RU172797U1 - Выводная рамка мощной интегральной микросхемы - Google Patents
Выводная рамка мощной интегральной микросхемы Download PDFInfo
- Publication number
- RU172797U1 RU172797U1 RU2017111519U RU2017111519U RU172797U1 RU 172797 U1 RU172797 U1 RU 172797U1 RU 2017111519 U RU2017111519 U RU 2017111519U RU 2017111519 U RU2017111519 U RU 2017111519U RU 172797 U1 RU172797 U1 RU 172797U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- heat dissipator
- output
- traverse
- heat
- powerful integrated
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Использование: для создания медных выводных рамок мощных интегральных схем и полупроводниковых приборов. Сущность полезной модели заключается в том, что в выводная рамка мощной интегральной микросхемы содержит теплорастекатель с участком присоединения кристалла, вывод, соединенный с теплорастекателем, на котором сформирована траверса, выполненный из материала теплорастекателя путем гибки и штамповки, и внешние выводы с траверсами для разварки внутренних гибких выводов, траверса на выводе рамки, соединенном с теплорастекателем, сформирована таким образом, что ближайший к теплорастекателю край этой траверсы располагается на одном расстоянии от теплорастекателя с удаленными краями остальных траверс внешних выводов. Технический результат: обеспечение возможности повышения надежности и выхода годных изделий мощных интегральных микросхем. 2 илл.
Description
Предполагаемая полезная модель относится к области электронной техники, а именно - к конструкции медных выводных рамок мощных интегральных схем и полупроводниковых приборов, герметизируемых пластмассой.
Известна выводная рамка мощной интегральной микросхемы, содержащая теплорастекатель с участком присоединения кристалла, вывод, соединенный с теплорастекателем, и внешние выводы с траверсами для разварки внутренних гибких выводов (см. патент США №7,834,433 В2 класс. H01L 23/34, H01L 21/00). Теплорастекатель предназначен для отвода тепла от полупроводникового кристалла к радиатору, на котором закреплен теплорастекатель, а также выполняет роль дополнительного вывода для чего в процессе сборки один из внешних выводов мощной интегральной микросхемы электрически соединяется с теплорастекателем перемычкой. Электрическое соединение мощной интегральной микросхемы с теплорастекателем может быть получено либо посредством пайки, либо, в случае, когда подложка микросхемы электрически изолирована от элементов микросхем, посредством разварки гибким выводом контактных площадок кристалла на теплорастекатель. В случае разварки гибким выводом на теплорастекатель требуется свободное пространство на поверхности теплорастекателя, необходимое для размещения сварочного инструмента.
После разварки гибких выводов проводят заливку выводных рамок пластиком в пресс-форме для формирования корпуса мощной интегральной микросхемы. Причем на поверхности одной из фронтальных сторон корпуса находится теплорастекатель, а на торцевой стороне внешние выводы, расположенные примерно по центру торцевой стороны таким образом, чтобы пластик надежно изолировал внешние выводы.
Недостатком данной выводной рамки является то, что в процессе изготовления используется операция напайки или сварки вывода, соединенного с теплорастекателем, что уменьшает надежность выводной рамки и может привести к выходу изделия из строя.
Указанный недостаток устранен в выводной рамке мощной интегральной микросхемы, содержащей теплорастекатель с участком присоединения кристалла, вывод, соединенный с теплорастекателем, выполненный из материала теплорастекателя путем гибки и штамповки, и внешние выводы с траверсами для разварки внутренних гибких выводов (см. патент США №7,629,676 В2 класс. H01L 23/495). Выводная рамка сформирована методом штамповки и гибки на профилированной ленте, что повышает технологичность производства мощной интегральной микросхемы.
Траверсы внешних выводов выполнены в виде прямоугольников или трапеций. Размеры траверс внешних выводов составляют не менее 2 толщин внешних выводов для того чтобы обеспечить их плоскостность. Ближайшие к теплорастекателю стороны траверс располагают по границе теплорастекателя для обеспечения минимальной длины гибкого вывода и возможности расположения полупроводникового кристалла наибольшего размера без увеличения габаритов пластикового корпуса.
Вывод, соединенный с теплорастекателем изгибают S-образно в сторону расположения кристалла мощной интегральной микросхемы. Ширина основания изгиба составляет 2 толщины внешнего вывода, что уменьшает концентрацию механических напряжений в месте соединения теплорастекателя с его выводом. Вывод, соединенный с теплорастекателем после изгиба лежит в плоскости остальных внешних выводов.
При изготовлении мощных микросхем или полупроводниковых приборов зачастую необходимо осуществить присоединение гибких выводов от контактных площадок полупроводникового кристалла на теплорастекатель. Такая необходимость возникает, например, в стабилизаторах напряжения. Рабочие элементы стабилизатора электрически изолированы от подложки полупроводникового кристалла поэтому, для уменьшения стоимости изделия за счет уменьшения количества общих выводов в полупроводником приборе, соединяют мощный вход или выход стабилизатора, по которому протекает большой ток, напрямую с теплорастекателем (см. книгу Shankara К. Prasad, Advanced wirebond interconnection technology, стр. 5, рис 1.3 и 1.4). Недостатком данной выводной рамки является то, что при герметизации полупроводниковых кристаллов, габариты которых близки к габаритам площадки для монтажа полупроводникового кристалла, нет возможности производить электрическое соединение полупроводникового кристалла с теплоратекателем.
Наиболее близкой к предлагаемой является выводная рамка мощной интегральной микросхемы, содержащая теплорастекатель с участком присоединения кристалла, вывод, соединенный с теплорастекателем, на котором сформирована траверса, выполненный из материала теплорастекателя путем гибки и штамповки, и внешние выводы с траверсами для разварки внутренних гибких выводов (см. патент США №9,171,837 В2 класс. Н03К 3/00 фиг. 5).
Переход, соединяющий внешний вывод от теплорастекателя с теплорастекателем имеет форму трапеции, длинное основание которой переходит в теплорастекатель, а короткое соединено с внешним выводом. При формовании внешнего вывода теплорастекателя переход-трапецию изгибают на уровень траверс внешних выводов, причем часть короткого основания трапеции образует траверсу, выходящую на уровень внешних выводов.
Однако эта траверса не лежит в плоскости остальных траверс из-за деформации при формовании выводной рамки. Наклонное положение трапециевидной траверсы усложняет операцию разварки гибких выводов, так как для разварки вывода, соединенного с теплорастекателем, требуется точный наклон сварочного инструмента до положения перпендикулярности трапециевидной траверсе. Из-за неточностей гибки трапециевидной траверсы точный наклон сварочного инструмента при разварке обеспечить сложно, в результате может произойти обрыв внутреннего гибкого вывода, что приведет к выходу изделия из строя.
Техническим результатом данной полезной модели является повышение надежности и выхода годных изделий мощных интегральных микросхем за счет того, что повышается надежность соединения при разварке гибкого вывода на вывод, соединенный с теплорастекателем.
Указанный технический результат достигается тем, что в предлагаемой выводной рамке мощной интегральной микросхемы, содержащей теплорастекатель с участком присоединения кристалла, вывод, соединенный с теплорастекателем, на котором сформирована траверса, выполненный из материала теплорастекателя путем гибки и штамповки, и внешние выводы с траверсами для разварки внутренних гибких выводов, траверса на выводе рамки, соединенном с теплорастекателем, сформирована таким образом, что ближайший к теплорастекателю край этой траверсы располагается на одном расстоянии от теплорастекателя с удаленными краями остальных траверс внешних выводов.
Такое расположение траверсы вывода, соединенного с теплорастекателем обеспечивает ее положение в одной плоскости с траверсами остальных выводов и при этом отсутствует необходимость обеспечения точного наклона сварочного инструмента, что упрощает операцию разварки гибкого вывода на вывод, соединенный с теплорастекателем, и повышает надежность соединения. Нахождение траверсы вывода, соединенного с теплорастекателем ближе к теплорастекателю приведет к тому, что траверса будет находиться в месте изгиба вывода, где нарушена его плоскостность, соединенного с теплорастекателем, что усложнит разварку гибкого вывода. Кроме того, зазор между внешними выводами уменьшится. Увеличение расстояния между внутренним краем траверсы вывода, соединенного с теплорастекателем и внешним краем траверс остальных выводов, нецелесообразно, так как при этом увеличивается длина гибкого вывода, которым производится разварка, и, следовательно, растут потери мощности на гибком выводе. Таким образом, предложенное в настоящей полезной модели расположение траверсы вывода, соединенного с теплорастекателем, является оптимальным.
На фиг. 1 изображен вид сверху на выводную рамку с кристаллом мощной интегральной микросхемы и гибкими выводами.
На фиг. 2 изображен фрагмент сечения теплорастекателя с видом сбоку на вывод, соединенный с теплорастекателем.
Позициями на фиг. 1 и фиг. 2 обозначены:
1 - теплорастекатель
2 - площадка для монтажа полупроводникового кристалла
3 - полупроводниковый кристалл мощной интегральной микросхемы
4 - гибкие выводы
5 - траверса вывода, соединенного с теплорастекателем
6 - траверсы остальных выводов
7 - изгиб вывода, соединенного с теплорастекателем
На фигуре 1 приведена конструкция выводной рамки мощной интегральной микросхемы, содержащая теплорастекатель 1 с площадкой для монтажа полупроводникового кристалла 2, на который напаивается полупроводниковый кристалл мощной интегральной схемы 3. На среднем выводе, соединенным с теплорастекателем, сформирована траверса 5. Электрическое соединение микросхемы с траверсой среднего вывода и траверсами остальных выводов 6 осуществляется посредством гибких выводов 4. Вывод, соединенный с теплорастекателем имеет изгиб 7, ограничивающий возможность расположения траверсы вывода 5 ближе к кристаллу.
Изготовление предлагаемого устройства осуществляется следующим образом: методом штамповки и гибки на профилированной ленте формируется выводная рамка. Затем выводную рамку нагревают и на площадку для монтажа кристалла наносят закладную деталь из припоя. Полупроводниковый кристалл ориентируют относительно траверс выводной рамки необходимым образом и присоединяют к теплорастекателю. После этого производится операция соединения контактных площадок полупроводникового кристалла мощной интегральной микросхемы с траверсой вывода, соединенного с теплорастекателем и траверсами остальных выводов выводной рамки ультразвуковой разваркой гибких выводов. Затем выводная рамка с полупроводниковым кристаллом мощной интегральной микросхемы герметизируется пластиком в пресс-форме. Расположение внешних выводов, предложенное в данной полезной модели, не увеличивает размеры корпуса мощной интегральной микросхемы.
Claims (1)
- Выводная рамка мощной интегральной микросхемы, содержащая теплорастекатель с участком присоединения кристалла, вывод, соединенный с теплорастекателем, на котором сформирована траверса, выполненный из материала теплорастекателя путем гибки и штамповки, и внешние выводы с траверсами для разварки внутренних гибких выводов, отличающаяся тем, что траверса на выводе рамки, соединенном с теплорастекателем, сформирована таким образом, что ближайший к теплорастекателю край этой траверсы располагается на одном расстоянии от теплорастекателя с удаленными краями остальных траверс внешних выводов.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017111519U RU172797U1 (ru) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | Выводная рамка мощной интегральной микросхемы |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017111519U RU172797U1 (ru) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | Выводная рамка мощной интегральной микросхемы |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU172797U1 true RU172797U1 (ru) | 2017-07-24 |
Family
ID=59499036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017111519U RU172797U1 (ru) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | Выводная рамка мощной интегральной микросхемы |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU172797U1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU180407U1 (ru) * | 2018-02-06 | 2018-06-13 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Выводная рамка корпуса интегральной микросхемы |
RU185748U1 (ru) * | 2018-09-18 | 2018-12-17 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Многовыводная рамка интегральной микросхемы |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5113240A (en) * | 1990-02-22 | 1992-05-12 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Leadframe with heat dissipator connected to s-shaped fingers |
EP0698922A1 (en) * | 1994-08-12 | 1996-02-28 | STMicroelectronics S.r.l. | Leadframe for supporting integrated semiconductor devices |
US5633528A (en) * | 1994-05-25 | 1997-05-27 | Texas Instruments Incorporated | Lead frame structure for IC devices with strengthened encapsulation adhesion |
RU2094909C1 (ru) * | 1992-02-17 | 1997-10-27 | Арендное предприятие "Кремний" | Выводная рамка для мощных полупроводниковых приборов |
RU2541725C1 (ru) * | 2013-07-23 | 2015-02-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Выводная рамка для многокристального полупроводникового прибора свч |
-
2017
- 2017-04-05 RU RU2017111519U patent/RU172797U1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5113240A (en) * | 1990-02-22 | 1992-05-12 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Leadframe with heat dissipator connected to s-shaped fingers |
RU2094909C1 (ru) * | 1992-02-17 | 1997-10-27 | Арендное предприятие "Кремний" | Выводная рамка для мощных полупроводниковых приборов |
US5633528A (en) * | 1994-05-25 | 1997-05-27 | Texas Instruments Incorporated | Lead frame structure for IC devices with strengthened encapsulation adhesion |
EP0698922A1 (en) * | 1994-08-12 | 1996-02-28 | STMicroelectronics S.r.l. | Leadframe for supporting integrated semiconductor devices |
RU2541725C1 (ru) * | 2013-07-23 | 2015-02-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Выводная рамка для многокристального полупроводникового прибора свч |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU180407U1 (ru) * | 2018-02-06 | 2018-06-13 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Выводная рамка корпуса интегральной микросхемы |
RU185748U1 (ru) * | 2018-09-18 | 2018-12-17 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Многовыводная рамка интегральной микросхемы |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101100838B1 (ko) | 반도체장치 | |
JP5706251B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI450373B (zh) | 雙側冷卻整合功率裝置封裝及模組,以及製造方法 | |
JP5272191B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
CN106952877B (zh) | 半导体装置 | |
US9679833B2 (en) | Semiconductor package with small gate clip and assembly method | |
JP2014099547A (ja) | 電力半導体モジュールおよびその製造方法 | |
JP5947165B2 (ja) | 電子装置 | |
WO2018087890A1 (ja) | 半導体装置、インバータユニット及び自動車 | |
JP2007184501A (ja) | 外部に露出する放熱体を上部に有する樹脂封止型半導体装置及びその製法 | |
JP4530863B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
US20130249008A1 (en) | Semiconductor device | |
JP4985809B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN110959191B (zh) | 半导体装置 | |
JP2015056638A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20170092112A (ko) | 수지 봉지형 반도체 장치 | |
RU172797U1 (ru) | Выводная рамка мощной интегральной микросхемы | |
JP2015176871A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20230327350A1 (en) | Transfer molded power modules and methods of manufacture | |
JP5720514B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPWO2014192348A1 (ja) | 半導体装置 | |
RU172495U1 (ru) | Выводная рамка мощной интегральной микросхемы | |
JP2013214596A (ja) | 半導体デバイス | |
JP2005051109A (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP2006294729A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20200406 |