JPH09110415A - 無機粉末を疎水性にする効率的な方法 - Google Patents
無機粉末を疎水性にする効率的な方法Info
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- JPH09110415A JPH09110415A JP13404396A JP13404396A JPH09110415A JP H09110415 A JPH09110415 A JP H09110415A JP 13404396 A JP13404396 A JP 13404396A JP 13404396 A JP13404396 A JP 13404396A JP H09110415 A JPH09110415 A JP H09110415A
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- C09C3/00—Treatment in general of inorganic materials, other than fibrous fillers, to enhance their pigmenting or filling properties
- C09C3/12—Treatment with organosilicon compounds
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- C01B13/145—After-treatment of oxides or hydroxides, e.g. pulverising, drying, decreasing the acidity
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- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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- C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学量論に近い量の処理剤を使用しながら、
短い滞留時間でほどほどの温度で作業することのでき
る、無機粉末を疎水性にするための経済的な方法の提
供。 【解決手段】 原料無機粉末を、流動化処理温度よりも
低い沸点をもつ少なくとも１種のシリル化剤と共に機械
的に流動化処理する。原料無機粉末は、好ましくはヒュ
ームドシリカである。この処理は、連続式でも回分式で
も実施できる。
短い滞留時間でほどほどの温度で作業することのでき
る、無機粉末を疎水性にするための経済的な方法の提
供。 【解決手段】 原料無機粉末を、流動化処理温度よりも
低い沸点をもつ少なくとも１種のシリル化剤と共に機械
的に流動化処理する。原料無機粉末は、好ましくはヒュ
ームドシリカである。この処理は、連続式でも回分式で
も実施できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回分法又は連続法で無
機粉末をシリル化剤で処理して、無機粉末を疎水性にす
るための方法に関する。
機粉末をシリル化剤で処理して、無機粉末を疎水性にす
るための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ヒュームドシリカのような無機粉末は、
インキ、樹脂、ゴム、ペイント及び化粧品のような材料
において増粘剤、チキソトロープ剤及び強化材として使
用されている。さらに具体的には、これらは、室温加硫
性シリコーンゴム、熱硬化性シリコーンゴム及び液体射
出成形用シリコーンゴムなどの各種のプラスチック製品
及びエラストマー製品の物理的性質、機械的性質、熱的
性質などの特性を改質するために使用される。
インキ、樹脂、ゴム、ペイント及び化粧品のような材料
において増粘剤、チキソトロープ剤及び強化材として使
用されている。さらに具体的には、これらは、室温加硫
性シリコーンゴム、熱硬化性シリコーンゴム及び液体射
出成形用シリコーンゴムなどの各種のプラスチック製品
及びエラストマー製品の物理的性質、機械的性質、熱的
性質などの特性を改質するために使用される。
【０００３】無機粉末は米国特許第５，０３７，５５７
号に開示されているように収着剤としても使用される。
例えば、無機粉末は、水から油などの炭化水素を吸収す
るために使用することもできる。処理されていない原料
無機粉末はその表面に−ＯＨ基を有している場合があ
り、そのため該材料は親水性になってしまう。充填剤又
は収着剤として有効であるには、無機粉末を疎水性にす
る必要がある。従来技術における典型的な方法は、米国
特許第４，５５４，１４７号に開示されている。この方
法は送気流動床プロセス(pneumatically fluidized bed
process)を伴うもので、化学量論量よりも過剰の処理
剤（環状シロキサンなど）の使用、長い滞留時間及び高
い作業温度を必要とする。従来技術による方法では、そ
れらの作業条件のために、処理された疎水性無機粉末が
非常に高価になってしまう。例えば、ヒュームドシリカ
処理品は、シリコーンゴム製品に配合される最も高価な
成分の一つである。
号に開示されているように収着剤としても使用される。
例えば、無機粉末は、水から油などの炭化水素を吸収す
るために使用することもできる。処理されていない原料
無機粉末はその表面に−ＯＨ基を有している場合があ
り、そのため該材料は親水性になってしまう。充填剤又
は収着剤として有効であるには、無機粉末を疎水性にす
る必要がある。従来技術における典型的な方法は、米国
特許第４，５５４，１４７号に開示されている。この方
法は送気流動床プロセス(pneumatically fluidized bed
process)を伴うもので、化学量論量よりも過剰の処理
剤（環状シロキサンなど）の使用、長い滞留時間及び高
い作業温度を必要とする。従来技術による方法では、そ
れらの作業条件のために、処理された疎水性無機粉末が
非常に高価になってしまう。例えば、ヒュームドシリカ
処理品は、シリコーンゴム製品に配合される最も高価な
成分の一つである。
【０００４】
【課題】無機粉末を疎水性化するための経済的に望まし
い方法の一つは、化学量論に近い量の処理剤を使用しな
がら、短い滞留時間でほどほどの温度で作業できるよう
な方法であろう。本発明は、このような方法を提供す
る。本発明の方法で得られる処理無機粉末は、従来技術
の方法で製造された疎水性無機粉末が配合されるような
用途において、その代替物として用いることができる。
本発明の方法で得られる処理無機粉末をシリコーンゴム
のような最終製品に配合すると、最終製品の物理的性
質、熱的性質及び機械的性質などの性質は、従来技術の
方法で処理された無機粉末を配合した製品の性質と実質
的に変わらない。
い方法の一つは、化学量論に近い量の処理剤を使用しな
がら、短い滞留時間でほどほどの温度で作業できるよう
な方法であろう。本発明は、このような方法を提供す
る。本発明の方法で得られる処理無機粉末は、従来技術
の方法で製造された疎水性無機粉末が配合されるような
用途において、その代替物として用いることができる。
本発明の方法で得られる処理無機粉末をシリコーンゴム
のような最終製品に配合すると、最終製品の物理的性
質、熱的性質及び機械的性質などの性質は、従来技術の
方法で処理された無機粉末を配合した製品の性質と実質
的に変わらない。
【０００５】
【発明の概要】本発明は、原料無機粉末及び流動化処理
温度よりも低い沸点をもつ少なくとも１種のシリル化剤
を機械的に流動化することからなる、原料無機粉末の処
理方法を提供する。
温度よりも低い沸点をもつ少なくとも１種のシリル化剤
を機械的に流動化することからなる、原料無機粉末の処
理方法を提供する。
【０００６】
【実施の形態の説明】本発明は、シリル化剤の中で親水
性の原料無機粉末を機械的に流動化することによって原
料無機粉末を疎水性にする方法に関する。原料無機粉末
は、その表面上に−ＯＨ基をもつ未処理無機物質であれ
ば如何なるものからなっていてもよい。そのような原料
無機粉末及びその製造方法は当技術分野において周知で
ある。原料無機粉末は、シリカ、粉砕ガラス、ケイ酸
塩、アルミナ、チタニア、アルミニウム、石綿、硫酸バ
リウム、酸化亜鉛、酸化第二鉄、硫化亜鉛及び塩化銀の
ような物質を包含する。好ましくは、原料無機粉末は無
定形シリカを含んでなり、無定形シリカには溶融シリカ
及び非溶融シリカが包含される。さらに好ましくは、原
料無機粉末は表面積５０〜４５０ｍ2 ／ｇ及び含水率
０．１〜１重量％のヒュームドシリカからなる。
性の原料無機粉末を機械的に流動化することによって原
料無機粉末を疎水性にする方法に関する。原料無機粉末
は、その表面上に−ＯＨ基をもつ未処理無機物質であれ
ば如何なるものからなっていてもよい。そのような原料
無機粉末及びその製造方法は当技術分野において周知で
ある。原料無機粉末は、シリカ、粉砕ガラス、ケイ酸
塩、アルミナ、チタニア、アルミニウム、石綿、硫酸バ
リウム、酸化亜鉛、酸化第二鉄、硫化亜鉛及び塩化銀の
ような物質を包含する。好ましくは、原料無機粉末は無
定形シリカを含んでなり、無定形シリカには溶融シリカ
及び非溶融シリカが包含される。さらに好ましくは、原
料無機粉末は表面積５０〜４５０ｍ2 ／ｇ及び含水率
０．１〜１重量％のヒュームドシリカからなる。
【０００７】シリル化剤は当技術分野で周知である。た
だし、本発明で用いるためには、シリル化剤は原料無機
粉末の加工処理温度よりも低い沸点を有していなくては
ならない。 好適なシリル化剤は次式で表される物質が
包含される。 （Ｒ3 Ｓｉ）a Ｚ 式中、各Ｒは、単核アリール基（フェニル、トリル、キ
シリル、ナフチルなど）、ハロゲン化単核及び複核アリ
ール基（クロロフェニル、クロロナフチルなど）、アル
キル基当たりの炭素原子数が１〜８の単核アリール低級
アルキル基（ベンジル、フェニルエチルなど）、炭素原
子数１〜８の低級アルキル基（メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル
など）、炭素原子数２〜８の低級アルケニル基（ビニ
ル、アリル、１−プロペニルなど）、炭素原子数１〜８
のハロ低級アルキル基（クロロプロピル、トリフルオロ
プロピルなど）並びにシクロアルキル基（シクロブチ
ル、シクロペンチルなど）からなる群から独立して選択
されるものであり、ａは１又は２の整数であり、Ｚは−
ＯＨ、−ＮＲ′Ｘ、−ＯＮＲ′2 、−ＳＲ′、−Ｏ−、
−Ｓ−、 Ｒ′はＨ及びＲ（Ｒは上記で定義した通り）からなる群
から選択され、ＸはＨ及びＲからなる群から選択される
ものである。Ｒ′は好ましくはＨ、低級アルキル又はシ
クロアルキルであり、そしてＸは好ましくはＨ、低級ア
ルキル又はシクロアルキルである。
だし、本発明で用いるためには、シリル化剤は原料無機
粉末の加工処理温度よりも低い沸点を有していなくては
ならない。 好適なシリル化剤は次式で表される物質が
包含される。 （Ｒ3 Ｓｉ）a Ｚ 式中、各Ｒは、単核アリール基（フェニル、トリル、キ
シリル、ナフチルなど）、ハロゲン化単核及び複核アリ
ール基（クロロフェニル、クロロナフチルなど）、アル
キル基当たりの炭素原子数が１〜８の単核アリール低級
アルキル基（ベンジル、フェニルエチルなど）、炭素原
子数１〜８の低級アルキル基（メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル
など）、炭素原子数２〜８の低級アルケニル基（ビニ
ル、アリル、１−プロペニルなど）、炭素原子数１〜８
のハロ低級アルキル基（クロロプロピル、トリフルオロ
プロピルなど）並びにシクロアルキル基（シクロブチ
ル、シクロペンチルなど）からなる群から独立して選択
されるものであり、ａは１又は２の整数であり、Ｚは−
ＯＨ、−ＮＲ′Ｘ、−ＯＮＲ′2 、−ＳＲ′、−Ｏ−、
−Ｓ−、 Ｒ′はＨ及びＲ（Ｒは上記で定義した通り）からなる群
から選択され、ＸはＨ及びＲからなる群から選択される
ものである。Ｒ′は好ましくはＨ、低級アルキル又はシ
クロアルキルであり、そしてＸは好ましくはＨ、低級ア
ルキル又はシクロアルキルである。
【０００８】本発明で使用し得るシリル化剤を例示する
と、トリオルガノシリルメルカプタン；トリオルガノシ
リルアクリレート；トリメチルシリルイソプロピルアミ
ン、トリメチルシリルアミン、ジメチルフェニルシリル
アミン、ジメチルビニルシリルアミンのようなトリオル
ガノシリルアミン；ジエチルアミノキシトリメチルシラ
ン、ジエチルアミノキシジメチルフェニルシランのよう
なトリオルガノシリルアミノキシ化合物が挙げられる。
ジシリル化合物も使用することができ、ヘキサメチルジ
シロキサン、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサ
ン、１，３−ジフェニルテトラメチルジシロキサンのよ
うなジシロキサン；並びにヘキサメチルジシラザン、
１，３−ジフェニルテトラメチルジシラザンのようなシ
ラザンが包含される。好ましいシリル化剤はトリオルガ
ノシリルアミン及びシラザンである。
と、トリオルガノシリルメルカプタン；トリオルガノシ
リルアクリレート；トリメチルシリルイソプロピルアミ
ン、トリメチルシリルアミン、ジメチルフェニルシリル
アミン、ジメチルビニルシリルアミンのようなトリオル
ガノシリルアミン；ジエチルアミノキシトリメチルシラ
ン、ジエチルアミノキシジメチルフェニルシランのよう
なトリオルガノシリルアミノキシ化合物が挙げられる。
ジシリル化合物も使用することができ、ヘキサメチルジ
シロキサン、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサ
ン、１，３−ジフェニルテトラメチルジシロキサンのよ
うなジシロキサン；並びにヘキサメチルジシラザン、
１，３−ジフェニルテトラメチルジシラザンのようなシ
ラザンが包含される。好ましいシリル化剤はトリオルガ
ノシリルアミン及びシラザンである。
【０００９】さらに好ましくは、シリル化剤は、ヘキサ
メチルジシラザン、トリメチルシラノール及びビス（ト
リメチルシリル）カルボネートのようなトリメチルシリ
ル化剤からなる。本発明の方法で使用するシリル化剤の
量は、表面−ＯＨの除去程度を部分的に左右する。−Ｏ
Ｈ基は、有機分子からの活性水素が−ＳｉＲ3 （Ｒは前
記で定義した通り）で表されるシリル基によって置換さ
れときに、除去されたと考えられる。例えば、水素が−
Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 によって置換されたときに、−ＯＨ基
が除去されたと考えられる。シリル化剤の使用量が多い
ほど、表面−ＯＨ基の除去は多く起こる。好ましくは、
表面−ＯＨの量に基づく化学量論量に近い量のシリル化
剤を使用する。その適当量は当業者が決定し得る事項で
ある。
メチルジシラザン、トリメチルシラノール及びビス（ト
リメチルシリル）カルボネートのようなトリメチルシリ
ル化剤からなる。本発明の方法で使用するシリル化剤の
量は、表面−ＯＨの除去程度を部分的に左右する。−Ｏ
Ｈ基は、有機分子からの活性水素が−ＳｉＲ3 （Ｒは前
記で定義した通り）で表されるシリル基によって置換さ
れときに、除去されたと考えられる。例えば、水素が−
Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 によって置換されたときに、−ＯＨ基
が除去されたと考えられる。シリル化剤の使用量が多い
ほど、表面−ＯＨ基の除去は多く起こる。好ましくは、
表面−ＯＨの量に基づく化学量論量に近い量のシリル化
剤を使用する。その適当量は当業者が決定し得る事項で
ある。
【００１０】原料無機粉末及びシリル化剤を機械的に流
動化させる。流動化は、揮発性シリル化剤中に原料無機
粉末粒子を懸濁させるのに足る十分な混合と一定の機械
的攪拌を与えるものであれば、当技術分野で公知の任意
の装置で達成することができる。流動化は回分法でも連
続法でも実施できる。好適な流動化装置には、様々な羽
根角度をもつ回転式羽根車が組み込まれたミキサー、混
練型ミキサー、螺旋羽根ミキサー及びスクリューミキサ
ーが包含される。
動化させる。流動化は、揮発性シリル化剤中に原料無機
粉末粒子を懸濁させるのに足る十分な混合と一定の機械
的攪拌を与えるものであれば、当技術分野で公知の任意
の装置で達成することができる。流動化は回分法でも連
続法でも実施できる。好適な流動化装置には、様々な羽
根角度をもつ回転式羽根車が組み込まれたミキサー、混
練型ミキサー、螺旋羽根ミキサー及びスクリューミキサ
ーが包含される。
【００１１】流動化処理の際、処理温度はシリル化剤の
沸点よりも高温に維持しなければならない。好ましく
は、温度は３００℃未満に維持する。さらに好ましく
は、温度は１４０〜２４０℃に維持する。反応時間は流
動化の程度と流動化温度に依存する。反応時間は、ま
た、所望とする表面−ＯＨ除去量にも依存する。反応を
長く続ければ、無機粉末から除去される表面−ＯＨ量は
大きくなる。流動化温度が高いと、所望の−ＯＨ除去レ
ベルに達するのに要する時間が短縮される。所要とされ
る−ＯＨ除去レベル並びに該レベルに達するのに要する
時間及び温度パラメーターは当業者が決定し得る事項で
ある。
沸点よりも高温に維持しなければならない。好ましく
は、温度は３００℃未満に維持する。さらに好ましく
は、温度は１４０〜２４０℃に維持する。反応時間は流
動化の程度と流動化温度に依存する。反応時間は、ま
た、所望とする表面−ＯＨ除去量にも依存する。反応を
長く続ければ、無機粉末から除去される表面−ＯＨ量は
大きくなる。流動化温度が高いと、所望の−ＯＨ除去レ
ベルに達するのに要する時間が短縮される。所要とされ
る−ＯＨ除去レベル並びに該レベルに達するのに要する
時間及び温度パラメーターは当業者が決定し得る事項で
ある。
【００１２】過剰の試薬及び副生物は処理無機粉末から
どんな方法で除去してもよい。好適な除去法は当技術分
野で周知である。そうした方法としては、過剰の試薬及
び副生物を窒素で置換する方法がある。好ましくは、処
理温度と同じ温度において動的真空を作用させ、窒素で
真空を破壊することによって過剰の試薬及び副生物を除
去する。
どんな方法で除去してもよい。好適な除去法は当技術分
野で周知である。そうした方法としては、過剰の試薬及
び副生物を窒素で置換する方法がある。好ましくは、処
理温度と同じ温度において動的真空を作用させ、窒素で
真空を破壊することによって過剰の試薬及び副生物を除
去する。
【００１３】
【００１４】
【実施例１】含水率約０．４％でＯＨ含量約４．５ＯＨ
／ｎｍ2 の原料としての未処理ヒュームドシリカ９００
ｇをヘキサメチルジシラザン８重量％（化学量論量の６
重量％よりも２重量％過剰）と共に、１０リットルのド
レイス（Ｄｒａｉｓ：登録商標）ミキサー中において１
６０℃で７分間流動化処理した。処理ヒュームドシリカ
からの過剰の試薬及び副生物の除去は、１６０℃で１０
分間動的真空に引いた後、窒素で真空を破壊することに
よって行った。−ＯＨ除去の程度は、29ＳｉＮＭＲ、Ｆ
ＴＩＲ及び炭素分析の３つの技術によって決定した。お
よそ１．４〜１．５表面ＯＨ／ｎｍ2 の孤立−ＯＨ基が
全て除去された。
／ｎｍ2 の原料としての未処理ヒュームドシリカ９００
ｇをヘキサメチルジシラザン８重量％（化学量論量の６
重量％よりも２重量％過剰）と共に、１０リットルのド
レイス（Ｄｒａｉｓ：登録商標）ミキサー中において１
６０℃で７分間流動化処理した。処理ヒュームドシリカ
からの過剰の試薬及び副生物の除去は、１６０℃で１０
分間動的真空に引いた後、窒素で真空を破壊することに
よって行った。−ＯＨ除去の程度は、29ＳｉＮＭＲ、Ｆ
ＴＩＲ及び炭素分析の３つの技術によって決定した。お
よそ１．４〜１．５表面ＯＨ／ｎｍ2 の孤立−ＯＨ基が
全て除去された。
【００１５】
【実施例２】 （対照例）含水率約０．４％でＯＨ含量約４．５ＯＨ／
ｎｍ2 の原料としての未処理ヒュームドシリカ９００ｇ
を混合環状物（Ｄx ；ｘ＝３〜６）を用いて回分式反応
器の中２７０℃で４時間処理した（その際、シリカは機
械的に混合されたが流動化はされなかった）。過剰の試
薬を処理ヒュームドシリカから窒素流を用いて除去し
た。−ＯＨ除去程度は、29Ｓｉ ＮＭＲ、ＦＴＩＲ及び
炭素分析の３つの技術によって決定した。およそ１．４
〜１．５表面ＯＨ／ｎｍ2 の孤立−ＯＨ基が全て除去さ
れた。
ｎｍ2 の原料としての未処理ヒュームドシリカ９００ｇ
を混合環状物（Ｄx ；ｘ＝３〜６）を用いて回分式反応
器の中２７０℃で４時間処理した（その際、シリカは機
械的に混合されたが流動化はされなかった）。過剰の試
薬を処理ヒュームドシリカから窒素流を用いて除去し
た。−ＯＨ除去程度は、29Ｓｉ ＮＭＲ、ＦＴＩＲ及び
炭素分析の３つの技術によって決定した。およそ１．４
〜１．５表面ＯＨ／ｎｍ2 の孤立−ＯＨ基が全て除去さ
れた。
【００１６】実施例２では、実施例１と同レベルの−Ｏ
Ｈ除去が得られた。しかし、総反応時間は格段に長く、
実施例１の７分間に比べて実施例２では４時間を要し
た。さらに、反応温度もかなり高く、実施例１の１６０
℃に比べて実施例２では２７０℃であった。
Ｈ除去が得られた。しかし、総反応時間は格段に長く、
実施例１の７分間に比べて実施例２では４時間を要し
た。さらに、反応温度もかなり高く、実施例１の１６０
℃に比べて実施例２では２７０℃であった。
【００１７】
【実施例３】含水率約０．４％でＯＨ含量約４．５ＯＨ
／ｎｍ2 の原料としての未処理ヒュームドシリカ１８０
ｇをヘキサメチルジシラザン２０重量％と共に、３．８
リットルの実験用ミキサー中において１８０℃で４０分
間流動化した。処理ヒュームドシリカからの過剰の試薬
及び副生物の除去は、１８０℃で１０分間動的真空に引
いた後、窒素で真空を破壊することによって行った。−
ＯＨ除去の程度は、29Ｓｉ ＮＭＲ、ＦＴＩＲ及び炭素
分析の３つの技術によって決定した。およそ２．０〜
２．２表面ＯＨ／ｎｍ2 の−ＯＨ基が除去された。
／ｎｍ2 の原料としての未処理ヒュームドシリカ１８０
ｇをヘキサメチルジシラザン２０重量％と共に、３．８
リットルの実験用ミキサー中において１８０℃で４０分
間流動化した。処理ヒュームドシリカからの過剰の試薬
及び副生物の除去は、１８０℃で１０分間動的真空に引
いた後、窒素で真空を破壊することによって行った。−
ＯＨ除去の程度は、29Ｓｉ ＮＭＲ、ＦＴＩＲ及び炭素
分析の３つの技術によって決定した。およそ２．０〜
２．２表面ＯＨ／ｎｍ2 の−ＯＨ基が除去された。
【００１８】
【実施例４】 （対照例）含水率約０．４％でＯＨ含量約４．５ＯＨ／
ｎｍ2 の原料としての未処理ヒュームドシリカ１８０ｇ
を混合環状物（Ｄx ；ｘ＝３〜６）を用いて回分式反応
器の中２７０℃で４時間処理した（その際、シリカは機
械的に混合されたが流動化はされなかった）。次に、こ
のシリカをヘキサメチルジシラザン１６重量％を用いて
回分式反応器中において１８０℃で１２時間処理した
（その際、シリカは機械的に混合されたが流動化はされ
なかった）。過剰の試薬を処理ヒュームドシリカから窒
素流を用いて除去した。−ＯＨ除去程度は、29Ｓｉ Ｎ
ＭＲ、ＦＴＩＲ及び炭素分析の３つの技術によって決定
した。およそ２．０〜２．２表面ＯＨ／ｎｍ2 の−ＯＨ
基が除去された。
ｎｍ2 の原料としての未処理ヒュームドシリカ１８０ｇ
を混合環状物（Ｄx ；ｘ＝３〜６）を用いて回分式反応
器の中２７０℃で４時間処理した（その際、シリカは機
械的に混合されたが流動化はされなかった）。次に、こ
のシリカをヘキサメチルジシラザン１６重量％を用いて
回分式反応器中において１８０℃で１２時間処理した
（その際、シリカは機械的に混合されたが流動化はされ
なかった）。過剰の試薬を処理ヒュームドシリカから窒
素流を用いて除去した。−ＯＨ除去程度は、29Ｓｉ Ｎ
ＭＲ、ＦＴＩＲ及び炭素分析の３つの技術によって決定
した。およそ２．０〜２．２表面ＯＨ／ｎｍ2 の−ＯＨ
基が除去された。
【００１９】実施例４では、実施例３と同レベルの−Ｏ
Ｈ除去が得られた。しかし、総反応時間は格段に長く、
実施例３の４０分間に比べて実施例４では１６時間を要
した。
Ｈ除去が得られた。しかし、総反応時間は格段に長く、
実施例３の４０分間に比べて実施例４では１６時間を要
した。
【００２０】
【実施例５】本発明で処理したヒュームドシリカを配合
したシリコーンゴムの性質は、従来技術で処理したヒュ
ームドシリカを配合したシリコーンゴムの性質と実質的
に変わらない。ポリジメチルシロキサンガムを、実施例
１〜４の各々で処理したヒュームドシリカと共にコンパ
ウンディングした。ショアーＡ硬さと％伸び率はＡＳＴ
Ｍ Ｄ４１２−８７の方法で試験した。ダイＣ引裂き強
さはＡＳＴＭ Ｄ６２４−８６の方法で試験した。次の
表に示す試験結果は、得られたゴムの性質がヒュームド
シリカの処理法によって実質的な影響を受けないいこと
を示している。 表サンプル ショアーＡ硬さ ダイＣ（ｋＮ／ｍ） ％伸び率 実施例１ ２８ ９４ ８３９ 実施例２（対照） ２７ ９５ ７８２ 実施例３ ２４ ７６ ８６０ 実施例４（対照） ２３ ７２ ８６０
したシリコーンゴムの性質は、従来技術で処理したヒュ
ームドシリカを配合したシリコーンゴムの性質と実質的
に変わらない。ポリジメチルシロキサンガムを、実施例
１〜４の各々で処理したヒュームドシリカと共にコンパ
ウンディングした。ショアーＡ硬さと％伸び率はＡＳＴ
Ｍ Ｄ４１２−８７の方法で試験した。ダイＣ引裂き強
さはＡＳＴＭ Ｄ６２４−８６の方法で試験した。次の
表に示す試験結果は、得られたゴムの性質がヒュームド
シリカの処理法によって実質的な影響を受けないいこと
を示している。 表サンプル ショアーＡ硬さ ダイＣ（ｋＮ／ｍ） ％伸び率 実施例１ ２８ ９４ ８３９ 実施例２（対照） ２７ ９５ ７８２ 実施例３ ２４ ７６ ８６０ 実施例４（対照） ２３ ７２ ８６０
【００２１】
【実施例６】実施例１及び２で処理した充填剤は、高い
ジュロメーター硬さをもつＳＥ６０７５（登録商標）シ
リコーンゴム［ゼネラル・エレクトリック・シリコーン
ズ(General Electric Silicones, 米国ニューヨーク州
ウォーターフォード）の製品］にも配合した。ショアー
Ａ硬さ、モジュラス、引張り強さ及び％伸び率はＡＳＴ
Ｍ Ｄ４１２−８７の方法で試験した。ダイＢ引き裂き
強さはＡＳＴＭ Ｄ６２４−８６の方法で試験した。次
の表はこれらの充填を配合した系の物性の詳細を示す。
ジュロメーター硬さをもつＳＥ６０７５（登録商標）シ
リコーンゴム［ゼネラル・エレクトリック・シリコーン
ズ(General Electric Silicones, 米国ニューヨーク州
ウォーターフォード）の製品］にも配合した。ショアー
Ａ硬さ、モジュラス、引張り強さ及び％伸び率はＡＳＴ
Ｍ Ｄ４１２−８７の方法で試験した。ダイＢ引き裂き
強さはＡＳＴＭ Ｄ６２４−８６の方法で試験した。次
の表はこれらの充填を配合した系の物性の詳細を示す。
【００２２】本発明で処理したヒュームドシリカを配合
した高いジュロメーター硬さをもつシリコーンゴムの性
質は、従来技術で処理されたヒュームドシリカを配合し
た高いジュロメーター硬さをもつシリコーンゴムの性質
と実質的に変わらなかった。 表 実施例１ 実施例２ 実施例１ 実施例２ （対照） （対照） 硬化方法 過酸化物硬化 過酸化物硬化 白金硬化 白金硬化 ショアーＡ ７４ ７４ ６４ ６５ ダイＢ １３６ １３３ ３０４ ３００ １００％ モジュラス ４０１ ３７３ ２４１ ２５１ ％伸び率 ３７９ ４０８ ９４９ ９２０ 引張り強さ １４６４ １４２７ ２８７ １２９５
した高いジュロメーター硬さをもつシリコーンゴムの性
質は、従来技術で処理されたヒュームドシリカを配合し
た高いジュロメーター硬さをもつシリコーンゴムの性質
と実質的に変わらなかった。 表 実施例１ 実施例２ 実施例１ 実施例２ （対照） （対照） 硬化方法 過酸化物硬化 過酸化物硬化 白金硬化 白金硬化 ショアーＡ ７４ ７４ ６４ ６５ ダイＢ １３６ １３３ ３０４ ３００ １００％ モジュラス ４０１ ３７３ ２４１ ２５１ ％伸び率 ３７９ ４０８ ９４９ ９２０ 引張り強さ １４６４ １４２７ ２８７ １２９５
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン・ピーター・ベインビシウス アメリカ合衆国、ニューヨーク州、アルバ ニー、ウッドレイク・ロード・ナンバー・ ３、25番 (72)発明者 スタンリー・テレサ・ブドル アメリカ合衆国、ニューヨーク州、グラバ ーズビル、ウエスト・トゥエルブス・アベ ニュー、16番
Claims (10)
- 【請求項１】 原料無機粉末及び流動化処理温度よりも
低い沸点をもつ少なくとも１種のシリル化剤を機械的に
流動化することからなる、原料無機粉末の処理方法。 - 【請求項２】 前記原料無機粉末がシリカ、粉砕ガラ
ス、ケイ酸塩、アルミナ、チタニア、アルミニウム、石
綿、グラファイト、カーボンブラック、硫酸バリウム、
酸化亜鉛、酸化第二鉄、硫化亜鉛及び塩化銀からなる群
から選択される請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記原料無機粉末がヒュームドシリカか
らなる請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記シリル化剤が次式を有する請求項１
記載の方法。 （Ｒ3 Ｓｉ）a Ｚ 式中、各Ｒは単核アリール基、ハロゲン化単核及び複核
アリール基、アルキル基当たりの炭素原子数が１〜８の
単核アリール低級アルキル基、炭素原子数１〜８の低級
アルキル基、炭素原子数２〜８の低級アルケニル基、炭
素原子数１〜８のハロ低級アルキル基及びシクロアルキ
ル基からなる群から独立して選択されるものであり、ａ
は１又は２の整数であり、Ｚは−ＯＨ、−ＮＲ′Ｘ、−
ＯＮＲ′2 、−ＳＲ′、−Ｏ−、−Ｓ−、 Ｒ′はＨ及びＲからなる群から選択され、ＸはＨ及びＲ
からなる群から選択されるものである。 - 【請求項５】 Ｒ′がＨ、低級アルキル基及びシクロア
ルキル基からなる群から選択される請求項４記載の方
法。 - 【請求項６】 ＸがＨ、低級アルキル基及びシクロアル
キル基からなる群から選択される請求項４記載の方法。 - 【請求項７】 前記シリル化剤がトリオルガノシリルメ
ルカプタン、トリオルガノシリルアクリレート、トリオ
ルガノシリルアミン、トリオルガノシリルアミノキシ化
合物、ジシリル化合物及びトリオルガノシリルアミンか
らなる群から選択される請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記シリル化剤がシラザンからなる請求
項１記載の方法。 - 【請求項９】 前記シリル化剤がトリメチルシリル化剤
からなる請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】 前記流動化処理が３００℃未満の温度
で実施される請求項１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US46520795A | 1995-06-05 | 1995-06-05 | |
| US08/465207 | 1995-06-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09110415A true JPH09110415A (ja) | 1997-04-28 |
Family
ID=23846877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13404396A Withdrawn JPH09110415A (ja) | 1995-06-05 | 1996-05-29 | 無機粉末を疎水性にする効率的な方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09110415A (ja) |
| DE (1) | DE19620942A1 (ja) |
| FR (1) | FR2734738B1 (ja) |
| GB (1) | GB2301818B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000264621A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-26 | Tokuyama Corp | 疎水性シリカの製造方法 |
| JP2001055526A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Sumitomo Chem Co Ltd | 樹脂充填用無機化合物及びその製造方法 |
| JP2004107458A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 超微粉シリカ分散スラリーの製造方法 |
| JP2005536435A (ja) * | 2002-08-27 | 2005-12-02 | デグサ アクチエンゲゼルシャフト | 二酸化ケイ素分散液 |
| JP2018009183A (ja) * | 2016-06-02 | 2018-01-18 | エム・テクニック株式会社 | ケイ素化合物被覆金属微粒子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001021393A1 (en) * | 1999-09-21 | 2001-03-29 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Thermally conductive materials in a hydrophobic compound for thermal management |
| US6660241B2 (en) | 2000-05-01 | 2003-12-09 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Highly delaminated hexagonal boron nitride powders, process for making, and uses thereof |
| US6794435B2 (en) | 2000-05-18 | 2004-09-21 | Saint Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Agglomerated hexagonal boron nitride powders, method of making, and uses thereof |
| US6645612B2 (en) | 2001-08-07 | 2003-11-11 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | High solids hBN slurry, hBN paste, spherical hBN powder, and methods of making and using them |
| US7494635B2 (en) | 2003-08-21 | 2009-02-24 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Boron nitride agglomerated powder |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1234245A (fr) * | 1959-05-13 | 1960-10-14 | Rhone Poulenc Sa | Procédé de traitement de charges minérales par des dérivés organosiliciques |
| GB932753A (en) * | 1959-10-12 | 1963-07-31 | Ici Ltd | Improvements in or relating to fillers and pigments by treatment with dihydrocarbyl polysiloxane |
| GB925540A (en) * | 1960-06-10 | 1963-05-08 | Ici Ltd | Surface modified silicas |
| GB1024234A (en) * | 1962-06-27 | 1966-03-30 | Midland Silicones Ltd | Improvements in or relating to siloxane elastomers |
| DE2240014C3 (de) * | 1972-08-14 | 1981-04-16 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Hydrophobierung von hochdispersen Oxiden |
| DE2513608C2 (de) * | 1975-03-27 | 1982-08-05 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Hydrophobierung von Kieselsäuren und Silikaten mit Organosilanen |
| DE3211431A1 (de) * | 1982-03-27 | 1983-09-29 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur hydrophobierung von pyrogen hergestelltem siliciumdioxid |
| US4554147A (en) * | 1984-04-02 | 1985-11-19 | General Electric Company | Method for treating fumed silica |
| JP2886037B2 (ja) * | 1993-06-23 | 1999-04-26 | 株式会社トクヤマ | 疎水性微細シリカおよびその製造方法 |
-
1996
- 1996-05-24 DE DE1996120942 patent/DE19620942A1/de not_active Withdrawn
- 1996-05-28 GB GB9611094A patent/GB2301818B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-29 JP JP13404396A patent/JPH09110415A/ja not_active Withdrawn
- 1996-06-04 FR FR9606851A patent/FR2734738B1/fr not_active Expired - Fee Related
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| JP2000264621A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-26 | Tokuyama Corp | 疎水性シリカの製造方法 |
| JP2001055526A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Sumitomo Chem Co Ltd | 樹脂充填用無機化合物及びその製造方法 |
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| US7824643B2 (en) | 2002-08-27 | 2010-11-02 | Evonik Degussa Gmbh | Silicon dioxide dispersion |
| US7888396B2 (en) | 2002-08-27 | 2011-02-15 | Evonik Degussa Gmbh | Silicon dioxide dispersion |
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| JP2004107458A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 超微粉シリカ分散スラリーの製造方法 |
| JP2018009183A (ja) * | 2016-06-02 | 2018-01-18 | エム・テクニック株式会社 | ケイ素化合物被覆金属微粒子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9611094D0 (en) | 1996-07-31 |
| GB2301818B (en) | 1999-04-07 |
| FR2734738B1 (fr) | 1999-12-31 |
| FR2734738A1 (fr) | 1996-12-06 |
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