JPH0878712A - パターン膜の形成方法及び光起電力装置の製造方法 - Google Patents
パターン膜の形成方法及び光起電力装置の製造方法Info
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- JPH0878712A JPH0878712A JP6213794A JP21379494A JPH0878712A JP H0878712 A JPH0878712 A JP H0878712A JP 6213794 A JP6213794 A JP 6213794A JP 21379494 A JP21379494 A JP 21379494A JP H0878712 A JPH0878712 A JP H0878712A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パターニングした膜を可撓性の基板上に簡易
に形成する。光起電力装置の裏面電極，光電変換膜，透
明電極のパターニングを容易に行う。 【構成】 可撓性を有する基板21を、その一部で３重に
重なる程度に折り曲げ（ａ）、折り曲げた状態の基板21
上に膜22を形成し（ｂ）、その後、基板21を引き延ばし
て元の状態に戻して、膜22をパターン形成する（ｃ）。
このようなパターン膜の形成方法を、可撓性の光起電力
装置の裏面電極，光電変換膜，透明電極のパターン形成
に適用する。
に形成する。光起電力装置の裏面電極，光電変換膜，透
明電極のパターニングを容易に行う。 【構成】 可撓性を有する基板21を、その一部で３重に
重なる程度に折り曲げ（ａ）、折り曲げた状態の基板21
上に膜22を形成し（ｂ）、その後、基板21を引き延ばし
て元の状態に戻して、膜22をパターン形成する（ｃ）。
このようなパターン膜の形成方法を、可撓性の光起電力
装置の裏面電極，光電変換膜，透明電極のパターン形成
に適用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パターニングした膜を
形成する方法、及び、これを利用した光起電力装置の製
造方法に関するものである。
形成する方法、及び、これを利用した光起電力装置の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池に代表される光起電力装置の中
で、大面積化と低コスト化とが容易であるとして注目さ
れている薄膜半導体を使用した光起電力装置は、他の商
用電力との競合がコスト面で比較的有利であるので、そ
の開発が急速に進んでいる。このような薄膜半導体を用
いた光起電力装置では、その基板に合成樹脂等からなる
可撓性の材料を使用することにより、形状に柔軟性を有
する装置を製造できるという利点を備えているので、よ
り様々な種類の応用が見込まれている。
で、大面積化と低コスト化とが容易であるとして注目さ
れている薄膜半導体を使用した光起電力装置は、他の商
用電力との競合がコスト面で比較的有利であるので、そ
の開発が急速に進んでいる。このような薄膜半導体を用
いた光起電力装置では、その基板に合成樹脂等からなる
可撓性の材料を使用することにより、形状に柔軟性を有
する装置を製造できるという利点を備えているので、よ
り様々な種類の応用が見込まれている。
【０００３】このような可撓性光起電力装置は一般的
に、ポリイミド等からなる可撓性基板上に、Ａｌ，Ｔｉ
等の裏面電極，光電変換機能を有する非晶質薄膜半導体
層，ＩＴＯ，ＳｎＯ2 等の透明電極をこの順に積層形成
してなる複数の光電変換体を直列に電気的に接続させた
構成をなす。
に、ポリイミド等からなる可撓性基板上に、Ａｌ，Ｔｉ
等の裏面電極，光電変換機能を有する非晶質薄膜半導体
層，ＩＴＯ，ＳｎＯ2 等の透明電極をこの順に積層形成
してなる複数の光電変換体を直列に電気的に接続させた
構成をなす。
【０００４】図５，図６は、このような可撓性光起電力
装置の従来の製造方法の工程を示す断面図である。以
下、図５，図６を参照して従来の製造方法について説明
する。まず、ポリイミドからなる可撓性基板11上の全域
にＡｌ膜12を形成する（図５（ａ））。そして、レーザ
ビームを照射してＡｌ膜12の一部を除去することによ
り、つまりレーザパターニング法によりＡｌ膜12をパタ
ーニングすることにより、裏面電極13をパターン形成す
る（図５（ｂ））。次に、可撓性基板11側からｎ型ａ−
Ｓｉ層，ｉ型ａ−Ｓｉ層，ｐ型ａ−Ｓｉ層からなるｐｉ
ｎ接合のａ−Ｓｉ膜14を全域に形成する（図５
（ｃ））。そして、レーザパターニング法によりａ−Ｓ
ｉ膜14をパターニングすることにより、光電変換膜15を
パターン形成する（図６（ｄ））。次に、ＩＴＯ膜16を
全域に形成する（図６（ｅ））。そして、レーザパター
ニング法によりＩＴＯ膜16をパターニングすることによ
り、透明電極17をパターン形成する（図６（ｆ））。
装置の従来の製造方法の工程を示す断面図である。以
下、図５，図６を参照して従来の製造方法について説明
する。まず、ポリイミドからなる可撓性基板11上の全域
にＡｌ膜12を形成する（図５（ａ））。そして、レーザ
ビームを照射してＡｌ膜12の一部を除去することによ
り、つまりレーザパターニング法によりＡｌ膜12をパタ
ーニングすることにより、裏面電極13をパターン形成す
る（図５（ｂ））。次に、可撓性基板11側からｎ型ａ−
Ｓｉ層，ｉ型ａ−Ｓｉ層，ｐ型ａ−Ｓｉ層からなるｐｉ
ｎ接合のａ−Ｓｉ膜14を全域に形成する（図５
（ｃ））。そして、レーザパターニング法によりａ−Ｓ
ｉ膜14をパターニングすることにより、光電変換膜15を
パターン形成する（図６（ｄ））。次に、ＩＴＯ膜16を
全域に形成する（図６（ｅ））。そして、レーザパター
ニング法によりＩＴＯ膜16をパターニングすることによ
り、透明電極17をパターン形成する（図６（ｆ））。
【０００５】パターン化された裏面電極13，光電変換膜
15及び透明電極17の積層体にて１つの光電変換体が構成
され、隣合う光電変換体同士は裏面電極13と透明電極17
との接続により電気的に接続されており、この結果、多
数の光電変換体が電気的に直列接続されている。光は透
明電極17側（図６の上側）から入射され、各光電変換体
の光電変換膜15にて電流に変換され、変換された電流は
裏面電極13，透明電極17を介して集められて外部に取り
出される。
15及び透明電極17の積層体にて１つの光電変換体が構成
され、隣合う光電変換体同士は裏面電極13と透明電極17
との接続により電気的に接続されており、この結果、多
数の光電変換体が電気的に直列接続されている。光は透
明電極17側（図６の上側）から入射され、各光電変換体
の光電変換膜15にて電流に変換され、変換された電流は
裏面電極13，透明電極17を介して集められて外部に取り
出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の製造方
法では、裏面電極13，光電変換膜15，透明電極17をそれ
ぞれパターン形成する際に、成膜処理及びレーザパター
ニング処理の工程を繰り返さなければならず、その製造
工程が極めて煩雑であるという問題点がある。
法では、裏面電極13，光電変換膜15，透明電極17をそれ
ぞれパターン形成する際に、成膜処理及びレーザパター
ニング処理の工程を繰り返さなければならず、その製造
工程が極めて煩雑であるという問題点がある。
【０００７】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、一部を折り曲げた基板に成膜した後に、その基
板を元に引き延ばして、パターニングした膜を形成する
ことにより、パターニングした膜を極めて容易に形成す
ることができるパターン膜の形成方法、及び、この形成
方法を利用することによりレーザパターン技術を用いる
ことなく簡便に裏面電極，光電変換膜及び透明電極をパ
ターン形成できてその製造時の作業性を向上できる光起
電力装置の製造方法を提供することを目的とする。
であり、一部を折り曲げた基板に成膜した後に、その基
板を元に引き延ばして、パターニングした膜を形成する
ことにより、パターニングした膜を極めて容易に形成す
ることができるパターン膜の形成方法、及び、この形成
方法を利用することによりレーザパターン技術を用いる
ことなく簡便に裏面電極，光電変換膜及び透明電極をパ
ターン形成できてその製造時の作業性を向上できる光起
電力装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１に係るパ
ターン膜の形成方法は、可撓性の基板にパターニングし
た膜を形成する方法において、前記基板の一部を折り曲
げる工程と、折り曲げた基板上に成膜する工程と、成膜
後の基板を引き延ばす工程とを有することを特徴とす
る。
ターン膜の形成方法は、可撓性の基板にパターニングし
た膜を形成する方法において、前記基板の一部を折り曲
げる工程と、折り曲げた基板上に成膜する工程と、成膜
後の基板を引き延ばす工程とを有することを特徴とす
る。
【０００９】本願の請求項２に係るパターン膜の形成方
法は、請求項１の折り曲げ工程において、３重に重なる
ように前記基板の一部を折り曲げることを特徴とする。
法は、請求項１の折り曲げ工程において、３重に重なる
ように前記基板の一部を折り曲げることを特徴とする。
【００１０】本願の請求項３に係る光起電力装置の製造
方法は、可撓性を有する基板上に、第１導電膜，光電変
換膜及び第２導電膜からなる複数の光電変換体を直列接
続させた光起電力装置を製造する方法において、前記第
１導電膜，光電変換膜，第２導電膜の少なくとも１つを
パターン形成する際に、それぞれを形成する下地体の一
部を折り曲げ、折り曲げた下地体上にそれぞれを成膜し
た後に、折り曲げた下地体を引き延ばすことを特徴とす
る。
方法は、可撓性を有する基板上に、第１導電膜，光電変
換膜及び第２導電膜からなる複数の光電変換体を直列接
続させた光起電力装置を製造する方法において、前記第
１導電膜，光電変換膜，第２導電膜の少なくとも１つを
パターン形成する際に、それぞれを形成する下地体の一
部を折り曲げ、折り曲げた下地体上にそれぞれを成膜し
た後に、折り曲げた下地体を引き延ばすことを特徴とす
る。
【００１１】本願の請求項４に係る光起電力装置の製造
方法は、可撓性を有する基板上に、第１電極，光電変換
膜及び第２電極からなる複数の光電変換体を直列接続さ
せた光起電力装置を製造する方法において、基板の一部
を折り曲げる工程と、折り曲げた基板上に第１電極とな
る第１導電膜を形成する工程と、第１導電膜を形成した
基板を引き延ばしてパターン化した第１電極を形成する
工程と、第１電極を形成した基板の一部を折り曲げる工
程と、折り曲げた第１電極及び基板上に光電変換膜とな
る半導体膜を形成する工程と、第１電極及び半導体膜を
形成した基板を引き延ばしてパターン化した光電変換膜
を形成する工程と、第１電極及び光電変換膜を形成した
基板の一部を折り曲げる工程と、折り曲げた第１電極及
び光電変換膜上に第２電極となる第２導電膜を形成する
工程と、第１電極，光電変換膜及び第２導電膜を形成し
た基板を引き延ばしてパターン化した第２電極を形成す
る工程とを有することを特徴とする。
方法は、可撓性を有する基板上に、第１電極，光電変換
膜及び第２電極からなる複数の光電変換体を直列接続さ
せた光起電力装置を製造する方法において、基板の一部
を折り曲げる工程と、折り曲げた基板上に第１電極とな
る第１導電膜を形成する工程と、第１導電膜を形成した
基板を引き延ばしてパターン化した第１電極を形成する
工程と、第１電極を形成した基板の一部を折り曲げる工
程と、折り曲げた第１電極及び基板上に光電変換膜とな
る半導体膜を形成する工程と、第１電極及び半導体膜を
形成した基板を引き延ばしてパターン化した光電変換膜
を形成する工程と、第１電極及び光電変換膜を形成した
基板の一部を折り曲げる工程と、折り曲げた第１電極及
び光電変換膜上に第２電極となる第２導電膜を形成する
工程と、第１電極，光電変換膜及び第２導電膜を形成し
た基板を引き延ばしてパターン化した第２電極を形成す
る工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
【作用】図１を参照して、本発明によるパターニングし
た膜の形成方法について説明する。まず、成膜対象とな
る可撓性を有する基板21を、その一部で３重に重なる程
度に折り曲げる（図１（ａ））。ここで、折り曲げによ
り重なる部分の長さをｄとする。そして、この基板21の
上に膜22を形成する（図１（ｂ））。この際、３重に重
なった部分ではその最上面にのみ膜22が形成され、これ
に隠れる下方の面には膜22が形成されない。その後、基
板21を引き延ばして元の状態に戻す（図１（ｃ））。そ
うすると、膜22が形成されていない面も露出するので、
所望の膜22を容易にパターン形成できる。この際の膜22
を形成しない長さ（パターン膜の間隔）は、折り曲げた
部分への成膜材料の入り込みを無視すると、２ｄとな
る。そして、この折り曲げ長さ，折り曲げ角度を調整す
ることにより、パターン膜の間隔を所望の長さに設定で
きる。
た膜の形成方法について説明する。まず、成膜対象とな
る可撓性を有する基板21を、その一部で３重に重なる程
度に折り曲げる（図１（ａ））。ここで、折り曲げによ
り重なる部分の長さをｄとする。そして、この基板21の
上に膜22を形成する（図１（ｂ））。この際、３重に重
なった部分ではその最上面にのみ膜22が形成され、これ
に隠れる下方の面には膜22が形成されない。その後、基
板21を引き延ばして元の状態に戻す（図１（ｃ））。そ
うすると、膜22が形成されていない面も露出するので、
所望の膜22を容易にパターン形成できる。この際の膜22
を形成しない長さ（パターン膜の間隔）は、折り曲げた
部分への成膜材料の入り込みを無視すると、２ｄとな
る。そして、この折り曲げ長さ，折り曲げ角度を調整す
ることにより、パターン膜の間隔を所望の長さに設定で
きる。
【００１３】以上のようなパターン膜の形成方法を利用
して、パターン化した裏面電極，光電変換膜，透明電極
を形成するようにすると、レーザパターニング技術を用
いてパターン形成していた従来の製造方法に比べて、極
めて簡易に光起電力装置を製造できる。
して、パターン化した裏面電極，光電変換膜，透明電極
を形成するようにすると、レーザパターニング技術を用
いてパターン形成していた従来の製造方法に比べて、極
めて簡易に光起電力装置を製造できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。
いて具体的に説明する。
【００１５】図２，図３，図４は本発明による可撓性光
起電力装置の製造方法の工程を示す断面図である。図２
〜図４を参照して本発明の製造方法について説明する。
まず、ポリイミドからなる可撓性基板１（厚さ：10〜20
μｍ）を準備し（図２（ａ））、光電変換体に分離する
部分の可撓性基板１を３重に重なる程度に折り曲げる
（図２（ｂ））。このときの折り曲げ長さは１〜３ｍｍ
である。そして、この折り曲げた可撓性基板１上にＡｌ
（またはＴｉ）膜２（膜厚：2000〜5000Å）を形成する
（図２（ｃ））。その後、可撓性基板１を元の状態まで
引き延ばして、Ａｌ膜からなる裏面電極３をパターン形
成する。（図２（ｄ））。
起電力装置の製造方法の工程を示す断面図である。図２
〜図４を参照して本発明の製造方法について説明する。
まず、ポリイミドからなる可撓性基板１（厚さ：10〜20
μｍ）を準備し（図２（ａ））、光電変換体に分離する
部分の可撓性基板１を３重に重なる程度に折り曲げる
（図２（ｂ））。このときの折り曲げ長さは１〜３ｍｍ
である。そして、この折り曲げた可撓性基板１上にＡｌ
（またはＴｉ）膜２（膜厚：2000〜5000Å）を形成する
（図２（ｃ））。その後、可撓性基板１を元の状態まで
引き延ばして、Ａｌ膜からなる裏面電極３をパターン形
成する。（図２（ｄ））。
【００１６】次に、光電変換体同士の直列接続部分に対
応する部分の可撓性基板１を、裏面電極３を形成した状
態で、３重に重なる程度に折り曲げる（図３（ｅ））。
このときの折り曲げ長さも１〜３ｍｍとする。そして、
この折り曲げた状態で、可撓性基板１側からｎ型ａ−Ｓ
ｉ層（膜厚：200 〜800 Å），ｉ型ａ−Ｓｉ層（膜厚：
2000〜8000Å），ｐ型ａ−Ｓｉ層（膜厚：50〜150 Å）
からなるｐｉｎ接合のａ−Ｓｉ膜４をプラズマＣＶＤ法
により形成する（図３（ｆ））。この際の各ａ−Ｓｉ層
の成膜条件（基板温度〔℃〕，反応圧力〔Ｔｏｒｒ〕，
ＲＦパワー〔ｍＷ／ｃｍ2 〕は、ｎ型ａ−Ｓｉ層，ｉ型
ａ−Ｓｉ層，ｐ型ａ−Ｓｉ層の順にそれぞれ、（200 〜
300, 0.2〜1.0, 20〜100)，（120 〜400, 0.2〜1.0,
20〜100)，（60〜160, 0.2〜1.0, 20〜100)とした。そ
の後、裏面電極３付きの可撓性基板１を元の状態まで引
き延ばして、ａ−Ｓｉ膜からなる光電変換膜５をパター
ン形成する。（図３（ｇ））。
応する部分の可撓性基板１を、裏面電極３を形成した状
態で、３重に重なる程度に折り曲げる（図３（ｅ））。
このときの折り曲げ長さも１〜３ｍｍとする。そして、
この折り曲げた状態で、可撓性基板１側からｎ型ａ−Ｓ
ｉ層（膜厚：200 〜800 Å），ｉ型ａ−Ｓｉ層（膜厚：
2000〜8000Å），ｐ型ａ−Ｓｉ層（膜厚：50〜150 Å）
からなるｐｉｎ接合のａ−Ｓｉ膜４をプラズマＣＶＤ法
により形成する（図３（ｆ））。この際の各ａ−Ｓｉ層
の成膜条件（基板温度〔℃〕，反応圧力〔Ｔｏｒｒ〕，
ＲＦパワー〔ｍＷ／ｃｍ2 〕は、ｎ型ａ−Ｓｉ層，ｉ型
ａ−Ｓｉ層，ｐ型ａ−Ｓｉ層の順にそれぞれ、（200 〜
300, 0.2〜1.0, 20〜100)，（120 〜400, 0.2〜1.0,
20〜100)，（60〜160, 0.2〜1.0, 20〜100)とした。そ
の後、裏面電極３付きの可撓性基板１を元の状態まで引
き延ばして、ａ−Ｓｉ膜からなる光電変換膜５をパター
ン形成する。（図３（ｇ））。
【００１７】次に、光電変換体に分離する部分の可撓性
基板１を、裏面電極３及び光電変換膜５を形成した状態
で、３重に重なる程度に折り曲げる（図４（ｈ））。こ
のときの折り曲げ長さも１〜３ｍｍとする。そして、こ
の折り曲げた状態で、ＩＴＯ膜６（膜厚：500 〜1000
Å）を形成する（図４（ｉ））。その後、裏面電極３及
び光電変換膜５付きの可撓性基板１を元の状態まで引き
延ばして、ＩＴＯ膜からなる透明電極７をパターン形成
する。（図４（ｊ））。
基板１を、裏面電極３及び光電変換膜５を形成した状態
で、３重に重なる程度に折り曲げる（図４（ｈ））。こ
のときの折り曲げ長さも１〜３ｍｍとする。そして、こ
の折り曲げた状態で、ＩＴＯ膜６（膜厚：500 〜1000
Å）を形成する（図４（ｉ））。その後、裏面電極３及
び光電変換膜５付きの可撓性基板１を元の状態まで引き
延ばして、ＩＴＯ膜からなる透明電極７をパターン形成
する。（図４（ｊ））。
【００１８】上述した本発明の光起電力装置の製造方法
では、従来例のようなレーザビームの照射によるパター
ン化が不要であるので、裏面電極，光電変換膜及び透明
電極の成膜とパターニングとを連続して同時に行うこと
が可能であり、従来例に比べて作業効率が格段に向上す
る。
では、従来例のようなレーザビームの照射によるパター
ン化が不要であるので、裏面電極，光電変換膜及び透明
電極の成膜とパターニングとを連続して同時に行うこと
が可能であり、従来例に比べて作業効率が格段に向上す
る。
【００１９】なお、上述の実施例では 成膜対象の下地
体を３重に重なるように折り曲げて成膜することとした
が、比較的急峻な角度をつけて下地体を折り曲げれば重
なりがない場合でも、成膜後に引き延ばせばパターニン
グされた膜を形成することは可能である。
体を３重に重なるように折り曲げて成膜することとした
が、比較的急峻な角度をつけて下地体を折り曲げれば重
なりがない場合でも、成膜後に引き延ばせばパターニン
グされた膜を形成することは可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明では、一部を折り
曲げた可撓性の基板に成膜を施し、その後にこの基板を
引き延ばして元に戻すことによって、パターニングした
膜を形成するので、極めて簡単かつ容易にパターン膜を
形成することができる。また、このようなパターン膜形
成方法を光起電力装置の製造方法に適用すると、従来の
ようなレーザ光照射によりパターニングすることが不要
となり、裏面電極，光電変換膜，透明電極のパターニン
グを簡易に行うことができ、光起電力装置の製造時の作
業性を向上することが可能となる。
曲げた可撓性の基板に成膜を施し、その後にこの基板を
引き延ばして元に戻すことによって、パターニングした
膜を形成するので、極めて簡単かつ容易にパターン膜を
形成することができる。また、このようなパターン膜形
成方法を光起電力装置の製造方法に適用すると、従来の
ようなレーザ光照射によりパターニングすることが不要
となり、裏面電極，光電変換膜，透明電極のパターニン
グを簡易に行うことができ、光起電力装置の製造時の作
業性を向上することが可能となる。
【図１】本発明のパターン膜の形成方法の手順を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の光起電力装置の製造方法の工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の光起電力装置の製造方法の工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の光起電力装置の製造方法の工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】従来の光起電力装置の製造方法の工程を示す断
面図である。
面図である。
【図６】従来の光起電力装置の製造方法の工程を示す断
面図である。
面図である。
１ 可撓性基板 ２ Ａｌ（またはＴｉ）膜 ３ 裏面電極 ４ ａ−Ｓｉ膜 ５ 光電変換膜 ６ ＩＴＯ膜 ７ 透明電極 21 基板 22 膜
Claims (4)
- 【請求項１】 可撓性の基板にパターニングした膜を形
成する方法において、前記基板の一部を折り曲げる工程
と、折り曲げた基板上に成膜する工程と、成膜後の基板
を引き延ばす工程とを有することを特徴とするパターン
膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記折り曲げ工程において、前記基板が
３重に重なるように前記基板の一部を折り曲げることを
特徴とする請求項１記載のパターン膜の形成方法。 - 【請求項３】 可撓性を有する基板上に、第１導電膜，
光電変換膜及び第２導電膜からなる複数の光電変換体を
直列接続させた光起電力装置を製造する方法において、
前記第１導電膜，光電変換膜，第２導電膜の少なくとも
１つをパターン形成する際に、それぞれを形成する下地
体の一部を折り曲げ、折り曲げた下地体上にそれぞれを
成膜した後に、折り曲げた下地体を引き延ばすことを特
徴とする光起電力装置の製造方法。 - 【請求項４】 可撓性を有する基板上に、第１電極，光
電変換膜及び第２電極からなる複数の光電変換体を直列
接続させた光起電力装置を製造する方法において、基板
の一部を折り曲げる工程と、折り曲げた基板上に第１電
極となる第１導電膜を形成する工程と、第１導電膜を形
成した基板を引き延ばしてパターン化した第１電極を形
成する工程と、第１電極を形成した基板の一部を折り曲
げる工程と、折り曲げた第１電極及び基板上に光電変換
膜となる半導体膜を形成する工程と、第１電極及び半導
体膜を形成した基板を引き延ばしてパターン化した光電
変換膜を形成する工程と、第１電極及び光電変換膜を形
成した基板の一部を折り曲げる工程と、折り曲げた第１
電極及び光電変換膜上に第２電極となる第２導電膜を形
成する工程と、第１電極，光電変換膜及び第２導電膜を
形成した基板を引き延ばしてパターン化した第２電極を
形成する工程とを有することを特徴とする光起電力装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6213794A JPH0878712A (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | パターン膜の形成方法及び光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6213794A JPH0878712A (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | パターン膜の形成方法及び光起電力装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878712A true JPH0878712A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16645166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6213794A Pending JPH0878712A (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | パターン膜の形成方法及び光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878712A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011005472A2 (en) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Shaped photovoltaic module |
| JP5933061B1 (ja) * | 2015-03-13 | 2016-06-08 | 株式会社東芝 | 太陽電池モジュール |
-
1994
- 1994-09-07 JP JP6213794A patent/JPH0878712A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011005472A2 (en) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Shaped photovoltaic module |
| WO2011005472A3 (en) * | 2009-06-23 | 2011-03-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Shaped photovoltaic module |
| JP5933061B1 (ja) * | 2015-03-13 | 2016-06-08 | 株式会社東芝 | 太陽電池モジュール |
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