JPH0881766A - 酸化インジウム−酸化スズ−粉末混合物を基礎とする、カソードスパッタリング用の部分的に還元されたスパッタターゲットの製法及びそのようにして製造されたターゲット - Google Patents
酸化インジウム−酸化スズ−粉末混合物を基礎とする、カソードスパッタリング用の部分的に還元されたスパッタターゲットの製法及びそのようにして製造されたターゲットInfo
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
- C04B35/457—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates based on tin oxides or stannates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化インジウム−酸化スズ−粉末混合物を基
礎とする、カソードスパッタリング用の部分的に還元さ
れたスパッタターゲットの製法。 【構成】 酸化インジウム−酸化スズ−粉末混合物を基
礎とする、カソードスパッタリング用の部分的に還元さ
れたスパッタターゲットは、スズ含有成分を部分的に又
は完全にＳｎＯから形成し、かつスパッタターゲットの
還元度を簡単かつ再生可能な方法で調整するために、圧
縮前にＩｎ2Ｏ3と一緒に混合処理を施して、加圧支持焼
結を用いて製造する。
礎とする、カソードスパッタリング用の部分的に還元さ
れたスパッタターゲットの製法。 【構成】 酸化インジウム−酸化スズ−粉末混合物を基
礎とする、カソードスパッタリング用の部分的に還元さ
れたスパッタターゲットは、スズ含有成分を部分的に又
は完全にＳｎＯから形成し、かつスパッタターゲットの
還元度を簡単かつ再生可能な方法で調整するために、圧
縮前にＩｎ2Ｏ3と一緒に混合処理を施して、加圧支持焼
結を用いて製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化インジウム−酸化
スズ−粉末混合物を基礎とする、カソードスパッタリン
グ用の部分的に還元されたスパッタターゲットの加圧支
持焼結を用いる製法に関する。
スズ−粉末混合物を基礎とする、カソードスパッタリン
グ用の部分的に還元されたスパッタターゲットの加圧支
持焼結を用いる製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化インジウム−酸化スズからなる酸化
物磁器ターゲット（ＩＴＯ）は、透明な導電性薄層をカ
ソードスパッタリング（Sputtern)により製造するため
に使用される。そのような層は、特に平版写真技術(Fla
chbildtechnik)で使用される。酸化インジウム−酸化ス
ズ−薄層は、酸素反応性雰囲気中での金属ターゲットの
スパッタリングによるか又は酸化物磁器ターゲットのス
パッタリングにより製造することができる。
物磁器ターゲット（ＩＴＯ）は、透明な導電性薄層をカ
ソードスパッタリング（Sputtern)により製造するため
に使用される。そのような層は、特に平版写真技術(Fla
chbildtechnik)で使用される。酸化インジウム−酸化ス
ズ−薄層は、酸素反応性雰囲気中での金属ターゲットの
スパッタリングによるか又は酸化物磁器ターゲットのス
パッタリングにより製造することができる。
【０００３】僅かの酸素流量の場合のスパッタ工程の調
整は、金属ターゲットを用いるスパッタリングの場合に
必要であるような高い酸素流量の場合よりも、スパッタ
室中でより容易に可能であることが、酸化物磁器ターゲ
ットを用いるスパッタ工程の利点である。Ｉｎ2Ｏ3＋Ｓ
ｎＯ2からなる完全酸化物ターゲットに比べ、化学量論
を下まわる酸素含有率を有するターゲットは、層導電率
を決定する酸素含有率を、層のスパッタリングの間、よ
り大きな範囲で調整できる利点を提供する。更に、この
部分的に還元されたターゲットの場合は、完全酸化物タ
ーゲットの場合よりも、作業範囲、即ち最適な層導電率
の範囲は、酸素流量に依存してより広い。
整は、金属ターゲットを用いるスパッタリングの場合に
必要であるような高い酸素流量の場合よりも、スパッタ
室中でより容易に可能であることが、酸化物磁器ターゲ
ットを用いるスパッタ工程の利点である。Ｉｎ2Ｏ3＋Ｓ
ｎＯ2からなる完全酸化物ターゲットに比べ、化学量論
を下まわる酸素含有率を有するターゲットは、層導電率
を決定する酸素含有率を、層のスパッタリングの間、よ
り大きな範囲で調整できる利点を提供する。更に、この
部分的に還元されたターゲットの場合は、完全酸化物タ
ーゲットの場合よりも、作業範囲、即ち最適な層導電率
の範囲は、酸素流量に依存してより広い。
【０００４】西独特許（ＤＥ−ＯＳ）第３３００５２５
号明細書中に、部分的に還元された酸化インジウム−酸
化スズ−ターゲット及びその製造が記載されている。そ
れによれば、酸化インジウム−酸化スズ−粉末混合物
は、還元条件下で、８５０℃〜１０００℃で高温圧縮さ
れ、その際、酸化物は、グラファイト熱プレス型中で又
は炭素又は炭素遊離有機材料の添加により高温圧縮され
る。この圧縮工程の間、酸化物は部分的に還元されるの
で、化学量論的組成に比べ酸素含有率の減じたターゲッ
トが生じる。
号明細書中に、部分的に還元された酸化インジウム−酸
化スズ−ターゲット及びその製造が記載されている。そ
れによれば、酸化インジウム−酸化スズ−粉末混合物
は、還元条件下で、８５０℃〜１０００℃で高温圧縮さ
れ、その際、酸化物は、グラファイト熱プレス型中で又
は炭素又は炭素遊離有機材料の添加により高温圧縮され
る。この圧縮工程の間、酸化物は部分的に還元されるの
で、化学量論的組成に比べ酸素含有率の減じたターゲッ
トが生じる。
【０００５】この方法を用いて、密度＜理論的密度（Ｔ
Ｄ）の９１％、より劣悪な導電率（ρ＝０．１〜０．６
Ωｃｍ）及び不十分な機械的安定性を有するターゲット
を製造することができる。３つのファクター全ては、ス
パッタターゲットとしての使用に対しマイナスに作用す
る。更に、この方法で、還元度を再生可能に調整し、か
つターゲット上を均一に調整することは難しい。
Ｄ）の９１％、より劣悪な導電率（ρ＝０．１〜０．６
Ωｃｍ）及び不十分な機械的安定性を有するターゲット
を製造することができる。３つのファクター全ては、ス
パッタターゲットとしての使用に対しマイナスに作用す
る。更に、この方法で、還元度を再生可能に調整し、か
つターゲット上を均一に調整することは難しい。
【０００６】西独特許第４１２４４７１号明細書中に、
ＩＴＯ−ターゲットの製法が記載されており、そこで
は、非常に一様な還元度を有するターゲットが、予め還
元された粉末の使用により高温圧縮又は高温等圧圧縮に
より製造することができる。しかしながら、粉末還元の
工程は非常に時間及び費用がかかることが判明してい
る。更に、還元度の十分良好な再生可能性を達成するた
めに、より高い出費が必要である。
ＩＴＯ−ターゲットの製法が記載されており、そこで
は、非常に一様な還元度を有するターゲットが、予め還
元された粉末の使用により高温圧縮又は高温等圧圧縮に
より製造することができる。しかしながら、粉末還元の
工程は非常に時間及び費用がかかることが判明してい
る。更に、還元度の十分良好な再生可能性を達成するた
めに、より高い出費が必要である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、ターゲットの還元度を簡単で再生可能な方法で調整
できる、カソードスパッタリング用の高密度で部分的に
還元された酸化インジウム−酸化スズ−ターゲットの製
法を得ることである。
は、ターゲットの還元度を簡単で再生可能な方法で調整
できる、カソードスパッタリング用の高密度で部分的に
還元された酸化インジウム−酸化スズ−ターゲットの製
法を得ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
り、スズ含有成分を少なくとも一部分ＳｎＯから形成
し、かつ圧縮前にＩｎ2Ｏ3と一緒に混合処理を施すこと
により解決される。他の詳細及び特徴は特許請求項から
明らかとなる。
り、スズ含有成分を少なくとも一部分ＳｎＯから形成
し、かつ圧縮前にＩｎ2Ｏ3と一緒に混合処理を施すこと
により解決される。他の詳細及び特徴は特許請求項から
明らかとなる。
【０００９】本発明による解決により、粉末還元の費用
のかかる難しい工程は不必要となるに至った。更に、前
記の還元度の保持は簡単となる。層製造の際に、後者は
大きな利点も有する。それというのも、ターゲットの一
定の還元度の場合にのみ、層製造の際の一定の条件、特
にスパッタ工程での一定の酸素流量を用いても作業する
ことができるからである。
のかかる難しい工程は不必要となるに至った。更に、前
記の還元度の保持は簡単となる。層製造の際に、後者は
大きな利点も有する。それというのも、ターゲットの一
定の還元度の場合にのみ、層製造の際の一定の条件、特
にスパッタ工程での一定の酸素流量を用いても作業する
ことができるからである。
【００１０】意想外にも、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2及びＳｎ
Ｏからの混合物の加圧支持焼結により高密度及び機械的
に安定なターゲットを製造することができ、その際、次
式：
Ｏからの混合物の加圧支持焼結により高密度及び機械的
に安定なターゲットを製造することができ、その際、次
式：
【００１１】
【数１】
【００１２】（ｘ：完全酸化物のターゲットのＳｎＯ2
の重量部；例えばＩＴＯ ９０／１０についてはｘ＝
０．１）で定義された還元度は、ＳｎＯ2をＳｎＯで部
分的又は完全に置換することによってのみ調整すること
ができる。通常使用される化学量論Ｉｎ2Ｏ3９０重量％
＋ＳｎＯ2１０重量％に関しては、例えば還元度０〜
６．０％が可能である。
の重量部；例えばＩＴＯ ９０／１０についてはｘ＝
０．１）で定義された還元度は、ＳｎＯ2をＳｎＯで部
分的又は完全に置換することによってのみ調整すること
ができる。通常使用される化学量論Ｉｎ2Ｏ3９０重量％
＋ＳｎＯ2１０重量％に関しては、例えば還元度０〜
６．０％が可能である。
【００１３】混合のためには、慣用法、例えばロールミ
キサー、Ｖ−ミキサー、ボールミル、非対称運動ミキサ
ー(Taumelmischer)、ドラムミキサー等々を使用でき、
その際、粉末の流動性に応じて、例えばＨ2Ｏ又は有機
液体を用いて湿めらすか又は乾燥させて、混合を行うこ
とができる。加圧支持焼結は、高温圧縮並びに高温等圧
圧縮で行うことができる。その際、５００〜１２００℃
及び圧力少なくとも１００バールで緊密化を行うべきで
ある。高密度は、有利に、１０００バールより高い圧力
で得られる。
キサー、Ｖ−ミキサー、ボールミル、非対称運動ミキサ
ー(Taumelmischer)、ドラムミキサー等々を使用でき、
その際、粉末の流動性に応じて、例えばＨ2Ｏ又は有機
液体を用いて湿めらすか又は乾燥させて、混合を行うこ
とができる。加圧支持焼結は、高温圧縮並びに高温等圧
圧縮で行うことができる。その際、５００〜１２００℃
及び圧力少なくとも１００バールで緊密化を行うべきで
ある。高密度は、有利に、１０００バールより高い圧力
で得られる。
【００１４】
【実施例】次の実施例により本発明によるターゲットの
製造を詳説する。
製造を詳説する。
【００１５】例１：６％還元されたＩＴＯ（１０）混合
物のために、Ｉｎ2Ｏ3９００ｇ及びＳｎＯ８９．４ｇ
を、非対称運動ミキサー中で６０分間混合した。そうし
て得られた粉末を先ず低温等圧で前圧縮し、引き続い
て、内張りされたスチール罐中で、高温等圧圧縮機で、
８５０℃及び２００ＭＰａで３時間緊密化した。得られ
た酸化インジウム−酸化スズ−物質は、理論的密度の９
６％に相当する６．８７ｇ／ｃｍ3の密度を有し、かつ
還元度５．９％を有した。機械的処理は、問題無く実施
することができた。ターゲットのスパッタリングの間、
「アーキング(Arcing)」は観察されなかった。スパッタ
率は、他の高密度の部分還元されたＩＴＯ−ターゲット
に関し発見されたものと比較可能であった。
物のために、Ｉｎ2Ｏ3９００ｇ及びＳｎＯ８９．４ｇ
を、非対称運動ミキサー中で６０分間混合した。そうし
て得られた粉末を先ず低温等圧で前圧縮し、引き続い
て、内張りされたスチール罐中で、高温等圧圧縮機で、
８５０℃及び２００ＭＰａで３時間緊密化した。得られ
た酸化インジウム−酸化スズ−物質は、理論的密度の９
６％に相当する６．８７ｇ／ｃｍ3の密度を有し、かつ
還元度５．９％を有した。機械的処理は、問題無く実施
することができた。ターゲットのスパッタリングの間、
「アーキング(Arcing)」は観察されなかった。スパッタ
率は、他の高密度の部分還元されたＩＴＯ−ターゲット
に関し発見されたものと比較可能であった。
【００１６】例２：６％還元されたＩＴＯ（１９）混合
物のために、Ｉｎ2Ｏ3９００ｇ及びＳｎＯ８９．４ｇ
を、セラミックボールの添加下に、ボールミル中で３０
分間混合した。そうして得られた粉末をＢＮで被覆され
たグラファイト型中に流し込み、引き続いて、高温圧縮
機で、アルゴン雰囲気下に９００℃で最大圧縮圧１８０
ＭＰａを用いて圧縮した。そうして得られた平板は、理
論的密度の８９％に相当する６．３７ｇ／ｃｍ3の密度
を有した。解析された還元度は、６．８％であった。機
械的処理は、問題なく実施することができた。ターゲッ
トのスパッタリングの間、非常にまばらな「アーキン
グ」のみ観察された。スパッタ率は、類似密度の他のＩ
ＴＯ−ターゲットに関し発見されたものと比較可能であ
った。
物のために、Ｉｎ2Ｏ3９００ｇ及びＳｎＯ８９．４ｇ
を、セラミックボールの添加下に、ボールミル中で３０
分間混合した。そうして得られた粉末をＢＮで被覆され
たグラファイト型中に流し込み、引き続いて、高温圧縮
機で、アルゴン雰囲気下に９００℃で最大圧縮圧１８０
ＭＰａを用いて圧縮した。そうして得られた平板は、理
論的密度の８９％に相当する６．３７ｇ／ｃｍ3の密度
を有した。解析された還元度は、６．８％であった。機
械的処理は、問題なく実施することができた。ターゲッ
トのスパッタリングの間、非常にまばらな「アーキン
グ」のみ観察された。スパッタ率は、類似密度の他のＩ
ＴＯ−ターゲットに関し発見されたものと比較可能であ
った。
【００１７】例３：３％還元されたＩＴＯ（１０）混合
物のために、Ｉｎ2Ｏ3９００ｇ、ＳｎＯ2５０ｇ及びＳ
ｎＯ４４．７ｇを、ドラム中のローラー台上で３時間混
合した。そうして得られた粉末を先ず低温等圧で前圧縮
し、引き続いて、内張りされた銅罐中で、高温等圧圧縮
機で、７５０℃及び圧力２００ＭＰａで緊密化した。得
られた酸化インジウム−酸化スズ−物質は、理論的密度
の９７％に相当する６．９５ｇ／ｃｍ3の密度を有し、
かつ還元度２．９％を有した。機械的処理は、問題無く
実施することができた。ターゲットのスパッタリングの
間、「アーキング」は観察されなかった。スパッタ率
は、他の高密度の部分還元されたＩＴＯ−ターゲットに
関し発見されたものと比較可能であった。
物のために、Ｉｎ2Ｏ3９００ｇ、ＳｎＯ2５０ｇ及びＳ
ｎＯ４４．７ｇを、ドラム中のローラー台上で３時間混
合した。そうして得られた粉末を先ず低温等圧で前圧縮
し、引き続いて、内張りされた銅罐中で、高温等圧圧縮
機で、７５０℃及び圧力２００ＭＰａで緊密化した。得
られた酸化インジウム−酸化スズ−物質は、理論的密度
の９７％に相当する６．９５ｇ／ｃｍ3の密度を有し、
かつ還元度２．９％を有した。機械的処理は、問題無く
実施することができた。ターゲットのスパッタリングの
間、「アーキング」は観察されなかった。スパッタ率
は、他の高密度の部分還元されたＩＴＯ−ターゲットに
関し発見されたものと比較可能であった。
【００１８】例４３％還元されたＩＴＯ（５）混合物の
ために、Ｉｎ2Ｏ3９５０ｇ及びＳｎＯ４４．７ｇを、非
対称運動ミキサー中で６０分間混合した。そうして得ら
れた粉末を低温等圧で前圧縮し、引き続いて、内張りさ
れたスチール罐中で、高温等圧圧縮機で、８００℃及び
圧力２００ＭＰａで緊密化した。得られた酸化インジウ
ム−酸化スズ−物質は、理論的密度の９７％に相当する
６．９４ｇ／ｃｍ3の密度を有し、かつ還元度２．９％
を有した。機械的処理は、問題無く実施することができ
た。ターゲットのスパッタリングの間、「アーキング」
は観察されなかった。スパッタ率は、他の高密度の部分
還元されたＩＴＯ−ターゲットに関し発見されたものと
比較可能であった。
ために、Ｉｎ2Ｏ3９５０ｇ及びＳｎＯ４４．７ｇを、非
対称運動ミキサー中で６０分間混合した。そうして得ら
れた粉末を低温等圧で前圧縮し、引き続いて、内張りさ
れたスチール罐中で、高温等圧圧縮機で、８００℃及び
圧力２００ＭＰａで緊密化した。得られた酸化インジウ
ム−酸化スズ−物質は、理論的密度の９７％に相当する
６．９４ｇ／ｃｍ3の密度を有し、かつ還元度２．９％
を有した。機械的処理は、問題無く実施することができ
た。ターゲットのスパッタリングの間、「アーキング」
は観察されなかった。スパッタ率は、他の高密度の部分
還元されたＩＴＯ−ターゲットに関し発見されたものと
比較可能であった。
【００１９】例５：３％還元されたＩＴＯ（５）混合物
のために、Ｉｎ2Ｏ3９５０ｇ及びＳｎＯ４４．７ｇを、
ドラム中のローラー台上で６時間混合した。そうして得
られた粉末をＢＮで被覆されたグラファイト型中に流し
込み、引き続いて、高温圧縮機で、アルゴン雰囲気下に
９２０℃で最大圧縮圧１５０ＭＰａを用いて圧縮した。
そうして得られた平板は、理論的密度の８７％に相当す
る６．２３ｇ／ｃｍ3の密度を有した。還元度は４％で
あった。機械的処理は、問題なく実施することができ
た。ターゲットのスパッタリングの間、非常にまばらな
「アーキング」のみ観察された。スパッタ率は、類似密
度の他のＩＴＯ−ターゲットに関し発見されたものと比
較可能であった。
のために、Ｉｎ2Ｏ3９５０ｇ及びＳｎＯ４４．７ｇを、
ドラム中のローラー台上で６時間混合した。そうして得
られた粉末をＢＮで被覆されたグラファイト型中に流し
込み、引き続いて、高温圧縮機で、アルゴン雰囲気下に
９２０℃で最大圧縮圧１５０ＭＰａを用いて圧縮した。
そうして得られた平板は、理論的密度の８７％に相当す
る６．２３ｇ／ｃｍ3の密度を有した。還元度は４％で
あった。機械的処理は、問題なく実施することができ
た。ターゲットのスパッタリングの間、非常にまばらな
「アーキング」のみ観察された。スパッタ率は、類似密
度の他のＩＴＯ−ターゲットに関し発見されたものと比
較可能であった。
【手続補正書】
【提出日】平成７年４月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】（ｘ：完全酸化物のターゲットのＳｎＯ２
の重量部；例えばＩＴＯ ９０／１０についてはｘ＝
０．１）で定義された還元度は、ＳｎＯ２をＳｎＯで部
分的又は完全に置換するだけで調整できることが判明し
た。通常使用される化学量論Ｉｎ２Ｏ３９０重量％＋Ｓ
ｎＯ２１０重量％に関しては、例えば還元度０〜６．０
％が可能である。
の重量部；例えばＩＴＯ ９０／１０についてはｘ＝
０．１）で定義された還元度は、ＳｎＯ２をＳｎＯで部
分的又は完全に置換するだけで調整できることが判明し
た。通常使用される化学量論Ｉｎ２Ｏ３９０重量％＋Ｓ
ｎＯ２１０重量％に関しては、例えば還元度０〜６．０
％が可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｄ 8939−4Ｋ Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ 9545−4Ｍ (72)発明者 マルティン ヴァイゲルト ドイツ連邦共和国 ハーナウ レントゲン シュトラーセ ２ (72)発明者 ヴォルフガンク ダウト ドイツ連邦共和国 フランクフルト アム マイン グローセ リッターガッセ ７ (72)発明者 ブルース ゲーマン アメリカ合衆国 カリフォルニア モーガ ン ヒル レイクヴュウドライヴ 17430
Claims (3)
- 【請求項１】 加圧支持焼結を用いて、酸化インジウム
−酸化スズ−粉末混合物を基礎とする、カソードスパッ
タリング用の部分的に還元されたスパッタターゲットを
製造する際に、スズ含有成分を少なくとも一部分ＳｎＯ
から形成し、かつ圧縮前にＩｎ2Ｏ3と一緒に混合処理を
施すことを特徴とする、酸化インジウム−酸化スズ−粉
末混合物を基礎とする、カソードスパッタリング用の部
分的に還元されたスパッタターゲットの製法。 - 【請求項２】 加圧支持焼結を用いて、酸化インジウム
−酸化スズ−粉末混合物を基礎とする、カソードスパッ
タリング用の部分的に還元されたスパッタターゲットを
製造する際に、スズ含有成分を完全にＳｎＯから形成
し、かつ圧縮前にＳｎＯ2及びＩｎ2Ｏ3と一緒に混合処
理を施すことを特徴とする、酸化インジウム−酸化スズ
−粉末混合物を基礎とする、カソードスパッタリング用
の部分的に還元されたスパッタターゲットの製法。 - 【請求項３】 透明な導電性層の製造のための部分的に
還元された酸化インジウム−酸化スズ−スパッタターゲ
ットにおいて、ターゲットが、請求項１又は２記載の方
法により製造されることを特徴とする、部分的に還元さ
れた酸化インジウム−酸化スズ−スパッタターゲット。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4413344A DE4413344A1 (de) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | Verfahren zur Herstellung teilreduzierter Indiumoxid-Zinnoxid Targets |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0881766A true JPH0881766A (ja) | 1996-03-26 |
| JP2929519B2 JP2929519B2 (ja) | 1999-08-03 |
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| EP (1) | EP0678591B1 (ja) |
| JP (1) | JP2929519B2 (ja) |
| DE (2) | DE4413344A1 (ja) |
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| DE68924095T2 (de) * | 1988-05-16 | 1996-04-04 | Tosoh Corp | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets zur Erzeugung einer elektrisch leitenden, durchsichtigen Schicht. |
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-
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- 1994-04-18 DE DE4413344A patent/DE4413344A1/de not_active Withdrawn
- 1994-11-22 DE DE59406136T patent/DE59406136D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-22 EP EP94118341A patent/EP0678591B1/de not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-02-06 US US08/384,181 patent/US5531948A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-18 JP JP7092888A patent/JP2929519B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPH03295114A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜形成用ターゲット |
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| US5531948A (en) | 1996-07-02 |
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