JPH09115965A - バンプ付金属リードおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップの電極とバンプ付金属リードの
バンプとを接合する場合に、電気的および機械的な信頼
性を向上させたバンプ付金属リードおよびバンプ付金属
リードの製造方法を提供する。 【解決手段】 バンプ付金属リードを、高硬度銅板２の
一方の面に第一の純銅板３ａを接合し、高硬度銅板２の
他の面に第二の純銅板３ｂを接合したクラッド板１の基
材からエッチングして得る。 【効果】 バンプ付金属リードは、熱による反りを極小
あるいは全く発生しないので、半導体チップの電極とバ
ンプ付金属リードのバンプとを接合する場合、電気的お
よび機械的な信頼性を向上することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ付金属リー
ドおよびその製造方法に関し、さらに詳しくは、半導体
チップ上にある電極の外部への電気的導出手段であり、
突起電極であるバンプを有するバンプ付金属リードおよ
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップ上
での集積密度が高くなるとともに、半導体チップ上にあ
る電極から外部へ電気的導出する端子数も多くなる傾向
にある。これに対応するため、半導体チップ上にある電
極から外部へ電気的導出する手段として、ワイヤーボン
ディングよりも組み立て工数を小とすることが可能であ
るバンプ付金属リード、つまりリードの先端に突起する
バンプを形成し、このバンプを介して半導体チップの電
極と接合する手段が種々提案されている。

【０００３】ところで、本出願人は先に特開平４−２９
６０３１号公報において、図１８の概略斜視図で示し
た、高硬度銅板２に純銅板３を接合したクラッド板１に
より構成するバンプ付金属リードおよびその製造方法を
提案した。この提案によれば、半導体チップ上にあるア
ルミニウム電極と、リードの先端にあるバンプとの接合
性が良く半導体チップに悪影響を与えない。また、製造
過程で加熱することがないのでリードを酸化することや
変形することがない等の効果がある旨記した。しかしな
がら、上記した構成のクラッド板１では高硬度銅板２と
純銅板３との熱膨張率が異なるために反りが生じ、半導
体チップ上にある複数の電極とバンプ付金属リードにあ
る複数のバンプとをいずれも接合する場合、電気的およ
び機械的な信頼性が不十分となる場合があることが判明
した。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、半導
体チップ上にある複数の電極とバンプ付金属リードにあ
る複数のバンプとをいずれも接合する場合に、電気的お
よび機械的な信頼性を向上させたバンプ付金属リードお
よびバンプ付金属リードの製造方法を提供することであ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明のバンプ付金属リードでは、バンプ
付金属リードの構成を高硬度銅板の一方の面に第一の純
銅板を接合し、高硬度銅板の他の面に第二の純銅板を接
合したクラッド板とする。そして、第一の純銅板の面に
バンプおよびリード基部をエッチングで残存させるとと
もに、第二の純銅板の面にリード底部をエッチングで残
存させた構造であることを特徴とする。

【０００６】請求項２の発明のバンプ付金属リードで
は、バンプ付金属リードの構成を高硬度銅板の一方の面
に第一の純銅板を接合し、高硬度銅板の他の面に第二の
純銅板を接合したクラッド板とする。そして、第一の純
銅板の面にバンプおよびリード基部をエッチングで残存
させるとともに、バンプとリード基部の間に第一の純銅
板の厚さ方向の一部を残存させ、さらに第二の純銅板の
面にリード底部をエッチングで残存させ、リードを補強
する構造であることを特徴とする。

【０００７】請求項３の発明の、複数の単位リードキャ
リアが形成されたキャリアテープに接着され、単位リー
ドキャリア上に設けられるリードとリードの先端部分に
形成されるバンプとを有するバンプ付金属リードでは、
高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を接合し、高硬度
銅板の他の面に第二の純銅板を接合したクラッド板で構
成する。そして、第一の純銅板の面にバンプを含むリー
ドをエッチングで残存させた構造であることを特徴とす
る。

【０００８】請求項４の発明の、複数の単位リードキャ
リアが形成されたキャリアテープに接着され、単位リー
ドキャリア上に設けられるリードとリードの先端部分に
形成されるバンプとを有するバンプ付金属リードでは、
高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を接合し、高硬度
銅板の他の面に第二の純銅板を接合したクラッド板で構
成する。そして、リードに第一の純銅板の厚さ方向の一
部を残存させ、リードを補強する構造であることを特徴
とする。

【０００９】請求項５の発明のバンプ付金属リードの製
造方法では、高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を接
合し、高硬度銅板の他の面に第二の純銅板を接合したク
ラッド板の、第一の純銅板の面にバンプ用マスクを形成
するとともに、第二の純銅板の面にリード用マスクを形
成する。そして、バンプ用マスクおよびリード用マスク
で覆われていない部分の第一の純銅板、第二の純銅板お
よび高硬度銅板をエッチングで除去し、第一の純銅板お
よび高硬度銅板の一部から成るバンプおよびリード基部
と、高硬度銅板の一部および第二の純銅板から成るリー
ド底部とで構成されたリードを形成する。その後、バン
プ用マスクおよびリード用マスクを除去することを特徴
とする。

【００１０】請求項６の発明のバンプ付金属リードの製
造方法では、高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を接
合し、高硬度銅板の他の面に第二の純銅板を接合したク
ラッド板の、第一の純銅板および第二の純銅板のいずれ
にもリード用マスクを形成する。そして、リード用マス
クで覆われていない部分の第一の純銅板および第二の純
銅板をエッチングで除去し、第一の純銅板および第二の
純銅板から成るリード前駆体部を形成する。さらに、第
一の純銅板に形成されたリード用マスクを除去した後、
リード用マスクにより形成されたリード前駆体部の先端
部にバンプ用マスクを形成する。そしてさらに、バンプ
用マスクおよびリード用マスクで覆われていない部分の
第一の純銅板および高硬度銅板をエッチングで除去する
とともに、バンプとリード基部の間に第一の純銅板の厚
さ方向の一部を残存させ、第一の純銅板から成るバンプ
およびリード基部と、第一の純銅板の厚さ方向の一部、
高硬度銅板および第二の純銅板から成るリード底部とで
構成されたリードを形成する。その後、バンプ用マスク
およびリード用マスクを除去することを特徴とする。

【００１１】請求項７の発明のバンプ付金属リードの製
造方法では、高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を接
合し、高硬度銅板の他の面に第二の純銅板を接合したク
ラッド板の、第二の純銅板の面に複数の単位リードキャ
リアが形成されたキャリアテープを接着した後にキャリ
アテープの全面にマスクを形成し、また、第一の純銅板
の面にはリード用マスクを形成する。そして、リード用
マスクで覆われていない第一の純銅板および高硬度銅板
をエッチングで除去して、第一の純銅板および高硬度銅
板の一部から成るリード前駆体部を形成する。さらに、
リード用マスクを除去した後、リード前駆体部の先端部
にバンプ用マスクを形成し、バンプ用マスクで覆われて
いない第一の純銅板、高硬度銅板および第二の純銅板を
エッチングで除去し、第一の純銅板および高硬度銅板の
一部から成るバンプと、高硬度銅板の厚さ方向の一部お
よび第二の純銅板とで構成されたリードを形成する。そ
の後、バンプ用マスクおよびマスクを除去することを特
徴とする。

【００１２】請求項８の発明のバンプ付金属リードの製
造方法では、高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を接
合し、高硬度銅板の他の面に第二の純銅板を接合したク
ラッド板の、第二の純銅板の面に複数の単位リードキャ
リアが形成されたキャリアテープを接着した後にキャリ
アテープの全面にマスクを形成し、また、第一の純銅板
の面にはリード用マスクを形成する。そして、リード用
マスクで覆われていない第一の純銅板、高硬度銅板およ
び第二の純銅板をエッチングで除去して、第一の純銅
板、高硬度銅板および第二の純銅板の一部分から成るリ
ード前駆体部を形成する。さらに、リード用マスクを除
去した後、リード前駆体部の先端部にバンプ用マスクを
形成し、バンプ用マスクで覆われていない第一の純銅板
および第二の純銅板をエッチングで除去するとともに、
第一の純銅板の厚さ方向の一部を残存させ、第一の純銅
板から成るバンプと、第一の純銅板の厚さ方向の一部、
高硬度銅板および第二の純銅板とで構成されたリードを
形成する。その後、バンプ用マスクおよびマスクを除去
することを特徴とする。

【００１３】請求項９の発明のバンプ付金属リードの製
造方法では、高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を接
合し、高硬度銅板の他の面に第二の純銅板を接合したク
ラッド板の、第二の純銅板の面に複数の単位リードキャ
リアが形成されたキャリアテープを接着した後、キャリ
アテープの全面にマスクを形成し、また、第一の純銅板
の面にはバンプ用マスクを形成する。そして、バンプ用
マスクを覆ってリード用マスクを形成し、リード用マス
クで覆われていない第一の純銅板および高硬度銅板をエ
ッチングで除去して、第一の純銅板および高硬度銅板の
一部から成るリード前駆体部を形成する。さらに、リー
ド用マスクを除去し、バンプ用マスクで覆われていない
第一の純銅板、高硬度銅板および第二の純銅板をエッチ
ングで除去し、第一の純銅板および高硬度銅板の一部か
ら成るバンプと、高硬度銅板の厚さ方向の一部および第
二の純銅板とで構成されたリードを形成する。その後、
バンプ用マスクおよびマスクを除去することを特徴とす
る。

【００１４】請求項１０の発明のバンプ付金属リードの
製造方法では、高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を
接合し、高硬度銅板の他の面に第二の純銅板を接合した
クラッド板の、第二の純銅板の面に複数の単位リードキ
ャリアが形成されたキャリアテープを接着した後、キャ
リアテープの全面にマスクを形成し、また、第一の純銅
板の面にはバンプ用マスクを形成する。そして、リード
用マスクで覆われていない第一の純銅板および高硬度銅
板をエッチングで除去して、第一の純銅板、高硬度銅板
および第二の純銅板の一部から成るリード前駆体部を形
成する。さらに、リード用マスクを除去し、バンプ用マ
スクで覆われていない第一の純銅板および第二の純銅板
をエッチングで除去するとともに、第一の純銅板の厚さ
方向の一部を残存させ、第一の純銅板から成るバンプ
と、第一の純銅板の厚さ方向の一部、高硬度銅板および
第二の純銅板とで構成されたリードを形成する。その
後、バンプ用マスクおよびマスクを除去することを特徴
とする。

【００１５】上述した如く、高硬度銅板の一方の面に第
一の純銅板を接合し、高硬度銅板の他の面に第二の純銅
板を接合したクラッド板を基材とし、この基材をエッチ
ング処理してバンプ付金属リードを構成すれば、適度な
強度を有するとともに、熱による反りが極小あるいは全
く反りが生じないバンプ付金属リードが得られ、半導体
チップ上にある複数の電極とバンプ付金属リードにある
複数のバンプとをいずれも均一に当接する。従って、半
導体チップ上にある複数の電極とバンプ付金属リードに
ある複数のバンプとを接合する際、半導体チップのエッ
ヂとリードとが接触する虞れがなく信頼性が向上する。
また、バンプとリード基部の間に第一の純銅板の厚さ方
向の一部を残存させれば、リードを補強することができ
る。

【００１６】バンプの先端を形成する第一の純銅板のビ
ッカース硬度は４０〜８０であり、一方半導体チップの
電極を形成するアルミニウムのビッカース硬度は２０〜
５０であるので、バンプと半導体チップにある電極とは
互いに非常に接合し易く、半導体チップに悪影響を与え
る虞れがない。また、バンプ付金属リードの製造過程で
加熱することがないので、リードを酸化させたり変形さ
せる虞れもない。さらに、マスキングによりバンプの形
状を自由に形成できるので、多数電極を有する半導体チ
ップの微細化した電極との接合に対応することもでき
る。さらにまた、バンプ付金属リードの製造設備は量産
化に適しているので、製造工数を小とすることができる
等の作用がある。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付図を参照して説明する。なお、図中の構成要素
で従来の技術と同様の構造を成しているものについては
同一の参照符号を付すものとする。

【００１８】図１はバンプ付金属リード用の基材である
クラッド板１の概略斜視図である。クラッド板１は、厚
さ略３０μｍの、Ｆｅ、ＣｒおよびＰ等が混入した高硬
度銅板２の一方の面には、厚さ略３０μｍの不純物の混
入が極めて少ない第一の純銅板３ａを、高硬度銅板２の
他の面には第一の純銅板３ａと同様、厚さ略３０μｍの
不純物の混入が極めて少ない第二の純銅板３ｂをいずれ
も熱圧着する、あるいは純銅メッキを施したものであ
る。このように構成されたクラッド板１は、高硬度銅板
２と第一の純銅板３ａおよび第一の純銅板３ｂとの熱膨
張率の違いによる伸縮量に差があっても、高硬度銅板２
の両面に構成され、同材質である第一の純銅板３ａと第
二の純銅板３ｂにより相殺されるので、熱による反りを
生じる虞れがない。なお、実際にはクラッド板１は長尺
であり、単位リードフレームのマスクを複数個、等間隔
に形成して配列するものであるが、本実施の形態例では
説明を簡単にするために一単位リードフレームのマスク
構成のみを示して説明することとする。

【００１９】実施の形態例１ 本実施の形態例は、請求項１におけるバンプ付金属リー
ドおよび請求項５におけるバンプ付金属リードの製造方
法について説明するものである。以下、このバンプ付金
属リードの製造の工程順を図２ないし図３を参照して説
明する。

【００２０】第一の工程を、図２を参照して説明する。
同図（ａ）はバンプ部マスク４ａ、リード基部マスク４
ｂ、タイバー部マスク４ｃおよびフレーム部マスク４ｄ
から成るバンプ用マスク４をクラッド板１の一方の面を
成す第一の純銅板３ａに形成した状態を示す概略平面図
であり、同図（ｂ）はリード先端部マスク５ａ、リード
基部マスク５ｂ、タイバー部マスク５ｃおよびフレーム
部マスク５ｄから成るリード用マスク５をクラッド板１
の他の面を成す第二の純銅板３ｂに形成した状態を示す
概略平面図である。

【００２１】図２（ａ）で示す如く、第一の純銅板３ａ
にフォトレジスト技法等によりバンプ用マスク４を形成
し、また同図（ｂ）で示す如く第二の純銅板３ｂには同
図（ａ）と同様、フォトレジスト技法等によりリード用
マスク５を形成する。この場合、クラッド板１の中央の
配列された複数のリード先端部マスク５ａのいずれもが
クラッド板１の長手方向と直角方向に等間隔に配列し、
また、クラッド板１の長手方向の間隔も等間隔に配列す
る。さらに、バンプ部マスク４ａの位置はリード先端部
マスク５ａに、リード基部マスク４ｂの位置はリード基
部マスク５ｂに、タイバー部マスク４ｃの位置はタイバ
ー部マスク５ｃに、フレーム部マスク４ｄの位置はフレ
ーム部マスク５ｄにクラッド板１の表裏両面でいずれも
位置合わせして形成する。

【００２２】第二の工程を、図３を参照して説明する。
同図（ａ）は、第一の純銅板３ａにバンプ用マスク４を
形成し、第二の純銅板３ｂにはリード用マスク５を形成
した状態の、一個のリードを拡大した概略斜視図であ
り、同図（ｂ）は、後述する本工程を経た状態の一個の
リードを拡大した概略斜視図である。第一の工程を経た
クラッド板１を、例えば化学エッチング液に浸してエッ
チングし、バンプ用マスク４およびリード用マスク５で
覆われていない部分の第一の純銅板３ａ、高硬度銅板２
および第二の純銅板３ｂを除去し、同図（ｂ）で示す如
く、第一の純銅板３ａと高硬度銅板２の厚さ方向の一部
から成るバンプ６ａとリード基部６ｂを残存させるとと
もに、高硬度銅板２の板厚の一部と第二の純銅板３ｂか
ら成るリード底部６ｃを残存させる。そして、クラッド
板１を化学エッチング液から上げてバンプ用マスク４お
よびリード用マスク５を除去した後、再度化学エッチン
グ液に浸してクラッド板１の表面全体をエッチングして
表面形状を整えれば、リード６を複数有するバンプ付金
属リードを得ることができる。

【００２３】上述した事例の如く、第一の純銅板３ａと
高硬度銅板２の厚さ方向の一部から成るバンプ６ａとリ
ード基部６ｂおよび高硬度銅板２の厚さ方向の一部と第
二の純銅板３ｂから成るリード底部６ｃで構成されたリ
ード６とすれば、リード基部６ｂに残存する第一の純銅
板３ａとリード底部６ｃに残存する第二の純銅板３ｂに
より、適度な強度を有するとともに、熱による反りが極
小であるリード６を複数有するバンプ付金属リードが提
供できる。そして、半導体チップ上にある複数の電極と
バンプ付金属リードにある複数のバンプとはいずれも均
一に当接するので、接合する際に半導体チップのエッヂ
とリードとが接触する虞れがない。バンプの先端を形成
する純銅板のビッカース硬度は４０ないし８０であり、
一方半導体チップの電極を形成するアルミニウムのビッ
カース硬度は２０ないし５０であるので、バンプと半導
体チップにある電極とは互いに非常に接合し易く、半導
体チップに悪影響を与える虞れがない。また、バンプ付
金属リードの製造過程で加熱することがないので、リー
ドを酸化させたり変形させる虞れもない。従って、半導
体チップ上にある複数の電極とバンプ付金属リードにあ
る複数のバンプ６ａとを接合する場合の、電気的および
機械的な信頼性を向上させることができる。

【００２４】さらに、マスキングによりバンプの形状を
自由に形成できるので、多数電極を有する半導体チップ
の微細化した電極との接合に対応することができるとと
もに、バンプ付金属リードの製造設備は量産化に適して
いるので、製造工数を小とすることができる。

【００２５】実施の形態例２ 本実施の形態例は、請求項２におけるバンプ付金属リー
ドおよび請求項６におけるバンプ付金属リードの製造方
法について説明するものである。以下、このバンプ付金
属リードの製造の工程順を、実施の形態例１における図
３と同様、一個のリード６を拡大した概略斜視図である
図４ないし図５を参照して説明する。なお、バンプ用マ
スク４およびリード用マスク５の構成については実施の
形態例１の第一の工程で示した事例と同様であるので省
略する。

【００２６】第一の工程を、図４（ａ）を参照して説明
する。図４（ａ）は、第一の純銅板３ａおよび第一の純
銅板３ｂにリード用マスク５をいずれにも形成した状態
の概略斜視図である。同図で示す如く、第一の純銅板３
ａおよび第二の純銅板３ｂのいずれの面にも、実施の形
態例１における図２（ｂ）で示した事例と同様のリード
用マスク５を形成する。この場合、リード先端部５ａ、
リード基部５ｂ、タイバー部５ｃおよびフレーム部５ｄ
（図示せず）はクラッド板１の表裏両面でいずれも位置
合わせして形成する。

【００２７】第二の工程を、図４（ｂ）を参照して説明
する。同図は、本工程を経た状態の概略斜視図である。
第一の工程を経たクラッド板１を、例えば化学エッチン
グ液に浸し、リード用マスク５で覆われていない部分の
第一の純銅板３ａおよび第一の純銅板３ｂのいずれもエ
ッチングで全て除去する。この時点でクラッド板１を化
学エッチング液から上げると、第一の純銅板３ａおよび
第一の純銅板３ｂから成るリード前駆体部１６が形成さ
れる。そして、バンプおよびリード基部を形成する側の
リード用マスク５を除去する。

【００２８】第三の工程を、図５を参照して説明する。
同図（ａ）は、リード用マスク５を除去した側の残存し
たリード前駆体部１６にバンプ用マスク４を形成した状
態を示す概略斜視図であり、同図（ｂ）は、本工程を経
た状態の概略斜視図である。同図（ａ）で示す如く、リ
ード用マスク５を除去した側の残存したリード前駆体部
１６には改めてバンプ用マスク４を形成する。そして、
再度化学エッチング液に浸してエッチングすると、クラ
ッド板１の中核を成す高硬度銅板２がエッチングされる
とともに、バンプ６ａとリード基部６ｂとの間にある第
一の純銅板３ａもエッチングされる。しかしながら、高
硬度銅板２は両面からエッチングされるので、バンプ用
マスク４およびリード用マスク５で覆われていない部分
の高硬度銅板２の除去が完了した時点では、同図（ｂ）
で示す如く、バンプ６ａとリード基部６ｂとの間ある第
一の純銅板３ａの厚さ方向の一部が残存することとな
る。さらに、クラッド板１を化学エッチング液から上げ
てバンプ用マスク４およびリード用マスク５を除去した
後、再度化学エッチング液に浸して表面全体をエッチン
グして表面形状を整えれば、第一の純銅板３ａで形成さ
れたバンプ６ａとリード基部６ｂおよび厚さ方向の一部
が残存した第一の純銅板３ａ、高硬度銅板２および第二
の純銅板３ｂで形成されたリード底部６ｃから構成され
たリード６を複数有するバンプ付金属リードを得ること
ができる。

【００２９】上述した事例の如く、第一の純銅板３ａか
ら成るバンプ６ａおよびリード基部６ｂと、第一の純銅
板３ａの厚さ方向の一部、高硬度銅板２および第二の純
銅板３ｂから成るリード底部で構成されたリード６とす
れば、高硬度銅板２の両面には第一の純銅板３ａおよび
第二の純銅板３ｂがいずれも残存するので、熱による反
りの発生がなく、しかも補強されたリード６を複数有す
るバンプ付金属リードが提供される。そして、半導体チ
ップ上にある複数の電極とバンプ付金属リードにある複
数のバンプ６ａとはいずれも均一に当接するので、接合
する際に半導体チップのエッヂとリード６とが接触する
虞れがない。また、バンプ６ａの先端を形成する第一の
純銅板３ａのビッカース硬度は４０ないし８０であり、
一方半導体チップの電極を形成するアルミニウムのビッ
カース硬度は２０ないし５０であるので、バンプ６ａと
半導体チップにある電極とは互いに非常に接合し易く、
半導体チップに悪影響を与える虞れがない。さらに、バ
ンプ付金属リードの製造過程で加熱することがないの
で、リード６を酸化させたり変形させる虞れもない。従
って、半導体チップ上にある複数の電極とバンプ付金属
リードにある複数のバンプ６ａとを接合する場合の、電
気的および機械的な信頼性を向上させることができる。

【００３０】さらにまた、マスキングによりバンプ６ａ
の形状を自由に形成できるので、多数電極を有する半導
体チップの微細化した電極との接合に対応することがで
きるとともに、バンプ付金属リードの製造設備は量産化
に適しているので、製造工数を小とすることができる。

【００３１】実施の形態例３ 本実施の形態例は、請求項３におけるバンプ付金属リー
ドおよび請求項７におけるバンプ付金属リードの製造方
法について説明するものであり、ポリイミドフィルム等
の絶縁性を有するキャリアテープにバンプ付金属リード
を形成するものである。以下、このバンプ付金属リード
の製造の工程順を、図６ないし図１０を参照して説明す
る。

【００３２】第一の工程を、図６ないし図７を参照して
説明する。図６（ａ）は、キャリアテープ７の概略平面
図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）における概略Ｘ1 −
Ｘ2 断面図である。図７（ａ）は、第一の純銅板３ａに
リード用マスク５を形成し、第二の純銅板３ｂに単位リ
ードキャリア８を接着し、さらに単位リードキャリア８
の全面にマスク１１を形成した状態を示す概略平面図で
あり、同図（ｂ）は同図（ａ）の概略Ｘ3 −Ｘ4 断面図
である。

【００３３】図６（ａ）および（ｂ）で示す如く、キャ
リアテープ７には中央部に四角孔９と、この四角孔９の
四辺を囲むように、かつ、四角孔９の各辺と平行な上辺
および底辺を有する四個の台形孔１０とから構成される
単位リードキャリア８が、その長手方向に等間隔で複数
形成されている。

【００３４】図７（ａ）および（ｂ）で示す如く、第一
の純銅板３ａにはリード用マスク５を形成し、第二の純
銅板３ｂには単位リードキャリア８を接着し、さらに単
位リードキャリア８の全面にフォトレジスト技法等によ
りマスク１１を形成する。この場合、リード用マスク５
のリード先端部マスク５ａは単位リードキャリア８の四
角孔９に十分臨むように形成し、また、台形孔１０を跨
ぐようにも形成する。

【００３５】第二の工程を、図８を参照して説明する。
同図は、本工程を経た状態の概略斜視図である。第一の
工程を経たクラッド板１を、例えば化学エッチング液に
浸し、リード用マスク５で覆われていない部分をエッチ
ングする。そして、同図で示す如く第一の純銅板３ａお
よび高硬度銅板２の厚さ方向の一部がエッチングされた
時点でクラッド板１を化学エッチング液から引き上げ
て、エッチングを一旦中断する。

【００３６】第三の工程を図９ないし図１０を参照して
説明する。図９は、リード前駆体部１６の一端にバンプ
用マスク４を形成した状態を示す概略斜視図であり、図
１０は、本工程を経た状態の概略斜視図である。第二の
工程を経たクラッド板１の第一の純銅板３ａに形成され
ていたリード用マスク５を除去し、図９で示す如くリー
ド用マスク５により残存したリード前駆体部１６の先端
に改めてバンプ用マスク４をフォトレジスト技法等によ
り形成する。そして、再び化学エッチング液に浸してエ
ッチングすると、図１０で示す如く第一の純銅板３ａと
高硬度銅板２の厚さ方向の一部から成るバンプ６ａと、
高硬度銅板２の厚さ方向の一部と第二の純銅板３ｂとで
構成されたリード６が形成される。さらに、クラッド板
１を化学エッチング液から引き上げてバンプ用マスク４
を除去した後、化学エッチング液に浸して表面全体をエ
ッチングして表面形状を整え、化学エッチング液から引
き上げてマスク１１を除去すれば、複数のリード６を有
するバンプ付金属リードが単位リードキャリア８に接着
で保持された状態で得ることができる。実際には、この
様な単位リードキャリア８に接着で保持されたバンプ付
金属リードがキャリアテープ７の長手方向に等間隔で複
数配列されて形成されるものである。

【００３７】上述した事例の如く、キャリアテープ８に
保持され、第一の純銅板３ａと高硬度銅板２の厚さ方向
の一部から成るバンプ６ａを含み、高硬度銅板２の厚さ
方向の一部と第二の純銅板３ｂから成るリード６を複数
有するバンプ付金属リードを構成すれば、半導体チップ
をプリント配線基板面に直接取り付け可能であるテープ
オートメイテッドボンディング（ＴＢＤ）法に適用する
ことができる。また、高硬度銅板２の厚さ方向の一部と
第二の純銅板３ｂから成るリード６は適度な強度を有す
る。さらに、バンプ６ａの先端を形成する第一の純銅板
３ａのビッカース硬度は４０ないし８０であり、一方半
導体チップの電極を形成するアルミニウムのビッカース
硬度は２０ないし５０であるので、バンプ６ａと半導体
チップの電極とは互いに非常に接合し易く、半導体チッ
プに悪影響を与えない。さらに、バンプ付金属リードの
製造過程で加熱することがないので、リード６を酸化さ
せたり変形させることがない。従って、半導体チップ上
にある複数の電極とバンプ付金属リードにある複数のバ
ンプ６ａとを接合する場合の、電気的および機械的な信
頼性を向上させることができる。

【００３８】さらにまた、マスキングによりバンプ６ａ
の形状を自由に変えることができるので、多数電極を有
する半導体チップの微細化した電極との接合に対応する
ことができるとともに、バンプ付金属リードの製造設備
は量産化に適しているので、製造工数を小とすることが
できる。

【００３９】実施の形態例４ 本実施の形態例は、請求項４におけるバンプ付金属リー
ドおよび請求項８におけるバンプ付金属リードの製造方
法について説明するものであり、実施の形態例３で示し
た事例と同様にポリイミドフィルム等の絶縁性を有する
キャリアテープにバンプ付金属リードを形成するもので
ある。以下、このバンプ付金属リードの製造の工程順
を、図１１ないし図１３を参照して説明する。なお、キ
ャリアテープに構成される単位リードキャリア８につい
ては、実施の形態例３における図６を参照した事例と同
様であるので説明を省略する。

【００４０】第一の工程は、実施の形態例３における図
６、図７（ａ）および（ｂ）を参照した説明と同様であ
るので省略する。

【００４１】第二の工程を、図１１を参照して説明す
る。同図は、本工程を経た状態の概略斜視図である。第
一の工程を経たクラッド板１を、例えば化学エッチング
液に浸し、リード用マスク５で覆われていない部分をエ
ッチングする。そして、第一の純銅板３ａ、高硬度銅板
２および第二の純銅板３ｂの厚さ方向の一部がエッチン
グされた時点でクラッド板１を化学エッチング液から引
き上げてエッチングを一旦中断する。

【００４２】第三の工程を、図１２ないし図１３を参照
して説明する。図１２は、リード前駆体部１６の一端に
バンプ用マスク４を形成した状態を示す概略斜視図であ
り、図１３は、本工程を経た状態の概略斜視図である。
第二の工程を経たクラッド板１は、第一の純銅板３ａに
形成されていたリード用マスク５を除去する。そして、
図１２で示す如くリード用マスク５により残存したリー
ド前駆体部１６の先端に改めてバンプ用マスク４をフォ
トレジスト技法等により形成し、再び化学エッチング液
に浸してエッチングする。この時、既に第二の工程にお
いて第二の純銅板３ｂの板厚方向の一部が除去されてい
るので、バンプ用マスク４で覆われていない部分の第二
の純銅板３ｂが完全に除去された時点では、図１３で示
す如くバンプ用マスク４で覆われていない部分の第一の
純銅板３ａには厚さ方向の一部が残存することとなる。
そして、クラッド板１を化学エッチング液から引き上げ
てバンプ用マスク４を除去した後、再び化学エッチング
液に浸して表面全体をエッチングして表面形状を整え、
化学エッチング液から引き上げてマスク１２を除去すれ
ば、第一の純銅板３ａで形成されたバンプ６ａと第一の
純銅板３ａの厚さ方向の一部、高硬度銅板２および第二
の純銅板３ｂから構成された複数のリード６を有するバ
ンプ付金属リードが単位リードキャリア８に接着で保持
された状態で得ることができる。実際には、この様な単
位リードキャリア８に接着で保持されたバンプ付金属リ
ードがキャリアテープ７の長手方向に等間隔で複数配列
されて形成されるものである。

【００４３】上述した事例の如く、キャリアテープ８に
保持され、第一の純銅板３ａから成るバンプ６ａを含
み、第一の純銅板３ａの厚さ方向の一部、高硬度銅板３
ｂおよび第二の純銅板３ｂから成るリード６を複数有す
るバンプ付金属リードを構成すれば、半導体チップをプ
リント配線基板面に直接取り付け可能であるテープオー
トメイテッドボンディング（ＴＢＤ）法に適用すること
ができる。また、第一の純銅板３ａの厚さ方向の一部、
高硬度銅板３ｂおよび第二の純銅板３ｂから成るリード
６は、高硬度銅板２の両面に第一の純銅板３ａおよび第
二の純銅板３ｂがいずれも残存するので、熱による反り
の発生がなく、しかも補強されたリード６を複数有する
バンプ付金属リードとなる。さらに、バンプ６ａの先端
を形成する第一の純銅板３ａのビッカース硬度は４０な
いし８０であり、一方半導体チップの電極を形成するア
ルミニウムのビッカース硬度は２０ないし５０であるの
で、バンプ６ａと半導体チップの電極とは互いに非常に
接合し易く、半導体チップに悪影響を与えない。さら
に、バンプ付金属リードの製造過程で加熱することがな
いので、リード６を酸化させたり変形させることがな
い。従って、半導体チップ上にある複数の電極とバンプ
付金属リードにある複数のバンプ６ａとを接合する場合
の、電気的および機械的な信頼性を向上させることがで
きる。

【００４４】さらにまた、マスキングによりバンプ６ａ
の形状を自由に変えることができるので、多数電極を有
する半導体チップの微細化した電極との接合に対応する
ことができるとともに、バンプ付金属リードの製造設備
は量産化に適しているので、製造工数を小とすることが
できる。

【００４５】実施の形態例５ 本実施の形態例は、請求項９におけるバンプ付金属リー
ドの製造方法について説明するものであり、バンプ付金
属リードの製造の工程が実施の形態例３および４と異な
るものである。以下、このバンプ付金属リードの製造の
工程順を、図１４ないし図１６を参照して説明する。な
お、キャリアテープに構成される単位リードキャリア８
については、実施の形態例３における図６を参照した事
例と同様であるので説明を省略する。

【００４６】第一の工程を、図１４ないし図１５を参照
して説明する。図１４（ａ）は、第一の純銅板３ａにバ
ンプ用マスク４を形成し、第二の純銅板３ｂに単位リー
ドキャリア８を接着し、さらに単位リードキャリア８の
全面にマスク１１を形成した状態を示す概略平面図であ
り、同図（ｂ）は、同図（ａ）における概略Ｘ5 −Ｘ6
断面図である。また、図１５はバンプ用マスク４を覆っ
てリード用マスク５を形成した状態を示す概略斜視図で
ある。図１４（ａ）および（ｂ）で示す如く、第一の純
銅板３ａにバンプ用マスク４を形成し、第二の純銅板３
ｂには単位リードキャリア８を接着した後、単位リード
キャリア８の全面にフォトレジスト技法等によりマスク
１１を形成する。この場合、バンプ用マスク４は単位リ
ードキャリア４の四角孔９の内側に形成し、また図１５
で示す如くバンプ用マスク４を覆うようにフォトレジス
ト技法等によりリード用マスク５を形成する。

【００４７】第二の工程を、図１６のを参照して説明す
る。同図は、本工程を経た状態を示す概略斜視図であ
る。第一の工程を経たクラッド板１を、例えば化学エッ
チング液に浸し、リード用マスク５で覆われていない部
分の第一の純銅板３ａおよび高硬度銅板２をエッチング
する。そして、同図で示す如く高硬度銅板２の厚さ方向
の一部がエッチングされ除去された時点でクラッド板１
を化学エッチング液から引き上げ、エッチングを一旦中
断する。

【００４８】第三の工程では、第二の工程を経たクラッ
ド板１は、第一の純銅板３ａに形成されていたリード用
マスク５を除去してバンプ用マスク４を残し、再び化学
エッチング液に浸してエッチングする。以下は、実施の
形態例３の第三の工程における図１０を参照した事例と
同様であるので説明を省略する。

【００４９】上述した事例の如く、キャリアテープ８に
保持され、第一の純銅板３ａと高硬度銅板２の厚さ方向
の一部から成るバンプ６ａを含み、高硬度銅板２の厚さ
方向の一部と第二の純銅板３ｂから成るリード６を複数
有するバンプ付金属リードを構成すれば、半導体チップ
をプリント配線基板面に直接取り付け可能であるテープ
オートメイテッドボンディング（ＴＢＤ）法に適用する
ことができる。また、高硬度銅板２の厚さ方向の一部と
第二の純銅板３ｂから成るリード６は適度な強度を有す
る。さらに、バンプ６ａの先端を形成する第一の純銅板
３ａのビッカース硬度は４０ないし８０であり、一方半
導体チップの電極を形成するアルミニウムのビッカース
硬度は２０ないし５０であるので、バンプ６ａと半導体
チップの電極とは互いに非常に接合し易く、半導体チッ
プに悪影響を与えない。さらに、バンプ付金属リードの
製造過程で加熱することがないので、リード６を酸化さ
せたり変形させることがない。従って、半導体チップ上
にある複数の電極とバンプ付金属リードにある複数のバ
ンプ６ａとを接合する場合の、電気的および機械的な信
頼性を向上させることができる。

【００５０】さらにまた、マスキングによりバンプ６ａ
の形状を自由に変えることができるので、多数電極を有
する半導体チップの微細化した電極との接合に対応する
ことができるとともに、バンプ付金属リードの製造設備
は量産化に適しているので、製造工数を小とすることが
できる。

【００５１】実施の形態例６ 本実施の形態例は、請求項１０におけるバンプ付金属リ
ードの製造方法について説明するものであり、バンプ付
金属リードの製造の工程が実施の形態例５と異なるもの
である。以下、このバンプ付金属リードの製造の工程順
を、図１７を参照して説明する。なお、キャリアテープ
に構成される単位リードキャリア８については、実施の
形態例３における図６を参照した事例と同様であるので
説明を省略する。

【００５２】第一の工程は、実施の形態例５における図
１４および図１５を参照した事例と同様であるので説明
を省略する。

【００５３】第二の工程を、図１７を参照して説明す
る。同図は、本工程を経た状態を示す概略斜視図であ
る。第一の工程を経たクラッド板１を、例えば化学エッ
チング液に浸し、リード用マスク５で覆われていない部
分の第一の純銅板３ａ、高硬度銅板２および第二の純銅
板３ｂをエッチングする。そして、同図で示す如く第一
の純銅板３ａ、高硬度銅板２および第二の純銅板３ｂの
厚さ方向の一部がエッチングされ除去された時点でクラ
ッド板１を化学エッチング液から引き上げ、エッチング
を一旦中断する。

【００５４】第三の工程では、第二の工程を経たクラッ
ド板１は、第一の純銅板３ａに形成されていたリード用
マスク５を除去してバンプ用マスク４を残し、再び化学
エッチング液に浸してエッチングする。以下は、実施の
形態例４の第三の工程における図１３を参照した事例と
同様であるので説明を省略する。

【００５５】上述した事例の如く、キャリアテープ８に
保持され、第一の純銅板３ａから成るバンプ６ａを含
み、第一の純銅板３ａの厚さ方向の一部、高硬度銅板３
ｂおよび第二の純銅板３ｂから成るリード６を複数有す
るバンプ付金属リードを構成すれば、半導体チップをプ
リント配線基板面に直接取り付け可能であるテープオー
トメイテッドボンディング（ＴＢＤ）法に適用すること
ができる。また、第一の純銅板３ａの厚さ方向の一部、
高硬度銅板３ｂおよび第二の純銅板３ｂから成るリード
６は、高硬度銅板２の両面に第一の純銅板３ａおよび第
二の純銅板３ｂがいずれも残存するので、熱による反り
の発生がなく、しかも補強されたリード６を複数有する
バンプ付金属リードとなる。さらに、バンプ６ａの先端
を形成する第一の純銅板３ａのビッカース硬度は４０な
いし８０であり、一方半導体チップの電極を形成するア
ルミニウムのビッカース硬度は２０ないし５０であるの
で、バンプ６ａと半導体チップの電極とは互いに非常に
接合し易く、半導体チップに悪影響を与えない。さら
に、バンプ付金属リードの製造過程で加熱することがな
いので、リード６を酸化させたり変形させることがな
い。従って、半導体チップ上にある複数の電極とバンプ
付金属リードにある複数のバンプ６ａとを接合する場合
の、電気的および機械的な信頼性を向上させることがで
きる。

【００５６】さらにまた、マスキングによりバンプ６ａ
の形状を自由に変えることができるので、多数電極を有
する半導体チップの微細化した電極との接合に対応する
ことができるとともに、バンプ付金属リードの製造設備
は量産化に適しているので、製造工数を小とすることが
できる。

【００５７】上述した実施の形態例１〜６では、化学的
なエッチング法によりバンプ付金属リードを得る事例を
示したが、これに限定されるものでなく、粒径が１μｍ
程度の砥粒の微粉体を含む個気２相混合流をビーム状に
して噴射し、被加工物をエッチングする、所謂パウダー
ビームエッチング法を用いても良い。また、第一の純銅
板にバンプを形成する事例を示したが、バンプを第一の
純銅板あるいは第二の純銅板のいずれに形成しても良い
ことは言うまでもない。

【００５８】

【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明によ
れば、バンプ付金属リードを高硬度銅板の一方の面に第
一の純銅板を接合し、高硬度銅板の他の面に第二の純銅
板を接合したクラッド板からエッチングで得るところに
大きな特徴がある。このようにして得られたバンプ付金
属リードは、熱による反りを極小あるいは発生させるこ
とがなく、しかもリードを適度な強度とすることができ
る。また、バンプの先端を形成する第一の純銅板のビッ
カース硬度は４０ないし８０であり、一方半導体チップ
の電極を形成するアルミニウムのビッカース硬度は２０
ないし５０であるので、バンプと半導体チップの電極と
は互いに非常に接合し易く、半導体チップに悪影響を与
えない。さらに、バンプ付金属リードの製造過程で加熱
することがないので、リードを酸化させたり変形させる
ことがない。従って、半導体チップ上にある複数の電極
とバンプ付金属リードにある複数のバンプ６ａとを接合
する場合の、電気的および機械的な信頼性を向上させる
ことができる。

【００５９】また、本発明の製造方法によれば、製造過
程で加熱することがないので、リードを酸化させたり変
形させることがない。さらに、マスキングによりバンプ
の形状を自由に変えることができるので、多数電極を有
する半導体チップの微細化した電極との接合に対応する
ことができる。さらにまた、バンプ付金属リードの製造
設備は量産化に適しているので、製造工数を小とするこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明を示し、バンプ付金属リード用の基材
であるクラッド板の、概略斜視図である。

【図２】 本発明を適用した実施の形態例１の第一の工
程を示し、（ａ）は、バンプ用マスクを第一の純銅板に
形成した状態を示す概略平面図であり、（ｂ）は、リー
ド用マスクを第二の純銅板に形成した状態を示す概略平
面図である。

【図３】 本発明を適用した実施の形態例１を示し、
（ａ）は、第一の工程を説明し、一個のリードを拡大し
た概略斜視図であり、（ｂ）は、第二の工程を説明し、
一個のリードを拡大した概略斜視図である。

【図４】 本発明を適用した実施の形態例２を示し、
（ａ）は、第一の工程を説明し、一個のリードを拡大し
た概略斜視図であり、（ｂ）は、第二の工程を説明し、
一個のリードを拡大した概略斜視図である。

【図５】 本発明を適用した実施の形態例２を示し、
（ａ）および（ｂ）は、第三の工程を説明し、一個のリ
ードを拡大した概略斜視図である。

【図６】 本発明を適用した実施の形態例３ないし６に
供されるキャリアテープを示し、（ａ）は、キャリアテ
ープの概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）における概略
Ｘ1 −Ｘ2 断面図である。

【図７】 本発明を適用した実施の形態例３を示し、
（ａ）は、リード用マスクを第一の純銅板に形成し、第
二の純銅板に単位リードキャリアを接着し、さらに単位
リードキャリアの全面にマスクを形成した状態を示す概
略平面図であり、（ｂ）は（ａ）における概略Ｘ3 −Ｘ
4 断面図である。

【図８】 本発明を適用した実施の形態例３を示し、第
二の工程を説明する概略斜視図である。

【図９】 本発明を適用した実施の形態例３を示し、第
三の工程を説明する概略斜視図である。

【図１０】 本発明を適用した実施の形態例３を示し、
第三の工程を説明する概略斜視図である。

【図１１】 本発明を適用した実施の形態例４を示し、
第二の工程を説明する概略斜視図である。

【図１２】 本発明を適用した実施の形態例４を示し、
第三の工程を説明する概略斜視図である。

【図１３】 本発明を適用した実施の形態例４を示し、
第三の工程を説明する概略斜視図である。

【図１４】 本発明を適用した実施の形態例５を示し、
（ａ）はリード用マスクを第一の純銅板に形成し、第二
の純銅板に単位リードキャリアを接着し、さらに単位リ
ードキャリアの全面にマスクを形成した状態を示す概略
平面図であり、（ｂ）は（ａ）における概略Ｘ5 −Ｘ6
断面図である。

【図１５】 本発明を適用した実施の形態例５を示し、
第一の工程を説明する概略斜視図である。

【図１６】 本発明を適用した実施の形態例５を示し、
第二の工程を説明する概略斜視図である。

【図１７】 本発明を適用した実施の形態例６を示し、
第二の工程を説明する概略斜視図である。

【図１８】 従来例を示し、従来のバンプ付金属リード
用の基材であるクラッド板の、概略斜視図である。

【符号の説明】

１ クラッド板 ２ 高硬度銅板 ３ 純銅板 ３ａ 第一の純銅板 ３ｂ 第二の純銅板 ４ バンプ用マスク ４ａ バンプ部マスク ４ｂ リード基部マスク ４ｃ タイバー部マスク ４ｄ フレーム部マスク ５ リード用マスク ５ａ リード先端部マスク ５ｂ リード基部マスク ５ｃ タイバー部マスク ５ｄ フレーム部マスク ６ リード ６ａ バンプ ６ｂ リード基部 ６ｃ リード底部 ７ キャリアテープ ８ 単位リードキャリア ９ 四角孔 １０ 台形孔 １１ マスク １６ リード前駆体部

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成８年２月７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図５

【補正方法】変更

【補正内容】

【図５】

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リードと、前記リードの先端部分に形成
   されるバンプとを有するバンプ付金属リードにおいて、 前記バンプ付金属リードは、 高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を接合し、前記高
   硬度銅板の他の面に第二の純銅板を接合したクラッド板
   で構成し、 前記第一の純銅板の面に前記バンプおよびリード基部を
   エッチングで残存させるとともに、 前記第二の純銅板の面にリード底部をエッチングで残存
   させた構造であることを特徴とする、バンプ付金属リー
   ド。
2. 【請求項２】 前記バンプと前記リード基部の間に、前
   記第一の純銅板の厚さ方向の一部を残存させ、 前記リードを補強する構造であることを特徴とする、請
   求項１に記載のバンプ付金属リード。
3. 【請求項３】 複数の単位リードキャリアが形成された
   キャリアテープに接着され、前記単位リードキャリア上
   に設けられたリードと、前記リードの先端部分に形成さ
   れるバンプとを有するバンプ付金属リードにおいて、 前記バンプ付金属リードは、 高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を接合し、前記高
   硬度銅板の他の面に第二の純銅板を接合したクラッド板
   で構成し、 前記第二の純銅板側を前記キャリアテープに接着すると
   ともに、 前記第一の純銅板側から前記バンプを含む前記リードを
   エッチングで残存させた構造であることを特徴とする、
   バンプ付金属リード。
4. 【請求項４】 前記リードに前記第一の純銅板の厚さ方
   向の一部を残存させ、 前記リードを補強する構造であることを特徴とする、請
   求項３に記載のバンプ付金属リード。
5. 【請求項５】 高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を
   接合し、前記高硬度銅板の他の面に第二の純銅板を接合
   したクラッド板の、前記第一の純銅板の面にバンプ用マ
   スクを形成するとともに、前記第二の純銅板の面にリー
   ド用マスクを形成し、 前記バンプ用マスクおよび前記リード用マスクで覆われ
   ていない部分の前記第一の純銅板、前記第二の純銅板お
   よび前記高硬度銅板をエッチングで除去して、 前記第一の純銅板および前記高硬度銅板の一部から成る
   バンプおよびリード基部と、前記高硬度銅板の一部およ
   び前記第二の純銅板から成るリード底部とで構成された
   リードを形成し、 その後、前記バンプ用マスクおよび前記リード用マスク
   を除去することを特徴とする、バンプ付金属リードの製
   造方法。
6. 【請求項６】 高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を
   接合し、前記高硬度銅板の他の面に第二の純銅板を接合
   したクラッド板の、前記第一の純銅板および前記第二の
   純銅板のいずれにもリード用マスクを形成し、 前記リード用マスクで覆われていない部分の前記第一の
   純銅板および前記第二の純銅板をエッチングで除去し
   て、前記第一の純銅板および前記第二の純銅板から成る
   リード前駆体部を形成し、 前記第一の純銅板に形成された前記リード用マスクを除
   去した後、前記リード用マスクにより形成された前記リ
   ード前駆体部の先端部にバンプ用マスクを形成し、 前記バンプ用マスクおよび前記リード用マスクで覆われ
   ていない部分の前記第一の純銅板および前記高硬度銅板
   をエッチングで除去するとともに、前記バンプと前記リ
   ード基部の間に前記第一の純銅板の厚さ方向の一部を残
   存させ、 前記第一の純銅板から成る前記バンプおよび前記リード
   基部と、前記第一の純銅板の厚さ方向の一部、前記高硬
   度銅板および前記第二の純銅板から成るリード底部とで
   構成されたリードを形成し、 その後、前記バンプ用マスクおよび前記リード用マスク
   を除去することを特徴とする、バンプ付金属リードの製
   造方法。
7. 【請求項７】 高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を
   接合し、前記高硬度銅板の他の面に第二の純銅板を接合
   したクラッド板の、前記第二の純銅板の面に複数の単位
   リードキャリアが形成されたキャリアテープを接着し、 前記キャリアテープの全面にマスクを形成し、 前記第一の純銅板の面にリード用マスクを形成し、 前記リード用マスクで覆われていない前記第一の純銅板
   および前記高硬度銅板をエッチングで除去して、前記第
   一の純銅板および前記高硬度銅板の一部から成るリード
   前駆体部を形成し、 前記リード用マスクを除去した後、前記リード前駆体部
   の先端部にバンプ用マスクを形成し、 前記バンプ用マスクで覆われていない前記第一の純銅
   板、前記高硬度銅板および前記第二の純銅板をエッチン
   グで除去し、 前記第一の純銅板および前記高硬度銅板の一部から成る
   バンプと、前記高硬度銅板の厚さ方向の一部および前記
   第二の純銅板とで構成されたリードを形成し、 その後、前記バンプ用マスクおよび前記マスクを除去す
   ることを特徴とする、バンプ付金属リードの製造方法。
8. 【請求項８】 前記リード用マスクで覆われていない前
   記第一の純銅板、前記高硬度銅板および前記第二の純銅
   板をエッチングで除去して、前記第一の純銅板、前記高
   硬度銅板および前記第二の純銅板の一部分から成るリー
   ド前駆体部を形成し、 前記リード用マスクを除去した後、前記リード前駆体部
   の先端部にバンプ用マスクを形成し、 前記バンプ用マスクで覆われていない前記第一の純銅板
   および前記第二の純銅板をエッチングで除去するととも
   に、前記第一の純銅板の厚さ方向の一部を残存させ、 前記第一の純銅板から成る前記バンプと、前記第一の純
   銅板の厚さ方向の一部、前記高硬度銅板および前記第二
   の純銅板とで構成されたリードを形成し、 その後、前記バンプ用マスクおよび前記マスクを除去す
   ることを特徴とする、請求項７に記載のバンプ付金属リ
   ードの製造方法。
9. 【請求項９】 高硬度銅板の一方の面に第一の純銅板を
   接合し、前記高硬度銅板の他の面に第二の純銅板を接合
   したクラッド板の、前記第二の純銅板の面に複数の単位
   リードキャリアが形成されたキャリアテープを接着し、 前記キャリアテープの全面にマスクを形成し、 前記第一の純銅板の面にバンプ用マスクを形成し、 前記バンプ用マスクを覆ってリード用マスクを形成し、 前記リード用マスクで覆われていない前記第一の純銅板
   および前記高硬度銅板をエッチングで除去して、前記第
   一の純銅板および前記高硬度銅板の一部から成るリード
   前駆体部を形成し、 前記リード用マスクを除去し、 前記バンプ用マスクで覆われていない前記第一の純銅
   板、前記高硬度銅板および前記第二の純銅板をエッチン
   グで除去し、 前記第一の純銅板および前記高硬度銅板の一部から成る
   バンプと、前記高硬度銅板の厚さ方向の一部および前記
   第二の純銅板とで構成されたリードを形成し、 その後、前記バンプ用マスクおよび前記マスクを除去す
   ることを特徴とする、バンプ付金属リードの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記リード用マスクで覆われていない
    前記第一の純銅板および前記高硬度銅板をエッチングで
    除去して、前記第一の純銅板、前記高硬度銅板および前
    記第二の純銅板の一部から成るリード前駆体部を形成
    し、 前記リード用マスクを除去し、 前記バンプ用マスクで覆われていない前記第一の純銅板
    および前記第二の純銅板をエッチングで除去するととも
    に、前記第一の純銅板の厚さ方向の一部を残存させ、 前記第一の純銅板から成る前記バンプと、前記第一の純
    銅板の厚さ方向の一部、前記高硬度銅板および前記第二
    の純銅板とで構成されたリードを形成し、 その後、前記バンプ用マスクおよび前記マスクを除去す
    ることを特徴とする、請求項９に記載のバンプ付金属リ
    ードの製造方法。