JPH08511126A - ガス放電フラットパネル表示装置及びその製造方法 - Google Patents

ガス放電フラットパネル表示装置及びその製造方法

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JPH08511126A JP7501034A JP50103495A JPH08511126A JP H08511126 A JPH08511126 A JP H08511126A JP 7501034 A JP7501034 A JP 7501034A JP 50103495 A JP50103495 A JP 50103495A JP H08511126 A JPH08511126 A JP H08511126A
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Abstract

(57)【要約】 交流、直流のいずれでも作動できるフラットパネルガス放電表示装置は、少なくとも略大気圧で作動するので爆縮力がかからない。この表示装置は透明な基板上に配設した第1組の導体と第1組から間隔を置いてそれと交叉する第2組とを備えている。交叉点のアレイは、第2組の導体が第1組の導体と交叉する各位置に形成されている。各交叉点で第1及び第2組の導体の間の空間に気体が封入されている。この気体は交叉点で最小パッシェン放電電圧より高いかまたは等しい電圧が印加されるたときに、発光放電する。作動気体としては空気を用いることかできる。表示装置は一つの基板上に形成され、一つ以上のキャッピング層の代わりに別の表示装置を積み重ねることかできる。導体の組の少なくとも一つの各交叉点でアパーチャを設けて放電を見やすくしている。フラットパネル表示装置を組み込んだシステムを提示する。適当に配線したフラットパネル構造体で、照明用のフラットパネルプラズマ放電灯が構成できる。

Description

【発明の詳細な説明】 ガス放電フラットパネル表示装置及びその製造方法発明の背景 本発明はフラットパネル表示装置構造体及びその製造方法、特に、少なくとも 略大気圧の気体で作動する、基板の一側に形成されたガス放電表示装置に関する 。 プラズマ系フラットパネル表示装置は1960年代末期から知られている。概して このような表示装置は部分真空の気体または気体混合物を、対向し交叉する導体 リボンの間に封入したものである。交叉した導体によって交叉点のマトリックス が画定されるが、これは本質的に小型ネオン画像素子(画素)すなわち自体の光 を出すランプのアレイである。どの画素においても交叉し隔間した導体はコンデ ンサの対向する電極板のように作用する。各交叉点で充分大きい電圧を印加する と、気体が放電して電子とイオンとのプラズマになり、電流によって励起される と光を放つ。パッシェンの法則は、気体が放電してプラズマになる電圧、いわゆ る火花電圧または放電電圧を気体の圧力φ(mmHg)と電極間の距離d(cm)の積 に関係付けるものである。画素が発光するのに充分な電圧で一度に1列ずつ順序 導体を走査し、このプロセスを毎秒少なくとも60回反復すると、人間の目で定常 的な像が感知できるようになる。 これらの表示装置では従来圧力−距離積をいわゆる最小パッシェン放電電圧の 領域に近付けるには部分真空をすることが必要であった。従来の設計では周囲圧 力を低くして導体間の領域の気体分子の密度を下げることによって遊離電子の平 均自由行程を確実に長くできた。周囲圧力が低いと遊離電子が他の気体分子に向 かって速く移動してこれらに強く打ち当たり、さらに電子を遊離させるために大 電流が流れ易くなる。S.C.ミラー,ネオン技術と取扱い,11頁 (第3版1977)を参照。しかしこれらの従来設計のパネルで放電電圧を確実に均 等にするには、真空外囲器内で導体を精密に離間整合させねばならない。 部分真空を必要とするのために、他の製造工程に複雑な問題が生じてフラット パネルガス放電表示装置の生産費が増加した。内部の真空環境と外部の大気の圧 力が不均衡なので、パネルの表示面にかかる爆縮圧力(平方インチ当り15ポン ド)に耐えるためにフラットパネル表示装置を補強材で製造することが必要にな った。またプラズマ材料に希有ガスを用いるので精巧な製造設備が必要である。 これらの問題のために最近液晶やエレクトロルミネッセントポリマーなどの他の 設計の表示装置構造体に注意を払うようになった。デップ,ホワード,フラット パネル表示装置,サイエンティフィックアメリカン(1993年3月号)90頁。 さらに従来のプラズマ表示装置では、プラズマを保持するために要する機械的 構造が所要の形状で製作されることが容易ではないので、輝度が低く、解像度を ワークステーション表示装置が要するレベルまで上げることが困難であるという 問題がある。 従って、作動気体として空気を用い、少なくとも略大気圧で作動できるガス放 電フラットパネル表示装置を製造することは有利である。発明の要約 本発明の目的はエアブリッジ技術を用いる単一基板上に形成されたフラットパ ネル表示装置を提供することにある。 また本発明の目的は略大気圧で作動できるフラットパネル表示装置を提供する ことにある。 さらに一つの目的は気体中で気体の最小パッシェン放電電圧またはその付近で 発光放電を誘起するフラットパネル表示装置を提供す ることにある。 もう一つの目的は爆縮力を受けないガス放電フラットパネル表示装置を提供す ることにある。 なおもう一つの目的は地図のように巻くことができる可撓性基板に取り付けた ガス放電フラットパネル表示装置を提供することにある。 さらにもう一つの目的は、一般用またはバックライト用のフラットパネルプラ ズマ灯を提供することにある。 本発明は少なくとも略大気圧で作動するために爆縮力のない交流または直流の いずれでも作動できるフラットパネルガス放電装置を提供するものである。この 表示装置は透明な基板上に配設した第1組の導体と、この導体と離間して交叉す る第2組の導体とを備えている。第2組の導体が第1組の導体と交叉する各位置 に交叉点のアレイが形成される。この気体はこの交叉点の空間に導入されており 、最小パッシェン放電電圧がここに印加されたとき、発光放電を起こす。本発明 の重要な特徴は、空気を作動気体として用い、製造費用及び製造の複雑さを少な くすることである。スパッタリングしない既知の導体から陰極材料を選ぶことに よってパネルの寿命を長く保つことができる。好適な実施例においては、表示装 置は基板の一側に形成される。また一つの実施例では導体の組の少なくとも一つ の交叉点の夫々にアパーチャを設けて放電を見やすくしている。 本発明のこれらその他の目的、特徴および利点については寸法不同の添付図面 に照合してある好適な実施例に基づいて説明する。 図1はパッシェンの法則を説明するための図、 図2は本発明の一実施例によって構成したフラットパネル表示装置の一部の上 端正面図、 図3は図2の3−3線に沿う断面図、 図3aは図2の実施例の改造品を示す図3の部分図、 図4は図2の実施例に基づいて形成されたフラットパネル表示装置の部分断面 図、 図4aは図4のフラットパネル表示装置の別型構造の部分断面図、 図5は処理の後段階における図4の構造である。 図6は本発明の第2実施例に基づいて構成したフラットパネル表示装置の部分 斜視図、 図7は本発明に基づくフラットパネル表示装置の第3実施例の部分断面図、 図8は本発明によるフラットパネル表示装置の第4実施例の部分断面図であり 、 図9は高速作動用金属被覆側壁を示す図8の実施例の改造品である。 図10は本発明のフラットパネル表示装置を組み込んだビデオ表示装置のブロッ ク図である。好適な実施例の詳細な説明 パッシェンの法則によれば、どの気体にも特定の圧力−距離(“pd”)積に関 連した特性的最小放電電圧Vmim(図1参照)がある。pd積のすべての他の値で は放電電圧はこの最小値より上である。曲線A,BまたはCの下側の領域では、 気体は火花を出さず初期放電は生じないが、現存の放電はこの領域の電圧で保持 できる。超小型電子制御回路との相互接続を容易にするためには、ガス放電表示 装置を最小パッシェン放電電圧またはその付近で作動させるように設計すること が一般に望ましい。 概要および緒言のために、本発明の一実施例に基づいて形成されたフラットパ ネル表示装置10の一部を図2,3に示す。製作された構造体10は絶縁基板14上y 方向行に配設された一組の導体12と、この第1組と交叉して交叉点18を規則的に 配列させるx方向列に配設 された第2組の導体16とを備えている。基板14は例えは地図のように可撓的に巻 くことができる表示装置が所望な適用性を有するように、その上に導体を形成す る略平面になった可撓材である。これらの交叉点18の夫々によって画定される、 少なくとも空間20に封入されている気体は、上述したパッシェンの法則に基づい た適当な電圧を印加するときプラズマ化される。本発明によれば、同じ電圧信号 でどの交叉点でもグロー放電を誘起できるように、交叉点18では導体12、16にお いて所定の均一な間隔が保たれている。これは一般的には導体12、16間から犠牲 層をエッチングすることによって形成される、ここに記載されたエアブリッジで 有利に行える。犠牲層によって表示装置を構成する交叉点の全アレイの各交叉点 18の局部厚さが調整される。 本発明のフラットパネル表示装置には先行技術から逸脱して単一基板上で交叉 導線を相互の離間関係位置を調節できるように位置付けるためにエアブリッジ構 造(例えば、図3,3a,および6〜9参照)が用いられている。導電層12、16に できる限り影響を及ぼさない手段でエッチングされ得る犠牲層28を用いることに より、それらの間にガスブリッジまたはエアブリッジを形成することができる。 エアブリッジによって交叉導線をミクロン範囲に離間して、従来知られなかった 例えば大気圧といった気体圧レベルを表示パネルで用いることができるようにな る。空間20に封入する気体の種類と導体の間隔とはパネルを封止するときの気体 の圧力に影響する。犠牲層を用い、導体12、16の間隔を局部で調整することによ って、現在市場で優位にある液晶型パネルと比較して大きい表示パネルの形成を 有利にできる。この犠牲層により、1フート対角画面と同じ精度で対角線10フィ ートのパネルを作ることができる。 本発明のパネルのエアブリッジでは空間20に空気またはその他の 気体が入っていてもよい。この空間20は一般に少なくとも2、3ミクロンの厚さ を有するので、この空間にエレクトロルミネッセント粒子及びアルコールのスラ リーが充填されて交叉導体が通電されるときに、表示パネルがエレクトロルミネ ッセント物質を発光させる。本技術に堪能な人にはわかるように、導体12,16ま たはその上の被膜が親水性を有すると毛管作用が容易になる。別に処理をしなけ れば、MgO及びZrO2のようなガラスはすべて親水性である。別法としては、こ の空間20に液晶物質を充填して均一な液晶表示パネル構造とすることもできる。 例示しやすくするため、また好適な形状として、導体12,16は他の形状も可能 であるが導電体の線形リボンとして示した。この形状により、通常動作のように それの列及び行のアドレスによって外部回路から各交叉点18をアドレス指定する ことができるようになる。導体12が陰極として働き、導体16が陽極として働くよ うに、夫々が電子回路によって外部で構成されていると想定すると、討論だけの 目的には便利である。陰極材料は一般にスパッタリングを通さない導電体を選ぶ と良く、ジルコニウムが好ましく、酸化スズ及び酸化インジウム・スズ(ITO) のような酸化スズの誘導体とするとさらに好ましい。ここで用いるような酸化ス ズの誘導体とは、3以上の元素を含む化合物は勿論、1つの元素にスズ及び酸素 を加えた少なくとも一群の3元化合物に渡るものとされている。酸化スズ及びい くらかのその誘導体の長所は透明であることである。陽極物質も導電体でつくら れており、ニッケルのようにモノ酸化可能なものが好ましい。導体12は表面14a に垂直方向に、厚さが約1.2ミクロンを有し、導体16は少なくとも11ミクロンの 厚さを有することが好ましい。導体16は実質的に厚い輪郭を有しており、寸法安 定性を賦与し、自己支持している。これについては表示装置10の製造法の論述で 説明 する。 導体12、16は表示装置10の製造を容易にし長寿命を得やすくするために導電体 の層を積むことが好ましい。 本発明の明らかなる目的に基づくと、導体12と16の間の空間20がミクロン範囲 で精密に寸法取りされているので、気体を略大気圧で充填してもその最小パッシ ェン放電電圧またはその付近でプラズマ化され得る。気体分解の結果生じたプラ ズマは、特定の交叉点18においてで可視または紫外放電を放つ。この特定の交叉 点18は、適当な支援回路及び他の交叉点18と共にビデオ表示装置を構成している 。ビデオ表示装置とは、現在吉の手段または後世に開発される手段によって送信 、放送、ケーブル放送、デジタル若しくは孔記憶装置から検索、またはコンピュ ータ発生できるような静止画像、移動画像または順次の画像、を表示する表示装 置のことである。別法として、液晶表示装置のバックライティングのようにフラ ットパネルプラズマランプの適用としては、通常のスイッチを用いてすべての交 叉点18を同時に(またはそうでなく)電源入切することがある。表示装置10では 表面14aにキャッピング層22を形成して裏当することにより、水分や異物粒子を 密封排除している。充填された気体が略大気圧である場合は、ふた付きパネルの 内側及び外側の圧力は均衡する。表示装置の輝度を増加させ、また紫外線放射を 可視スペクトルに変換するためには、発光材料層を基板14(図3)と導体の一つ に付着させるとよい(図3a、7、8および9)。 表示装置10に形成される画素の密度はハイビジョン(HDTV)表示装置の線密度 に匹敵する。表示装置10の解像度はx方向における導体12の幅とy方向における 導体16の幅に直接関係付けられる。これは導体12、16の幅が広くなると単位面積 当りの交叉点18の総数が少なくなるからである。しかし、電流は交叉点の面積に 比例するので導 体の幅を広くすることによって、より明るい画像が得られる。そこで技術者は応 用設計規準に基づいて解像度と明るさのバランスをとらねばならない。例えば、 HDTVにおけるように、1250本の水平解像度を得るためには、導体の中心間間隔を 画面1インチ当り約20ミクロンとすることが必要である。従って交叉点18の断面 積即ち明るさに上限が課せられることは勿論である。それ故、16×9インチ画面 には、このレベルの解像度で180ミクロンの中心−中心間隔をとることを必要と するが、技術者は導体12,16の幅を狭くする。それは、ここを通して放射線を見 ることができる媒体14をより露出させることにより、交叉点18からの放射線を見 易くするためである(所要の中心−中心間隔を保ちながら)。そこで例えば、導 体12,16は幅70ミクロンに形成し、そこから交叉点18からの放射線を見ることの できる露出基板を110ミクロン残す。この導体幅はほぼ人間の髪の毛の幅に相当 し、ほとんど見えない。 図3の断面図に示すように、一連の穴26を導体12にエッチングして基板14の表 面14aを露出させている。穴26は直径が導体12の幅より少し小さいことが好まし い。表示装置10の交叉点18の夫々で放出される光を直接穴26から見ることができ 、導体16の反射支持体面の前で放電を見るための直線通路が形成され、画像の全 体の明るさが増す。その結果できる「中空」の管状陰極構造体のためにさらにい くつかの利点が得られる。交叉点18で初期に放電が起こると穴26の壁に負の電荷 が蓄積し、その陰、陽極対のその後の放電がより低い電圧で生じるようになる。 このため、中空陰極構造体は、板状陰極よりも電子発生源として一層効率が良く なる。これは壁電位の貯留の結果で、短時間「記憶」効果がある。それ故、微小 中空陰極を一つの電極、板状構造体を他のものとして用いることにより、近く放 電されていない隣接した画素と比較して放電電圧が非対称になる。 さらに、蓄積された負の電荷が穴26の壁から他の電子を追い出し、中空陰極の中 央のプラズマが一層高密度で、より高圧になって、より低電圧で電子を励起でき るようになる。 表示装置10は直流、交流のいずれでも作動させる可能であるが、交流の方が画 像がより明るくなるので作動の態様が好ましい。これは放電した直後の交叉点18 ではその交叉点の電極の絶縁層に電荷が暫時保持されるからである。この保持さ れた電荷は、記憶セルのようにその後印加された電圧と合わさってより低い電圧 でさらに放電を維持するかまたはトリガする。さらに電圧が反転するたびに画素 が放電するので走査時間より長時間に渡って発光する。導体12,16には対向面に 絶縁層12c,16aを備えており、導体を静電結合して交流作動させる。絶縁層が少 なくとも一つあると導体−電極のアーキングまたはスパッタリングのための放電 路が導体間に形成されない。これはパルス励起源で交流作動する場合に顕著であ る。直流作動の場合は絶縁層12c,16aが空間20に入り込まない場合に簡単な構造 とすることができる。 本技術に堪能な人にはわかるように、交流の場合は導体12,16に印加される電 圧は空間20の電圧、すなわち気体放電範囲の電圧と全く同じではない。交流作動 用の表示パネル構造体には相対的に厚さコンデンサ(約13ミクロン)とこれに直 列接続されたに薄いコンデンサ(約2000オングストローム)とが介在する空間20 の両側に絶縁層12c,16aがある。これらの薄い絶縁層では誘電恒数が違うのは別 として、キャパシタンスが有意に大きいが、この電圧降下は有意に小さい。従っ て、絶縁層12c,16aを備える交流パネル構造体に対しては、パネル10の交叉点18 で気体放電を開始するためには、最小パッシェン電圧よりもわずかに大きい電圧 を印加せねばならない。これらの絶縁層のない直流パネル構造体では、最小パッ シェル電圧ま たはその付近で気体放電を開始できる。 図6、7、8および9は本発明の他の構造体を例示している。これらの構造体 の夫々は本発明によるフラットパネル設計、すなわち、作動気体の最小パッシェ ン電圧の付近の電圧を印加するときプラズマ表示をなす単一基板に形成したフラ ットパネル表示装置を例示している。作動気体とは空間20に充填した特定気体の ことである。構造体の特定の細目に関する限り、これらの実施例は他の点では図 2,3に例示した実施例と異なっている。この細目は前記の考案の各種の変形、 潤色の適例であり、それらに限定するものではない。しかし、これらの細目には 一実施例が特定の応用により望ましくなる利点があるが、下記の方法との関連で 本技術に普通の技量のある人がこれらの変形をして前記の考案物を造り用いるこ とができるために適当なようにこれらの変形について詳細に説明する。 本発明のフラットスクリーン表示装置10の製造方法について説明する。 図4は基板14の表面14a上の第1組の導体12を断面で示す。基板14は絶縁材料 であることが好ましく、透明であるのでここを通してビデオ画像が見える。基板 14はガラスまたは高温用プラスチックで形成されると良く、その上に導体を形成 するために表面が略平面である可撓性材料とする。第1組の導体12は薄膜製造の 技術で通常行われるように、表面14aの略全面に導電物質を堆積させてからこれ にマスクを形成しエッチングして導体12を形成する。 一つの好適な実施例において、導体12は材料の数層より成るものである。第1 層12aは基板14に確実に接着するように表面14a上に堆積させる。この層は厚さ約 2500オングストロームのジルコニウムであることが好ましく、次工程のためのは んだ付けまたはエレクトロフォーミングできる素地となる第2の非酸化層12bの 付着により 形成される。白金は不可的な層をはんだ付けまたはエレクトロフォーミングする ための素地となるので、第2層として用いるのに適当な非酸化物質であるが、ニ ッケルがより安価で同様な特性を有するので代替品として好まれる。この第2層 12bは厚さ約1ミクロンである。 別法として、層12a,12bを単一層12a′として形成し(図4a)表示装置10を形 成するその後のステップは図4とほぼ同じとすることができる。酸化インジウム ・スズは可視、紫外スペクトルともに対して透明であることが知られており、層 12a′に好適な材料である。このことはプラズマ放電を導体12自身を通して見る ために有利である。酸化スズの導電層を付着させた適当な透明基板がオハイオ州 トレドのリビイオウエンスフォードからTECガラスの商品名で市販されている。 交流操作の場合には、導体12は対向する第2組の導体16から絶縁され、そして これに静電結合されており、第2組の導体16は下側の導電材料に最上層12cとし て絶縁シートを堆積させることにより導体12を交叉させその上を覆うように付着 させている。これらの層も導体がプラズマエッチングを受けないようにする。ジ ルコニウムのような金属シートを層12cとして付着させ、後述するように酸化さ れて厚さ2000オングストロームの絶縁層を形成することが好ましい。直流操作の 場合には、層12cは同様に形成させるが、これは酸化されず、むしろジルコニウ ムのようなスパッタ不可能な導電物質のままである。同じく好適な材料として、 実質的に純粋な酸化マグネシウム(MgO)があげられる。酸化マグネシウムは常 態で絶縁性を有利、上述した酸化工程を必要としない。また、MgOは可視および 紫外スペクトル(.22ないし8.0μm範囲)で酸化ジルコニウムと比較して透明性 にすぐれているが、ZrO2の方が耐久性が大きい。レ スラーとハフマン,固体の光学的常数の必携書II 926,923,924頁,アカデミック プレス(1992)を参照。しかし、MgOは望まれれば酸化できるジルコニウムと違 い、これがあると直流操作ができなくなるためにジルコニウムと同程度だけしか 好まれない。 層12a、12b、12cを蒸着させた後、通常の方法でこれらにマスクを付けエッチ ングして相互に間隔を置いてなるべく平行、線形に1組の導体12を形成し、基板 14の表面14aをそれらの間に露出させる。中空陰極構造体の場合は、穴26は導体1 2を形成するのと同じエッチングステップで形成される。但しマスクは適当なも のを用いる。中空陰極の穴26の壁をスパッタリングから防護するために、エッチ ングの後に層12cの材料を被覆または選択的蒸着を行って内張りする。 エッチングはプラズマエッチングまたは化学エッチングとする。図4に示すよ うに、導体12は図の平面内でy方向に延在している。導体12のx方向の幅(と図 5で導体16のy方向の幅)は交叉点18の面積に直接関係がある。上述したように 明るさと解像度とに関わる設計規準が競合するので、技術者は応用規準に基づい てバランスをとった導体12(及び16)をエッチングするためのマスクを設計しな ければならない。 第1組の導体12を形成した後、導体12を包むように犠牲スペーサ層28を蒸着さ せる。層28は選択的に蒸着または除去して図4に示す構造体を形成する。スペー サ28に用いる材料の種類は導体層12、16にできるだけ影響を与えない手段でエッ チングできる材料を選ぶことが好ましく、銅がよい。 さて図5に示すように、まず導電物質16が表面14aとそれを包む導体12のほぼ 全面に渡って蒸着され、その後通常のプラズマエッチング法または化学的エッチ ング法によって導体のリボンを形成する。 導体16は導体12のように数層から成るものがよく、第1、第2層は導体12のも のと同じにする。すなわち、第1層16aは厚さ約2500オングストロームのジルコ ニウムまたは厚さ約2000オングストロームのMgOのいずれかを表面14a及びスペ ーサ層28上に蒸着したものとして基板14への接着を確実にすることが好ましく、 第2層16bは、1ミクロンシートのニッケルではんだ付けでき、またエレクトロ フォーミングできる素地である。比較的厚め(10ミクロン)の層16cは、ニッケ ルか金のように非酸化型で、はんだ付けでき、またできればエレクトロフォーミ ングできる導電物質であり、導電性リボンの形で素地層16b上にエレクトロフォ ーミングされる。層16cはその後のエッチング過程に堪える厚さとする。エレク トロフォーミング以前にパターンをとり現像したポジの感光性レジスト層(図示 せず)を素地層16b上に形成してエレクトロフォーミングプロセス用のパターン を画定しておく。エレクトロフォーミングは露出面でのみ行われる。レジスト、 素地層16bおよび恐らく若干の接着層16aを通常の方法でエッチング除去し、y方 向に相互に離間して第2組の導体16を後に残してそれらの間に犠牲層28と表面14 aとの交互の領域を露出させる(図示せず)。 第2組の導体は導体12と交叉して交叉点18アレイをつくらねばならない。これ らの二組12、16は表面に垂直な方向に犠牲層28の高さだけ分離されている。 犠牲スペーサ層28は導体16を形成した後、導体層12、16にできるだけ影響の少 ない手段で通常の方法で選択的にエッチング除去される。層28が銅の場合は、硝 酸鉄化学エッチにより各層28は包まれた導体から選択的にエッチングされる。こ の選択的エッチにより、導体12、16間から層28を除去して夫々の交叉点領域18で エアブリッジ構造体を形成し、すべての他の位置で導体12が露出される。x方向 の導体16はy方向導体12の両側で表面14aに略垂直に延在するポスト様の延長部 により基板面14a上で支持されている。このエッチの結果図2の構造ができる。 交叉点領域18によって図3に示すように犠牲層28の厚さに等しい高さの空間のア レイすなわち導体12,16の間のエアギャップ20のアレイが画定される。所定の交 叉点18に位置付けられた導体12、16の夫々の部分に電圧が印加されて発光気体放 電を誘起させる電極となる。このエアブリッジにはキャッピング層22の下に空気 またはその他の気体を封入してあることは言うまでもない。また別法としてこの エアブリッジにエレクトロルミネッセント物質が封入されてあっても良い。 この加工段階で、層12c,16aが金属である場合は、交流操作の際に酸化されて 対称的な対向する離間した絶縁層となる。絶縁物は交叉点18で電極を短絡させな いようにし、また静電結合する。好適な実施例においては図3に示すように、ジ ルコニウム層12c、16aを酸素を導入した炉で350℃で5ないし8時間酸化して厚 さ2000オングストロームの酸化ジルコニウムしている。この酸化物の出発物質は 厚さ約1000オングストロームであり、酸化の正味の効果として2000オングストロ ームの無視できる程度の空間20に侵入することになる。もちろんパネルを直流操 作に用いる場合、または層12c,16aがMgOのような常態で絶縁性材料である場合 には高温酸化工程は省略される。本技術に堪能な人が熟知のように、この最終高 温工程が行われなければ、パネルのよじれ及び位置合わせはずれの根源がなくな る。 図3の好適な実施例において、空間20には略大気圧の空気が封入されていても 良く、適当な電圧が空間20越しに印加されたとき、導体12、16の交叉点18で空気 が発光放電する。この場合、この圧力で最小パッシェン放電電圧またはその付近 で気体放電を確実に起こさ せるには空間20の高さを10ないし25ミクロン、できれば13ミクロンとするとよい 。1気圧すなわち763mmHgで電極が13ミクロン離れている場合は、pdは.99mmHgcm で、これは空気のVminに相当近い。電極板が少し遠く離れるとpd積が増し、図 1の曲線A沿いに右方へずれるようになる。それでもこの場合は放電電圧が数10 0ボルトの範囲で事実上一定であるので、放電電圧に及ぼす影響はゆるやかであ り表示装置の作動に影響はない。これにより以下に示すように、パネル構造を通 常の超小型電子回路とインターフェースさせやすい利点がある。 大気圧以上で作動させるとプラズマ放電速度が増加しこれに相応して持続頻度 数が増加し、それ故表示明るさが増す。これはパッシェンの法則に基づくので、 それによると、プラズマ放電において圧力pと放電ギャップサイズdの積を一定 にすると、圧力に比例して経時プロセスの速度が増す。表示装置10を本発明に従 って大気圧で作動させると、ギャップサイズを例えば0.003″〜0.005″(75〜15 0ミクロン)以上要する従来の低圧(部分真空)法から0.001″〜0.002″(25〜5 0ミクロン)以下へと有意に低減できる。明るさは他の方法、例えば、作動気体 が空気である場合には炭化水素を空気に加えてキャッピング層22の下に密封して 「白色光」気体を構成し、これを濾光して各画素で原色またはその組合せとする ことができる。 本発明のプラズマ表示装置で色画素三つ組をインチ当り200とするには、各画 素の幅は約0.0016″(41ミクロン)にすぎない。「白色画素」すなわち「三色組 」は三つの画素の1群で、その夫々が制御して異なった原色(赤,緑または青) を発生し、合わさって働いて全色スペクトルを出す。これは少なくとも生産量で はシルクスクリーン過程の能力を越えそうであるが、どんな標準の光学的石版印 刷術でもできる。重要なことは、本発明による画素の幅により、従来の活性マト リックスフラットパネル表示装置でなされるような夫々3ミクロンチャネル幅の トランジスタのアレイを造る場合の難点が避けられるということである。それで も、50インチ 5000×9000画素表示装置にはそのような画素密度は想像されるも のである。 電極の間隔が狭いとピンホール短絡を起こすことがある。この現象は導体16の ような金属の層がスペーサ28のような絶縁材料の薄膜上に蒸着され、この薄膜の 小さい穴を透過してこの薄膜の下にあるどんなものにでも電機的接触するときに 起こる。下にある物質が本構造体における導体12のような導体であれば、この結 果「ピンホール」短絡として知られる直接短絡となる。その特許開示を参考文献 として掲げているレップセルタの米国特許3,461,524に開示されているようなピ ンホール短絡をなくす方法は既知である。略大気圧で空気の最小パッシェン放電 電圧またはその付近で表示装置10を有利に作動させることができる電極間隔は、 13ミクロンであり、これはピンホール短絡の起こる度数を低減するために十分大 である。 所定の許容度で導体12、16を離間させるために高さが調節された犠牲層28を用 いる本発明の一方側構造体によって、空間20の大きさが有利に精密調整される。 超小型電子技術の分野に堪能な人の認知する他の方法もあるので、上述のものは 二つの導体を離間させる一つの好適な仕方にすぎないことはもちろんである。空 間20の高さを前選定するためには、導体12,16に十分強剛なものを選ぶことによ り、犠牲スペーサ層28をエッチング除去した後できるエアブリッジが形状安定性 を保持するようにすると有利である。できる導体12,16間に形成される空間20は もちろん誘電体として作用する。 オプションであるがなお役立つ特徴として、表示装置10を外部回路に電気的に 接続するために導体12,16の少なくとも一つの縁沿い に結合タブ29を形成することができる。 明るさを増すために、導体12の下の基板上に燐光画面24を蒸着することができ る(図3)。蛍光体画面24が紫外線光子を吸収するが、これは放射の終了後続い てある期間画面24を照明する。これはLSD表示装置をバックライトとして用いる 場合には、フラットパネルプラズマランプには好適である。別法として、化学蒸 着法によって既に形成された表示装置10の導体12,16上とこれらの間に発光物質 を蒸着してもよい。この方法では、上側の組の導体すなわち導体16が蛍光体の蒸 着の一部マスクとして働き、蛍光体被膜に不連続部ができる。これらの不連続部 が一つの画素から放射される光が蛍光体画面を通って隣接画素の方へ「ブリーデ ィング」言い換えれば「クローリング」することを防止する。 導体16によって形成される高反射性の「エアブリッジ」は、画面24があっても なくても表示装置10の明るさに寄与するが、蛍光体層24′を導体16自身の上に、 すなわち透明層16aの上に形成してもよい(図3aを参照)。この代替実施例では 白色蛍光体をプラズマガスのすぐ後ろに蒸着し、プラズマグローが消えた後も白 色蛍光体は極めて効率的な放射光源として働く。 結合タブ29を除く全構造体はキャッピング層22によってふたがされ水分と異物 粒子を封じ出すことができる。キャッピング層22は締具、接着または熱処理によ るなど通常の手段によって基板14に接続することができる。キャッピング層22は 基板14に気密封止して周囲の湿気が導体12,16上に凝縮しないようにし、また紫 外光を発生させる気体を逃がさないようにするものである。一つの好適な実施例 においては、大気圧の空気をキャッピング層の下と交叉導体12,16の各交叉点18 の空間20中に封入している。これによりふたをしたパネルの間外側の圧力がつり 合うことになる。部分真空とされる表示 装置と違い、構造体に圧力がかからずまた、爆縮の危険もない。これでプラスチ ックを初め廉価な材料を用いて比較的大きい構造体を製造できるようになる。 別法としてキャッピング層22で気体を大気圧よりも大きい圧力で封止してもよ い。これは空気以外の気体、例えば、ネオンまたはネオンにアルゴン0.1%を加 えたものを用いると有利である。図1において、曲線B、Cでは曲線Aよりも比 較的に高いpd積で最小パッシェン放電電圧となる。本技術に堪能な人には、図1 に示すもののような空気以外のある気体のための導体間の所定距離を一定にする 場合は、表示装置10に用いられる特定の気体をその気体のパッシェン曲線pd積に よって決まる最小放電電圧に相当する超大気圧で封止すればよいことがすぐわか る。導体12、16の間隔が狭いと解像度と効率が高くなるのでギャップサイズdを 増すのは一般に好ましくない。従って、空間20に入れた気体の圧力を大気圧また は超大気圧のレベルに上げるとよい。 超大気圧を用いる場合は、キャッピング層22は基板面14aに加えて導電層16cに も接着せしめて気体圧力によりキャッピング層に力が加わり基板14からキャッピ ング層がそり離れないようにすると良い。21の接着は各エアブリッジの上端、各 交叉点18の上その他どこで行ってもよい(図3a参照)。 キャッピング層22は暗色か黒色の材料が好ましく、これは表示装置10を透明基 板14を通して見るために対照的な背景とするためである。キャッピング層22は金 属層を備え、後方へ向けられた光を再び基板14を通して前方へ反射させるように する。金属層を使うと構造体内に発生した熱を効率的に放出できる。逆に基板14 が不透明であれば、表示装置は適当に透明なキャッピング層22越しに見ることが できる。 図6に示す本発明の第2実施例においては、大きいフラットパネル表示装置30 を透明パネル32の一方の側に形成している。パネル32はガラス、ガラスファイバ 、または高温用プラスチックのような強剛な透明材料でできていることが好まし い。パネル32には一方の側に所定深さ36の矩形スロット34を形成する。スロット 34にはなるべくスロット34の形状に合うように選んだ断面の第1組電線38を収納 する。電線38はできれば両端で通常の手段によって緊張させて保持する。スロッ ト34の上端に渡って第1組電線38に対してある角度で第2組電線40を配設して交 叉点42のアレイを形成する。電線38をスロット34間に設け、電線40をそれに渡っ て伸張させるとき、電線38、40の対向面が約13ミクロン離れており、少なくとも 略大気圧の気体が最小パッシェン電圧かまたはその付近で発光放電をなすように 深さ36を選ぶ。電線38、40は交流の場合は絶縁層で被覆して電線を静電結合する とよい。例えば電線38、40を通常の塗装電線とする。表示装置構造体30はキャッ ピング層44でふたして粉塵や他の異物粒子が入らないようにする。表示装置30は 少なくとも略大気圧で作動するので、有意な爆縮力が構造体にかからない。これ により、機械的受金物を使うことなく、また爆縮の虞なしに比較的廉価な材料を 用いることができる。 図7は本発明の第3実施例を示すが、これは一つが夫々の原色(赤,緑,青) に相当する三つの画素に渡る1つのエアブリッジ50を設けることによってカラー 操作するよう構成されている。次の説明は表示盤の交流操作についての説明であ る。直流操作が望まれる場合には、後述するの層のあるもの、例えば導体12a′ を図2、3で説明したものと取り替える。この図では、導電物質12a′、これは 酸化インジウムスズが好ましいが、これを基板14上でストライプ状にパターン付 けられる。図7に示す3つのストライプは一つの白 色画素すなわち三色組を構成している。それらは例えば、x、y方向に延在する 、より大きいアレイの一つの列および三つの行を占有する。次いで通常の方法で 基板に被覆し(例えばアルコールスラリーによる)、パターン付けし(例えばホ トレジストで)、エッチングして導電ストライプ12a′上に赤52、緑54、青56の 蛍光体ストライプを積層する。層12a′、52、54、56の夫々は厚さ1ミクロン程 度であるが、層52、54、56は厚さ2ミクロンまではよい。層12a′は蛍光体層52 、54、56の形成以前に蒸着するよう述べているが、この方法はそう限定したもの ではない。本技術に精通した人が認識するように、層52、54、56は導体12a′を 形成する前に蒸着してパターン付けすることができる。 絶縁層58、好ましくは酸化マグネシウムを例えばスプレーまたは蒸着によって どこにでも堆積させ、次いで好ましくは銅の犠牲層28(図示せず)を蒸着させて 、下記の後続ステップで蒸着される第2組導体と離間させる。この犠牲層をエッ チング除去後、各画素に渡って空間すなわちエアギャップ60が最終的に出来る。 加えて犠牲層58は次工程に移る前に平坦化される。次いでこの犠牲層28を絶縁層 62、好ましくはMgOので絶縁層58と同様にして被覆する。 導体16とエアブリッジ50を形成するため、例えば写真製版法を用いて、で絶縁 層62、58および犠牲層58を通って下へ基板14まで穴64のアレイをエッチングする 。図示のように、好ましくは幅0.002″または50ミクロンの穴64を画素の各三色 組の間にエッチングする。これで本実施例のパネル構造に必要な支柱の数が三分 の一に減る。それから、2000オングストローム程度にできるめっき素地、例えば ニッケルをどこにでも蒸着させる(図示せず)。次いで好ましくはニッケルの導 体16とエアブリッジ50を構成する厚い導電層をめっき素地上にエレクトロフォー ムできるように基板14の上面14aにパタ ーン付けする。エレクトロフォーミングは柱66が穴64に入りエアブリッジ50のた めに十分に構造支持できるまで続ける。本技術に精通する人が認識しているよう に、各エアブリッジ50は梁のようなものであり、その剛性は厚さの3乗で変わる ので、この関係に基づいて各エアブリッジ50の径間を柱66が支えるまでエレクト ロフォーミングを続ける。どのパネル70の各エアブリッジ50も特定の径間は導体 12a′の厚さとパネルの所望解像度によって変わる。別法として、各エレクトロ フォーミング工程に適当なマスクを用いてエアブリッジをエレクトロフォームす る以前に柱をエレクトロフォームすることができる。どちらの場合も、エアブリ ッジは少なくとも厚さ11ミクロンとすることが好ましく、梁を支持するのに十分 な厚さとすればさらによい。エアブリッジ50の厚さの上限は解像度やレジストマ スクの厚さのような他のファクタによって決まる。例えば、電型材がレジストマ スクの上端をずっと越える厚さに被覆された場合は、この材料がその上に急に広 く張り出して隣接列の画素の方へ横に広がるので解像度に悪影響がある。 エアブリッジ50が形成された後、めっき素地を例えばプラズマエッチで除去し てパネルがめっき素地によって短絡されないようにする。最後に、犠牲層をエッ チングし去って図2、3の実施例におけるようにプラズマグローが起こる空間60 を残す。グローは領域68(人為的な空間の分離の例としてファントムに示す)も 自由に照明できるが、この領域では導体12a′と各エアブリッジ50との間の適路 長は最小pdではなく領域68ではプラズマ放電は発生しない。柱66もまたグローが 一つの三色組から隣接三色組へ伸びて行かないようにされる。 パネル70は高温での工程を行うことなく形成できる利点がある。このことはこ の方法でなければ別法では得られない寸法安定度を得 ることができる。これはパネル70の付加的な利点と見られる。 図8は白色蛍光体78と組み合った色フィルタ72、74、76を用いて表示パネル80 とするもう一つの実施例を示す。表示パネル80を造る方法は2つの点を除いて図 7のパネル70について上述したものと同じである。第1は赤72、緑74、青76のカ ラーフィルタをストライプ状(カラー蛍光体52、54、56の代わりに)にパターン 取りして白色画素すなわち三色組を形成する。フィルタ72,74,76の厚さは約1 ミクロンである。また導体層12a′はカラーフィルタの上側かまたは下側に蒸着 しパターン取りされる。 第2に穴64をエッチングする前に白色蛍光体の層78を第2絶縁層62の上に蒸着 させる。白色蛍光層78は光を横に透過させないように、また層78内にトラップさ せないようにする結晶粒組織に形成される利点がある。穴64をエッチングすると 、柱66が蒸着され導体16とエアブリッジ50とを電気的に接続させることができる 。なお各エアブリッジ50は、適当な電圧が印加されたとき、空間60内でグロー放 電する交叉点18をつくり、交叉して配設された導体12a′の1つに連続するx方 向またはy方向の導体の一部であることがわかる。 作動中に白色蛍光体78は、それぞれの空間60の紫外放電の波長を白色光に変え る働きをする。空間60のプラズマによって発生される紫外光は白色蛍光体78(お よび他の場所)中へ進んで白色蛍光体に衝合するエアブリッジ50から反射するこ とにより基板14を通って戻り出る。この光がカラーフィルタ72、74、76の1つ以 上を通して見え調整されて金色出力スペクトルとなる。パネル80の作動について 一般に図10の関連で説明する際に、例えば赤72と緑74のカラーフィルタおよび導 体16の一つと連携した導体12a′に適当な電圧を印加した場合に、パネル80は原 色の重ね合わせの原理によってその画素三色組の交叉点18で黄色光を生ずる。ヘ ヒト,オプティックス第2 版115頁を参照。 なお本発明の範囲内と考えられるレイアウトや構成には他のものもあるので、 表示盤のこれと他の実施例に関連して述べた画素のレイアウトは例示にすぎない ものである。 図9には図8のパネル構造の変形を示しており、ここでは基板14′にみぞ切り 面14a′を設けている。この図は寸法不同であるが、図8よりはフラットパネル 表示装置の鉛直水平の相対寸法がよく近似しているので、白色画素すなわち三色 組の一つの画素だけを示す。みぞ切り面14a′には多数のスロット82があり、そ の夫々は付加さ2ミクロンが好ましい。スロット82は、例えば液体ホーニング処 理などで形成できる。液体ホーニング処理は研磨剤スラリーを含む水ジェットを 基板14のような目標に突き当たらせるよう方向付けて目標のマスクしていない部 分を減磨して例えばスロット82を切る工程である。カラーフィルタ72、74、76と 導体12a′がスロットの付加さに略等しい積層厚さとなるように選ばれたときは 、平面構造をとるようにこれらのフィルタと導線とをスロット82に収納する。 スロット82の側壁は好ましくはニッケルであり、複合スパッタリング法が用い られるように金属化すると良い。レプセルタ等の米国特許4,343,082を参照。金 属化された側壁82は電圧信号のような信号すなわちパルスを導体12a′の長手沿 いに搬送する自己調整伝送線として働く。金属化側壁84はニッケルが選ばれ、導 体12a′が酸化インジウムスズであるとき、この側壁は信号のための1ミクロン 厚さのITO層と比較して低抵抗通路となり、その側壁は平方当り約10ないし20オ ームのシート抵抗を有する。その結果、このパネル構造体90は連携した高速回路 を連携し、100MHzといった比較的高い周波数で作動できる。 側壁84はガスチャンバ内の基板の上方に配されたスパッタリング 電極(図示せず)から金属をスパッタ蒸着することによって基板14′上に形成さ れる。スパッタリング電極はニッケルが、ガスチャンバ内にはアルゴンガスを導 入することが好ましい。直流電源V1の正端子をスパッタリング電極に接続する とスパッタリング(陰極)電極の表面でプラズマが励起される。同様に無線周波 数電源V2をキャパシタンスCを介して基板14′に印加すると(陽極)基板表面 のプラズマが励起される。この電源の周波数は通常13.5MHzである。励起プラズ マからのイオンは目標であるスパッタリング電極を爆撃して金属イオン、例えば ニッケルを遊離させる。スパッタリング電極を基板14′の上方に配すると、スパ ッタされたイオンは最初は基板14′に向かって垂直に進むが、スパッタされたイ オンの若干はプラズマ中のイオンと衝突してスパッタされたイオンが垂直でない 配向で基板面へ向かってはね戻されるようになる。電圧V1,V2は水平面への 正味の到達量(そして成長率)が零になるように通常の方法で調整する。石英様 またはガラス様の基板の表面は金属イオンによって減少しないので、基板表面14 a′は原子的に平滑なままである。しかし、基板表面へ跳ね戻ったスパッタされ たイオンは側壁沿いにトラップされそこでスロット82の側壁沿いに金属化側壁84 として集められる。これらの金属化側壁は例えばスロット82の深さ以下の適当な 厚さの鉛直側壁となり、上述したように電気信号を搬送する伝送線として働く。 このプロセスによってスロットと自己整合する金属化側壁84が形成される。 図8の実施例の導体12a′とフィルタ72、74、76は金属化側壁が形成される前 後にスロット82内でパターン取りして共線形に形成される。カラーフィルタはシ ルクスクリーンによって蒸着でき、また導体はパターン取り蒸着とエッチングに よって形成される。導体とカラーフィルタのどちらを先に蒸着させるかは本発明 では重要では ない。また金属化側壁84は導体12a′を全く設けないで第1組の長い導体として 働くことができるが、導体12a′は導体16の反対側に均一なキャパシタプレート を設けることになってプラズマが偏平になるので、それらの存在が好ましい。そ の他の点では図9の構造体90は図8のパネル80に関連して述べた事項と同様に完 了させる。 パネル70と同じく図8,9のパネル80、90は高温のプロセスステップなしに形 成できる。 上記の構造に留意してフラットパネル表示装置の作動について図10に照合して 次に説明する。 図10は本発明の表示装置10,30を内蔵するビデオ表示システム80を例示してい る。表示するビデオ信号はデジタルメモリチップにフレームごとににデジタルに 記憶する。システム80にはアナログまたはデジタルのビデオ信号84を受信してデ ジタルフォーマットで信号をデジタル化信号88としてバッファ86へ与えるビデオ 信号処理手段82を備えている。バッファ手段86はデジタル化信号88の少なくとも 一つのビデオフレームを記憶する一時記憶域である。バッファ手段86は通常のラ ンダムアクセスメモリ(RAM)チップまたはその種類のもの(SRAM,DRAMなど) を備えている。各ビデオフレームは、元のビデオ信号の同様の座標に相応する列 と行との座標によってアドレス指定可能となる画素のデジタル化アレイに変換さ れる。ビデオ信号処理手段82は信号84を画素のアドレス指定可能アレイに変換し て強度情報を各画素のアドレスに割り当てる。バッファ手段86は列と行との座標 によって通常のようにアドレス指定可能デジタル化信号88を記憶する。デジタル 化信号88は情況、強度および色度レベルの情報である。 記憶装置90はバッファ手段86からデジタル化信号88の一ビデオフレームを受信 して、次のビデオフレーム88′をバッファ手段86にロ ードできるようにする。記憶装置90も通常のRAMチップでよい。 グレイスケール白黒作動には、画素が「オン」であるか「オフ」であるかを示 す情報とともに画素の明るさに関する情報もあるが、これは各画素アドレスには 関連付けられていない。この情報はバッファ手段86(および記憶装置90)の1バ イト以上のデジタルメモリの形で記憶することができる。用いるメモリの各バイ トでは所定画素に対して94とは異なった明るさを記憶することができる。カラー 操作では、この技術に精通した人が認識するように、白色画素すなわち三色組を 構成する赤、緑、青の画素の夫々が同じ明るさ情報とされる。 作動中、表示装置10、30の画素をインターフェース及びアドレす指定の回路92 (“IAC”)によって一時に一列順次にアドレス指定され、すなわち走査される 。IAC 92は記憶手段90からデジタル化信号88、高圧電源94から高電圧を受けて、 所定ビデオフレーム88の各画素に関連した、情況及び強度の情報に従って交叉点 18、42に高電圧信号を選択的に印加する。例えは大規模または超大規模集積と集 積の程度によるが、記憶手段90はバッファ手段86とビデオ信号処理手段82とをと もにIAC 92の内部にあっても良いことは言うまでもない。IAC 92は毎秒90回表示 装置10、30を走査して人間の目にビデオ信号84に相応する安定したビデオ画像が 見られるようにする。 記憶装置90からIAC 92によって受けた情況情報によって示されるように、ある 画素が「オフ」であるとき、高電圧94は今走査されている交叉点18、42に印加さ れず、パネルのその位置から光は放射されない。同じくIAC 92から受ける情況情 報によって示されるように、画素が「オン」状態であるときは、高電圧94が今走 査されている交叉点に印加されて気体放電を誘起し、今の走査サイクルの間表示 装置の交叉点を照明する。 表示装置10、30でグレイスケール、すなわち明暗の強度を感知するにはIAC 92 はなるべくメガヘルツ領域で所要の毎秒90回の倍数回、表示装置10,30を走査す る。強度情報が、同じビデオフレーム88を次に走査する際に、高圧電圧94がもは や印加されなくなったときの所定値に相応するようになるまで、表示装置が走査 される都度各画素についての記憶された強度情報が増減または変形される。すな わち、表示装置10、30が1/16秒の間に32回走査されるとき、強度「8」の一つの 画素は1/16秒の1/4の間オンになるが、強度「16」のもう一つの画素はその走査 時間の1/2の間オンになる。目はそのような急速な閃光に敏感でないので、明る さの範囲は記憶された明るさの程度とプロセッサの速度の範囲とによってだけ制 限されるようになる。表示板10、30は比較的高い圧力で作動されるので、プラズ マの電子はその拡散長が比較的短く、イオンと再結合して放電を急激に消す。こ れで高速処理が可能になり、またグレイすなわち作動の「Z」スケールが広くな る。 任意の白色画素すなわち三色組からの光の赤、緑、青の相対強度も同様に調整 される。 表示器10は基板14が透明の場合は、基板14を通してかまたはキャッピング層22 を通してかのいずれかで前面または後面から見ることができることを認識すべき である。さらに表示器10はデジタル化信号の列アドレスを左から右へ取り換えて 、パネルの反対側の像が元のビデオ信号と同じ空間位置に現れるようにする手段 を備えることにより、同時にではないが両側から見ることができる。コンピュー タ援用設計、核磁気共鳴その他特殊応用で必要とされるような三次元像を表示す るために、透明な表示器10を数個積み重ねることができる。 導体12、16は図示のように導電物質の線形帯片でなくてもよく、 交差したシニュソイドまたは正方形若しくは三角形の波パターンなどであっても よい。これは、ビデオ信号を見るためにクロスポイント18のアレイを形成すると いう必要条件によってのみ限定されるものであることは、本技術に精通する人に は判るであろう。 上述の説明から本発明はその主旨や本質的な特性から逸脱することなく、他の 特定の形で実施できることは明らかである。すなわち、例えば、上述の例では直 接見ることができる表示パネルについて説明したが、このパネルは同様に像を半 銀被鏡に投影して「ヘッアップ」表示装置にすることもできる。また本発明のフ ラットパネル構造は写真複写または印刷用のトランスファプレートに潜像を移す ために用いた場合は同じく利点があり役に立つ。ここに開示された実施例はそれ 故あらゆる点で例示的で制限的ではなく、発明の範囲は付属の請求項に示すが、 前述の説明に限定するものではない。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1995年6月14日 【補正内容】 ない。また金属化側壁84は導体12a′を全く設けないで第1組の長い導体として 働くことができるが、導体12a′は導体16の反対側に均一なキャパシタプレート を設けることになってプラズマが偏平になるので、それらの存在が好ましい。そ の他の点では図9の構造体90は図8のパネル80に関連して述べた事項と同様に完 了させる。 パネル70と同じく図8,9のパネル80、90は高温のプロセスステップなしに形 成できる。 上記の構造に留意してフラットパネル表示装置の作動について図10に照合して 次に説明する。 図10は本発明の表示装置10,30,70,80,90を内蔵するビデオ表示システム10 0を例示している。表示するビデオ信号はデジタルメモリチップにフレームごと ににデジタルに記憶する。システム100にはアナログまたはデジタルのビデオ信 号104を受信してデジタルフォーマットで信号をデジタル化信号108としてバッフ ァ106へ与えるビデオ信号処理手段102を備えている。バッファ手段106はデジタ ル化信号108の少なくとも一つのビデオフレームを記憶する一時記憶域である。 バッファ手段106は通常のランダムアクセスメモリ(RAM)チップまたはその種類 のもの(SRAM,DRAMなど)を備えている。各ビデオフレームは、元のビデオ信号 の同様の座標に相応する列と行との座標によってアドレス指定可能となる画素の デジタル化アレイに変換される。ビデオ信号処理手段102は信号104を画素のアド レス指定可能アレイに変換して強度情報を各画素のアドレスに割り当てる。バッ ファ手段106は列と行との座標によって通常のようにアドレス指定可能デジタル 化信号108を記憶する。デジタル化信号108は情況、強度および色度レベルの情報 である。 記憶装置110はバッファ手段106からデジタル化信号108の一ビデオフレームを 受信して、次のビデオフレーム108′をバッファ手 段106にロードできるようにする。記憶装置110も通常のRAMチップでよい。 グレイスケール白黒作動には、画素が「オン」であるか「オフ」であるかを示 す情報とともに画素の明るさに関する情報もあるが、これは各画素アドレスには 関連付けられていない。この情報はバッファ手段106(および記憶装置110)の1 バイト以上のデジタルメモリの形で記憶することができる。用いるメモリの各バ イトでは所定画素に対して114とは異なった明るさを記憶することができる。カ ラー操作では、この技術に精通した人が認識するように、白色画素すなわち三色 組を構成する赤、緑、青の画素の夫々が同じ明るさ情報とされる。 作動中、表示装置10、30の画素をインターフェース及びアドレす指定の回路11 2(“IAC”)によって一時に一列順次にアドレス指定され、すなわち走査される 。IAC 112は記憶手段110からデジタル化信号108、高圧電源114から高電圧を受け て、所定ビデオフレーム88108の各画素に関連した、情況及び強度の情報に従っ て交叉点18、42に高電圧信号を選択的に印加する。例えば大規模または超大規模 集積と集積の程度によるが、記憶手段110はバッファ手段106とビデオ信号処理手 段102とをともにIAC 112の内部にあっても良いことは言うまでもない。IAC 102 は毎秒90回表示装置10、30を走査して人間の目にビデオ信号84に相応する安定し たビデオ画像か見られるようにする。 記憶装置110からIAC 112によって受けた情況情報によって示されるように、あ る画素が「オフ」であるとき、高電圧114は今走査されている交叉点18、42に印 加されず、パネルのその位置から光は放射されない。同じくIAC 112から受ける 情況情報によって示されるように、画素が「オン」状態であるときは、高電圧11 4が今走査 されている交叉点に印加されて気体放電を誘起し、今の走査サイクルの間表示装 置の交叉点を照明する。 表示装置10、30でグレイスケール、すなわち明暗の強度を感知するにはIAC 11 2はなるべくメガヘルツ領域で所要の毎秒90回の倍数回、表示装置10,30を走査 する。強度情報が、同じビデオフレーム108を次に走査する際に、高圧電圧114が もはや印加されなくなったときの所定値に相応するようになるまで、表示装置が 走査される都度各画素についての記憶された強度情報が増減または変形される。 すなわち、表示装置10、30が1/16秒の間に32回走査されるとき、強度「8」の一 つの画素は1/16秒の1/4の間オンになるが、強度「16」のもう一つの画素はその 走査時間の1/2の間オンになる。目はそのような急速な閃光に敏感でないので、 明るさの範囲は記憶された明るさの程度とプロセッサの速度の範囲とによってだ け制限されるようになる。表示板10、30は比較的高い圧力で作動されるので、プ ラズマの電子はその拡散長が比較的短く、イオンと再結合して放電を急激に消す 。これで高速処理が可能になり、またグレイすなわち作動の「Z」スケールが広 くなる。 任意の白色画素すなわち三色組からの光の赤、緑、青の相対強度も同様に調整 される。 表示器10は基板14が透明の場合は、基板14を通してかまたはキャッピング層22 を通してかのいずれかで前面または後面から見ることができることを認識すべき である。さらに表示器10はデジタル化信号の列アドレスを左から右へ取り換えて 、パネルの反対側の像が元のビデオ信号と同じ空間位置に現れるようにする手段 を備えることにより、同時にではないが両側から見ることかできる。コンピュー タ援用設計、核磁気共鳴その他特殊応用で必要とされるような三次元像を表示す るために、透明な表示器10を数個積み重ねることがで きる。 導体12、16は図示のように導電物質の線形帯片でなくてもよく、交差したシニ ュソイドまたは正方形若しくは三角形の波パターンなどであってもよい。これは 、ビデオ信号を見るためにクロスポイント18のアレイを形成するという必要条件 によってのみ限定されるものであることは、本技術に精通する人には判るであろ う。 上述の説明から本発明はその主旨や本質的な特性から逸脱することなく、他の 特定の形で実施できることは明らかである。すなわち、例えば、上述の例では直 接見ることができる表示パネルについて説明したが、このパネルは同様に像を半 銀被鏡に投影して「ヘッアップ」表示装置にすることもできる。また本発明のフ ラットパネル構造は写真複写または印刷用のトランスファプレートに潜像を移す ために用いた場合は同じく利点があり役に立つ。ここに開示された実施例はそれ 故あらゆる点で例示的で制限的ではなく、発明の範囲は付属の請求項に示すが、 前述の説明に限定するものではない。 【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1995年8月9日 【補正内容】特許請求の範囲 1.平坦表面を有する基板と、 前記平坦表面上の第1組の導体と、 前記平坦表面上で、前記第1組と角度をなして所定間隔離隔して配設され、前 記第1組と交叉しており、前記所定間隔により、前記交叉点で自身と前記第1組 の導体との間の放電空間が画定される第2組の導体と、 爆縮力がそれにほとんどかからないような圧力の、前記放電空間内の気体と、 を備えることを特徴とするフラットパネルプラズマ表示構造体。 2.前記放電空間の気体が略大気圧である請求項1記載のフラットパネルプラズ マ表示構造体。 3.パッシェン最小放電電圧以上の電圧を特定交叉点の前記放電空間に印加され たときにのみ前記特定交叉点で発光放電が開始されるように前記所定間隔が選定 されている請求項1記載のフラットパネルプラズマ表示構造体。 4.前記気体が空気である請求項1記載のフラットパネルプラズマ表示構造体。 5.さらに、前記基板に蛍光体被膜を設けてある請求項1記載のフラットパネル プラズマ表示構造体。 6.さらに、夫々が前記第1及び第2組の導体の一方と接触関係にある複数の蛍 光体帯片を備える請求項1記載のフラットパネルプラ ズマ表示構造体。 7.前記第1及び第2組の導体の少なくとも一方は、前記交叉点の夫々にそこか ら発光放電を見ることができるアパーチャを備える請求項1記載のフラットパネ ルプラズマ表示構造体。 8.前記第1及び第2組の導体の一方の少なくとも一部に絶縁層を備える請求項 1記載のフラットパネルプラズマ表示構造体。 9.前記第1及び第2組の夫々の導体の少なくとも一部に絶縁層を備える請求項 1記載のフラットパネルプラズマ表示構造体。 10.前記第1及び第2組の導体夫々は表面を有し、前記第1組の導体の表面は 前記第2組の導体の表面に対向しており、前記絶縁層は少なくとも夫々の交叉点 で前記対向面に設けられてある請求項9記載のフラットパネルプラズマ表示構造 体。 11.さらに、前記第1及び第2組の導体を気密封止するキャッピング手段を備 える請求項1記載のフラットパネルプラズマ表示構造体。 12.前記キャッピング手段は前記第2組の導体に接着されてある請求項11記載 のフラットパネルプラズマ表示構造体。 13.さらに、赤、緑及び青フィルタを、前記第1及び第2組の導体の一方に接 触して設けてある請求項11記載のフラットパネルプラズマ表示構造体。 14.さらに赤、緑及び青蛍光体を、前記第1及び第2組の導体の一方に接触し て設けてある請求項11記載のフラットパネルプラズマ表示構造体。 15.背面に、夫々が同形で所定深さdを有して互いに略平行に設けられた複数 のスロットを備える透明パネルと、 厚さtを有し、前記スロット内に設けられた第1組の導体と、 前記背面に前記第1組の導体に関して角度をなして設けられ、間隔d−t差で 前記第1組に交叉して、前記間隔により、前記交叉点で自身と前記第1組の導体 との間の放電空間が画定される第2組の導体と、 前記放電空間内の気体と、 を備えることを特徴とするフラットパネルプラズマ表示構造体。 16.前記放電空間の気体が略大気圧である請求項15記載のフラットパネルプ ラズマ表示構造体。 17.パッシェン最小放電電圧以上の電圧を特定交叉点の前記放電空間に印加さ れたときにのみ前記特定交叉点で発光放電が開始されるように前記間隔が選定さ れている請求項15記載のフラットパネルプラズマ表示構造体。 18.前記気体が空気である請求項15記載のフラットパネルプラズマ表示構造 体。 19.さらに、前記第1及び第2組の導体を気密封止するキャッピ ング手段を備える請求項15記載のフラットパネルプラズマ表示構造体。 20.さらに、前記背面に蛍光体被膜を設けてある請求項15記載のフラットパ ネルプラズマ表示構造体。 21.さらに、前記第1及び第2組の導体の少なくとも一方と接触関係にあり、 前記第1及び第2組の導体の間に設けた蛍光層を備える請求項15記載のフラッ トパネルプラズマ表示構造体。 22.平坦表面を有する基板と、 前記平坦表面上の第1組の導体と、 前記平坦表面上で、前記第1組と角度をなして所定間隔離隔して配設され、前 記第1組と交叉しており、前記所定間隔により、前記交叉点で自身と前記第1組 の導体との間の放電空間が画定される第2組の導体と、 爆縮力がそれにほとんどかからないような圧力の、前記放電空間内の気体と、 を備えることを特徴とするフラットパネルプラズマ放電灯。 23.背面に、夫々が同形で所定深さdを有して互いに略平行に設けられた複数 のスロットを備える透明パネルと、 厚さtを有し、前記スロット内に設けられた第1組の導体と、 前記背面に前記第1組の導体に関して角度をなして設けられ、間隔d−t差で 前記第1組に交叉して、前記間隔により、前記交叉点で自身と前記第1組の導体 との間の放電空間が画定される第2組の導体と、 前記放電空間内の気体と、 を備えることを特徴とするフラットパネルプラズマ放電灯。 24.基板の平坦表面上に形成されるフラットパネルプラズマ表示装置の製造方 法であって、 前記基板上に第1組の導体を形成する過程と、 該第1組の導体上にスペーサ手段を蒸着する過程と、 前記基板及びスペーサ手段上に、前記第1組の導体に関してある角度をなし、 前記スペーサ手段によって分離された交叉点のアレイを画定するように前記第1 組の導体と交叉する第2組の導体を形成する過程と、 少なくとも交叉点のアレイから前記スペーサ手段を選択的に除去し、プラズマ 放電セルのアレイを画定する過程と、 を有することを特徴とするフラットパネルブラズマ表示装置の製造方法。 25.前記第1及び第2組の導体の一部を酸化して、絶縁エアブリッジ構造体を 形成する過程をさらに有する請求項24記載の方法。 26.交叉点で第1及び第2組の導体の一方に穴を形成する過程をさらに有する 請求項24記載の方法。 27.前記第1及び第2組の夫々を形成する過程であって、 導電物質を蒸着する過程と、 該導電物質の選定部分をマスクする過程と、 前記マスクされた部分をエッチングして、これにより一組の導体を形成する過 程と、 を有する請求項24記載の方法。 28.前記蒸着導電物質は、ジルコニウム及びニッケルの薄膜を含む複合層を備 えることを特徴とする請求項27記載の方法。 29.前記第1及び第2組の導体のうち少なくとも一方のための前記蒸着導電物 質は、本質的に酸化スズ及びその誘導体から成る群から選ばれたものである請求 項27記載の方法。 30.前記選ばれた導電物質は透明である請求項29記載の方法。 31.前記エッチング過程は、前記第1及び第2組の導体の一方にエッチング穿 設することにより、穴を有する一組の導体を形成する過程を有する請求項27記 載の方法。 32.前記第1組を形成した後及び前記スペーサ手段を蒸着した後ともに、絶縁 層を堆積する過程をさらに有する請求項24記載の方法。 33.前記絶縁層は酸化マグネシウムである請求項32記載の方法。 34.前記スペーサ手段を蒸着する過程は、前記第1及び第2組の導体に及ぼす 影響が少ない手段を用いてエッチング可能な物質を蒸着する過程を有する請求項 25記載の方法。 35.ピンホール短絡を排除する過程をさらに有する請求項25記載の方法。 36.前記第1組の導体を形成する以前に、1層の発光物質を前記基板上に蒸着 する過程をさらに有する請求項25記載の方法。 37.前記第2組の導体を形成する過程の以前に1層の発光物質を前記スペーサ 手段上に蒸着する過程をさらに有する請求項25記載の方法。 38.前記スペーサ手段を蒸着した後、及び前記1層の発光物質を蒸着する以前 に、絶縁層を蒸着する過程をさらに有する請求項37記載の方法。 39.夫々が底部及び対向する側壁を有する複数のスロットを前記基板に形成す る過程をさらに有し、前記第1の導体が前記基板の前記スロット夫々の内に形成 されている請求項25記載の方法。 40.原色の群から選ばれるカラーフィルタを前記スロット夫々の内に蒸着する 過程をさらに有する請求項39記載の方法。 41.隣接スロットには前記原色の群から選ばれた異なるカラーフィルタを蒸着 させている請求項40記載の方法。 42.前記対向側壁を金属化する過程をさらに有する請求項39記載の方法。 43.前記金属化側壁はニッケルで金属化されている請求項42記載の方法。 44.(1)基板の平坦表面上の第1組の導体と、 (2)前記第1組と角度をなして所定間隔離隔して配設され、前記第1組と 交叉しており、交叉点を画定する特定の導体によってその夫々がアドレス指定可 能であるような該交叉点で、自身と前記第1組の導体との間の放電空間が前記所 定間隔により画定される第2組の導体と、 (3)爆縮力がそれにほとんどかからないような圧力の前記放電空間の気体 と、 を備える、 (a)平面状基板上に形成されるフラットパネルプラズマ表示装置と、 (b)ビデオ信号をデジタル化画素のアレイに変換し、前記デジタル化画素の アレイに少なくともアドレス及び強度の情報を伝えるビデオ信号処理手段と、 (c)前記デジタル化画素のアレイを記憶する記憶手段と、 (d)該記憶手段にアクセスするアドレス指定手段と、 (e)前記アクセスされた記憶手段からの前記アドレス及び強度の情報に基づ いて、前記アドレス指定可能な交叉点に第1電圧を選択的に印加するインターフ ェース手段と、 を備えることを特徴とする前記ビデオ信号を表示するビデオ表示システム。 45.前記記憶手段がデジタル化画素の、以前のアレイを記憶している間に、デ ジタル化画素の一アレイを記憶するために、前記ビデオ信号処理手段及び前記記 憶手段に接続されるバッファ手段をさらに備える請求項44記載のビデオ表示シ ステム。 46.前記ビデオ信号処理手段は、前記ビデオ信号をデジタル化画素のアレイに 変換する以前に、前記ビデオ信号をデジタル信号に変換するコンバータを備える 請求項44記載のビデオ表示システム。 47.前記インターフェース手段は、特定の交叉点の発光放電を維持するための 、前記第1電圧よりも低い第2電圧を選択的に印加する請求項44記載のビデオ 表示システム。 【手続補正書】 【提出日】1995年12月28日 【補正内容】 補正後の特許請求の範囲の全文を記載した書面特許請求の範囲 1.平坦表面を有する基板と、 前記平坦表面上の第1組の導体と、 前記平坦表面上で、前記第1組と角度をなして所定間隔離隔して配設され、前 記第1組と交叉しており、前記所定間隔により、前記交叉点で自身と前記第1組 の導体との間の放電空間が画定される第2組の導体と、 爆縮力がそれにほとんどかからないような圧力の、前記放電空間内の気体と、 を備えることを特徴とするフラットパネルプラズマ表示構造体。 2.前記放電空間の気体が略大気圧である請求項1記載のフラットパネルプラズ マ表示構造体。 3.パッシェン最小放電電圧以上の電圧を特定交叉点の前記放電空間に印加され たときにのみ前記特定交叉点で発光放電が開始されるように前記所定間隔が選定 されている請求項1または2記載のフラットパネルプラズマ表示構造体。 4.前記気体が空気である請求項1乃至3記載のフラットパネルプラズマ表示構 造体。 .さらに、夫々が前記第1及び第2組の導体の一方と接触関係にある複数の蛍 光体帯片を備える請求項1乃至4記載のフラットパネルプラズマ表示構造体。 .前記第1及び第2組の導体の一方の少なくとも一部に絶縁層を備える請求項 1乃至5記載のフラットパネルプラズマ表示構造体。 .基板の平坦表面上に形成されるフラットパネルプラズマ表示装置の製造方法 であって、 前記基板上に第1組の導体を形成する過程と、 該第1組の導体上にスペーサ手段を蒸着する過程と、 前記基板及びスペーサ手段上に、前記第1組の導体に関してある角度をなし、 前記スペーサ手段によって分離された交叉点のアレイを画定するように前記第1 組の導体と交叉する第2組の導体を形成する過程と、 少なくとも交叉点のアレイから前記スペーサ手段を選択的に除去し、プラズマ 放電セルのアレイを画定する過程と、 を有することを特徴とするフラットパネルプラズマ表示装置の製造方法。 .前記第1及び第2組の導体の一部を酸化して、絶縁エアブリッジ構造体を形 成する過程をさらに有する請求項記載の方法。 .交叉点で第1及び第2組の導体の一方に穴を形成する過程をさらに有する請 求項記載の方法。10 .前記第1及び第2組の夫々を形成する過程であって、 導電物質を蒸着する過程と、 該導電物質の選定部分をマスクする過程と、 前記マスクされた部分をエッチングして、これにより一組の導体を形成する過 程と、 を有する請求項記載の方法。11 .前記蒸着導電物質は、ジルコニウム及びニッケルの薄膜を含む複合層を備 えることを特徴とする請求項10記載の方法。12 .前記スペーサ手段を蒸着する過程は、前記第1及び第2組の導体に及ぼす 影響が少ない手段を用いてエッチング可能な物質を蒸着する過程を有する請求項 記載の方法。13 .夫々が底部及び対向する側壁を有する複数のスロットを前記基板に形成す る過程をさらに有し、前記第1の導体が前記基板の前記スロット夫々の内に形成 されている請求項7乃至12記載の方法。14 .原色の群から選ばれるカラーフィルタを前記スロット夫々の内に蒸着する 過程をさらに有する請求項13記載の方法。15 .隣接スロットには前記原色の群から選ばれた異なるカラーフィルタを蒸着 させている請求項13または14記載の方法。16 .前記対向側壁を金属化する過程をさらに有する請求項13、14または1 記載の方法。17 .(1)基板の平坦表面上の第1組の導体と、 (2)前記第1組と角度をなして所定間隔離隔して配設され、前記第1組と 交叉しており、交叉点を画定する特定の導体によってその夫々がアドレス指定可 能であるような該交叉点で、自身と前記第1組の導体との間の放電空間が前記所 定間隔により画定される第2 組の導体と、 (3)爆縮力がそれにほとんどかからないような圧力の前記放電空間の気体 と、 を備える、 (a)平面状基板上に形成されるフラットパネルプラズマ表示装置と、 (b)ビデオ信号をデジタル化画素のアレイに変換し、前記デジタル化画素の アレイに少なくともアドレス及び強度の情報を伝えるビデオ信号処理手段と、 (c)前記デジタル化画素のアレイを記憶する記憶手段と、 (d)該記憶手段にアクセスするアドレス指定手段と、 (e)前記アクセスされた記憶手段からの前記アドレス及び強度の情報に基づ いて、前記アドレス指定可能な交叉点に第1電圧を選択的に印加するインターフ ェース手段と、 を備えることを特徴とする前記ビデオ信号を表示するビデオ表示システム。18 .前記記憶手段がデジタル化画素の、以前のアレイを記憶している間に、デ ジタル化画素の一アレイを記憶するために、前記ビデオ信号処理手段及び前記記 憶手段に接続されるバッファ手段をさらに備える請求項17記載のビデオ表示シ ステム。19 .前記ビデオ信号処理手段は、前記ビデオ信号をデジタル化画素のアレイに 変換する以前に、前記ビデオ信号をデジタル信号に変換するコンバータを備える 請求項17または18記載のビデオ表示システム。20 .前記インターフェース手段は、特定の交叉点の発光放電を維持するための 、前記第1電圧よりも低い第2電圧を選択的に印加する請求項17、18または 19 記載のビデオ表示システム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AT,AU,BB,BG,BR,BY, CA,CH,CN,CZ,DE,DK,ES,FI,G B,GE,HU,JP,KG,KP,KR,KZ,LK ,LU,LV,MD,MG,MN,MW,NL,NO, NZ,PL,PT,RO,RU,SD,SE,SI,S K,TJ,UA,US,UZ,VN

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.基板と、 前記基板上に形成された第1組の導体と、 前記基板上に形成され、前記第1組と角度をなして所定間隔離隔して配設され 、前記第1組と交叉しており、前記所定間隔により、前記交叉点で自身と前記第 1組の導体との間の空間が画定される第2組の導体と、 前記空間内の気体と、 を備えることを特徴とするフラットパネル表示構造体。 2.前記空間の気体が略大気圧である請求項1記載のフラットパネル表示構造体 。 3.パッシェン最小放電電圧以上の電圧を特定交叉点の前記空間に印加されたと きにのみ前記特定交叉点で発光放電が開始されるように前記所定間隔が選定され ている請求項1記載のフラットパネル表示構造体。 4.前記気体が空気である請求項1記載のフラットパネル表示構造体。 5.さらに、前記基板に蛍光体被膜を設けてある請求項1記載のフラットパネル 表示構造体。 6.さらに、夫々が前記第1及び第2組の導体の一方と接触関係にある複数の蛍 光体帯片を備える請求項1記載のフラットパネル表示構造体。 7.前記第1及び第2組の導体の少なくとも一方は、前記交叉点の夫々にそこか ら発光放電を見ることができるアパーチャを備える請求項1記載のフラットパネ ル表示構造体。 8.前記第1及び第2組の導体の一方の少なくとも一部に絶縁層を備える請求項 1記載のフラットパネル表示構造体。 9.前記第1及び第2組の夫々の導体の少なくとも一部に絶縁層を備える請求項 1記載のフラットパネル表示構造体。 10.前記第1及び第2組の導体夫々は表面を有し、前記第1組の導体の表面は 前記第2組の導体の表面に対向しており、前記絶縁層は少なくとも夫々の交叉点 で前記対向面に設けられてある請求項9記載のフラットパネル表示構造体。 11.さらに、前記第1及び第2組の導体を気密封止するキャッピング手段を備 える請求項1記載のフラットパネル表示構造体。 12.前記キャッピング手段は前記第2組の導体に接着されてある請求項11記載 のフラットパネル表示構造体。 13.さらに、赤、緑及び青フィルタを、前記第1及び第2組の導体の一方に接 触して設けてある請求項11記載のフラットパネル表示構造体。 14.さらに赤、緑及び青蛍光体を、前記第1及び第2組の導体の 一方に接触して設けてある請求項11記載のフラットパネル表示構造体。 15.背面に、夫々が同形で所定深さdを有して互いに略平行に設けられた複数 のスロットを備える透明パネルと、 厚さtを有し、前記スロット内に設けられた第1組の導体と、 前記背面に前記第1組の導体に関して角度をなして設けられ、間隔d−t差で 前記第1組に交叉して、前記間隔により、前記交叉点で自身と前記第1組の導体 との間の空間が画定される第2組の導体と、 前記空間内の気体と、 を備えることを特徴とするフラットパネル表示構造体。 16.前記空間の気体が略大気圧である請求項15記載のフラットパネル表示構 造体。 17.パッシェン最小放電電圧以上の電圧を特定交叉点の前記空間に印加された ときにのみ前記特定交叉点で発光放電が開始されるように前記間隔が選定されて いる請求項15記載のフラットパネル表示構造体。 18.前記気体が空気である請求項15記載のフラットパネル表示構造体。 19.さらに、前記第1及び第2組の導体を気密封止するキャッピング手段を備 える請求項15記載のフラットパネル表示構造体。 20.さらに、前記背面に蛍光体被膜を設けてある請求項15記載のフラットパ ネル表示構造体。 21.さらに、前記第1及び第2組の導体の少なくとも一方と接触関係にあり、 前記第1及び第2組の導体の間に設けられた蛍光層を備える請求項15記載のフ ラットパネル表示構造体。 22.基板と、 前記基板上に形成された第1組の導体と、 前記基板上に形成され、前記第1組と角度をなして所定間隔離隔して配設され 、前記第1組と交叉しており、前記所定間隔により、前記交叉点で自身と前記第 1組の導体との間の空間が画定される第2組の導体と、 前記空間内の気体と、 を備えることを特徴とするフラットパネルプラズマ放電灯。 23.背面に、夫々が同形で所定深さdを有して互いに略平行に設けられた複数 のスロットを備える透明パネルと、 厚さtを有し、前記スロット内に設けられた第1組の導体と、 前記背面に前記第1組の導体に関して角度をなして設けられ、間隔d−t差で 前記第1組に交叉して、前記間隔により、前記交叉点で自身と前記第1組の導体 との間の空間が画定される第2組の導体と、 前記空間内の気体と、 を備えることを特徴とするフラットパネルプラズマ放電灯。 24.基板の一側に形成されるフラットパネル表示装置の製造方法 であって、 前記基板上に第1組の導体を形成する過程と、 該第1組の導体上にスペーサ手段を蒸着する過程と、 前記スペーサ手段上に、前記第1組の導体に関してある角度をなし、前記スペ ーサ手段によって分離された交叉点のアレイを画定するように前記第1組の導体 と交叉する第2組の導体を形成する過程と、 前記スペーサ手段を選択的に除去し、エアブリッジ構造を形成する過程と、 を有することを特徴とするフラットパネル表示装置の製造方法。 25.前記第1及び第2組の導体の一部を酸化して、絶縁エアブリッジ構造体を 形成する過程をさらに有する請求項24記載の方法。 26.交叉点で第1及び第2組の導体の一方に穴を形成する過程をさらに有する 請求項24記載の方法。 27.前記第1及び第2組の夫々を形成する過程であって、 導電物質を蒸着する過程と、 該導電物質の選定部分をマスクする過程と、 前記マスクされた部分をエッチングして、これにより一組の導体を形成する過 程と、 を有する請求項24記載の方法。 28.前記蒸着導電物質は、ジルコニウム及びニッケルの薄膜を含む複合層を備 えることを特徴とする請求項27記載の方法。 29.前記第1及び第2組の導体のうち少なくとも一方のための前記蒸着導電物 質は、本質的に酸化スズ及びその誘導体から成る群から選ばれたものである請求 項27記載の方法。 30.前記選ばれた導電物質は透明である請求項29記載の方法。 31.前記エッチング過程は、前記第1及び第2組の導体の一方にエッチング穿 設することにより、穴を有する一組の導体を形成する過程を有する請求項27記 載の方法。 32.前記第1組を形成した後及び前記スペーサ手段を蒸着した後ともに、絶縁 層を堆積する過程をさらに有する請求項24記載の方法。 33.前記絶縁層は酸化マグネシウムである請求項32記載の方法。 34.前記スペーサ手段を蒸着する過程は、前記第1及び第2組の導体に及ぼす 影響が少ない手段を用いてエッチング可能な物質を蒸着する過程を有する請求項 25記載の方法。 35.ピンホール短絡を排除する過程をさらに有する請求項25記載の方法。 36.前記第1組の導体を形成する以前に、1層の発光物質を前記基板上に蒸着 する過程をさらに有する請求項25記載の方法。 37.前記第2組の導体を形成する過程の以前に1層の発光物質を 前記スペーサ手段上に蒸着する過程をさらに有する請求項25記載の方法。 38.前記スペーサ手段を蒸着した後、及び前記1層の発光物質を蒸着する以前 に、絶縁層を蒸着する過程をさらに有する請求項37記載の方法。 39.夫々が底部及び対向する側壁を有する複数のスロットを前記基板に形成す る過程をさらに有し、前記第1の導体が前記基板の前記スロット夫々の内に形成 されている請求項25記載の方法。 40.原色の群から選ばれるカラーフィルタを前記スロット夫々の内に蒸着する 過程をさらに有する請求項39記載の方法。 41.隣接スロットには前記原色の群から選ばれた異なるカラーフィルタを蒸着 させている請求項40記載の方法。 42.前記対向側壁を金属化する過程をさらに有する請求項39記載の方法。 43.前記金属化側壁はニッケルで金属化されている請求項42記載の方法。 44.(1)基板上に形成された第1組の導体と、 (2)前記第1組と角度をなして所定間隔離隔して配設され、前記第1組と 交叉しており、交叉点を画定する特定の導体によってその夫々がアドレス指定可 能であるような該交叉点で、自身と前記第 1組の導体との間の空間が前記所定間隔により画定される第2組の導体と、 (3)前記空間の気体と、を備える、 (a)少なくとも一つの基板上に形成されるフラットパネル表示装置と、 (b)ビデオ信号をデジタル化画素のアレイに変換し、前記デジタル化画素の アレイに少なくともアドレス及び強度の情報を伝えるビデオ信号処理手段と、 (c)前記デジタル化画素のアレイを記憶する記憶手段と、 (d)該記憶手段にアクセスするアドレス指定手段と、 (e)前記アクセスされた記憶手段からの前記アドレス及び強度の情報に基づ いて、前記アドレス指定可能な交叉点に第1電圧を選択的に印加するインターフ ェース手段と、 を備えることを特徴とする前記ビデオ信号を表示するビデオ表示システム。 45.前記記憶手段がデジタル化画素の、以前のアレイを記憶している間に、デ ジタル化画素の一方のアレイを記憶するために、前記ビデオ信号処理手段及び前 記記憶手段に接続されるバッファ手段をさらに備える請求項44記載のビデオ表 示システム。 46.前記ビデオ信号処理手段は、前記ビデオ信号をデジタル化画素のアレイに 変換する以前に、前記ビデオ信号をデジタル信号に変換するコンバータを備える 請求項44記載のビデオ表示システム。 47.前記インターフェース手段は、特定の交叉点の発光放電を維持するための 、前記第1電圧よりも低い第2電圧を選択的に印加す る請求項44記載のビデオ表示システム。
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