JPH0864546A - 熱処理炉及びその製造方法 - Google Patents
熱処理炉及びその製造方法Info
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- JPH0864546A JPH0864546A JP6300298A JP30029894A JPH0864546A JP H0864546 A JPH0864546 A JP H0864546A JP 6300298 A JP6300298 A JP 6300298A JP 30029894 A JP30029894 A JP 30029894A JP H0864546 A JPH0864546 A JP H0864546A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
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- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
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- F27D1/0003—Linings or walls
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 作業性の向上及び製造時間の短縮が図れると
共に、発熱抵抗体の配列ピッチの設置精度の向上が図れ
る熱処理炉及びその製造方法を提供すること。 【構成】 筒状の断熱材１０の内壁面に沿って螺旋状の
発熱抵抗体９を備えた熱処理炉１であって、断熱材１０
の軸方向に複数に分割されて発熱抵抗体９を支持する支
持体１８を有する。各支持体１８は発熱抵抗体９の内側
に位置する基部１９にその発熱抵抗体９のピッチ間を通
って径方向外方へ延出する複数本の支持片２０を形成し
てなり、これら支持片２０の先端部が断熱材１０中に埋
設されるよう構成されている。
共に、発熱抵抗体の配列ピッチの設置精度の向上が図れ
る熱処理炉及びその製造方法を提供すること。 【構成】 筒状の断熱材１０の内壁面に沿って螺旋状の
発熱抵抗体９を備えた熱処理炉１であって、断熱材１０
の軸方向に複数に分割されて発熱抵抗体９を支持する支
持体１８を有する。各支持体１８は発熱抵抗体９の内側
に位置する基部１９にその発熱抵抗体９のピッチ間を通
って径方向外方へ延出する複数本の支持片２０を形成し
てなり、これら支持片２０の先端部が断熱材１０中に埋
設されるよう構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱処理炉及びその製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】被処理
体である例えば半導体ウエハの製造においては、酸化、
拡散、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの処
理を行うために、各種の熱処理装置が用いられている。
そして、そのため一般的な熱処理装置では、半導体ウエ
ハを収容して処理するための処理室を形成するプロセス
チューブと、このプロセスチューブの周囲に設けられた
発熱抵抗体からなるヒータと、このヒータの周囲に設け
られた断熱材とで熱処理炉を構成し、その断熱材の内壁
面に発熱抵抗体が配置されている。
体である例えば半導体ウエハの製造においては、酸化、
拡散、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの処
理を行うために、各種の熱処理装置が用いられている。
そして、そのため一般的な熱処理装置では、半導体ウエ
ハを収容して処理するための処理室を形成するプロセス
チューブと、このプロセスチューブの周囲に設けられた
発熱抵抗体からなるヒータと、このヒータの周囲に設け
られた断熱材とで熱処理炉を構成し、その断熱材の内壁
面に発熱抵抗体が配置されている。
【０００３】また、発熱抵抗体としては、例えばバッチ
処理が可能な熱処理装置の場合でいうと、筒状の断熱材
の内壁面に沿って螺旋状に設けられるヒータ線が用いら
れ、熱処理炉室内を例えば１２００℃程度まで高温加熱
するようになっている。また、断熱材としては、例えば
セラミックファイバ等が用いられ、輻射熱及び伝導熱と
して奪われる熱量を極力減少させて効率のよい加熱がで
きるようになっている。
処理が可能な熱処理装置の場合でいうと、筒状の断熱材
の内壁面に沿って螺旋状に設けられるヒータ線が用いら
れ、熱処理炉室内を例えば１２００℃程度まで高温加熱
するようになっている。また、断熱材としては、例えば
セラミックファイバ等が用いられ、輻射熱及び伝導熱と
して奪われる熱量を極力減少させて効率のよい加熱がで
きるようになっている。
【０００４】ところで、断熱材に発熱抵抗体を設置する
方法としては、例えば特開昭６０−２４６５８２号公報
に記載された方法である。この製造方法は、発熱抵抗体
としてコイル状のヒータ線を用い、このヒータ線に熱収
縮チューブを被覆して熱収縮させてヒータ線の配列ピッ
チを固定した後、円柱状の中心型に窓型を螺旋状に巻き
付けるとともにこの窓型上に沿ってヒータ線を巻き付け
る。
方法としては、例えば特開昭６０−２４６５８２号公報
に記載された方法である。この製造方法は、発熱抵抗体
としてコイル状のヒータ線を用い、このヒータ線に熱収
縮チューブを被覆して熱収縮させてヒータ線の配列ピッ
チを固定した後、円柱状の中心型に窓型を螺旋状に巻き
付けるとともにこの窓型上に沿ってヒータ線を巻き付け
る。
【０００５】次いで、中心型に底型及び外型を配置する
型枠の組立を行い、この型枠内にモルタル状の断熱材を
充填する。そして、その断熱材を硬化させた後、離型、
乾燥及び焼成を順次行うことにより、熱収縮チューブが
溶解したヒータ線が断熱材の内壁面の放熱窓から臨んだ
状態で埋め込まれた断熱材を得ることができる。
型枠の組立を行い、この型枠内にモルタル状の断熱材を
充填する。そして、その断熱材を硬化させた後、離型、
乾燥及び焼成を順次行うことにより、熱収縮チューブが
溶解したヒータ線が断熱材の内壁面の放熱窓から臨んだ
状態で埋め込まれた断熱材を得ることができる。
【０００６】しかしながら、前述した製造方法では、ヒ
ータ線に対する熱収縮チューブの被覆、中心型に対する
窓型及びヒータ線の巻き付け、型枠の組立及び離型、断
熱材の硬化、乾燥及び焼成等、作業工程を多く必要と
し、作業性が悪く、かつ製造時間が多くかかるという問
題点がある。また、ヒータ線を所定の配列ピッチで螺旋
状に形成するに際しては、作業者の経験に頼るところが
多いため、高い製造精度を得ることが極めて難しい。
ータ線に対する熱収縮チューブの被覆、中心型に対する
窓型及びヒータ線の巻き付け、型枠の組立及び離型、断
熱材の硬化、乾燥及び焼成等、作業工程を多く必要と
し、作業性が悪く、かつ製造時間が多くかかるという問
題点がある。また、ヒータ線を所定の配列ピッチで螺旋
状に形成するに際しては、作業者の経験に頼るところが
多いため、高い製造精度を得ることが極めて難しい。
【０００７】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであって、その目的と
するところは、作業性の向上及び製造時間の短縮が図れ
ると共に、発熱抵抗体の配列ピッチの設置精度の向上が
図れる熱処理炉及びその製造方法を提供することにあ
る。
ることを課題としてなされたものであって、その目的と
するところは、作業性の向上及び製造時間の短縮が図れ
ると共に、発熱抵抗体の配列ピッチの設置精度の向上が
図れる熱処理炉及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、筒状の断熱材の内壁面に沿って螺旋状の発熱抵抗体
を備えた熱処理炉であって、前記断熱材の縦軸方向に複
数に分割されて前記発熱抵抗体を支持する支持体を有
し、前記各支持体は、前記発熱抵抗体の内側に位置する
基部に、前記発熱抵抗体のピッチ間を通って前記熱処理
炉の半径方向へ延出する複数本の支持片を形成し、前記
複数本の支持片の先端部が前記断熱材中に埋設されてい
ることを特徴とする。
は、筒状の断熱材の内壁面に沿って螺旋状の発熱抵抗体
を備えた熱処理炉であって、前記断熱材の縦軸方向に複
数に分割されて前記発熱抵抗体を支持する支持体を有
し、前記各支持体は、前記発熱抵抗体の内側に位置する
基部に、前記発熱抵抗体のピッチ間を通って前記熱処理
炉の半径方向へ延出する複数本の支持片を形成し、前記
複数本の支持片の先端部が前記断熱材中に埋設されてい
ることを特徴とする。
【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１におい
て、前記発熱抵抗体は、前記断熱材を貫通して外部に延
出された複数の端子板を前記断熱材の縦軸方向に適宜間
隔で有し、かつ、前記複数の端子板の板面が前記断熱材
の軸方向に沿って配置されていることを特徴とする。
て、前記発熱抵抗体は、前記断熱材を貫通して外部に延
出された複数の端子板を前記断熱材の縦軸方向に適宜間
隔で有し、かつ、前記複数の端子板の板面が前記断熱材
の軸方向に沿って配置されていることを特徴とする。
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１又は２
において、前記支持体の先端部の片面には、前記断熱材
の周方向に向いた突起部が形成されていることを特徴と
する。
において、前記支持体の先端部の片面には、前記断熱材
の周方向に向いた突起部が形成されていることを特徴と
する。
【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項１又は２
において、前記支持体の先端部の両面には、前記断熱材
の周方向に向いた突起部が形成されていることを特徴と
する。
において、前記支持体の先端部の両面には、前記断熱材
の周方向に向いた突起部が形成されていることを特徴と
する。
【００１２】請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４
のいずれかにおいて、前記支持体は、セラミックからな
ることを特徴とする。
のいずれかにおいて、前記支持体は、セラミックからな
ることを特徴とする。
【００１３】請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５
のいずれかにおいて、前記断熱材は、高密度層と低密度
層との二層より形成され、該高密度層と該低密度層との
間にメッシュ材を介設したことを特徴とする。
のいずれかにおいて、前記断熱材は、高密度層と低密度
層との二層より形成され、該高密度層と該低密度層との
間にメッシュ材を介設したことを特徴とする。
【００１４】請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６
のいずれかにおいて、前記断熱材の内壁面にクロス材を
張設したことを特徴とする。
のいずれかにおいて、前記断熱材の内壁面にクロス材を
張設したことを特徴とする。
【００１５】請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７
のいずれかにおいて、前記支持体は、櫛歯を有して前記
発熱抵抗体を該櫛歯の基部側で支持すると共に、前記断
熱材の内壁面と前記発熱抵抗体との間に炉の半径方向に
隙間を有することを特徴とする。
のいずれかにおいて、前記支持体は、櫛歯を有して前記
発熱抵抗体を該櫛歯の基部側で支持すると共に、前記断
熱材の内壁面と前記発熱抵抗体との間に炉の半径方向に
隙間を有することを特徴とする。
【００１６】請求項９に記載の発明は、請求項８におい
て、隣接する前記櫛歯の長さが異なることを特徴とす
る。
て、隣接する前記櫛歯の長さが異なることを特徴とす
る。
【００１７】請求項１０に記載の発明は、筒状の断熱材
の内壁面に螺旋状の発熱抵抗体を備えた熱処理炉の製造
方法であって、外側に軸方向に適宜間隔でかつ板面が軸
方向に沿って配置された端子板を有する螺旋状の発熱抵
抗体と、前記発熱抵抗体の内側に位置する基部に前記発
熱抵抗体のピッチ間を通って炉の半径方向外方へ延出す
る複数本の支持片を形成してなる支持体と、該支持体を
前記発熱抵抗体の周方向で所定位置に位置決めして軸方
向に整列させる治具と、を準備し、この治具を回転させ
ながら治具上に前記支持体を介して前記発熱抵抗体を装
着する工程と、前記発熱抵抗体の外周に前記端子板及び
支持体の支持片を避けて濾過材を配置し、該濾過材上に
前記発熱抵抗体の軸方向に沿って細径の棒材を周方向に
適宜間隔で配置する工程と、前記発熱抵抗体を断熱材料
をなす無機質繊維を含む慰濁液中に浸漬させて発熱抵抗
体の内側からの吸引により前記濾過材上に前記断熱材料
を堆積させる工程と、前記濾過材上に堆積した断熱材料
を乾燥させ断熱材を形成する工程と、乾燥後に前記断熱
材と前記濾過材との間から前記棒材を抜き取り、さらに
前記断熱材と前記発熱抵抗体との間から前記濾過材を抜
き取る工程と、前記治具を前記支持体から除去する工程
と、を含むことを特徴とする。
の内壁面に螺旋状の発熱抵抗体を備えた熱処理炉の製造
方法であって、外側に軸方向に適宜間隔でかつ板面が軸
方向に沿って配置された端子板を有する螺旋状の発熱抵
抗体と、前記発熱抵抗体の内側に位置する基部に前記発
熱抵抗体のピッチ間を通って炉の半径方向外方へ延出す
る複数本の支持片を形成してなる支持体と、該支持体を
前記発熱抵抗体の周方向で所定位置に位置決めして軸方
向に整列させる治具と、を準備し、この治具を回転させ
ながら治具上に前記支持体を介して前記発熱抵抗体を装
着する工程と、前記発熱抵抗体の外周に前記端子板及び
支持体の支持片を避けて濾過材を配置し、該濾過材上に
前記発熱抵抗体の軸方向に沿って細径の棒材を周方向に
適宜間隔で配置する工程と、前記発熱抵抗体を断熱材料
をなす無機質繊維を含む慰濁液中に浸漬させて発熱抵抗
体の内側からの吸引により前記濾過材上に前記断熱材料
を堆積させる工程と、前記濾過材上に堆積した断熱材料
を乾燥させ断熱材を形成する工程と、乾燥後に前記断熱
材と前記濾過材との間から前記棒材を抜き取り、さらに
前記断熱材と前記発熱抵抗体との間から前記濾過材を抜
き取る工程と、前記治具を前記支持体から除去する工程
と、を含むことを特徴とする。
【００１８】請求項１１に記載の発明は、請求項１０に
おいて、前記慰濁液がシリカ、アルミナあるいは珪酸ア
ルミナを含む無機質繊維と、水及びバインダであること
を特徴とする。
おいて、前記慰濁液がシリカ、アルミナあるいは珪酸ア
ルミナを含む無機質繊維と、水及びバインダであること
を特徴とする。
【００１９】
【作用】請求項１及び１０の発明によれば、筒状の断熱
材の内壁面に螺旋状の発熱抵抗体のピッチ間を通って炉
の半径方向外方へ延出する複数本の支持片を有する支持
体をその支持片の先端部が断熱材に埋設する状態で断熱
材の軸方向に配列して発熱抵抗体を支持する簡単な構造
となり、支持体の複数の支持片が発熱抵抗体の配列ピッ
チを正確に設定できるようになる。このため、その製造
が容易で作業性の向上及び製造時間の短縮が図れるとと
もに、発熱抵抗体の配列ピッチの設置精度の向上が図れ
る。
材の内壁面に螺旋状の発熱抵抗体のピッチ間を通って炉
の半径方向外方へ延出する複数本の支持片を有する支持
体をその支持片の先端部が断熱材に埋設する状態で断熱
材の軸方向に配列して発熱抵抗体を支持する簡単な構造
となり、支持体の複数の支持片が発熱抵抗体の配列ピッ
チを正確に設定できるようになる。このため、その製造
が容易で作業性の向上及び製造時間の短縮が図れるとと
もに、発熱抵抗体の配列ピッチの設置精度の向上が図れ
る。
【００２０】また、支持片は個々に独立しているのでは
なく、支持体の基部に複数本ずつ形成されているため、
強度の向上が図れるとともに型崩れするこもなく、発熱
抵抗体を安定して支持することが可能となる。また、隣
り合う支持片間の隙間で発熱抵抗体の炉の半径方向への
熱膨張及び熱収縮を許容することが可能となる。
なく、支持体の基部に複数本ずつ形成されているため、
強度の向上が図れるとともに型崩れするこもなく、発熱
抵抗体を安定して支持することが可能となる。また、隣
り合う支持片間の隙間で発熱抵抗体の炉の半径方向への
熱膨張及び熱収縮を許容することが可能となる。
【００２１】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【００２２】図１は本発明の一実施例である熱処理炉の
全体構成を示す縦断面図である。この熱処理炉１は、被
処理体である半導体ウエハＷに減圧ＣＶＤによる成膜処
理を施すのに適するように構成された縦型炉である。そ
して、その中央部に円形の開口部２ａを有する例えばス
テンレススチール製のベースプレート２を水平に備えて
いる。
全体構成を示す縦断面図である。この熱処理炉１は、被
処理体である半導体ウエハＷに減圧ＣＶＤによる成膜処
理を施すのに適するように構成された縦型炉である。そ
して、その中央部に円形の開口部２ａを有する例えばス
テンレススチール製のベースプレート２を水平に備えて
いる。
【００２３】このベースプレート２の下部には耐熱性金
属例えばステンレススチール製の短い筒状のマニホール
ド３が開口部２ａと軸心を一致させてボルト止めにより
着脱可能に取付けられ、このマニホールド３上には処理
室を形成する耐熱性材料例えば石英からなる円筒状のプ
ロセスチューブ４が設けられている。このプロセスチュ
ーブ４は、本実施例の場合、上下両端部が開放された内
管５と、上端部が閉塞された外管６とを同心円状に配し
た二重管構造になっている。しかし、プロセスチューブ
４は外管のみからなっていてもよい。
属例えばステンレススチール製の短い筒状のマニホール
ド３が開口部２ａと軸心を一致させてボルト止めにより
着脱可能に取付けられ、このマニホールド３上には処理
室を形成する耐熱性材料例えば石英からなる円筒状のプ
ロセスチューブ４が設けられている。このプロセスチュ
ーブ４は、本実施例の場合、上下両端部が開放された内
管５と、上端部が閉塞された外管６とを同心円状に配し
た二重管構造になっている。しかし、プロセスチューブ
４は外管のみからなっていてもよい。
【００２４】このマニホールド３にはプロセスチューブ
４内に図示しない処理ガス供給源からの処理ガスを導入
するための入口ポート７と、プロセスチューブ４内を図
示しない減圧手段により排気して例えば１０〜１０-8Ｔ
ｏｒｒ程度に真空引きするための出口ポート８が設けら
れている。プロセスチューブ４の周囲にはプロセスチュ
ーブ４内を高温例えば８００〜１２００℃程度に加熱す
るヒータとして後述する発熱抵抗体９及びこれを包囲す
る無機質繊維からなる円筒状の断熱材１０が設けられ、
この断熱材１０の外側は例えばステンレススチール製の
図示しないアウターシェルで覆われている。なお、これ
ら断熱材１０及びアウターシェルは前記ベースプレート
２上に堅固に支持されている。
４内に図示しない処理ガス供給源からの処理ガスを導入
するための入口ポート７と、プロセスチューブ４内を図
示しない減圧手段により排気して例えば１０〜１０-8Ｔ
ｏｒｒ程度に真空引きするための出口ポート８が設けら
れている。プロセスチューブ４の周囲にはプロセスチュ
ーブ４内を高温例えば８００〜１２００℃程度に加熱す
るヒータとして後述する発熱抵抗体９及びこれを包囲す
る無機質繊維からなる円筒状の断熱材１０が設けられ、
この断熱材１０の外側は例えばステンレススチール製の
図示しないアウターシェルで覆われている。なお、これ
ら断熱材１０及びアウターシェルは前記ベースプレート
２上に堅固に支持されている。
【００２５】マニホールド３の下方には、その下面開口
（炉口）を開閉する例えばステンレススチール製の蓋体
１１が昇降機構１２により昇降可能に設けられこの開口
を閉塞できるようになっている。この蓋体１１上には多
数枚例えば１５０枚程度の半導体ウエハＷを水平状態で
上下方向に間隔をおいて多段に保持するウエハボード１
３が保温筒１４を介して載置されている。なお、蓋体１
１には保温筒１４をシャフトを中心として回転駆動する
回転機構１５等が設けられている。
（炉口）を開閉する例えばステンレススチール製の蓋体
１１が昇降機構１２により昇降可能に設けられこの開口
を閉塞できるようになっている。この蓋体１１上には多
数枚例えば１５０枚程度の半導体ウエハＷを水平状態で
上下方向に間隔をおいて多段に保持するウエハボード１
３が保温筒１４を介して載置されている。なお、蓋体１
１には保温筒１４をシャフトを中心として回転駆動する
回転機構１５等が設けられている。
【００２６】一方、発熱抵抗体９は、例えば鉄（Ｆ
ｅ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａ１）の合金
線であるカンタル線からなる。その太さは熱処理炉１の
仕様によっても異なるが、本実施例では例えば直径が
３．５ｍｍ程度のものが用いられている。この発熱抵抗
体９は、図２に示すように断熱材１０の内壁面に沿って
所要のピッチで螺旋状に形成されている。この螺旋状の
発熱抵抗体９には断熱材１０を貫通して外部に延出され
た電極接続用の端子板１６が断熱材１０の軸方向に適宜
間隔で設けられ、熱処理炉１内を上下方向に複数の加熱
ゾーンに分けて温度制御ができるように構成されてい
る。この端子板１６は発熱抵抗体９と同じ材質からな
り、溶断防止と放熱量の抑制の観点から所要断面が板状
に形成されている。また、端子板１６は、その板面が断
熱材１０の軸方向に沿うようにして配置されている。こ
れは後述する製造工程で発熱抵抗体９と断熱材１０との
間に介設された濾過材１７（図７参照）を抜き取る際
に、濾過材１７が端子板１６に引っ掛かることがなく、
濾過材１７を容易に抜き取ることを可能とするためであ
る。このような配置構成とするために、発熱抵抗体９
は、例えば図８ないし図９に示すように、その中間位置
においては端子板１６の取付部分で切断され、この切断
した両端部９ａ，９ｂが炉の半径方向外方に折り曲げら
れ、折曲げた両端部９ａ，９ｂ間に端子板１６の一端の
両面が挟持されて溶接等で固定されている。
ｅ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａ１）の合金
線であるカンタル線からなる。その太さは熱処理炉１の
仕様によっても異なるが、本実施例では例えば直径が
３．５ｍｍ程度のものが用いられている。この発熱抵抗
体９は、図２に示すように断熱材１０の内壁面に沿って
所要のピッチで螺旋状に形成されている。この螺旋状の
発熱抵抗体９には断熱材１０を貫通して外部に延出され
た電極接続用の端子板１６が断熱材１０の軸方向に適宜
間隔で設けられ、熱処理炉１内を上下方向に複数の加熱
ゾーンに分けて温度制御ができるように構成されてい
る。この端子板１６は発熱抵抗体９と同じ材質からな
り、溶断防止と放熱量の抑制の観点から所要断面が板状
に形成されている。また、端子板１６は、その板面が断
熱材１０の軸方向に沿うようにして配置されている。こ
れは後述する製造工程で発熱抵抗体９と断熱材１０との
間に介設された濾過材１７（図７参照）を抜き取る際
に、濾過材１７が端子板１６に引っ掛かることがなく、
濾過材１７を容易に抜き取ることを可能とするためであ
る。このような配置構成とするために、発熱抵抗体９
は、例えば図８ないし図９に示すように、その中間位置
においては端子板１６の取付部分で切断され、この切断
した両端部９ａ，９ｂが炉の半径方向外方に折り曲げら
れ、折曲げた両端部９ａ，９ｂ間に端子板１６の一端の
両面が挟持されて溶接等で固定されている。
【００２７】そして、発熱抵抗体９は、図２から図４に
示すように耐熱性及び電気絶縁性材料例えばセラミック
からなる支持体１８を介して所要熱量が確保できる配列
ピッチが設定された状態で断熱材１０の内壁面にそこか
ら所要の隙間Ｇを隔てて取付けられている。この支持体
１８は断熱材１０の軸方向に複数に分割されており、各
支持体は、図５にも示すように、発熱抵抗体９の内側に
位置される基部１９に発熱抵抗体９の隣り合うピッチ間
を通って炉の半径方向外方へ延出する（実施例では４
本）の支持片２０を一体形成した、いわゆる櫛歯状に形
成されている。
示すように耐熱性及び電気絶縁性材料例えばセラミック
からなる支持体１８を介して所要熱量が確保できる配列
ピッチが設定された状態で断熱材１０の内壁面にそこか
ら所要の隙間Ｇを隔てて取付けられている。この支持体
１８は断熱材１０の軸方向に複数に分割されており、各
支持体は、図５にも示すように、発熱抵抗体９の内側に
位置される基部１９に発熱抵抗体９の隣り合うピッチ間
を通って炉の半径方向外方へ延出する（実施例では４
本）の支持片２０を一体形成した、いわゆる櫛歯状に形
成されている。
【００２８】支持片２０の先端部は断熱材１０中に製造
工程中に埋設支持されるが、その場合の支持強度を得る
ために長さの長いものが適宜支持片２０に形成されてい
る。この実施例では、隣り合うもの同士の長さが異なる
よう、長さの長い支持片２０ａと短い支持片２０ｂが交
互に形成され、隣り合う支持片２０ａ，２０ｂ間には発
熱抵抗体９を収容するスリット状の隙間Ｓが設けられて
いる。また、長い支持片２０ａの先端部には断熱材１０
からの埋設後の抜け止めのための突起部２１が形成され
ている。この突起部２１は製造時の型抜きを容易にする
ために支持片２０ａの片面に形成されているが、図６に
示すように、その両面に突起部２１が形成されていても
よい。
工程中に埋設支持されるが、その場合の支持強度を得る
ために長さの長いものが適宜支持片２０に形成されてい
る。この実施例では、隣り合うもの同士の長さが異なる
よう、長さの長い支持片２０ａと短い支持片２０ｂが交
互に形成され、隣り合う支持片２０ａ，２０ｂ間には発
熱抵抗体９を収容するスリット状の隙間Ｓが設けられて
いる。また、長い支持片２０ａの先端部には断熱材１０
からの埋設後の抜け止めのための突起部２１が形成され
ている。この突起部２１は製造時の型抜きを容易にする
ために支持片２０ａの片面に形成されているが、図６に
示すように、その両面に突起部２１が形成されていても
よい。
【００２９】このように形成された支持体１８は支持片
２０の先端部を断熱材１０に埋設された状態で断熱材１
０の軸方向に直列に配置されるとともに、周方向に等間
隔例えば円周角が３０度程度の間隔で配置されている。
なお、断熱材１０による支持片２０の支持強度が十分得
られる場合は、支持片２０ａ，２０ｂの長さは同じでも
よく、また、突起部２１が設けられていなくてもよい。
２０の先端部を断熱材１０に埋設された状態で断熱材１
０の軸方向に直列に配置されるとともに、周方向に等間
隔例えば円周角が３０度程度の間隔で配置されている。
なお、断熱材１０による支持片２０の支持強度が十分得
られる場合は、支持片２０ａ，２０ｂの長さは同じでも
よく、また、突起部２１が設けられていなくてもよい。
【００３０】以上のように構成された熱処理炉１によれ
ば、筒状の断熱材１０の内壁面に螺旋状の発熱抵抗体９
のピッチ間を通って炉の半径方向外方へ延出する複数本
の支持片２０を有する支持体１８をその支持片２０の先
端部が断熱材１０に埋設する状態で断熱材１０の軸方向
に配列して発熱抵抗体９を支持する簡単な構造となる。
そして、支持体１８の複数の支持片２０が発熱抵抗体の
配列ピッチを設定するため、製造が容易で作業性の向上
及び製造時間の短縮が図れるとともに発熱抵抗体９の配
列ピッチの設置精度の向上が図れる。
ば、筒状の断熱材１０の内壁面に螺旋状の発熱抵抗体９
のピッチ間を通って炉の半径方向外方へ延出する複数本
の支持片２０を有する支持体１８をその支持片２０の先
端部が断熱材１０に埋設する状態で断熱材１０の軸方向
に配列して発熱抵抗体９を支持する簡単な構造となる。
そして、支持体１８の複数の支持片２０が発熱抵抗体の
配列ピッチを設定するため、製造が容易で作業性の向上
及び製造時間の短縮が図れるとともに発熱抵抗体９の配
列ピッチの設置精度の向上が図れる。
【００３１】また、支持片２０は個々に独立しているの
ではなく、支持体１８の基部１９に複数本ずつ形成され
ているため、強度の向上が図れるとともに型崩れするこ
ともなく、発熱抵抗体９を安定して支持することができ
る。そして、隣り合う支持片２０間にはスリット状の隙
間Ｓが形成され、かつ発熱抵抗体９と断熱材１０の内壁
面との間には、図３に示すように、隙間Ｇが形成されて
いるため、発熱抵抗体９の半径方向への熱膨張及び熱収
縮を許容することができる。
ではなく、支持体１８の基部１９に複数本ずつ形成され
ているため、強度の向上が図れるとともに型崩れするこ
ともなく、発熱抵抗体９を安定して支持することができ
る。そして、隣り合う支持片２０間にはスリット状の隙
間Ｓが形成され、かつ発熱抵抗体９と断熱材１０の内壁
面との間には、図３に示すように、隙間Ｇが形成されて
いるため、発熱抵抗体９の半径方向への熱膨張及び熱収
縮を許容することができる。
【００３２】また、発熱抵抗体９に設けられた端子板１
６の板面が断熱材１０の軸方向に沿って配置されている
ため、製造工程で発熱抵抗体９と断熱材１０との間に介
設された濾過材１７を断熱材１０の軸方向から抜き取る
際に、濾過材１７が端子板１６に引っ掛かることがな
く、濾過材１７を容易に抜き取ることが可能となり、作
業性が更に向上する。
６の板面が断熱材１０の軸方向に沿って配置されている
ため、製造工程で発熱抵抗体９と断熱材１０との間に介
設された濾過材１７を断熱材１０の軸方向から抜き取る
際に、濾過材１７が端子板１６に引っ掛かることがな
く、濾過材１７を容易に抜き取ることが可能となり、作
業性が更に向上する。
【００３３】次に、このような構成からなる熱処理炉１
の製造方法について説明する。この製造方法は、主とし
て、（１）治具への発熱抵抗体の装着工程、（２）発熱
抵抗体への濾過材及び棒材の配置工程、（３）発熱抵抗
体への断熱材料の堆積工程、（４）断熱材料の乾燥工
程、（５）濾過材及び棒材の抜取工程、（６）治具の除
去工程からなり（図１１参照）、これらの各工程を以下
に説明する。
の製造方法について説明する。この製造方法は、主とし
て、（１）治具への発熱抵抗体の装着工程、（２）発熱
抵抗体への濾過材及び棒材の配置工程、（３）発熱抵抗
体への断熱材料の堆積工程、（４）断熱材料の乾燥工
程、（５）濾過材及び棒材の抜取工程、（６）治具の除
去工程からなり（図１１参照）、これらの各工程を以下
に説明する。
【００３４】（１）治具への発熱抵抗体の装着工程 先ず、図８ないし図９に示すように、外側に軸方向に適
宜間隔でかつ板面が軸方向に沿って配置された端子板１
６を有する螺旋状の発熱抵抗体９と図７に示すように、
この発熱抵抗体９の内側に位置する基部１９にその発熱
抵抗体９のピッチ間を通って径方向外方へ延出する複数
本の支持片２０（２０ａ，２０ｂ）を形成してなる支持
体１８及びこの支持体１８を発熱抵抗体９の周方向で所
定位置に位置決めして軸方向に整列させる治具２２とを
準備する。
宜間隔でかつ板面が軸方向に沿って配置された端子板１
６を有する螺旋状の発熱抵抗体９と図７に示すように、
この発熱抵抗体９の内側に位置する基部１９にその発熱
抵抗体９のピッチ間を通って径方向外方へ延出する複数
本の支持片２０（２０ａ，２０ｂ）を形成してなる支持
体１８及びこの支持体１８を発熱抵抗体９の周方向で所
定位置に位置決めして軸方向に整列させる治具２２とを
準備する。
【００３５】この治具２２は、中空状の支軸２３上に放
射状のスポーク２４を介して円環状の基板２５を軸方向
に沿って適宜間隔で設け、これら基板２５の外周に外向
きに開放したチャンネル形状のガイド部材２６を軸方向
に基板２５に放射状に設けた溝を用いて掛け渡すととも
に周方向に等間隔で配置することにより、ドラム状に形
成されている。この治具２２のガイド部材２６内に複数
の支持体１８が継列に取付けられる。また、支軸２３の
周囲には複数の吸引孔２７が設けられている。また、ガ
イド部材２６の背部にスペーサ等を配設して半径方向の
位置調整ができボルト等により固定できるようになって
いる。
射状のスポーク２４を介して円環状の基板２５を軸方向
に沿って適宜間隔で設け、これら基板２５の外周に外向
きに開放したチャンネル形状のガイド部材２６を軸方向
に基板２５に放射状に設けた溝を用いて掛け渡すととも
に周方向に等間隔で配置することにより、ドラム状に形
成されている。この治具２２のガイド部材２６内に複数
の支持体１８が継列に取付けられる。また、支軸２３の
周囲には複数の吸引孔２７が設けられている。また、ガ
イド部材２６の背部にスペーサ等を配設して半径方向の
位置調整ができボルト等により固定できるようになって
いる。
【００３６】そして、このように構成された治具２２を
回転させながらこの治具２２上にその一端から螺旋状の
発熱抵抗体９を支持体１８の支持片２０間の隙間Ｓに通
して螺合させるようにして装着する。
回転させながらこの治具２２上にその一端から螺旋状の
発熱抵抗体９を支持体１８の支持片２０間の隙間Ｓに通
して螺合させるようにして装着する。
【００３７】（２）発熱抵抗体への濾過材及び棒材の配
置工程 発熱抵抗体９の外周に端子板１６及び支持体１８の支持
片２０を避けて濾過材１７を配置し、この濾過材１７上
に前記発熱抵抗体９の軸方向に沿う細径の棒材２８を周
方向に適宜間隔で配置する。濾過材１７としては、例え
ば網目の細かいアルミニウム製のメッシュ等が好適であ
り、また、棒材２８としては、例えば直径が１〜２ｍｍ
程度のステンレススチール製の丸棒が好適である。濾過
材１７を発熱抵抗体９の外周全面に支持片２０及び端子
板１６を避けるようにして、かつ軸方向から抜取可能に
して所定の厚さで配置し、その濾過材１７上に棒材２８
を配置して糸、ゴム輪で固定する。
置工程 発熱抵抗体９の外周に端子板１６及び支持体１８の支持
片２０を避けて濾過材１７を配置し、この濾過材１７上
に前記発熱抵抗体９の軸方向に沿う細径の棒材２８を周
方向に適宜間隔で配置する。濾過材１７としては、例え
ば網目の細かいアルミニウム製のメッシュ等が好適であ
り、また、棒材２８としては、例えば直径が１〜２ｍｍ
程度のステンレススチール製の丸棒が好適である。濾過
材１７を発熱抵抗体９の外周全面に支持片２０及び端子
板１６を避けるようにして、かつ軸方向から抜取可能に
して所定の厚さで配置し、その濾過材１７上に棒材２８
を配置して糸、ゴム輪で固定する。
【００３８】（３）発熱抵抗体への断熱材料の堆積工程 図１０に示すように、発熱抵抗体９を断熱材料をなす無
機質繊維を含む慰濁液２９中に浸漬させて発熱抵抗体９
の内側から吸引により、濾過材１７上に断熱材料を堆積
させる。この場合、図１０に示すように、発熱抵抗体９
における治具２２の軸方向両端部を塞いだ状態にして発
熱抵抗体９を治具２２ごと慰濁液槽３０内に浸漬する。
この慰濁液２９としては、例えばシリカ、アルミナある
いは珪酸アルミナを含む無機質繊維と、水及びバインダ
からなるスラリー状のものが用いられる。
機質繊維を含む慰濁液２９中に浸漬させて発熱抵抗体９
の内側から吸引により、濾過材１７上に断熱材料を堆積
させる。この場合、図１０に示すように、発熱抵抗体９
における治具２２の軸方向両端部を塞いだ状態にして発
熱抵抗体９を治具２２ごと慰濁液槽３０内に浸漬する。
この慰濁液２９としては、例えばシリカ、アルミナある
いは珪酸アルミナを含む無機質繊維と、水及びバインダ
からなるスラリー状のものが用いられる。
【００３９】治具２２の中空状の支軸２３に吸引ポンプ
３１を接続することにより、支軸２３の吸引孔２７を介
して発熱抵抗体９の内部を減圧すると、慰濁液２９が濾
過材１７の表面に吸い寄せられて濾過材１７を透過しな
い断熱材料である繊維質成分が濾過材１７上に積層され
る。なお、濾過材１７を透過した水分並びに繊維質成分
は吸引ポンプ３１の吐出パイプ３２を介して回収される
が、再度慰濁液槽３０内に循環させるようにしてもよ
い。
３１を接続することにより、支軸２３の吸引孔２７を介
して発熱抵抗体９の内部を減圧すると、慰濁液２９が濾
過材１７の表面に吸い寄せられて濾過材１７を透過しな
い断熱材料である繊維質成分が濾過材１７上に積層され
る。なお、濾過材１７を透過した水分並びに繊維質成分
は吸引ポンプ３１の吐出パイプ３２を介して回収される
が、再度慰濁液槽３０内に循環させるようにしてもよ
い。
【００４０】また、この場合、支軸２３を介して治具２
２を回転させることにより、慰濁液槽３０内の慰濁液２
９を攪拌することができるとともに、濾過材１７上に均
一な厚さで断熱材料を堆積させることができる。尚、こ
の回転操作には、図１０に示す、軸受け３４に填め込ま
れた一方の支軸２３と連結されたモーター３６を駆動す
ることにより操作してもよい。その際、濁液槽３０と支
軸２３との間には、例えば、図１０に示すような、気密
性を有するシール材３８を設け、濁液槽３０からの液漏
れを防ぐようにするとよい。このようにして濾過材１７
上に断熱材料が堆積されることにより、所望の層厚の断
熱材１０が成形され、支持体１８の支持片２０先端部が
断熱材１０中に埋設されることになる。
２を回転させることにより、慰濁液槽３０内の慰濁液２
９を攪拌することができるとともに、濾過材１７上に均
一な厚さで断熱材料を堆積させることができる。尚、こ
の回転操作には、図１０に示す、軸受け３４に填め込ま
れた一方の支軸２３と連結されたモーター３６を駆動す
ることにより操作してもよい。その際、濁液槽３０と支
軸２３との間には、例えば、図１０に示すような、気密
性を有するシール材３８を設け、濁液槽３０からの液漏
れを防ぐようにするとよい。このようにして濾過材１７
上に断熱材料が堆積されることにより、所望の層厚の断
熱材１０が成形され、支持体１８の支持片２０先端部が
断熱材１０中に埋設されることになる。
【００４１】この工程においては、慰濁液２９の密度を
変えることにより、図３に示すように、断熱材１０を内
側の高密度層１０Ａと外側の低密度層１０Ｂの二層構造
あるいは複数層構造とすることが可能である。しかし、
単一層構造であっても勿論構わない。本実施例の場合、
断熱材１０の高密度層１０Ａにより支持体２０の支持強
度の向上が図れ、低密度層１０Ｂにより断熱性の向上及
び軽量化が図れる。
変えることにより、図３に示すように、断熱材１０を内
側の高密度層１０Ａと外側の低密度層１０Ｂの二層構造
あるいは複数層構造とすることが可能である。しかし、
単一層構造であっても勿論構わない。本実施例の場合、
断熱材１０の高密度層１０Ａにより支持体２０の支持強
度の向上が図れ、低密度層１０Ｂにより断熱性の向上及
び軽量化が図れる。
【００４２】（４）断熱材料の乾燥工程 前記工程で濾過材１７上に所望の厚さの断熱材１０が形
成されたなら、これを治具２２ごと慰濁液槽３０から引
き上げ、濾過材１７上に堆積した断熱材料を自然あるい
は強制的に乾燥させる。これにより円筒状の断熱材１０
が得られる。
成されたなら、これを治具２２ごと慰濁液槽３０から引
き上げ、濾過材１７上に堆積した断熱材料を自然あるい
は強制的に乾燥させる。これにより円筒状の断熱材１０
が得られる。
【００４３】（５）濾過材及び棒材の抜取工程 乾燥後に、断熱材１０と濾過材１７との間から棒材２８
を軸方向から抜き取り、さらに断熱材１０と発熱抵抗体
９との間から濾過材１７を抜き取る。棒材２８は細径で
断熱材１０との接触面積が小さいため容易に抜き取るこ
とができ、また、棒材２８を抜き取ることで断熱材１０
と濾過材１７との間に多少の隙間が生じるので、濾過材
１７を比較的容易に抜き取ることができる。この濾過材
１７を抜き取ることにより、断熱材１０と発熱抵抗体９
との間には隙間Ｇ（濾過材１７と棒材２８の熱さに相
当）が形成され、この隙間Ｇにより発熱抵抗体９の熱膨
張による半径方向外方への変位を許容することができ
る。
を軸方向から抜き取り、さらに断熱材１０と発熱抵抗体
９との間から濾過材１７を抜き取る。棒材２８は細径で
断熱材１０との接触面積が小さいため容易に抜き取るこ
とができ、また、棒材２８を抜き取ることで断熱材１０
と濾過材１７との間に多少の隙間が生じるので、濾過材
１７を比較的容易に抜き取ることができる。この濾過材
１７を抜き取ることにより、断熱材１０と発熱抵抗体９
との間には隙間Ｇ（濾過材１７と棒材２８の熱さに相
当）が形成され、この隙間Ｇにより発熱抵抗体９の熱膨
張による半径方向外方への変位を許容することができ
る。
【００４４】（６）治具の除去工程 この工程では、支持体１８を支えている治具２２を断熱
材１０の軸方向から引き抜くことにより、治具２２を支
持体１８から除去する。そして、断熱材１０の表面処理
等を行うことにより、円筒状の断熱材１０の内壁面に支
持体１８を介して発熱抵抗体９が設置された状態の熱処
理１炉が得られる。
材１０の軸方向から引き抜くことにより、治具２２を支
持体１８から除去する。そして、断熱材１０の表面処理
等を行うことにより、円筒状の断熱材１０の内壁面に支
持体１８を介して発熱抵抗体９が設置された状態の熱処
理１炉が得られる。
【００４５】このような工程からなる熱処理炉１の製造
方法によれば、発熱抵抗体９が予め螺旋状に形成されて
おり、この発熱抵抗体９の内側に位置する基部１９にそ
の発熱抵抗体９のピッチ間を通って半径方向外方へ延出
する複数本の支持片２０を形成してなる支持体１８及び
この支持体を発熱抵抗体９の周方向で所定位置に位置決
めして軸方向に整列させる治具２２を用い、この治具２
２を回転させながらこの治具２２上に前記支持体１８を
介して発熱抵抗体９を装着するため、発熱抵抗体９を螺
旋状に巻き付ける手間が省ける。しかも、支持体１８の
複数本の支持片２０によって発熱抵抗体９の配列ピッチ
が自動的に設定されることから配列の手間も省けるとと
もに配列ピッチの精度が向上する。
方法によれば、発熱抵抗体９が予め螺旋状に形成されて
おり、この発熱抵抗体９の内側に位置する基部１９にそ
の発熱抵抗体９のピッチ間を通って半径方向外方へ延出
する複数本の支持片２０を形成してなる支持体１８及び
この支持体を発熱抵抗体９の周方向で所定位置に位置決
めして軸方向に整列させる治具２２を用い、この治具２
２を回転させながらこの治具２２上に前記支持体１８を
介して発熱抵抗体９を装着するため、発熱抵抗体９を螺
旋状に巻き付ける手間が省ける。しかも、支持体１８の
複数本の支持片２０によって発熱抵抗体９の配列ピッチ
が自動的に設定されることから配列の手間も省けるとと
もに配列ピッチの精度が向上する。
【００４６】また、本発明では、発熱抵抗体９の外側に
断熱材１０を設ける場合には、単に慰濁液２９中に浸漬
された発熱抵抗体９の内側からの吸引のみで発熱抵抗体
９の外側に濾過材１７を介して断熱材料を堆積させるこ
とにより断熱材１０を発熱抵抗体９の外側に形成するこ
とができるので、型枠の組立や離型作業が不要である。
しかも、断熱材１０は乾燥するだけでよく、焼成工程が
不要であることから、短時間で断熱材１０を形成するこ
とが可能となる。さらに、成形後、発熱抵抗体９と断熱
材１０との間に介設された濾過材１７を抜取る場合に
は、濾過材１７と断熱材１０との間に介設された棒材２
８を抜取ることにより濾過材１７と断熱材１０との間に
隙間ができること、及び端子板１６の板面が断熱材１０
の軸方向に配置されていて濾過材１７が端子板１６に引
っ掛かり難いことから、濾過材１７を容易に断熱材１０
から抜取ることが可能となる。以上により熱処理炉１を
製造する場合における作業性の向上及び製造時間の短縮
が図れるとともに、発熱抵抗体９の配列ピッチの配置精
度の向上が図れる。
断熱材１０を設ける場合には、単に慰濁液２９中に浸漬
された発熱抵抗体９の内側からの吸引のみで発熱抵抗体
９の外側に濾過材１７を介して断熱材料を堆積させるこ
とにより断熱材１０を発熱抵抗体９の外側に形成するこ
とができるので、型枠の組立や離型作業が不要である。
しかも、断熱材１０は乾燥するだけでよく、焼成工程が
不要であることから、短時間で断熱材１０を形成するこ
とが可能となる。さらに、成形後、発熱抵抗体９と断熱
材１０との間に介設された濾過材１７を抜取る場合に
は、濾過材１７と断熱材１０との間に介設された棒材２
８を抜取ることにより濾過材１７と断熱材１０との間に
隙間ができること、及び端子板１６の板面が断熱材１０
の軸方向に配置されていて濾過材１７が端子板１６に引
っ掛かり難いことから、濾過材１７を容易に断熱材１０
から抜取ることが可能となる。以上により熱処理炉１を
製造する場合における作業性の向上及び製造時間の短縮
が図れるとともに、発熱抵抗体９の配列ピッチの配置精
度の向上が図れる。
【００４７】なお、本発明は、前記した実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形
実施が可能である。例えば、前記した実施例のように断
熱材１０を二層に形成する場合、その高密度層１０Ａと
低密度層１０Ｂの間に例えばアルミニウム製等のメッシ
ュ材を介在させてもよく、これにより発熱抵抗体９から
の輻射熱の反射や断熱材１０の強度の向上が図れる。ま
た、発熱抵抗体９から断熱材に向う輻射熱を反射させる
ために、断熱材１０の内壁面に例えばシリカ製のクロス
材を張設するようにしてもよい。
れるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形
実施が可能である。例えば、前記した実施例のように断
熱材１０を二層に形成する場合、その高密度層１０Ａと
低密度層１０Ｂの間に例えばアルミニウム製等のメッシ
ュ材を介在させてもよく、これにより発熱抵抗体９から
の輻射熱の反射や断熱材１０の強度の向上が図れる。ま
た、発熱抵抗体９から断熱材に向う輻射熱を反射させる
ために、断熱材１０の内壁面に例えばシリカ製のクロス
材を張設するようにしてもよい。
【００４８】さらに、本発明が適用される熱処理炉によ
って熱処理される被処理体としては、少なくとも面状の
被処理体であればよく、半導体ウエハ以外に、例えばＬ
ＣＤ基板等が適用可能である。また、本発明が適用され
る熱処理炉としては、減圧ＣＶＤ以外に、例えば酸化、
拡散、アニール等の処理に適するものであってもよい。
って熱処理される被処理体としては、少なくとも面状の
被処理体であればよく、半導体ウエハ以外に、例えばＬ
ＣＤ基板等が適用可能である。また、本発明が適用され
る熱処理炉としては、減圧ＣＶＤ以外に、例えば酸化、
拡散、アニール等の処理に適するものであってもよい。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
熱処理炉を製造する際の作業性を向上させて製造の要す
る時間を短縮することができる。つまり、発熱抵抗体を
なす線材は、コイル状に形成する必要がなく、単に、軸
方向に沿って螺旋状に配列すればよい。しかも、配列の
ピッチは、支持体によって予め設定されているので、人
手によりピッチを設定する必要がなく、配列の手間を省
くことができ、製造が容易で、発熱抵抗体の配列ピッチ
の精度を向上が図れる。また、発熱抵抗体に設けられた
端子板の板面が断熱材の軸方向に沿って配置されている
ため、製造工程で発熱抵抗体と断熱材との間に介設され
た濾過材を抜き取る際に、濾過材が端子板に引っ掛かる
ことがなく、濾過材を容易に抜き取ることが可能とな
り、更に作業性が向上する。
熱処理炉を製造する際の作業性を向上させて製造の要す
る時間を短縮することができる。つまり、発熱抵抗体を
なす線材は、コイル状に形成する必要がなく、単に、軸
方向に沿って螺旋状に配列すればよい。しかも、配列の
ピッチは、支持体によって予め設定されているので、人
手によりピッチを設定する必要がなく、配列の手間を省
くことができ、製造が容易で、発熱抵抗体の配列ピッチ
の精度を向上が図れる。また、発熱抵抗体に設けられた
端子板の板面が断熱材の軸方向に沿って配置されている
ため、製造工程で発熱抵抗体と断熱材との間に介設され
た濾過材を抜き取る際に、濾過材が端子板に引っ掛かる
ことがなく、濾過材を容易に抜き取ることが可能とな
り、更に作業性が向上する。
【００５０】また、上記螺旋状に捲装された発熱抵抗体
に対して断熱材を設ける場合には、発熱抵抗体の組立て
体に濾過材を設けた上で内部からの濁液槽の吸引操作の
みを行えばよい。これにより、濾過材の表面に濁液槽中
の繊維質成分の堆積を可能にして、貼り付け等の手作業
をなくすことができる。
に対して断熱材を設ける場合には、発熱抵抗体の組立て
体に濾過材を設けた上で内部からの濁液槽の吸引操作の
みを行えばよい。これにより、濾過材の表面に濁液槽中
の繊維質成分の堆積を可能にして、貼り付け等の手作業
をなくすことができる。
【００５１】さらに本発明によれば、支持体によって保
持される発熱抵抗体は、支持体の櫛歯の内部において断
熱材の内壁面との間に径方向の隙間を設定されること
で、熱膨張による径方向への伸長変形を吸収されること
ができる。
持される発熱抵抗体は、支持体の櫛歯の内部において断
熱材の内壁面との間に径方向の隙間を設定されること
で、熱膨張による径方向への伸長変形を吸収されること
ができる。
【００５２】しかも、上記支持体の基部が断熱材の内壁
面に対向した状態で位置し、その基部と内壁面との間に
発熱抵抗体が配置されるので、発熱抵抗体が熱膨張した
場合に折損や脱落するのを未然に防止することができ
る。
面に対向した状態で位置し、その基部と内壁面との間に
発熱抵抗体が配置されるので、発熱抵抗体が熱膨張した
場合に折損や脱落するのを未然に防止することができ
る。
【００５３】そして、支持体は、隣り合う櫛歯同士で先
端までの長さを異ならせてあるので、支持体の櫛歯間へ
の断熱材料である濁液槽の充填量を増加させることがで
き、これにより、支持体の保持が強固に行われることに
なる。そして、櫛歯には、断熱材料である濁液槽との結
合を強化する構造が設けられている。つまり、櫛歯にお
ける長い方の櫛歯には、断熱材料に突起部が設けられて
いる。従って、突起部が断熱材料に引っ掛かることで、
抜けあるいは位置ずれを防止することが可能になる。
端までの長さを異ならせてあるので、支持体の櫛歯間へ
の断熱材料である濁液槽の充填量を増加させることがで
き、これにより、支持体の保持が強固に行われることに
なる。そして、櫛歯には、断熱材料である濁液槽との結
合を強化する構造が設けられている。つまり、櫛歯にお
ける長い方の櫛歯には、断熱材料に突起部が設けられて
いる。従って、突起部が断熱材料に引っ掛かることで、
抜けあるいは位置ずれを防止することが可能になる。
【００５４】
【図１】本発明の熱処理炉の一実施例の全体構成を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】図１に示した熱処理炉の一部を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】図１に示した熱処理炉のIII−III失視縦断面図
である。
である。
【図４】図１に示した熱処理炉の図３に示すIV−IV失視
縦断面図である。
縦断面図である。
【図５】突起部が片面に形成された支持体を示す拡大斜
視図である。
視図である。
【図６】突起部が両面に形成された支持体を示す拡大斜
視図である。
視図である。
【図７】本発明を適用した熱処理炉の製造方法において
用いられる治具の構成を説明するための斜視図である。
用いられる治具の構成を説明するための斜視図である。
【図８】端子板を有する本発明の熱処理炉の発熱抵抗体
を示す側面図である。
を示す側面図である。
【図９】図８に示した発熱抵抗体における端子板の取付
状態を部分的に示す平面図である。
状態を部分的に示す平面図である。
【図１０】本発明の熱処理炉の製造方法において濾過材
上に断熱材を堆積させる工程を説明するための模式図で
ある。
上に断熱材を堆積させる工程を説明するための模式図で
ある。
【図１１】本発明の熱処理炉の製造方法の工程を説明す
るためのフローチャートである。
るためのフローチャートである。
１ 熱処理炉 ２ ベースプレート ３ マニホールド ４ プロセスチューブ ５ 内管 ６ 外管 ７ 入口ポート ８ 出口ポート ９ 発熱抵抗体 １０ 断熱材 １１ 蓋体 １２ 昇降機構 １３ ウエハボート １４ 保温筒 １５ 回転機構 １６ 端子板 １７ 濾過材 １８ 支持体 １９ 基部 ２０ 支持片 ２１ 突起部 ２２ 治具 ２３ 支軸 ２４ スポーク ２５ 基板 ２６ ガイド部材 ２７ 吸引孔 ２８ 棒材 ２９ 懸濁液 ３０ 濁液槽 ３１ 吸引ポンプ ３２ 吐出パイプ ３４ 軸受け ３６ モーター
フロントページの続き (72)発明者 肥田野 勝 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 (72)発明者 三浦 恭彰 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 (72)発明者 横川 修 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内
Claims (11)
- 【請求項１】 筒状の断熱材の内壁面に沿って螺旋状の
発熱抵抗体を備えた熱処理炉であって、 前記断熱材の縦軸方向に複数に分割されて前記発熱抵抗
体を支持する支持体を有し、 前記各支持体は、前記発熱抵抗体の内側に位置する基部
に、前記発熱抵抗体のピッチ間を通って前記熱処理炉の
半径方向へ延出する複数本の支持片を形成し、 前記複数本の支持片の先端部が前記断熱材中に埋設され
ていることを特徴とする熱処理炉。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記発熱抵抗体は、 前記断熱材を貫通して外部に延出された複数の端子板を
前記断熱材の縦軸方向に適宜間隔で有し、 かつ、前記複数の端子板の板面が前記断熱材の軸方向に
沿って配置されていることを特徴とする熱処理炉。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、 前記支持体の先端部の片面には、前記断熱材の周方向に
向いた突起部が形成されていることを特徴とする熱処理
炉。 - 【請求項４】 請求項１又は２において、 前記支持体の先端部の両面には、前記断熱材の周方向に
向いた突起部が形成されていることを特徴とする熱処理
炉。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかにおいて、 前記支持体は、セラミックからなることを特徴とする熱
処理炉。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかにおいて、 前記断熱材は、高密度層と低密度層との二層より形成さ
れ、該高密度層と該低密度層との間にメッシュ材を介設
したことを特徴とする熱処理炉。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかにおいて、 前記断熱材の内壁面にクロス材を張設したことを特徴と
する熱処理炉。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれかにおいて、 前記支持体は、櫛歯を有して前記発熱抵抗体を該櫛歯の
基部側で支持すると共に、前記断熱材の内壁面と前記発
熱抵抗体との間に炉の半径方向に隙間を有することを特
徴とする熱処理炉。 - 【請求項９】 請求項８において、 隣接する前記櫛歯の長さが異なることを特徴とする熱処
理炉。 - 【請求項１０】 筒状の断熱材の内壁面に螺旋状の発熱
抵抗体を備えた熱処理炉の製造方法であって、 外側に軸方向に適宜間隔でかつ板面が軸方向に沿って配
置された端子板を有する螺旋状の発熱抵抗体と、前記発
熱抵抗体の内側に位置する基部に前記発熱抵抗体のピッ
チ間を通って炉の半径方向外方へ延出する複数本の支持
片を形成してなる支持体と、該支持体を前記発熱抵抗体
の周方向で所定位置に位置決めして軸方向に整列させる
治具と、を準備し、この治具を回転させながら治具上に
前記支持体を介して前記発熱抵抗体を装着する工程と、 前記発熱抵抗体の外周に前記端子板及び支持体の支持片
を避けて濾過材を配置し、該濾過材上に前記発熱抵抗体
の軸方向に沿って細径の棒材を周方向に適宜間隔で配置
する工程と、 前記発熱抵抗体を断熱材料をなす無機質繊維を含む慰濁
液中に浸漬させて発熱抵抗体の内側からの吸引により前
記濾過材上に前記断熱材料を堆積させる工程と、 前記濾過材上に堆積した断熱材料を乾燥させ断熱材を形
成する工程と、 乾燥後に前記断熱材と前記濾過材との間から前記棒材を
抜き取り、さらに前記断熱材と前記発熱抵抗体との間か
ら前記濾過材を抜き取る工程と、 前記治具を前記支持体から除去する工程と、を含むこと
を特徴とする熱処理炉の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０において、 前記慰濁液がシリカ、アルミナあるいは珪酸アルミナを
含む無機質繊維と、水及びバインダであることを特徴と
するの熱処理炉の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-305956 | 1993-11-10 | ||
| JP5305956A JPH07135179A (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 熱処理炉製造方法および熱処理炉 |
| JP6071552A JPH07253276A (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 熱処理炉及びその製造方法 |
| JP6-71552 | 1994-03-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864546A true JPH0864546A (ja) | 1996-03-08 |
| JP2840558B2 JP2840558B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=26412656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6300298A Expired - Fee Related JP2840558B2 (ja) | 1993-11-10 | 1994-11-09 | 熱処理炉及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5506389A (ja) |
| JP (1) | JP2840558B2 (ja) |
| KR (1) | KR100235548B1 (ja) |
| TW (1) | TW273637B (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1167424A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-09 | Kokusai Electric Co Ltd | ヒータ支持装置 |
| US6008477A (en) * | 1997-02-18 | 1999-12-28 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| JP2007088324A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 発熱体の保持構造体、絶縁構造体、加熱装置および基板処理装置 |
| JP2007324477A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2008103695A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理炉及びその製造方法 |
| JP2008513722A (ja) * | 2004-09-16 | 2008-05-01 | サンドビック インテレクチュアル プロパティー アクティエボラーグ | 炉断熱材 |
| JP2008263170A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-30 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理炉及び縦型熱処理装置 |
| JP2009004715A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及及びこれに用いられる加熱装置 |
| JP2009180462A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理炉 |
| JP2009239303A (ja) * | 2009-07-09 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理炉 |
| JP2012033926A (ja) * | 2011-07-19 | 2012-02-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 絶縁構造体、加熱装置および基板処理装置 |
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Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6005225A (en) * | 1997-03-28 | 1999-12-21 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus |
| US6059567A (en) * | 1998-02-10 | 2000-05-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system |
| JP3479020B2 (ja) | 2000-01-28 | 2003-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US20050063451A1 (en) * | 2002-02-28 | 2005-03-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Temperature measuring system, heating device using it and production method for semiconductor wafer, heat ray insulating translucent member, visible light reflection membner, exposure system-use reflection mirror and exposure system, and semiconductor device produced by using them and vetical heat treating device |
| US6932957B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-08-23 | Silicon Light Machines Corporation | Method and apparatus for increasing bulk conductivity of a ferroelectric material |
| US20040178137A1 (en) * | 2003-03-10 | 2004-09-16 | Koichi Itoh | Reinforcement structures for multi-cell filter cartridge |
| NL1028057C2 (nl) * | 2005-01-18 | 2006-07-19 | Tempress Systems | Inrichting voor het op zijn plaats houden van verhittingsdraden in een horizontale oven. |
| TWI315080B (en) * | 2005-08-24 | 2009-09-21 | Hitachi Int Electric Inc | Baseplate processing equipment, heating device used on the baseplate processing equipment and method for manufacturing semiconductors with those apparatus, and heating element supporting structure |
| JP4907937B2 (ja) | 2005-09-26 | 2012-04-04 | 株式会社日立国際電気 | 断熱壁体、発熱体の保持構造体、加熱装置および基板処理装置 |
| WO2008100917A1 (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Caracal, Inc. | Epitaxial growth system for fast heating and cooling |
| US8023806B2 (en) * | 2007-03-20 | 2011-09-20 | Tokyo Electron Limited | Heat processing furnace and vertical-type heat processing apparatus |
| JP5868619B2 (ja) * | 2011-06-21 | 2016-02-24 | ニチアス株式会社 | 熱処理炉及び熱処理装置 |
| KR101456831B1 (ko) * | 2012-06-20 | 2014-11-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이장치 제조용 가열장치 |
| US20140166640A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Sandvik Thermal Process Inc | Support for resisting radial creep of a heating element coil |
| CN105789084B (zh) * | 2014-12-17 | 2019-04-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 加热腔室以及半导体加工设备 |
| KR101891659B1 (ko) * | 2016-10-14 | 2018-08-24 | (주)피앤테크 | 전력 반도체용 초고온 열처리 공정 장비 개발에 대한 단열 플레이트가 구비되는 튜브 매립형 소성로 |
| WO2020070064A1 (en) * | 2018-10-01 | 2020-04-09 | Vapalahti Sami Kristian | Energy efficient heating process |
| CN112071545A (zh) * | 2020-09-01 | 2020-12-11 | 安徽省瀚海新材料股份有限公司 | 一种提高钕铁硼基材矫顽力的表面处理方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239371A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-28 | 佐藤 宏 | 断熱耐火セラミックスの製造方法 |
| JPS60246582A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-06 | 佐藤 宏 | 複合構造電気抵抗発熱器及びその製造方法 |
| JPH0612694B2 (ja) * | 1986-07-19 | 1994-02-16 | 佐藤 宏 | Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系発熱体を用いた電熱装置用電気絶縁耐火物 |
| US5038019A (en) * | 1990-02-06 | 1991-08-06 | Thermtec, Inc. | High temperature diffusion furnace |
| JPH079036Y2 (ja) * | 1990-11-13 | 1995-03-06 | 東京エレクトロン東北株式会社 | 縦型熱処理炉 |
| JPH0739908B2 (ja) * | 1991-02-28 | 1995-05-01 | ニチアス株式会社 | 加熱装置 |
-
1994
- 1994-11-08 US US08/337,366 patent/US5506389A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-09 JP JP6300298A patent/JP2840558B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-10 KR KR1019940029435A patent/KR100235548B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-11-10 TW TW083110430A patent/TW273637B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008477A (en) * | 1997-02-18 | 1999-12-28 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| JPH1167424A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-09 | Kokusai Electric Co Ltd | ヒータ支持装置 |
| JP2008513722A (ja) * | 2004-09-16 | 2008-05-01 | サンドビック インテレクチュアル プロパティー アクティエボラーグ | 炉断熱材 |
| JP2007088324A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 発熱体の保持構造体、絶縁構造体、加熱装置および基板処理装置 |
| JP2007324477A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2008103695A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理炉及びその製造方法 |
| JP2008263170A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-30 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理炉及び縦型熱処理装置 |
| KR101148330B1 (ko) * | 2007-06-01 | 2012-05-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리로 및 그 제조 방법 |
| US8134100B2 (en) | 2007-06-01 | 2012-03-13 | Tokyo Electron Limited | Heat processing furnace and method of manufacturing the same |
| TWI451497B (zh) * | 2007-06-01 | 2014-09-01 | Tokyo Electron Ltd | 熱處理爐及製造其之方法 |
| JP2009004715A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及及びこれに用いられる加熱装置 |
| JP2009180462A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理炉 |
| JP2009239303A (ja) * | 2009-07-09 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理炉 |
| JP2012033926A (ja) * | 2011-07-19 | 2012-02-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 絶縁構造体、加熱装置および基板処理装置 |
| JP2013016502A (ja) * | 2012-08-29 | 2013-01-24 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理炉及び熱処理炉用支持体 |
| US9466516B2 (en) | 2013-08-21 | 2016-10-11 | Tokyo Electron Limited | Method of manufacturing thermal insulation wall body |
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| Publication number | Publication date |
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