JPH0892363A - 光放出用有機金属蛍光錯体ポリマー - Google Patents
光放出用有機金属蛍光錯体ポリマーInfo
- Publication number
- JPH0892363A JPH0892363A JP7252029A JP25202995A JPH0892363A JP H0892363 A JPH0892363 A JP H0892363A JP 7252029 A JP7252029 A JP 7252029A JP 25202995 A JP25202995 A JP 25202995A JP H0892363 A JPH0892363 A JP H0892363A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- fluorescent
- layer
- complex
- organometallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G63/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
- C08G63/68—Polyesters containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
- C08G63/685—Polyesters containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen containing nitrogen
- C08G63/6854—Polyesters containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen containing nitrogen derived from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
- C08G63/6856—Dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31786—Of polyester [e.g., alkyd, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Polyamides (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光用途向けの有機金属蛍光錯体ポリマーを
提供する。 【解決手段】 有機鎖スペーサ21によって接続された
蛍光有機金属錯体22を有する蛍光錯体ポリマーは、基
板の平らな表面上にP形導電率を有する第1導電層12
を堆積し、第1導電層の上に正孔輸送・電子ブロック材
料層13を堆積し、正孔輸送/電子ブロック材料層の上
に、電子輸送放射層として、蛍光錯体ポリマー層14を
堆積し、蛍光錯体ポリマー層の上に、N形導電率を有す
る第2導電層16を堆積することによって、実質的に透
明で平らな基板11の上に発光デバイスを製造するのに
利用する。
提供する。 【解決手段】 有機鎖スペーサ21によって接続された
蛍光有機金属錯体22を有する蛍光錯体ポリマーは、基
板の平らな表面上にP形導電率を有する第1導電層12
を堆積し、第1導電層の上に正孔輸送・電子ブロック材
料層13を堆積し、正孔輸送/電子ブロック材料層の上
に、電子輸送放射層として、蛍光錯体ポリマー層14を
堆積し、蛍光錯体ポリマー層の上に、N形導電率を有す
る第2導電層16を堆積することによって、実質的に透
明で平らな基板11の上に発光デバイスを製造するのに
利用する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオードなどのデ
バイスに使用する蛍光ポリマーに関する。
バイスに使用する蛍光ポリマーに関する。
【0002】
【従来の技術】小さな有機色素分子、特に小さな有機金
属錯体(small organometallic complexes)は、エレクト
ロルミネセンス(EL)デバイスにおいて蛍光効率が高
いことでよく知られている。たとえば、トリス(8- キ
ノリノレート)アルミニウム錯体(Alq)は、最も効
率的な小形分子有機エレクトロルミネセント材料の1つ
である。無機ダイレクト(direct)・バンド・ギャップ
半導体(GaAsなど)デバイスと比べて、商業用途向
けにこれら小形分子有機半導体デバイスを製造する費用
は安い。しかしながら、ポリマー半導体デバイスと比べ
た時には、この製造費用でも依然高すぎる。これは、ポ
リマー・フィルム(polymer film)が、小形有機分子の場
合のような熱蒸着の代わりに、単純な回転コーティング
(spin-coating)または印刷によって製造可能だからで
ある。さらに重要なことは、ポリマーの加工は広域発光
ディスプレーに適しており、これは小形有機分子を用い
て処理するのがより難しい。加えて、ポリマーは、小形
有機分子のように、凝集または再結晶の問題で悩むこと
がなく、このことは、小形有機分子半導体デバイスの長
期信頼性にとって大きなハードルの1つと認識されてき
た。
属錯体(small organometallic complexes)は、エレクト
ロルミネセンス(EL)デバイスにおいて蛍光効率が高
いことでよく知られている。たとえば、トリス(8- キ
ノリノレート)アルミニウム錯体(Alq)は、最も効
率的な小形分子有機エレクトロルミネセント材料の1つ
である。無機ダイレクト(direct)・バンド・ギャップ
半導体(GaAsなど)デバイスと比べて、商業用途向
けにこれら小形分子有機半導体デバイスを製造する費用
は安い。しかしながら、ポリマー半導体デバイスと比べ
た時には、この製造費用でも依然高すぎる。これは、ポ
リマー・フィルム(polymer film)が、小形有機分子の場
合のような熱蒸着の代わりに、単純な回転コーティング
(spin-coating)または印刷によって製造可能だからで
ある。さらに重要なことは、ポリマーの加工は広域発光
ディスプレーに適しており、これは小形有機分子を用い
て処理するのがより難しい。加えて、ポリマーは、小形
有機分子のように、凝集または再結晶の問題で悩むこと
がなく、このことは、小形有機分子半導体デバイスの長
期信頼性にとって大きなハードルの1つと認識されてき
た。
【0003】製造費用を安価にし、しかもポリマー・シ
ステムの広域ディスプレー機能を維持するために、日本
人科学者らによって分子ドープ・ポリマーが発光デバイ
ス(LED)向けに研究されてきた。Kidoとその共同研
究者(J. Kido,et al. Jpn.J. Appl. Phys.,31, L961(1
992) )は、トリフェニルジアミン誘導体(TPD)―
ドープ・ポリ(メチルメタクリレート)とポリカーボ
ネートを、有機エレクトロルミネセント・デバイスにお
いて正孔輸送(hole transport)層として使用した。彼
は、3つの蛍光染料ドープ・ポリ(ビニルカルバゾー
ル)からの白色発光を、単一の発光ダイオード(LE
D)デバイスで達成した(J. Kido,et al.Appl. Phys.
Lett., 64(7),815, (1994))。1つの例で、彼は、Al
qを用いるLEDおよびTPDドープPMMAを製造
し、17Vで輝度920cd/m2 の緑色発光を得た
(J. Kido,et al. Appl. Phys. Lett., 61(7),761, (19
92) )。分子ドープ・ポリマー・デバイスは安価な費用
で製造でき、広域LEDディスプレーにも適用できる
が、小形分子ドーパントとポリマーとが不適合なため
に、ポリマー・マトリックスからの小形分子ドーパント
の相分離によって生じる安定性上の問題が悩みであっ
た。
ステムの広域ディスプレー機能を維持するために、日本
人科学者らによって分子ドープ・ポリマーが発光デバイ
ス(LED)向けに研究されてきた。Kidoとその共同研
究者(J. Kido,et al. Jpn.J. Appl. Phys.,31, L961(1
992) )は、トリフェニルジアミン誘導体(TPD)―
ドープ・ポリ(メチルメタクリレート)とポリカーボ
ネートを、有機エレクトロルミネセント・デバイスにお
いて正孔輸送(hole transport)層として使用した。彼
は、3つの蛍光染料ドープ・ポリ(ビニルカルバゾー
ル)からの白色発光を、単一の発光ダイオード(LE
D)デバイスで達成した(J. Kido,et al.Appl. Phys.
Lett., 64(7),815, (1994))。1つの例で、彼は、Al
qを用いるLEDおよびTPDドープPMMAを製造
し、17Vで輝度920cd/m2 の緑色発光を得た
(J. Kido,et al. Appl. Phys. Lett., 61(7),761, (19
92) )。分子ドープ・ポリマー・デバイスは安価な費用
で製造でき、広域LEDディスプレーにも適用できる
が、小形分子ドーパントとポリマーとが不適合なため
に、ポリマー・マトリックスからの小形分子ドーパント
の相分離によって生じる安定性上の問題が悩みであっ
た。
【0004】蛍光有機金属錯体は、その半導体性,熱安
定性,およびLED用途における高いEL効率のため
に、他の小形有機蛍光染料よりも傑出している。
定性,およびLED用途における高いEL効率のため
に、他の小形有機蛍光染料よりも傑出している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、小形
有機金属錯体の高いEL効率性と、ポリマーの加工し易
さとを結合した新しいクラスの材料を、発光デバイスに
使用すべく提供することである。
有機金属錯体の高いEL効率性と、ポリマーの加工し易
さとを結合した新しいクラスの材料を、発光デバイスに
使用すべく提供することである。
【0006】本発明のもう1つの目的は、信頼性が向上
した新しいクラスの材料を発光デバイスに使用すべく提
供することである。
した新しいクラスの材料を発光デバイスに使用すべく提
供することである。
【0007】本発明のさらに別の目的は、新しいクラス
の材料を、広域ディスプレー用途向けに、発光デバイス
に使用すべく提供することである。
の材料を、広域ディスプレー用途向けに、発光デバイス
に使用すべく提供することである。
【0008】本発明のさらに別の目的は、製造が比較的
容易で費用が安価な新しいクラスの材料を、発光デバイ
スにおいて使用すべく提供することである。
容易で費用が安価な新しいクラスの材料を、発光デバイ
スにおいて使用すべく提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記およびその他の問題
は、蛍光有機金属錯体を有機分子鎖スペーサ(chainspa
cer)によって接続する工程を含む、蛍光錯体ポリマー
(fluorescent complexpolymer) を作成する方法によっ
て、少なくとも一部は解決され、上記目的もこれによっ
て実現される。
は、蛍光有機金属錯体を有機分子鎖スペーサ(chainspa
cer)によって接続する工程を含む、蛍光錯体ポリマー
(fluorescent complexpolymer) を作成する方法によっ
て、少なくとも一部は解決され、上記目的もこれによっ
て実現される。
【0010】上記およびその他の問題は、基板の平らな
表面上にP形導電率を有する第1導電層を蒸着する段
階,第1導電層の上に、正孔輸送/電子ブロック材料か
ら成る層を蒸着する段階,電子輸送放射層として、正孔
輸送/電子ブロック材料から成る層の上に、蛍光錯体ポ
リマー層を蒸着する段階,および蛍光錯体ポリマー層の
上に、N形導電率を有する第2導電層を蒸着する段階を
含む、実質的に透明で平らな基板の上に発光デバイスを
製造する方法によって実現される。
表面上にP形導電率を有する第1導電層を蒸着する段
階,第1導電層の上に、正孔輸送/電子ブロック材料か
ら成る層を蒸着する段階,電子輸送放射層として、正孔
輸送/電子ブロック材料から成る層の上に、蛍光錯体ポ
リマー層を蒸着する段階,および蛍光錯体ポリマー層の
上に、N形導電率を有する第2導電層を蒸着する段階を
含む、実質的に透明で平らな基板の上に発光デバイスを
製造する方法によって実現される。
【0011】
【実施例】発光デバイス(LED)10を図1に、簡略
化した断面図で示す。一般に、LED10は基板11を
含み、この特定の実施例では比較的平らな上部表面を有
するガラス板である。導電層12は、基板11の平らな
表面の上に堆積(deposite)されて、比較的均一な電気接
点を形成する。正孔輸送ポリマーから作られる第1ポリ
マー層13は、導電層12の上に堆積される。また一般
に、第1ポリマー層13は、電子ブロック性(electron
blocking) のまたは電子輸送特性の低い材料であること
が望ましい。第2ポリマー層14は、以下に詳細に開示
する蛍光錯体ポリマーの1つを含み、第1ポリマー層1
3の上に堆積される。第2ポリマー層14は一般に、電
子輸送材料であり、放射層としても動作する。ついで第
2導電層16が第2ポリマー層14の上部表面の上に堆
積されて第2電気接点を形成する。
化した断面図で示す。一般に、LED10は基板11を
含み、この特定の実施例では比較的平らな上部表面を有
するガラス板である。導電層12は、基板11の平らな
表面の上に堆積(deposite)されて、比較的均一な電気接
点を形成する。正孔輸送ポリマーから作られる第1ポリ
マー層13は、導電層12の上に堆積される。また一般
に、第1ポリマー層13は、電子ブロック性(electron
blocking) のまたは電子輸送特性の低い材料であること
が望ましい。第2ポリマー層14は、以下に詳細に開示
する蛍光錯体ポリマーの1つを含み、第1ポリマー層1
3の上に堆積される。第2ポリマー層14は一般に、電
子輸送材料であり、放射層としても動作する。ついで第
2導電層16が第2ポリマー層14の上部表面の上に堆
積されて第2電気接点を形成する。
【0012】第2ポリマー層14内で生じる光は、層1
3,12,および基板11を通して、または層16を通
して放射できるものと理解されるが、本実施例では、層
12は、導電性ポリアニリン(PANI)またはインジ
ウム- 錫- オキシド(ITO)などの有機または非有機
導体材料によって形成され、これらは可視光線に対して
実質的に透過であり、放射光が図1の基板11を通して
下の方に存在するようにする。
3,12,および基板11を通して、または層16を通
して放射できるものと理解されるが、本実施例では、層
12は、導電性ポリアニリン(PANI)またはインジ
ウム- 錫- オキシド(ITO)などの有機または非有機
導体材料によって形成され、これらは可視光線に対して
実質的に透過であり、放射光が図1の基板11を通して
下の方に存在するようにする。
【0013】また、図1では、LED10は、ポテンシ
ャル・ソース(potential source)17によって、層1
2と16の間に加えられる電位を有する。この実施例で
は、導電層12はP形接点であり、導電層16はN形接
点である。ポテンシャル・ソース17の負端子は導電層
16と接続され、正端子は導電層12と接続される。電
子は、N形接点(導電層16)から蛍光錯体ポリマー
(第2ポリマー層14)に注入され、P形接点(第1導
電層12)から注入された正孔は、第1ポリマー層13
を通して輸送され、蛍光錯体ポリマー層(第2ポリマー
層14)に輸送され、ここで、電子と正孔との再結合
後、光子が放射される。第1ポリマー層13は、ポリ
(フェニレン・ビニレン)、ポリ(芳香族アミン)など
の正孔輸送ポリマーで作られ、正孔を第2ポリマー層1
4に輸送するのに使用される。第2ポリマー層14は、
電子輸送層の働きをするが、発光体としての働きもす
る。
ャル・ソース(potential source)17によって、層1
2と16の間に加えられる電位を有する。この実施例で
は、導電層12はP形接点であり、導電層16はN形接
点である。ポテンシャル・ソース17の負端子は導電層
16と接続され、正端子は導電層12と接続される。電
子は、N形接点(導電層16)から蛍光錯体ポリマー
(第2ポリマー層14)に注入され、P形接点(第1導
電層12)から注入された正孔は、第1ポリマー層13
を通して輸送され、蛍光錯体ポリマー層(第2ポリマー
層14)に輸送され、ここで、電子と正孔との再結合
後、光子が放射される。第1ポリマー層13は、ポリ
(フェニレン・ビニレン)、ポリ(芳香族アミン)など
の正孔輸送ポリマーで作られ、正孔を第2ポリマー層1
4に輸送するのに使用される。第2ポリマー層14は、
電子輸送層の働きをするが、発光体としての働きもす
る。
【0014】図1の能動層,第1ポリマー層13(正孔
輸送層)および第2ポリマー層14(放射および電子輸
送層)がポリマーによって形成され、LED10が、安
価な費用で製造でき、ポリマー半導体デバイスの他のす
べての利点を有するようになることに留意すべきであ
る。
輸送層)および第2ポリマー層14(放射および電子輸
送層)がポリマーによって形成され、LED10が、安
価な費用で製造でき、ポリマー半導体デバイスの他のす
べての利点を有するようになることに留意すべきであ
る。
【0015】本発明は、放射材料として、たとえば図1
の第2ポリマー層14など、発光デバイスに使用するた
めの新しいクラス(new class) の蛍光錯体ポリマーを含
む。このクラスの蛍光錯体ポリマーは、小形有機金属錯
体の高いEL効率性と、ポリマーの加工し易さとを結合
させる。図2を参照して、新しいクラスの蛍光錯体ポリ
マーの概略図が示され、ここで、1対の有機金属錯体2
2が表され、この対は、互いに有機分子鎖スペーサ21
によって接続される。一般に、各有機金属錯体22は、
中央の金属カチオンと周辺の配位子(ligand)を含み、M
(L1)n (L2)m の一般構造を有し、ここでL1,
L2は同一または異なる配位子である。nは配位子L1
の数を指し;mは配位子L2の数を指す。n+mが中央
の金属カチオンの原子価の電荷の数と等しく、全体の有
機金属錯体22が中性であるようにする。有機分子鎖ス
ペーサ21は、2つの官能基、一般にエステル,アミ
ド,エーテルなどによって有機金属錯体22と接続され
る。
の第2ポリマー層14など、発光デバイスに使用するた
めの新しいクラス(new class) の蛍光錯体ポリマーを含
む。このクラスの蛍光錯体ポリマーは、小形有機金属錯
体の高いEL効率性と、ポリマーの加工し易さとを結合
させる。図2を参照して、新しいクラスの蛍光錯体ポリ
マーの概略図が示され、ここで、1対の有機金属錯体2
2が表され、この対は、互いに有機分子鎖スペーサ21
によって接続される。一般に、各有機金属錯体22は、
中央の金属カチオンと周辺の配位子(ligand)を含み、M
(L1)n (L2)m の一般構造を有し、ここでL1,
L2は同一または異なる配位子である。nは配位子L1
の数を指し;mは配位子L2の数を指す。n+mが中央
の金属カチオンの原子価の電荷の数と等しく、全体の有
機金属錯体22が中性であるようにする。有機分子鎖ス
ペーサ21は、2つの官能基、一般にエステル,アミ
ド,エーテルなどによって有機金属錯体22と接続され
る。
【0016】この実施例において、発光デバイスに使用
するポリマーを含む2つの異なる有機金属錯体22が例
として開示される。有機金属ポリマーの第1の例である
Poly−1sを以下に示す。
するポリマーを含む2つの異なる有機金属錯体22が例
として開示される。有機金属ポリマーの第1の例である
Poly−1sを以下に示す。
【0017】
【化1】
【0018】Poly−1sは、ビス(8- キノリノレ
ート)金属錯体と線形のポリメチレン・ジカルボキシレ
ート・エステル基を含み、ここでMはBe2+,Mg2+,
Zn2+などの二価の金属カチオンであり;n=6−1
2;およびmはポリマー鎖内の反復単位の数である。n
=6でM=Zn2+の場合には、有機金属ポリマーは、ビ
ス(ジメチル 8- キノリノレート- 4- カルボキシル
・エステル)亜鉛錯体およびヘキサメチレン- 1, 6-ジ
オールから、凝集反応によって合成される。有機金属ポ
リマー・フィルムは、N,N’- ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、1- メチルー2ー ピロリジノ
ンなどの極性非プロトン性溶媒から合成したポリマーを
回転コーティングすることによって得られる。
ート)金属錯体と線形のポリメチレン・ジカルボキシレ
ート・エステル基を含み、ここでMはBe2+,Mg2+,
Zn2+などの二価の金属カチオンであり;n=6−1
2;およびmはポリマー鎖内の反復単位の数である。n
=6でM=Zn2+の場合には、有機金属ポリマーは、ビ
ス(ジメチル 8- キノリノレート- 4- カルボキシル
・エステル)亜鉛錯体およびヘキサメチレン- 1, 6-ジ
オールから、凝集反応によって合成される。有機金属ポ
リマー・フィルムは、N,N’- ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、1- メチルー2ー ピロリジノ
ンなどの極性非プロトン性溶媒から合成したポリマーを
回転コーティングすることによって得られる。
【0019】有機金属ポリマーのもう1つの例であるP
oly−2sを以下に示す。
oly−2sを以下に示す。
【0020】
【化2】
【0021】Poly−2sは、ビス(2-(2-4- ジオキ
ソー フェニル)ベンゾキサゾール)金属錯体と、線形ポ
リメチレン・ジカルボキシレート・エステル基を含み、
ここで、Mは、Be2+,Mg2+,Zn2+などの二価の金
属カチオンであり;n=6−12;およびmはポリマー
鎖内の反復単位の数である。n=12でM=Be2+の場
合には、有機金属ポリマーは、ビス(2-(2- オキソ-4ー
ヒドロキシルー フェニル)ベンゾキサゾール)ベリリウ
ム錯体とジメチル・ドデカメチレン-1, 12- ジカルボキ
シレートから、凝集反応(synthesize)によって合成され
る。有機金属ポリマー・フィルムは、N,N’- ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、1-メチル-2-
ピロリジノンなどの極性非プロトン性溶媒から、合成ポ
リマーを回転コーティングすることによって得られる。
ソー フェニル)ベンゾキサゾール)金属錯体と、線形ポ
リメチレン・ジカルボキシレート・エステル基を含み、
ここで、Mは、Be2+,Mg2+,Zn2+などの二価の金
属カチオンであり;n=6−12;およびmはポリマー
鎖内の反復単位の数である。n=12でM=Be2+の場
合には、有機金属ポリマーは、ビス(2-(2- オキソ-4ー
ヒドロキシルー フェニル)ベンゾキサゾール)ベリリウ
ム錯体とジメチル・ドデカメチレン-1, 12- ジカルボキ
シレートから、凝集反応(synthesize)によって合成され
る。有機金属ポリマー・フィルムは、N,N’- ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、1-メチル-2-
ピロリジノンなどの極性非プロトン性溶媒から、合成ポ
リマーを回転コーティングすることによって得られる。
【0022】蛍光錯体ポリマー内の有機分子鎖スペーサ
21は、有機金属錯体22と比較して小さいので、蛍光
錯体ポリマーの蛍光特性は、有機金属錯体22が優位を
占める。ここに開示したクラスの蛍光錯体ポリマーは、
相当する小形有機金属錯体のEL効率に匹敵するが、相
当する分子ドープ・ポリマー・システムよりも、凝集お
よび再結晶に対してより安定性が高く、広域ディスプレ
ー機能と低コスト製造というさらなる利点を有する。
21は、有機金属錯体22と比較して小さいので、蛍光
錯体ポリマーの蛍光特性は、有機金属錯体22が優位を
占める。ここに開示したクラスの蛍光錯体ポリマーは、
相当する小形有機金属錯体のEL効率に匹敵するが、相
当する分子ドープ・ポリマー・システムよりも、凝集お
よび再結晶に対してより安定性が高く、広域ディスプレ
ー機能と低コスト製造というさらなる利点を有する。
【0023】また、本発明は、発光デバイスに使用して
信頼性が向上する新しいクラスの材料と作成方法を提供
する。また、このクラスの新しい材料は、広域ディスプ
レー用途向けの発光デバイスにおいて有用であり、これ
らは比較的製造が容易で安価である。
信頼性が向上する新しいクラスの材料と作成方法を提供
する。また、このクラスの新しい材料は、広域ディスプ
レー用途向けの発光デバイスにおいて有用であり、これ
らは比較的製造が容易で安価である。
【図1】本発明を組み込む発光デバイス構造物の簡略化
した断面図である。
した断面図である。
【図2】本発明による有機金属蛍光錯体ポリマーの概略
図である。
図である。
10 発光デバイス(LED) 11 基板 12 第1導電層 13 第1ポリマー層 14 第2ポリマー層 16 第2導電層 17 ポテンシャル・ソース 21 有機鎖スペーサ 22 有機金属錯体
Claims (3)
- 【請求項1】 中央の金属カチオンと周辺の配位子を含
み、有機鎖スペーサ(21)によって結合され、その2
つの端部にエステル,アミド,またはエーテル官能基を
有する蛍光有機金属錯体によって構成され、前記蛍光有
機金属錯体は、前記有機分子鎖スペーサの官能基と結合
されていることを特徴とする蛍光錯体ポリマー(2
2)。 - 【請求項2】 中央の金属カチオンと周辺の配位子を含
む蛍光有機金属錯体(22)を設ける段階と;2つの端
部にそれぞれエステル,アミドまたはエーテル官能基を
有する有機鎖スペーサ(21)を設ける段階と;前記蛍
光有機金属錯体を前記有機鎖スペーサによって結合する
段階と;を含むことを特徴とする、蛍光錯体ポリマーを
作成する方法。 - 【請求項3】 実質的に平らな表面を有する基板(1
1)を設ける段階と;前記基板の前記平らな表面の上に
P形導電性を有する第1導電層(12)を堆積する段階
と;前記第1導電層の上に、正孔輸送/電子ブロック材
料から成る層(13)を堆積する段階と;電子輸送放射
層として、前記正孔輸送/電子ブロック材料から成る層
の上に、蛍光錯体ポリマー層(14)を堆積する段階
と;前記蛍光錯体ポリマー層の上に、N形導電性を有す
る第2導電層(14)を堆積する段階と;によって構成
されることを特徴とする、実質的に透明で平らな基板の
上に発光デバイスを製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US304453 | 1981-09-22 | ||
US08/304,453 US5504183A (en) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | Organometallic fluorescent complex polymers for light emitting applications |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0892363A true JPH0892363A (ja) | 1996-04-09 |
Family
ID=23176583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7252029A Pending JPH0892363A (ja) | 1994-09-12 | 1995-09-06 | 光放出用有機金属蛍光錯体ポリマー |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5504183A (ja) |
JP (1) | JPH0892363A (ja) |
GB (1) | GB2292948B (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5821003A (en) * | 1994-03-16 | 1998-10-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Organic electroluminescent device |
EP0676461B1 (de) * | 1994-04-07 | 2002-08-14 | Covion Organic Semiconductors GmbH | Spiroverbindungen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien |
US5665857A (en) * | 1994-09-12 | 1997-09-09 | Motorola | Conjugated polymer with built-in fluorescent centers and method of manufacture |
CN1130956C (zh) * | 1996-07-29 | 2003-12-10 | 剑桥显示技术有限公司 | 具有电极保护的场致发光元件 |
CN1245516A (zh) | 1996-11-27 | 2000-02-23 | 伊斯曼化学公司 | 制备吸光聚合物组合物的方法 |
US5946550A (en) * | 1997-03-14 | 1999-08-31 | University Of Connecticut | Self-assembled semiconductor and method of making same |
JP3941169B2 (ja) * | 1997-07-16 | 2007-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
GB9813326D0 (en) * | 1998-06-19 | 1998-08-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Backlit displays |
US6830828B2 (en) | 1998-09-14 | 2004-12-14 | The Trustees Of Princeton University | Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs |
US7001536B2 (en) * | 1999-03-23 | 2006-02-21 | The Trustees Of Princeton University | Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs |
JP4226159B2 (ja) * | 1999-08-06 | 2009-02-18 | シャープ株式会社 | 有機ledディスプレイの製造方法 |
US6693033B2 (en) | 2000-02-10 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface |
DE10024993A1 (de) * | 2000-05-22 | 2001-11-29 | Univ Bremen | Elektrisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
CN102516720A (zh) * | 2000-06-12 | 2012-06-27 | 住友化学株式会社 | 聚合物基质电致发光材料及装置 |
US6501973B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-12-31 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for measuring selected physical condition of an animate subject |
US6590236B1 (en) | 2000-07-24 | 2003-07-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure for use with high-frequency signals |
US6555946B1 (en) | 2000-07-24 | 2003-04-29 | Motorola, Inc. | Acoustic wave device and process for forming the same |
US6493497B1 (en) | 2000-09-26 | 2002-12-10 | Motorola, Inc. | Electro-optic structure and process for fabricating same |
US6638838B1 (en) | 2000-10-02 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same |
IL154960A0 (en) * | 2000-10-10 | 2003-10-31 | Du Pont | Polymers having attached luminescent metal complexes and devices made with sych polymers |
US6501121B1 (en) | 2000-11-15 | 2002-12-31 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure |
US6559471B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-05-06 | Motorola, Inc. | Quantum well infrared photodetector and method for fabricating same |
US6673646B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same |
US6709989B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon |
US6531740B2 (en) | 2001-07-17 | 2003-03-11 | Motorola, Inc. | Integrated impedance matching and stability network |
US6646293B2 (en) | 2001-07-18 | 2003-11-11 | Motorola, Inc. | Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates |
US6498358B1 (en) | 2001-07-20 | 2002-12-24 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating an electro-optic system having an electrochromic diffraction grating |
US6693298B2 (en) | 2001-07-20 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same |
US6667196B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-12-23 | Motorola, Inc. | Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method |
US6639249B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device |
US6589856B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-07-08 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for controlling anti-phase domains in semiconductor structures and devices |
US6673667B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials |
AU2002329813A1 (en) * | 2001-08-29 | 2003-03-18 | The Trustees Of Princeton University | Organic light emitting devices having carrier blocking layers comprising metal complexes |
KR100937900B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2010-01-21 | 유니버시티 오브 서던 캘리포니아 | 금속착물을 포함하는 캐리어수송층을 구비한 유기발광장치 |
CN100371370C (zh) * | 2001-09-04 | 2008-02-27 | 佳能株式会社 | 高分子化合物以及有机发光元件 |
CN1957040B (zh) * | 2004-05-21 | 2010-05-12 | 昭和电工株式会社 | 导电组合物及其应用 |
WO2006016670A1 (en) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Showa Denko K.K. | Antistatic agent, antistatic film and product coated with antistatic film |
JP5084204B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2012-11-28 | キヤノン株式会社 | 発光素子及び高分子混合金属錯体 |
WO2009045341A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-09 | The Johns Hopkins University | Megahertz organic/polymer diodes and methods related thereto |
DE102008056391B4 (de) * | 2008-09-26 | 2021-04-01 | Osram Oled Gmbh | Organisches elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN102227952B (zh) * | 2009-04-24 | 2014-01-22 | 松下电器产业株式会社 | 有源矩阵型有机电致发光显示器的制造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4719286A (en) * | 1985-03-14 | 1988-01-12 | Northrop Corporation | Class of conductive polymers |
JP2742092B2 (ja) * | 1989-05-31 | 1998-04-22 | 出光興産株式会社 | スチレン系共重合体 |
JP2774351B2 (ja) * | 1990-03-26 | 1998-07-09 | 出光興産株式会社 | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
DE69118615T2 (de) * | 1990-08-08 | 1996-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Organisches lichtemittierendes Bauelement sowie dessen Herstellung und Verwendung |
GB9226475D0 (en) * | 1992-12-18 | 1993-02-10 | Cambridge Display Tech Ltd | Chromophoric polymeric compositions |
DE4305959A1 (de) * | 1993-02-26 | 1994-09-01 | Bayer Ag | Lumineszierende Copolymere |
US5376456A (en) * | 1993-05-13 | 1994-12-27 | Polaroid Corporation | Electroluminescent devices comprising polymers, and processes for their use |
-
1994
- 1994-09-12 US US08/304,453 patent/US5504183A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-09-06 JP JP7252029A patent/JPH0892363A/ja active Pending
- 1995-09-06 GB GB9518124A patent/GB2292948B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-10-13 US US08/543,000 patent/US5681659A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2292948B (en) | 1998-09-16 |
GB2292948A (en) | 1996-03-13 |
US5504183A (en) | 1996-04-02 |
US5681659A (en) | 1997-10-28 |
GB9518124D0 (en) | 1995-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0892363A (ja) | 光放出用有機金属蛍光錯体ポリマー | |
Forrest | Active optoelectronics using thin-film organic semiconductors | |
KR100903918B1 (ko) | 유기 전계발광 소자 및 표시 장치 | |
Kimyonok et al. | Electroluminescent poly (quinoline) s and metalloquinolates | |
CN1628493A (zh) | 使用湿法制造的有机半导体器件及有机电致发光器件 | |
KR20050085239A (ko) | 유기 전자발광 부품 | |
JP2004014172A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法と用途 | |
US20080003456A1 (en) | Methods for producing electroluminescent devices by screen printing | |
Bhuvana et al. | Polymer light emitting diodes: Materials, technology and device | |
US7718275B2 (en) | Electroluminescent materials and devices | |
Samuel | Polymer electronics | |
JP2000150169A (ja) | 有機電界発光素子 | |
US20040166364A1 (en) | Electroluminescent devices | |
JP3328654B2 (ja) | 有機薄膜エレクトロルミネッセント素子 | |
JPH08100052A (ja) | 蛍光核が組み込まれた共役ポリマおよびその製造方法 | |
JP4100887B2 (ja) | 有機発光素子 | |
TWI331485B (ja) | ||
US20060199036A1 (en) | Polymer and small molecule based hybrid light source | |
JP4508516B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 | |
JP2939052B2 (ja) | 電界発光素子 | |
WO2002091493A2 (en) | Electroluminescent device | |
US6733904B2 (en) | Use of oligo(phenylenevinylene)s in organic light-emitting devices | |
JP4385503B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
Gebhardt et al. | Light-emitting diodes based on phenylenevinylene oligomers with defined chain lengths | |
Lee et al. | Characteristics of a single‐layered organic electroluminescent device using a carrier‐transporting copolymer and a nonconjugated light‐emitting polymer |