JPH0879961A - ディジタルリレー用整定値メモリーの分割使用方法 - Google Patents
ディジタルリレー用整定値メモリーの分割使用方法Info
- Publication number
- JPH0879961A JPH0879961A JP6210330A JP21033094A JPH0879961A JP H0879961 A JPH0879961 A JP H0879961A JP 6210330 A JP6210330 A JP 6210330A JP 21033094 A JP21033094 A JP 21033094A JP H0879961 A JPH0879961 A JP H0879961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sum
- stored
- ram
- value
- nonvolatile ram
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ディジタルリレーに使用している不揮発ＲＡＭ
に部分的な欠陥が有るのを発見すれば、この欠陥部分を
避けて使用することにより電力系統の運転中断や当該リ
レーの交換などを極力回避できるようにすることにあ
る。 【構成】不揮発ＲＡＭ５を予め複数の領域に分割してお
き、バッファＲＡＭ３から転送されたデータを第１の領
域に格納する。第１領域の格納データを読み出してサム
チェックをした結果が不一致ならばこの第１領域に欠陥
有りと判断するが、不揮発ＲＡＭ５の不良警報は出力せ
ず、バッファＲＡＭ３のデータを不揮発ＲＡＭ５の第２
の領域に転送してそのまま使用を継続する。第２領域に
欠陥が生じれば第３の領域へと順次データの転送を続け
て、全ての領域で欠陥を生じた場合にのみ不揮発ＲＡＭ
５の不良警報を出力する。
に部分的な欠陥が有るのを発見すれば、この欠陥部分を
避けて使用することにより電力系統の運転中断や当該リ
レーの交換などを極力回避できるようにすることにあ
る。 【構成】不揮発ＲＡＭ５を予め複数の領域に分割してお
き、バッファＲＡＭ３から転送されたデータを第１の領
域に格納する。第１領域の格納データを読み出してサム
チェックをした結果が不一致ならばこの第１領域に欠陥
有りと判断するが、不揮発ＲＡＭ５の不良警報は出力せ
ず、バッファＲＡＭ３のデータを不揮発ＲＡＭ５の第２
の領域に転送してそのまま使用を継続する。第２領域に
欠陥が生じれば第３の領域へと順次データの転送を続け
て、全ての領域で欠陥を生じた場合にのみ不揮発ＲＡＭ
５の不良警報を出力する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ディジタルリレーに
備えている不揮発性メモリーを複数の領域に分割するこ
とで、当該不揮発ＲＡＭの部分的な故障に対応できるデ
ィジタルリレー用整定値メモリーの分割使用方法に関す
る。
備えている不揮発性メモリーを複数の領域に分割するこ
とで、当該不揮発ＲＡＭの部分的な故障に対応できるデ
ィジタルリレー用整定値メモリーの分割使用方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電力系統の電圧・電流などの電気量を検
出して、この電気量が予め定めている範囲を外れた場合
は、この電力系統に異常が生じたと判断して警報や適切
な処置を施す指令を発する等により当該電力系統を保護
するのが保護リレーである。従来の保護リレーは検出し
たアナログ量の電気量をそのまま処理をしていたが、最
近は入力する電気量をディジタル量に変換して処理動作
を行うディジタルリレーが多用されるようになってきて
いる。ディジタルリレーはアナログリレーに比べて処理
速度を向上できるし高精度の処理が行えるので、電力系
統の複雑化に伴って高度な処理動作が要求されるように
なってきているが、この要求の高度化にも対応すること
が可能になる。
出して、この電気量が予め定めている範囲を外れた場合
は、この電力系統に異常が生じたと判断して警報や適切
な処置を施す指令を発する等により当該電力系統を保護
するのが保護リレーである。従来の保護リレーは検出し
たアナログ量の電気量をそのまま処理をしていたが、最
近は入力する電気量をディジタル量に変換して処理動作
を行うディジタルリレーが多用されるようになってきて
いる。ディジタルリレーはアナログリレーに比べて処理
速度を向上できるし高精度の処理が行えるので、電力系
統の複雑化に伴って高度な処理動作が要求されるように
なってきているが、この要求の高度化にも対応すること
が可能になる。
【０００３】ディジタルリレーの動作の概略は次のとお
りである。即ち、電力系統から入力するアナログ量の交
流信号を一定の時間間隔でサンプリングした後、アナロ
グ／ディジタル変換器によりディジタル量に変換して内
蔵しているマイクロコンピュータに与える。マイクロコ
ンピュータはこれら交流入力信号と、当該ディジタルリ
レーに内蔵したメモリーが記憶している整定値とを演算
処理することにより、保護動作を実現する。この整定値
がディジタルリレーの特性を決める役割を果たしてい
る。
りである。即ち、電力系統から入力するアナログ量の交
流信号を一定の時間間隔でサンプリングした後、アナロ
グ／ディジタル変換器によりディジタル量に変換して内
蔵しているマイクロコンピュータに与える。マイクロコ
ンピュータはこれら交流入力信号と、当該ディジタルリ
レーに内蔵したメモリーが記憶している整定値とを演算
処理することにより、保護動作を実現する。この整定値
がディジタルリレーの特性を決める役割を果たしてい
る。
【０００４】図３はディジタルリレーの従来のメモリー
の使用方法を示したブロック図である。前述したよう
に、当該ディジタルリレーの特性を決める複数（図３で
はＮ個）の整定値が整定操作部２の指令に従って、順次
バッファランダムアクセスメモリー（以下ではバッファ
ＲＡＭと記述する）３へ入力する。このときＮ個の整定
値の総和であるサム値も計算する。このサム値もバッフ
ァＲＡＭ３へ格納する。全ての整定値とそのサム値との
バッファＲＡＭ３への整定操作が完了すれば、これらは
一括して電気的に書換え可能で電源がオフしても記憶を
喪失しないランダムアクセスメモリー（以下では不揮発
ＲＡＭと記述する）４へ転送する。不揮発ＲＡＭ４は停
電しても書き込んだデータを保持することができるし、
整定値を変更したい場合は書換えも可能であるから、電
力系統を保護するディジタルリレーに使用してその機能
を満足させることができる。
の使用方法を示したブロック図である。前述したよう
に、当該ディジタルリレーの特性を決める複数（図３で
はＮ個）の整定値が整定操作部２の指令に従って、順次
バッファランダムアクセスメモリー（以下ではバッファ
ＲＡＭと記述する）３へ入力する。このときＮ個の整定
値の総和であるサム値も計算する。このサム値もバッフ
ァＲＡＭ３へ格納する。全ての整定値とそのサム値との
バッファＲＡＭ３への整定操作が完了すれば、これらは
一括して電気的に書換え可能で電源がオフしても記憶を
喪失しないランダムアクセスメモリー（以下では不揮発
ＲＡＭと記述する）４へ転送する。不揮発ＲＡＭ４は停
電しても書き込んだデータを保持することができるし、
整定値を変更したい場合は書換えも可能であるから、電
力系統を保護するディジタルリレーに使用してその機能
を満足させることができる。
【０００５】図４は図３で既述のディジタルリレーの従
来のメモリーの使用方法を示したフローチャートであ
る。図４のフローチャートにおいて、各整定値はバッフ
ァＲＡＭ３に格納（処理１１）されるが、更に各整定値
のサム値も演算して当該バッファＲＡＭ３に格納（処理
１２）され、次いで各整定値とサム値とを不揮発ＲＡＭ
４へ転送（処理１３）する。データ読み出し指令が発令
（処理１４）されると不揮発ＲＡＭ４に格納した各整定
値を読み出し（処理１５）、この読み出した各整定値の
サム値を演算（処理１６）する。読み出した各整定値か
ら演算したサム値と不揮発ＲＡＭ４に格納してあるサム
値とが一致するか否かのサムチェック（判断１８）を行
うが、不一致ならば不揮発ＲＡＭ４不良の警報信号が発
令（処理１７）となる。
来のメモリーの使用方法を示したフローチャートであ
る。図４のフローチャートにおいて、各整定値はバッフ
ァＲＡＭ３に格納（処理１１）されるが、更に各整定値
のサム値も演算して当該バッファＲＡＭ３に格納（処理
１２）され、次いで各整定値とサム値とを不揮発ＲＡＭ
４へ転送（処理１３）する。データ読み出し指令が発令
（処理１４）されると不揮発ＲＡＭ４に格納した各整定
値を読み出し（処理１５）、この読み出した各整定値の
サム値を演算（処理１６）する。読み出した各整定値か
ら演算したサム値と不揮発ＲＡＭ４に格納してあるサム
値とが一致するか否かのサムチェック（判断１８）を行
うが、不一致ならば不揮発ＲＡＭ４不良の警報信号が発
令（処理１７）となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】不揮発ＲＡＭ４は停電
しても記憶したデータを維持できるしデータの書換えも
可能であるとは言うものの、データ保持年数には限度が
あるし、データの書換え回数にも制限がある。即ち寿命
を越えて使用することは出来ない。又、不揮発ＲＡＭ４
の部分的な欠陥のために寿命が到来するよりも前に記憶
したデータが損なわてしまうこともある。サムチェック
はこのような寿命の到来や欠陥の発生を検出する方法と
して使われている。不揮発ＲＡＭ４に不良部分があれば
当該ディジタルリレーはその機能を発揮できないから電
力系統に異常を生じても保護できないので、大事故にな
る恐れがある。よってディジタルリレーを良品と交換す
るか、それとも電力系統の運転を一時中止して不良の不
揮発ＲＡＭ４を交換しなければならない。即ち、不揮発
ＲＡＭ４にごく僅かの欠陥部分があるだけで電力系統の
運転中断のような大きな損失を発生してしまう。
しても記憶したデータを維持できるしデータの書換えも
可能であるとは言うものの、データ保持年数には限度が
あるし、データの書換え回数にも制限がある。即ち寿命
を越えて使用することは出来ない。又、不揮発ＲＡＭ４
の部分的な欠陥のために寿命が到来するよりも前に記憶
したデータが損なわてしまうこともある。サムチェック
はこのような寿命の到来や欠陥の発生を検出する方法と
して使われている。不揮発ＲＡＭ４に不良部分があれば
当該ディジタルリレーはその機能を発揮できないから電
力系統に異常を生じても保護できないので、大事故にな
る恐れがある。よってディジタルリレーを良品と交換す
るか、それとも電力系統の運転を一時中止して不良の不
揮発ＲＡＭ４を交換しなければならない。即ち、不揮発
ＲＡＭ４にごく僅かの欠陥部分があるだけで電力系統の
運転中断のような大きな損失を発生してしまう。
【０００７】そこでこの発明の目的は、ディジタルリレ
ーに使用している不揮発ＲＡＭに部分的な欠陥が有るの
を発見すれば、この欠陥部分を避けて使用することによ
り電力系統の運転中断や当該リレーの交換などを極力回
避できるようにすることにある。
ーに使用している不揮発ＲＡＭに部分的な欠陥が有るの
を発見すれば、この欠陥部分を避けて使用することによ
り電力系統の運転中断や当該リレーの交換などを極力回
避できるようにすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めにこの発明のディジタルリレー用整定値メモリーの分
割使用方法は、ディジタルリレーの特性を決める複数の
整定値の総和であるサム値を演算し、これら各整定値と
サム値とを順次バッファＲＡＭに格納する操作が終了す
れば、これら格納データを一括して不揮発ＲＡＭに転送
し、特定の時点で前記不揮発ＲＡＭに格納した各整定値
データを読み出してその総和を演算し、この演算された
総和と当該不揮発ＲＡＭに格納されているサム値とを比
較するサムチェックを行い、このサムチェックの結果が
不一致ならば、前記バッファＲＡＭに格納していたデー
タを前記不揮発ＲＡＭの空白の領域に転送し直すものと
する。
めにこの発明のディジタルリレー用整定値メモリーの分
割使用方法は、ディジタルリレーの特性を決める複数の
整定値の総和であるサム値を演算し、これら各整定値と
サム値とを順次バッファＲＡＭに格納する操作が終了す
れば、これら格納データを一括して不揮発ＲＡＭに転送
し、特定の時点で前記不揮発ＲＡＭに格納した各整定値
データを読み出してその総和を演算し、この演算された
総和と当該不揮発ＲＡＭに格納されているサム値とを比
較するサムチェックを行い、このサムチェックの結果が
不一致ならば、前記バッファＲＡＭに格納していたデー
タを前記不揮発ＲＡＭの空白の領域に転送し直すものと
する。
【０００９】又は、不揮発ＲＡＭの領域を複数に分割
し、ディジタルリレーの特性を決める複数の整定値の総
和であるサム値を演算し、これら各整定値とサム値とを
順次バッファＲＡＭに格納する操作が終了すれば、これ
ら格納データを一括して前記不揮発ＲＡＭの複数の領域
のうちの任意の領域に転送し、特定の時点で前記不揮発
ＲＡＭの前記任意領域に格納した各整定値データを読み
出してその総和を演算し、この総和演算値と当該不揮発
ＲＡＭに格納されているサム値とを比較するサムチェッ
クを行い、このサムチェックの結果が不一致ならば、前
記バッファＲＡＭに格納していたデータを前記不揮発Ｒ
ＡＭの他の領域に転送する操作を、当該不揮発ＲＡＭの
分割した領域が無くなるまで繰り返すものとする。
し、ディジタルリレーの特性を決める複数の整定値の総
和であるサム値を演算し、これら各整定値とサム値とを
順次バッファＲＡＭに格納する操作が終了すれば、これ
ら格納データを一括して前記不揮発ＲＡＭの複数の領域
のうちの任意の領域に転送し、特定の時点で前記不揮発
ＲＡＭの前記任意領域に格納した各整定値データを読み
出してその総和を演算し、この総和演算値と当該不揮発
ＲＡＭに格納されているサム値とを比較するサムチェッ
クを行い、このサムチェックの結果が不一致ならば、前
記バッファＲＡＭに格納していたデータを前記不揮発Ｒ
ＡＭの他の領域に転送する操作を、当該不揮発ＲＡＭの
分割した領域が無くなるまで繰り返すものとする。
【００１０】
【作用】不揮発ＲＡＭの容量は、一般にディジタルリレ
ーに記憶する必要がある整定値に対して充分に大きな余
裕を有するから、バッファＲＡＭから転送された整定値
やサム値を格納しても、大きな空白の領域が存在（図３
参照）する。又、不揮発ＲＡＭは寿命が到来する以前な
らば欠陥は極めて僅かな部分に限定されるのが通常であ
る。よって不揮発ＲＡＭを複数の領域に分割しておき、
任意の領域に格納した整定値のサムチェックが不一致な
らば他の領域にデータを格納する。この領域に欠陥があ
ることを検出すれば更に別の領域へと順次データを格納
する領域を変更する。不揮発ＲＡＭの全ての領域が不良
であることが判明した場合にのみ不揮発ＲＡＭ不良警報
を出力させる。
ーに記憶する必要がある整定値に対して充分に大きな余
裕を有するから、バッファＲＡＭから転送された整定値
やサム値を格納しても、大きな空白の領域が存在（図３
参照）する。又、不揮発ＲＡＭは寿命が到来する以前な
らば欠陥は極めて僅かな部分に限定されるのが通常であ
る。よって不揮発ＲＡＭを複数の領域に分割しておき、
任意の領域に格納した整定値のサムチェックが不一致な
らば他の領域にデータを格納する。この領域に欠陥があ
ることを検出すれば更に別の領域へと順次データを格納
する領域を変更する。不揮発ＲＡＭの全ての領域が不良
であることが判明した場合にのみ不揮発ＲＡＭ不良警報
を出力させる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の実施例を表したブロック図で
ある。この図１の実施例において、整定操作部２の整定
操作によりバッファＲＡＭ３へ複数の整定値とそのサム
値とを格納するのは図３で既述の従来例の場合と同じで
ある。本発明では不揮発ＲＡＭ５を、格納するデータの
大きさに対応して複数の領域（図１ではＭ個）に分割し
て、どの領域でもデータを格納できるようにしておく。
従って図３の従来例の不揮発ＲＡＭ４のように空白の領
域は無い（或いは僅かな空白領域が残るのみである）。
ある。この図１の実施例において、整定操作部２の整定
操作によりバッファＲＡＭ３へ複数の整定値とそのサム
値とを格納するのは図３で既述の従来例の場合と同じで
ある。本発明では不揮発ＲＡＭ５を、格納するデータの
大きさに対応して複数の領域（図１ではＭ個）に分割し
て、どの領域でもデータを格納できるようにしておく。
従って図３の従来例の不揮発ＲＡＭ４のように空白の領
域は無い（或いは僅かな空白領域が残るのみである）。
【００１２】不揮発ＲＡＭ５に設けている領域ポインタ
の指示に従って、バッファＲＡＭ３に格納した複数の整
定値とそのサム値（整定値とそのサム値の図示は省略し
ているが、その内容は図３の場合と同じ）は例えば第１
領域へ転送されるが、サムチェックの結果が不一致であ
ってもこれは第１領域に欠陥があるのが判明しただけで
あって、不揮発ＲＡＭ５の不良とは見做さない。そこで
領域ポインタはバッファＲＡＭ３の格納データを第２領
域へ転送する指令を発する。
の指示に従って、バッファＲＡＭ３に格納した複数の整
定値とそのサム値（整定値とそのサム値の図示は省略し
ているが、その内容は図３の場合と同じ）は例えば第１
領域へ転送されるが、サムチェックの結果が不一致であ
ってもこれは第１領域に欠陥があるのが判明しただけで
あって、不揮発ＲＡＭ５の不良とは見做さない。そこで
領域ポインタはバッファＲＡＭ３の格納データを第２領
域へ転送する指令を発する。
【００１３】前述したようにサムチェックの結果が不一
致であるならば、バッファＲＡＭ３の格納データは順次
別の領域へ転送され、すべての領域でサムチェックの結
果が不一致になった時点で当該不揮発ＲＡＭ５の不良警
報が出力される。図２は図１で既述の実施例の動作を表
したフローチャートであるが、図４のフローチャートで
説明した動作と同じ動作をする部分の説明は省略する。
致であるならば、バッファＲＡＭ３の格納データは順次
別の領域へ転送され、すべての領域でサムチェックの結
果が不一致になった時点で当該不揮発ＲＡＭ５の不良警
報が出力される。図２は図１で既述の実施例の動作を表
したフローチャートであるが、図４のフローチャートで
説明した動作と同じ動作をする部分の説明は省略する。
【００１４】図２のフローチャートでは、領域ポインタ
（図１参照）に対応するのが判断３１〜３３であって、
判断３４〜３６の判定に従ってデータを格納する領域を
順次指示している。指定する領域が無くなった（判断３
３）場合、或いは領域Ｍ（最終領域）でのサムチェック
の結果が不一致（判断３６）の場合にのみ、論理和素子
４１を介して不揮発ＲＡＭの不良警報が出力される。
尚、図２のフローチャートが複雑になるのを避けるため
に、データ読み出し指令（図４における処理１４に対応
するもの）の図示は省略している。
（図１参照）に対応するのが判断３１〜３３であって、
判断３４〜３６の判定に従ってデータを格納する領域を
順次指示している。指定する領域が無くなった（判断３
３）場合、或いは領域Ｍ（最終領域）でのサムチェック
の結果が不一致（判断３６）の場合にのみ、論理和素子
４１を介して不揮発ＲＡＭの不良警報が出力される。
尚、図２のフローチャートが複雑になるのを避けるため
に、データ読み出し指令（図４における処理１４に対応
するもの）の図示は省略している。
【００１５】
【発明の効果】従来のディジタルリレーではサムチェッ
クにより不揮発ＲＡＭの欠陥が検出されると、この欠陥
が部分的なものであって、健全な部分を使用すればディ
ジタルリレーはその機能を発揮できる場合でも不良警報
が出力されてしまっていたが、本発明によれば、不揮発
ＲＡＭを予め複数の領域に分割しておき、整定値とサム
値などのデータは任意の１つの領域に纏めて格納する。
ここでデータを格納した領域に部分的な欠陥があるのを
検出すれば、バッファＲＡＭに格納データを他の健全な
領域へ転送させる。新たな領域に欠陥が無ければ当該デ
ィジタルリレーはそのまま使用を継続するし、この新た
な領域に欠陥を生じれば更に別の領域へデータを転送し
て、ディジタルリレーは使用を継続するから、不揮発Ｒ
ＡＭの僅かな部分的な欠陥で電力系統の運転を中断して
ディジタルリレーを補修したり交換したりする不都合を
回避できる効果が得られる。
クにより不揮発ＲＡＭの欠陥が検出されると、この欠陥
が部分的なものであって、健全な部分を使用すればディ
ジタルリレーはその機能を発揮できる場合でも不良警報
が出力されてしまっていたが、本発明によれば、不揮発
ＲＡＭを予め複数の領域に分割しておき、整定値とサム
値などのデータは任意の１つの領域に纏めて格納する。
ここでデータを格納した領域に部分的な欠陥があるのを
検出すれば、バッファＲＡＭに格納データを他の健全な
領域へ転送させる。新たな領域に欠陥が無ければ当該デ
ィジタルリレーはそのまま使用を継続するし、この新た
な領域に欠陥を生じれば更に別の領域へデータを転送し
て、ディジタルリレーは使用を継続するから、不揮発Ｒ
ＡＭの僅かな部分的な欠陥で電力系統の運転を中断して
ディジタルリレーを補修したり交換したりする不都合を
回避できる効果が得られる。
【図１】本発明の実施例を表したブロック図
【図２】図１で既述の実施例の動作を表したフローチャ
ート
ート
【図３】ディジタルリレーの従来のメモリーの使用方法
を示したブロック図
を示したブロック図
【図４】図３で既述のディジタルリレーの従来のメモリ
ーの使用方法を示したフローチャート
ーの使用方法を示したフローチャート
２ 整定操作部 ３ バッファＲＡＭ ４，５ 不揮発ＲＡＭ １１〜１７ 処理 １８ 判断 ２１〜２９ 処理 ３１〜３６ 判断 ４１ 論理和素子
Claims (2)
- 【請求項１】ディジタルリレーの特性を決める複数の整
定値の総和であるサム値を演算し、これら各整定値とサ
ム値とを順次バッファランダムアクセスメモリー（バッ
ファＲＡＭ）に格納する操作が終了すれば、これら格納
データを一括して電気的に書換え可能で電源がオフして
も記憶を喪失しないランダムアクセスメモリー（不揮発
ＲＡＭ）に転送し、特定の時点で前記不揮発ＲＡＭに格
納した各整定値データを読み出してその総和を演算し、
この演算された総和と当該不揮発ＲＡＭに格納されてい
るサム値とを比較するサムチェックを行い、このサムチ
ェックの結果が不一致ならば、前記バッファＲＡＭに格
納していたデータを前記不揮発ＲＡＭの空白の領域に転
送し直すことを特徴とするディジタルリレー用整定値メ
モリーの分割使用方法。 - 【請求項２】電気的に書換え可能で電源がオフしても記
憶を喪失しないランダムアクセスメモリー（不揮発ＲＡ
Ｍ）の領域を複数に分割し、ディジタルリレーの特性を
決める複数の整定値の総和であるサム値を演算し、これ
ら各整定値とサム値とを順次バッファランダムアクセス
メモリー（バッファＲＡＭ）に格納する操作が終了すれ
ば、これら格納データを一括して前記不揮発ＲＡＭの複
数の領域のうちの任意の領域に転送し、特定の時点で前
記不揮発ＲＡＭの前記任意領域に格納した各整定値デー
タを読み出してその総和を演算し、この総和演算値と当
該不揮発ＲＡＭに格納されているサム値とを比較するサ
ムチェックを行い、このサムチェックの結果が不一致な
らば、前記バッファＲＡＭに格納していたデータを前記
不揮発ＲＡＭの他の領域に転送する操作を、当該不揮発
ＲＡＭの分割した領域が無くなるまで繰り返すことを特
徴とするディジタルリレー用整定値メモリーの分割使用
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6210330A JPH0879961A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | ディジタルリレー用整定値メモリーの分割使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6210330A JPH0879961A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | ディジタルリレー用整定値メモリーの分割使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0879961A true JPH0879961A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16587638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6210330A Pending JPH0879961A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | ディジタルリレー用整定値メモリーの分割使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0879961A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7654904B2 (en) | 2002-11-15 | 2010-02-02 | Nintendo Co., Ltd. | Game machine, backup control program of game data and backup control method |
-
1994
- 1994-09-05 JP JP6210330A patent/JPH0879961A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7654904B2 (en) | 2002-11-15 | 2010-02-02 | Nintendo Co., Ltd. | Game machine, backup control program of game data and backup control method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4462086A (en) | Loading system in numerical controller | |
| JPH0879961A (ja) | ディジタルリレー用整定値メモリーの分割使用方法 | |
| JPH03252993A (ja) | Ｅ↑２ｐｒｏｍの情報書込み装置 | |
| US4601009A (en) | Memory system and accessing method | |
| JP4543317B2 (ja) | 不揮発性メモリのデータ制御方法 | |
| JPS5953586B2 (ja) | ログアウト制御装置 | |
| US5953268A (en) | Memory block replacement system and replacement method for a semiconductor memory | |
| US20040078551A1 (en) | Method for operating a data processing device as well as contruction of a data processing device as a memory-programmable control unit | |
| JPS63164100A (ja) | 半導体集積回路メモリ | |
| JP3767646B2 (ja) | 電動機制御定数の設定記憶装置を備えた電動機制御装置 | |
| SU752497A1 (ru) | Устройство дл контрол пам ти | |
| JPS6127778B2 (ja) | ||
| JPH08203293A (ja) | メモリ装置 | |
| SU668006A1 (ru) | Программируемое посто нное запоминающее устройство | |
| JPS6275853A (ja) | メモリの分割使用方式 | |
| JPH01162300A (ja) | Ｒｏｍチェック回路試験方式 | |
| JP2648493B2 (ja) | データ入出力方法 | |
| JP2598803Y2 (ja) | 半導体メモリ試験装置 | |
| JPH03265030A (ja) | コンピュータ搭載装置 | |
| JPH03132833A (ja) | ダンプ出力方式 | |
| JPH03116498A (ja) | 記憶装置 | |
| JPS61271700A (ja) | メモリ試験装置 | |
| JPS5856102A (ja) | シ−ケンスコントロ−ラ | |
| JPS61160106A (ja) | シ−ケンス制御装置 | |
| JPH03171347A (ja) | メモリチェック装置 |