JPH09104109A - インクジェットヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
インクジェットヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH09104109A JPH09104109A JP26412195A JP26412195A JPH09104109A JP H09104109 A JPH09104109 A JP H09104109A JP 26412195 A JP26412195 A JP 26412195A JP 26412195 A JP26412195 A JP 26412195A JP H09104109 A JPH09104109 A JP H09104109A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】インクジェットヘッドにおいて、長寿命でしか
も繊細かつ高速の印字を可能とすること。 【解決手段】インクジェットヘッド1は、インク吐出用
のノズル5を有するノズルプレート2と、このノズルプ
レート2に対して所要間隙を介して対向配置される加圧
プレート3と、両プレート2,3間の間隙からなりイン
クが充填される圧力室4とを備える偏平な多板構造にな
っている。加圧プレート3は、圧力室4を圧縮加圧して
圧力室4内のインクをノズル5から吐出させるもので、
圧力室4の圧縮加圧を行うための薄膜型の圧電素子8を
有している。これにより、従来のバルク体からなる圧電
素子を用いるものに比べて厚み寸法および外形寸法が大
幅に小さくなり、高密度化が可能となる。
も繊細かつ高速の印字を可能とすること。 【解決手段】インクジェットヘッド1は、インク吐出用
のノズル5を有するノズルプレート2と、このノズルプ
レート2に対して所要間隙を介して対向配置される加圧
プレート3と、両プレート2,3間の間隙からなりイン
クが充填される圧力室4とを備える偏平な多板構造にな
っている。加圧プレート3は、圧力室4を圧縮加圧して
圧力室4内のインクをノズル5から吐出させるもので、
圧力室4の圧縮加圧を行うための薄膜型の圧電素子8を
有している。これにより、従来のバルク体からなる圧電
素子を用いるものに比べて厚み寸法および外形寸法が大
幅に小さくなり、高密度化が可能となる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力室に満たされ
たインクに圧力を加えて、外部へインクを吐出させるイ
ンクジェットヘッドおよびその製造方法に関する。
たインクに圧力を加えて、外部へインクを吐出させるイ
ンクジェットヘッドおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、記録液を吐出、飛翔させて記
録を行うインクジェット記録方法が知られており、この
方法は、低騒音で比較的高速印字が可能であること、装
置の小型化やカラー記録が容易であること等、数々の利
点を有している。
録を行うインクジェット記録方法が知られており、この
方法は、低騒音で比較的高速印字が可能であること、装
置の小型化やカラー記録が容易であること等、数々の利
点を有している。
【0003】このようなインクジェト記録方法で用いら
れるインクジェットヘッドの形式としては、従来より幾
つかの方式が用いられている。
れるインクジェットヘッドの形式としては、従来より幾
つかの方式が用いられている。
【0004】例えば、キャビティ内部にヒータを設け、
このヒータを急速に加熱することによりインクを沸騰さ
せて泡を形成し、この泡の発生による圧力変化でインク
をノズルから吐出させる、いわゆるバブルジェット方式
がある。
このヒータを急速に加熱することによりインクを沸騰さ
せて泡を形成し、この泡の発生による圧力変化でインク
をノズルから吐出させる、いわゆるバブルジェット方式
がある。
【0005】また、特開平4―355147号公報のよ
うに、圧電素子の変位を用いてインク圧力室に圧力を発
生させ、これによりノズルからインクを粒状にして吐出
させる加圧方式がある。
うに、圧電素子の変位を用いてインク圧力室に圧力を発
生させ、これによりノズルからインクを粒状にして吐出
させる加圧方式がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術には、以下のような問題点がある。
従来技術には、以下のような問題点がある。
【0007】まず、バブルジェット方式では、インクを
沸騰させて泡を形成するにはヒータを瞬間的に1000
℃もの高温にする必要があり、このため、ヒータの劣化
が避けられずヘッドの寿命が短い、という問題点があ
る。
沸騰させて泡を形成するにはヒータを瞬間的に1000
℃もの高温にする必要があり、このため、ヒータの劣化
が避けられずヘッドの寿命が短い、という問題点があ
る。
【0008】これに対して、加圧方式では、寿命につい
ては問題ないものの、バルク体からなる圧電素子を用い
ているため機械加工と組み立てプロセスが必要となり生
産性が悪い他、高集積化が困難となるなど、繊細かつ高
速の印字に適さない、という問題点がある。
ては問題ないものの、バルク体からなる圧電素子を用い
ているため機械加工と組み立てプロセスが必要となり生
産性が悪い他、高集積化が困難となるなど、繊細かつ高
速の印字に適さない、という問題点がある。
【0009】したがって、本発明では、インクジェット
ヘッドにおいて、長寿命でしかも繊細かつ高速の印字を
可能とすることを目的としている。
ヘッドにおいて、長寿命でしかも繊細かつ高速の印字を
可能とすることを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の第1のインクジ
ェットヘッドは、対向配置される第1、第2プレートの
間にインクを充填する圧力室が設けられ、第1プレート
に第2プレート側へ撓みうる可撓部が設けられていると
ともに、この可撓部に当該可撓部を撓み変形させる薄膜
型の圧電素子が積層形成されており、第1プレートによ
り圧力室を圧縮加圧して圧力室内のインクを外部へ吐出
させるものである。
ェットヘッドは、対向配置される第1、第2プレートの
間にインクを充填する圧力室が設けられ、第1プレート
に第2プレート側へ撓みうる可撓部が設けられていると
ともに、この可撓部に当該可撓部を撓み変形させる薄膜
型の圧電素子が積層形成されており、第1プレートによ
り圧力室を圧縮加圧して圧力室内のインクを外部へ吐出
させるものである。
【0011】本発明の第2のインクジェットヘッドは、
インク吐出用のノズルを有するノズルプレートと、この
ノズルプレートに対して所要間隙を介して対向配置され
る加圧プレートと、両プレート間の対向間隙からなりイ
ンクが充填される圧力室とを備え、かつ、前記加圧プレ
ートは、片持ち梁状の突片を有する基板と、この基板の
突片に積層形成されて該突片を厚み方向に撓み変形させ
る薄膜型の圧電素子と、前記基板の片面において圧電素
子および突片が存在する領域を覆うように接着されるダ
イヤフラムとを含むもので、圧電素子により突片を撓み
変形させてダイヤフラムを圧力室側へ膨出させることに
より圧力室を圧縮加圧して圧力室内のインクをノズルか
ら吐出させるものである。
インク吐出用のノズルを有するノズルプレートと、この
ノズルプレートに対して所要間隙を介して対向配置され
る加圧プレートと、両プレート間の対向間隙からなりイ
ンクが充填される圧力室とを備え、かつ、前記加圧プレ
ートは、片持ち梁状の突片を有する基板と、この基板の
突片に積層形成されて該突片を厚み方向に撓み変形させ
る薄膜型の圧電素子と、前記基板の片面において圧電素
子および突片が存在する領域を覆うように接着されるダ
イヤフラムとを含むもので、圧電素子により突片を撓み
変形させてダイヤフラムを圧力室側へ膨出させることに
より圧力室を圧縮加圧して圧力室内のインクをノズルか
ら吐出させるものである。
【0012】本発明の第3のインクジェットヘッドは、
インク吐出用のノズルを有するノズルプレートと、この
ノズルプレートに対して所要間隙を介して対向配置され
る加圧プレートと、両プレート間の対向間隙からなりイ
ンクが充填される圧力室とを備え、かつ、前記加圧プレ
ートは、外周側から中心側へ向けて放射状に突出する複
数の片持ち梁状の突片を有する基板と、この基板の各突
片に積層形成されて該突片を厚み方向に撓み変形させる
薄膜型の圧電素子と、前記基板の片面において圧電素子
および突片が存在する領域を覆うように接着されるダイ
ヤフラムとを含むもので、圧電素子により突片を撓み変
形させてダイヤフラムを圧力室側へ膨出させることによ
り圧力室を圧縮加圧して圧力室内のインクをノズルから
吐出させるものである。
インク吐出用のノズルを有するノズルプレートと、この
ノズルプレートに対して所要間隙を介して対向配置され
る加圧プレートと、両プレート間の対向間隙からなりイ
ンクが充填される圧力室とを備え、かつ、前記加圧プレ
ートは、外周側から中心側へ向けて放射状に突出する複
数の片持ち梁状の突片を有する基板と、この基板の各突
片に積層形成されて該突片を厚み方向に撓み変形させる
薄膜型の圧電素子と、前記基板の片面において圧電素子
および突片が存在する領域を覆うように接着されるダイ
ヤフラムとを含むもので、圧電素子により突片を撓み変
形させてダイヤフラムを圧力室側へ膨出させることによ
り圧力室を圧縮加圧して圧力室内のインクをノズルから
吐出させるものである。
【0013】なお、前述の圧電素子は、下部電極膜と、
下部電極膜の表面に積層形成される圧電体膜と、圧電体
膜の表面に積層形成される上部電極膜とからなるユニモ
ルフ構造とすることができる。
下部電極膜の表面に積層形成される圧電体膜と、圧電体
膜の表面に積層形成される上部電極膜とからなるユニモ
ルフ構造とすることができる。
【0014】本発明のインクジェットヘッドの製造方法
は、基板の表面に片持ち梁状の突片部分を有するパター
ンの第1電極膜を形成する工程と、前記第1電極膜の表
面のみに該第1電極膜とほぼ同パターンのチタン結晶を
形成する工程と、前記チタン結晶の表面のみに水熱法に
よりPZTからなる圧電体膜を形成する工程と、前記圧
電体膜の表面のみに該圧電体膜とほぼ同パターンの第2
電極膜を形成する工程と、前記基板の表面側において第
1電極膜、圧電体膜、第2電極膜の存在しない溝部に犠
牲層を埋める工程と、前記第2電極膜および犠牲層の表
面にそれらを覆うダイヤフラムを形成する工程と、前記
基板の裏面において表面側の前記第1電極膜、圧電体
膜、第2電極膜を囲む領域に対応する領域を薄肉にする
工程と、前記基板の裏面において第1電極膜、圧電体
膜、第2電極膜の存在しない溝部に対応する領域を、該
表面側の溝部に到達するまで除去する工程と、前記表面
側の溝部に存在する犠牲層を除去する工程とを含む。
は、基板の表面に片持ち梁状の突片部分を有するパター
ンの第1電極膜を形成する工程と、前記第1電極膜の表
面のみに該第1電極膜とほぼ同パターンのチタン結晶を
形成する工程と、前記チタン結晶の表面のみに水熱法に
よりPZTからなる圧電体膜を形成する工程と、前記圧
電体膜の表面のみに該圧電体膜とほぼ同パターンの第2
電極膜を形成する工程と、前記基板の表面側において第
1電極膜、圧電体膜、第2電極膜の存在しない溝部に犠
牲層を埋める工程と、前記第2電極膜および犠牲層の表
面にそれらを覆うダイヤフラムを形成する工程と、前記
基板の裏面において表面側の前記第1電極膜、圧電体
膜、第2電極膜を囲む領域に対応する領域を薄肉にする
工程と、前記基板の裏面において第1電極膜、圧電体
膜、第2電極膜の存在しない溝部に対応する領域を、該
表面側の溝部に到達するまで除去する工程と、前記表面
側の溝部に存在する犠牲層を除去する工程とを含む。
【0015】このように、本発明のインクジェットヘッ
ドは、要するに、偏平な多板構造であり、加圧プレート
に薄膜型の圧電素子を設けているから、従来のようなバ
ルク体からなる圧電素子を用いる構造に比べて、厚み寸
法や外径寸法において大幅な小型化が可能となる。
ドは、要するに、偏平な多板構造であり、加圧プレート
に薄膜型の圧電素子を設けているから、従来のようなバ
ルク体からなる圧電素子を用いる構造に比べて、厚み寸
法や外径寸法において大幅な小型化が可能となる。
【0016】特に、第2のインクジェットヘッドでは、
突片を複数にして、ダイヤフラムの中心部分を押圧する
ようになっているから、ダイヤフラムの膨出量が大きく
なるとともにダイヤフラムの膨出動作時の応答性が良好
となる。
突片を複数にして、ダイヤフラムの中心部分を押圧する
ようになっているから、ダイヤフラムの膨出量が大きく
なるとともにダイヤフラムの膨出動作時の応答性が良好
となる。
【0017】また、本発明の製造方法では、加圧プレー
トを半導体成膜技術により製造するから、従来のような
煩雑な機械加工と組立作業を省略できるようになる。し
かも、圧電素子を水熱法により成膜していれば、圧電素
子の成膜温度が低く、素子へのダメージを軽減できると
ともに、圧電素子の分極処理を省略できるようになる。
トを半導体成膜技術により製造するから、従来のような
煩雑な機械加工と組立作業を省略できるようになる。し
かも、圧電素子を水熱法により成膜していれば、圧電素
子の成膜温度が低く、素子へのダメージを軽減できると
ともに、圧電素子の分極処理を省略できるようになる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図1ないし
図6に示す実施例に基づいて説明する。図1ないし図4
は本発明の一実施例にかかり、図1は、インクジェット
ヘッドの平面図、図2は、図1の(2)―(2)線断面
の矢視図、図3は、インクジェットヘッドの動作状態を
示し、図2に対応する図、図4は、インクジェットヘッ
ドの製造工程図である。
図6に示す実施例に基づいて説明する。図1ないし図4
は本発明の一実施例にかかり、図1は、インクジェット
ヘッドの平面図、図2は、図1の(2)―(2)線断面
の矢視図、図3は、インクジェットヘッドの動作状態を
示し、図2に対応する図、図4は、インクジェットヘッ
ドの製造工程図である。
【0019】インクジェットヘッド1は、インク吐出用
の円錐形のノズル5を有する第2プレートとしてのノズ
ルプレート2と、このノズルプレート2に対して所要間
隙を介してほぼ平行に対向配置される第1プレートとし
ての加圧プレート3と、両プレート2,3間の間隙から
なりインクが充填される圧力室4とを備える偏平な多板
構造になっている。
の円錐形のノズル5を有する第2プレートとしてのノズ
ルプレート2と、このノズルプレート2に対して所要間
隙を介してほぼ平行に対向配置される第1プレートとし
ての加圧プレート3と、両プレート2,3間の間隙から
なりインクが充填される圧力室4とを備える偏平な多板
構造になっている。
【0020】ノズルプレート2は、厚さが好ましくは
0.2mmあるいはそれ以下の好ましくは例えばガラ
ス、プラスチックシート、あるいはニッケル等の金属材
料で構成されている。このノズルプレート2のノズル5
は、圧力室4の中心に対応する位置に厚み方向に貫通し
て設けられている。
0.2mmあるいはそれ以下の好ましくは例えばガラ
ス、プラスチックシート、あるいはニッケル等の金属材
料で構成されている。このノズルプレート2のノズル5
は、圧力室4の中心に対応する位置に厚み方向に貫通し
て設けられている。
【0021】加圧プレート3は、圧力室4をノズルプレ
ート2側へ圧縮加圧して圧力室4内のインクをノズル5
から吐出させるもので、四角い偏平な基板6と、基板6
の片面に設けられる薄膜型の圧電素子7と、基板6の片
面において圧電素子7が存在する領域を覆うように設け
られるダイヤフラム8とを含む構成であり、各要素は、
後述するが、半導体成膜技術およびマイクロマシン技術
により形成される。
ート2側へ圧縮加圧して圧力室4内のインクをノズル5
から吐出させるもので、四角い偏平な基板6と、基板6
の片面に設けられる薄膜型の圧電素子7と、基板6の片
面において圧電素子7が存在する領域を覆うように設け
られるダイヤフラム8とを含む構成であり、各要素は、
後述するが、半導体成膜技術およびマイクロマシン技術
により形成される。
【0022】基板6は、好ましくはシリコンあるいはガ
ラスなどの材料からなり、外周から中心へ向けて放射状
に突出する四つの三角形の突片61〜64を有してい
る。この突片61〜64は、基板6の中央の円形領域を
下面側から凹状として薄肉とし、この薄肉円形領域にそ
の中心を交差するX字形の分離溝(スリット)65を設
けることにより、円板を扇形に四分割した片持ち梁状に
形成されたもので、厚み方向にそれぞれ撓み変形可能と
なっている。
ラスなどの材料からなり、外周から中心へ向けて放射状
に突出する四つの三角形の突片61〜64を有してい
る。この突片61〜64は、基板6の中央の円形領域を
下面側から凹状として薄肉とし、この薄肉円形領域にそ
の中心を交差するX字形の分離溝(スリット)65を設
けることにより、円板を扇形に四分割した片持ち梁状に
形成されたもので、厚み方向にそれぞれ撓み変形可能と
なっている。
【0023】圧電素子7は、四つの突片61〜64それ
ぞれの上面に積層されて突片61〜64と同一形状の部
分と、それらの外周を連接する外周枠部分とを有し、P
ZT(チタン酸ジルコン酸鉛)などの圧電定数の大きな
材料で構成されかつ矢印方向に分極される圧電体膜71
と、圧電体膜71の裏面に形成される下部電極膜72
と、圧電体膜71の表面に積層形成される上部電極膜7
3との三層のユニモルフ構造になっている。なお、下部
電極膜72と基板6との間には、絶縁膜74が介在され
ている。また、圧電素子7の上部電極膜73には、電源
9がスイッチ10を介して接続されており、下部電極膜
72は接地状態とされている。つまり、圧電体膜71の
分極方向(図2の矢印参照)と同一方向の電界が発生す
るように、電源9により電圧が印加可能となっている。
ぞれの上面に積層されて突片61〜64と同一形状の部
分と、それらの外周を連接する外周枠部分とを有し、P
ZT(チタン酸ジルコン酸鉛)などの圧電定数の大きな
材料で構成されかつ矢印方向に分極される圧電体膜71
と、圧電体膜71の裏面に形成される下部電極膜72
と、圧電体膜71の表面に積層形成される上部電極膜7
3との三層のユニモルフ構造になっている。なお、下部
電極膜72と基板6との間には、絶縁膜74が介在され
ている。また、圧電素子7の上部電極膜73には、電源
9がスイッチ10を介して接続されており、下部電極膜
72は接地状態とされている。つまり、圧電体膜71の
分極方向(図2の矢印参照)と同一方向の電界が発生す
るように、電源9により電圧が印加可能となっている。
【0024】ダイヤフラム8は、好ましくはニッケルな
どの延性材料からなり、基板6の片面において圧電素子
7および突片61〜64が存在する領域を覆うように接
着される。なお、このダイヤフラム8は、その外周部分
および内周部分のみが圧電素子7の上部電極膜73に対
して接着し、その他の部分は上部電極膜73に対して非
接触となっている。
どの延性材料からなり、基板6の片面において圧電素子
7および突片61〜64が存在する領域を覆うように接
着される。なお、このダイヤフラム8は、その外周部分
および内周部分のみが圧電素子7の上部電極膜73に対
して接着し、その他の部分は上部電極膜73に対して非
接触となっている。
【0025】圧力室4は、上記ノズルプレート2と、上
記加圧プレート3のダイヤフラム8と、両プレート2,
3間に介在される四角い枠状のスペーサ11とにより形
成されている。スペーサ11の円周一箇所には、径方向
に貫通する溝12が設けられており、この溝12がイン
クの供給口とされる。なお、スペーサ11は、好ましく
はポリイミドあるいはアクリル系の感光性接着剤などの
絶縁性材料で構成されている。
記加圧プレート3のダイヤフラム8と、両プレート2,
3間に介在される四角い枠状のスペーサ11とにより形
成されている。スペーサ11の円周一箇所には、径方向
に貫通する溝12が設けられており、この溝12がイン
クの供給口とされる。なお、スペーサ11は、好ましく
はポリイミドあるいはアクリル系の感光性接着剤などの
絶縁性材料で構成されている。
【0026】このように、インクジェットヘッド1は、
偏平な多板構造とされていて薄膜型の圧電素子7を用い
ているから、全体の厚み寸法や外形寸法が、従来例のよ
うなバルク体からなる圧電素子を用いる構造に比べて大
幅に小さくなっており、ノズル5の高密度化を実現でき
るなど、繊細かつ高速での印字が可能となる。
偏平な多板構造とされていて薄膜型の圧電素子7を用い
ているから、全体の厚み寸法や外形寸法が、従来例のよ
うなバルク体からなる圧電素子を用いる構造に比べて大
幅に小さくなっており、ノズル5の高密度化を実現でき
るなど、繊細かつ高速での印字が可能となる。
【0027】次に、上記インクジェットヘッド1の動作
を説明する。
を説明する。
【0028】まず、圧力室4に対してインクの供給口つ
まりスペーサ11の溝12からインクが供給され充填さ
れる。これにより、ダイヤフラム8はインクに浸された
状態となる。この後、電源9により加圧プレート3の上
部電極膜73に対して電圧を印加する。この電圧印加に
より、圧電素子7の分極方向と同一方向の電界が生ずる
ので、圧電素子7は厚さ方向に伸びて、長手方向(半径
方向)に縮もうとする。これにより、圧電素子7および
基板6の四つの突片61〜64が、図3に示すように、
ノズルプレート2に近接する方向へ反り返る状態に撓み
変形し、これに伴いダイヤフラム8がノズルプレート2
側へ膨出させられることになって圧力室4を圧縮加圧す
るので、圧力室4内のインクがノズル5を通じて外部へ
押し出されて、ノズル5の開口部分にインク滴が形成さ
れることになる。このインク滴によりプリント対象面へ
の印字が行われる。そして、電源9からの電圧印加を断
つと、圧電素子7および基板6の四つの突片61〜64
が、図1の状態に戻る。
まりスペーサ11の溝12からインクが供給され充填さ
れる。これにより、ダイヤフラム8はインクに浸された
状態となる。この後、電源9により加圧プレート3の上
部電極膜73に対して電圧を印加する。この電圧印加に
より、圧電素子7の分極方向と同一方向の電界が生ずる
ので、圧電素子7は厚さ方向に伸びて、長手方向(半径
方向)に縮もうとする。これにより、圧電素子7および
基板6の四つの突片61〜64が、図3に示すように、
ノズルプレート2に近接する方向へ反り返る状態に撓み
変形し、これに伴いダイヤフラム8がノズルプレート2
側へ膨出させられることになって圧力室4を圧縮加圧す
るので、圧力室4内のインクがノズル5を通じて外部へ
押し出されて、ノズル5の開口部分にインク滴が形成さ
れることになる。このインク滴によりプリント対象面へ
の印字が行われる。そして、電源9からの電圧印加を断
つと、圧電素子7および基板6の四つの突片61〜64
が、図1の状態に戻る。
【0029】要するに、加圧プレート3の圧電素子7に
より基板6の突片61〜64を撓み変形させてダイヤフ
ラム8を圧力室4側へ膨出させることにより圧力室4を
圧縮加圧して圧力室4内のインクをノズル5から吐出さ
せるようになっている。
より基板6の突片61〜64を撓み変形させてダイヤフ
ラム8を圧力室4側へ膨出させることにより圧力室4を
圧縮加圧して圧力室4内のインクをノズル5から吐出さ
せるようになっている。
【0030】次に、上記インクジェットヘッド1の加圧
プレート3についての製造方法を説明する。
プレート3についての製造方法を説明する。
【0031】(1) 図4(a)に示すように、面方位
(100)のシリコンウエハからなる基板6の表裏両面
に所定の厚さ(例えば1μm)の熱酸化膜110を形成
するとともに、この表裏両面の熱酸化膜110をフォト
リソグラフィ技術によりパターニングする。フォトリソ
グラフィ技術でのエッチングには、CHF3を用いる。
この表面側の熱酸化膜110は、図1の破線で示すパタ
ーンに形成され、図1の絶縁膜74となる。裏面の熱酸
化膜110は、中央に円形の開口を有するパターンに形
成される。
(100)のシリコンウエハからなる基板6の表裏両面
に所定の厚さ(例えば1μm)の熱酸化膜110を形成
するとともに、この表裏両面の熱酸化膜110をフォト
リソグラフィ技術によりパターニングする。フォトリソ
グラフィ技術でのエッチングには、CHF3を用いる。
この表面側の熱酸化膜110は、図1の破線で示すパタ
ーンに形成され、図1の絶縁膜74となる。裏面の熱酸
化膜110は、中央に円形の開口を有するパターンに形
成される。
【0032】(2) 図4(b)に示すように、基板6
を、水酸化カリウム溶液中に浸漬することにより、基板
6の裏面において熱酸化膜110のない円形領域が薄肉
にエッチングされるとともに、基板6の表面において熱
酸化膜110のないX字形の領域が薄肉にエッチングさ
れてX字形の分離溝(スリット)120が得られる。
を、水酸化カリウム溶液中に浸漬することにより、基板
6の裏面において熱酸化膜110のない円形領域が薄肉
にエッチングされるとともに、基板6の表面において熱
酸化膜110のないX字形の領域が薄肉にエッチングさ
れてX字形の分離溝(スリット)120が得られる。
【0033】(3) 図4(c)に示すように、基板6
の分離溝120に対して例えばスパッタ法あるいはスピ
ンコート法により第1犠牲層としてのポリイミド130
を埋める。このとき、ポリイミド130は分離溝120
の開口よりも盛り上げておく。
の分離溝120に対して例えばスパッタ法あるいはスピ
ンコート法により第1犠牲層としてのポリイミド130
を埋める。このとき、ポリイミド130は分離溝120
の開口よりも盛り上げておく。
【0034】(4) 図4(d)に示すように、基板6
の表面側に、例えば厚さ1μmの白金140をスパッタ
法などにより成膜するとともに、この白金140をフォ
トリソグラフィ技術によりパターニングすることにより
基板6の表面の絶縁膜74の上面のみに残す。この残っ
た白金140が下部電極膜72となる。フォトリソグラ
フィ技術でのエッチングは、イオンミリング等のドライ
エッチングとする。
の表面側に、例えば厚さ1μmの白金140をスパッタ
法などにより成膜するとともに、この白金140をフォ
トリソグラフィ技術によりパターニングすることにより
基板6の表面の絶縁膜74の上面のみに残す。この残っ
た白金140が下部電極膜72となる。フォトリソグラ
フィ技術でのエッチングは、イオンミリング等のドライ
エッチングとする。
【0035】(5) 図4(e)に示すように、基板6
の表面側に、チタン結晶150をスパッタ法などにより
成膜するとともに、チタン結晶150をフォトリソグラ
フィ技術によりパターニングすることにより下部電極膜
72の上面のみに残す。フォトリソグラフィ技術でのエ
ッチングは、イオンミリング等のドライエッチングとす
る。
の表面側に、チタン結晶150をスパッタ法などにより
成膜するとともに、チタン結晶150をフォトリソグラ
フィ技術によりパターニングすることにより下部電極膜
72の上面のみに残す。フォトリソグラフィ技術でのエ
ッチングは、イオンミリング等のドライエッチングとす
る。
【0036】(6) 図4(f)に示すように、基板6
を、Ti4+,Pb2+,Zr4+イオンの入った水酸化カリ
ウム溶液中に浸漬し、温度150℃の飽和蒸気圧に設定
したオートクレーブの中に放置するという、いわゆる水
熱法を行うことにより、チタン結晶150の表面にPZ
T(チタン酸ジルコン酸鉛)160が析出し成長する。
このPZT160は、上記(5)でのチタン結晶150
の上のみに成長するので、パターンニングは不要であ
る。また、結晶方向は厚さ方向に揃い、さらに基板方向
に分極されるので、分極処理は不要である。このPZT
160とチタン結晶150とが圧電体膜71となる。な
お、ここでの水酸化カリウム溶液は、希薄な濃度のもの
を用いているので、上記(2)で形成した第1犠牲層で
あるポリイミド130はエッチングされない。
を、Ti4+,Pb2+,Zr4+イオンの入った水酸化カリ
ウム溶液中に浸漬し、温度150℃の飽和蒸気圧に設定
したオートクレーブの中に放置するという、いわゆる水
熱法を行うことにより、チタン結晶150の表面にPZ
T(チタン酸ジルコン酸鉛)160が析出し成長する。
このPZT160は、上記(5)でのチタン結晶150
の上のみに成長するので、パターンニングは不要であ
る。また、結晶方向は厚さ方向に揃い、さらに基板方向
に分極されるので、分極処理は不要である。このPZT
160とチタン結晶150とが圧電体膜71となる。な
お、ここでの水酸化カリウム溶液は、希薄な濃度のもの
を用いているので、上記(2)で形成した第1犠牲層で
あるポリイミド130はエッチングされない。
【0037】(7) 図4(g)に示すように、基板6
の表面側に、例えば厚さ1μmの白金170をスパッタ
法などにより成膜するとともに、この白金170をフォ
トリソグラフィ技術によりパターニングすることにより
圧電体膜71の上面のみに残す。この残った白金170
が上部電極膜73となる。フォトリソグラフィ技術での
エッチングは、イオンミリング等のドライエッチングと
する。
の表面側に、例えば厚さ1μmの白金170をスパッタ
法などにより成膜するとともに、この白金170をフォ
トリソグラフィ技術によりパターニングすることにより
圧電体膜71の上面のみに残す。この残った白金170
が上部電極膜73となる。フォトリソグラフィ技術での
エッチングは、イオンミリング等のドライエッチングと
する。
【0038】(8) 図4(h)に示すように、基板6
の表面側で、扇形に分割されたパターンの下部電極膜7
2、圧電体膜71および上部電極膜73のX字形の分離
溝(スリット)180に例えばスパッタ法あるいはスピ
ンコート法により第2犠牲層としてのポリイミド190
を埋める。
の表面側で、扇形に分割されたパターンの下部電極膜7
2、圧電体膜71および上部電極膜73のX字形の分離
溝(スリット)180に例えばスパッタ法あるいはスピ
ンコート法により第2犠牲層としてのポリイミド190
を埋める。
【0039】(9) 図4(i)に示すように、基板6
の表面側に、厚さ0.5μmの第3犠牲層としてのアル
ミニウム200をスパッタ法で成膜するとともに、この
アルミニウム200をフォトリソグラフィ技術によりパ
ターニングすることにより上部電極膜73の上面におけ
る所定領域のみに残す。フォトリソグラフィ技術でのエ
ッチングは、イオンミリング等のドライエッチングとす
る。このアルミニウム200の厚さで上部電極膜73に
対するダイヤフラム8の非接触領域の隙間が決まる。
の表面側に、厚さ0.5μmの第3犠牲層としてのアル
ミニウム200をスパッタ法で成膜するとともに、この
アルミニウム200をフォトリソグラフィ技術によりパ
ターニングすることにより上部電極膜73の上面におけ
る所定領域のみに残す。フォトリソグラフィ技術でのエ
ッチングは、イオンミリング等のドライエッチングとす
る。このアルミニウム200の厚さで上部電極膜73に
対するダイヤフラム8の非接触領域の隙間が決まる。
【0040】(10) 図4(j)に示すように、基板
6の表面側に、厚さ0.01μmのタンタルおよび厚さ
0.1μmのニッケルをスパッタ法で成膜するととも
に、これらの膜を電極にした電解メッキ法により所定の
厚さ(例えば4μm)のニッケルメッキを行い、メッキ
膜210を得る。この電解メッキでは、例えばスルファ
ミン酸ニッケル浴によるニッケルメッキを用いることが
できる。タンタルは、上部電極膜73とニッケルの密着
力を上げるために利用している。このメッキ膜210を
フォトリソグラフィ技術によりパターニングすることに
より、ダイヤフラム8とする。
6の表面側に、厚さ0.01μmのタンタルおよび厚さ
0.1μmのニッケルをスパッタ法で成膜するととも
に、これらの膜を電極にした電解メッキ法により所定の
厚さ(例えば4μm)のニッケルメッキを行い、メッキ
膜210を得る。この電解メッキでは、例えばスルファ
ミン酸ニッケル浴によるニッケルメッキを用いることが
できる。タンタルは、上部電極膜73とニッケルの密着
力を上げるために利用している。このメッキ膜210を
フォトリソグラフィ技術によりパターニングすることに
より、ダイヤフラム8とする。
【0041】(11) 図4(k)に示すように、基板
6を水酸化カリウム溶液に浸すと、基板6の裏面の薄肉
円形領域がさらに薄肉にエッチングされて、基板6のX
字形の分離溝(スリット)120にまで到達することに
なり、基板6に四つの突片61〜64が形成されること
になる。このとき、第1、第2犠牲層であるポリイミド
130,190および第3犠牲層であるアルミニウム2
00も同時にエッチングされて除去される。なお、突片
61〜64の膜厚は、エッチングの時間により制御する
ことができ、この膜厚により突片の可撓特性を調整でき
る。
6を水酸化カリウム溶液に浸すと、基板6の裏面の薄肉
円形領域がさらに薄肉にエッチングされて、基板6のX
字形の分離溝(スリット)120にまで到達することに
なり、基板6に四つの突片61〜64が形成されること
になる。このとき、第1、第2犠牲層であるポリイミド
130,190および第3犠牲層であるアルミニウム2
00も同時にエッチングされて除去される。なお、突片
61〜64の膜厚は、エッチングの時間により制御する
ことができ、この膜厚により突片の可撓特性を調整でき
る。
【0042】このようにして製造した加圧プレート3の
ダイヤフラム8に対して、スペーサ11およびノズルプ
レート2を接合することにより、図1に示すようなイン
クジェットヘッド1が完成することになる。
ダイヤフラム8に対して、スペーサ11およびノズルプ
レート2を接合することにより、図1に示すようなイン
クジェットヘッド1が完成することになる。
【0043】ところで、加圧プレート3において圧電素
子7を形成するプロセスについては、上述した(5)、
(6)に限定されない。例えば、上記(5)のプロセス
を省略し、(6)のプロセスの水熱法の代わりにゾルゲ
ル法、スパッタ法、あるいは、CVD法により成膜する
ことができる。この場合には、成膜した圧電体膜71に
ついての分極処理が別途必要になる。
子7を形成するプロセスについては、上述した(5)、
(6)に限定されない。例えば、上記(5)のプロセス
を省略し、(6)のプロセスの水熱法の代わりにゾルゲ
ル法、スパッタ法、あるいは、CVD法により成膜する
ことができる。この場合には、成膜した圧電体膜71に
ついての分極処理が別途必要になる。
【0044】また、各部の膜厚としては、例えば、基板
6の突片61〜64を30μm、圧電体膜71を30μ
m、上部電極膜73および下部電極膜72を1μm、ダ
イヤフラム8を4μmに設定した場合、良好なインク吐
出特性を示すが、この膜厚は特に限定されない。
6の突片61〜64を30μm、圧電体膜71を30μ
m、上部電極膜73および下部電極膜72を1μm、ダ
イヤフラム8を4μmに設定した場合、良好なインク吐
出特性を示すが、この膜厚は特に限定されない。
【0045】なお、本発明は上記実施例のみに限定され
るものではなく、種々な応用や変形が考えられる。
るものではなく、種々な応用や変形が考えられる。
【0046】例えば、上記実施例では、加圧プレート3
での基板6の突片61〜64として円板を扇形に四分割
したものを例に挙げているが、その分割数や個々の形状
は任意である。但し、分割数を四つ未満にと少なくした
場合、半径方向以外に、円周方向の変形モードが現れる
ので、加圧力が不足するなどして良好なインク吐出特性
を得にくくなることが懸念される。逆に、分割数を四つ
以上に多くすると、円周方向の変形モードが現れにくい
ので、インク吐出特性が向上する。
での基板6の突片61〜64として円板を扇形に四分割
したものを例に挙げているが、その分割数や個々の形状
は任意である。但し、分割数を四つ未満にと少なくした
場合、半径方向以外に、円周方向の変形モードが現れる
ので、加圧力が不足するなどして良好なインク吐出特性
を得にくくなることが懸念される。逆に、分割数を四つ
以上に多くすると、円周方向の変形モードが現れにくい
ので、インク吐出特性が向上する。
【0047】ここで、例えば、図5に示すように、円板
を扇形に八分割した突片61a,61b,62a,62
b,63a,63b,64a,64bとすることができ
る。また、図6に示すように、八個の突片61a,61
b,62a,62b,63a,63b,64a,64b
それぞれの形状を先細りする帯状にするとともに、各突
片の付け根の幅を狭くすることができる。図6に示すよ
うに、突片の付け根の幅を狭くすると、突片の可撓性が
向上するので、仮に分割数を少なくしても、インク吐出
特性は十分なものとなる。
を扇形に八分割した突片61a,61b,62a,62
b,63a,63b,64a,64bとすることができ
る。また、図6に示すように、八個の突片61a,61
b,62a,62b,63a,63b,64a,64b
それぞれの形状を先細りする帯状にするとともに、各突
片の付け根の幅を狭くすることができる。図6に示すよ
うに、突片の付け根の幅を狭くすると、突片の可撓性が
向上するので、仮に分割数を少なくしても、インク吐出
特性は十分なものとなる。
【0048】
【発明の効果】本発明では、全体を偏平な多板構造とし
て加圧プレートに薄膜型の圧電素子を用いているから、
従来のようなバルク体からなる圧電素子を用いる構造に
比べて、厚み寸法や外径寸法において大幅な小型化が可
能となる。これにより、インクジェットヘッドの高密度
化が可能となり、繊細かつ高速の印字が可能となる。し
かも、従来のバブルジェット方式に比べて長寿命とな
る。
て加圧プレートに薄膜型の圧電素子を用いているから、
従来のようなバルク体からなる圧電素子を用いる構造に
比べて、厚み寸法や外径寸法において大幅な小型化が可
能となる。これにより、インクジェットヘッドの高密度
化が可能となり、繊細かつ高速の印字が可能となる。し
かも、従来のバブルジェット方式に比べて長寿命とな
る。
【0049】特に、第2のインクジェットヘッドでは、
突片を複数にして、ダイヤフラムの中心部分を押圧する
ようになっているから、ダイヤフラムの膨出量が大きく
なるとともにダイヤフラムの膨出動作時の応答性が良好
となるなど、インク吐出が迅速かつ適正に行えるように
なり、高速印字に一層有利となる。
突片を複数にして、ダイヤフラムの中心部分を押圧する
ようになっているから、ダイヤフラムの膨出量が大きく
なるとともにダイヤフラムの膨出動作時の応答性が良好
となるなど、インク吐出が迅速かつ適正に行えるように
なり、高速印字に一層有利となる。
【0050】また、本発明の製造方法では、加圧プレー
トを半導体成膜技術により製造するから、従来のような
煩雑な機械加工と組立作業を省略できるようになり、し
たがって、低コスト化が可能となる。しかも、圧電素子
を水熱法により成膜していれば、圧電素子の成膜温度が
低く、素子へのダメージを軽減できるとともに、圧電素
子の分極処理を省略できるようになるなど、無駄を省け
てコスト低減に貢献できるようになる。
トを半導体成膜技術により製造するから、従来のような
煩雑な機械加工と組立作業を省略できるようになり、し
たがって、低コスト化が可能となる。しかも、圧電素子
を水熱法により成膜していれば、圧電素子の成膜温度が
低く、素子へのダメージを軽減できるとともに、圧電素
子の分極処理を省略できるようになるなど、無駄を省け
てコスト低減に貢献できるようになる。
【図1】本発明の一実施例のインクジェットヘッドの平
面図
面図
【図2】図1の(2)―(2)線断面の矢視図
【図3】インクジェットヘッドの動作状態を示し、図2
に対応する図
に対応する図
【図4】インクジェットヘッドの製造工程図
【図5】本発明の他の実施例のインクジェットヘッドの
平面図
平面図
【図6】本発明のさらに他の実施例のインクジェットヘ
ッドの平面図
ッドの平面図
1 インクジェットヘッド 2 ノズルプレート 3 加圧プレート 4 圧力室 5 ノズル 6 加圧プレートの基板 61〜64 基板の突片 7 加圧プレートの圧電素子 71 圧電体膜 72 下部電極膜 73 上部電極膜 8 加圧プレートのダイヤフラム 9 電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 新吾 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 恩田 裕 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 乾 哲也 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (5)
- 【請求項1】 対向配置される第1、第2プレートの間
にインクを充填する圧力室が設けられ、第1プレートに
第2プレート側へ撓みうる可撓部が設けられているとと
もに、この可撓部に当該可撓部を撓み変形させる薄膜型
の圧電素子が積層形成されており、第1プレートにより
圧力室を圧縮加圧して圧力室内のインクを外部へ吐出さ
せるものである、ことを特徴とするインクジェットヘッ
ド。 - 【請求項2】 インク吐出用のノズルを有するノズルプ
レートと、このノズルプレートに対して所要間隙を介し
て対向配置される加圧プレートと、両プレート間の対向
間隙からなりインクが充填される圧力室とを備え、 かつ、前記加圧プレートは、片持ち梁状の突片を有する
基板と、この基板の突片に積層形成されて該突片を厚み
方向に撓み変形させる薄膜型の圧電素子と、前記基板の
片面において圧電素子および突片が存在する領域を覆う
ように接着されるダイヤフラムとを含むもので、圧電素
子により突片を撓み変形させてダイヤフラムを圧力室側
へ膨出させることにより圧力室を圧縮加圧して圧力室内
のインクをノズルから吐出させるものである、ことを特
徴とするインクジェットヘッド。 - 【請求項3】 インク吐出用のノズルを有するノズルプ
レートと、このノズルプレートに対して所要間隙を介し
て対向配置される加圧プレートと、両プレート間の対向
間隙からなりインクが充填される圧力室とを備え、 かつ、前記加圧プレートは、外周側から中心側へ向けて
放射状に突出する複数の片持ち梁状の突片を有する基板
と、この基板の各突片に積層形成されて該突片を厚み方
向に撓み変形させる薄膜型の圧電素子と、前記基板の片
面において圧電素子および突片が存在する領域を覆うよ
うに接着されるダイヤフラムとを含むもので、圧電素子
により突片を撓み変形させてダイヤフラムを圧力室側へ
膨出させることにより圧力室を圧縮加圧して圧力室内の
インクをノズルから吐出させるものである、ことを特徴
とするインクジェットヘッド。 - 【請求項4】 前記圧電素子は、下部電極膜と、下部電
極膜の表面に積層形成される圧電体膜と、圧電体膜の表
面に積層形成される上部電極膜とからなるユニモルフ構
造である、請求項1ないし3のいずれかに記載のインク
ジェットヘッド。 - 【請求項5】 基板の表面に片持ち梁状の突片部分を有
するパターンの第1電極膜を形成する工程と、 前記第1電極膜の表面のみに該第1電極膜とほぼ同パタ
ーンのチタン結晶を形成する工程と、 前記チタン結晶の表面のみに水熱法によりPZTからな
る圧電体膜を形成する工程と、 前記圧電体膜の表面のみに該圧電体膜とほぼ同パターン
の第2電極膜を形成する工程と、 前記基板の表面側において第1電極膜、圧電体膜、第2
電極膜の存在しない溝部に犠牲層を埋める工程と、 前記第2電極膜および犠牲層の表面にそれらを覆うダイ
ヤフラムを形成する工程と、 前記基板の裏面において表面側の前記第1電極膜、圧電
体膜、第2電極膜を囲む領域に対応する領域を薄肉にす
る工程と、 前記基板の裏面において第1電極膜、圧電体膜、第2電
極膜の存在しない溝部に対応する領域を、該表面側の溝
部に到達するまで除去する工程と、 前記表面側の溝部に存在する犠牲層を除去する工程と、 を含むことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方
法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP26412195A JPH09104109A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | インクジェットヘッドおよびその製造方法 |
DE1996139717 DE19639717C2 (de) | 1995-10-12 | 1996-09-26 | Tintenstrahldruckkopf und Verfahren zu seiner Herstellung |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP26412195A JPH09104109A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | インクジェットヘッドおよびその製造方法 |
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JPH09104109A true JPH09104109A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17398779
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP26412195A Pending JPH09104109A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | インクジェットヘッドおよびその製造方法 |
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