JPH0886847A - 走査ｓｑｕｉｄ磁力計用プローブ - Google Patents
走査ｓｑｕｉｄ磁力計用プローブInfo
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- JPH0886847A JPH0886847A JP7216846A JP21684695A JPH0886847A JP H0886847 A JPH0886847 A JP H0886847A JP 7216846 A JP7216846 A JP 7216846A JP 21684695 A JP21684695 A JP 21684695A JP H0886847 A JPH0886847 A JP H0886847A
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- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
- G01R33/0354—SQUIDS
- G01R33/0358—SQUIDS coupling the flux to the SQUID
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/842—Measuring and testing
- Y10S505/843—Electrical
- Y10S505/845—Magnetometer
- Y10S505/846—Magnetometer using superconductive quantum interference device, i.e. squid
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有効ピックアップ・ループ領域がμｍ2以下
で、遮蔽性が高められ、空間解像度が高く、小型走査磁
力計（走査顕微鏡）、特にＳＱＵＩＤを利用した磁力計
用に改良されたプローブを提供すること。 【構成】 走査磁力計デバイスのために改良されたプロ
ーブは、プローブ先端領域まで幅が漸次狭くなる、少な
くとも３つの領域４４、４６、４８、５０、上記３つの
領域に延び、上記プローブ先端領域から離れた下部グラ
ウンドプレーン構造、上記３つの領域に延び、上記プロ
ーブ先端領域から離れた上部グラウンドプレーン構造、
及び上記３つの領域に延び、上記プローブ先端領域のプ
ローブ先端にて終端したプローブ・リードを含む。
で、遮蔽性が高められ、空間解像度が高く、小型走査磁
力計（走査顕微鏡）、特にＳＱＵＩＤを利用した磁力計
用に改良されたプローブを提供すること。 【構成】 走査磁力計デバイスのために改良されたプロ
ーブは、プローブ先端領域まで幅が漸次狭くなる、少な
くとも３つの領域４４、４６、４８、５０、上記３つの
領域に延び、上記プローブ先端領域から離れた下部グラ
ウンドプレーン構造、上記３つの領域に延び、上記プロ
ーブ先端領域から離れた上部グラウンドプレーン構造、
及び上記３つの領域に延び、上記プローブ先端領域のプ
ローブ先端にて終端したプローブ・リードを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的にはＳＱＵ
ＩＤ（superconducting quantum interference devic
e、超伝導量子干渉計）に関し、特に、小さく効果的な
ピックアップ・ループ領域を持ち、遮蔽性が良く、走査
ＳＱＵＩＤ顕微鏡と併用したときに空間解像度を高め
る、改良されたセンサに関する。
ＩＤ（superconducting quantum interference devic
e、超伝導量子干渉計）に関し、特に、小さく効果的な
ピックアップ・ループ領域を持ち、遮蔽性が良く、走査
ＳＱＵＩＤ顕微鏡と併用したときに空間解像度を高め
る、改良されたセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】代表的なＳＱＵＩＤ磁力計回路には、入
力コイルが超伝導ワイヤのツイストペアによってピック
アップ・コイルに接続されたＳＱＵＩＤが用いられる。
通常、ＳＱＵＩＤ自体は、周囲磁界を遮断し、ＳＱＵＩ
Ｄの動作に付随する磁界が、測定されるべき磁界分布に
与える影響を最小にするために、超伝導シールド内に収
容される。ワイヤを巻いた磁力計ピックアップ・ループ
に、一体型らせん状入力コイルを持ち、自己インダクタ
ンスが低い（〜１００ｐＨ）平面状薄膜ＳＱＵＩＤを使
用すれば感度が向上するが、超伝導グラウンドプレーン
の磁束捕獲現象の研究等の用途では、ピックアップ・ル
ープが極めて小さい高感度磁力計が必要である。標準的
なＳＱＵＩＤシステムはこのためには使用できないの
で、図１に示す、極めて感度がよく、空間解像度が高い
小型磁力計が、シングル・チップに形成された一体型平
面状薄膜磁力計によって提供されている。
力コイルが超伝導ワイヤのツイストペアによってピック
アップ・コイルに接続されたＳＱＵＩＤが用いられる。
通常、ＳＱＵＩＤ自体は、周囲磁界を遮断し、ＳＱＵＩ
Ｄの動作に付随する磁界が、測定されるべき磁界分布に
与える影響を最小にするために、超伝導シールド内に収
容される。ワイヤを巻いた磁力計ピックアップ・ループ
に、一体型らせん状入力コイルを持ち、自己インダクタ
ンスが低い（〜１００ｐＨ）平面状薄膜ＳＱＵＩＤを使
用すれば感度が向上するが、超伝導グラウンドプレーン
の磁束捕獲現象の研究等の用途では、ピックアップ・ル
ープが極めて小さい高感度磁力計が必要である。標準的
なＳＱＵＩＤシステムはこのためには使用できないの
で、図１に示す、極めて感度がよく、空間解像度が高い
小型磁力計が、シングル・チップに形成された一体型平
面状薄膜磁力計によって提供されている。
【０００３】図１は（IBM Technical Disclosure Bulle
tin Vol．27、No．10A、１９８５年３月から）、チップ
１２にシングル（またはダブル）ターン（巻回）のピッ
クアップ・ループ１０が形成された磁力計を示す。ピッ
クアップ・ループ１０はインダクタンスが非常に低い。
グラウンドプレーン上の低雑音ＤＣ ＳＱＵＩＤ１４
は、例えば３ターンらせん入力コイル１６と共に形成さ
れる。グラウンドプレーン１８は浮遊磁界からＳＱＵＩ
Ｄ１４をシールドするように働く。ＳＱＵＩＤループ１
４とグラウンドプレーン１８の分離を最大にして結合性
を良くするために反転構造が用いられる。チップ１２に
は入出力（Ｉ／Ｏ）パッド２０も取り付けられる。入力
コイル１６とピックアップ・コイル１０を接続するため
に低インダクタンスのストリップライン・コネクタ２２
が用いられる。ストリップライン・コネクタ２２は、コ
ネクタ２２とピックアップ・コイル１０がＳＱＵＩＤの
自己インダクタンスの一部をなすように、ＳＱＵＩＤ１
４の接合領域に直接取り付けてもよい。
tin Vol．27、No．10A、１９８５年３月から）、チップ
１２にシングル（またはダブル）ターン（巻回）のピッ
クアップ・ループ１０が形成された磁力計を示す。ピッ
クアップ・ループ１０はインダクタンスが非常に低い。
グラウンドプレーン上の低雑音ＤＣ ＳＱＵＩＤ１４
は、例えば３ターンらせん入力コイル１６と共に形成さ
れる。グラウンドプレーン１８は浮遊磁界からＳＱＵＩ
Ｄ１４をシールドするように働く。ＳＱＵＩＤループ１
４とグラウンドプレーン１８の分離を最大にして結合性
を良くするために反転構造が用いられる。チップ１２に
は入出力（Ｉ／Ｏ）パッド２０も取り付けられる。入力
コイル１６とピックアップ・コイル１０を接続するため
に低インダクタンスのストリップライン・コネクタ２２
が用いられる。ストリップライン・コネクタ２２は、コ
ネクタ２２とピックアップ・コイル１０がＳＱＵＩＤの
自己インダクタンスの一部をなすように、ＳＱＵＩＤ１
４の接合領域に直接取り付けてもよい。
【０００４】ピックアップ領域がμｍ2以下で、ＳＱＵ
ＩＤ全体を表面にかなり近接して走査する簡単なシング
ル・リングＳＱＵＩＤでは、ＳＱＵＩＤのどの生産レベ
ルでも、ディープ（＜０．５μｍ）サブミクロンの最小
フィーチャ・サイズが必要である。図１の構造では、小
さいピックアップ・ループが、低インダクタンスの相互
接続部分だけ離れてＳＱＵＩＤ構造の他の部分に接続さ
れる。ピックアップ・ループは、ＳＱＵＩＤをなす全体
の一部か、同じチップ上のＳＱＵＩＤの入力コイルに直
接接続された入力回路の一部、または物理的に別のチッ
プ上のＳＱＵＩＤの入力コイルに後でワイヤ接合される
入力回路の一部である。後者の場合、ループを作る技術
は、ＳＱＵＩＤを作る技術とはかなり異なることがある
が、前者では、μｍ2以下のピックアップ構造は、ディ
ープ・サブミクロンのフィーチャ・サイズで、１つの生
産レベルだけで形成することができる。相互接続インダ
クタンスを最小にすれば、感度は特に完全に集積された
デバイスの場合に向上する。このようなデバイスでは、
感度は２チップよりもおよそ１０倍高くなり、ピックア
ップ・ループ構造の設計の詳細と、低インダクタンスの
相互接続構造への移行が非常に重要になる。
ＩＤ全体を表面にかなり近接して走査する簡単なシング
ル・リングＳＱＵＩＤでは、ＳＱＵＩＤのどの生産レベ
ルでも、ディープ（＜０．５μｍ）サブミクロンの最小
フィーチャ・サイズが必要である。図１の構造では、小
さいピックアップ・ループが、低インダクタンスの相互
接続部分だけ離れてＳＱＵＩＤ構造の他の部分に接続さ
れる。ピックアップ・ループは、ＳＱＵＩＤをなす全体
の一部か、同じチップ上のＳＱＵＩＤの入力コイルに直
接接続された入力回路の一部、または物理的に別のチッ
プ上のＳＱＵＩＤの入力コイルに後でワイヤ接合される
入力回路の一部である。後者の場合、ループを作る技術
は、ＳＱＵＩＤを作る技術とはかなり異なることがある
が、前者では、μｍ2以下のピックアップ構造は、ディ
ープ・サブミクロンのフィーチャ・サイズで、１つの生
産レベルだけで形成することができる。相互接続インダ
クタンスを最小にすれば、感度は特に完全に集積された
デバイスの場合に向上する。このようなデバイスでは、
感度は２チップよりもおよそ１０倍高くなり、ピックア
ップ・ループ構造の設計の詳細と、低インダクタンスの
相互接続構造への移行が非常に重要になる。
【０００５】サブミクロンのピックアップ・ループの一
例を図２、図３に示す。これは超伝導ワイヤ接合３２、
３３を持つ２チップ構成３０、３１である。ピックアッ
プ・ループ構造３４は、超伝導金属を、この場合は１０
０ｎｍのＮｂを１つ必要とするだけである。線幅は０．
２５μｍ、ピックアップ・ループ３４は径１μｍ、リー
ド３５、３６は心間０．５μｍである。この設計には、
ピックアップ・ループ３４自体は面積が１μｍ2とはっ
きりしているものの、リード３５、３６は、有効ピック
アップ領域がμｍ長当たり約０．５μｍ2になるという
欠点がある。従って空間解像度は、特に磁界が１／ｒ程
に小さくなるライン電流源等のターゲットについては大
幅に劣化する。この構造ではまた、リードのインダクタ
ンスが約１ｐＨ／μｍと高い。
例を図２、図３に示す。これは超伝導ワイヤ接合３２、
３３を持つ２チップ構成３０、３１である。ピックアッ
プ・ループ構造３４は、超伝導金属を、この場合は１０
０ｎｍのＮｂを１つ必要とするだけである。線幅は０．
２５μｍ、ピックアップ・ループ３４は径１μｍ、リー
ド３５、３６は心間０．５μｍである。この設計には、
ピックアップ・ループ３４自体は面積が１μｍ2とはっ
きりしているものの、リード３５、３６は、有効ピック
アップ領域がμｍ長当たり約０．５μｍ2になるという
欠点がある。従って空間解像度は、特に磁界が１／ｒ程
に小さくなるライン電流源等のターゲットについては大
幅に劣化する。この構造ではまた、リードのインダクタ
ンスが約１ｐＨ／μｍと高い。
【０００６】リード３５、３６の上下いずれかにグラウ
ンドプレーンを１つ追加することによって大きな改良が
可能である。これは、リード３５、３６の有効ピックア
ップ領域とそのインダクタンスの両方を小さくする。し
かし、このグラウンドプレーンがピックアップ・ループ
の近くで幅が広ければ広いほど、測定される磁界に歪み
が生じやすい。
ンドプレーンを１つ追加することによって大きな改良が
可能である。これは、リード３５、３６の有効ピックア
ップ領域とそのインダクタンスの両方を小さくする。し
かし、このグラウンドプレーンがピックアップ・ループ
の近くで幅が広ければ広いほど、測定される磁界に歪み
が生じやすい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】小型化した走査磁力計
（走査顕微鏡）のために改良を加えたプローブ、特にＳ
ＱＵＩＤを採用したものが、本発明によって提供され
る。改良されたプローブでは、幅が漸次広くなる２重グ
ラウンドプレーン構造により、有効ピックアップ・ルー
プ領域がμｍ2以下になり遮蔽性が高められる。その結
果、空間解像度が高い、改良されたプローブが得られ
る。
（走査顕微鏡）のために改良を加えたプローブ、特にＳ
ＱＵＩＤを採用したものが、本発明によって提供され
る。改良されたプローブでは、幅が漸次広くなる２重グ
ラウンドプレーン構造により、有効ピックアップ・ルー
プ領域がμｍ2以下になり遮蔽性が高められる。その結
果、空間解像度が高い、改良されたプローブが得られ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】走査磁力計デバイスのた
めに改良されたプローブは、プローブ先端領域まで幅が
漸次狭くなる少なくとも３つの領域、上記３つの領域に
延び、上記プローブ先端領域から分離した下部グラウン
ドプレーン構造、上記３つの領域に延び、上記プローブ
先端領域から分離した上部グラウンドプレーン構造、及
び上記３つの領域に延び、上記プローブ先端領域のプロ
ーブ先端にて終端したプローブ・リードを含む。
めに改良されたプローブは、プローブ先端領域まで幅が
漸次狭くなる少なくとも３つの領域、上記３つの領域に
延び、上記プローブ先端領域から分離した下部グラウン
ドプレーン構造、上記３つの領域に延び、上記プローブ
先端領域から分離した上部グラウンドプレーン構造、及
び上記３つの領域に延び、上記プローブ先端領域のプロ
ーブ先端にて終端したプローブ・リードを含む。
【０００９】
【発明の実施の形態】図４に、本発明によるマルチ・グ
ラウンドプレーン・プローブ４０を示す。この構造は、
３金属レベルのジョセフソン・テクノロジ・プロセスで
形成することができる。このプロセスは、例えばAppl．
Phys．Lett．、59（20）、１９９１年１１月のKetchen
による記事に述べられている２レベル・プロセスを展開
したものである。従って都合よく、ＳＱＵＩＤ等、磁力
計の他の要素を本発明のプローブと同時に形成すること
ができる。本発明のプローブによって、リード・ピック
アップ領域が最小になり、測定される局所磁界の歪みも
最小になる。プローブとＳＱＵＩＤの結合は誘導型であ
っても直接型であってもよく、またプローブリードとプ
ローブ先端がＳＱＵＩＤをなす部分であってもよい。
ラウンドプレーン・プローブ４０を示す。この構造は、
３金属レベルのジョセフソン・テクノロジ・プロセスで
形成することができる。このプロセスは、例えばAppl．
Phys．Lett．、59（20）、１９９１年１１月のKetchen
による記事に述べられている２レベル・プロセスを展開
したものである。従って都合よく、ＳＱＵＩＤ等、磁力
計の他の要素を本発明のプローブと同時に形成すること
ができる。本発明のプローブによって、リード・ピック
アップ領域が最小になり、測定される局所磁界の歪みも
最小になる。プローブとＳＱＵＩＤの結合は誘導型であ
っても直接型であってもよく、またプローブリードとプ
ローブ先端がＳＱＵＩＤをなす部分であってもよい。
【００１０】本発明では、＜１μｍ2のピックアップ領
域が得られ、ディープ・サブミクロンのフィーチャ・サ
イズは１レベルだけに必要である。また本発明は、シン
グル・レベルのピックアップ・ループ４２に、領域４
４、４６、４８、５０の幅が漸次広くなる２重グラウン
ドプレーンのリード構造を組合わせたものである。この
リード構造の３つの領域の断面を図５、図６、図７に示
す。図５（断面Ｘ−Ｘ'）と６（断面Ｙ−Ｙ'）の２重グ
ラウンドプレーン構造は、リードのインダクタンスが幾
らか低くなり（≦２ｘ程度）、有効ピックアップ領域は
単一グラウンドプレーン構造より大幅に減少する。単一
グラウンドプレーンでは、リードのピックアップ領域が
Ｋ倍だけ減少する場合、一般に２重グラウンドプレーン
ではＫ2倍の減少になる。
域が得られ、ディープ・サブミクロンのフィーチャ・サ
イズは１レベルだけに必要である。また本発明は、シン
グル・レベルのピックアップ・ループ４２に、領域４
４、４６、４８、５０の幅が漸次広くなる２重グラウン
ドプレーンのリード構造を組合わせたものである。この
リード構造の３つの領域の断面を図５、図６、図７に示
す。図５（断面Ｘ−Ｘ'）と６（断面Ｙ−Ｙ'）の２重グ
ラウンドプレーン構造は、リードのインダクタンスが幾
らか低くなり（≦２ｘ程度）、有効ピックアップ領域は
単一グラウンドプレーン構造より大幅に減少する。単一
グラウンドプレーンでは、リードのピックアップ領域が
Ｋ倍だけ減少する場合、一般に２重グラウンドプレーン
ではＫ2倍の減少になる。
【００１１】図６は、有効ピックアップ領域が０で、イ
ンダクタンスが低い、完全密閉型ストリップ・ライン構
成を示す。ピックアップ・ループ近くの狭いグラウンド
プレーン（図５）により、ピックアップ・ループ付近の
磁界の歪みが最小になると同時に、リードのピックアッ
プ領域とインダクタンスが低減する。幅を広げるステッ
プを１回以上行なった後、完全密閉構成を実現するのに
充分な幅が得られる。幅の広いこの構造はここで、ピッ
クアップ・ループ側の磁界を大きく歪ませることのない
程充分に離れている。
ンダクタンスが低い、完全密閉型ストリップ・ライン構
成を示す。ピックアップ・ループ近くの狭いグラウンド
プレーン（図５）により、ピックアップ・ループ付近の
磁界の歪みが最小になると同時に、リードのピックアッ
プ領域とインダクタンスが低減する。幅を広げるステッ
プを１回以上行なった後、完全密閉構成を実現するのに
充分な幅が得られる。幅の広いこの構造はここで、ピッ
クアップ・ループ側の磁界を大きく歪ませることのない
程充分に離れている。
【００１２】通常、生産プロセスの始めに、熱酸化によ
り、ＳｉＯ2の層９１がシリコン基板ウエハ９０上に形
成される。通常、層９１は厚み約３０００ である。次
に従来のフォトリソグラフィにより、図５（領域４
６）、図６（領域５０）に示した、パターニングされた
第１ニオブ金属ライン構造（Ｍ１）９２が形成される。
通常、構造９２は厚み２０００ である。構造９２は、
領域４４、４６、４８、５０に延びる第１グラウンドプ
レーンすなわち下部グラウンドプレーンをなす。
り、ＳｉＯ2の層９１がシリコン基板ウエハ９０上に形
成される。通常、層９１は厚み約３０００ である。次
に従来のフォトリソグラフィにより、図５（領域４
６）、図６（領域５０）に示した、パターニングされた
第１ニオブ金属ライン構造（Ｍ１）９２が形成される。
通常、構造９２は厚み２０００ である。構造９２は、
領域４４、４６、４８、５０に延びる第１グラウンドプ
レーンすなわち下部グラウンドプレーンをなす。
【００１３】次に、層９１、９２の表面に、厚み約５０
００ のＳｉＯ2層９３がスパッタリングされる。これ
は第１絶縁層（Ｉ１）である。層９３は次に従来の方法
によって平坦化され、平坦化プロセスの終わりに層９２
上の厚みは約１５００ に減少する。次に第１バイア
が、領域４８、５０の層９３内（図６の位置９４）でエ
ッチングされて、その下部で金属９２が露出する。
００ のＳｉＯ2層９３がスパッタリングされる。これ
は第１絶縁層（Ｉ１）である。層９３は次に従来の方法
によって平坦化され、平坦化プロセスの終わりに層９２
上の厚みは約１５００ に減少する。次に第１バイア
が、領域４８、５０の層９３内（図６の位置９４）でエ
ッチングされて、その下部で金属９２が露出する。
【００１４】その後、再びフォトリソグラフィによっ
て、厚み約２０００ のニオブ金属の第２層（Ｍ２）が
層９３の表面に選択的にパターニングされて、図６に示
した３つのライン９５ａ、９５ｂ、９５ｃと図５に示し
たライン９５ａ、９５ｃが形成される。金属ライン９５
ａ、９５ｂ及び９５ｃは第１バイアを通して金属層９２
と接触する。次に、厚み約３０００ のクォーツ（Ｓｉ
Ｏ2）の第２絶縁層（Ｉ２）９６が表面にスパッタリン
グされて、層９３の表面が覆われ、層９５はコンフォー
マルに覆われる。次に第２バイアが、領域４８、５０の
絶縁層９６内（図６の位置９７）でエッチングされ、そ
の下部に第２金属層９５が露出する。
て、厚み約２０００ のニオブ金属の第２層（Ｍ２）が
層９３の表面に選択的にパターニングされて、図６に示
した３つのライン９５ａ、９５ｂ、９５ｃと図５に示し
たライン９５ａ、９５ｃが形成される。金属ライン９５
ａ、９５ｂ及び９５ｃは第１バイアを通して金属層９２
と接触する。次に、厚み約３０００ のクォーツ（Ｓｉ
Ｏ2）の第２絶縁層（Ｉ２）９６が表面にスパッタリン
グされて、層９３の表面が覆われ、層９５はコンフォー
マルに覆われる。次に第２バイアが、領域４８、５０の
絶縁層９６内（図６の位置９７）でエッチングされ、そ
の下部に第２金属層９５が露出する。
【００１５】最後に、再びフォトリソグラフィによっ
て、厚み約５０００ のパターニングされたニオブ金属
の第３層（Ｍ３）９８が、図５、６に示すように第２ク
ォーツ絶縁層９６上に選択的に形成される。層９８は第
２バイア（図６の位置９７）を通して層９５と電気的に
接触する。これは第２グラウンドプレーンすなわち上部
グラウンドプレーンであり、第１グラウンドプレーンま
たは下部グラウンドプレーンと同様に、領域４４、４
６、４８、５０に延びる。
て、厚み約５０００ のパターニングされたニオブ金属
の第３層（Ｍ３）９８が、図５、６に示すように第２ク
ォーツ絶縁層９６上に選択的に形成される。層９８は第
２バイア（図６の位置９７）を通して層９５と電気的に
接触する。これは第２グラウンドプレーンすなわち上部
グラウンドプレーンであり、第１グラウンドプレーンま
たは下部グラウンドプレーンと同様に、領域４４、４
６、４８、５０に延びる。
【００１６】図７に、プローブ先端領域５２のプローブ
先端４２の断面Ｚ−Ｚ'を示す。プローブ４０の位置４
４における断面は、寸法を除いて図５と同様であり、プ
ローブ４０の位置４８における断面は、寸法及び、ライ
ン９５ｃが領域４８で終端することを除いて図６と同様
である。図４の平面図では、第１グラウンドプレーンと
第２グラウンドプレーンの幅は、プローブ先端４２から
の距離がプローブ４０の縦軸５４に沿って増加するにつ
れて段階的に増加しているが、テーパ等、他の形状構造
も本発明の対象内である。上部と下部のグラウンドプレ
ーン構造は、領域４４で、プローブ先端領域５２から距
離αＷ1で終端している。
先端４２の断面Ｚ−Ｚ'を示す。プローブ４０の位置４
４における断面は、寸法を除いて図５と同様であり、プ
ローブ４０の位置４８における断面は、寸法及び、ライ
ン９５ｃが領域４８で終端することを除いて図６と同様
である。図４の平面図では、第１グラウンドプレーンと
第２グラウンドプレーンの幅は、プローブ先端４２から
の距離がプローブ４０の縦軸５４に沿って増加するにつ
れて段階的に増加しているが、テーパ等、他の形状構造
も本発明の対象内である。上部と下部のグラウンドプレ
ーン構造は、領域４４で、プローブ先端領域５２から距
離αＷ1で終端している。
【００１７】図８は、本発明のさまざまなグラウンドプ
レーン構造について、図８の挿入図に示した簡略化した
形状の線幅Ｘの関数として計算した減衰係数Ｋを示す。
指定子２−１−１−１−２は、幅Ｘのリード２つ、幅Ｘ
の間隔、２Ｘの両側にグラウンドプレーンのオーバハン
グ（ＯＨ）を持つリード構造を意味する。超伝導体はど
の場合も、ロンドン侵入深さλが０．０８６μｍのＮｂ
である。金属厚みｔm1、ｔ m2は、Ｘが＜０．１５μｍの
ときｔm2＝Ｘであることを除いて、すべて０．１５μｍ
である。金属層間の垂直分離Ｓはどの場合でも０．１５
μｍである。Ｘが減少したときの減衰劣化（係数Ｋ）
は、好適ではないアスペクト比と一定値λの直接の結果
である。１グラウンドプレーン構造（１ＧＰ）と比較し
た２グラウンドプレーン構造（２ＧＰ）の有効性は、１
−１−１−１−１の２つのカーブから明らかに認められ
る。一般的にはＫ（２ＧＰ）＞Ｋ2（１ＧＰ）である。
レーン構造について、図８の挿入図に示した簡略化した
形状の線幅Ｘの関数として計算した減衰係数Ｋを示す。
指定子２−１−１−１−２は、幅Ｘのリード２つ、幅Ｘ
の間隔、２Ｘの両側にグラウンドプレーンのオーバハン
グ（ＯＨ）を持つリード構造を意味する。超伝導体はど
の場合も、ロンドン侵入深さλが０．０８６μｍのＮｂ
である。金属厚みｔm1、ｔ m2は、Ｘが＜０．１５μｍの
ときｔm2＝Ｘであることを除いて、すべて０．１５μｍ
である。金属層間の垂直分離Ｓはどの場合でも０．１５
μｍである。Ｘが減少したときの減衰劣化（係数Ｋ）
は、好適ではないアスペクト比と一定値λの直接の結果
である。１グラウンドプレーン構造（１ＧＰ）と比較し
た２グラウンドプレーン構造（２ＧＰ）の有効性は、１
−１−１−１−１の２つのカーブから明らかに認められ
る。一般的にはＫ（２ＧＰ）＞Ｋ2（１ＧＰ）である。
【００１８】図９を参照する。本発明のプローブ設計で
もっとも重要な部分はピックアップ・ループ４２の構
造、リード９５（Ｍ２）、及びピックアップ・ループ４
２の直近にあるグラウンドプレーン構造９２／９８であ
る。一般的な条件は図９に示す通りで、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ
３、Ｂ４は、各領域に垂直に印加される平均磁界、Ａ
１、Ａ２、Ａ３、Ａ４は有効ピックアップ領域である。
ピックアップ・ループ４２の平面上の磁界はループまた
はグラウンドプレーン構造には結合しない。２重グラウ
ンドプレーン構造と、領域Ｗ2ＸＷ2を流れる遮蔽電流
は、この領域から磁界Ｂ3を遮蔽する運動によって支配
されると仮定し、β≧０．５で、グラウンドプレーン構
造が広くなり続けて、程好い距離で完全密閉グラウンド
プレーン構造に連結する場合、Ｂ4からの寄与は充分に
小さく、考慮に値しない。
もっとも重要な部分はピックアップ・ループ４２の構
造、リード９５（Ｍ２）、及びピックアップ・ループ４
２の直近にあるグラウンドプレーン構造９２／９８であ
る。一般的な条件は図９に示す通りで、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ
３、Ｂ４は、各領域に垂直に印加される平均磁界、Ａ
１、Ａ２、Ａ３、Ａ４は有効ピックアップ領域である。
ピックアップ・ループ４２の平面上の磁界はループまた
はグラウンドプレーン構造には結合しない。２重グラウ
ンドプレーン構造と、領域Ｗ2ＸＷ2を流れる遮蔽電流
は、この領域から磁界Ｂ3を遮蔽する運動によって支配
されると仮定し、β≧０．５で、グラウンドプレーン構
造が広くなり続けて、程好い距離で完全密閉グラウンド
プレーン構造に連結する場合、Ｂ4からの寄与は充分に
小さく、考慮に値しない。
【００１９】ここで磁力計に加わる磁束ΦAと測定磁界
Ｂmeansは次式で与えられる。
Ｂmeansは次式で与えられる。
【数１】ΦA＝Ｂ1Ａ1＋Ｂ2Ａ2＋Ｂ3Ａ3＋．．．
【００２０】
【数２】
【００２１】
【数３】
【００２２】第１項は、ループの幾何学的ピックアップ
領域による。第２項は、ループとグラウンドプレーンの
始まりとの間のグラウンドプレーンに含まれないリード
構造のピックアップ領域による。第３項は２つの独立要
素を持つ。その最初の要素は、グラウンドプレーン遮蔽
係数Ｋによって減少したこの領域（２Ｘ Ｗ2）内のリ
ードの幾何学的ピックアップ領域による。第２の要素
は、グラウンドプレーンによって偏向して、ピックアッ
プ・ループとグラウンドプレーン・エッジの間のリード
の幾何学的ピックアップ領域を通過する磁束に関係す
る。計算によると、Ｗ2＝１−２μｍの場合、この偏向
磁束のほとんどはグラウンドプレーン・エッジの０．１
μｍの数倍の範囲内を通過する。例えば、Ｘ＝０．１μ
ｍ、Ｗ1＝０．１μｍ、Ｗ2＝１．０μｍ、α＝０．１と
すると、
領域による。第２項は、ループとグラウンドプレーンの
始まりとの間のグラウンドプレーンに含まれないリード
構造のピックアップ領域による。第３項は２つの独立要
素を持つ。その最初の要素は、グラウンドプレーン遮蔽
係数Ｋによって減少したこの領域（２Ｘ Ｗ2）内のリ
ードの幾何学的ピックアップ領域による。第２の要素
は、グラウンドプレーンによって偏向して、ピックアッ
プ・ループとグラウンドプレーン・エッジの間のリード
の幾何学的ピックアップ領域を通過する磁束に関係す
る。計算によると、Ｗ2＝１−２μｍの場合、この偏向
磁束のほとんどはグラウンドプレーン・エッジの０．１
μｍの数倍の範囲内を通過する。例えば、Ｘ＝０．１μ
ｍ、Ｗ1＝０．１μｍ、Ｗ2＝１．０μｍ、α＝０．１と
すると、
【数４】Ｂmeas＝Ｂ1＋Ｂ2（０．０８）＋Ｂ3（０．０
７＋０．０６）
７＋０．０６）
【００２３】これは、寄生信号が２０％のバランスのと
れた設計になる。
れた設計になる。
【００２４】もう１つの例として、Ｘ＝０．２５μｍ、
Ｗ2＝１．２５μｍ、α＝０．５の場合を考えると、
Ｗ2＝１．２５μｍ、α＝０．５の場合を考えると、
【数５】Ｂmeas＝Ｂ1＋Ｂ2（０．２５）＋Ｂ3（０．２
１＋０．１６）
１＋０．１６）
【００２５】そこで、寄生成分は約６０％になる。
【００２６】最後の事例として、Ｘ＝０．５μｍ、Ｗ1
＝１．０μｍ、Ｗ2＝１．５μｍ、α＝０とすると結果
は次のようになる。
＝１．０μｍ、Ｗ2＝１．５μｍ、α＝０とすると結果
は次のようになる。
【数６】＋Ｂ2（０） Ｂmeas＝Ｂ1＋Ｂ3（０．５＋０．４５）
【００２７】言い換えると、有効ピックアップ領域が約
１００％増加する。
１００％増加する。
【００２８】従って、ピックアップ領域のサイズは≦１
μｍ2にすることが可能であるが、１レベルで、ディー
プ・サブミクロンの画成が必要である。このプラスの効
果はＸが増加すると更に重要になる。
μｍ2にすることが可能であるが、１レベルで、ディー
プ・サブミクロンの画成が必要である。このプラスの効
果はＸが増加すると更に重要になる。
【００２９】図４の構成は明らかに磁力計の先端であ
る。図１０には、本発明のグラジオメータ版が示してあ
る。ここで小さい２つの領域のピックアップ・ループ７
０、７２は互いに逆極性に巻かれ、先端に位置してい
る。グラウンドプレーン構造は磁力計と同じである。先
端からかなり離れたところで必要なクロスオーバが取り
入れられ、リード構造は図６の断面に戻っている。図１
０のグラジオメータ構成では、雑音／ピックアップの低
減が進み、レスポンスを先端領域に更に局所化しやす
い。グラジオメータの設計と動作については、M．B．Ke
tchenによるJ．Appl．Phys．58（11）、１９８５年１１
月１日の記事を参照されたい。
る。図１０には、本発明のグラジオメータ版が示してあ
る。ここで小さい２つの領域のピックアップ・ループ７
０、７２は互いに逆極性に巻かれ、先端に位置してい
る。グラウンドプレーン構造は磁力計と同じである。先
端からかなり離れたところで必要なクロスオーバが取り
入れられ、リード構造は図６の断面に戻っている。図１
０のグラジオメータ構成では、雑音／ピックアップの低
減が進み、レスポンスを先端領域に更に局所化しやす
い。グラジオメータの設計と動作については、M．B．Ke
tchenによるJ．Appl．Phys．58（11）、１９８５年１１
月１日の記事を参照されたい。
【００３０】本発明による新規のプローブは、図１１に
示す通り、シングル・ピックアップ・ループ１０２を取
り囲むシングル・ターンの励起（磁気）コイル１００を
採用している。励起コイル１００は、径が約２０μｍの
オーダ、ピックアップ・コイル１０２上は約１０μｍの
オーダである。このプローブは、磁力計プローブについ
て説明した方法で形成できるが、ここでは、またフォト
リソグラフィによって、下部グラウンドプレーンは、励
起コイル１００の近くまで形成されるが、励起コイル１
００には達しないでその近辺の１０４で終端する。上部
グラウンドプレーンはおよそ励起コイル１００まで続く
が、ピックアップ・ループ１０２には達しない。励起コ
イル１００は、下部グラウンドプレーンと同じ金属で形
成され、同じメタライゼーションのレベルにある。
示す通り、シングル・ピックアップ・ループ１０２を取
り囲むシングル・ターンの励起（磁気）コイル１００を
採用している。励起コイル１００は、径が約２０μｍの
オーダ、ピックアップ・コイル１０２上は約１０μｍの
オーダである。このプローブは、磁力計プローブについ
て説明した方法で形成できるが、ここでは、またフォト
リソグラフィによって、下部グラウンドプレーンは、励
起コイル１００の近くまで形成されるが、励起コイル１
００には達しないでその近辺の１０４で終端する。上部
グラウンドプレーンはおよそ励起コイル１００まで続く
が、ピックアップ・ループ１０２には達しない。励起コ
イル１００は、下部グラウンドプレーンと同じ金属で形
成され、同じメタライゼーションのレベルにある。
【００３１】この構成で、励起コイル１００は、下のサ
ンプルに局所的に磁気モーメントを誘発し、これは磁力
計ピックアップ・ループ１０２に結合する。励起コイル
１００とピックアップ・ループ１０２の直接結合は、図
１２に示すように、アクティブ先端１０８から離れた同
じチップ上に位置する同一のピックアップ・ループ１０
５と励起コイル１０６を直列ワイヤ構成とすることによ
って打ち消される。励起コイル１００と励起コイル１０
６は直列に接続され、ピックアップ・ループ１０２とピ
ックアップ・ループ１０５は直列かつ逆極性に接続され
る。その際、アクティブ先端１０８は、被検査表面を走
査し、その間、基準先端１１０はどの物質からも離れた
ままである。ＳＱＵＩＤ等の読出しデバイスはチップ１
１４の領域１１２に位置する。この構成の用途として
は、サセプティビリティ（susceptibility）顕微鏡、顕
微鏡スケールでの渦流非破壊検査等がある。ＳＱＵＩＤ
チップの平面に均一な磁界がある場合、この構成はま
た、走査ＮＭＲ（nuclear magnetic resonance：核磁気
共鳴）顕微鏡としても働く。このようなデバイスは、先
に述べた平面状薄膜の３金属レベル技術で単一基板上に
集積することができる。
ンプルに局所的に磁気モーメントを誘発し、これは磁力
計ピックアップ・ループ１０２に結合する。励起コイル
１００とピックアップ・ループ１０２の直接結合は、図
１２に示すように、アクティブ先端１０８から離れた同
じチップ上に位置する同一のピックアップ・ループ１０
５と励起コイル１０６を直列ワイヤ構成とすることによ
って打ち消される。励起コイル１００と励起コイル１０
６は直列に接続され、ピックアップ・ループ１０２とピ
ックアップ・ループ１０５は直列かつ逆極性に接続され
る。その際、アクティブ先端１０８は、被検査表面を走
査し、その間、基準先端１１０はどの物質からも離れた
ままである。ＳＱＵＩＤ等の読出しデバイスはチップ１
１４の領域１１２に位置する。この構成の用途として
は、サセプティビリティ（susceptibility）顕微鏡、顕
微鏡スケールでの渦流非破壊検査等がある。ＳＱＵＩＤ
チップの平面に均一な磁界がある場合、この構成はま
た、走査ＮＭＲ（nuclear magnetic resonance：核磁気
共鳴）顕微鏡としても働く。このようなデバイスは、先
に述べた平面状薄膜の３金属レベル技術で単一基板上に
集積することができる。
【００３２】本発明は、当業者には明らかなように、本
発明の基本適用範囲を逸脱することなく変更することが
できる。例えば、ピックアップ・コイルの形状は変更で
き、１ループ或いは１レベルに限定する必要はない。ま
たこれは、上述のニオブに代えて他の高Ｔｃ、低Ｔｃの
超伝導物質から形成することもできる。
発明の基本適用範囲を逸脱することなく変更することが
できる。例えば、ピックアップ・コイルの形状は変更で
き、１ループ或いは１レベルに限定する必要はない。ま
たこれは、上述のニオブに代えて他の高Ｔｃ、低Ｔｃの
超伝導物質から形成することもできる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の実施により、小型化した走査磁
力計（走査顕微鏡）のために改良を加えたプローブ、特
にＳＱＵＩＤを採用したものが、本発明によって提供さ
れる。改良されたプローブでは、有効ピックアップ・ル
ープ領域がμｍ2以下で、幅が漸次広くなる２重グラウ
ンドプレーン構造により遮蔽性が高められる。その結
果、空間解像度が高い、改良されたプローブが得られ
る。
力計（走査顕微鏡）のために改良を加えたプローブ、特
にＳＱＵＩＤを採用したものが、本発明によって提供さ
れる。改良されたプローブでは、有効ピックアップ・ル
ープ領域がμｍ2以下で、幅が漸次広くなる２重グラウ
ンドプレーン構造により遮蔽性が高められる。その結
果、空間解像度が高い、改良されたプローブが得られ
る。
【図１】従来技術による小型且つ一体型の走査ＳＱＵＩ
Ｄ磁力計の平面図である。
Ｄ磁力計の平面図である。
【図２】２チップの小型ＳＱＵＩＤ磁力計の平面図であ
る。
る。
【図３】図２の磁力計のピックアップ・ループ構造の拡
大図である。
大図である。
【図４】本発明による改良されたプローブの平面図であ
る。
る。
【図５】図４のプローブの、Ｘ−Ｘ'の断面図である。
【図６】図４のプローブの、Ｙ−Ｙ'の断面図である。
【図７】図４のプローブの、Ｚ−Ｚ'の断面図である。
【図８】本発明の２重グラウンドプレーン・プローブ
と、単一グラウンドプレーン・プローブの減衰係数
（Ｋ）と線幅の図である。挿入図は計算のために簡略化
した形状を示す。
と、単一グラウンドプレーン・プローブの減衰係数
（Ｋ）と線幅の図である。挿入図は計算のために簡略化
した形状を示す。
【図９】本発明に従ったピックアップ・ループ、その近
くのリード、及びグラウンドプレーンの構造を示す平面
図である。
くのリード、及びグラウンドプレーンの構造を示す平面
図である。
【図１０】本発明に従ったグラジオメータの形のプロー
ブを示す図である。
ブを示す図である。
【図１１】サセプトメータに使用する本発明に従ったプ
ローブを示す図である。
ローブを示す図である。
【図１２】本発明に従った走査顕微鏡サセプトメータを
示す図である。
示す図である。
１０、４２、７０、７２ ピックアップ・ループ １２、１１４ チップ １４ ＤＣ ＳＱＵＩＤ １６ らせん入力コイル １８ グラウンドプレーン ２０ 入出力パッド ２２ ストリップ・ライン・コネクタ ３０、３１ ２チップ構成 ３２、３３ 超伝導ワイヤ接合 ３４ ピックアップ・ループ構造 ３５、３６ リード ４０ マルチ・グラウンドプレーン・プローブ ９０ シリコン基板ウエハ ９１、９３、９６ ＳｉＯ2層 ９２ ニオブ金属ライン構造 ９５、９８ ニオブ金属の層 １００ 励起（磁気）コイル １０２、１０４ シングル・ピックアップ・ループ １０８ アクティブ先端 １１０ 基準先端
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マーク・ベンジャミン・ケチェン アメリカ合衆国01035、マサチューセッツ 州ハドレイ、コシア・ドライブ ６
Claims (12)
- 【請求項１】走査磁力計用プローブであって、 幅が漸次狭くなってプローブ先端領域で終端する少なく
とも３つの領域と、 上記３つの領域に延びて、上記プローブ先端領域から分
離した下部グラウンドプレーン構造と、 上記３つの領域に延びて、上記プローブ先端領域から分
離した上部グラウンドプレーン構造と、 上記３つの領域に延びて、上記プローブ先端領域内のプ
ローブ先端で終端したプローブ・リードと、 を含む、プローブ。 - 【請求項２】上記プローブ先端がループの形である、請
求項１記載のプローブ。 - 【請求項３】上記プローブ先端が２つのループからな
り、上記２つのループが、上記領域の１つ内で上記プロ
ーブ先端の交差によって逆向きに接続された、請求項１
記載のプローブ。 - 【請求項４】上記プローブ・リードが、上記プローブ先
端領域の反対側の端部でＳＱＵＩＤと結合した、請求項
１記載のプローブ。 - 【請求項５】上記結合が誘導型である、請求項４記載の
プローブ。 - 【請求項６】上記結合が直接型である、請求項４記載の
プローブ。 - 【請求項７】上記プローブ・リードと上記プローブ先端
がＳＱＵＩＤをなす部分である、請求項１記載のプロー
ブ。 - 【請求項８】走査ＳＱＵＩＤ磁力計用に改良されたプロ
ーブであって、 第１、第２及び第３の少なくとも３つの領域を持ち、上
記領域が、上記プローブの一端からもう一端まで、プロ
ーブ縦軸に沿って幅が漸次狭くなり、プローブ先端領域
で終端しており、上記第３領域が上記先端領域にもっと
も近い、基板と、 上記基板の表面の第１酸化物層と、 上記第１酸化物層の表面にあって、上記３つの領域に延
びているが上記プローブ先端領域から分離した下部グラ
ウンドプレーン構造と、 上記下部グラウンドプレーン構造と上記第１酸化物層の
表面を覆う第２酸化物層と、 上記第１領域の上記第２酸化物層の表面にあって、第３
酸化物層によって互いに絶縁され、第１コプラナ金属ラ
インと第３コプラナ金属ラインが、上記第１領域に延び
たバイアを通して上記下部グラウンドプレーン構造に電
気的に接続された、上記第１及び第３並びに第２のコプ
ラナ金属ラインと、 上記第２領域の上記第２酸化物層の表面にあって、上記
第３酸化物層によって互いに絶縁され、上記第３コプラ
ナ金属ラインが上記第２領域で終端し、上記第１及び第
３のコプラナ金属ラインが、上記第２領域に延びたバイ
アを通して上記下部グラウンドプレーン構造に電気的に
接続された、上記第１、第２、及び第３のコプラナ金属
ラインと、 上記第３領域の上記第２酸化物層の表面にあって、上記
第３酸化物層によって互いに絶縁された、第１及び第２
のコプラナ金属ラインと、 上記第３酸化物層の表面にあって、上記３つの領域に延
びているが上記プローブ先端領域から分離し、上記第１
及び第２の領域に延びたバイアを通して上記第１及び第
２の領域の上記第１及び第３のコプラナ金属ラインに電
気的に接続された、上部グラウンドプレーン構造と、 を含むプローブ。 - 【請求項９】走査磁力計用プローブであって、 幅が漸次狭くなってプローブ先端領域で終端した少なく
とも３つの領域と、 上記３つの領域に延びて、上記プローブ先端領域から分
離した下部グラウンドプレーン構造と、 上記３つの領域に延びて、上記プローブ先端領域内のプ
ローブ先端で終端しており、上記プローブ先端領域が更
に励起コイルを含み、上記励起コイルが上記プローブ先
端を取り囲んだプローブ・リードと、 上記３つの領域に延び、また上記励起コイル上に延びて
いるが上記プローブ先端には達していない上部グラウン
ドプレーン構造と、 を含むプローブ。 - 【請求項１０】走査顕微鏡用プローブであって、 第１、第２及び第３の少なくとも３つの領域を持ち、上
記領域が上記プローブの一端からもう一端へ、プローブ
縦軸に沿って幅が漸次狭くなり、第１ピックアップ・ル
ープを含むプローブ先端領域で終端しており、上記第３
領域が上記先端領域にもっとも近い、基板と、 上記基板の表面の第１酸化物層と、 上記第１酸化物層の表面にあって、上記３つの領域に延
び、上記第１ピックアップ・ループを取り囲む第１ルー
プ状構造から離れたところで終端した下部グラウンドプ
レーン構造と、 上記下部グラウンドプレーン構造と上記第１酸化物層の
表面を覆う第２酸化物層と、 上記第１領域の上記第２酸化物層の表面にあって、第３
酸化物層によって互いに絶縁され、第１及び第３のコプ
ラナ金属ラインが上記第１領域に延びたバイアを通して
上記下部グラウンドプレーン構造に電気的に接続され
た、上記第１及び第３並びに第２のコプラナ金属ライン
と、 上記第２領域の上記第２酸化物層の表面にあって、第３
酸化物層によって互いに絶縁され、上記第３コプラナ金
属ラインが上記第２領域で終端し、第１コプラナ金属ラ
インと上記第３コプラナ金属ラインが、上記第２領域に
延びたバイアを通して上記下部グラウンドプレーン構造
に電気的に接続された、上記第１、第２、及び第３のコ
プラナ金属ラインと、 上記第３領域の上記第２酸化物層の表面にあって、上記
第３酸化物層によって互いに絶縁され、上記先端領域に
延びて上記第１ピックアップ・ループに接続された、第
１及び第２のコプラナ金属ラインと、 上記第３酸化物層の表面にあって、上記３つの領域に延
び、また上記第１ループ状構造に延びているが上記第１
ピックアップ・ループには達しておらず、上記第１及び
第２の領域に延びたバイアを通して上記第１及び第２の
領域の上記第１及び第３のコプラナ金属ラインに電気的
に接続された、上部グラウンドプレーン構造と、 を含むプローブ。 - 【請求項１１】上記第１ループ状構造が、上記下部グラ
ウンドプレーンと同じ物質から形成され、上記下部グラ
ウンドプレーンと同じレベルにある、請求項１０記載の
プローブ。 - 【請求項１２】上記第１ループ状構造が、第２ループ状
構造と直列に接続され、上記第１ピックアップ・ループ
が第２ピックアップ・ループと直列且つ逆極性で接続さ
れており、上記第２ループ状構造と上記第２ピックアッ
プ・ループが、上記第１ループ状構造及び上記第１ピッ
クアップ・ループと同じ基板上に位置し且つ互いに離れ
た、請求項１０記載のプローブ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/298,242 US5523686A (en) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | Probes for scanning SQUID magnetometers |
| US298242 | 1999-04-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0886847A true JPH0886847A (ja) | 1996-04-02 |
| JP2989523B2 JP2989523B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=23149672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7216846A Expired - Fee Related JP2989523B2 (ja) | 1994-08-30 | 1995-08-25 | 走査ｓｑｕｉｄ磁力計用プローブ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5523686A (ja) |
| EP (1) | EP0699921A3 (ja) |
| JP (1) | JP2989523B2 (ja) |
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| CN107146935B (zh) * | 2017-06-22 | 2022-07-15 | 中国科学技术大学 | 一种基于非对称环形腔的量子环形器 |
| US11121520B1 (en) | 2019-08-28 | 2021-09-14 | Northrop Grumman Systems Corporation | Passive switching in integrated optical components |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5523686A (en) | 1996-06-04 |
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