JPH0882634A - 磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出装置Info
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- JPH0882634A JPH0882634A JP6218929A JP21892994A JPH0882634A JP H0882634 A JPH0882634 A JP H0882634A JP 6218929 A JP6218929 A JP 6218929A JP 21892994 A JP21892994 A JP 21892994A JP H0882634 A JPH0882634 A JP H0882634A
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- G01P3/00—Measuring linear or angular speed; Measuring differences of linear or angular speeds
- G01P3/42—Devices characterised by the use of electric or magnetic means
- G01P3/44—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed
- G01P3/48—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage
- G01P3/481—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage of pulse signals
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Indicating Or Recording The Presence, Absence, Or Direction Of Movement (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被検出対象の歯の通過に伴う磁気抵抗素子の
信号波形のひずみを解消し、波形整形により得られるパ
ルス信号の間隔のばらつきを小さくする。 【構成】 ＭＲＥ１，２は、バイアス磁石３の発生する
バイアス磁界方向と同一面内において、その磁界方向に
対してそれぞれほぼ±４５度で一対配置されている。Ｍ
ＲＥ１，２の中点電圧はＭＲＥ出力として取り出され
る。ギア４は磁性材料からなり、ギア４には多数の歯５
が設けられている。歯５は等角度に延びる２辺からなる
２等辺三角形状に形成されている。ＭＲＥ出力は、ギア
４の運動速度に比例した信号エッジが得られるよう、比
較器７にて２値化され、その２値化信号は、単安定回路
８にて立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応す
るパルス信号に変換される。このとき、ＭＲＥ出力はほ
ぼ正弦波となり、ギア４が一定回転している時、パルス
信号の信号間隔はほぼ一定に保持される。
信号波形のひずみを解消し、波形整形により得られるパ
ルス信号の間隔のばらつきを小さくする。 【構成】 ＭＲＥ１，２は、バイアス磁石３の発生する
バイアス磁界方向と同一面内において、その磁界方向に
対してそれぞれほぼ±４５度で一対配置されている。Ｍ
ＲＥ１，２の中点電圧はＭＲＥ出力として取り出され
る。ギア４は磁性材料からなり、ギア４には多数の歯５
が設けられている。歯５は等角度に延びる２辺からなる
２等辺三角形状に形成されている。ＭＲＥ出力は、ギア
４の運動速度に比例した信号エッジが得られるよう、比
較器７にて２値化され、その２値化信号は、単安定回路
８にて立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応す
るパルス信号に変換される。このとき、ＭＲＥ出力はほ
ぼ正弦波となり、ギア４が一定回転している時、パルス
信号の信号間隔はほぼ一定に保持される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気抵抗素子（ＭＲ
Ｅ）の抵抗変化を利用して被検出対象の運動を検出する
と共に、その検出信号から被検出対象の運動に則したパ
ルス信号を得るべく信号処理を行う磁気検出装置に関す
るものである。
Ｅ）の抵抗変化を利用して被検出対象の運動を検出する
と共に、その検出信号から被検出対象の運動に則したパ
ルス信号を得るべく信号処理を行う磁気検出装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図１２は、この種の磁気検出装置の構成
を示す図である。図１２において、バイアス磁石４３
は、被検出対象としてのギア４０に向けてバイアス磁界
を発生し、ＭＲＥを備えたセンサ部４２は、ギア４０の
回転に伴うＭＲＥの抵抗変化に応じた信号を出力する
（図１３（ａ）に示す信号）。一般に、ギア４０には方
形状の歯４１が多数形成され、歯間のピッチと歯幅とは
ほぼ１：１となっている。そして、比較器４４では、セ
ンサ部４２からの信号波形が所定のしきい値ＶTHで２値
化され（図１３（ｂ）に示す信号）、その後、単安定回
路（単安定マルチバイブレータ）４５では上記２値化信
号の立ち下がりエッジに対応するパルス信号が生成され
る（図１３（ｃ）に示す信号）。
を示す図である。図１２において、バイアス磁石４３
は、被検出対象としてのギア４０に向けてバイアス磁界
を発生し、ＭＲＥを備えたセンサ部４２は、ギア４０の
回転に伴うＭＲＥの抵抗変化に応じた信号を出力する
（図１３（ａ）に示す信号）。一般に、ギア４０には方
形状の歯４１が多数形成され、歯間のピッチと歯幅とは
ほぼ１：１となっている。そして、比較器４４では、セ
ンサ部４２からの信号波形が所定のしきい値ＶTHで２値
化され（図１３（ｂ）に示す信号）、その後、単安定回
路（単安定マルチバイブレータ）４５では上記２値化信
号の立ち下がりエッジに対応するパルス信号が生成され
る（図１３（ｃ）に示す信号）。
【０００３】このように、ＭＲＥ出力を２値化し、その
片側エッジのみを回転検出信号として使用する場合、一
定回転下において図１３の如くパルス間隔Ｔ1'＝Ｔ2'＝
Ｔ3'となり、一定間隔のパルス信号が得られる。
片側エッジのみを回転検出信号として使用する場合、一
定回転下において図１３の如くパルス間隔Ｔ1'＝Ｔ2'＝
Ｔ3'となり、一定間隔のパルス信号が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年では、磁気
検出装置を例えば高圧燃料噴射ポンプに使用する際等に
おいて回転検出信号の多パルス化が強く要望されてい
る。そこで、ＭＲＥ出力を高低２レベルのしきい値ＶTH
1'，ＶTH2'にて２値化し、その２値化信号の両側エッジ
にてパルス信号を生成する信号処理方法が提案されてい
る。この２値化処理では、一定回転で一定間隔の信号エ
ッジが得られるよう、ＭＲＥ出力のピーク値及びボトム
値から所定割合でずらしたしきい値ＶTH1'，ＶTH2'が設
定される。この場合、図１４（ａ），（ｂ），（ｃ）に
示す如く、上記図１３に比べて２倍の数のパルス信号を
得ることができる。
検出装置を例えば高圧燃料噴射ポンプに使用する際等に
おいて回転検出信号の多パルス化が強く要望されてい
る。そこで、ＭＲＥ出力を高低２レベルのしきい値ＶTH
1'，ＶTH2'にて２値化し、その２値化信号の両側エッジ
にてパルス信号を生成する信号処理方法が提案されてい
る。この２値化処理では、一定回転で一定間隔の信号エ
ッジが得られるよう、ＭＲＥ出力のピーク値及びボトム
値から所定割合でずらしたしきい値ＶTH1'，ＶTH2'が設
定される。この場合、図１４（ａ），（ｂ），（ｃ）に
示す如く、上記図１３に比べて２倍の数のパルス信号を
得ることができる。
【０００５】ところが、図１４のように両側エッジにて
信号処理を行う場合、以下に示す問題を生じる。つま
り、図１４に示すように、パルス間隔Ｔ1"〜Ｔ4"が「狭
い」・「広い」を繰り返し、一定回転下においても一定
間隔のパルス信号を得ることができない。これは、図１
４（ａ）に示すようにＭＲＥ出力（実線）が正弦波（破
線）に対してひずむことに起因しており、本発明者によ
る解析によれば前記ひずみはギア歯形状と磁気ベクトル
特性との相関性や主に２次高調波成分の影響によるもの
であると考えられる。
信号処理を行う場合、以下に示す問題を生じる。つま
り、図１４に示すように、パルス間隔Ｔ1"〜Ｔ4"が「狭
い」・「広い」を繰り返し、一定回転下においても一定
間隔のパルス信号を得ることができない。これは、図１
４（ａ）に示すようにＭＲＥ出力（実線）が正弦波（破
線）に対してひずむことに起因しており、本発明者によ
る解析によれば前記ひずみはギア歯形状と磁気ベクトル
特性との相関性や主に２次高調波成分の影響によるもの
であると考えられる。
【０００６】この発明は、上記問題に着目してなされた
ものであって、その目的とするところは、被検出対象の
歯の通過に伴う磁気抵抗素子の信号波形のひずみを解消
し、波形整形により得られるパルス信号の間隔のばらつ
きを小さくすることができる磁気検出装置を提供するこ
とにある。
ものであって、その目的とするところは、被検出対象の
歯の通過に伴う磁気抵抗素子の信号波形のひずみを解消
し、波形整形により得られるパルス信号の間隔のばらつ
きを小さくすることができる磁気検出装置を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、磁性材料からなる複数の
歯を持った被検出対象と、着磁面が前記被検出対象の歯
に対向し、当該被検出対象に向けてバイアス磁界を発生
するバイアス磁石と、前記バイアス磁界中に配置され、
前記バイアス磁石から被検出対象へのバイアス磁界の状
態変化に応じて抵抗変化を生じる磁気抵抗素子と、前記
磁気抵抗素子の出力波形を高低２レベルのしきい値にて
２値化すると共に、その立ち上がりエッジ及び立ち下が
りエッジに対応するパルス信号を生成する波形整形手段
とを備えた磁気検出装置であって、前記被検出対象に設
けられた歯をほぼ２等辺三角形状に形成したことを要旨
としている。
に、請求項１に記載の発明は、磁性材料からなる複数の
歯を持った被検出対象と、着磁面が前記被検出対象の歯
に対向し、当該被検出対象に向けてバイアス磁界を発生
するバイアス磁石と、前記バイアス磁界中に配置され、
前記バイアス磁石から被検出対象へのバイアス磁界の状
態変化に応じて抵抗変化を生じる磁気抵抗素子と、前記
磁気抵抗素子の出力波形を高低２レベルのしきい値にて
２値化すると共に、その立ち上がりエッジ及び立ち下が
りエッジに対応するパルス信号を生成する波形整形手段
とを備えた磁気検出装置であって、前記被検出対象に設
けられた歯をほぼ２等辺三角形状に形成したことを要旨
としている。
【０００８】請求項２に記載の発明では、前記被検出対
象に設けられた歯は、運動方向に対して４５度傾斜した
２辺にて構成されている。請求項３に記載の発明は、磁
性材料からなる複数の歯を持った被検出対象と、着磁面
が前記被検出対象の歯に対向し、当該被検出対象に向け
てバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、前記バイア
ス磁界中に配置され、前記バイアス磁石から被検出対象
へのバイアス磁界の状態変化に応じて抵抗変化を生じる
磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子の出力波形を高低２
レベルのしきい値にて２値化すると共に、その立ち上が
りエッジ及び立ち下がりエッジに対応するパルス信号を
生成する波形整形手段とを備えた磁気検出装置であっ
て、前記被検出対象に設けられた歯をその平均幅が歯間
のピッチの１／６以下となるように形成したことを要旨
としている。
象に設けられた歯は、運動方向に対して４５度傾斜した
２辺にて構成されている。請求項３に記載の発明は、磁
性材料からなる複数の歯を持った被検出対象と、着磁面
が前記被検出対象の歯に対向し、当該被検出対象に向け
てバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、前記バイア
ス磁界中に配置され、前記バイアス磁石から被検出対象
へのバイアス磁界の状態変化に応じて抵抗変化を生じる
磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子の出力波形を高低２
レベルのしきい値にて２値化すると共に、その立ち上が
りエッジ及び立ち下がりエッジに対応するパルス信号を
生成する波形整形手段とを備えた磁気検出装置であっ
て、前記被検出対象に設けられた歯をその平均幅が歯間
のピッチの１／６以下となるように形成したことを要旨
としている。
【０００９】請求項４に記載の発明では、前記磁気抵抗
素子は少なくとも一対のパターンで形成され、同一の磁
界内で互いに交差する角度関係を有すると共に、バイア
ス磁界方向となす角度がほぼ４５度である。
素子は少なくとも一対のパターンで形成され、同一の磁
界内で互いに交差する角度関係を有すると共に、バイア
ス磁界方向となす角度がほぼ４５度である。
【００１０】
【作用】請求項１に記載の発明によれば、磁気抵抗素子
は、バイアス磁界の状態変化に応じて抵抗変化を生じ
る。波形整形手段は、磁気抵抗素子の出力波形を高低２
レベルのしきい値にて２値化すると共に、その立ち上が
りエッジ及び立ち下がりエッジに対応するパルス信号を
生成する。このとき、被検出対象の歯がほぼ三角形状に
形成されているため、歯の通過に伴う磁気ベクトル特性
のずれが生じにくく、また、高調波成分からなるひずみ
波形も生じにくい。その結果、波形整形により得られる
パルス信号の間隔のばらつきが小さくなり、被検出対象
の運動速度に比例した間隔のパルス信号が得られる。
は、バイアス磁界の状態変化に応じて抵抗変化を生じ
る。波形整形手段は、磁気抵抗素子の出力波形を高低２
レベルのしきい値にて２値化すると共に、その立ち上が
りエッジ及び立ち下がりエッジに対応するパルス信号を
生成する。このとき、被検出対象の歯がほぼ三角形状に
形成されているため、歯の通過に伴う磁気ベクトル特性
のずれが生じにくく、また、高調波成分からなるひずみ
波形も生じにくい。その結果、波形整形により得られる
パルス信号の間隔のばらつきが小さくなり、被検出対象
の運動速度に比例した間隔のパルス信号が得られる。
【００１１】請求項２に記載の発明によれば、２次高調
波成分を小さくすると共に磁気抵抗素子の高い出力レベ
ルが得られる。請求項３に記載の発明によれば、請求項
１の作用と同様の作用によりパルス信号が得られる。こ
のとき、被検出対象の歯は、その平均幅が歯間のピッチ
の１／６以下となるように形成されているため、歯の通
過に伴う磁気ベクトル特性のずれが生じにくく、また、
高調波成分からなるひずみ波形も生じにくい。その結
果、波形整形により得られるパルス信号の間隔のばらつ
きが小さくなる。
波成分を小さくすると共に磁気抵抗素子の高い出力レベ
ルが得られる。請求項３に記載の発明によれば、請求項
１の作用と同様の作用によりパルス信号が得られる。こ
のとき、被検出対象の歯は、その平均幅が歯間のピッチ
の１／６以下となるように形成されているため、歯の通
過に伴う磁気ベクトル特性のずれが生じにくく、また、
高調波成分からなるひずみ波形も生じにくい。その結
果、波形整形により得られるパルス信号の間隔のばらつ
きが小さくなる。
【００１２】請求項４に記載の発明によれば、磁気抵抗
素子の出力波形の２次高調波成分をより小さくすること
ができ、被検出対象の運動が良好に検出できる。
素子の出力波形の２次高調波成分をより小さくすること
ができ、被検出対象の運動が良好に検出できる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明を磁気回転検出装置に具体化
した一実施例について、図面に従って説明する。本実施
例の磁気回転検出装置は、例えば内燃機関のクランク角
度に対応した信号を生成するものであって、内燃機関の
運転に伴う被検出対象（ギア）の回転を磁気抵抗素子
（ＭＲＥ）にて検出するセンサ部と、該センサ部の出力
波形を波形整形する信号処理部とから構成されるもので
ある。
した一実施例について、図面に従って説明する。本実施
例の磁気回転検出装置は、例えば内燃機関のクランク角
度に対応した信号を生成するものであって、内燃機関の
運転に伴う被検出対象（ギア）の回転を磁気抵抗素子
（ＭＲＥ）にて検出するセンサ部と、該センサ部の出力
波形を波形整形する信号処理部とから構成されるもので
ある。
【００１４】図１は、磁気回転検出装置の概略を示す構
成図である。図１において、永久磁石からなるバイアス
磁石３は、その一面がＮ極に着磁されると共に、他方の
面がＳ極に着磁されている。バイアス磁石３は着磁面３
ａに対してほぼ垂直方向にバイアス磁界を発生する。Ｍ
ＲＥ１，２は、図示しない基板に蒸着されており、バイ
アス磁石３の発生するバイアス磁界方向と同一面内にお
いて、その磁界方向に対してそれぞれほぼプラス・マイ
ナス４５度で一対配置されている。ＭＲＥ１，２の両端
には定電圧Ｖccが印加されており、ＭＲＥ１，２の中点
電圧がセンサ出力として取り出される（以下、この出力
をＭＲＥ出力という）。なお、この場合、前記バイアス
磁石３は中空状をなし、基板はバイアス磁石３内を貫通
するように配置されているが、バイアス磁石は中空でな
くともよく、基板の表面、裏面に配置してもよい。
成図である。図１において、永久磁石からなるバイアス
磁石３は、その一面がＮ極に着磁されると共に、他方の
面がＳ極に着磁されている。バイアス磁石３は着磁面３
ａに対してほぼ垂直方向にバイアス磁界を発生する。Ｍ
ＲＥ１，２は、図示しない基板に蒸着されており、バイ
アス磁石３の発生するバイアス磁界方向と同一面内にお
いて、その磁界方向に対してそれぞれほぼプラス・マイ
ナス４５度で一対配置されている。ＭＲＥ１，２の両端
には定電圧Ｖccが印加されており、ＭＲＥ１，２の中点
電圧がセンサ出力として取り出される（以下、この出力
をＭＲＥ出力という）。なお、この場合、前記バイアス
磁石３は中空状をなし、基板はバイアス磁石３内を貫通
するように配置されているが、バイアス磁石は中空でな
くともよく、基板の表面、裏面に配置してもよい。
【００１５】一方、被検出対象としてのギア４は磁性材
料からなり、ギア４には多数の歯５が連続的に設けられ
ている。そして、歯５に対向するように前記ＭＲＥ１，
２が配置されている。図２に示すように、歯５は等角度
に延びる２辺からなる２等辺三角形状に形成されてお
り、本実施例の場合、歯間のピッチは４．６ｍｍ、歯高
は２．３ｍｍ、各辺がギア回転方向となす角度は４５度
になっている。
料からなり、ギア４には多数の歯５が連続的に設けられ
ている。そして、歯５に対向するように前記ＭＲＥ１，
２が配置されている。図２に示すように、歯５は等角度
に延びる２辺からなる２等辺三角形状に形成されてお
り、本実施例の場合、歯間のピッチは４．６ｍｍ、歯高
は２．３ｍｍ、各辺がギア回転方向となす角度は４５度
になっている。
【００１６】また、図１において、ＭＲＥ出力は、増幅
器６を介して比較器７の反転入力端子に入力され、しき
い値設定回路９にて設定される所定のしきい値ＶTH1 ，
ＶTH2 で２値化される。しきい値設定回路９では、ＭＲ
Ｅ出力のピーク値（最高値）とボトム値（最低値）とを
両値の電圧差に応じて所定割合（又は所定値）ずらした
値を第１のしきい値ＶTH1 ，第２のしきい値ＶTH2 とし
ている。このとき、比較器７でのＭＲＥ出力の２値化に
よって、ギア４の運動速度に比例した信号エッジが得ら
れる。比較器７の出力は、単安定回路（単安定マルチバ
イブレータ）８に入力され、比較器７による２値化信号
の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応する短
パルス信号が生成される。
器６を介して比較器７の反転入力端子に入力され、しき
い値設定回路９にて設定される所定のしきい値ＶTH1 ，
ＶTH2 で２値化される。しきい値設定回路９では、ＭＲ
Ｅ出力のピーク値（最高値）とボトム値（最低値）とを
両値の電圧差に応じて所定割合（又は所定値）ずらした
値を第１のしきい値ＶTH1 ，第２のしきい値ＶTH2 とし
ている。このとき、比較器７でのＭＲＥ出力の２値化に
よって、ギア４の運動速度に比例した信号エッジが得ら
れる。比較器７の出力は、単安定回路（単安定マルチバ
イブレータ）８に入力され、比較器７による２値化信号
の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに対応する短
パルス信号が生成される。
【００１７】ここで、前記しきい値設定回路９について
詳述する。増幅器６を通過したＭＲＥ出力は、しきい値
設定回路９にてピークホールド回路１０及びボトムホー
ルド回路１１に入力される。抵抗１２〜１５は直列に接
続され、抵抗１２〜１５の両端にピークホールド回路１
０及びボトムホールド回路１１の出力電圧が印加され
る。抵抗１２及び抵抗１５、抵抗１３及び抵抗１４はそ
れぞれ同じ抵抗値を有している。抵抗１３の両端と、抵
抗１４の両端とには、比較器７の信号レベルに応じて導
通又は遮断されるデジタルスイッチ１６，１７が接続さ
れている。そして、抵抗１３と抵抗１４との中点が比較
器７の非反転入力端子に接続されている。比較器７の出
力端子はインバータ１８を介してデジタルスイッチ１６
に接続されると共に、デジタルスイッチ１７に対して直
接接続されている。よって、比較器７の出力によりデジ
タルスイッチ１６，１７のいずれかがＯＮするようにな
っている。
詳述する。増幅器６を通過したＭＲＥ出力は、しきい値
設定回路９にてピークホールド回路１０及びボトムホー
ルド回路１１に入力される。抵抗１２〜１５は直列に接
続され、抵抗１２〜１５の両端にピークホールド回路１
０及びボトムホールド回路１１の出力電圧が印加され
る。抵抗１２及び抵抗１５、抵抗１３及び抵抗１４はそ
れぞれ同じ抵抗値を有している。抵抗１３の両端と、抵
抗１４の両端とには、比較器７の信号レベルに応じて導
通又は遮断されるデジタルスイッチ１６，１７が接続さ
れている。そして、抵抗１３と抵抗１４との中点が比較
器７の非反転入力端子に接続されている。比較器７の出
力端子はインバータ１８を介してデジタルスイッチ１６
に接続されると共に、デジタルスイッチ１７に対して直
接接続されている。よって、比較器７の出力によりデジ
タルスイッチ１６，１７のいずれかがＯＮするようにな
っている。
【００１８】このしきい値設定回路９によれば、ＭＲＥ
出力のピーク値ＶP とボトム値ＶBとの差により決定さ
れる一定割合の変動値「Ａ（ＶP −ＶB ）：但し、係数
Ａは０＜Ａ＜１」だけ、ピーク値ＶP よりも低い第１し
きい値ＶTH1 と、ボトム値ＶB よりも高い第２のしきい
値ＶTH2 とが得られる（ＶTH1 ＝ＶP −Ａ（ＶP −ＶB
），ＶTH2 ＝ＶB ＋Ａ（ＶP −ＶB ））。
出力のピーク値ＶP とボトム値ＶBとの差により決定さ
れる一定割合の変動値「Ａ（ＶP −ＶB ）：但し、係数
Ａは０＜Ａ＜１」だけ、ピーク値ＶP よりも低い第１し
きい値ＶTH1 と、ボトム値ＶB よりも高い第２のしきい
値ＶTH2 とが得られる（ＶTH1 ＝ＶP −Ａ（ＶP −ＶB
），ＶTH2 ＝ＶB ＋Ａ（ＶP −ＶB ））。
【００１９】そして、上述の如く構成された磁気検出装
置では、ギア４が回転すると、その回転に伴い磁気ベク
トルＢがギア４の歯５に引かれて振れる。すると、ＭＲ
Ｅ１，２は磁気ベクトルＢの方向変化に従い抵抗変化を
生じ、一対のＭＲＥ１，２はそれぞれ逆相に作用する。
このとき、ＭＲＥ出力は、図３（ａ）に示す如くほぼ正
弦波となっている。また、ＭＲＥ１，２がバイアス磁界
方向に対してプラス・マイナス４５度で配置されること
でＭＲＥ出力は、より正弦波に近づく。
置では、ギア４が回転すると、その回転に伴い磁気ベク
トルＢがギア４の歯５に引かれて振れる。すると、ＭＲ
Ｅ１，２は磁気ベクトルＢの方向変化に従い抵抗変化を
生じ、一対のＭＲＥ１，２はそれぞれ逆相に作用する。
このとき、ＭＲＥ出力は、図３（ａ）に示す如くほぼ正
弦波となっている。また、ＭＲＥ１，２がバイアス磁界
方向に対してプラス・マイナス４５度で配置されること
でＭＲＥ出力は、より正弦波に近づく。
【００２０】そして、ＭＲＥ出力がしきい値設定回路９
による２つのしきい値ＶTH1 ，ＶTH2 にて比較判定さ
れ、比較器７では図３（ｂ）に示す２値化信号が出力さ
れる。さらに、単安定回路８では、図３（ｃ）に示す如
く、比較器７からの２値化信号の立ち上がりエッジ及び
立ち下がりエッジに対応するパルス信号が生成され出力
される。このパルス信号の間隔により内燃機関のクラン
ク角度が検知され、機関回転情報が得られることにな
る。本実施例の磁気検出装置によれば、図３（ａ）に示
すＭＲＥ出力のひずみが解消されており、ギア４が一定
回転している時、図３（ｃ）に示すパルス信号の信号間
隔がほぼ一定に保持される（Ｔ1 ＝Ｔ2 ＝Ｔ3 ＝Ｔ4
）。
による２つのしきい値ＶTH1 ，ＶTH2 にて比較判定さ
れ、比較器７では図３（ｂ）に示す２値化信号が出力さ
れる。さらに、単安定回路８では、図３（ｃ）に示す如
く、比較器７からの２値化信号の立ち上がりエッジ及び
立ち下がりエッジに対応するパルス信号が生成され出力
される。このパルス信号の間隔により内燃機関のクラン
ク角度が検知され、機関回転情報が得られることにな
る。本実施例の磁気検出装置によれば、図３（ａ）に示
すＭＲＥ出力のひずみが解消されており、ギア４が一定
回転している時、図３（ｃ）に示すパルス信号の信号間
隔がほぼ一定に保持される（Ｔ1 ＝Ｔ2 ＝Ｔ3 ＝Ｔ4
）。
【００２１】ここで、磁気検出装置の検出原理について
説明する。ＭＲＥ出力は、磁気ベクトルＢの振れ角θに
比例して変化する。つまり、図４に示すようにＭＲＥ
１，２に流れる電流方向に平行な磁気ベクトルをＢx 、
電流方向に垂直な磁気ベクトルをＢy とした場合、飽和
領域における抵抗値をそれぞれＲx ，Ｒy とすれば、図
５中のＭＲＥ１，２の抵抗値Ｒ1 ，Ｒ2 は、Viogt-Thom
son の式から次のようになる。
説明する。ＭＲＥ出力は、磁気ベクトルＢの振れ角θに
比例して変化する。つまり、図４に示すようにＭＲＥ
１，２に流れる電流方向に平行な磁気ベクトルをＢx 、
電流方向に垂直な磁気ベクトルをＢy とした場合、飽和
領域における抵抗値をそれぞれＲx ，Ｒy とすれば、図
５中のＭＲＥ１，２の抵抗値Ｒ1 ，Ｒ2 は、Viogt-Thom
son の式から次のようになる。
【００２２】 Ｒ1 ＝Ｒx ・ｃｏｓ2 （４５°＋θ）＋Ｒy ・ｓｉｎ2 （４５°＋θ） Ｒ2 ＝Ｒx ・ｃｏｓ2 （４５°−θ）＋Ｒy ・ｓｉｎ2 （４５°−θ） また、ＭＲＥ出力は次のようになる。
【００２３】 ＭＲＥ出力（交流分）≒（Ｒx −Ｒy ）・Ｖcc・θ／（Ｒx ＋Ｒy ） ＝Ｋ・θ このように、ギア４が回転した時、ＭＲＥ出力は振れ角
θの特性に依存し、所望のＭＲＥ波形を得るには、磁気
ベクトルＢの振れ角θの管理が重要になることが分か
る。
θの特性に依存し、所望のＭＲＥ波形を得るには、磁気
ベクトルＢの振れ角θの管理が重要になることが分か
る。
【００２４】図６（ａ），（ｂ）は、ギア４の歯形状に
対する磁気ベクトルＢの振れと、それに対応する信号波
形との関係を示している。図６（ａ）は本実施例の歯形
状（三角歯）について示し、図６（ｂ）は従来の歯形状
（方形歯）について示している。図中、Ｐ１，Ｐ３，Ｐ
５位置は磁気ベクトルの振れ角θが「０」の位置を、Ｐ
２，Ｐ４位置は振れ角θがプラス・マイナスいずれかの
方向に最大となる位置である。
対する磁気ベクトルＢの振れと、それに対応する信号波
形との関係を示している。図６（ａ）は本実施例の歯形
状（三角歯）について示し、図６（ｂ）は従来の歯形状
（方形歯）について示している。図中、Ｐ１，Ｐ３，Ｐ
５位置は磁気ベクトルの振れ角θが「０」の位置を、Ｐ
２，Ｐ４位置は振れ角θがプラス・マイナスいずれかの
方向に最大となる位置である。
【００２５】この図６によれば（ａ）の場合、Ｐ１〜Ｐ
５位置はほぼ均等な間隔で位置している。そのため、Ｐ
２位置に相当するＭＲＥ出力のピーク位置、及びＰ４位
置に相当するＭＲＥ出力のボトム位置がＰ１，Ｐ３，Ｐ
５位置のいずれか寄りに偏ることはなく、ひずみの少な
い正弦波が得られる。これに対して、（ｂ）の場合、Ｐ
２位置がＰ１位置に寄り、Ｐ４位置がＰ５位置に寄って
いる。そのため、ＭＲＥ出力のピーク位置及びボトム位
置が偏り、その波形にひずみが生じる。要するに、図６
（ａ）に示す磁気ベクトル特性では、ＭＲＥ出力として
正弦波が得られるのに対し、図６（ｂ）に示す磁気ベク
トル特性では、ひずみ波形が得られることになる。
５位置はほぼ均等な間隔で位置している。そのため、Ｐ
２位置に相当するＭＲＥ出力のピーク位置、及びＰ４位
置に相当するＭＲＥ出力のボトム位置がＰ１，Ｐ３，Ｐ
５位置のいずれか寄りに偏ることはなく、ひずみの少な
い正弦波が得られる。これに対して、（ｂ）の場合、Ｐ
２位置がＰ１位置に寄り、Ｐ４位置がＰ５位置に寄って
いる。そのため、ＭＲＥ出力のピーク位置及びボトム位
置が偏り、その波形にひずみが生じる。要するに、図６
（ａ）に示す磁気ベクトル特性では、ＭＲＥ出力として
正弦波が得られるのに対し、図６（ｂ）に示す磁気ベク
トル特性では、ひずみ波形が得られることになる。
【００２６】また、ＭＲＥ出力のひずみの原因として
は、２次高調波成分の影響が挙げられる。つまり、ＭＲ
Ｅ出力は、基本波とひずみ波としての高調波との合成波
であるため、高調波が大きくなるほど、ひずみの度合い
が大きくなる。しかし、本発明者による実験結果によれ
ば、ギア歯形状を三角状にすることで、２次高調波成分
が大幅に低減されるのが確認されている。
は、２次高調波成分の影響が挙げられる。つまり、ＭＲ
Ｅ出力は、基本波とひずみ波としての高調波との合成波
であるため、高調波が大きくなるほど、ひずみの度合い
が大きくなる。しかし、本発明者による実験結果によれ
ば、ギア歯形状を三角状にすることで、２次高調波成分
が大幅に低減されるのが確認されている。
【００２７】一方、図７はギア歯形状と２次高調波成分
との関係を、図８は、ギア歯形状とセンサ出力比との関
係を示している。図７によれば、歯幅が小さくなるほど
２次高調波成分が低下している。図７ではＷ＝２．３ｍ
ｍ（本実施例の場合）で、２次高調波成分がほぼ１％と
なり、Ｗ＜２．３ｍｍで２次高調波成分が１％未満とな
っている。また、図８によれば、歯高Ｈが小さくなるほ
どセンサ出力比が低下している。すなわち、本実施例の
歯形状では、２次高調波成分を小さくすると共にＭＲＥ
出力を高レベルに保持することができる。但し、三角歯
の寸法については種々の要因を考慮して本実施例以外に
も任意に変更できる。
との関係を、図８は、ギア歯形状とセンサ出力比との関
係を示している。図７によれば、歯幅が小さくなるほど
２次高調波成分が低下している。図７ではＷ＝２．３ｍ
ｍ（本実施例の場合）で、２次高調波成分がほぼ１％と
なり、Ｗ＜２．３ｍｍで２次高調波成分が１％未満とな
っている。また、図８によれば、歯高Ｈが小さくなるほ
どセンサ出力比が低下している。すなわち、本実施例の
歯形状では、２次高調波成分を小さくすると共にＭＲＥ
出力を高レベルに保持することができる。但し、三角歯
の寸法については種々の要因を考慮して本実施例以外に
も任意に変更できる。
【００２８】以上、ギア歯形状を三角形状に形成した具
体例について説明したが、本発明に範囲内においてギア
歯形状を以下に示すように形成することもできる。図９
は、ギア歯形状と波形ひずみ量（２次高調波成分）との
関係を示した図である。ここで、図９に示す（ａ）〜
（ｅ）は、歯間のピッチＬp に対して平均歯幅を変化さ
せたものであり、（ａ）はピッチ：歯幅＝２：１の方形
歯、（ｂ）はピッチ：歯幅＝２：１の台形歯、（ｃ）は
ピッチ：歯幅＝３：１の台形歯、（ｄ）はピッチ：歯幅
＝６：１の台形歯、（ｅ）はピッチ：歯幅＝２：１の三
角歯である。
体例について説明したが、本発明に範囲内においてギア
歯形状を以下に示すように形成することもできる。図９
は、ギア歯形状と波形ひずみ量（２次高調波成分）との
関係を示した図である。ここで、図９に示す（ａ）〜
（ｅ）は、歯間のピッチＬp に対して平均歯幅を変化さ
せたものであり、（ａ）はピッチ：歯幅＝２：１の方形
歯、（ｂ）はピッチ：歯幅＝２：１の台形歯、（ｃ）は
ピッチ：歯幅＝３：１の台形歯、（ｄ）はピッチ：歯幅
＝６：１の台形歯、（ｅ）はピッチ：歯幅＝２：１の三
角歯である。
【００２９】図９において、（ａ）〜（ｃ）に示す歯形
状では、２次高調波成分が大きくなりＭＲＥ出力にひず
みを生じさせる原因となるが、（ｄ），（ｅ）に示す歯
形状では、２次高調波成分が小さくＭＲＥ出力に生じる
ひずみが極力抑えられるのが分かる（但し、（ｅ）は上
述した三角歯に同じ）。なお、歯幅を（ｄ）よりも細く
した場合には２次高調波成分がさらに低減されるのが確
認されている。また、（ｄ）に示す比率では、方形歯に
て具体化した場合でも２次高調波成分が十分に小さくな
るのが確認されている。
状では、２次高調波成分が大きくなりＭＲＥ出力にひず
みを生じさせる原因となるが、（ｄ），（ｅ）に示す歯
形状では、２次高調波成分が小さくＭＲＥ出力に生じる
ひずみが極力抑えられるのが分かる（但し、（ｅ）は上
述した三角歯に同じ）。なお、歯幅を（ｄ）よりも細く
した場合には２次高調波成分がさらに低減されるのが確
認されている。また、（ｄ）に示す比率では、方形歯に
て具体化した場合でも２次高調波成分が十分に小さくな
るのが確認されている。
【００３０】つまり、図９から分かるように、ギア歯の
平均幅が歯間のピッチの１／６以下となるようにした場
合、ＭＲＥ出力のひずみを解消してパルス信号の間隔の
ばらつきを小さくすることができ、本発明の目的を達成
することができる。
平均幅が歯間のピッチの１／６以下となるようにした場
合、ＭＲＥ出力のひずみを解消してパルス信号の間隔の
ばらつきを小さくすることができ、本発明の目的を達成
することができる。
【００３１】また、本発明は上記実施例の他に、次の様
態にて具体化することができる。 （１）しきい値設定回路９を例えば図１０や図１１の如
く構成し、上記実施例とは異なるしきい値を設定するこ
ともできる。つまり、図１０に示すしきい値設定回路９
において、ピークホールド回路１０には抵抗２０を介し
て定電流回路２１が接続されている。ボトムホールド回
路１１には抵抗２２を介して定電流回路２３が接続され
ている。この回路によれば、デジタルスイッチ１６が導
通の場合、ＭＲＥ出力のピーク値ＶP から所定の電圧値
ＶO を差し引いた値が第１のしきい値ＶTH1 として設定
され（ＶTH1 ＝ＶP −ＶO ）、デジタルスイッチ１７が
導通の場合、ＭＲＥ出力のボトム値ＶB に所定の電圧値
ＶO を加えた値が第２のしきい値ＶTH2 として設定され
る（ＶTH2 ＝ＶB ＋ＶO ）。
態にて具体化することができる。 （１）しきい値設定回路９を例えば図１０や図１１の如
く構成し、上記実施例とは異なるしきい値を設定するこ
ともできる。つまり、図１０に示すしきい値設定回路９
において、ピークホールド回路１０には抵抗２０を介し
て定電流回路２１が接続されている。ボトムホールド回
路１１には抵抗２２を介して定電流回路２３が接続され
ている。この回路によれば、デジタルスイッチ１６が導
通の場合、ＭＲＥ出力のピーク値ＶP から所定の電圧値
ＶO を差し引いた値が第１のしきい値ＶTH1 として設定
され（ＶTH1 ＝ＶP −ＶO ）、デジタルスイッチ１７が
導通の場合、ＭＲＥ出力のボトム値ＶB に所定の電圧値
ＶO を加えた値が第２のしきい値ＶTH2 として設定され
る（ＶTH2 ＝ＶB ＋ＶO ）。
【００３２】一方、図１１に示すしきい値設定回路９に
おいて、ピークホールド回路１０のピーク電圧とボトム
ホールド回路１１のボトム電圧とは抵抗３０，３１によ
り中心電圧が検出され、該中心電圧が増幅器３２を介し
て抵抗３３，３４の中点に印加される。一方の抵抗３３
とデジタルスイッチ１６との間には定電流回路３５が接
続され、他方の抵抗３４とデジタルスイッチ１７との間
には定電流回路３６が接続されている。この回路によれ
ば、デジタルスイッチ１６が導通の場合、ＭＲＥ出力の
中心電圧に所定の電圧値Ｖ1 を加えた値が第１のしきい
値ＶTH1 として設定され（ＶTH1 ＝（ＶP ＋ＶB ）／２
＋Ｖ1 ）、デジタルスイッチ１７が導通の場合、ＭＲＥ
出力の中心電圧から所定の電圧値Ｖ1 を差し引いた値が
第２のしきい値ＶTH2 として設定される（ＶTH2 ＝（Ｖ
P ＋ＶB ）／２−Ｖ1 ）。
おいて、ピークホールド回路１０のピーク電圧とボトム
ホールド回路１１のボトム電圧とは抵抗３０，３１によ
り中心電圧が検出され、該中心電圧が増幅器３２を介し
て抵抗３３，３４の中点に印加される。一方の抵抗３３
とデジタルスイッチ１６との間には定電流回路３５が接
続され、他方の抵抗３４とデジタルスイッチ１７との間
には定電流回路３６が接続されている。この回路によれ
ば、デジタルスイッチ１６が導通の場合、ＭＲＥ出力の
中心電圧に所定の電圧値Ｖ1 を加えた値が第１のしきい
値ＶTH1 として設定され（ＶTH1 ＝（ＶP ＋ＶB ）／２
＋Ｖ1 ）、デジタルスイッチ１７が導通の場合、ＭＲＥ
出力の中心電圧から所定の電圧値Ｖ1 を差し引いた値が
第２のしきい値ＶTH2 として設定される（ＶTH2 ＝（Ｖ
P ＋ＶB ）／２−Ｖ1 ）。
【００３３】（２）三角歯の先端部にＲ（アール）を設
けてもよい。例えば、図２の場合、０．４〜０．６ｍｍ
以下のＲが許容される。 （３）上記実施例では、回転運動型の磁気検出装置に具
体化したが、直線運動型の磁気検出装置に具体化するこ
とも可能である。
けてもよい。例えば、図２の場合、０．４〜０．６ｍｍ
以下のＲが許容される。 （３）上記実施例では、回転運動型の磁気検出装置に具
体化したが、直線運動型の磁気検出装置に具体化するこ
とも可能である。
【００３４】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、被検出
対象の歯の通過に伴う磁気抵抗素子の信号波形のひずみ
が解消でき、波形整形により得られるパルス信号の間隔
のばらつきを小さくすることができるという優れた効果
を発揮する。
対象の歯の通過に伴う磁気抵抗素子の信号波形のひずみ
が解消でき、波形整形により得られるパルス信号の間隔
のばらつきを小さくすることができるという優れた効果
を発揮する。
【００３５】請求項２に記載の発明によれば、２次高調
波成分を小さくできると共に磁気抵抗素子の高い出力レ
ベルを得ることができる。請求項３に記載の発明によれ
ば、請求項１の効果と同様に、被検出対象の歯の通過に
伴う磁気抵抗素子の信号波形のひずみが解消でき、波形
整形により得られるパルス信号の間隔のばらつきを小さ
くすることができるという効果が得られる。
波成分を小さくできると共に磁気抵抗素子の高い出力レ
ベルを得ることができる。請求項３に記載の発明によれ
ば、請求項１の効果と同様に、被検出対象の歯の通過に
伴う磁気抵抗素子の信号波形のひずみが解消でき、波形
整形により得られるパルス信号の間隔のばらつきを小さ
くすることができるという効果が得られる。
【００３６】請求項４に記載の発明によれば、磁気抵抗
素子の出力波形の２次高調波成分をより小さくすること
ができ、被検出対象の運動を良好に検出することができ
る。
素子の出力波形の２次高調波成分をより小さくすること
ができ、被検出対象の運動を良好に検出することができ
る。
【図１】実施例における磁気回転検出装置を示す概略構
成図である。
成図である。
【図２】ギアの歯形状を示す断面図である。
【図３】信号処理を示すタイミングチャートであり、
（ａ）はＭＲＥ出力、（ｂ）は比較器の出力、（ｃ）は
単安定回路の出力を示している。
（ａ）はＭＲＥ出力、（ｂ）は比較器の出力、（ｃ）は
単安定回路の出力を示している。
【図４】ＭＲＥの方向を示す平面図である。
【図５】ＭＲＥに加わる磁気ベクトルの方向を示す平面
図である。
図である。
【図６】ギアの回転に伴う磁気ベクトルの変化を説明す
るためのタイミングチャートであり、（ａ）は本実施例
のギアについて、（ｂ）は従来のギアについて示してい
る。
るためのタイミングチャートであり、（ａ）は本実施例
のギアについて、（ｂ）は従来のギアについて示してい
る。
【図７】ギア歯形状と２次高調波成分との関係を説明す
るための図であり、（ａ）は歯の断面図、（ｂ）は上記
関係を示す線図である。
るための図であり、（ａ）は歯の断面図、（ｂ）は上記
関係を示す線図である。
【図８】ギア歯形状とセンサ出力比との関係を説明する
ための図であり、（ａ）は歯の断面図、（ｂ）は上記関
係を示す線図である。
ための図であり、（ａ）は歯の断面図、（ｂ）は上記関
係を示す線図である。
【図９】ギア歯形状と波形ひずみ量（２次高調波成分）
との関係を示した図であり、（ａ）〜（ｅ）は、歯間の
ピッチに対して平均歯幅を変化させたものを示してい
る。
との関係を示した図であり、（ａ）〜（ｅ）は、歯間の
ピッチに対して平均歯幅を変化させたものを示してい
る。
【図１０】他の実施例におけるしきい値設定回路を示す
構成図である。
構成図である。
【図１１】他の実施例におけるしきい値設定回路を示す
構成図である。
構成図である。
【図１２】従来技術における磁気検出装置を示す概略構
成図である。
成図である。
【図１３】従来技術における信号処理を示すタイミング
チャートであり、（ａ）はＭＲＥ出力、（ｂ）は比較器
の出力、（ｃ）は単安定回路の出力を示している。
チャートであり、（ａ）はＭＲＥ出力、（ｂ）は比較器
の出力、（ｃ）は単安定回路の出力を示している。
【図１４】従来技術における信号処理を示すタイミング
チャートであり、（ａ）はＭＲＥ出力、（ｂ）は比較器
の出力、（ｃ）は単安定回路の出力を示している。
チャートであり、（ａ）はＭＲＥ出力、（ｂ）は比較器
の出力、（ｃ）は単安定回路の出力を示している。
１，２…ＭＲＥ（磁気抵抗素子）、３…バイアス磁石、
３ａ…着磁面、４…被検出対象としてのギア、５…歯、
７…波形整形手段としての比較器、８…波形整形手段と
しての単安定回路、９…波形整形手段としてのしきい値
設定回路。
３ａ…着磁面、４…被検出対象としてのギア、５…歯、
７…波形整形手段としての比較器、８…波形整形手段と
しての単安定回路、９…波形整形手段としてのしきい値
設定回路。
フロントページの続き (72)発明者 伊澤 一朗 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 磁性材料からなる複数の歯を持った被検
出対象と、 着磁面が前記被検出対象の歯に対向し、当該被検出対象
に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、 前記バイアス磁界中に配置され、前記バイアス磁石から
被検出対象へのバイアス磁界の状態変化に応じて抵抗変
化を生じる磁気抵抗素子と、 前記磁気抵抗素子の出力波形を高低２レベルのしきい値
にて２値化すると共に、その立ち上がりエッジ及び立ち
下がりエッジに対応するパルス信号を生成する波形整形
手段とを備えた磁気検出装置であって、 前記被検出対象に設けられた歯をほぼ２等辺三角形状に
形成したことを特徴とする磁気検出装置。 - 【請求項２】 前記被検出対象に設けられた歯は、運動
方向に対して４５度傾斜した２辺にて構成される請求項
１に記載の磁気検出装置。 - 【請求項３】 磁性材料からなる複数の歯を持った被検
出対象と、 着磁面が前記被検出対象の歯に対向し、当該被検出対象
に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、 前記バイアス磁界中に配置され、前記バイアス磁石から
被検出対象へのバイアス磁界の状態変化に応じて抵抗変
化を生じる磁気抵抗素子と、 前記磁気抵抗素子の出力波形を高低２レベルのしきい値
にて２値化すると共に、その立ち上がりエッジ及び立ち
下がりエッジに対応するパルス信号を生成する波形整形
手段とを備えた磁気検出装置であって、 前記被検出対象に設けられた歯をその平均幅が歯間のピ
ッチの１／６以下となるように形成したことを特徴とす
る磁気検出装置。 - 【請求項４】 前記磁気抵抗素子は少なくとも一対のパ
ターンで形成され、同一の磁界内で互いに交差する角度
関係を有すると共に、バイアス磁界方向となす角度がほ
ぼ４５度である請求項１〜３のいずれかに記載の磁気検
出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21892994A JP3368681B2 (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 磁気検出装置 |
| US08/527,200 US5729127A (en) | 1994-09-13 | 1995-09-12 | Magnetism detecting apparatus having gear teeth dimensions for minimal pulse signal distortion |
| DE19533964A DE19533964B4 (de) | 1994-09-13 | 1995-09-13 | Magnetismuserfassungsvorrichtung, die zur Unterdrückung von Schwankungen von Impulssignal-Intervallen in der Lage ist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21892994A JP3368681B2 (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 磁気検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0882634A true JPH0882634A (ja) | 1996-03-26 |
| JP3368681B2 JP3368681B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=16727538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21892994A Expired - Lifetime JP3368681B2 (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 磁気検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5729127A (ja) |
| JP (1) | JP3368681B2 (ja) |
| DE (1) | DE19533964B4 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011141179A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Toyota Central R&D Labs Inc | 電圧処理回路 |
| CN110657029A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 普拉特 - 惠特尼加拿大公司 | 具有输出电压调谐的音轮 |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3456041B2 (ja) * | 1995-01-12 | 2003-10-14 | 株式会社デンソー | センサ信号処理装置 |
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