℃まで加熱
した。その加熱した酸に上記記載したように製造したブ
ルー固体のアルコキシ橋架けガリウムフタロシアニン二
量体〔（ＰｃＧａＯＣＨ）〕５ｇを添加した。固体の添
加は約１５分間で完了した。その間に溶液の温度は約４
７〜４８℃まで上昇した。次にこの酸性溶液を４０℃で
２時間攪拌した。その時点で、酸性溶液を濃縮（〜３３
％）アンモニア（２６５ｍｌ）と５℃未満の温度に冷却
した脱イオン水（４３５ｍｌ）とからなる混合物に、滴
下方法で添加した。溶解された顔料の添加を約３０分間
にわたって完了した。その間に溶液の温度は約３５〜４
０℃に上昇した。次に、この再沈殿した顔料を冷却浴か
ら取り出し、室温で１時間攪拌した。次に得られた顔料
を、ワットマン９３４−ＡＨグレードガラス繊維フィル
タを取り付けた磁製漏斗によって濾過した。得られたブ
ルー顔料を新しい脱イオン水中に、室温で１時間攪拌す
ることにより再び分散させて、先程のように濾過した。
この工程を少なくも３回、炉液の導電度が＜２０μＳな
るまで繰り返した。フィルタケークを５０℃で１晩、オ
ーブン乾燥して、ダークブルーの固体のＩ型ヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン４．７５ｇ（９５％）を得た。
【００４２】Ｖ型ＨＯＧａＰｃへの転化：上記（９５
％）のダークブルーの固体Ｉ型生成物顔料（３．０ｇ）
をガラスビーズ（直径１ｍｍ）９０ｇを含む１２０ｍｌ
のガラス瓶中のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＢＤＨ
保証）４５ｍｌに添加した。瓶をシールしてボールミル
上に一晩（１６〜２４時間）置いた。固体をワットマン
ＧＦ／Ｆグレードガラス繊維フィルターを取り付けた磁
製漏斗を介して濾過により単離して、ｎ−ブチルアセト
ン（５０ｍｌ）で５回、フィルタ内で洗浄した。得られ
たフィルタケークを一晩、即ち約１８時間、５０℃でオ
ーブン乾燥して、ダークブルー固体２．８ｇ（９３％）
を得た。このダークブルーの固体をＸＲＰＤによりＶ型
ＨＯＧａＰｃと同定した。
％）のダークブルーの固体Ｉ型生成物顔料（３．０ｇ）
をガラスビーズ（直径１ｍｍ）９０ｇを含む１２０ｍｌ
のガラス瓶中のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＢＤＨ
保証）４５ｍｌに添加した。瓶をシールしてボールミル
上に一晩（１６〜２４時間）置いた。固体をワットマン
ＧＦ／Ｆグレードガラス繊維フィルターを取り付けた磁
製漏斗を介して濾過により単離して、ｎ−ブチルアセト
ン（５０ｍｌ）で５回、フィルタ内で洗浄した。得られ
たフィルタケークを一晩、即ち約１８時間、５０℃でオ
ーブン乾燥して、ダークブルー固体２．８ｇ（９３％）
を得た。このダークブルーの固体をＸＲＰＤによりＶ型
ＨＯＧａＰｃと同定した。
【００４３】〔実施例Ｘ〕 顔料混合物の製造：Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシア
ニンとＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシ
アニンとの混合物を、ガラス瓶中にその２つの乾燥顔料
を５０％ずつ合体して、ボールミルにより２時間混合す
ることにより製造した。
ニンとＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシ
アニンとの混合物を、ガラス瓶中にその２つの乾燥顔料
を５０％ずつ合体して、ボールミルにより２時間混合す
ることにより製造した。
【００４４】デバイス製造：デバイス、即ち光導電性画
像形成部材を、単色光（λ＝７８０ｎｍ）露光及びＶ
ddp ＝８００Ｖの条件下で、下記デバイス構造を用いて
試験した。
像形成部材を、単色光（λ＝７８０ｎｍ）露光及びＶ
ddp ＝８００Ｖの条件下で、下記デバイス構造を用いて
試験した。
【００４５】Ｔｉ（マイラー）／〜０．０５μｍのγ−
アミノプロピルメチルジエトキシシラン／〜０．０５μ
ｍのポリエステル４９，０００（グッドイヤー社）／〜
０．１μｍ〜０．２μｍの５７容量％顔料：ＰＶＤ（Ｂ
ＭＳ）／〜２５〜３０μｍの５０Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビ
フェニル−４，４’−ジアミン：ＭＫ（メチルケト
ン）。
アミノプロピルメチルジエトキシシラン／〜０．０５μ
ｍのポリエステル４９，０００（グッドイヤー社）／〜
０．１μｍ〜０．２μｍの５７容量％顔料：ＰＶＤ（Ｂ
ＭＳ）／〜２５〜３０μｍの５０Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビ
フェニル−４，４’−ジアミン：ＭＫ（メチルケト
ン）。
【００４６】クロロベンゼン６１．５ｇ中で、Ｎ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−
１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン５．４ｇと
ポリカーボネート８．１ｇを溶解することにより正孔輸
送層溶液を製造した。その溶液を、１０ｍｉｌのフィル
ムアプリケータを用いて、ＨＯＧａＰｃＶ型発生層上に
コーティングした。こうして得られた電荷輸送層を１１
５℃で６０分間乾燥すると、約２８μｍの最終厚みとな
った。
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−
１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン５．４ｇと
ポリカーボネート８．１ｇを溶解することにより正孔輸
送層溶液を製造した。その溶液を、１０ｍｉｌのフィル
ムアプリケータを用いて、ＨＯＧａＰｃＶ型発生層上に
コーティングした。こうして得られた電荷輸送層を１１
５℃で６０分間乾燥すると、約２８μｍの最終厚みとな
った。
【００４７】上記記載したように製造した光応答性画像
形成部材のゼログラフィック電気特性（表２）は、電位
計に取り付けられた容量結合されたプローブで測定して
表面電位が−８００Ｖの初期暗減衰値Ｖ0 に達するまで
コロナ放電ソースを用いてその表面を静電的に帯電させ
ることにより決定した。暗室に０．５秒間放置した後、
帯電した部材は表面電位、Ｖddp 、又は暗現像電位(dar
k development potential)に達した。次にその部材をキ
セノンランプからの濾光に露光した。光放電効果による
Ｖddp からバックグランド（背景）電位Ｖbgへの表面電
位の減少を観察した。Ｖ／秒の暗減衰は（ＶO −
Ｖddp ）／０．５として計算した。放電率は１００×
（Ｖddp −Ｖbg）／Ｖddp として計算した。半分の露光
エネルギー、即ちＶddp をその初期値の半分に減少させ
る露光エネルギーの量Ｅ1/2 を、決定した。選択された
光の波長は７８０ｎｍであった。
形成部材のゼログラフィック電気特性（表２）は、電位
計に取り付けられた容量結合されたプローブで測定して
表面電位が−８００Ｖの初期暗減衰値Ｖ0 に達するまで
コロナ放電ソースを用いてその表面を静電的に帯電させ
ることにより決定した。暗室に０．５秒間放置した後、
帯電した部材は表面電位、Ｖddp 、又は暗現像電位(dar
k development potential)に達した。次にその部材をキ
セノンランプからの濾光に露光した。光放電効果による
Ｖddp からバックグランド（背景）電位Ｖbgへの表面電
位の減少を観察した。Ｖ／秒の暗減衰は（ＶO −
Ｖddp ）／０．５として計算した。放電率は１００×
（Ｖddp −Ｖbg）／Ｖddp として計算した。半分の露光
エネルギー、即ちＶddp をその初期値の半分に減少させ
る露光エネルギーの量Ｅ1/2 を、決定した。選択された
光の波長は７８０ｎｍであった。
【００４８】
【表１】
【００４９】
【表２】
【００５０】
【発明の効果】本発明の光導電性画像形成部材は、上記
のような構成としたので、簡便で経済的なテトラフルオ
ロヒドロキシガリウムフタロシアニンが得られ、並びに
この新規なテトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシ
アニンを用いた光導電性画像形成部材は近赤外線に感光
性を有し、ゼログラフィック電気特性が向上するという
優れた効果を奏する。
のような構成としたので、簡便で経済的なテトラフルオ
ロヒドロキシガリウムフタロシアニンが得られ、並びに
この新規なテトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシ
アニンを用いた光導電性画像形成部材は近赤外線に感光
性を有し、ゼログラフィック電気特性が向上するという
優れた効果を奏する。
【図１】新規のＩ型テトラフルオロクロロガリウムフタ
ロシアニンＸ線回折パターンを示し、このＸ線回折パタ
ーンは１６．５°、２５．５°、２６．２°、２７．３
°および２８．８°にピーク、および７．０°２Θに最
高ピークを有する。
ロシアニンＸ線回折パターンを示し、このＸ線回折パタ
ーンは１６．５°、２５．５°、２６．２°、２７．３
°および２８．８°にピーク、および７．０°２Θに最
高ピークを有する。
【図２】新規のＩ型テトラフルオロヒドロキシガリウム
フタロシアニンＸ線回折パターンを示し、このＸ線回折
パターンは６．５°に主ピーク、および１５．６°と２
６．５°２Θに小ピークを有する。
フタロシアニンＸ線回折パターンを示し、このＸ線回折
パターンは６．５°に主ピーク、および１５．６°と２
６．５°２Θに小ピークを有する。
【図３】新規のＩＩ型テトラフルオロヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンＸ線回折パターンを示し、このＸ線回
折パターンは６．６°に主ピーク、および１２．７°、
１５．４°、２６．３°および２７．０°２Θに小ピー
クを有する。
ムフタロシアニンＸ線回折パターンを示し、このＸ線回
折パターンは６．６°に主ピーク、および１２．７°、
１５．４°、２６．３°および２７．０°２Θに小ピー
クを有する。
【図４】新規のＩＩＩ型テトラフルオロヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンＸ線回折パターンを示し、このＸ線
回折パターンは７．５°に主ピーク、および９．１°、
１５．６°、１６．５°、１９．５°、２１．８°、２
２．６°および２７．３°２Θに小ピークを有する。
ウムフタロシアニンＸ線回折パターンを示し、このＸ線
回折パターンは７．５°に主ピーク、および９．１°、
１５．６°、１６．５°、１９．５°、２１．８°、２
２．６°および２７．３°２Θに小ピークを有する。
【図５】新規のＩＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンＸ線回折パターンを示し、このＸ線回
折パターンは６．５°に主ピーク、および７．５°、１
５．２°、１５．７°および２６．５°２Θに小ピーク
を有する。
ムフタロシアニンＸ線回折パターンを示し、このＸ線回
折パターンは６．５°に主ピーク、および７．５°、１
５．２°、１５．７°および２６．５°２Θに小ピーク
を有する。
【図６】新規のＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウム
フタロシアニンＸ線回折パターンを示し、このＸ線回折
パターンは６．６°に主ピーク、および６．０°、１
３．４°、１４．７°、１５．９°、１６．９°、２
６．１°および２７．０°２Θに小ピークを有する。
フタロシアニンＸ線回折パターンを示し、このＸ線回折
パターンは６．６°に主ピーク、および６．０°、１
３．４°、１４．７°、１５．９°、１６．９°、２
６．１°および２７．０°２Θに小ピークを有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェイムズ エム．ダフ カナダ国 エル５エヌ ２イー８ オンタ リオ州 ミシソーガ モンテビデオ ロー ド 6185 (72)発明者 ゴードン ケー．ハマー カナダ国 エル５エル ２ピー４ オンタ リオ州 ミシソーガ サウス ミルウェイ ナンバー１−2280 (72)発明者 サンドラ ジェイ．ガードナー カナダ国 エム２エイチ ３ジェイ８ オ ンタリオ州 ウィロウデイル ドン ミル ズ ロード ナンバー310−4001
Claims (3)
- 【請求項１】 支持基体、光発生層、及び電荷輸送層を
含む光導電性画像形成部材であって、該光発生層がテト
ラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む光
導電性画像形成部材。 - 【請求項２】 前記フタロシアニンが、６．５°のブラ
ッグ角に主ピークを有し、１５．６°及び２６．５°２
Θに小ピークを有するＸ線粉末回折トレースを有するＩ
型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタロシアニン；
６．６°のブラッグ角に主ピークを有し、１２．７°、
１５．４°、２６．３°及び２７．０°２Θに小ピーク
を有するＸ線粉末回折トレースを有するＩＩ型テトラフ
ルオロヒドロキシガリウムフタロシアニン；７．５°の
ブラッグ角に主ピークを有し、９．１°、１５．６°、
１６．５°、１９．５°、２１．８°、２２．６°およ
び２７．３°２Θに小ピークを有するＸ線粉末回折トレ
ースを有するＩＩＩ型テトラフルオロヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン；又は６．５°のブラッグ角に主ピー
クを有し、７．５°、１５．２°、１５．７°および２
６．５°２Θに小ピークを有するＸ線粉末回折トレース
を有するＩＶ型テトラフルオロヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン；である、請求項１に記載の光導電性画像形
成部材。 - 【請求項３】 テトラフルオロヒドロキシガリウムフタ
ロシアニンが下記式のＩ型、ＩＩ型、ＩＩＩ型又はＩＶ
型である請求項１に記載の光導電性画像形成部材。 【化１】
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- 1995-08-03 US US08/510,726 patent/US5534376A/en not_active Expired - Lifetime
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1996
- 1996-07-26 JP JP19747496A patent/JP3836190B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
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