JPH0877623A - 光磁気ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 繰り返しＥ／Ｗ特性の向上を図り、高記録密
度化に十分対応可能とする。 【構成】 透明基板１上に希土類─遷移金属合金非晶質
薄膜からなる記録磁性層５が形成されてなる光磁気ディ
スクにおいて、前記記録磁性層５中に取り込まれるＡｒ
吸蔵量をＥＰＭＡにより求められるＡｒのＫ_a のピーク
強度とＴｂのＭ _a のピーク強度の比で表し、該Ａｒ吸蔵
量が０．２５以下となるように成膜条件を設定する。 【効果】 歩留りが向上するとともに、コストダウンが
図られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、Ｔｂ─遷移金属合金非
晶質薄膜を記録磁性層とする光磁気ディスクに関し、特
に優れた消去・記録繰り返し特性（Ｅ／Ｗ特性）に優れ
た光磁気ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光磁気ディスクは、例えばコンピ
ュータ等の外部記憶装置、或いは音声信号や映像信号の
記録再生を行う機器の記録媒体として一般に普及してい
る。この光磁気ディスクとしては、ポリカーボネート等
からなる透明基板の一主面に、膜面と垂直方向に磁化容
易軸を有し且つ磁気光学効果の大きな記録磁性層（例え
ば希土類─遷移金属合金非晶質薄膜）や反射膜、誘電体
層を積層することにより記録部を形成し、上記透明基板
側からレーザ光を照射して信号の読み取りを行うように
したものが知られている。

【０００３】この光磁気ディスクは、その使われ方によ
り、１００万回の繰り返し記録が可能であることが要求
される。これまで、この光磁気ディスクにおいては、上
記記録磁性層の構成材料として、殆どの場合Ｔｂ─ＴＭ
（ＴＭとは、Ｆｅ，Ｃｏの単体又は両者の合金）系合金
非晶質薄膜（以下、ＭＯ膜と記す。）が用いられてい
る。また、この光磁気ディスクを製造するに際し、各種
機能性膜の成膜方法としては、スパッタリング法が使用
されている。

【０００４】このような光磁気ディスクをスパッタリン
グにより製造する場合、スパッタリング時における成膜
条件は、主に保磁力やＣＮ比、磁界感度等から決定さ
れ、繰り返し消去・記録特性（以下Ｅ／Ｗ特性と省略す
る。）から決定されることはない。一方、上述のように
スパッタリングによりＭＯ膜を成膜する際に、該ＭＯ膜
中にある程度Ａｒが取り込まれることは知られている
が、これが上記Ｅ／Ｗ特性に及ぼす影響については明確
にされておらず、製造条件として重要なパラメータであ
るという認識はなされていない。

【０００５】また、上記光磁気ディスクに対して記録を
行う場合、一般にディスクに照射される半導体レーザは
波長が７８０ｎｍ以上で、且つ対物レンズの開口数ＮＡ
は０．５以下とされるので、レーザスポット径が比較的
大きく、記録時における上記ＭＯ膜の最高到達温度は比
較的低い。このため、使用する光磁気ディスクにおいて
は、Ｅ／Ｗ特性が問題となることはない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、今後高
記録密度化が進められるに伴い、上記半導体レーザの波
長は６８０ｎｍ以下、一方上記対物レンズの開口数ＮＡ
は０．５５以上となることが予想される。この結果、レ
ーザスポット径は小さくなり、記録時における上記ＭＯ
膜の最高到達温度がこれまでに比べ高くなると、ディス
クのＥ／Ｗ特性の悪化が懸念される。

【０００７】従って、上記高記録密度化を図る上で、上
述のようなＭＯ膜中に取り込まれるＡｒ吸蔵量のモニタ
ーは重要となる。そこで、本発明はこのような実情に鑑
みて提案されたものであって、Ｅ／Ｗ特性の向上を図
り、高記録密度化に十分対応可能となる光磁気ディスク
を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、ＭＯ膜中に取り込
まれるＡｒ吸蔵量を所定の量に抑えることにより、Ｅ／
Ｗ特性を向上させることができることを見出した。本発
明の光磁気ディスクはこのような知見に基づいて完成さ
れたものであって、透明基板上にＴｂ−遷移金属系合金
の非晶質薄膜からなる記録磁性層が形成されてなる光磁
気ディスクにおいて、上記記録磁性層の電子プローブＸ
線マイクロアナライズ（以下、ＥＰＭＡと記す。）にお
けるＡｒのＫαのピーク強度とＴｂのＭαのピーク強度
が下記数２を満たすことを特徴とするものである。

【０００９】

【数２】

【００１０】上記数２で表されるＡｒのＫαのピーク強
度とＴｂのＭαのピーク強度の比は、記録磁性層中のＡ
ｒ吸蔵量の指標となる。すなわち、Ｋαのピーク強度及
びＭαのピーク強度はＥＰＭＡにより測定される。上記
ＥＰＭＡとは、試料に電子線を照射したときに試料から
発生するＸ線をもとに、どのような元素がどのくらい上
記試料に含まれているかを分析する方法である。

【００１１】ここで、上記Ｘ線は、元素に固有のエネル
ギーをもって放出されるので、このエネルギー値を測定
することで元素を特定することができる。このように、
Ｘ線のエネルギー値によって解析を行う方法をエネルギ
ー分散方式（ＥＤＸ）という。また、元素に固有のエネ
ルギーを有する上記Ｘ線を特性Ｘ線と称し、これは元素
原子を構成する電子がエネルギーの高い軌道から、より
エネルギーの低い軌道へ遷移するときに両者のエネルギ
ー差に等しいエネルギーを持つＸ線が放射される。この
より低い軌道がＫ殻と呼ばれる主量子数が１である軌道
であるとき、この発生するＸ線をＫ線という（主量子数
が３である時、Ｍ線）。

【００１２】また、Ｋ線のなかでも、最もエネルギーの
低い（即ち、波長の長い）ものをＫα線という。更に、
同じ殻内でも電子準位は分裂していて、Ｋα１，Ｋα２
等がある。しかし、分解能の低い測定機では、Ｋα１，
Ｋα２は互いに分離できないために、Ｋαのピーク強度
はＫα１とＫα２の和で表される（Ｍ線についても同様
である。）。

【００１３】

【作用】Ｔｂ−遷移金属合金非晶質薄膜を記録磁性層と
する光磁気ディスクにおいて、記録磁性層のＥＰＭＡに
おけるＡｒのＫαのピーク強度とＴｂのＭαのピーク強
度の比（Ｋαのピーク強度／ＴｂのＭαのピーク強度）
を０．２５以下に抑えると、繰り返しＥ／Ｗ特性が向上
する。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない
ことはいうまでもない。本実施例は、ＴｂＦｅＣｏ非晶
質薄膜を記録膜とする光磁気ディスク（ＩＳＯスタンダ
ード，直径１３０ｍｍ、１セクタ当たり５１２バイトの
フォーマット）において、上記ＴｂＦｅＣｏ非晶質薄膜
中のＡｒ吸蔵量が所定量以下となるようにした例であ
る。

【００１５】先ず、本実施例にかかる光磁気ディスクの
構成について説明する。この光磁気ディスクは、図１に
示すように、基板１の一主面１ａ上に記録部２が形成さ
れ、この記録部２上に耐蝕性保護膜３が形成された構成
とされてなる。上記基板１は、厚さ数ｍｍ程度（ここで
は１．２ｍｍとした。）の円盤状の透明基板であって、
その材質として、例えばアクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂等のプラス
チック材料の他、ガラス等が挙げられるが、本実施例で
はポリカーボネート樹脂を使用した。

【００１６】なお、この基板１表面のうち、上記記録部
２を設ける側には、通常再生時に使用するレーザ光波長
のおよそ４分の１の深さを有する案内溝や番地符号ピッ
ト等（いずれも図示は省略する。）が設けられる。上記
記録部２は、記録磁性層６、誘電体層４，６及び反射膜
７が積層された多層構造を有してなり、通常は基板１上
に第１の誘電体層４が形成され、この第１の誘電体層４
上に順次記録磁性層５、第２の誘電体層６及び反射膜７
が積層形成される。

【００１７】上記第１及び第２の誘電体層４，６として
は、酸化物や窒化物等が使用可能であるが、これら第１
及び第２の誘電体層４，６の酸素が上記記録磁性層５に
悪影響を及ぼす虞れがあることから、窒化物がより好ま
しく、酸素及び水分を透過させず、且つ使用レーザ光を
十分に透過し得る物質として、窒化珪素や窒化アルミニ
ウム等が好適である。ここでは、窒化珪素を使用した。

【００１８】このうち、上記第１の誘電体層４の膜厚
は、１０００Åとし、上記第２の誘電体層６の膜厚は、
４００Åとした。上記記録磁性層５は、膜面に垂直な方
向に磁化容易方向を有する非晶質の磁性薄膜であって、
磁気光学特性に優れることは勿論、室温にて大きな保磁
力を持ち、且つ温度２００℃付近にキュリー点を持つこ
とが望ましい。このような条件に叶った記録材料とし
て、希土類─遷移金属合金非晶質薄膜等が挙げられ、な
かでもＴｂＦｅＣｏ非晶質薄膜が好適であり、本実施例
でもＴｂＦｅＣｏ非晶質薄膜を使用した。

【００１９】この記録磁性層５の膜厚は、２２０Åとし
た。上記反射膜７は、上記第２の誘電体層６との境界で
レーザ光を７０％以上反射する高反射率の膜により構成
することが好ましく、非磁性金属の蒸着膜が好適であ
る。また、この反射膜７は、熱的に良導体であることが
望ましく、入手の容易さや成膜の容易さ等を考慮する
と、アルミニウム膜が適している。本実施例では、アル
ミニウム合金膜を使用した。

【００２０】この反射膜７の膜厚は、成膜条件に応じて
ディスクの記録レーザに対する感度が変わるので、ディ
スクに信号を記録するのに最低必要な記録時のレーザパ
ワーを３．８ｍＷに統一するために、適宜設定した。更
に、上記耐蝕性保護膜３は、上記記録部２の表面を平坦
化するとともに、湿気等から上記記録部２を保護するこ
とを目的として設けられるものである。この耐蝕性保護
膜３の構成材料としては、通常この種の光磁気ディスク
において使用されているアクリル系紫外線硬化樹脂（例
えば、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名：ＳＤ
−１７）を使用したが、これに限定されるものではな
い。

【００２１】以上のような構成を有する光磁気ディスク
は、次のような製造装置を用いて作製した。即ち、この
製造装置は、図２に示すように、ポリカーボネート樹脂
からなる円盤状の基板１１が固定されてなるキャリア１
２が順次搬入されるキャリアストッカー室１３と、Ｓｉ
Ｎ膜からなる第１の誘電体を成膜するための第１の成膜
チャンバ１４と、ＴｂＦｅＣｏ系非晶質薄膜からなる記
録磁性層を成膜するための第２の成膜チャンバ１５と、
ＳｉＮ膜からなる第２の誘電体層を成膜するための第３
の成膜チャンバ１６と、アルミニウム反射膜を成膜する
ための第４の成膜チャンバ１７から構成されてなる。

【００２２】これらキャリアストッカー室１３、第１乃
至第４の成膜チャンバ１４〜１７は、図２中横方向に並
列して互いに接続されるとともに、各空間毎に所定の真
空度に保たれるように仕切られている。このうち、上記
キャリアストッカー室１３の側面１３ａには、キャリア
搬入口（図示せず。）が設けられており、該キャリア搬
入口を介して複数のキャリア１２が図２中上方から下方
に向かって順次送り込まれる。

【００２３】このキャリアストッカー室１３内には、複
数のキャリア１２が互いに所定の間隔をあけて図２中縦
方向に並列して配設される。これらキャリアストッカー
室１３内に配設されたキャリア１２は、上記第１の成膜
チャンバ１４に順次送り出され、上記第１の成膜チャン
バ１４内で該キャリア１２上に配設された基板１１に対
して第１の誘電体層の成膜が行われた後、上記第２の成
膜チャンバ１５内に送られる。従って、上述のようにキ
ャリアストッカー室１３内に複数のキャリア１２を待機
させることにより、上記第１の成膜チャンバ１４での成
膜、更には上記第２〜４の成膜チャンバ１５〜１７での
成膜がインラインで連続して行われるようになされてい
る。

【００２４】上記キャリア１２は、図３及び図４に示す
ように、円盤状のプレートであり、その一主面上に複数
（本実施例では４枚）の基板１１が等間隔に配設されて
いる。一方、上記第１の成膜チャンバ１４の一側壁１４
ａには、図示しないＡｒガス導入口及びＮ₂ ガス導入口
がそれぞれ設けられており、これらＡｒガス導入口又は
Ｎ₂ ガス導入口を介して内部にＡｒガス若しくはＮ₂ ガ
スが適宜導入され、所望の雰囲気に制御されるようにな
されている。

【００２５】また、この第１の成膜チャンバ１４の上記
Ａｒガス導入口等が設けられた壁面１４ａと対向する壁
面には、内部にＳｉターゲット１８が配設されている。
そして、このＳｉターゲット１８と、上記第１の成膜チ
ャンバ１４内に送り込まれたキャリア１２上に固定され
た基板１１との間でスパッタリングが行われて上記基板
１１上に第１の誘電体層が形成される。

【００２６】この第１の誘電体層が設けられた上記基板
１１を保持した上記キャリア１２は、上記第１の誘電体
層の成膜後、上記第１の成膜チャンバ１４に隣接して配
設される上記第２の成膜チャンバ１５内に送り込まれ
る。この第２の成膜チャンバ１５の一側壁１５ａには、
Ａｒガス導入口（図示せず）が設けられており、該Ａｒ
ガス導入口を介して内部にＡｒガスが適宜導入され、所
望の雰囲気に制御されるようになされている。

【００２７】また、この第２の成膜チャンバ１５の上記
一壁面１５ａと対向する壁面には、内部にＴｂＦｅＣｏ
合金ターゲット２０が配設されている。そして、このＴ
ｂＦｅＣｏ合金ターゲット２０と、上記第２の成膜チャ
ンバ１５内に送り込まれたキャリア１２上に固定された
基板１１との間でスパッタリングが行われ、上記第１の
成膜チャンバ１４にて上記基板１１上に形成された第１
の誘電体層上に記録磁性層が成膜される。

【００２８】この記録磁性層の成膜に際し、上記第２の
成膜チャンバ１５内の真空度や投入パワー等の成膜条件
を変化させて得られる記録磁性層中に取り込まれるＡｒ
の吸蔵量を所定量以下に抑える。これにより、得られる
光磁気ディスクのＥ／Ｗ特性が向上する。この記録磁性
層が設けられた上記基板１１を保持した上記キャリア１
２は、上記記録磁性層の成膜後、上記第２の成膜チャン
バ１５に隣接して配設される上記第３の成膜チャンバ１
６内に送り込まれる。

【００２９】この第３の成膜チャンバ１６は、上記第１
の成膜チャンバ１４と同じ構成を有しており、一側壁１
６ａに設けられた図示しないＡｒガス導入口及びＮ₂ ガ
ス導入口により内部が所望の雰囲気に制御されるととも
に、上記一壁面１６ａと対向する壁面側の内部にＳｉタ
ーゲット２１が配設され、該第３の成膜チャンバ１６内
に送り込まれたキャリア１２上に固定された基板１１と
の間でスパッタリングが行われて上記記録磁性層上に第
２の誘電体層が形成されるようになされている。

【００３０】この第２の誘電体層が設けられた上記基板
１１を保持した上記キャリア１２は、上記第２の誘電体
層の成膜後、更に上記第３の成膜チャンバ１６に隣接し
て配設される上記第４の成膜チャンバ１７内に送り込ま
れる。この第４の成膜チャンバ１７の一側壁１７ａに
は、図示しないＡｒガス導入口が設けられており、この
Ａｒガス導入口を介して内部にＡｒガスが導入され、所
望の雰囲気に制御されるようになされている。

【００３１】また、この第４の成膜チャンバ１７の上記
Ａｒガス導入口が設けられた壁面１７ａと対向する壁面
には、内部にアルミニウム合金ターゲット２２が配設さ
れる。そして、このアルミニウム合金ターゲット２２
と、上記第４の成膜チャンバ１７内に送り込まれたキャ
リア１２上に固定された基板１１との間でスパッタリン
グが行われ、上記第３の成膜チャンバ１６にて上記基板
１１上に形成された第２の誘電体層上にアルミニウム反
射膜が成膜される。

【００３２】更に、このアルミニウム反射膜が設けられ
た上記基板１１を保持した上記キャリア１２は、該アル
ミニウム反射膜の成膜後、上記第４の成膜チャンバ１７
から取り出され、光磁気ディスクが得られる。そこで、
この製造装置を用い、次のようにして光磁気ディスクを
作製し、得られた光磁気ディスクの繰り返しＥ／Ｗ特性
を調べた。

【００３３】即ち、先ず上記第１乃至第４の成膜チャン
バ内の真空度が８×１０^-6Ｐａ以下となるまで排気し
た。次に、上記キャリアストッカー室内に配設されたキ
ャリアを上記第１の成膜チャンバ内に送り込み、該第１
の成膜チャンバにて上記キャリア上に固定された基板上
に第１の誘電体層を成膜した。

【００３４】続いて、上記キャリアを第２の成膜チャン
バに移動させ、該第２の成膜チャンバにて上記基板上に
形成された第１の誘電体層上に記録磁性層を形成した。
この時、下記表１に示すように、上記第２の成膜チャン
バ内の真空度及び投入パワーを変化させた。このように
上記第２の成膜チャンバでのスパッタリング時の成膜条
件を変えると、得られる記録磁性層の巨視的な構造が変
わり、該記録磁性層中に取り込まれるＡｒの吸蔵量が変
化する。このＡｒの吸蔵量を下記表１に併せて記す。

【００３５】

【表１】

【００３６】なお、上記Ａｒの吸蔵量は、次式（３）の
ように定義した。

【００３７】

【数３】

【００３８】また、このＡｒの吸蔵量は、次のようにし
て求めた。即ち、ポリカーボネート樹脂からなる透明基
板上に上記表１に示す６種類の成膜条件にて記録磁性層
のみを約２０００Å厚に形成した。そして、得られたサ
ンプルディスクについて、日立株式会社製のエネルギー
分散式ＥＰＭＡ分析装置（商品名；Ｓ−５５０＋ＫＥＶ
ＥＸ デルタＩＳ）を用い、上記透明基板上に設けられ
た記録磁性層中のＴｂのＭαのピーク値（特性Ｘ線のみ
の強度）とＡｒのＫαのピーク値をそれぞれ測定（図６
参照）し、これらを上記式（３）に代入してＡｒの吸蔵
量を求めた。なお、このようにして求められるＡｒの吸
蔵量は、強度比であるので、測定機や測定条件にはあま
り依存しない。

【００３９】このＡｒの吸蔵量を上記表１に併せて記
す。更に、上記キャリアを第３の成膜チャンバ及び第４
の成膜チャンバ内に順次通過させ、各成膜チャンバにて
上記第１の誘電体層上に形成された記録磁性層上に第２
の誘電体層及びアルミニウム反射膜を順次形成した。そ
して、これら第１及び第２の誘電体層、記録磁性層及び
アルミニウム反射膜が形成された基板を保持したキャリ
アを上記第４の成膜チャンバから取り出し、上記アルミ
ニウム反射膜上に紫外線硬化樹脂を塗布して耐蝕性保護
膜を設け、光磁気ディスクを得た。

【００４０】なお、このような光磁気ディスクの製造に
際し、上記第１及び第２の誘電体層、記録磁性層及びア
ルミニウム反射膜の成膜時におけるスパッタリング条件
は下記表２に示す通りとした。

【００４１】

【表２】

【００４２】繰り返しＥ／Ｗ特性の測定は、次のように
行った。即ち、下記に示す条件にて１．７×１０⁶ 回記
録・消去を繰り返した後、後述のようにしてＣＮ比を測
定した。この時、測定時の記録パワーを４〜８ｍＷの範
囲で変化させた。そして、最大ＣＮ比の値をＣＮ比_max
とし、繰り返し記録・消去前後での上記ＣＮ比_max の差
を求めた。 ＜繰り返しＥ／Ｗ特性の測定時の条件＞ 記録時の回転数 ２４００ｒｐｍ テストエリア ｒ＝３０ｍｍ イレーズＤＣパワー １０ｍＷ イレーズ印加バイアス磁界 −２４ｋＡ／ｍ（−３０
０Ｏｅ） ライトパワー ８ｍＷ ライト印加バイアス磁界 ２４ｋＡ／ｍ（３００Ｏ
ｅ） 記録キャリア周波数 ４．９３ＭＨｚ パルス幅 ５１ｎｓ ＣＮ比の測定は、ナカミチ社製のＣＮ比測定機（商品
名：ＯＭＳ−２０００、開口数ＮＡ＝０．５、半導体レ
ーザ光の波長＝７８０ｎｍ）を用い、上記光磁気ディス
クのテストエリア（ｒ＝３０ｍｍ）を消去した後、記録
を行い（回転数２４００ｒｐｍ）、記録された信号をス
ペクトルアナライザにより観測することにより行った。

【００４３】この測定に際し、消去・記録時の条件は次
の通りとした。 ＜イレーズ条件＞ イレーズＤＣパワー １０ｍＷ イレーズ印加バイアス磁界 −２４ｋＡ／ｍ（−３０
０Ｏｅ） ＜ライト条件＞ ライトパワー 適宜設定（８ｍＷが基
本） 記録キャリア周波数 ４．９３ＭＨｚ パルス幅 ５１ｎｓ この結果を上記表１及び図５に示す。

【００４４】図５は、得られた光磁気ディスクにおける
記録磁性層中のＡｒ吸蔵量と、繰り返しＥ／Ｗテスト前
後での最大ＣＮ比の差（最大ＣＮ比の劣化量）の関係を
示すものである。これら表１及び図５から、上記記録磁
性層中のＡｒ吸蔵量が少ない方（ピーク強度比が小さい
方）が繰り返しＥ／Ｗテスト後の最大ＣＮ比の劣化量が
小さく、上記Ａｒ吸蔵量が０．２５以下でほぼ一定とな
ることが判った。

【００４５】ここで、上記記録磁性層中のＴｂの濃度が
変わってしまえば上記Ａｒ吸蔵量も変化せざるを得ない
が、Ｔｂ─ＴＭ系の記録磁性層を使用する限り、保磁力
をほぼ４００〜１２００ｋＡ／ｍとしなければならない
ので、上記Ｔｂの濃度は約２０原子％とされることが必
要である。このため、上記Ｔｂの濃度が大きく変わると
いうことは考慮しなくて良い。

【００４６】また、本実施例の場合、成膜条件を変えて
も上記Ｔｂの濃度はほとんど変化しない。このことは上
記表１に示す、それぞれの条件で作製された記録磁性層
のプラズマ発光分光分析法によるＴｂの組成分析の結果
からも確認される。従って、上記Ａｒ吸蔵量を上述のよ
うにＴｂのＭαのピーク強度とＡｒのＫαのピーク強度
の比で表し、この値が０．２５以下となるように、記録
磁性層の成膜時における成膜条件を設定することによ
り、良好なＥ／Ｗ特性が得られる。

【００４７】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、透明基板上にＴｂ−遷移金属系合金の非
晶質薄膜からなる記録磁性層が形成されてなる光磁気デ
ィスクにおいて、上記記録磁性層のＥＰＭＡにおけるＡ
ｒのＫαのピーク強度とＴｂのＭαのピーク強度の比を
所定の値以下に規制しているので、繰り返し記録・消去
を行ってもＣＮ比の劣化の少ない光磁気ディスクを得る
ことができる。

【００４８】従って、本発明によれば、光磁気ディスク
の製造における歩留まりの向上とコストの低減を図るこ
とが可能となり、その工業的価値は大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる光磁気ディスクの一構成例を示
す断面図である。

【図２】本発明にかかる光磁気ディスクを製造する際に
使用する製造装置の一構成例を示す平面図である。

【図３】基板が配設されたキャリアの一構成例を示す要
部拡大平面図である。

【図４】基板が配設されたキャリアの一構成例を示す要
部拡大側面図である。

【図５】記録磁性層中のＡｒ吸蔵量と繰り返しＥ／Ｗテ
スト前後での最大ＣＮ比の差の関係を示す特性図であ
る。

【図６】記録磁性層のＥＰＭＡの一測定例を示す特性図
である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 記録部 ３ 耐蝕性保護膜 ４ 第１の誘電体層 ５ 記録磁性層 ６ 第２の誘電体層 ７ 反射膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上にＴｂ−遷移金属系合金の非
   晶質薄膜からなる記録磁性層が形成されてなる光磁気デ
   ィスクにおいて、 上記記録磁性層の電子プローブＸ線マイクロアナライズ
   におけるＡｒのＫαのピーク強度とＴｂのＭαのピーク
   強度が下記数１を満たすことを特徴とする光磁気ディス
   ク。 【数１】