JPH0870078A - 半導体装置用支持フレームおよび半導体装置の構造 - Google Patents
半導体装置用支持フレームおよび半導体装置の構造Info
- Publication number
- JPH0870078A JPH0870078A JP7197464A JP19746495A JPH0870078A JP H0870078 A JPH0870078 A JP H0870078A JP 7197464 A JP7197464 A JP 7197464A JP 19746495 A JP19746495 A JP 19746495A JP H0870078 A JPH0870078 A JP H0870078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- radiator
- metal rod
- semiconductor chip
- support frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱器（２）とこの放熱器（２）に取り付け
られた半導体チップ（８）を組み入れた半導体装置用支
持フレーム（１）を得る。 【解決手段】 導電手段（４）により放熱器（２）に取
り付けられた２つの金属棒（３）を備え、金属棒は各々
半導体チップの電気端子と接続するための薄い金線の溶
接のために設計された金属棒（３）の頂面に対して低く
された金属化領域（５）を有する。
られた半導体チップ（８）を組み入れた半導体装置用支
持フレーム（１）を得る。 【解決手段】 導電手段（４）により放熱器（２）に取
り付けられた２つの金属棒（３）を備え、金属棒は各々
半導体チップの電気端子と接続するための薄い金線の溶
接のために設計された金属棒（３）の頂面に対して低く
された金属化領域（５）を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置用支
持フレームおよび半導体装置の構造に関し、特に放熱器
とこの放熱器に結合されこれより半導体の電流伝達端子
（terminal rheophores)を突出させるプラスチック本体
からなるデバィスのような構造に関するものである。
持フレームおよび半導体装置の構造に関し、特に放熱器
とこの放熱器に結合されこれより半導体の電流伝達端子
（terminal rheophores)を突出させるプラスチック本体
からなるデバィスのような構造に関するものである。
【０００２】周知のように、集積回路は半導体チップ上
に設けられ、外側の電気回路への接続のために封じ込め
および電気接続用の特別な支持構造を必要とする。この
ために適当な代表的構造は、実質的に半導体チップを包
囲するプラスチック本体（パッケージと称する）からな
り、このプラスチック本体は、その表面に設けられ導電
体すなわちプラスチック本体から出現する電流伝達端子
に対応する特別な金属化領域に溶接された薄膜金属線に
より接続される。集積化された電力回路すなわち高電流
で動作するように設計されたデバィス、したがって、熱
を発生できるデバィスの場合には、その構造は、また、
金属放熱要素からなり、これを通してそれに取り付けら
れている半導体チップは外部にその動作中に生じた熱を
伝達できる。
に設けられ、外側の電気回路への接続のために封じ込め
および電気接続用の特別な支持構造を必要とする。この
ために適当な代表的構造は、実質的に半導体チップを包
囲するプラスチック本体（パッケージと称する）からな
り、このプラスチック本体は、その表面に設けられ導電
体すなわちプラスチック本体から出現する電流伝達端子
に対応する特別な金属化領域に溶接された薄膜金属線に
より接続される。集積化された電力回路すなわち高電流
で動作するように設計されたデバィス、したがって、熱
を発生できるデバィスの場合には、その構造は、また、
金属放熱要素からなり、これを通してそれに取り付けら
れている半導体チップは外部にその動作中に生じた熱を
伝達できる。
【０００３】これらのパッケージの組み立てのために、
放熱器には、相互接続部により全体に動かないように共
通結合され、デバィスの電流伝達端子となるように設計
された金属ストリップからなるフレームが装荷される。
上記フレーム構造は、銅版を打ち抜いて作られ、放熱器
と一体の特定の支柱に対向する穴を施している。これら
の支柱の遊端は、フレーム構造が放熱器上に位置決めさ
れ締め付けられて放熱器とフレーム間の電気的接続を確
実にされるときにリベットで留められる。
放熱器には、相互接続部により全体に動かないように共
通結合され、デバィスの電流伝達端子となるように設計
された金属ストリップからなるフレームが装荷される。
上記フレーム構造は、銅版を打ち抜いて作られ、放熱器
と一体の特定の支柱に対向する穴を施している。これら
の支柱の遊端は、フレーム構造が放熱器上に位置決めさ
れ締め付けられて放熱器とフレーム間の電気的接続を確
実にされるときにリベットで留められる。
【０００４】代表的に、連続した金属ストリップを作る
のに、ある回数共通結合の放熱器と金属フレーム構造で
形成されるユニットが繰り返される。この構造を“リー
ドフレーム”と称する。次に、半導体チップは、低い沸
点の合金例えば鉛−錫合金を用いて溶接するかまたは適
当な接着剤例えばエポキシの接着剤を用いて接合するこ
とにより放熱器上に取り付けられる。熱と超音波を同時
に適用する“熱音波”と称する方法で、薄い金線の一端
が半導体チップの周辺端子（パッド）に、他端が金属ス
トリップの内部端に溶接される。
のに、ある回数共通結合の放熱器と金属フレーム構造で
形成されるユニットが繰り返される。この構造を“リー
ドフレーム”と称する。次に、半導体チップは、低い沸
点の合金例えば鉛−錫合金を用いて溶接するかまたは適
当な接着剤例えばエポキシの接着剤を用いて接合するこ
とにより放熱器上に取り付けられる。熱と超音波を同時
に適用する“熱音波”と称する方法で、薄い金線の一端
が半導体チップの周辺端子（パッド）に、他端が金属ス
トリップの内部端に溶接される。
【０００５】ある場合には、通常回路の電気的接地部に
接続される半導体チップのパッドの少なくとも１つを放
熱器に電気的に接続する必要がある。その接続の仕方
が、１９９３年６月９日に第0545007号として公布され
た同一出願人による欧州特許出願第92115760.8号に記載
されている。この方法では、薄い金線の一端を半導体チ
ップの金属領域に、他端を金属フレーム構造の表面に作
られた特定のパッドに取り付けられる。次いで、液状の
プラスチック樹脂が注入される特定のモールドにその組
み立て体に装荷される。樹脂の重合後、放熱器の一面を
除いて上述の要素が組み入れられた固体プラスチック本
体、デバィスの電流伝達端子の部分および電流伝達端子
の相互接続部からなる構造が得られる。これらの相互接
続部はその後打ち抜きにより除去され、かくして最終的
なデバィスが得られる。
接続される半導体チップのパッドの少なくとも１つを放
熱器に電気的に接続する必要がある。その接続の仕方
が、１９９３年６月９日に第0545007号として公布され
た同一出願人による欧州特許出願第92115760.8号に記載
されている。この方法では、薄い金線の一端を半導体チ
ップの金属領域に、他端を金属フレーム構造の表面に作
られた特定のパッドに取り付けられる。次いで、液状の
プラスチック樹脂が注入される特定のモールドにその組
み立て体に装荷される。樹脂の重合後、放熱器の一面を
除いて上述の要素が組み入れられた固体プラスチック本
体、デバィスの電流伝達端子の部分および電流伝達端子
の相互接続部からなる構造が得られる。これらの相互接
続部はその後打ち抜きにより除去され、かくして最終的
なデバィスが得られる。
【０００６】通常、リードフレームは、全体のデバィス
が組み立てられるかまたは上述の処理工程が行われる所
と異なる場所に作られ、電流伝達端子間およびリードフ
レーム自体間の相互接続部の打ち抜きを導く。これらの
リードフレームは運送のために設計された特定の容器に
ある数の同一の部品を積み重ねることにより挿入され、
デバィスの処理を続行する場所に輸送される。
が組み立てられるかまたは上述の処理工程が行われる所
と異なる場所に作られ、電流伝達端子間およびリードフ
レーム自体間の相互接続部の打ち抜きを導く。これらの
リードフレームは運送のために設計された特定の容器に
ある数の同一の部品を積み重ねることにより挿入され、
デバィスの処理を続行する場所に輸送される。
【０００７】このれらの容器では、リードフレームは相
互の上に位置を占め、従って、各リードフレームの頂面
は上記リードフレームの底面と接触している。半導体チ
ップのある領域を放熱器に電気的に接続するために設計
されたあるパッドの表面が銀で金属化されているので、
梱包および運送の作業中リードフレームの相互の摩擦の
ため、上記表面が部分的に損傷を受けがちである。これ
により、連続処理工程中欠陥が生じ、溶接の信頼性をか
なり減少する。
互の上に位置を占め、従って、各リードフレームの頂面
は上記リードフレームの底面と接触している。半導体チ
ップのある領域を放熱器に電気的に接続するために設計
されたあるパッドの表面が銀で金属化されているので、
梱包および運送の作業中リードフレームの相互の摩擦の
ため、上記表面が部分的に損傷を受けがちである。これ
により、連続処理工程中欠陥が生じ、溶接の信頼性をか
なり減少する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】リードフレームの表面
の金属化領域を保護するのに使用される装置は、１つの
リードフレームと耐衝撃材料で作られた次の保護スペー
サの間に置くものである。この種の梱包を使用するとき
に遭遇する第１の欠点は、半導体チップの組み立て装置
でリードフレームを負荷し、接続する薄い金線の溶接の
前に１つ１つスペーサを除去する必要があることであ
る。さらに、これらのスペーサある厚さを持っており、
輸送のために使用される容器の寸法がリードフレームで
占める実際の容積より非常に大きくなることである。
の金属化領域を保護するのに使用される装置は、１つの
リードフレームと耐衝撃材料で作られた次の保護スペー
サの間に置くものである。この種の梱包を使用するとき
に遭遇する第１の欠点は、半導体チップの組み立て装置
でリードフレームを負荷し、接続する薄い金線の溶接の
前に１つ１つスペーサを除去する必要があることであ
る。さらに、これらのスペーサある厚さを持っており、
輸送のために使用される容器の寸法がリードフレームで
占める実際の容積より非常に大きくなることである。
【０００９】この発明の基礎となる技術的問題は、周知
の技術で遭遇した欠点を克服するような構造的および機
能的特性を有するリードフレームを半導体装置のために
想起することである。その技術的問題は、請求項１ない
し４の特徴部分に示されかつ規定されている型のリード
フレーム（支持フレーム）により解決される。また、そ
の技術的問題は、請求項５ないし８の特徴部分に示され
かつ規定されている型の半導体装置の構造により解決さ
れる。この発明によるリードフレームの特徴および利点
を、添付図面を参照して限定されない例により以下に示
すその実施の形態の説明で述べる。
の技術で遭遇した欠点を克服するような構造的および機
能的特性を有するリードフレームを半導体装置のために
想起することである。その技術的問題は、請求項１ない
し４の特徴部分に示されかつ規定されている型のリード
フレーム（支持フレーム）により解決される。また、そ
の技術的問題は、請求項５ないし８の特徴部分に示され
かつ規定されている型の半導体装置の構造により解決さ
れる。この発明によるリードフレームの特徴および利点
を、添付図面を参照して限定されない例により以下に示
すその実施の形態の説明で述べる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、放熱器
（２）とこの放熱器（２）に取り付けられた半導体チッ
プ（８）を組み入れた半導体装置用でかつ少なくとも１
つの金属化領域（５）を有し導電手段（４）により放熱
器（２）に取り付けられた少なくとも１つの金属棒
（３）を備える型の支持フレーム（１）において、金属
化領域（５）が金属棒（３）の上面に対して低くされた
ことを特徴とするものである。
（２）とこの放熱器（２）に取り付けられた半導体チッ
プ（８）を組み入れた半導体装置用でかつ少なくとも１
つの金属化領域（５）を有し導電手段（４）により放熱
器（２）に取り付けられた少なくとも１つの金属棒
（３）を備える型の支持フレーム（１）において、金属
化領域（５）が金属棒（３）の上面に対して低くされた
ことを特徴とするものである。
【００１１】また、この発明は、支持フレーム（１）
と、放熱器（２）と、放熱器に取り付けられ、その表面
に電気端子（７）を有する半導体チップ（８）と、導電
手段（４）により放熱器（２）に取り付けられた少なく
とも１つの金属化領域（５）を有する少なくとも１つの
金属棒（３）と、支持フレーム（１）内で各々半導体チ
ップ（８）に隣接する一端を有する電流伝達端子（６）
と、半導体チップ（８）の電気端子（７）および上記電
流伝達端子（６）の端部間の接続線（１２）と、半導体
チップ（８）の少なくとも１つの電気端子（７）および
金属棒上の少なくとも１つの金属化領域（５）間の接続
線（１０）と、樹脂セル（９）とを備えた半導体装置の
構造において、金属化領域（５）が金属棒（３）の頂面
に対して低くされたことを特徴とするものである。
と、放熱器（２）と、放熱器に取り付けられ、その表面
に電気端子（７）を有する半導体チップ（８）と、導電
手段（４）により放熱器（２）に取り付けられた少なく
とも１つの金属化領域（５）を有する少なくとも１つの
金属棒（３）と、支持フレーム（１）内で各々半導体チ
ップ（８）に隣接する一端を有する電流伝達端子（６）
と、半導体チップ（８）の電気端子（７）および上記電
流伝達端子（６）の端部間の接続線（１２）と、半導体
チップ（８）の少なくとも１つの電気端子（７）および
金属棒上の少なくとも１つの金属化領域（５）間の接続
線（１０）と、樹脂セル（９）とを備えた半導体装置の
構造において、金属化領域（５）が金属棒（３）の頂面
に対して低くされたことを特徴とするものである。
【００１２】
【実施の形態】図において、各図に示す半導体装置の構
造は、固体プラスチック本体９と、多数の金属ストリッ
プすなわち電流伝達端子６と、支持および放熱の機能を
有する放熱器２と、集積回路が形成され且つ溶接合金の
層で放熱器２に取り付けられる半導体チップ８とからな
る。電流伝達端子６は一片の金属薄板から打ち抜くこと
により普通の方法で作られ、そして、形成後相互から完
全に分離前に、好ましくは打ち抜きの前に、相互接続部
（interconnection lengths）１１で共に結合され、図
２に示すように全体として参照番号１で示す支持フレー
ムとしての骨枠を共同して構成する。
造は、固体プラスチック本体９と、多数の金属ストリッ
プすなわち電流伝達端子６と、支持および放熱の機能を
有する放熱器２と、集積回路が形成され且つ溶接合金の
層で放熱器２に取り付けられる半導体チップ８とからな
る。電流伝達端子６は一片の金属薄板から打ち抜くこと
により普通の方法で作られ、そして、形成後相互から完
全に分離前に、好ましくは打ち抜きの前に、相互接続部
（interconnection lengths）１１で共に結合され、図
２に示すように全体として参照番号１で示す支持フレー
ムとしての骨枠を共同して構成する。
【００１３】骨枠１内の電流伝達端子６の端部は薄い金
線１０により半導体チップ８の金属化領域７に上述の周
知の方法で接続される。骨枠１は同じ金属薄板から打ち
抜きにより作られた２つの対向する側ストリップを呈
し、これはプラスチック本体９の内側に２つの金属棒３
を形成する。図に示す本実施の形態による金属棒３は電
流伝達端子６と全く同じ狭い部分がプラスチック本体９
の外側に延在する。各金属棒３は、放熱器２上にこれと
一体の特別な支柱４により骨枠１を装荷させる２つの穴
を有する。
線１０により半導体チップ８の金属化領域７に上述の周
知の方法で接続される。骨枠１は同じ金属薄板から打ち
抜きにより作られた２つの対向する側ストリップを呈
し、これはプラスチック本体９の内側に２つの金属棒３
を形成する。図に示す本実施の形態による金属棒３は電
流伝達端子６と全く同じ狭い部分がプラスチック本体９
の外側に延在する。各金属棒３は、放熱器２上にこれと
一体の特別な支柱４により骨枠１を装荷させる２つの穴
を有する。
【００１４】この支柱は導電材料からなり、好ましくは
放熱器自体が形成される打ち抜き作業と同時に放熱器か
ら引き抜くことで作られる。穴に支柱４の挿入後支柱４
はその端を引っ繰り返して金属棒３および全体の骨枠１
の所定位置に締め付けられる。集積回路の接地端子に対
応する半導体チップ８の２つの金属化領域７は支柱４間
の中間領域の金属棒３上に作られた特定領域５にそれぞ
れ薄い金線１０によって接続される。
放熱器自体が形成される打ち抜き作業と同時に放熱器か
ら引き抜くことで作られる。穴に支柱４の挿入後支柱４
はその端を引っ繰り返して金属棒３および全体の骨枠１
の所定位置に締め付けられる。集積回路の接地端子に対
応する半導体チップ８の２つの金属化領域７は支柱４間
の中間領域の金属棒３上に作られた特定領域５にそれぞ
れ薄い金線１０によって接続される。
【００１５】金属棒３上に作られた特定領域５はそれら
の酸化を防ぐために銀で金属化され、溶接品質を改善す
る。さらに、特定領域５の表面は、図３の断面図からも
分かるように、金属棒３の上面に対して低くされる。こ
れら低くなった領域はリードフレームが形成される打ち
抜きと同時に金属薄板にプレス加工することにより作ら
れる。連続動作により、これらの低くなった領域が銀で
金属化される。この方法で放熱器２と集積回路の接地接
続が確実になる。
の酸化を防ぐために銀で金属化され、溶接品質を改善す
る。さらに、特定領域５の表面は、図３の断面図からも
分かるように、金属棒３の上面に対して低くされる。こ
れら低くなった領域はリードフレームが形成される打ち
抜きと同時に金属薄板にプレス加工することにより作ら
れる。連続動作により、これらの低くなった領域が銀で
金属化される。この方法で放熱器２と集積回路の接地接
続が確実になる。
【００１６】集積回路の通常の支持および封じ込め構造
に外面的に全く同じに見える図１に示すような構造を得
るのに、プラスチック本体９の形成および骨枠１の相互
接続部１１の打ち抜きは普通の方法で行われる。金属棒
３の表面に対して金属化された特定領域５を低くするこ
とにより、その梱包および輸送中、金属化された特定領
域５を損傷する危険を伴うことなく、図４に示すように
リードフレームをお互いに直接積み重ねることが可能に
なる。この方法では、連続半導体組み立て作業で使用さ
れる機械にリードフレームを負荷する前に１つずつ除去
しなければならないリードフレーム間に設けられた耐衝
撃スペーサを使用しなくても済む。
に外面的に全く同じに見える図１に示すような構造を得
るのに、プラスチック本体９の形成および骨枠１の相互
接続部１１の打ち抜きは普通の方法で行われる。金属棒
３の表面に対して金属化された特定領域５を低くするこ
とにより、その梱包および輸送中、金属化された特定領
域５を損傷する危険を伴うことなく、図４に示すように
リードフレームをお互いに直接積み重ねることが可能に
なる。この方法では、連続半導体組み立て作業で使用さ
れる機械にリードフレームを負荷する前に１つずつ除去
しなければならないリードフレーム間に設けられた耐衝
撃スペーサを使用しなくても済む。
【００１７】従って、この発明により提供されるリード
フレームは輸送用に設計された容器１３の大きさを低減
でき、また、容器からチップ溶接機へ直接リードフレー
ムを負荷することが可能になる。勿論、何ら制限されな
いが全て上記特許請求の範囲の保護範囲に属する例とし
て上述した半導体装置に対する変形及び変更が可能であ
る。例えば、金属棒はプラスチック本体に対して外部の
延長部を持たなくてよい、すなわち、金属棒はプラスチ
ック本体に完全に組み入れてよいし、或は、２つまたは
各金属棒が１つ以上の低くされかつ金属化された領域を
持つ代わりに、単一の金属棒を備えるようにしてもよ
い。
フレームは輸送用に設計された容器１３の大きさを低減
でき、また、容器からチップ溶接機へ直接リードフレー
ムを負荷することが可能になる。勿論、何ら制限されな
いが全て上記特許請求の範囲の保護範囲に属する例とし
て上述した半導体装置に対する変形及び変更が可能であ
る。例えば、金属棒はプラスチック本体に対して外部の
延長部を持たなくてよい、すなわち、金属棒はプラスチ
ック本体に完全に組み入れてよいし、或は、２つまたは
各金属棒が１つ以上の低くされかつ金属化された領域を
持つ代わりに、単一の金属棒を備えるようにしてもよ
い。
【図１】一部を除去してその内部を示すこの発明による
支持フレームを組み入れた半導体装置を示す透視図であ
る。
支持フレームを組み入れた半導体装置を示す透視図であ
る。
【図２】この発明によるリードフレームの部分を示す平
面図である。
面図である。
【図３】一方のものが他方のものに重畳したこの発明に
よる４つのリードフレームを示す断面図である。
よる４つのリードフレームを示す断面図である。
【図４】輸送用の容器に挿入されたこの発明による一連
のリードフレームを示す透視図である。
のリードフレームを示す透視図である。
１ 骨枠 ２ 放熱器 ３ 金属棒 ４ 支柱 ５ 特定領域 ６ 電流伝達端子 ７ 金属化領域 ８ 半導体チップ ９ 固体プラスチック本体 １０ 薄い金線 １１ 相互接続部 １２ 接続線 １３ 容器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マウロ・マッゾーラ イタリア国、24047 トレヴィリョ、ヴィ ア・ジ・グロッシ ６ (72)発明者 パオロ・カサーティ イタリア国、20099 セスト・エッセ・ジ ョヴァンニ、ヴィア・マッジーニ 50
Claims (8)
- 【請求項１】 放熱器（２）と該放熱器（２）に取り付
けられた半導体チップ（８）を組み入れた半導体装置用
でかつ少なくとも１つの金属化領域（５）を有し導電手
段（４）により上記放熱器（２）に取り付けられた少な
くとも１つの金属棒（３）を備える型の半導体装置用支
持フレーム（１）において、上記金属化領域（５）が上
記金属棒（３）の上面に対して低くされたことを特徴と
する半導体装置用支持フレ−ム。 - 【請求項２】 金属棒の少なくとも一端は、半導体装置
の少なくとも１つの電流伝達端子（６）を形成する放熱
器（２）の外側に延在することを特徴とする請求項１記
載の半導体装置用支持フレーム。 - 【請求項３】 相互に平行でかつ各々放熱器（２）の一
側の近くに延在する２つの対向す金属棒（３）を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用支持フレ
ーム。 - 【請求項４】 少なくとも１つの金属棒（３）の少なく
とも一端は、半導体装置の少なくとも１つの電流伝達端
子（６）を形成する放熱器（２）の外側に延在すること
を特徴とする請求項３記載の半導体装置用支持フレー
ム。 - 【請求項５】 支持フレーム（１）と、 放熱器（２）と、 上記放熱器に取り付けられ、その表面に電気端子（７）
を有する半導体チップ（８）と、 導電手段（４）により放熱器（２）に取り付けられた少
なくとも１つの金属化領域（５）を有する少なくとも１
つの金属棒（３）と、 上記支持フレーム（１）内で各々上記半導体チップ
（８）に隣接する一端を有する電流伝達端子（６）と、 上記半導体チップ（８）の電気端子（７）および上記電
流伝達端子（６）の端部間の接続線（１２）と、 上記半導体チップ（８）の少なくとも１つの電気端子
（７）および上記金属棒上の少なくとも１つの金属化領
域（５）間の接続線（１０）と、 樹脂セル（９）とを備えた半導体装置の構造において、 上記金属化領域（５）が上記金属棒（３）の頂面に対し
て低くされたことを特徴とする半導体装置の構造。 - 【請求項６】 金属棒の少なくとも一端は、半導体装置
の少なくとも１つの電流伝達端子（６）を形成する放熱
器（２）の外側に延在することを特徴とする請求項５記
載の半導体装置の構造。 - 【請求項７】 相互に平行でかつ各々放熱器（２）の一
側の近くに延在する２つの対向す金属棒（３）を備えた
ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の構造。 - 【請求項８】 少なくとも１つの金属棒（３）の少なく
とも一端は、半導体装置の少なくとも１つの電流伝達端
子（６）を形成する放熱器（２）の外側に延在すること
を特徴とする請求項７記載の半導体装置の構造。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT94830403.5 | 1994-08-12 | ||
| EP94830403A EP0698922B1 (en) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | Leadframe for supporting integrated semiconductor devices |
| US08/414,285 US5617295A (en) | 1994-08-12 | 1995-03-31 | Leadframe for supporting integrated semiconductor devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0870078A true JPH0870078A (ja) | 1996-03-12 |
| JP3581444B2 JP3581444B2 (ja) | 2004-10-27 |
Family
ID=26137717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19746495A Expired - Fee Related JP3581444B2 (ja) | 1994-08-12 | 1995-08-02 | 半導体装置用支持フレーム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5617295A (ja) |
| EP (1) | EP0698922B1 (ja) |
| JP (1) | JP3581444B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19844872C2 (de) * | 1998-09-30 | 2003-11-13 | Possehl Electronic Gmbh | Trägeranordnung zur Aufnahme eines Halbleiterbauelements |
| RU172797U1 (ru) * | 2017-04-05 | 2017-07-24 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Выводная рамка мощной интегральной микросхемы |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02106059A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Hitachi Cable Ltd | リードフレームの製造方法 |
| JPH05129505A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-05-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子回路素子搭載用リードフレーム |
| JPH05283462A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-10-29 | Sgs Thomson Microelettronica Spa | ヒートシンクとプラスチック本体を有する半導体デバイスの構造 |
| JPH0653390A (ja) * | 1992-06-03 | 1994-02-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3984166A (en) * | 1975-05-07 | 1976-10-05 | Burroughs Corporation | Semiconductor device package having lead frame structure with integral spring contacts |
| JPH064595Y2 (ja) * | 1988-02-24 | 1994-02-02 | 日本電気株式会社 | ハイブリッドｉｃ |
| US5156983A (en) * | 1989-10-26 | 1992-10-20 | Digtial Equipment Corporation | Method of manufacturing tape automated bonding semiconductor package |
| US5025114A (en) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Olin Corporation | Multi-layer lead frames for integrated circuit packages |
| IT1250405B (it) * | 1991-01-31 | 1995-04-07 | Sgs Thomson Microelectronics | Piastrina metallica di dissipazione del calore di un dispositivo a semiconduttore di potenza incapsulato in resina fornita di rilievi per la saldatura dei fili di massa |
| JPH06275677A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-09-30 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
| JPH0786717A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | プリント配線板構造体 |
| US5410451A (en) * | 1993-12-20 | 1995-04-25 | Lsi Logic Corporation | Location and standoff pins for chip on tape |
-
1994
- 1994-08-12 EP EP94830403A patent/EP0698922B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-03-31 US US08/414,285 patent/US5617295A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-02 JP JP19746495A patent/JP3581444B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02106059A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Hitachi Cable Ltd | リードフレームの製造方法 |
| JPH05129505A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-05-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子回路素子搭載用リードフレーム |
| JPH05283462A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-10-29 | Sgs Thomson Microelettronica Spa | ヒートシンクとプラスチック本体を有する半導体デバイスの構造 |
| JPH0653390A (ja) * | 1992-06-03 | 1994-02-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5617295A (en) | 1997-04-01 |
| JP3581444B2 (ja) | 2004-10-27 |
| EP0698922A1 (en) | 1996-02-28 |
| EP0698922B1 (en) | 2001-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5554886A (en) | Lead frame and semiconductor package with such lead frame | |
| US6780680B2 (en) | Methods of fabricating multilevel leadframes and semiconductor devices | |
| JP3118167B2 (ja) | 電子パッケージおよびその製造方法 | |
| US4891687A (en) | Multi-layer molded plastic IC package | |
| US6222258B1 (en) | Semiconductor device and method for producing a semiconductor device | |
| TW473966B (en) | Flip chip in leaded molded package and method of manufacture thereof | |
| KR100369393B1 (ko) | 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법 | |
| EP1235272B1 (en) | Leadframe, resin-molded semiconductor device including the leadframe, method of making the leadframe and method for manufacturing the device | |
| US6541846B2 (en) | Dual LOC semiconductor assembly employing floating lead finger structure | |
| JP2002134676A (ja) | リードフレーム及びそれを備えた半導体パッケージ、並びにその半導体パッケージの製造方法 | |
| EP0272187A2 (en) | Plastic package for high frequency semiconductor devices | |
| TW571402B (en) | Leadframe semiconductor device and the manufacturing method thereof, circuit substrate and electronic machine | |
| CN212182312U (zh) | 半导体封装件 | |
| GB2199988A (en) | Multi-layer molded plastic ic package | |
| US4688075A (en) | Integrated circuit having a pre-attached conductive mounting media and method of making the same | |
| JPH0870078A (ja) | 半導体装置用支持フレームおよび半導体装置の構造 | |
| US8368189B2 (en) | Auxiliary leadframe member for stabilizing the bond wire process | |
| KR20000033885A (ko) | 금속 터미널을 구비하는 전력 반도체 모쥴, 전력 반도체 모쥴의금속 터미널 제조방법 및 전력 반도체 모쥴의 제조방법 | |
| US11444012B2 (en) | Packaged electronic device with split die pad in robust package substrate | |
| CA1219684A (en) | Semiconductor package | |
| GB2290660A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| US6538303B1 (en) | Lead frame and semiconductor device using the same | |
| CN109545697B (zh) | 半导体封装方法及半导体封装结构 | |
| JPS5961154A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20000006597A (ko) | 에어 캐비티를 가지는 플라스틱 패키지 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040323 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040507 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040629 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040723 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070730 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080730 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080730 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090730 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090730 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100730 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110730 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110730 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120730 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130730 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |