JPH09115989A - 半導体ウエハの位置合わせ及び水張り方法 - Google Patents
半導体ウエハの位置合わせ及び水張り方法Info
- Publication number
- JPH09115989A JPH09115989A JP29726995A JP29726995A JPH09115989A JP H09115989 A JPH09115989 A JP H09115989A JP 29726995 A JP29726995 A JP 29726995A JP 29726995 A JP29726995 A JP 29726995A JP H09115989 A JPH09115989 A JP H09115989A
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- Japan
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- semiconductor wafer
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- layer
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】スピンドル軸の下端に張設したラバー層の中心
点と半導体ウエハの中心点を完全に一致させると共に、
ラバー層の下面に水張りを行い、半導体ウエハの高品質
の均一化に対応できる位置合わせ方法及び水張り方法を
提供する。 【構成】研磨定盤の近傍へ乗載台を配設させ、乗載台へ
は液体貯溜部を備えて液体噴流口を設け、乗載台の頂面
へは流出防止環を固定し、流出防止環の内側の頂面へ液
体排水部を設けると共に、乗載台の上方へスピンドル軸
を配設し、スピンドル軸にチャックを設け、チャックに
ラバー層を張設し、ラバー層の外周辺へコントロールリ
ングを固定した。
点と半導体ウエハの中心点を完全に一致させると共に、
ラバー層の下面に水張りを行い、半導体ウエハの高品質
の均一化に対応できる位置合わせ方法及び水張り方法を
提供する。 【構成】研磨定盤の近傍へ乗載台を配設させ、乗載台へ
は液体貯溜部を備えて液体噴流口を設け、乗載台の頂面
へは流出防止環を固定し、流出防止環の内側の頂面へ液
体排水部を設けると共に、乗載台の上方へスピンドル軸
を配設し、スピンドル軸にチャックを設け、チャックに
ラバー層を張設し、ラバー層の外周辺へコントロールリ
ングを固定した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高品質の均一化を要求
される半導体ウエハと研磨加工するためのラップ盤、ポ
リッシング盤の全自動研削盤等に組設される乗載台での
位置合わせ方法及びラバー層への水張り方法に関するも
のである。
される半導体ウエハと研磨加工するためのラップ盤、ポ
リッシング盤の全自動研削盤等に組設される乗載台での
位置合わせ方法及びラバー層への水張り方法に関するも
のである。
【０００２】
【発明の背景】本発明に係るこの種の半導体ウエハは、
コンピュータ等の電子関連機器、所謂ＯＡ機器等の集積
回路に使用されており、その開発は日々進歩しており機
器そのものの小型化に伴う極薄化と、作業性の観点から
より一層の拡径化と、歩留まりの観点からのより高精度
の加工精度と高品質の均一化が要求されてきている。
コンピュータ等の電子関連機器、所謂ＯＡ機器等の集積
回路に使用されており、その開発は日々進歩しており機
器そのものの小型化に伴う極薄化と、作業性の観点から
より一層の拡径化と、歩留まりの観点からのより高精度
の加工精度と高品質の均一化が要求されてきている。
【０００３】
【従来技術】通常、これ等の半導体ウエハには、シリコ
ン結晶の成長方向を示すために「オリフラ」と称される
外周の一部を直線状にカットした欠落部分が形成されて
おり、このため半導体ウエハの外周部を利して機械的に
位置合わせするには、この「オリフラ」が障害となって
いた。
ン結晶の成長方向を示すために「オリフラ」と称される
外周の一部を直線状にカットした欠落部分が形成されて
おり、このため半導体ウエハの外周部を利して機械的に
位置合わせするには、この「オリフラ」が障害となって
いた。
【０００４】又、従来の研磨盤等は、生産性の観点から
研磨定盤と研磨プレートとの間に挟着して同時に複数枚
の半導体ウエハを加工する装置が主流と成っていたが、
この場合、従来レベルの品質の半導体ウエハなら充分対
応でるものであるが、昨今要求される高品質に均一化さ
れたレベルの半導体ウエハではバラツキがあり、課題を
有しており、その為に、一組のスピンドル軸の下端に一
枚の半導体ウエハを取着して研磨加工を行うようになっ
ているが、スピンドル軸の回転軸の中心点と半導体ウエ
ハの中心点とが移送中に若干ずれて課題を有していた。
研磨定盤と研磨プレートとの間に挟着して同時に複数枚
の半導体ウエハを加工する装置が主流と成っていたが、
この場合、従来レベルの品質の半導体ウエハなら充分対
応でるものであるが、昨今要求される高品質に均一化さ
れたレベルの半導体ウエハではバラツキがあり、課題を
有しており、その為に、一組のスピンドル軸の下端に一
枚の半導体ウエハを取着して研磨加工を行うようになっ
ているが、スピンドル軸の回転軸の中心点と半導体ウエ
ハの中心点とが移送中に若干ずれて課題を有していた。
【０００５】
【解決しようとする課題】昨今要求される半導体ウエハ
は、歩留まりの観点から高品質の均一化であり、従っ
て、複数枚の半導体ウエハの均一化を計るためには、加
工前の位置合わせは夫々の半導体ウエハの中心点と回転
して加工を施すスピンドルの中心点とを完全に合致させ
た正確な同心状の位置合わせが必要と成っており、同一
の位置で同一の条件で研磨加工することが高品質の均一
化には最も望ましいものである。
は、歩留まりの観点から高品質の均一化であり、従っ
て、複数枚の半導体ウエハの均一化を計るためには、加
工前の位置合わせは夫々の半導体ウエハの中心点と回転
して加工を施すスピンドルの中心点とを完全に合致させ
た正確な同心状の位置合わせが必要と成っており、同一
の位置で同一の条件で研磨加工することが高品質の均一
化には最も望ましいものである。
【０００６】
【発明の目的】本発明は上記の課題に鑑みて成されたも
ので、鋭意研鑚の結果、課題を解決するものであり、ス
ピンドル軸の下端に張設したラバー層の中心点と半導体
ウエハの中心点を完全に一致させると共に、ラバー層の
下面に水張りを行い、半導体ウエハの高品質の均一化に
対応できる位置合わせ方法及び水張り方法に創達し、こ
れを提供する目的である。
ので、鋭意研鑚の結果、課題を解決するものであり、ス
ピンドル軸の下端に張設したラバー層の中心点と半導体
ウエハの中心点を完全に一致させると共に、ラバー層の
下面に水張りを行い、半導体ウエハの高品質の均一化に
対応できる位置合わせ方法及び水張り方法に創達し、こ
れを提供する目的である。
【０００７】
【発明の構成】本発明の構成は、研磨定盤の近傍へ乗載
台を配設させ、乗載台へは液体貯溜部を備えて液体噴流
口を設け、乗載台の頂面へは流出防止環を固定し、流出
防止環の内側の頂面へ液体排水部を設けると共に、乗載
台の上方へスピンドル軸を配設し、スピンドル軸にチャ
ックを設け、チャックにラバー層を張設し、ラバー層の
外周辺へコントロールリングを固定した構成である。
台を配設させ、乗載台へは液体貯溜部を備えて液体噴流
口を設け、乗載台の頂面へは流出防止環を固定し、流出
防止環の内側の頂面へ液体排水部を設けると共に、乗載
台の上方へスピンドル軸を配設し、スピンドル軸にチャ
ックを設け、チャックにラバー層を張設し、ラバー層の
外周辺へコントロールリングを固定した構成である。
【０００８】
【発明の作用】液体貯溜部へ液体噴流口より半導体ウエ
ハが流出防止環の上方から流出しない程度に液体を噴流
させ、液体の上面に半導体ウエハを乗載させて浮かべる
と共に、半導体ウエハの上面に液体を流出させて略全面
に液体層を形成し、スピンドル軸を降下させてラバー層
の下面と液体層とを接触させて半導体ウエハをセンター
リングさせて位置合わせすると共に、液体噴流口から噴
流する液体の水量を増加させて下方からの水圧で前記液
体層を破壊させてラバー層に半導体ウエハを水張りする
ものである。
ハが流出防止環の上方から流出しない程度に液体を噴流
させ、液体の上面に半導体ウエハを乗載させて浮かべる
と共に、半導体ウエハの上面に液体を流出させて略全面
に液体層を形成し、スピンドル軸を降下させてラバー層
の下面と液体層とを接触させて半導体ウエハをセンター
リングさせて位置合わせすると共に、液体噴流口から噴
流する液体の水量を増加させて下方からの水圧で前記液
体層を破壊させてラバー層に半導体ウエハを水張りする
ものである。
【０００９】
【発明の実施例】斯る目的を達成した本発明の位置合わ
せ方法と水張り方法とを以下の実施例の図面によって説
明する。
せ方法と水張り方法とを以下の実施例の図面によって説
明する。
【００１０】図１は本発明を実施する前のスピンドル軸
と乗載台の概要説明図であり、図２は本発明の乗載台に
液体を噴流させている概要説明図であり、図３は半導体
ウエハを乗載させて液体層を形成した状態の概要説明図
であり、図４はスピンドル軸を降下させてラバー層に液
体層を接触させた状態の概要説明図であり、図５は液体
の水量を増加させて水張りさせている状態の概要説明図
であり、図６はスピンドル軸の下端のラバー層に半導体
ウエハを水張りさせた状態の概要説明図である。
と乗載台の概要説明図であり、図２は本発明の乗載台に
液体を噴流させている概要説明図であり、図３は半導体
ウエハを乗載させて液体層を形成した状態の概要説明図
であり、図４はスピンドル軸を降下させてラバー層に液
体層を接触させた状態の概要説明図であり、図５は液体
の水量を増加させて水張りさせている状態の概要説明図
であり、図６はスピンドル軸の下端のラバー層に半導体
ウエハを水張りさせた状態の概要説明図である。
【００１１】本発明は、高品質の均一化を要求される半
導体ウエハＷを研磨させるためのラップ盤、ポリッシン
グ盤の全自動研削盤等に組設される位置合わせ方法及び
水張り方法に関するものであり、研磨定盤の近傍へ略円
筒状の乗載台１を配設させ、該乗載台１の内部へは上方
に液体貯溜部２を備えて複数の液体噴流口３を設け、該
乗載台１の頂面１ａへは内径が半導体ウエハＷの外径よ
りも若干大径に形成された流出防止環４を固定し、該流
出防止環４の内側の前記頂面１ａへ液体排水部５を設け
ると共に、前記乗載台１の上方へ昇降自在なスピンドル
軸６を配設し、該スピンドル軸６の下端にチャック７を
設け、該チャック７の下面にラバー層８を張設し、該ラ
バー層８の下面の外周辺へコントロールリング９を固定
した研磨盤等を用いて、前記液体貯溜部２へ液体噴流口
３より半導体ウエハＷが流出防止環４の上方から流出し
ない程度に液体Ａを噴流させ、該液体Ａの上面に半導体
ウエハＷを乗載させて浮かべると共に、前記半導体ウエ
ハＷの上面に液体Ａを流出させて略全面に液体層Ｂを形
成し、スピンドル軸６を降下させてラバー層８の下面と
前記液体層Ｂとを接触させて半導体ウエハＷをセンター
リングさせて位置合わせすると共に、前記液体噴流口３
から噴流する液体Ａの水量を増加させて下方からの水圧
で前記液体層Ｂを破壊させてラバー層８に半導体ウエハ
Ｗを水張りするものである。
導体ウエハＷを研磨させるためのラップ盤、ポリッシン
グ盤の全自動研削盤等に組設される位置合わせ方法及び
水張り方法に関するものであり、研磨定盤の近傍へ略円
筒状の乗載台１を配設させ、該乗載台１の内部へは上方
に液体貯溜部２を備えて複数の液体噴流口３を設け、該
乗載台１の頂面１ａへは内径が半導体ウエハＷの外径よ
りも若干大径に形成された流出防止環４を固定し、該流
出防止環４の内側の前記頂面１ａへ液体排水部５を設け
ると共に、前記乗載台１の上方へ昇降自在なスピンドル
軸６を配設し、該スピンドル軸６の下端にチャック７を
設け、該チャック７の下面にラバー層８を張設し、該ラ
バー層８の下面の外周辺へコントロールリング９を固定
した研磨盤等を用いて、前記液体貯溜部２へ液体噴流口
３より半導体ウエハＷが流出防止環４の上方から流出し
ない程度に液体Ａを噴流させ、該液体Ａの上面に半導体
ウエハＷを乗載させて浮かべると共に、前記半導体ウエ
ハＷの上面に液体Ａを流出させて略全面に液体層Ｂを形
成し、スピンドル軸６を降下させてラバー層８の下面と
前記液体層Ｂとを接触させて半導体ウエハＷをセンター
リングさせて位置合わせすると共に、前記液体噴流口３
から噴流する液体Ａの水量を増加させて下方からの水圧
で前記液体層Ｂを破壊させてラバー層８に半導体ウエハ
Ｗを水張りするものである。
【００１２】即ち、本発明は、半導体ウエハＷの研磨加
工において昨今要求される高品質の均一化に充分に対応
できるラッピングマシーン、ポリシングマシーンの研磨
盤等に実施するものであって、研磨加工される加工前の
半導体ウエハＷを単品毎に桟体で仕切って複数枚が格納
されているカセットから移送アームのバキュームパット
で吸着して移送し、研磨プレートの上面とスピンドル軸
６の下端のラバー層８の下面との間に挟着し、高品質に
均一化させた研磨加工を施すために、ラバー層８の中心
位置に正確に位置合わせをすると共に水張りをさせるた
めの方法に関するものである。
工において昨今要求される高品質の均一化に充分に対応
できるラッピングマシーン、ポリシングマシーンの研磨
盤等に実施するものであって、研磨加工される加工前の
半導体ウエハＷを単品毎に桟体で仕切って複数枚が格納
されているカセットから移送アームのバキュームパット
で吸着して移送し、研磨プレートの上面とスピンドル軸
６の下端のラバー層８の下面との間に挟着し、高品質に
均一化させた研磨加工を施すために、ラバー層８の中心
位置に正確に位置合わせをすると共に水張りをさせるた
めの方法に関するものである。
【００１３】本発明を実施する乗載台１は基台に立設さ
せた研磨プレートの近傍に配設されている略円筒状のも
ので、図１に図示の如く、該乗載台１の内部の上方は純
水等の液体Ａを一時的に貯溜させるための空間とした液
体貯溜部２を備えているもので、該液体貯溜部２の下方
へは液体Ａを噴流させるための複数の液体噴流口３を設
けているものである。
せた研磨プレートの近傍に配設されている略円筒状のも
ので、図１に図示の如く、該乗載台１の内部の上方は純
水等の液体Ａを一時的に貯溜させるための空間とした液
体貯溜部２を備えているもので、該液体貯溜部２の下方
へは液体Ａを噴流させるための複数の液体噴流口３を設
けているものである。
【００１４】更に、乗載台１の若干巾の頂面１ａへは内
径が半導体ウエハＷの外径よりも若干大径に形成された
流出防止環４を貼着等に手段によって固定すると共に、
流出防止環４の内側の前記頂面１ａへ液体Ａを乗載台１
の外方に排水させるための液体排水部５を設けたもので
あり、該液体排水部５は実施例では頂面１ａを垂直方向
に貫いて長孔を穿設しているものであるが、水平方向に
凹溝を刻設して水平方向に液体排水部５を設け排水する
ようにしても構わないものである。
径が半導体ウエハＷの外径よりも若干大径に形成された
流出防止環４を貼着等に手段によって固定すると共に、
流出防止環４の内側の前記頂面１ａへ液体Ａを乗載台１
の外方に排水させるための液体排水部５を設けたもので
あり、該液体排水部５は実施例では頂面１ａを垂直方向
に貫いて長孔を穿設しているものであるが、水平方向に
凹溝を刻設して水平方向に液体排水部５を設け排水する
ようにしても構わないものである。
【００１５】そして、図１に図示の如く、乗載台１の上
方へ研磨盤のコラム（図示しない）に昇降自在に且つ回
転自在に担持されたスピンドル軸６を配設しているもの
であり、スピンドル軸６の下端にチャック７を設け、チ
ャック７の下面に柔軟性を有し半導体ウエハＷを水張り
するラバー層８を張設し、ラバー層８の下面の外周辺へ
は研磨加工中に半導体ウエハＷの外周の縁べりを防止す
るためのコントロールリング９を固定しているものであ
る。
方へ研磨盤のコラム（図示しない）に昇降自在に且つ回
転自在に担持されたスピンドル軸６を配設しているもの
であり、スピンドル軸６の下端にチャック７を設け、チ
ャック７の下面に柔軟性を有し半導体ウエハＷを水張り
するラバー層８を張設し、ラバー層８の下面の外周辺へ
は研磨加工中に半導体ウエハＷの外周の縁べりを防止す
るためのコントロールリング９を固定しているものであ
る。
【００１６】本発明の半導体ウエハＷの位置合わせ及び
水張り方法は前記構成を用いて実施するものであり、先
ず、図２に図示の如く、純水等の液体Ａを液体噴流口３
より液体貯溜部２へ噴流させるものであるが、該液体Ａ
は半導体ウエハＷが流出防止環４の上方から流出しない
程度に、つまり、液体排水部５から排水されると略同量
の液体Ａを噴流させているものである。
水張り方法は前記構成を用いて実施するものであり、先
ず、図２に図示の如く、純水等の液体Ａを液体噴流口３
より液体貯溜部２へ噴流させるものであるが、該液体Ａ
は半導体ウエハＷが流出防止環４の上方から流出しない
程度に、つまり、液体排水部５から排水されると略同量
の液体Ａを噴流させているものである。
【００１７】そして、加工前の半導体ウエハＷが複数枚
格納されているカセットから反転移送アーム等によって
液体貯溜部２へ貯溜した液体Ａの上面に半導体ウエハＷ
を乗載させるものであり、半導体ウエハＷは板状のもの
であり、更に、液体Ａを下方から上方に噴流させている
ため沈むことなく液面に浮かんでいるものである。
格納されているカセットから反転移送アーム等によって
液体貯溜部２へ貯溜した液体Ａの上面に半導体ウエハＷ
を乗載させるものであり、半導体ウエハＷは板状のもの
であり、更に、液体Ａを下方から上方に噴流させている
ため沈むことなく液面に浮かんでいるものである。
【００１８】次いで、図３に図示の如く、前記半導体ウ
エハＷの上面に上方から液体Ａを流出させて略全面に表
面張力による液体層Ｂを形成するもので、該液体Ａは液
体貯溜部２に噴流される液体Ａと同様な純水等であり、
水量は表面張力を維持できる程度のものであり、半導体
ウエハＷの外周縁から滴下状にこぼれる程度でも表面張
力による液体層Ｂが形成されれば構わないものである。
エハＷの上面に上方から液体Ａを流出させて略全面に表
面張力による液体層Ｂを形成するもので、該液体Ａは液
体貯溜部２に噴流される液体Ａと同様な純水等であり、
水量は表面張力を維持できる程度のものであり、半導体
ウエハＷの外周縁から滴下状にこぼれる程度でも表面張
力による液体層Ｂが形成されれば構わないものである。
【００１９】その後、図４に図示の如く、スピンドル軸
６を降下させるとラバー層８の下面と半導体ウエハＷの
上面の液体層Ｂとが接触するものであるが、接触と同時
に液体層Ｂは界海張力によってラバー層８の下面に接着
すると同時に、液面に浮かんでいる半導体ウエハＷは何
の抵抗に妨げられることもなく、液体層Ｂの表面張力に
よってセンターリングしてラバー層８の中心へ移動する
ことによって位置合わせするものである。
６を降下させるとラバー層８の下面と半導体ウエハＷの
上面の液体層Ｂとが接触するものであるが、接触と同時
に液体層Ｂは界海張力によってラバー層８の下面に接着
すると同時に、液面に浮かんでいる半導体ウエハＷは何
の抵抗に妨げられることもなく、液体層Ｂの表面張力に
よってセンターリングしてラバー層８の中心へ移動する
ことによって位置合わせするものである。
【００２０】更に、図５に図示の如く、センターリング
の位置合わせと略同時に乗載台１の内部の液体貯溜部２
の下方の液体噴流口３から噴流する純水等の液体Ａの水
量を増加させるものであり、液体Ａの水量を増加させた
ことによって、下方からの水圧が上昇し、該水圧によっ
てラバー層８の下面と半導体ウエハＷの上面とに挟着さ
れた状態の液体層Ｂは破壊されてしまい、ラバー層８の
下面に半導体ウエハＷが確りと水張りされるものであ
る。
の位置合わせと略同時に乗載台１の内部の液体貯溜部２
の下方の液体噴流口３から噴流する純水等の液体Ａの水
量を増加させるものであり、液体Ａの水量を増加させた
ことによって、下方からの水圧が上昇し、該水圧によっ
てラバー層８の下面と半導体ウエハＷの上面とに挟着さ
れた状態の液体層Ｂは破壊されてしまい、ラバー層８の
下面に半導体ウエハＷが確りと水張りされるものであ
る。
【００２１】次いで、スピンドル軸６を上昇させて研磨
定盤の上方に旋回させると共に、スピンドル軸６は降下
しながら回転を開始して、半導体ウエハＷはラバー層８
の下面と研磨定盤の上面とに挟着されて研磨されるもの
である。
定盤の上方に旋回させると共に、スピンドル軸６は降下
しながら回転を開始して、半導体ウエハＷはラバー層８
の下面と研磨定盤の上面とに挟着されて研磨されるもの
である。
【００２２】尚、液体貯溜部２の水面に半導体ウエハＷ
を浮かべることにより、研磨面である下面は液体Ａによ
って洗浄されるものである。
を浮かべることにより、研磨面である下面は液体Ａによ
って洗浄されるものである。
【００２３】
【発明の効果】本発明の前述ように、半導体ウエハを液
体貯溜部に浮かべて位置合わせするためにスピンドル軸
の下端のラバー層の中心位置に正確にセンタリングされ
ると共に、水流によって半導体ウエハをラバー層の下面
に水張りするために、半導体ウエハに傷つけることな
く、同一位置で、同一条件で研磨加工することができ、
品質にバラツキがなく、高品質の均一化された半導体ウ
エハを提供できる画期的なものである。
体貯溜部に浮かべて位置合わせするためにスピンドル軸
の下端のラバー層の中心位置に正確にセンタリングされ
ると共に、水流によって半導体ウエハをラバー層の下面
に水張りするために、半導体ウエハに傷つけることな
く、同一位置で、同一条件で研磨加工することができ、
品質にバラツキがなく、高品質の均一化された半導体ウ
エハを提供できる画期的なものである。
【００２２】
【図１】図１は本発明を実施する前のワークヘッドと乗
載台の概要説明である。
載台の概要説明である。
【図２】図２は本発明の乗載台に液体を噴流させている
概要説明図である。
概要説明図である。
【図３】図３は半導体ウエハを乗載させて液体層を形成
した状態の概要説明図である。
した状態の概要説明図である。
【図４】図４はスピンドル軸を降下させてラバー層に液
体層を接触させた状態の概要説明図である。
体層を接触させた状態の概要説明図である。
【図５】図５は液体の水量を増加させて水張りさせてい
る状態の概要説明図である。
る状態の概要説明図である。
【図６】図６はスピンドル軸の下端のラバー層に半導体
ウエハを水張りさせた状態の概要説明図である。
ウエハを水張りさせた状態の概要説明図である。
Ｗ 半導体ウエハ Ａ 液体 Ｂ 液体層 １ 乗載台 １ａ 頂面 ２ 液体貯溜部 ３ 液体噴流口 ４ 流出防止環 ５ 液体排水部 ６ スピンドル軸 ７ チャック ８ ラバー層 ９ コントロールリング
Claims (1)
- 【請求項１】全自動研磨盤等における半導体ウエハの位
置合わせ及び水張り方法であって、研磨定盤の近傍へ略
円筒状の乗載台を配設させ、該乗載台の内部へは上方に
液体貯溜部を備えて複数の液体噴流口を設け、該乗載台
の頂面へは内径が半導体ウエハの外径よりも若干大径に
形成された流出防止環を固定し、該流出防止環の内側の
前記頂面へ液体排水部を設けると共に、前記乗載台の上
方へ昇降自在なスピンドル軸を配設し、該スピンドル軸
の下端にチャックを設け、該チャックの下面にラバー層
を張設し、該ラバー層の下面の外周辺へコントロールリ
ングを固定した研磨盤等を用いて、前記液体貯溜部へ液
体噴流口より半導体ウエハが流出防止環の上方から流出
しない程度に液体を噴流させ、該液体の上面に半導体ウ
エハを乗載させて浮かべると共に、前記半導体ウエハの
上面に液体を流出させて略全面に液体層を形成し、スピ
ンドル軸を降下させてラバー層の下面と前記液体層とを
接触させて半導体ウエハをセンターリングさせて位置合
わせすると共に、前記液体噴流口から噴流する液体の水
量を増加させて下方からの水圧で前記液体層を破壊させ
てラバー層に半導体ウエハを水張りすることを特徴とす
る半導体ウエハの位置合わせ及び水張り方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29726995A JP4062552B2 (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 半導体ウエハの位置合わせ及び水張り方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29726995A JP4062552B2 (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 半導体ウエハの位置合わせ及び水張り方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115989A true JPH09115989A (ja) | 1997-05-02 |
| JP4062552B2 JP4062552B2 (ja) | 2008-03-19 |
Family
ID=17844340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4062552B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPH11219998A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-10 | Hitachi Ltd | 薄板形状物を加工用ホルダに移し替える方法 |
| JP2003109926A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-11 | Applied Materials Inc | 基板の受け渡し方法および機械化学的研磨装置 |
| JP2007313627A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Fujikoshi Mach Corp | ワークセンタリング装置およびワークセンタリング方法 |
| WO2019078009A1 (ja) * | 2017-10-16 | 2019-04-25 | 株式会社Sumco | 片面研磨装置へのウェーハ貼付装置、および片面研磨装置へのウェーハ貼付方法 |
| JP2020175454A (ja) * | 2019-04-15 | 2020-10-29 | 株式会社Sumco | 片面研磨装置へのウェーハ装填装置 |
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1995
- 1995-10-23 JP JP29726995A patent/JP4062552B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Date | Code | Title | Description |
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| A711 | Notification of change in applicant |
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| A521 | Written amendment |
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|
| A072 | Dismissal of procedure |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| A521 | Written amendment |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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