JP2024057194A - 研磨装置及び研磨方法 - Google Patents

Abstract

【課題】保持面の外周部に堆積するスラリーの量を低減する。【解決手段】被加工物を研磨するための研磨装置であって、被加工物を保持する円形の保持面を有する円盤状のチャックテーブルと、チャックテーブルよりも上方に設けられ長手部がチャックテーブルの高さ方向に沿って配置された円柱状のスピンドルを有し、スピンドルの下端部に被加工物を研磨する研磨パッドを含む研磨工具が装着される研磨ユニットと、研磨パッドで被加工物を研磨する際に研磨パッドにスラリーを供給するスラリー供給路を有するスラリー供給ユニットと、保持面の径方向において保持面の外周縁よりも外側に配置され且つチャックテーブルの外周部に流体を供給する供給口と、供給口に接続された供給路と、を有する流体供給ユニットと、を備える研磨装置を提供する。【選択図】図１

Description

本発明は、被加工物を研磨する研磨装置及び被加工物を研磨する研磨方法に関する。

携帯電話、パーソナルコンピュータ等の電子機器には、半導体デバイスチップが搭載されている。半導体デバイスチップは、例えば、シリコン単結晶基板を有する被加工物を加工することで製造される。

具体的には、まず、シリコン単結晶基板の表面側に複数の分割予定ライン（ストリート）を格子状に設定し、複数のストリートで区画された矩形状の各領域にＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイスを形成する。

デバイスの形成後、シリコン単結晶基板の裏面側を研削して被加工物を薄化した後、被加工物を各ストリートに沿って分割することで、複数の半導体デバイスチップが製造される。しかし、シリコン単結晶基板の裏面側には、研削に起因して、研削痕と共に微細なクラックが形成される。

研削痕やクラックは、半導体デバイスチップの抗折強度を低下させるので、研磨装置（例えば、特許文献１参照）を用いて、研削後の被加工物の裏面側を研磨することにより研削痕及び微細なクラックを裏面側から除去する。

被加工物の研磨時には、被加工物を吸引保持した円盤状のチャックテーブルを所定の回転軸の周りに回転させると共に、スピンドルを回転軸として回転する研磨パッドから被加工物にスラリーを供給しながら、研磨パッドをシリコン単結晶基板の裏面側に所定の圧力で押し当てることで、被加工物を研磨する。

しかし、研磨時には、スラリーが研磨パッドの径方向の外側に移動して、被加工物の外周部の底面と、チャックテーブルの保持面の外周部と、の間に浸入し、保持面の外周部にスラリーが固着することがある。

複数の被加工物に対して順次同様に研磨を施すことにより、保持面の外周部に堆積するスラリーの量も増加する。また、被加工物が吸引保持される位置が被加工物毎に僅かに異なることに起因して、保持面の外周部においてスラリーが堆積する範囲も広がる。

仮に、被加工物を保持面で吸引保持する際に、被加工物の外周部が保持面上に堆積したスラリーに乗り上げ、この乗り上げた状態で被加工物の研磨が行われると、被加工物の外周部が過度に研磨されて薄化されるという加工不良につながる。

特開平８－９９２６５号公報

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、保持面の外周部に堆積するスラリーの量を低減することを目的とする。

本発明の一態様によれば、被加工物を研磨するための研磨装置であって、該被加工物を保持する円形の保持面を有する円盤状のチャックテーブルと、該チャックテーブルよりも上方に設けられ長手部が該チャックテーブルの高さ方向に沿って配置された円柱状のスピンドルを有し、該被加工物を研磨する研磨パッドを含む研磨工具が該スピンドルの下端部に装着される研磨ユニットと、該研磨パッドで該被加工物を研磨する際に該研磨パッドにスラリーを供給するスラリー供給路を有するスラリー供給ユニットと、該保持面の径方向において該保持面の外周縁よりも外側に配置され且つ該チャックテーブルの外周部に流体を供給する供給口と、該供給口に接続された供給路と、を有する流体供給ユニットと、を備える研磨装置が提供される。

好ましくは、該チャックテーブルは、該保持面を含む円盤状の本体部と、該保持面の径方向において該保持面の外周縁よりも外側において該保持面を囲む様に該保持面の全周に亘って設けられた環状壁部と、を有し、該本体部の外周側面と、該環状壁部の内周側面と、で規定される環状溝の底部に、該供給口が設けられている。

本発明の他の態様によれば、被加工物を研磨する研磨方法であって、円形の保持面を有する円盤状のチャックテーブルで該被加工物を保持する保持工程と、該保持面の径方向において該保持面の外周縁よりも外側に配置された供給口と、該供給口に接続された供給路と、を有する流体供給ユニットの該供給口から該チャックテーブルの外周部に供給される流体で該被加工物の外周部の底面側を洗うと共に研磨パッドにスラリーを供給しながら、該研磨パッドで該被加工物を研磨する研磨工程と、を備える研磨方法が提供される。

好ましくは、該チャックテーブルは、該保持面を含む円盤状の本体部と、該保持面の径方向において該保持面の外周縁よりも外側において該保持面を囲む様に該保持面の全周に亘って設けられた環状壁部と、を有し、該本体部の外周側面と、該環状壁部の内周側面と、で規定される環状溝の底部に、該供給口が設けられており、該保持工程では、該被加工物の外周縁が該環状溝の直上に配置された状態で該被加工物を保持し、該研磨工程では、該供給口から該環状溝に該流体を供給することにより該環状溝から該環状溝の外へ流出する該流体で該被加工物の該外周部の該底面側を洗いながら、該被加工物を研磨する。

本発明の一態様に係る研磨装置では、保持面で吸引保持された被加工物の外周部に流体供給ユニットから流体を供給できるので、研磨中に、被加工物の外周部の底面と、チャックテーブルの保持面と、の間へ浸入するスラリーの量を低減できる。それゆえ、保持面の外周部に堆積するスラリーの量を低減できる。

本発明の他の態様に係る研磨方法の研磨工程では、チャックテーブルの外周部に供給される流体で被加工物の外周部の底面側を洗うと共に研磨パッドにスラリーを供給しながら、研磨パッドで被加工物を研磨するので、被加工物の外周部の底面と、チャックテーブルの保持面と、の間へ浸入するスラリーの量を低減できる。それゆえ、保持面の外周部に堆積するスラリーの量を低減できる。

研磨装置の一部断面側面図である。 チャックテーブルの斜視図である。 研磨方法のフロー図である。 保持工程を示す図である。 保持工程において被加工物の外周縁の近傍を拡大した一部断面側面図である。 研磨工程を示す図である。 第２の実施形態に係るチャックテーブルの外周縁の近傍を拡大した断面図である。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、第１の実施形態で使用される研磨装置２について説明する。図１は、研磨装置２の一部断面側面図である。

研磨装置２は、円盤状のチャックテーブル４を有する。図２は、チャックテーブル４の斜視図である。チャックテーブル４は、非多孔質セラミックスで形成された円盤状の枠体６を有する。枠体６の径方向の中央部には、円盤状の本体部６ａが設けられている。

本体部６ａの上面側には、円盤状の凹部６ｂ（図１参照）が形成されている。凹部６ｂには、多孔質セラミックスで形成された円盤状の多孔質板８が固定されている。多孔質板８は、凹部６ｂの内径と略同じ外径を有する。

多孔質板８の上面と、本体部６ａの上面とは、略面一となっており、略平坦な円形の保持面４ａを構成する。保持面４ａは、ＸＹ平面に略平行に配置されている。図１では、説明の便宜上、Ｚ軸方向（上下方向）のみを示すが、Ｚ軸方向に対してＸＹ平面は直交しており、Ｘ軸方向及びＹ軸方向（いずれも不図示）も互いに直交している。

枠体６には、多孔質板８に負圧を伝達するための第１流路１０ａが形成されている。なお、図１では、便宜的に、第１流路１０ａを線で示している。第１流路１０ａには、枠体６及び回転軸２８の空洞部と、チューブ、パイプ等と、で構成された第２流路１０ｂの一端が接続されている。

図１では、第２流路１０ｂも便宜的に線で示す。第１流路１０ａ及び第２流路１０ｂは、負圧を伝達するための吸引路１２として機能する。第２流路１０ｂの他端には、真空ポンプ等の吸引源１４が接続されている。

第２流路１０ｂの一端と他端との間には、第２流路１０ｂを開閉する第１電磁弁１６が設けられている。吸引源１４及び第１電磁弁１６は、研磨装置２の構成要素である。吸引源１４を動作させた状態で第１電磁弁１６を開状態とすると、吸引路１２を介して、多孔質板８の上面に負圧が伝達される。

保持面４ａに載置された被加工物１１（図４参照）は、保持面４ａで吸引保持される。被加工物１１は、例えば、円盤状のシリコン単結晶基板を有する。しかし、被加工物１１は、炭化ケイ素、窒化ガリウム等の他の半導体材料で形成された単結晶基板を有してもよい。

図５に拡大して示す様に、被加工物１１は、表面１１ａ側の外周部に面取り部（ベベル部とも称される）１１ａ_１を有する。面取り部１１ａ_１は、表面１１ａの全周に亘って形成されている。

より具体的には、表面１１ａ側の面取り部１１ａ_１は、被加工物１１の厚さ方向において、被加工物１１の外径を規定する外周縁１１ｃと、表面１１ａと、の間で、被加工物１１の周方向の全周に亘って形成されている。

被加工物１１は、同様に、裏面１１ｂ側の外周部にも面取り部１１ｂ_１を有する。裏面１１ｂ側の面取り部１１ｂ_１も、被加工物１１の厚さ方向において、外周縁１１ｃと、裏面１１ｂと、の間で、被加工物１１の周方向の全周に亘って形成されている。

被加工物１１の表面１１ａには、例えば、複数の分割予定ライン（不図示）が格子状に設定されている。複数の分割予定ラインで区画された矩形状の各領域には、ＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイス（不図示）が形成されている。

表面１１ａ側に、デバイスが形成されている場合、デバイスへの衝撃等を防ぐために、樹脂で形成された円形の保護テープ（不図示）が貼り付けられる。なお、被加工物１１におけるデバイスの数、種類、配置等は特に限定されない。被加工物１１にはデバイスが形成されていなくてもよい。

研磨時には、表面１１ａ側が保持面４ａと対面し、且つ、裏面１１ｂ側が上方を向いて露出する様に、被加工物１１を保持面４ａで吸引保持する。つまり、裏面１１ｂ側が被研磨面となる。

図１及び図２に示す様に、チャックテーブル４及び保持面４ａの径方向４ｂにおいて、保持面４ａの外周縁４ｃよりも外側には、環状壁部６ｃが設けられている。環状壁部６ｃは、枠体６と同じ材料で、枠体６と一体的に形成されている。

環状壁部６ｃは、チャックテーブル４を上面視した場合に保持面４ａを囲む様に、保持面４ａの全周に亘って設けられている。環状壁部６ｃの内周側面６ｃ_１と、本体部６ａの外周側面６ａ_１とは、保持面４ａの全周に亘って略同じ距離だけ離れており、ＸＹ平面視で円環状の環状溝６ｄを規定している。

図４に示す様に、本実施形態において、保持面４ａの外径Ａ_１は２９９ｍｍであり、環状壁部６ｃの内径Ａ_２は３０５ｍｍである。環状壁部６ｃの内周側面６ｃ_１と、本体部６ａの外周側面６ａ_１と、の距離は３ｍｍである。この様に、環状溝６ｄは、チャックテーブル４の外周部に位置している。

また、本実施形態において、被加工物１１の径Ａ_３は３００ｍｍである。それゆえ、被加工物１１の表面１１ａの中心と、保持面４ａの中心とが、略一致する様に、被加工物１１を保持面４ａで吸引保持すると、被加工物１１の外周縁１１ｃは、環状溝６ｄの直上に位置する（図４参照）。

しかし、上述した保持面４ａの外径Ａ_１、環状壁部６ｃの内径Ａ_２等の数値は、一例である。保持面４ａの外径Ａ_１、環状壁部６ｃの内径Ａ_２等は、研磨対象となる被加工物１１の径Ａ_３に応じて、被加工物１１の外周縁１１ｃが環状溝６ｄの直上に位置する様に、適宜変更される。

再度図１に戻り、研磨装置２の説明を続ける。環状溝６ｄの底部６ｄ_１は、枠体６の底面よりも上方に位置する。つまり、環状溝６ｄは、有底の溝である。環状溝６ｄの底部６ｄ_１には、チャックテーブル４の外周部に純水（流体）１３（図６参照）を供給するための複数の供給口６ｅが、環状溝６ｄの周方向に沿って略等間隔で設けられている。

枠体６には、各供給口６ｅに接続する第３流路１８ａが形成されている。第３流路１８ａには、枠体６及び回転軸２８の空洞部と、チューブ、パイプ等と、で構成された第４流路１８ｂの一端が接続されている。

なお、図１では、第３流路１８ａ及び第４流路１８ｂを便宜的に線で示す。第３流路１８ａ及び第４流路１８ｂは、環状溝６ｄに純水１３を供給するための純水供給路（供給路）２０として機能する。

第４流路１８ｂの他端には、純水供給源２２が接続されている。但し、純水供給源２２は、研磨装置２の構成要素ではない。純水供給源２２は、例えば、工場にそれぞれ設けられている受水槽、ポンプ等を含む純水供給設備である。

純水供給源２２は、研磨装置２から離れて配置された定温水供給装置であってもよい。定温水供給装置は、研磨装置２で使用された純水１３に対してろ過処理等を施し、且つ、所定の温度に調温した上で研磨装置２へ純水１３を再度供給する。

第４流路１８ｂの一端と他端との間には、第４流路１８ｂを開閉する第２電磁弁２４が設けられている。第２電磁弁２４は、研磨装置２の構成要素である。第４流路１８ｂを動作させた状態で第２電磁弁２４を開状態とすると、供給口６ｅから環状溝６ｄへ純水１３が供給される。

本実施形態では、純水供給源２２を除く、供給口６ｅと、純水供給路２０と、をまとめて、純水供給ユニット（流体供給ユニット）２６と称するが、純水供給ユニット２６は、第２電磁弁２４を含んでもよい。

チャックテーブル４の下面側には、長手方向がＺ軸方向に沿って配置された円柱状の回転軸２８の上端部が連結されている。回転軸２８の内部には、上述の第２流路１０ｂ及び第４流路１８ｂの各一部が形成されている。また、回転軸２８の下端部には、従動プーリ（不図示）が固定されている。

チャックテーブル４の近傍には、モータ等の回転駆動源（不図示）が設けられている。回転駆動源は、チャックテーブル４を回転可能に支持する支持機構（不図示）と共に、Ｚ軸方向と直交する所定方向（例えば、Ｘ軸方向）に移動可能に構成されている。

回転駆動源の出力軸には、駆動プーリ（不図示）が設けられている。駆動プーリ及び従動プーリには、歯付き無端ベルト（不図示）がかけられている。回転駆動源を動作させると、出力軸の回転が回転軸２８に伝達され、チャックテーブル４は回転軸２８の周りで回転する。

チャックテーブル４よりも上方には、研磨ユニット３０が配置されている。研磨ユニット３０は、長手方向がＺ軸方向と略平行に配置された円柱状のスピンドルハウジング（不図示）を有する。スピンドルハウジングには、研磨ユニット３０をＺ軸方向に沿って移動させるボールねじ式のＺ軸方向移動ユニット（不図示）が連結されている。

スピンドルハウジング内には、長手部がＺ軸方向に沿って配置された円柱状のスピンドル３２の一部が回転可能に収容されている。スピンドル３２の上端部の近傍には、スピンドル３２を回転させるためのモータ等の回転駆動源（不図示）が設けられている。

スピンドル３２の下端部３４は、スピンドルハウジングの下端部よりも下方に突出している。スピンドル３２の下端部３４には、円盤状のマウント３６の上面の中心部が連結されている。マウント３６は、保持面４ａの径よりも大きな径を有する。

マウント３６の下面には、マウント３６と略同径の円盤状の研磨工具３８が、ボルト等の固定部材（不図示）を利用して装着されている。つまり、研磨工具３８は、マウント３６を介してスピンドル３２の下端部３４に装着されている。

研磨工具３８は、マウント３６の下面に連結された円盤状のプラテン４０を有する。プラテン４０は、硬質の樹脂で形成されており、マウント３６と略同じ径を有する。プラテン４０の下面側には、円盤状の研磨パッド４２が固定されている。研磨パッド４２は、プラテン４０よりも小径であるが保持面４ａよりも大径である。

研磨パッド４２は、例えば、硬質発泡ポリウレタンを有するが、硬質発泡ポリウレタンに代えて、不織布を有してもよい。研磨パッド４２には、砥粒が固定されていない。研磨パッド４２で被加工物１１を研磨する際には、遊離砥粒を含むスラリー４６ａ（図６参照）を利用して被加工物１１を研磨する。

研磨工具３８は、スピンドル３２及びマウント３６と同心状に配置されている。研磨工具３８の径方向の中央部には、研磨パッド４２及びプラテン４０を貫通する貫通孔３８ａが形成されている。

貫通孔３８ａは、スピンドル３２の径方向の中央部を貫通する貫通孔３２ａと、マウント３６の径方向の中央部を貫通する貫通孔３６ａと共に、１つの流路を構成している。貫通孔３２ａの上端部には、パイプ、チューブ等を含む管部４４を介してスラリー供給源４６が接続されている。

スラリー供給源４６は、スラリー４６ａの貯留槽（不図示）と、貯留槽からスラリー４６ａを管部４４へ送るためのポンプ（不図示）と、を含む。管部４４及び貫通孔３２ａ，３６ａ，３８ａは、研磨パッド４２で被加工物１１を研磨する際に、被加工物１１及び研磨パッド４２へスラリー４６ａを供給するスラリー供給路４８として機能する。

また、本実施形態では、スラリー供給源４６及びスラリー供給路４８を、スラリー供給ユニット５０と称する。スラリー４６ａは、貫通孔３２ａ，３６ａ，３８ａを介して、保持面４ａで吸引保持された被加工物１１及び研磨パッド４２へ供給される。なお、管部４４には電磁弁が設けられてもよい。

被加工物１１がシリコン単結晶基板を有する本例において、スラリー４６ａは、砥粒と、アルカリ性の水溶液とが、略一様に混合された懸濁液である。砥粒は、例えば、シリカ（酸化シリコン）、セリア（酸化セリウム）、ジルコニア（酸化ジルコニウム）、アルミナ（酸化アルミニウム）等の微粒子である。

また、アルカリ性の水溶液は、例えば、水酸化カリウム水溶液、又は、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液である。アルカリ性の水溶液のｐＨは、９以上１１以下であることが好ましい。

研磨装置２は、各構成要素の動作を制御する不図示のコントローラ（制御部）を有する。コントローラは、吸引源１４、第１電磁弁１６、第２電磁弁２４、スピンドル３２用の回転駆動源、回転軸２８用の回転駆動源等の動作を制御する。

コントローラは、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）に代表されるプロセッサ（処理装置）と、メモリ（記憶装置）と、を含むコンピュータによって構成されている。

記憶装置は、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等の主記憶装置と、フラッシュメモリ、ハードディスクドライブ、ソリッドステートドライブ等の補助記憶装置と、を含む。

補助記憶装置には、所定のプログラムを含むソフトウェアが記憶されている。このソフトウェアに従い処理装置等を動作させることによって、コントローラの機能が実現される。

次に、図３から図５を参照して、被加工物１１を研磨する研磨方法について説明する。図３は、研磨方法のフロー図である。まず、図４に示す様に、吸引源１４の負圧を利用して被加工物１１を保持面４ａで吸引保持する（保持工程Ｓ１０）。

図４は、保持工程Ｓ１０を示す図であり、図５は、保持工程Ｓ１０において被加工物１１の外周縁１１ｃの近傍を拡大した一部断面側面図である。なお、図５では、説明の便宜上、純水供給路２０、純水供給源２２等を省略している。

保持工程Ｓ１０では、上述の様に、被加工物１１の外周縁１１ｃが環状溝６ｄの直上に配置された状態で、被加工物１１を保持面４ａで吸引保持する。保持工程Ｓ１０の後、研磨パッド４２で被加工物１１を研磨する研磨工程Ｓ２０を行う。

図６は、研磨工程Ｓ２０を示す図である。研磨工程Ｓ２０では、まず、チャックテーブル４を研磨工具３８の直下に配置する。このとき、研磨工具３８の貫通孔３８ａが裏面１１ｂの直上に位置すると共に、裏面１１ｂの外周縁１１ｃが研磨パッド４２の外周縁よりも内側に位置する様に、チャックテーブル４の位置が調整される。

次いで、純水供給源２２から供給口６ｅへ純水１３の供給を開始する。供給口６ｅから環状溝６ｄに所定の流量で純水１３をしばらく供給すると、環状溝６ｄから環状溝６ｄの外へ純水１３が溢れて流出し始める。その後、所定の流量で純水１３の供給を継続したまま、スピンドル３２及びチャックテーブル４の回転を開始する。

本実施形態では、スピンドル３２及びチャックテーブル４をそれぞれ異なる回転数で同じ向きに回転させると共に、スラリー供給路４８から被加工物１１及び研磨パッド４２へスラリー４６ａを供給しながら、Ｚ軸方向移動ユニットで研磨パッド４２を下降させて所定の圧力で被加工物１１に押圧する。加工条件の一例を下記に示す。

スピンドルの回転数 ：５００ｒｐｍ
チャックテーブルの回転数：５０５ｒｐｍ
スラリーの供給量 ：０．５Ｌ／ｍｉｎ
純水の供給量 ：１．０Ｌ／ｍｉｎ
押圧力 ：４００Ｎ

本実施形態の研磨工程Ｓ２０では、環状溝６ｄから流出する純水１３で被加工物１１の面取り部１１ａ_１（即ち、外周部の底面側）を洗いながら、裏面１１ｂ側を研磨できる。それゆえ、研磨中に、被加工物１１の外周部の底面と、保持面４ａと、の間へ浸入するスラリー４６ａの量を低減できる。従って、保持面４ａの外周部に堆積するスラリー４６ａの量を低減できる。

例えば、本実施形態の研磨工程Ｓ２０では、被加工物１１の外周部の底面と、保持面４ａと、の間へスラリー４６ａが浸入することを防止できる。この場合、研磨工程Ｓ２０を経ても外周部にスラリー４６ａが堆積しない保持面４ａを実現できる。

被加工物１１を所定時間研磨した後、研磨ユニット３０を上昇させると共に、純水１３及びスラリー４６ａの供給を停止し、更に、スピンドル３２及びチャックテーブル４の回転を停止する。そして、チャックテーブル４から被加工物１１を搬出する。

（第２の実施形態）次に、図７を参照して第２の実施形態について説明する。図７は、第２の実施形態に係るチャックテーブル４の外周縁４ｃの近傍を拡大した断面図である。なお、図７では、説明の便宜上、吸引路１２、吸引源１４等を省略している。

第２の実施形態は、環状壁部６ｃの形状が第１の実施形態と異なる。第２の実施形態の環状壁部６ｃは、内周側面６ｃ_１の上部に環状斜面６ｃ_２を有する。環状斜面６ｃ_２は、チャックテーブル４の厚さ方向に沿って枠体６の底面から保持面４ａに進むにつれて、チャックテーブル４の径方向４ｂの外側に傾く様に形成されている。

図７の断面視において、環状斜面６ｃ_２の傾斜角度θ（ＸＹ平面と環状斜面６ｃ_２との成す角度）は、例えば、６０度である。環状斜面６ｃ_２の下端は、円筒状側面６ｃ_３の上端に接続している。円筒状側面６ｃ_３は、本体部６ａの外周側面６ａ_１と略平行である。

研磨工程Ｓ２０では、環状斜面６ｃ_２の形状に起因して、環状溝６ｄから溢れて流出する純水１３が、チャックテーブル４の径方向４ｂの外側へ流れ出やすくなる。それゆえ、被加工物１１の面取り部１１ａ_１（即ち、外周部の底面側）を洗った純水１３は、環状溝６ｄ近傍に滞留せずに速やかに流出する。

なお、環状斜面６ｃ_２の傾斜角度θは、上述の６０度のみに限定されるものではない。研磨工程Ｓ２０におけるチャックテーブル４の回転数等に応じて、傾斜角度θは、４５度以上９０度未満の所定値としてよい。

その他、上述の実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、純水１３に代えて、純水１３及びエア（不図示）が混合された混合流体（流体）を供給口６ｅから環状溝６ｄへ供給してもよい。

混合流体を供給口６ｅから環状溝６ｄへ供給する場合、純水供給源２２からの純水１３と、エア供給源（不図示）からのエアと、が混合されて供給口６ｅへ供給される。混合流体を使用することで、純水１３のみを使用する場合に比べて、スラリー４６ａの洗浄効果の向上が期待できる。

２：研磨装置、４：チャックテーブル、４ａ：保持面、４ｂ：径方向、４ｃ：外周縁
６：枠体、６ａ：本体部、６ａ_１：外周側面、６ｂ：凹部
６ｃ：環状壁部、６ｃ_１：内周側面、６ｃ_２：環状斜面、６ｃ_３：円筒状側面
６ｄ：環状溝、６ｄ_１：底部、６ｅ：供給口、８：多孔質板
１０ａ：第１流路、１０ｂ：第２流路、１２：吸引路、１４：吸引源、１６：第１電磁弁
１１：被加工物、１１ａ：表面、１１ｂ：裏面、１１ａ_１，１１ｂ_１：面取り部
１１ｃ：外周縁、１３：純水（流体）
１８ａ：第３流路、１８ｂ：第４流路、２０：純水供給路（供給路）、２２：純水供給源
２４：第２電磁弁、２６：純水供給ユニット（流体供給ユニット）、２８：回転軸
３０：研磨ユニット、３２：スピンドル、３４：下端部、３６：マウント
３２ａ，３６ａ，３８ａ：貫通孔、３８：研磨工具、４０：プラテン
４２：研磨パッド、４４：管部、４６：スラリー供給源、４６ａ：スラリー
４８：スラリー供給路、５０：スラリー供給ユニット
Ｓ１０：保持工程、Ｓ２０：研磨工程
Ａ_１：外径、Ａ_２：内径、Ａ_３：径、θ：傾斜角度

Claims (4)

1. 被加工物を研磨するための研磨装置であって、
   該被加工物を保持する円形の保持面を有する円盤状のチャックテーブルと、
   該チャックテーブルよりも上方に設けられ長手部が該チャックテーブルの高さ方向に沿って配置された円柱状のスピンドルを有し、該被加工物を研磨する研磨パッドを含む研磨工具が該スピンドルの下端部に装着される研磨ユニットと、
   該研磨パッドで該被加工物を研磨する際に該研磨パッドにスラリーを供給するスラリー供給路を有するスラリー供給ユニットと、
   該保持面の径方向において該保持面の外周縁よりも外側に配置され且つ該チャックテーブルの外周部に流体を供給する供給口と、該供給口に接続された供給路と、を有する流体供給ユニットと、
   を備えることを特徴とする研磨装置。
2. 該チャックテーブルは、該保持面を含む円盤状の本体部と、該保持面の径方向において該保持面の外周縁よりも外側において該保持面を囲む様に該保持面の全周に亘って設けられた環状壁部と、を有し、
   該本体部の外周側面と、該環状壁部の内周側面と、で規定される環状溝の底部に、該供給口が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
3. 被加工物を研磨する研磨方法であって、
   円形の保持面を有する円盤状のチャックテーブルで該被加工物を保持する保持工程と、
   該保持面の径方向において該保持面の外周縁よりも外側に配置された供給口と、該供給口に接続された供給路と、を有する流体供給ユニットの該供給口から該チャックテーブルの外周部に供給される流体で該被加工物の外周部の底面側を洗うと共に研磨パッドにスラリーを供給しながら、該研磨パッドで該被加工物を研磨する研磨工程と、
   を備えることを特徴とする研磨方法。
4. 該チャックテーブルは、該保持面を含む円盤状の本体部と、該保持面の径方向において該保持面の外周縁よりも外側において該保持面を囲む様に該保持面の全周に亘って設けられた環状壁部と、を有し、
   該本体部の外周側面と、該環状壁部の内周側面と、で規定される環状溝の底部に、該供給口が設けられており、
   該保持工程では、該被加工物の外周縁が該環状溝の直上に配置された状態で該被加工物を保持し、
   該研磨工程では、該供給口から該環状溝に該流体を供給することにより該環状溝から該環状溝の外へ流出する該流体で該被加工物の該外周部の該底面側を洗いながら、該被加工物を研磨することを特徴とする請求項３に記載の研磨方法。

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