JPH08510072A - フラッシュファイルシステム - Google Patents

フラッシュファイルシステム

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JPH08510072A
JPH08510072A JP6520018A JP52001894A JPH08510072A JP H08510072 A JPH08510072 A JP H08510072A JP 6520018 A JP6520018 A JP 6520018A JP 52001894 A JP52001894 A JP 52001894A JP H08510072 A JPH08510072 A JP H08510072A
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Abstract

(57)【要約】 フラッシュメモリ(12)、フラッシュコントローラ(14)とランダムアクセスメモリ(16)とを含む仮想マッピングシステムを設けることにより、データを書込まれていない物理アドレス場所に連続して書込むことが可能になる。仮想メモリマップ(14、16)はメモリ内のデータの場所を追跡するためにフラッシュメモリ物理場所アドレスを関連づける。

Description

【発明の詳細な説明】 フラッシュファイルシステム発明の背景 発明の分野 本発明は、フラッシュメモリに情報をストアし、これを取出すための改良され たシステムに関し、より特定的にはフラッシュメモリに書込まれるデータを編成 し、管理するシステムに関する。 先行技術の説明 当業者には認められるように、フラッシュタイプのフローティングゲートトラ ンジスタを含む電気的消去可能なプログラマブル読出専用メモリ(EEPROM )が当該分野で説明されており、現在市場で入手可能である。これらのいわゆる フラッシュメモリは、その機能および性能の点でEPROMメモリと類似した不 揮発性メモリであり、メモリのブロックを消去する回路内プログラマブル動作を 可能にするというさらなる機能を有する。フラッシュメモリでは、以前に書込ま れているメモリの領域を、その領域を前もってブロック消去することなく書替え ることは慣用ではない。本発明はフラッシュメモリに関して説明されるが、当業 者には、その教示がフラッシュメモリと同じ書込、読出および書込前ブロック消 去特性を有するデータ記憶装置にも適用できることが理解されるであろう。 典型的なコンピュータシステムでは、オペレーティングシステムプログラムが 、そのシステムの一部であるデータ 記憶装置のデータ管理を担っている。オペレーティングシステムプログラムとの 互換性を達成するために必要かつ通常は十分であるデータ記憶装置の属性は、こ れがデータ記憶媒体の如何なる位置からもデータを読出すことができ、これにデ ータを書込むことができることである。したがって、データが以前に書込まれて いるフラッシュメモリの領域には、この領域をまず消去するまではデータが書込 まれ得ないため、フラッシュメモリは典型的な既存のオペレーティングシステム プログラムと互換性がない。 オペレーティングシステムプログラムを変形することなく既存のコンピュータ オペレーティングプログラムによってフラッシュメモリを管理することを可能に するソフトウェア製品が先行技術において提案されている。しかしながら、これ らの先行技術のプログラムは、フラッシュメモリを「書込1回読出数回」の装置 として動作させる。この先行技術のソフトウェア製品は、以前に書込まれている メモリ場所を再利用できない。最終的にすべての場所が書込まれれば、特定のユ ーザの介入なくさらにメモリを用いることができない。発明の概要 本発明のある目的は、コンピュータオペレーティングシステムにとってフラッ シュメモリが如何なるフラッシュメモリ場所からもデータを読出すことができ、 これにデータを書込むことができるデータ記憶装置に見えるようにフラ ッシュメモリへのアクセスを制御し、管理するための方法(すなわちソフトウェ ア、ハードウェアのファームウェア)の提供である。フラッシュメモリがランダ ムアクセスメモリをエミュレートすることを可能にし、既存のコンピュータオペ レーティングシステムが、エミュレーション方法に依存することなく、標準的な ランダムアクセスメモリによって与えられるのと同じ態様で他のすべての必要な サポートを与えることを可能にする方法を提供する。 簡単に言えば、本発明は、書込まれていない物理アドレス場所にデータが連続 的に書込まれることを可能にするフラッシュメモリ、仮想マッピングシステムの 提供を企図するものである。仮想メモリマップは、メモリ内のデータの場所を追 跡するためにフラッシュメモリ物理場所アドレスを関連づける。 フラッシュメモリの物理場所は、バイトのアレイとして編成される。アレイ内 の各バイトには、それによってバイトが物理的にアクセス可能となるアドレス番 号が割当てられ、これを以下、物理アドレス空間と称する。アレイ内の各バイト は、仮想アドレス空間と称する第2のアドレスを有する。仮想マップと称する表 が仮想アドレスを物理アドレスに変換する。ここで、仮想アドレス空間は必ずし も物理アドレス空間と同じサイズではないことに注目されたい。 連続した固定長の物理バイト群は、ブロックからアドレスする。たとえば、ブ ロックサイズが512バイトとする と、物理アドレスが256211であるバイトは、ブロック500内のバイト番 号211である(256211:512=500+211)。適切な先行技術の フラッシュメモリ技術を用いて物理的に消去され得る1つ以上の物理的に連続し たフラッシュメモリの領域(ゾーンと称する)はユニットを含み、各ユニットは 整数個のブロックを含む。 仮想メモリマップとは、第1のエントリが仮想ブロック0に属し、第2のエン トリが仮想ブロック1に属するといった具合の表である。表において各仮想ブロ ックアドレスと関連して、対応する物理アドレスが存在する。フラッシュメモリ からの読出動作の際に、コンピュータ生成アドレスが、仮想ブロックアドレスお よびブロック内のバイト場所としてデコードされる。仮想メモリマップは、仮想 ブロックアドレスを物理ブロックアドレスに変換するのに用いられる。バイト位 置は仮想アドレス空間および物理アドレス空間において同じである。 書込動作の際に、コンピュータ生成アドレスが、やはり仮想ブロックアドレス およびブロック内のバイト場所として解釈される。仮想メモリマップはこれを物 理メモリブロックアドレスに変換する。物理アドレスに対応するフラッシュメモ リブロックが現在書込まれていれば、一般にはこの物理アドレスに書込むのは不 可能である。したがって、書込まれていないブロックの場所が突き止められ、こ れに書込まれる。仮想メモリマップは、書込まれていない物理 ブロックアドレスが元の仮想アドレスにマッピングされるように変えられ、その ブロックを含むユニットを消去するゾーン消去動作が行なわれるまでは元の物理 アドレスは利用不可能なものとして示され、利用不可能なままである。書込動作 はブロック全体が書替られることを仮定していることが認められるであろう。こ れが、コンピュータシステムが通常記憶媒体内のデータにアクセスする態様であ る。 しかしながら、一般には如何なる所望の数のバイトも新しい記憶場所に書込まれ 得ることが認められるであろう。 本発明の好ましい実施例では、各ユニットに、そのユニットがフラッシュメモ リ内の新しい物理アドレス場所に書替えられる際にも変わらないで維持される論 理ユニットアドレスが割当てられる。仮想マップは、物理ユニットアドレスでは なく論理ユニットアドレスへの参照を含み、そのためユニット転送中のデータの 動きが仮想マップに影響を及ぼさない。 各ユニットは、ユニット内のすべてのブロックの利用マップ、すなわち、もし マッピングされるのであればブロックの仮想アドレス、および空いているブロッ クを示し、かつ利用不可能なブロックを示す特殊文字を含む。 以前に書込まれているフラッシュメモリの利用不可能なブロックは、利用不可 能なブロックを含むメモリユニットをフラッシュメモリ内の確保されている書込 まれていない空間に転送することによって再利用される。利用可能なブ ロックのみが転送動作において書込まれ、そのため書替えられる際に、利用不可 能なブロックがあった場所は確保された空間には書替えられず、したがって利用 可能である。書替えられた後、元のメモリユニット空間はユニットとしてフラッ シュ消去され、したがってそこに後続の転送を行なうことができる書込まれてい ない確保された空間となる。 さらに、本発明の好ましい実施例では、フラッシュメモリに仮想マップがまず ストアされ、ランダムアクセスメモリには小さな二次的な仮想マップしかない。 フラッシュメモリ内の仮想マップはブロック単位でストアされ、ページに編成さ れ、そのサイズはブロック内のバイト数とそのバイト数が表わす物理ブロックア ドレスの数との積に等しい。二次的ランダムアクセスメモリはページアドレスを 含む。所与の仮想アドレスについてデータを読出す際に、アドレスをページサイ ズで割ることによってページ番号が決定される。その結果は、正しい一次仮想マ ップブロックを見い出すために二次仮想マップに示される。その余りは、フラッ シュメモリ内にストアされた仮想マップに関する必要な物理アドレスを計算する のに用いられる。フラッシュメモリ内の仮想マップを変更するために、変更され たマップが空いたブロックに書込まれ、一次マップ場所の変更を反映するように ランダムアクセスメモリ内の二次マップが変更される。とって代わられたブロッ クは削除と示される。図面の簡単な説明 上述のおよび他の目的、局面および利点は、図面を参照して、以下の本発明の 好ましい実施例の詳細な説明よりさらに理解されるであろう。 図1は、本発明の教示に従うシステムの一実施例のシステムの機能的構成要素 を示すブロック図である。 図2は、本発明の教示に従うフラッシュメモリ編成の1レベルの図的表現であ る。 図3は、ユニットが如何にフォーマット化されるかを示す図的表現である。 図4は、コンピュータ生成アドレスが物理アドレスに如何にマッピングされる かを示す図的表現である。 図5は、読出動作を示すフロー図である。 図6は、書込動作を示すフロー図である。 図7は、転送動作の前および後のユニットの状態を示す図的表現である。 図8は、転送動作のフロー図である。 図9は、仮想−物理マップの大部分がフラッシュメモリ内にストアされる動作 を示すフロー図である。好ましい実施例の詳細な説明 ここで図面の図1を参照して、典型的なシステムでは、プロセッサ10がその オペレーティングシステムソフトウェアとともに、ランダムアクセスメモリ内の 特定のアドレス場所からデータを読出し、これにデータを書込む一連の読出およ び書込コマンドを発行する。当業者には認められ るように、ディスクメモリ等のランダムアクセス記憶装置では、データは如何な るアドレス場所にも書込まれ、またはこれから読出すことが可能である。図1の システムでは、プロセッサ10は特定のアドレス場所においてブロック単位でフ ラッシュメモリ12にデータを書込み、かつこれからデータを読出す。フラッシ ュメモリ12のゾーンは消去され得るが、現在書込まれているアドレス場所はゾ ーン全体が消去されるまで書替えられない。本発明の教示に従えば、フラッシュ メモリコントローラ14は完全に書替可能な仮想アドレス空間を与え、そのため フラッシュメモリ12はディスクメモリ等のランダムアクセスメモリをエミュレ ートし、プロセッサオペレーティングシステムソフトウェアは標準的なランダム アクセスメモリに提供するのと同じ態様で、かつフラッシュメモリ12およびそ のコントローラ14に依存しない態様で、他のすべての必要な動作サポート(た とえばファイスシステム)を与える。典型的なシステムはまた、従来のランダム アクセスメモリ16を含む。コントローラ14の機能はソフトウェア、ハードウ ェアのファームウェアで行なわれてもよく、図面に示されるように物理的に別個 のユニットとしては必ずしも存在しないことが理解されるであろう。 ここで図2を参照して、フラッシュメモリの編成の一部が示される。フラッシ ュメモリは、ここではゾーンA、ゾーンB等で示されるいくつかのゾーンを有す る。各ゾーン は、従来の周知のフラッシュメモリ技術を用いてブロック消去され得るいくつか の連続した物理メモリ場所を含む。ゾーンはユニットとして編成され、ここでは そのうちの4つだけが図示されており、図面でユニット♯1、ユニット♯6、ユ ニットN−1、および転送ユニットとして示される。各ユニットは少なくとも1 つのゾーンを含み、複数の連続したゾーンを含む。ここでは、各ユニットが2つ のゾーン(すなわち、ユニット♯1−ゾーンAおよびゾーンB、ユニット♯2− ゾーンCおよびゾーンD、転送ユニット−ゾーンx2および2x)を含むものと して示される。 各ユニットは整数個のアドレス可能なブロックを含み、各ブロックは連続した 固定長のバイト群を含む。常に、メモリ12には書込まれていないユニット(す なわち転送ユニット)が存在し、そのため消去されるべきユニット内の活性ブロ ックは、そのユニットを消去する前にこの書込まれていないユニットに書込むこ とができる。 次に図3を参照して、各ユニットは、ブロック番号およびブロック内のオフセ ットとしてアドレス指定することができる連続するバイトアドレスを含む、整数 の数の連続するデータブロック21を含む。ユニットの各ブロックは、ブロック 番号およびブロックでのオフセットによってアドレス指定することができるユニ ットを有する。各ユニットは、ユニットヘッダ23と、ユニットの各ブロックの 割当状態のマップ25とを有する。ユニットヘッダ23は、フ ォーマット識別子と、ユニットの論理ユニット番号とを含む。ユニット転送の間 データが物理的に移動しなければならないため、好ましくは、フラッシュメモリ 12のユニットの物理場所が変わってもユニット番号は変化しないままである。 さらに、ヘッダは、システム全体の情報も含み得る。ブロック割当マップ25は 、各ブロックのために、ユニットにおけるそのブロックの状態およびオフセット を示すワードを有する。状態の表示は、「ブロックは空いており書込可能である 」、「ブロックは削除され書込不可能である」、「ブロックが割当てられユーザ データを含む」、およびブロックの仮想アドレス(バックポインタ)である。 上述のように、好ましくは、各ユニットには、メモリにおけるユニットの物理 位置が変わっても変わらない論理ユニット番号が割当られる。図4に示されるよ うに、コンピュータ10によって発生されたアドレス29は、ブロック番号およ びブロックオフセットを含む。これらのアドレスはフラッシュコントローラ14 によって仮想アドレスとして解釈され、仮想マップを用いて仮想アドレス空間と 物理アドレス空間とを一致させるようにされる。仮想マップはブロックが書替ら れると変化し、したがって、仮想アドレス空間は動的なものである。なお、いか なる所与の時間にも、仮想アドレス空間における1つまたは複数のブロックが物 理アドレス空間にマッピングされていなくてもよく、さらに、物理アドレス空間 におけるブロックが書込まてい なくてもよくしたがって自由に書込まれ得ることにも注目されたい。 書込まれていないユニット空間へのユニット転送の間データが物理的に動くた め、ユニットには、メモリにおけるユニットの物理場所が変わっても変わらない 論理ユニット番号が割当られる。2レベルのアドレス変換の第1の段階において 、仮想マップ31はブロック番号を論理ユニットアドレスにマッピングする。物 理アドレスが物理ユニット番号に関するアドレスであるのと同様に、論理ユニッ トアドレスは論理ユニット番号に関するアドレスである。論理ユニット番号は、 論理アドレスの高次2進数字であり、ビットシフト動作によって論理アドレスか ら引出され得る。マップ31から得られた論理アドレス33は、ユニット内のブ ロックのオフセットとともに論理ユニット番号を含む。 論理ユニット表35は、論理ユニット番号を論理ユニットに関する物理ユニッ ト番号に変換する。この2段階のアドレス変換手順により、ユニットが新しい物 理位置に移動したときにマップのブロックアドレスを変える必要がなくなる。 読出動作において、仮想アドレス29は、たとえば、最初にアドレスブロック において論理ユニット番号およびユニット内のブロックオフセットにマッピング されるブロックアドレスを含む。マップ35は、ユニット番号33を、ユニット に関する物理アドレス37、およびユニット内の ブロックのアドレス37のオフセットにマッピングし、アドレス指定されたデー タブロックがこの物理的な場所から読出される。ここで、データは、典型的に行 なわれるように、ブロックごとに読取られかつ書込まれると仮定する。もちろん 、データは、必要であれば、同じ原理を用いてバイトごとに書込まれかつ読出さ れてもよい。図5は、この読出動作を説明するためのフロー図である。上述のよ うに、2段階のアドレス変換の第1の段階で、仮想アドレス29は論理アドレス にマッピングされる(ブロック40)。第2の段階で、ブロック41において、 論理アドレスはフラッシュメモリの物理アドレスにマッピングされる。ブロック 42においてこの物理アドレスのデータが読出され、これによってこの動作が終 了する。 書込動作では、仮想アドレス29はここでも最初に論理ユニット番号およびユ ニット内のブロックオフセットにマッピングされる。コントローラ14のアルゴ リズムによって、このユニットに関するブロック割当マップ25が調べられる。 このアドレスに対応するブロックが既に書込まれていれば、対応する物理アドレ スでは書込コマンドが実行できない。空きブロックが位置決めされるまで、制御 アルゴリズムによって各ユニットに関するブロック割当マップ25が走査される 。最初のユニットアドレスでのブロックマップ25におけるブロックの状態は割 当マップにおいてブロックの削除に変えられ、空きブロックの状態は書込に 変えられる。今最初の仮想アドレスが書込動作が行なわれる予定の新しい論理ア ドレスを指すように、仮想マップ31が更新される。この論理アドレスは、上述 のような態様で物理アドレスにマッピングされ、ブロックがこのアドレスに書込 まれる。図6は、この書込動作を説明するためのフロー図である。書込動作では 、ブロック45で仮想アドレス29が論理ユニットアドレスにマッピングされ、 ブロック46でユニットに関するユニット割当てが調べられる。判定ブロック4 7でユニットアドレスが空いていれば、ブロック48でユニットアドレスは物理 アドレスにマッピングされ、ブロック49でこの物理アドレスにデータが書込ま れ、動作が終了する。論理アドレスが空いていなければ(ブロック47)、ブロ ック50で、ユニット表が走査され、ユニット割当表において空きアドレスを位 置決めする。ブロック51でこの新しい論理アドレスは物理アドレスにマッピン グされ、ブロック52でこの物理アドレスにデータが書込まれる。ユニット割当 表は、最初のブロックが削除され書込不可能であり、新しいブロックが割当てら れユーザデータを含むことを示すように更新される(ブロック53)。その後、 ブロック54およびブロック55で、仮想/論理アドレスマップは、最初の仮想 アドレスに対応するデータの新しい物理アドレスを指すように更新される。 読出動作および書込動作を制限なく継続させることができるようにするために 、物理メモリ空間は周期的に再利用 される。上述のように、メモリの少なくとも1つのユニットが、その全体が空き ブロックからなりかつ転送ユニットとして働くように、常に確保される。 次に図7を参照して、活性ユニットが選択され(ここでは、ユニット♯M)、 現在マッピングされているすべての活性ブロックが読出されその後転送ユニット に書込まれる。選択されたユニット♯Mはその後ブロック消去され、転送ユニッ トとなり、活性ブロックが書込まれている転送ユニットはこの例ではユニット♯ Mとなる。図7は、転送動作の前後のユニットの状態を示している。図8は、こ の転送動作のフロー図である。転送動作において、ブロック60で転送のための ユニットが選択され、ブロック61で、選択されたユニットの活性データブロッ クが読出される。その後、ブロック62で、これらの活性データブロックは、そ れらの活性データブロックが最初のユニットで配置されていた場所に対応する、 転送ユニットの場所に書込まれる。その後、ブロック63で、選択された最初の ユニットがフラッシュ消去され、ブロック64で、選択されたユニットが転送ユ ニットとなり転送ユニットに選択されたユニットのユニット番号が割当てられる ように、論理/物理アドレスマップが変えられる。 以上のように説明したシステムには、その内容が自由に更新される仮想マップ が必要であり、そのようなマップは従来のランダムアクセスメモリにストアされ 得る。しかし、 たとえば、ブロックサイズが512バイトであると仮定すると、仮想マップが各 ブロックのためにエントリを含み、各エントリがたとえば4バイト長(すなわち 、4ギガバイトのメモリまでアドレス指定できる長さ)であってもよいため、8 0Mバイトのフラッシュメモリでは、マップ表をストアするために640Kバイ トのメモリが必要であろう。仮想マップをストアするのに必要なランダムアクセ スメモリの量を制限するために、本発明の好ましい実施例では、マップデータの 主要部分がフラッシュメモリ12自体にストアされ、仮想アドレスをコンピュー タから一次仮想マップにマッピングする二次仮想マップがメモリ16のようなラ ンダムアクセスメモリにストアされる。ここで、重要なポイントは、二次仮想マ ップの構成によって、仮想マップの読出および書込のための手順が、上述のよう な通常のデータの読出および書込のための手順と同一にされることである。上述 の説明におけるユーザデータおよびランダムアクセスメモリにストアされた仮想 マップ(すなわち、二次仮想マップ)と同じ態様で扱われる仮想マップ自体は、 上述の説明における仮想マップと同等のものである。 本実施例では、仮想マップはフラッシュメモリ12の負の仮想アドレスにあり 、通常の空間は仮想アドレス0で始まる。仮想マップは、フラッシュメモリにあ る仮想マップを通常のユーザデータと同様に読出しかつ書込むことができるよう にするように、仮想マップ自体によって用いられ る負のアドレスをマッピングし、それ自体をマッピングする仮想マップの一部分 (すなわち、二次仮想マップ)だけがランダムアクセスメモリにある。 簡略化された例では、6000バイトの仮想マップが12個の仮想マップブロ ックにストアされ、その各々のブロックが512バイトであると仮定する。アド レスが4バイトであると仮定すると、各ブロックは128個の物理アドレスをス トアすることができる。したがって、各ブロックは、仮想フラッシュメモリの6 4Kバイトのアドレスを含む。仮想フラッシュメモリのアドレスからなる各ブロ ックはページとして考えられ、ランダムアクセスメモリは、アドレスブロックに マッピングされるページアドレス(この例では、48バイトだけ)をストアする 。所与の仮想アドレスからデータを読出す際に、アドレスはページサイズ(64 Kバイト)で除算され、アドレスがストアされる一次仮想マップのページブロッ クにマッピングする二次仮想メモリのページ番号が得られる。仮想メモリページ ブロックを用いて、特定のフラッシュメモリの物理アドレスにマッピングする手 順を、上述の態様で行なうことができる。たとえば、仮想アドレスをページサイ ズで除算した後、その剰余を仮想メモリブロックサイズ(たとえば、512)で 除算してフラッシュメモリから読出されるアドレスのアレイに対するインデック スを得ることができる。 所与の仮想アドレスにデータを書込む際に、コンピュー タによって発生されたアドレスもページサイズで除算され、フラッシュメモリの 二次仮想マップに対するインデックスが得られる。二次仮想マップは、一次仮想 マップブロックが読出される一次仮想マップにマッピングし、これは、読出され る、アドレス指定された物理ブロックにマッピングするのに用いられる。このブ ロックは書替えすることができないため、書込みされていないブロックが識別さ れ、そこに、削除として示される最初のデータブロックが上述の態様で書込まれ る。フラッシュメモリにある仮想マップを更新するために、本質的に同じ手順が その後に行なわれる。アドレスデータの新しい物理場所を反映するように変形さ れた形の仮想マップブロックは、フラッシュメモリの書込みされていないブロッ クに書込まれ、古いブロックは削除として示される。ランダムアクセスメモリの 二次仮想メモリは、必要に応じて、一次仮想メモリブロックの場所の変化を反映 するように変えられる。 図9は、この動作のフロー図である。このプロセスの第1のステップは、ブロ ック70で仮想アドレスをページ番号に変換し、ブロック71で、ページ番号を 用いてフラッシュメモリ12にストアされた仮想マップの関連するページブロッ クのアドレスをRAM16において位置決めすることである。このアドレスでの 仮想マップのページブロックは、フラッシュメモリから読出され(ブロック72 )、上述の態様で用いられて、データ読出動作またはデータ書 込動作のために仮想アドレスに対応する物理アドレスを位置決めする。データ書 込動作では、ブロック73で仮想マップのページブロックを更新しなければなら ず、ブロック74で、更新されたページブロックの仮想マップはフラッシュメモ リの空き物理アドレス場所に書込まれる。ブロック75で、ページブロックの仮 想マップが配置されていた最初のフラッシュメモリアドレスが削除として示され 、ブロック76で、RAMメモリ16は、更新されたマップに関する仮想/物理 マップアドレスを指すように更新される。 仮想マップは、システムの始動の際に容易に再構成することができる。フラッ シュメモリにある仮想マップは不揮発性であり、再構成する必要はない。揮発性 ランダムアクセスメモリにある二次仮想マップは、始動時に各ユニットの頂部に あるブロック利用マップを走査することによって再構成することができる。仮想 アドレスにマッピングされたとして示されたブロックが識別され、それに応じて 二次仮想マップが構成される。 以上、本発明を1つの好ましい実施例に関して説明したが、添付の請求の範囲 の精神および範囲内で本発明に変形を加えることができることが当業者により認 識されるであろう。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AT,AU,BB,BG,BR,BY, CA,CH,CZ,DE,DK,ES,FI,GB,H U,JP,KP,KR,KZ,LK,LU,MG,MN ,MW,NL,NO,NZ,PL,PT,RO,RU, SD,SE,SK,UA,VN

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.書込まれていない物理メモリ場所にのみデータを書込むことが可能であり、 連続メモリ場所のゾーンを同時に消去可能なメモリのためのメモリ管理方法であ って、 前記メモリを各々が少なくとも1つのゾーンを含む複数のユニットに編成する ステップと、 各ユニットを複数のブロックに編成するステップとを含み、前記ブロックの各 々は複数の連続物理メモリ場所からなり、 ユニットの各ブロックの状態を活性書込、非書込または削除として示す各ユニ ットに対する割当表を確立するステップと、 ユニット内で仮想アドレスを物理アドレスにマッピングするための表を確立す るステップとを含み、 データを前記メモリの仮想アドレスに書込む際には、 (a) 前記仮想アドレスをユニット内の物理ブロックアドレスにマッピング するステップと、 (b) サブパラグラフ(a)で前記仮想アドレスがマッピングされた前記ユ ニットに対する前記割当表を調べて、前記物理ブロックアドレスでのブロックの 状態が活性書込であるか非書込であるかを決定するステップと、 (c) 前記物理ブロックアドレスでの前記ブロックが活性書込状態であれば 、 (1) 前記ユニットの少なくとも1つに対する前記 割当表を調べて、書込まれていないブロックアドレスを識別するステップと、 (2) 前記データを前記メモリの前記書込まれていないブロックアドレス に書込むステップと、 (3) 前記仮想アドレスがマッピングされた前記ユニットに対する前記割 当表を変更して、前記物理ブロックアドレスを削除として示すステップと、 (4) パラグラフ(c)(2)で前記データが書込まれたユニットに対す る前記割当表を変更して、前記データが書込まれた前記書込まれていないブロッ クアドレスを活性書込として示すステップと、 (5) 前記表が前記仮想アドレスを前記データがステップ(c)(2)で 書込まれた前記書込まれていないブロックの物理アドレスにマッピングするよう に、ユニット内で仮想アドレスを物理アドレスにマッピングするための前記表を 変更するステップとを含む、メモリ管理方法。 2.すべてのブロックが書込まれていない転送ユニットを前記メモリに確立する ステップと、 前記転送ユニット以外に消去されるべき選択されたユニットを周期的に識別す るステップと、 前記選択されたユニットの各活性書込ブロックを読出すステップと、 前記選択されたユニットの各活性書込ブロックを前記転送ユニットに書込むス テップと、 前記転送ユニット割当表を更新して、すぐ前の書込ステップで書込まれたブロ ックの状態を書込として示すステップと、 前記選択されたブロックを消去するステップと、 仮想アドレスを物理アドレスにする前記表を更新して、前記選択されたユニッ トを転送ユニットとして示すステップとを含み、前記転送ユニットは前記選択さ れたユニットのユニット識別子を有する、請求項1に記載のメモリ管理方法。 3.書込まれていない物理メモリ場所にのみデータを書込むことができ、連続メ モリ場所のゾーンを同時に消去可能なメモリのためのメモリ管理方法であって、 仮想アドレスを物理アドレスにマッピングする第1の表を前記メモリにストア するステップと、 前記メモリにストアされた前記第1の表をページアドレス指定可能なブロック のセグメントに編成するステップと、 ページアドレスを前記メモリの前記ページアドレス指定可能なブロックの物理 アドレスにマッピングする第2の表をランダムアクセスメモリにストアするステ ップと、 変更されたページアドレス指定可能なブロックを書込まれていない物理ブロッ ク場所に書込むことによって、前記メモリにストアされた前記第1の表のページ アドレス指定可能なブロックを変更するステップと、 前記ランダムアクセスメモリにストアされた前記第2の 表を、変更されたページアドレス指定可能なブロックのページアドレスを前記変 更されたページアドレス指定可能なブロックが書込まれた書込まれていない物理 ブロック場所にマッピングするように更新するステップとを含む、メモリ管理方 法。 4.書込まれていない物理メモリ場所にのみデータを書込むことができ、連続メ モリ場所のゾーンを同時に消去可能なメモリのためのメモリ管理方法であって、 前記メモリを各々が少なくとも1つのゾーンを含む複数のユニットに編成する ステップと、 各ユニットを複数のブロックに編成するステップとを含み、前記ブロックの各 々は複数の連続物理メモリ場所からなり、 ユニット内で仮想アドレスを物理アドレスにマッピングするための第1の表を 確立するステップと、 ページアドレス指定可能なブロックのセグメントに編成された前記第1の表を 前記メモリにストアするステップと、 ページを前記メモリにストアされた前記ページアドレス指定可能なブロックの 物理アドレスにマッピングする第2の表をランダムアクセスメモリにストアする ステップと、 前記メモリの仮想アドレスにデータを書込む際には、 (a) 前記仮想アドレスからページアドレスを引出すステップと、 (b) 前記ページアドレスを前記メモリのページアド レス指定可能なブロックにマッピングするステップと、 (c) 前記メモリの前記ページアドレス指定可能なブロックで仮想アドレス を物理アドレスにマッピングする前記第1の表のセグメントを読出すステップと 、 (d) 前記仮想アドレスを物理アドレスにマッピングするステップと、 (e) 前記物理アドレスの前記ブロックが活性書込状態の場合には、 (1) 前記データを前記メモリの書込まれていないブロックアドレスに書 込むステップと、 (2) 前記第1の表が前記仮想アドレスを前記データがステップ(e)( 1)で書込まれた書込まれていないブロックの物理アドレスにマッピングするよ うに前記第1の表のセグメントを変更するステップと、 (3) ステップ(e)(2)からの変更された第1の表のセグメントを前 記メモリの書込まれていない物理ブロック場所に書込むステップと、 (4) 前記書込まれていない物理ブロック場所の変更された第1の表のセ グメントのページアドレスをマッピングするように、前記ランダムアクセスメモ リにストアされた前記第2の表を更新するステップとを含む、メモリ管理方法。 5.書込まれていない物理メモリ場所にのみデータを書込むことができ、連続メ モリ場所のゾーンを同時に消去可能 なメモリのためのメモリ管理方法であって、 前記メモリを各々が少なくとも1つのゾーンを含む複数のユニットに編成する ステップと、 各ユニットを複数のブロックに編成するステップとを含み、前記ブロックの各 々は複数の連続物理メモリ場所からなり、 ユニットの各ブロックの状態を活性書込、非書込または削除として示す各ユニ ットに対する割当表を確立するステップと、 ユニット内で仮想アドレスを物理アドレスにマッピングするための表を確立す るステップと、 前記メモリの仮想アドレスにデータを書込む際には、 (a) 前記仮想アドレスをユニット内の物理ブロックアドレスにマッピング するステップと、 (b) サブパラグラフ(a)で前記仮想アドレスがマッピングされた前記ユ ニットに対する前記割当表を調べて、前記物理ブロックアドレスでのブロックの 状態が活性書込であるか非書込であるかを決定するステップと、 (c) 前記物理ブロックアドレスの前記ブロックが活性書込状態であれば、 (1) 前記ユニットの少なくとも1つに対する前記割当表を調べて、書込 まれていないブロックアドレスを識別するステップと、 (2) 前記データを前記メモリの前記書込まれてい ないブロックアドレスに書込むステップと、 (3) 前記仮想アドレスがマッピングされた前記ユニットに対する前記割 当表を変更して、前記物理ブロックアドレスを削除として示すステップと、 (4) パラグラフ(c)(2)で前記データが書込まれたユニットに対す る前記割当表を変更して、前記データが書込まれた前記書込まれていないブロッ クアドレスを活性書込として示すステップと、 (5) 前記仮想アドレスを前記データがステップ(c)(2)で書込まれ た前記書込まれていないブロックの物理アドレスにマッピングするように、ユニ ット内で仮想アドレスを物理アドレスにマッピングするための前記表を変更する ステップとを含み、 前記メモリの仮想アドレスにデータを読出す際には、 (d) 前記仮想アドレスをユニット内の物理ブロックアドレスにマッピング するステップと、 (e) 前記メモリの前記物理アドレスから前記データを読出すステップとを 含む、メモリ管理方法。 6.すべてのブロックが書込まれていない転送ユニットを前記メモリに確立する ステップと、 前記転送ユニット以外の消去されるべき選択されたユニットを周期的に識別す るステップと、 前記選択されたユニットの各活性書込ブロックを読出すステップと、 前記選択されたユニットの各活性書込ブロックを前記転送ユニットに書込むス テップと、 前記転送ユニット割当表を更新して、すぐ前の書込ステップで書込まれたブロ ックの状態を書込として示すステップと、 前記選択されたブロックを消去するステップと、 仮想アドレスを物理アドレスにする前記表を更新して、前記選択されたユニッ トを転送ユニットとして示すステップとを含み、前記転送ユニットは前記選択さ れたユニットのユニット識別子を有する、請求項5に記載のメモリ管理方法。 7.書込まれていない物理メモリ場所にのみデータを書込むことができ、連続メ モリ場所のゾーンを同時に消去可能なメモリのためのメモリ管理方法であって、 前記メモリを各々が少なくとも1つのゾーンを含む複数のユニットに編成する ステップと、 各ユニットを複数のブロックに編成するステップとを含み、前記ブロックの各 々は複数の連続物理メモリ場所からなり、 ユニット内で仮想アドレスを物理アドレスにマッピングするための第1の表を 確立するステップと、 ページアドレス指定可能なブロックのセグメントに編成された前記第1の表を 前記メモリにストアするステップと、 ページを前記メモリにストアされた前記ページアドレス 指定可能なブロックの物理アドレスにマッピングする第2の表をランダムアクセ スメモリにストアするステップと、 前記メモリの仮想アドレスにデータを書込む際には (a) 前記仮想アドレスからページアドレスを引出すステップと、 (b) 前記ページアドレスを前記メモリのページアドレス指定可能なブロッ クにマッピングするステップと、 (c) 前記メモリの前記ページアドレス指定可能なブロックで仮想アドレス を物理アドレスにマッピングする前記第1の表のセグメントを読出すステップと 、 (d) 前記仮想アドレスを物理アドレスにマッピングするステップと、 (e) 前記物理アドレスの前記ブロックが活性書込状態の場合には (1) 前記データを前記メモリの書込まれていないブロックアドレスに書 込むステップと、 (2) 前記第1の表が前記仮想アドレスを前記データがステップ(e)( 1)で書込まれた書込まれていないブロックの物理アドレスにマッピングするよ うに前記第1の表のセグメントを変更するステップと、 (3) ステップ(e)(2)からの変更された第1の表のセグメントを前 記メモリの書込まれていない物理ブロック場所に書込むステップと、 (4) 前記書込まれていない物理ブロック場所の変 更された第1の表のセグメントのページアドレスをマッピングするように、前記 ランダムアクセスメモリにストアされた前記第2の表を更新するステップとを含 み、 前記メモリの仮想アドレスにデータを読出す際には (a) 前記仮想アドレスからページアドレスを引出すステップと、 (f) 前記ページアドレスを前記メモリのページアドレス指定可能なブロッ クにマッピングするステップと、 (g) 前記メモリの前記ページアドレス指定可能なブロックで仮想アドレス を物理アドレスにマッピングする前記第1の表のセグメントを読出すステップと 、 (h) 前記仮想アドレスを物理アドレスにマッピングするステップと、 (i) 前記メモリの前記物理アドレスから前記データを読出すステップとを 含む、メモリ管理方法。 8.すべてのブロックが書込まれていない転送ユニットを前記メモリに確立する ステップと、 前記転送ユニット以外に消去されるべき選択されたユニットを周期的に識別す るステップと、 前記選択されたユニットの各活性書込ブロックを読出すステップと、 前記選択されたユニットの各活性書込ブロックを前記転送ユニットに書込むス テップと、 前記転送ユニットの割当表を更新して、すぐ前の書込ス テップで書込まれたブロックの状態を書込として示すステップと、 前記選択されたブロックを消去するステップと、 仮想アドレスを物理アドレスにする前記表を更新して前記選択されたユニット を転送ユニットとして示すステップとを含み、前記転送ユニットは前記選択され たユニットのユニット識別子を有する、請求項7に記載のメモリ管理方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11203191A (ja) * 1997-11-13 1999-07-30 Seiko Epson Corp 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶装置の制御方法、および、不揮発性記憶装置を制御するプログラムを記録した情報記録媒体
JP2004151939A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 記憶装置
JP3680142B2 (ja) * 1997-12-05 2005-08-10 東京エレクトロンデバイス株式会社 記憶装置及びアクセス方法
JP2007200351A (ja) * 1999-04-05 2007-08-09 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd ユニバーサル・シリアル・バスに基づくpcフラッシュディスクのためのアーキテクチャ
JP2008538831A (ja) * 2005-04-14 2008-11-06 サンディスク アイエル リミテッド コンテンツ配布システム

Families Citing this family (558)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2251323B (en) * 1990-12-31 1994-10-12 Intel Corp Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory
US5657332A (en) * 1992-05-20 1997-08-12 Sandisk Corporation Soft errors handling in EEPROM devices
US5581723A (en) * 1993-02-19 1996-12-03 Intel Corporation Method and apparatus for retaining flash block structure data during erase operations in a flash EEPROM memory array
US5519843A (en) * 1993-03-15 1996-05-21 M-Systems Flash memory system providing both BIOS and user storage capability
US5485595A (en) * 1993-03-26 1996-01-16 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture incorporating wear leveling technique without using cam cells
US5479638A (en) * 1993-03-26 1995-12-26 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture incorporation wear leveling technique
US5522069A (en) * 1993-04-30 1996-05-28 Zenith Data Systems Corporation Symmetric multiprocessing system with unified environment and distributed system functions
US5600821A (en) * 1993-07-28 1997-02-04 National Semiconductor Corporation Distributed directory for information stored on audio quality memory devices
US5640529A (en) * 1993-07-29 1997-06-17 Intel Corporation Method and system for performing clean-up of a solid state disk during host command execution
JP3215237B2 (ja) * 1993-10-01 2001-10-02 富士通株式会社 記憶装置および記憶装置の書き込み/消去方法
US5784706A (en) * 1993-12-13 1998-07-21 Cray Research, Inc. Virtual to logical to physical address translation for distributed memory massively parallel processing systems
SG45399A1 (en) * 1994-01-12 1998-01-16 Sun Microsystems Inc Logically addressable physical memory for a virtual memory computer system that support multiple page sizes
US5696917A (en) 1994-06-03 1997-12-09 Intel Corporation Method and apparatus for performing burst read operations in an asynchronous nonvolatile memory
US5765175A (en) * 1994-08-26 1998-06-09 Intel Corporation System and method for removing deleted entries in file systems based on write-once or erase-slowly media
ATE149709T1 (de) * 1994-09-30 1997-03-15 Sel Alcatel Ag Verfahren zur speicherverwaltung eines flash- speichers
JPH08137634A (ja) * 1994-11-09 1996-05-31 Mitsubishi Electric Corp フラッシュディスクカード
JP2669365B2 (ja) * 1994-11-24 1997-10-27 日本電気株式会社 書換え可能なromファイル装置
JP3464836B2 (ja) * 1995-01-19 2003-11-10 富士通株式会社 記憶装置のメモリ管理装置
AUPN105495A0 (en) * 1995-02-10 1995-03-09 Aristocrat Leisure Industries Pty Ltd Dram emulator
AU692670B2 (en) * 1995-02-10 1998-06-11 Aristocrat Technologies Australia Pty Limited Dram emulator
JP3706167B2 (ja) * 1995-02-16 2005-10-12 株式会社ルネサステクノロジ 半導体ディスク装置
JP2671860B2 (ja) 1995-03-30 1997-11-05 日本電気株式会社 フラッシュメモリ用ファイルシステム
JPH08328762A (ja) * 1995-06-06 1996-12-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体ディスク装置及びそのメモリ管理方法
US6081878A (en) * 1997-03-31 2000-06-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US6978342B1 (en) 1995-07-31 2005-12-20 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US8171203B2 (en) * 1995-07-31 2012-05-01 Micron Technology, Inc. Faster write operations to nonvolatile memory using FSInfo sector manipulation
US5845313A (en) * 1995-07-31 1998-12-01 Lexar Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US6728851B1 (en) 1995-07-31 2004-04-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US5930815A (en) * 1995-07-31 1999-07-27 Lexar Media, Inc. Moving sequential sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
DE29513792U1 (de) * 1995-08-28 1995-10-12 Siemens AG, 80333 München Prozessoreinheit
GB2291991A (en) * 1995-09-27 1996-02-07 Memory Corp Plc Disk drive emulation with a block-erasable memory
GB2291990A (en) * 1995-09-27 1996-02-07 Memory Corp Plc Flash-memory management system
JPH0997207A (ja) * 1995-09-28 1997-04-08 Canon Inc フラッシュrom管理方法及び装置及びコンピュータ制御装置
JP3727983B2 (ja) * 1995-09-28 2005-12-21 キヤノン株式会社 電子カメラ
JP3703181B2 (ja) * 1995-09-28 2005-10-05 キヤノン株式会社 フラッシュrom管理方法及び装置
US5933847A (en) * 1995-09-28 1999-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Selecting erase method based on type of power supply for flash EEPROM
JPH0997314A (ja) * 1995-09-28 1997-04-08 Canon Inc Icカード装置
JPH0997206A (ja) * 1995-09-28 1997-04-08 Canon Inc フラッシュrom管理方法及び装置及びコンピュータ制御装置
US5867641A (en) * 1995-10-27 1999-02-02 Scm Microsystems (U.S.) Inc. Flash translation layer cleanup system and method
US6014724A (en) * 1995-10-27 2000-01-11 Scm Microsystems (U.S.) Inc. Flash translation layer block indication map revision system and method
US5987478A (en) * 1995-10-31 1999-11-16 Intel Corporation Virtual small block file manager for flash memory array
US5829013A (en) 1995-12-26 1998-10-27 Intel Corporation Memory manager to allow non-volatile memory to be used to supplement main memory
US5978808A (en) * 1995-12-27 1999-11-02 Intel Corporation Virtual small block file manager for flash memory array
JPH09185551A (ja) * 1996-01-08 1997-07-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5787445A (en) * 1996-03-07 1998-07-28 Norris Communications Corporation Operating system including improved file management for use in devices utilizing flash memory as main memory
US5860082A (en) * 1996-03-28 1999-01-12 Datalight, Inc. Method and apparatus for allocating storage in a flash memory
US5896393A (en) * 1996-05-23 1999-04-20 Advanced Micro Devices, Inc. Simplified file management scheme for flash memory
US5848420A (en) * 1996-06-14 1998-12-08 Eastman Kodak Company System and method for accessing data of a digital camera from a personal computer
KR980013092A (ko) * 1996-07-29 1998-04-30 김광호 교환시스템의 화일관리장치 및 방법
FR2752072B1 (fr) * 1996-08-01 1999-01-29 Solaic Sa Carte a circuit integre comportant des fichiers classes selon une arborescence
JPH10124381A (ja) * 1996-10-21 1998-05-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5745418A (en) * 1996-11-25 1998-04-28 Macronix International Co., Ltd. Flash memory mass storage system
US6311290B1 (en) 1997-02-14 2001-10-30 Intel Corporation Methods of reliably allocating, de-allocating, re-allocating, and reclaiming objects in a symmetrically blocked nonvolatile memory having a bifurcated storage architecture
US5937434A (en) * 1997-02-14 1999-08-10 Intel Corporation Method of managing a symmetrically blocked nonvolatile memory having a bifurcated storage architecture
US6182188B1 (en) 1997-04-06 2001-01-30 Intel Corporation Method of performing reliable updates in a symmetrically blocked nonvolatile memory having a bifurcated storage architecture
US5982553A (en) 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
US6088759A (en) * 1997-04-06 2000-07-11 Intel Corporation Method of performing reliable updates in a symmetrically blocked nonvolatile memory having a bifurcated storage architecture
US5943692A (en) * 1997-04-30 1999-08-24 International Business Machines Corporation Mobile client computer system with flash memory management utilizing a virtual address map and variable length data
JP3104646B2 (ja) * 1997-06-04 2000-10-30 ソニー株式会社 外部記憶装置
GB2328531A (en) * 1997-08-23 1999-02-24 Ibm Storing a long record in a set of shorter keyed records
DE19740525C1 (de) * 1997-09-15 1999-02-04 Siemens Ag Verfahren zur Abspeicherung und Wiedergewinnung von Daten in einem Steuersystem, insbesondere in einem Kraftfahrzeug
US5937425A (en) * 1997-10-16 1999-08-10 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash file system optimized for page-mode flash technologies
US6040997A (en) * 1998-03-25 2000-03-21 Lexar Media, Inc. Flash memory leveling architecture having no external latch
US6130770A (en) 1998-06-23 2000-10-10 Silicon Light Machines Electron gun activated grating light valve
US6101036A (en) 1998-06-23 2000-08-08 Silicon Light Machines Embossed diffraction grating alone and in combination with changeable image display
JP4085478B2 (ja) * 1998-07-28 2008-05-14 ソニー株式会社 記憶媒体及び電子機器システム
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
JP4046877B2 (ja) 1998-12-14 2008-02-13 株式会社ルネサステクノロジ 一括消去型不揮発性メモリおよび携帯電話
US6314557B1 (en) 1998-12-14 2001-11-06 Infineon Technologies Development Center Tel Aviv Ltd Hybrid computer programming environment
KR20000041291A (ko) * 1998-12-22 2000-07-15 김영환 이동통신 시스템에서 방문 이동 가입자의 데이터 관리 방법
FR2787901B1 (fr) * 1998-12-28 2001-02-09 Bull Sa Organisation memoire par zones physiques
GB9903490D0 (en) * 1999-02-17 1999-04-07 Memory Corp Plc Memory system
CA2267484C (en) * 1999-03-30 2002-03-05 Object Technology International Inc. Reclaiming memory from deleted applications
AU2006200756B2 (en) * 1999-04-05 2008-04-03 Sandisk Il Ltd A USB flash memory device for connecting to a USB-defined BUS
US6282605B1 (en) 1999-04-26 2001-08-28 Moore Computer Consultants, Inc. File system for non-volatile computer memory
KR100330164B1 (ko) 1999-04-27 2002-03-28 윤종용 무효 블록들을 가지는 복수의 플래시 메모리들을 동시에 프로그램하는 방법
KR100544175B1 (ko) * 1999-05-08 2006-01-23 삼성전자주식회사 링킹 타입 정보를 저장하는 기록 매체와 결함 영역 처리 방법
US8141240B2 (en) 1999-08-04 2012-03-27 Super Talent Electronics, Inc. Manufacturing method for micro-SD flash memory card
US7872871B2 (en) * 2000-01-06 2011-01-18 Super Talent Electronics, Inc. Molding methods to manufacture single-chip chip-on-board USB device
US7830666B2 (en) 2000-01-06 2010-11-09 Super Talent Electronics, Inc. Manufacturing process for single-chip MMC/SD flash memory device with molded asymmetric circuit board
US7690031B2 (en) * 2000-01-06 2010-03-30 Super Talent Electronics, Inc. Managing bad blocks in flash memory for electronic data flash card
US20080209114A1 (en) * 1999-08-04 2008-08-28 Super Talent Electronics, Inc. Reliability High Endurance Non-Volatile Memory Device with Zone-Based Non-Volatile Memory File System
US8102662B2 (en) * 2007-07-05 2012-01-24 Super Talent Electronics, Inc. USB package with bistable sliding mechanism
US8625270B2 (en) 1999-08-04 2014-01-07 Super Talent Technology, Corp. USB flash drive with deploying and retracting functionalities using retractable cover/cap
US7702831B2 (en) * 2000-01-06 2010-04-20 Super Talent Electronics, Inc. Flash memory controller for electronic data flash card
US7466556B2 (en) * 1999-08-04 2008-12-16 Super Talent Electronics, Inc. Single chip USB packages with swivel cover
US7535719B2 (en) * 1999-08-04 2009-05-19 Super Talent Electronics, Inc. Single chip USB packages with contact-pins cover
US7318117B2 (en) 2004-02-26 2008-01-08 Super Talent Electronics, Inc. Managing flash memory including recycling obsolete sectors
US7447037B2 (en) * 1999-08-04 2008-11-04 Super Talent Electronics, Inc. Single chip USB packages by various assembly methods
KR100577380B1 (ko) * 1999-09-29 2006-05-09 삼성전자주식회사 플래시 메모리와 그 제어 방법
KR100703680B1 (ko) * 1999-10-14 2007-04-05 삼성전자주식회사 플래시 파일 시스템
CN1088218C (zh) 1999-11-14 2002-07-24 邓国顺 用于数据处理系统的快闪电子式外存储方法及其装置
US6643731B2 (en) * 1999-12-31 2003-11-04 Texas Instruments Incorporated Low cost memory management that resists power interruption
US20080286990A1 (en) * 2003-12-02 2008-11-20 Super Talent Electronics, Inc. Direct Package Mold Process For Single Chip SD Flash Cards
US20060161725A1 (en) * 2005-01-20 2006-07-20 Lee Charles C Multiple function flash memory system
US7702984B1 (en) 2000-01-06 2010-04-20 Super Talent Electronics, Inc. High volume testing for USB electronic data flash cards
US6424975B1 (en) 2000-01-07 2002-07-23 Trg Products, Inc. FAT file system in palm OS computer
US7102671B1 (en) 2000-02-08 2006-09-05 Lexar Media, Inc. Enhanced compact flash memory card
US6426893B1 (en) 2000-02-17 2002-07-30 Sandisk Corporation Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks
EP1130516A1 (en) * 2000-03-01 2001-09-05 Hewlett-Packard Company, A Delaware Corporation Address mapping in solid state storage device
US7167944B1 (en) 2000-07-21 2007-01-23 Lexar Media, Inc. Block management for mass storage
US7113432B2 (en) 2000-09-14 2006-09-26 Sandisk Corporation Compressed event counting technique and application to a flash memory system
US6473845B1 (en) * 2000-09-28 2002-10-29 Hewlett-Packard Company System and method for dynamically updating memory address mappings
KR100644602B1 (ko) * 2000-10-11 2006-11-10 삼성전자주식회사 플래시메모리를 위한 재사상 제어방법 및 그에 따른플래시 메모리의 구조
US6986030B2 (en) 2000-10-27 2006-01-10 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Portable memory device includes software program for interacting with host computing device to provide a customized configuration for the program
US7373656B2 (en) * 2000-10-27 2008-05-13 Sandisk Il Ltd. Automatic configuration for portable devices
US7606733B2 (en) * 2000-10-27 2009-10-20 Sandisk Il Ltd. Account portability for computing
US7028165B2 (en) * 2000-12-06 2006-04-11 Intel Corporation Processor stalling
KR100365725B1 (ko) 2000-12-27 2002-12-26 한국전자통신연구원 플래시 메모리를 이용한 파일 시스템에서 등급별 지움정책 및 오류 복구 방법
US6763424B2 (en) * 2001-01-19 2004-07-13 Sandisk Corporation Partial block data programming and reading operations in a non-volatile memory
US6510488B2 (en) 2001-02-05 2003-01-21 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Method for fast wake-up of a flash memory system
US6938144B2 (en) * 2001-03-22 2005-08-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Address conversion unit for memory device
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US6732221B2 (en) 2001-06-01 2004-05-04 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd Wear leveling of static areas in flash memory
KR100389867B1 (ko) 2001-06-04 2003-07-04 삼성전자주식회사 플래시 메모리 관리방법
US6591330B2 (en) 2001-06-18 2003-07-08 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. System and method for flexible flash file
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US7024532B2 (en) * 2001-08-09 2006-04-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. File management method, and memory card and terminal apparatus that make use of the method
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US7356641B2 (en) * 2001-08-28 2008-04-08 International Business Machines Corporation Data management in flash memory
US6760805B2 (en) * 2001-09-05 2004-07-06 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash management system for large page size
GB0123419D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Data handling system
US6678785B2 (en) * 2001-09-28 2004-01-13 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash management system using only sequential write
GB0123417D0 (en) * 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Improved data processing
GB0123415D0 (en) * 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Method of writing data to non-volatile memory
GB0123416D0 (en) * 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Non-volatile memory control
GB0123421D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Power management system
US7299463B2 (en) 2001-09-28 2007-11-20 Intel Corporation Method for atomically updating a plurality of files
GB0123410D0 (en) * 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Memory system for data storage and retrieval
KR100449708B1 (ko) * 2001-11-16 2004-09-22 삼성전자주식회사 플래시 메모리 관리방법
US6977847B2 (en) * 2001-11-23 2005-12-20 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Detecting partially erased units in flash devices
JP3967121B2 (ja) * 2001-12-11 2007-08-29 株式会社ルネサステクノロジ ファイルシステム、ファイルシステム制御方法およびファイルシステムを制御するためのプログラム
DE10163342A1 (de) * 2001-12-21 2003-07-10 Elektro Beckhoff Gmbh Unterneh Datenübertragungsverfahren, serielles Bussystem und Anschalteinheit für einen passiven Busteilnehmer
TWI240861B (en) * 2002-01-11 2005-10-01 Integrated Circuit Solution In Data access method and architecture of flash memory
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
US6957295B1 (en) 2002-01-18 2005-10-18 Lexar Media, Inc. File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices
US6950918B1 (en) 2002-01-18 2005-09-27 Lexar Media, Inc. File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices
US6621739B2 (en) * 2002-01-18 2003-09-16 Sandisk Corporation Reducing the effects of noise in non-volatile memories through multiple reads
US7231643B1 (en) 2002-02-22 2007-06-12 Lexar Media, Inc. Image rescue system including direct communication between an application program and a device driver
AU2003218299A1 (en) * 2002-03-19 2003-10-08 Michael Bucci Device and method for throwing motion training
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6767751B2 (en) 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
EP1376608A1 (fr) * 2002-06-28 2004-01-02 Cp8 Procédé d'écriture dans une mémoire non volatile et système pour la mise en oeuvre d'un tel procédé
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
KR100484147B1 (ko) * 2002-07-26 2005-04-18 삼성전자주식회사 플래시 메모리 관리 방법
TWI246064B (en) * 2002-07-29 2005-12-21 Milsys Ltd Data storage and processing device, electronic appliance, electronic system and method of operating an appliance that responds to a plurality of commands
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US7130979B2 (en) * 2002-08-29 2006-10-31 Micron Technology, Inc. Dynamic volume management
US6970969B2 (en) * 2002-08-29 2005-11-29 Micron Technology, Inc. Multiple segment data object management
US6968439B2 (en) * 2002-08-29 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Single segment data object management
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
US7174440B2 (en) * 2002-10-28 2007-02-06 Sandisk Corporation Method and apparatus for performing block caching in a non-volatile memory system
US7254668B1 (en) * 2002-10-28 2007-08-07 Sandisk Corporation Method and apparatus for grouping pages within a block
JP4199519B2 (ja) * 2002-11-05 2008-12-17 パナソニック株式会社 メモリ管理装置及びメモリ管理方法
DE10252059B3 (de) * 2002-11-08 2004-04-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Betreiben einer Speicheranordnung
KR100457812B1 (ko) * 2002-11-14 2004-11-18 삼성전자주식회사 플래시 메모리, 그에 따른 플래시 메모리 액세스 장치 및방법
AU2003286967B2 (en) * 2002-12-24 2009-01-15 Lg Electronics, Inc. Dual journaling store method and storage medium thereof
KR100483490B1 (ko) * 2002-12-24 2005-04-15 한국전자통신연구원 저장 매체에 데이터를 저장하기 위한 이중 저널링저장방법
FI20022297A (fi) * 2002-12-31 2004-07-01 Nokia Corp Menetelmä muistikomponenttien sisältöjen vertailemiseksi
TW200415464A (en) * 2003-02-12 2004-08-16 Acard Technology Corp SATA flash memory device
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
US7526598B2 (en) * 2003-03-03 2009-04-28 Sandisk Il, Ltd. Efficient flash memory device driver
US20040186746A1 (en) * 2003-03-21 2004-09-23 Angst Wendy P. System, apparatus and method for storage and transportation of personal health records
EP1462946A1 (en) * 2003-03-25 2004-09-29 Acard Technology Corp. Architecture for a serial ATA bus based flash memory apparatus
US7003621B2 (en) * 2003-03-25 2006-02-21 M-System Flash Disk Pioneers Ltd. Methods of sanitizing a flash-based data storage device
US7664987B2 (en) * 2003-05-25 2010-02-16 Sandisk Il Ltd. Flash memory device with fast reading rate
US6973519B1 (en) 2003-06-03 2005-12-06 Lexar Media, Inc. Card identification compatibility
US7606993B2 (en) * 2003-06-10 2009-10-20 Tdk Corporation Flash memory controller, memory control circuit, flash memory system, and method for controlling data exchange between host computer and flash memory
US7372731B2 (en) * 2003-06-17 2008-05-13 Sandisk Il Ltd. Flash memories with adaptive reference voltages
JP4433372B2 (ja) * 2003-06-18 2010-03-17 株式会社日立製作所 データアクセスシステム及び方法
US6988175B2 (en) * 2003-06-30 2006-01-17 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash memory management method that is resistant to data corruption by power loss
US7188228B1 (en) 2003-10-01 2007-03-06 Sandisk Corporation Hybrid mapping implementation within a non-volatile memory system
US7173852B2 (en) * 2003-10-03 2007-02-06 Sandisk Corporation Corrected data storage and handling methods
US7012835B2 (en) * 2003-10-03 2006-03-14 Sandisk Corporation Flash memory data correction and scrub techniques
US7296144B2 (en) * 2003-11-24 2007-11-13 Sandisk Il Ltd. Method of traceless portable application execution
US8998620B2 (en) * 2003-12-02 2015-04-07 Super Talent Technology, Corp. Molding method for COB-EUSB devices and metal housing package
US7440286B2 (en) * 2005-04-21 2008-10-21 Super Talent Electronics, Inc. Extended USB dual-personality card reader
US7872873B2 (en) 2003-12-02 2011-01-18 Super Talent Electronics, Inc. Extended COB-USB with dual-personality contacts
US8102657B2 (en) 2003-12-02 2012-01-24 Super Talent Electronics, Inc. Single shot molding method for COB USB/EUSB devices with contact pad ribs
KR100608602B1 (ko) * 2003-12-10 2006-08-03 삼성전자주식회사 플래시 메모리, 이를 위한 사상 제어 장치 및 방법
US20050132178A1 (en) * 2003-12-12 2005-06-16 Sridhar Balasubramanian Removable flash backup for storage controllers
EP1695304A4 (en) 2003-12-17 2011-09-28 Lexar Media Inc POINT-OF-SALE ACTIVATION OF ELECTRONIC DEVICES TO AVOID THEFT
JP2005190036A (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Hitachi Ltd 記憶制御装置及び記憶制御装置の制御方法
JP4463042B2 (ja) * 2003-12-26 2010-05-12 株式会社日立製作所 ボリュームの動的割り付け機能を有する記憶装置システム
KR100526188B1 (ko) * 2003-12-30 2005-11-04 삼성전자주식회사 플래시 메모리의 주소 사상 방법, 사상 정보 관리 방법 및상기 방법을 이용한 플래시 메모리
US7433993B2 (en) * 2003-12-30 2008-10-07 San Disk Corportion Adaptive metablocks
US20050144363A1 (en) * 2003-12-30 2005-06-30 Sinclair Alan W. Data boundary management
US8504798B2 (en) 2003-12-30 2013-08-06 Sandisk Technologies Inc. Management of non-volatile memory systems having large erase blocks
US7139864B2 (en) * 2003-12-30 2006-11-21 Sandisk Corporation Non-volatile memory and method with block management system
US7383375B2 (en) * 2003-12-30 2008-06-03 Sandisk Corporation Data run programming
US7631138B2 (en) * 2003-12-30 2009-12-08 Sandisk Corporation Adaptive mode switching of flash memory address mapping based on host usage characteristics
EP1714284A4 (en) * 2004-01-15 2008-09-17 Milsys Ltd REPLACEABLE MEDIUM WITH BOOKMARKS
CN1926616B (zh) * 2004-01-19 2011-09-14 特科2000国际有限公司 使用存储器地址映射表的便携式数据存储设备
US7869219B2 (en) * 2004-01-20 2011-01-11 Super Talent Electronics, Inc. Flash drive with spring-loaded retractable connector
US7177200B2 (en) * 2004-02-10 2007-02-13 Msystems Ltd. Two-phase programming of a flash memory
US8019928B2 (en) * 2004-02-15 2011-09-13 Sandisk Il Ltd. Method of managing a multi-bit-cell flash memory
US7716413B2 (en) * 2004-02-15 2010-05-11 Sandisk Il Ltd. Method of making a multi-bit-cell flash memory
EP2506486A1 (en) * 2004-02-23 2012-10-03 Lexar Media, Inc. Secure compact flash
CN1323358C (zh) * 2004-03-05 2007-06-27 中国科学院计算技术研究所 一种虚拟存储模型及其方法
US20050213393A1 (en) 2004-03-14 2005-09-29 M-Systems Flash Disk Pioneers, Ltd. States encoding in multi-bit flash cells for optimizing error rate
US7310347B2 (en) * 2004-03-14 2007-12-18 Sandisk, Il Ltd. States encoding in multi-bit flash cells
TWI254947B (en) * 2004-03-28 2006-05-11 Mediatek Inc Data managing method and data access system for storing all management data in a management bank of a non-volatile memory
US7725628B1 (en) 2004-04-20 2010-05-25 Lexar Media, Inc. Direct secondary device interface by a host
TWI249670B (en) * 2004-04-29 2006-02-21 Mediatek Inc System and method capable of sequentially writing a flash memory
US7325090B2 (en) * 2004-04-29 2008-01-29 Sandisk Il Ltd. Refreshing data stored in a flash memory
US7370166B1 (en) 2004-04-30 2008-05-06 Lexar Media, Inc. Secure portable storage device
US8352697B2 (en) * 2004-05-17 2013-01-08 Sandisk Il Ltd. Method of managing files for optimal performance
US7346401B2 (en) * 2004-05-25 2008-03-18 International Business Machines Corporation Systems and methods for providing constrained optimization using adaptive regulatory control
US20080194336A1 (en) * 2004-06-07 2008-08-14 Gagner Mark B Gaming Device with Resources Swapping
US20060004951A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Rudelic John C Method and apparatus to alter code in a memory
KR100568115B1 (ko) * 2004-06-30 2006-04-05 삼성전자주식회사 점진적 머지 방법 및 그것을 이용한 메모리 시스템
US20080195817A1 (en) * 2004-07-08 2008-08-14 Super Talent Electronics, Inc. SD Flash Memory Card Manufacturing Using Rigid-Flex PCB
US7957189B2 (en) * 2004-07-26 2011-06-07 Sandisk Il Ltd. Drift compensation in a flash memory
US7817469B2 (en) * 2004-07-26 2010-10-19 Sandisk Il Ltd. Drift compensation in a flash memory
US8407396B2 (en) * 2004-07-30 2013-03-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Providing block data access for an operating system using solid-state memory
US7386700B2 (en) * 2004-07-30 2008-06-10 Sandisk Il Ltd Virtual-to-physical address translation in a flash file system
US8275969B2 (en) * 2004-08-05 2012-09-25 Sandisk Il Ltd. Storage with persistent user data
US7594063B1 (en) * 2004-08-27 2009-09-22 Lexar Media, Inc. Storage capacity status
US7464306B1 (en) * 2004-08-27 2008-12-09 Lexar Media, Inc. Status of overall health of nonvolatile memory
WO2006026645A2 (en) * 2004-08-30 2006-03-09 Silicon Storage Technology, Inc. Systems and methods for providing nonvolatile memory management in wireless phones
US20060059296A1 (en) * 2004-09-16 2006-03-16 M-Systems Flash Disk Pioneers, Ltd. Emulating small block size of flash memory
US7164611B2 (en) 2004-10-26 2007-01-16 Micron Technology, Inc. Data retention kill function
US7496493B1 (en) * 2004-11-09 2009-02-24 Western Digital Technologies, Inc. External memory device to provide disk device and optical functionality
WO2006063941A2 (en) * 2004-12-14 2006-06-22 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Method and means for an efficient memory usage
EP1672487A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-21 Sony Ericsson Mobile Communications AB Method and means for an efficient memory usage
US7685400B2 (en) * 2004-12-15 2010-03-23 International Business Machines Corporation Storage of data blocks of logical volumes in a virtual disk storage subsystem
US7315916B2 (en) * 2004-12-16 2008-01-01 Sandisk Corporation Scratch pad block
US7366826B2 (en) * 2004-12-16 2008-04-29 Sandisk Corporation Non-volatile memory and method with multi-stream update tracking
US7395404B2 (en) 2004-12-16 2008-07-01 Sandisk Corporation Cluster auto-alignment for storing addressable data packets in a non-volatile memory array
US7412560B2 (en) * 2004-12-16 2008-08-12 Sandisk Corporation Non-volatile memory and method with multi-stream updating
US7386655B2 (en) * 2004-12-16 2008-06-10 Sandisk Corporation Non-volatile memory and method with improved indexing for scratch pad and update blocks
US7149111B2 (en) * 2004-12-17 2006-12-12 Msystems Ltd. Method of handling limitations on the order of writing to a non-volatile memory
US7246195B2 (en) * 2004-12-30 2007-07-17 Intel Corporation Data storage management for flash memory devices
DE102005001038B3 (de) * 2005-01-07 2006-05-04 Hyperstone Ag Verfahren zur Umsetzung von logischen in reale Blockadressen in Flashspeichern
US7308525B2 (en) * 2005-01-10 2007-12-11 Sandisk Il Ltd. Method of managing a multi-bit cell flash memory with improved reliablility and performance
US7426623B2 (en) * 2005-01-14 2008-09-16 Sandisk Il Ltd System and method for configuring flash memory partitions as super-units
US8341371B2 (en) * 2005-01-31 2012-12-25 Sandisk Il Ltd Method of managing copy operations in flash memories
US7877539B2 (en) * 2005-02-16 2011-01-25 Sandisk Corporation Direct data file storage in flash memories
US20060184719A1 (en) * 2005-02-16 2006-08-17 Sinclair Alan W Direct data file storage implementation techniques in flash memories
US9104315B2 (en) * 2005-02-04 2015-08-11 Sandisk Technologies Inc. Systems and methods for a mass data storage system having a file-based interface to a host and a non-file-based interface to secondary storage
US20060184718A1 (en) * 2005-02-16 2006-08-17 Sinclair Alan W Direct file data programming and deletion in flash memories
US8108691B2 (en) * 2005-02-07 2012-01-31 Sandisk Technologies Inc. Methods used in a secure memory card with life cycle phases
US8321686B2 (en) * 2005-02-07 2012-11-27 Sandisk Technologies Inc. Secure memory card with life cycle phases
US8423788B2 (en) * 2005-02-07 2013-04-16 Sandisk Technologies Inc. Secure memory card with life cycle phases
EP1851771A2 (en) * 2005-02-11 2007-11-07 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Nand flash memory system architecture
US7224604B2 (en) * 2005-03-14 2007-05-29 Sandisk Il Ltd. Method of achieving wear leveling in flash memory using relative grades
US7634494B2 (en) * 2005-05-03 2009-12-15 Intel Corporation Flash memory directory virtualization
US7275140B2 (en) * 2005-05-12 2007-09-25 Sandisk Il Ltd. Flash memory management method that is resistant to data corruption by power loss
US7389397B2 (en) * 2005-06-01 2008-06-17 Sandisk Il Ltd Method of storing control information in a large-page flash memory device
US7334725B2 (en) * 2005-06-01 2008-02-26 San Disk Il Ltd. Flash memory device within a business card
JP2006338371A (ja) 2005-06-02 2006-12-14 Toshiba Corp メモリシステム
KR100827227B1 (ko) * 2005-06-24 2008-05-07 삼성전자주식회사 저성능 저장장치의 drm 권리 객체를 효율적으로관리하는 방법 및 장치
US20070005929A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Post Daniel J Method, system, and article of manufacture for sector mapping in a flash device
US7743409B2 (en) * 2005-07-08 2010-06-22 Sandisk Corporation Methods used in a mass storage device with automated credentials loading
US8335920B2 (en) 2005-07-14 2012-12-18 Imation Corp. Recovery of data access for a locked secure storage device
US8321953B2 (en) * 2005-07-14 2012-11-27 Imation Corp. Secure storage device with offline code entry
US8438647B2 (en) 2005-07-14 2013-05-07 Imation Corp. Recovery of encrypted data from a secure storage device
US8015606B1 (en) 2005-07-14 2011-09-06 Ironkey, Inc. Storage device with website trust indication
US20070016721A1 (en) * 2005-07-18 2007-01-18 Wyse Technology Inc. Flash file system power-up by using sequential sector allocation
US7558906B2 (en) 2005-08-03 2009-07-07 Sandisk Corporation Methods of managing blocks in nonvolatile memory
US7409489B2 (en) * 2005-08-03 2008-08-05 Sandisk Corporation Scheduling of reclaim operations in non-volatile memory
US7552271B2 (en) 2005-08-03 2009-06-23 Sandisk Corporation Nonvolatile memory with block management
US7480766B2 (en) * 2005-08-03 2009-01-20 Sandisk Corporation Interfacing systems operating through a logical address space and on a direct data file basis
US7627733B2 (en) * 2005-08-03 2009-12-01 Sandisk Corporation Method and system for dual mode access for storage devices
US7949845B2 (en) * 2005-08-03 2011-05-24 Sandisk Corporation Indexing of file data in reprogrammable non-volatile memories that directly store data files
US7669003B2 (en) * 2005-08-03 2010-02-23 Sandisk Corporation Reprogrammable non-volatile memory systems with indexing of directly stored data files
KR100739722B1 (ko) * 2005-08-20 2007-07-13 삼성전자주식회사 플래시 메모리 관리 방법 및 플래시 메모리 시스템
US7571275B2 (en) * 2005-08-31 2009-08-04 Hamilton Sundstrand Corporation Flash real-time operating system for small embedded applications
US20070067620A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-22 Ironkey, Inc. Systems and methods for third-party authentication
US20070061597A1 (en) * 2005-09-14 2007-03-15 Micky Holtzman Secure yet flexible system architecture for secure devices with flash mass storage memory
US8966284B2 (en) * 2005-09-14 2015-02-24 Sandisk Technologies Inc. Hardware driver integrity check of memory card controller firmware
US8855714B2 (en) 2005-09-14 2014-10-07 Sandisk Il Ltd. Removable media player for mobile phones
US7631245B2 (en) 2005-09-26 2009-12-08 Sandisk Il Ltd. NAND flash memory controller exporting a NAND interface
US8291295B2 (en) * 2005-09-26 2012-10-16 Sandisk Il Ltd. NAND flash memory controller exporting a NAND interface
TWI298836B (en) * 2005-10-12 2008-07-11 Sunplus Technology Co Ltd Apparatus for controlling flash memory and method thereof
US7814262B2 (en) * 2005-10-13 2010-10-12 Sandisk Corporation Memory system storing transformed units of data in fixed sized storage blocks
US7529905B2 (en) 2005-10-13 2009-05-05 Sandisk Corporation Method of storing transformed units of data in a memory system having fixed sized storage blocks
US7681109B2 (en) 2005-10-13 2010-03-16 Ramot At Tel Aviv University Ltd. Method of error correction in MBC flash memory
US7526715B2 (en) * 2005-10-17 2009-04-28 Ramot At Tel Aviv University Ltd. Probabilistic error correction in multi-bit-per-cell flash memory
US7631162B2 (en) 2005-10-27 2009-12-08 Sandisck Corporation Non-volatile memory with adaptive handling of data writes
US7509471B2 (en) * 2005-10-27 2009-03-24 Sandisk Corporation Methods for adaptively handling data writes in non-volatile memories
JP5295778B2 (ja) * 2005-12-09 2013-09-18 サンディスク アイエル リミテッド フラッシュメモリ管理方法
US7877540B2 (en) * 2005-12-13 2011-01-25 Sandisk Corporation Logically-addressed file storage methods
US7769978B2 (en) * 2005-12-21 2010-08-03 Sandisk Corporation Method and system for accessing non-volatile storage devices
EP1966701A2 (en) * 2005-12-21 2008-09-10 Nxp B.V. Memory with block-erasable locations
US7793068B2 (en) * 2005-12-21 2010-09-07 Sandisk Corporation Dual mode access for non-volatile storage devices
US7747837B2 (en) 2005-12-21 2010-06-29 Sandisk Corporation Method and system for accessing non-volatile storage devices
US8266378B1 (en) 2005-12-22 2012-09-11 Imation Corp. Storage device with accessible partitions
US8639873B1 (en) 2005-12-22 2014-01-28 Imation Corp. Detachable storage device with RAM cache
KR100755700B1 (ko) * 2005-12-27 2007-09-05 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리가 캐쉬로 사용되는 저장 장치 및 그 관리방법
US20070147115A1 (en) * 2005-12-28 2007-06-28 Fong-Long Lin Unified memory and controller
US7519754B2 (en) * 2005-12-28 2009-04-14 Silicon Storage Technology, Inc. Hard disk drive cache memory and playback device
FR2895828B1 (fr) * 2006-01-03 2008-05-30 Thales Sa Procede de gestion de donnees destinees a etre ecrites et lues dans une memoire
US7512847B2 (en) * 2006-02-10 2009-03-31 Sandisk Il Ltd. Method for estimating and reporting the life expectancy of flash-disk memory
US8848442B2 (en) * 2006-03-06 2014-09-30 Sandisk Il Ltd. Multi-bit-per-cell flash memory device with non-bijective mapping
US7388781B2 (en) * 2006-03-06 2008-06-17 Sandisk Il Ltd. Multi-bit-per-cell flash memory device with non-bijective mapping
US8645793B2 (en) * 2008-06-03 2014-02-04 Marvell International Ltd. Statistical tracking for flash memory
US7823043B2 (en) * 2006-05-10 2010-10-26 Sandisk Il Ltd. Corruption-resistant data porting with multiple error correction schemes
US8042029B2 (en) * 2006-05-21 2011-10-18 Ramot At Tel Aviv University Ltd. Error correction decoding by trial and error
US7583545B2 (en) * 2006-05-21 2009-09-01 Sandisk Il Ltd Method of storing data in a multi-bit-cell flash memory
US7711890B2 (en) * 2006-06-06 2010-05-04 Sandisk Il Ltd Cache control in a non-volatile memory device
US20070300031A1 (en) * 2006-06-22 2007-12-27 Ironkey, Inc. Memory data shredder
US8307148B2 (en) 2006-06-23 2012-11-06 Microsoft Corporation Flash management techniques
US7533328B2 (en) * 2006-07-04 2009-05-12 Sandisk Il, Ltd. Method of error correction in a multi-bit-per-cell flash memory
KR100764052B1 (ko) 2006-08-03 2007-10-08 삼성전자주식회사 유동적 어드레스 바운더리를 갖는 플래시 메모리 장치 및그것의 프로그램 방법
US20080046630A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Sandisk Il Ltd. NAND flash memory controller exporting a logical sector-based interface
US20080046641A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Sandisk Il Ltd. NAND flash memory controller exporting a logical sector-based interface
US20080072058A1 (en) * 2006-08-24 2008-03-20 Yoram Cedar Methods in a reader for one time password generating device
US20080052524A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Yoram Cedar Reader for one time password generating device
WO2008026466A1 (fr) * 2006-08-31 2008-03-06 Sharp Kabushiki Kaisha Système de fichiers
KR100802059B1 (ko) * 2006-09-06 2008-02-12 삼성전자주식회사 읽기 디스터브로 인한 배드 블록의 생성을 억제할 수 있는메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
US7716538B2 (en) * 2006-09-27 2010-05-11 Sandisk Corporation Memory with cell population distribution assisted read margining
US7886204B2 (en) * 2006-09-27 2011-02-08 Sandisk Corporation Methods of cell population distribution assisted read margining
US8949555B1 (en) 2007-08-30 2015-02-03 Virident Systems, Inc. Methods for sustained read and write performance with non-volatile memory
US8074022B2 (en) * 2006-09-28 2011-12-06 Virident Systems, Inc. Programmable heterogeneous memory controllers for main memory with different memory modules
US7761625B2 (en) * 2006-09-28 2010-07-20 Virident Systems, Inc. Methods for main memory with non-volatile type memory modules, and related technologies
US7761626B2 (en) * 2006-09-28 2010-07-20 Virident Systems, Inc. Methods for main memory in a system with a memory controller configured to control access to non-volatile memory, and related technologies
US7761623B2 (en) * 2006-09-28 2010-07-20 Virident Systems, Inc. Main memory in a system with a memory controller configured to control access to non-volatile memory, and related technologies
US7761624B2 (en) * 2006-09-28 2010-07-20 Virident Systems, Inc. Systems and apparatus for main memory with non-volatile type memory modules, and related technologies
US8051253B2 (en) * 2006-09-28 2011-11-01 Virident Systems, Inc. Systems and apparatus with programmable memory control for heterogeneous main memory
US20080082750A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Okin Kenneth A Methods of communicating to, memory modules in a memory channel
US9984012B2 (en) 2006-09-28 2018-05-29 Virident Systems, Llc Read writeable randomly accessible non-volatile memory modules
KR100849221B1 (ko) 2006-10-19 2008-07-31 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리의 관리 방법 및 비휘발성 메모리 기반의장치
KR100771519B1 (ko) * 2006-10-23 2007-10-30 삼성전자주식회사 플래시 메모리를 포함한 메모리 시스템 및 그것의 머지방법
WO2008051940A2 (en) 2006-10-23 2008-05-02 Virident Systems, Inc. Methods and apparatus of dual inline memory modules for flash memory
US7814263B2 (en) * 2006-10-26 2010-10-12 Sandisk Il Ltd. Erase history-based flash writing method
KR100789406B1 (ko) 2006-11-03 2007-12-28 삼성전자주식회사 플래시 메모리 시스템 및 그것의 가비지 컬렉션 방법
US7818489B2 (en) * 2006-11-04 2010-10-19 Virident Systems Inc. Integrating data from symmetric and asymmetric memory
KR100816761B1 (ko) * 2006-12-04 2008-03-25 삼성전자주식회사 낸드 플래시 메모리 및 에스램/노어 플래시 메모리를포함하는 메모리 카드 및 그것의 데이터 저장 방법
US9116823B2 (en) 2006-12-06 2015-08-25 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Systems and methods for adaptive error-correction coding
US8935302B2 (en) 2006-12-06 2015-01-13 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Apparatus, system, and method for data block usage information synchronization for a non-volatile storage volume
US9495241B2 (en) 2006-12-06 2016-11-15 Longitude Enterprise Flash S.A.R.L. Systems and methods for adaptive data storage
US8489817B2 (en) 2007-12-06 2013-07-16 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for caching data
US8151082B2 (en) * 2007-12-06 2012-04-03 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for converting a storage request into an append data storage command
US8443134B2 (en) * 2006-12-06 2013-05-14 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for graceful cache device degradation
KR101490327B1 (ko) 2006-12-06 2015-02-05 퓨전-아이오, 인크. 뱅크 인터리브를 이용한 솔리드-스테이트 스토리지의 명령 관리 장치, 시스템 및 방법
US9104599B2 (en) 2007-12-06 2015-08-11 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Apparatus, system, and method for destaging cached data
US8161353B2 (en) * 2007-12-06 2012-04-17 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for validating that a correct data segment is read from a data storage device
US8706968B2 (en) * 2007-12-06 2014-04-22 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for redundant write caching
KR100845552B1 (ko) 2006-12-18 2008-07-10 (재)대구경북과학기술연구원 Ftl의 어드레스 매핑 방법
US7814401B2 (en) * 2006-12-21 2010-10-12 Ramot At Tel Aviv University Ltd. Soft decoding of hard and soft bits read from a flash memory
US8370561B2 (en) * 2006-12-24 2013-02-05 Sandisk Il Ltd. Randomizing for suppressing errors in a flash memory
US8127200B2 (en) * 2006-12-24 2012-02-28 Sandisk Il Ltd. Flash memory device and system with randomizing for suppressing errors
US8423794B2 (en) * 2006-12-28 2013-04-16 Sandisk Technologies Inc. Method and apparatus for upgrading a memory card that has security mechanisms for preventing copying of secure content and applications
US8885384B2 (en) 2007-01-11 2014-11-11 Chengdu Haicun Ip Technology Llc Mask-programmed read-only memory with reserved space
KR100885181B1 (ko) 2007-02-06 2009-02-23 삼성전자주식회사 그룹 맵핑 동작을 수행하는 메모리 시스템 및 그것의어드레스 맵핑 방법
US7966355B2 (en) * 2007-02-13 2011-06-21 Modu Ltd. Interface for extending functionality of memory cards
US8370562B2 (en) * 2007-02-25 2013-02-05 Sandisk Il Ltd. Interruptible cache flushing in flash memory systems
US20080222349A1 (en) * 2007-03-07 2008-09-11 Ocz Technology Group Inc. Ieee 1394 interface-based flash drive using multilevel cell flash memory devices
CN100461134C (zh) * 2007-03-27 2009-02-11 华为技术有限公司 一种外部存储器控制器及基于外部存储器控制器的地址变换的方法
US7477547B2 (en) * 2007-03-28 2009-01-13 Sandisk Corporation Flash memory refresh techniques triggered by controlled scrub data reads
US7573773B2 (en) * 2007-03-28 2009-08-11 Sandisk Corporation Flash memory with data refresh triggered by controlled scrub data reads
JP4636046B2 (ja) * 2007-03-29 2011-02-23 Tdk株式会社 メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法
US7808834B1 (en) 2007-04-13 2010-10-05 Marvell International Ltd. Incremental memory refresh
US7689762B2 (en) * 2007-05-03 2010-03-30 Atmel Corporation Storage device wear leveling
US8254134B2 (en) 2007-05-03 2012-08-28 Super Talent Electronics, Inc. Molded memory card with write protection switch assembly
US7850468B2 (en) 2007-06-28 2010-12-14 Super Talent Electronics, Inc. Lipstick-type USB device
US7789680B2 (en) * 2007-07-05 2010-09-07 Super Talent Electronics, Inc. USB device with connected cap
US8102658B2 (en) * 2007-07-05 2012-01-24 Super Talent Electronics, Inc. Micro-SD to secure digital adaptor card and manufacturing method
CN101094183B (zh) * 2007-07-25 2011-12-07 杭州华三通信技术有限公司 一种缓存管理方法及装置
US8031526B1 (en) 2007-08-23 2011-10-04 Marvell International Ltd. Write pre-compensation for nonvolatile memory
US7944702B2 (en) 2007-08-27 2011-05-17 Super Talent Electronics, Inc. Press-push flash drive apparatus with metal tubular casing and snap-coupled plastic sleeve
US8189381B1 (en) 2007-08-28 2012-05-29 Marvell International Ltd. System and method for reading flash memory cells
US8085605B2 (en) 2007-08-29 2011-12-27 Marvell World Trade Ltd. Sequence detection for flash memory with inter-cell interference
US9921896B2 (en) 2007-08-30 2018-03-20 Virident Systems, Llc Shutdowns and data recovery to avoid read errors weak pages in a non-volatile memory system
JP4746598B2 (ja) * 2007-09-28 2011-08-10 株式会社東芝 半導体記憶装置
US7970983B2 (en) * 2007-10-14 2011-06-28 Sandisk Il Ltd. Identity-based flash management
US8024545B2 (en) 2007-10-19 2011-09-20 Inha-Industry Partnership Institute Efficient prefetching and asynchronous writing for flash memory
US8241047B2 (en) * 2007-10-30 2012-08-14 Super Talent Electronics, Inc. Flash drive with spring-loaded swivel connector
US20090138673A1 (en) * 2007-11-28 2009-05-28 Apple Inc. Internal memory mapped external memory interface
US8116083B2 (en) * 2007-12-04 2012-02-14 Super Talent Electronics, Inc. Lipstick-type USB device with tubular housing
US8195912B2 (en) * 2007-12-06 2012-06-05 Fusion-io, Inc Apparatus, system, and method for efficient mapping of virtual and physical addresses
US9519540B2 (en) 2007-12-06 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc Apparatus, system, and method for destaging cached data
US7836226B2 (en) 2007-12-06 2010-11-16 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for coordinating storage requests in a multi-processor/multi-thread environment
US8316277B2 (en) * 2007-12-06 2012-11-20 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for ensuring data validity in a data storage process
US8762620B2 (en) 2007-12-27 2014-06-24 Sandisk Enterprise Ip Llc Multiprocessor storage controller
KR101386489B1 (ko) * 2008-01-14 2014-04-21 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 멀티 비트 프로그래밍 방법
US8892831B2 (en) 2008-01-16 2014-11-18 Apple Inc. Memory subsystem hibernation
US8417893B2 (en) 2008-02-04 2013-04-09 Apple Inc. Memory mapping techniques
US9251899B2 (en) * 2008-02-12 2016-02-02 Virident Systems, Inc. Methods for upgrading main memory in computer systems to two-dimensional memory modules and master memory controllers
US8856464B2 (en) * 2008-02-12 2014-10-07 Virident Systems, Inc. Systems for two-dimensional main memory including memory modules with read-writeable non-volatile memory devices
EP2309392A1 (en) 2008-02-29 2011-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
KR101437123B1 (ko) * 2008-04-01 2014-09-02 삼성전자 주식회사 메모리 시스템 및 그것의 마모도 관리 방법
WO2009124320A1 (en) * 2008-04-05 2009-10-08 Fusion Multisystems, Inc. Apparatus, system, and method for bad block remapping
US20100017558A1 (en) * 2008-04-11 2010-01-21 Richard Matthew Fruin Memory device operable in read-only and re-writable modes of operation
CA2629960C (en) * 2008-04-28 2009-12-08 Westport Power Inc. Apparatus and method for improving the accuracy of measurements taken with a capacitance-type sensor
WO2009137371A2 (en) * 2008-05-02 2009-11-12 Ironkey, Inc. Enterprise device recovery
KR20110050404A (ko) * 2008-05-16 2011-05-13 퓨전-아이오, 인크. 결함 있는 데이터 저장소를 검출하고 교체하는 장치, 시스템 및 프로그램 제품
JP2009282678A (ja) * 2008-05-21 2009-12-03 Hitachi Ltd フラッシュメモリモジュール及びストレージシステム
KR101497074B1 (ko) * 2008-06-17 2015-03-05 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 데이터 관리 방법
US9513695B2 (en) 2008-06-24 2016-12-06 Virident Systems, Inc. Methods of managing power in network computer systems
US8521967B1 (en) 2008-06-24 2013-08-27 Virident Systems, Inc. Network computing systems having shared memory clouds with addresses of disk-read-only memories mapped into processor address spaces
TWI370969B (en) 2008-07-09 2012-08-21 Phison Electronics Corp Data accessing method, and storage system and controller using the same
US8417902B2 (en) * 2008-08-05 2013-04-09 Atmel Corporation One-time-programmable memory emulation
JP4909963B2 (ja) * 2008-09-09 2012-04-04 株式会社東芝 統合メモリ管理装置
US7962801B2 (en) * 2008-10-15 2011-06-14 Silicon Motion, Inc. Link table recovery method
KR101510120B1 (ko) * 2008-11-21 2015-04-10 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 장치의 관리 방법
US8316201B2 (en) * 2008-12-18 2012-11-20 Sandisk Il Ltd. Methods for executing a command to write data from a source location to a destination location in a memory device
US9612954B2 (en) 2008-12-31 2017-04-04 Micron Technology, Inc. Recovery for non-volatile memory after power loss
US8589700B2 (en) * 2009-03-04 2013-11-19 Apple Inc. Data whitening for writing and reading data to and from a non-volatile memory
US20100228906A1 (en) * 2009-03-06 2010-09-09 Arunprasad Ramiya Mothilal Managing Data in a Non-Volatile Memory System
US8176295B2 (en) 2009-04-20 2012-05-08 Imation Corp. Logical-to-physical address translation for a removable data storage device
US8065469B2 (en) * 2009-04-20 2011-11-22 Imation Corp. Static wear leveling
TWI457940B (zh) * 2009-05-15 2014-10-21 Macronix Int Co Ltd 區塊為基礎快閃記憶體之位元組存取
US8281227B2 (en) 2009-05-18 2012-10-02 Fusion-10, Inc. Apparatus, system, and method to increase data integrity in a redundant storage system
US8307258B2 (en) 2009-05-18 2012-11-06 Fusion-10, Inc Apparatus, system, and method for reconfiguring an array to operate with less storage elements
US8516219B2 (en) 2009-07-24 2013-08-20 Apple Inc. Index cache tree
US8468293B2 (en) 2009-07-24 2013-06-18 Apple Inc. Restore index page
US8745365B2 (en) * 2009-08-06 2014-06-03 Imation Corp. Method and system for secure booting a computer by booting a first operating system from a secure peripheral device and launching a second operating system stored a secure area in the secure peripheral device on the first operating system
US8683088B2 (en) 2009-08-06 2014-03-25 Imation Corp. Peripheral device data integrity
US20110040924A1 (en) * 2009-08-11 2011-02-17 Selinger Robert D Controller and Method for Detecting a Transmission Error Over a NAND Interface Using Error Detection Code
US20110041039A1 (en) * 2009-08-11 2011-02-17 Eliyahou Harari Controller and Method for Interfacing Between a Host Controller in a Host and a Flash Memory Device
US8612718B2 (en) * 2009-08-19 2013-12-17 Seagate Technology Llc Mapping alignment
US20110055471A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-03 Jonathan Thatcher Apparatus, system, and method for improved data deduplication
US8688894B2 (en) * 2009-09-03 2014-04-01 Pioneer Chip Technology Ltd. Page based management of flash storage
JP5999645B2 (ja) 2009-09-08 2016-10-05 ロンギチュード エンタープライズ フラッシュ エスエイアールエル ソリッドステート記憶デバイス上にデータをキャッシングするための装置、システム、および方法
US8601222B2 (en) 2010-05-13 2013-12-03 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for conditional and atomic storage operations
EP2476039B1 (en) 2009-09-09 2016-10-26 SanDisk Technologies LLC Apparatus, system, and method for power reduction management in a storage device
US9122579B2 (en) 2010-01-06 2015-09-01 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Apparatus, system, and method for a storage layer
EP2476079A4 (en) * 2009-09-09 2013-07-03 Fusion Io Inc APPARATUS, SYSTEM, AND METHOD FOR STORAGE ALLOCATION
US9223514B2 (en) 2009-09-09 2015-12-29 SanDisk Technologies, Inc. Erase suspend/resume for memory
US8255655B2 (en) 2009-10-02 2012-08-28 Sandisk Technologies Inc. Authentication and securing of write-once, read-many (WORM) memory devices
US8489803B2 (en) * 2009-12-14 2013-07-16 Smsc Holdings S.A.R.L. Efficient use of flash memory in flash drives
US8443263B2 (en) 2009-12-30 2013-05-14 Sandisk Technologies Inc. Method and controller for performing a copy-back operation
US8595411B2 (en) 2009-12-30 2013-11-26 Sandisk Technologies Inc. Method and controller for performing a sequence of commands
US9396104B1 (en) 2010-03-22 2016-07-19 Seagate Technology, Llc Accessing compressed data of varying-sized quanta in non-volatile memory
US8416624B2 (en) 2010-05-21 2013-04-09 SanDisk Technologies, Inc. Erase and programming techniques to reduce the widening of state distributions in non-volatile memories
KR20120003283A (ko) * 2010-07-02 2012-01-10 삼성전자주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 배드 블록 관리 방법
US8725934B2 (en) 2011-12-22 2014-05-13 Fusion-Io, Inc. Methods and appratuses for atomic storage operations
US10013354B2 (en) 2010-07-28 2018-07-03 Sandisk Technologies Llc Apparatus, system, and method for atomic storage operations
US8984216B2 (en) 2010-09-09 2015-03-17 Fusion-Io, Llc Apparatus, system, and method for managing lifetime of a storage device
US8452914B2 (en) * 2010-11-26 2013-05-28 Htc Corporation Electronic devices with improved flash memory compatibility and methods corresponding thereto
US9218278B2 (en) 2010-12-13 2015-12-22 SanDisk Technologies, Inc. Auto-commit memory
US10817421B2 (en) 2010-12-13 2020-10-27 Sandisk Technologies Llc Persistent data structures
US9047178B2 (en) 2010-12-13 2015-06-02 SanDisk Technologies, Inc. Auto-commit memory synchronization
US9208071B2 (en) 2010-12-13 2015-12-08 SanDisk Technologies, Inc. Apparatus, system, and method for accessing memory
CN103262054B (zh) 2010-12-13 2015-11-25 桑迪士克科技股份有限公司 用于自动提交存储器的装置、系统和方法
US10817502B2 (en) 2010-12-13 2020-10-27 Sandisk Technologies Llc Persistent memory management
WO2012083308A2 (en) 2010-12-17 2012-06-21 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for persistent data management on a non-volatile storage media
DE102010063773A1 (de) * 2010-12-21 2012-07-12 Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co. Kg Feldgerät mit einem semi-permanenten elektronischen Speicher und Verfahren zum Betreiben eines solchen Feldgerätes
US9213594B2 (en) 2011-01-19 2015-12-15 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Apparatus, system, and method for managing out-of-service conditions
CN102609214A (zh) * 2011-01-21 2012-07-25 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 将biosrom模拟成磁盘的的系统及方法
US9092337B2 (en) 2011-01-31 2015-07-28 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Apparatus, system, and method for managing eviction of data
US8874823B2 (en) 2011-02-15 2014-10-28 Intellectual Property Holdings 2 Llc Systems and methods for managing data input/output operations
US9003104B2 (en) 2011-02-15 2015-04-07 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Systems and methods for a file-level cache
US9201677B2 (en) 2011-05-23 2015-12-01 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Managing data input/output operations
WO2012116369A2 (en) 2011-02-25 2012-08-30 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for managing contents of a cache
US9563555B2 (en) 2011-03-18 2017-02-07 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for storage allocation
WO2012129191A2 (en) 2011-03-18 2012-09-27 Fusion-Io, Inc. Logical interfaces for contextual storage
JP2012203443A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Toshiba Corp メモリシステムおよびメモリシステムの制御方法
JP2012226822A (ja) 2011-04-15 2012-11-15 Samsung Electronics Co Ltd 不揮発性メモリ装置
US20120317377A1 (en) * 2011-06-09 2012-12-13 Alexander Palay Dual flash translation layer
TWI521343B (zh) 2011-08-01 2016-02-11 Toshiba Kk An information processing device, a semiconductor memory device, and a semiconductor memory device
US8687421B2 (en) 2011-11-21 2014-04-01 Sandisk Technologies Inc. Scrub techniques for use with dynamic read
US9274937B2 (en) 2011-12-22 2016-03-01 Longitude Enterprise Flash S.A.R.L. Systems, methods, and interfaces for vector input/output operations
US9251052B2 (en) 2012-01-12 2016-02-02 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Systems and methods for profiling a non-volatile cache having a logical-to-physical translation layer
US10102117B2 (en) 2012-01-12 2018-10-16 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for cache and storage device coordination
US9767032B2 (en) 2012-01-12 2017-09-19 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for cache endurance
US9251086B2 (en) 2012-01-24 2016-02-02 SanDisk Technologies, Inc. Apparatus, system, and method for managing a cache
US10359972B2 (en) 2012-08-31 2019-07-23 Sandisk Technologies Llc Systems, methods, and interfaces for adaptive persistence
US9116812B2 (en) 2012-01-27 2015-08-25 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Systems and methods for a de-duplication cache
US10019353B2 (en) 2012-03-02 2018-07-10 Longitude Enterprise Flash S.A.R.L. Systems and methods for referencing data on a storage medium
US8629689B1 (en) * 2012-05-18 2014-01-14 Altera Corporation Integrated circuit with improved interconnect routing and associated methods
US8996957B1 (en) 2012-05-22 2015-03-31 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for initializing regions of a flash drive having diverse error correction coding (ECC) schemes
US9176812B1 (en) 2012-05-22 2015-11-03 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for storing data in page stripes of a flash drive
US9047214B1 (en) 2012-05-22 2015-06-02 Pmc-Sierra, Inc. System and method for tolerating a failed page in a flash device
US9021337B1 (en) 2012-05-22 2015-04-28 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for adaptively selecting among different error correction coding schemes in a flash drive
US8793556B1 (en) 2012-05-22 2014-07-29 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for reclaiming flash blocks of a flash drive
US9021336B1 (en) 2012-05-22 2015-04-28 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for redundantly storing error correction codes in a flash drive with secondary parity information spread out across each page of a group of pages
US9021333B1 (en) 2012-05-22 2015-04-28 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for recovering data from failed portions of a flash drive
US8972824B1 (en) 2012-05-22 2015-03-03 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for transparently varying error correction code strength in a flash drive
US9183085B1 (en) 2012-05-22 2015-11-10 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for adaptively selecting from among a plurality of error correction coding schemes in a flash drive for robustness and low latency
US8788910B1 (en) 2012-05-22 2014-07-22 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for low latency, high reliability error correction in a flash drive
US20130326114A1 (en) * 2012-05-30 2013-12-05 Seagate Technology Llc Write mitigation through fast reject processing
US9128820B1 (en) 2012-06-18 2015-09-08 Western Digital Technologies, Inc. File management among different zones of storage media
KR102147359B1 (ko) 2012-06-29 2020-08-24 삼성전자 주식회사 비휘발성 메모리 장치의 관리 방법 및 비휘발성 메모리 장치
US9612966B2 (en) 2012-07-03 2017-04-04 Sandisk Technologies Llc Systems, methods and apparatus for a virtual machine cache
US10339056B2 (en) 2012-07-03 2019-07-02 Sandisk Technologies Llc Systems, methods and apparatus for cache transfers
US9064575B2 (en) 2012-08-03 2015-06-23 Micron Technology, Inc. Determining whether a memory cell state is in a valley between adjacent data states
US9699263B1 (en) 2012-08-17 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc. Automatic read and write acceleration of data accessed by virtual machines
US10318495B2 (en) 2012-09-24 2019-06-11 Sandisk Technologies Llc Snapshots for a non-volatile device
US10509776B2 (en) 2012-09-24 2019-12-17 Sandisk Technologies Llc Time sequence data management
US9733907B2 (en) 2012-10-30 2017-08-15 Oracle International Corporation System and method for testing compiler implementation using dynamic combinatorial test generation
US9612948B2 (en) 2012-12-27 2017-04-04 Sandisk Technologies Llc Reads and writes between a contiguous data block and noncontiguous sets of logical address blocks in a persistent storage device
US9454420B1 (en) 2012-12-31 2016-09-27 Sandisk Technologies Llc Method and system of reading threshold voltage equalization
US9652376B2 (en) 2013-01-28 2017-05-16 Radian Memory Systems, Inc. Cooperative flash memory control
US9870830B1 (en) 2013-03-14 2018-01-16 Sandisk Technologies Llc Optimal multilevel sensing for reading data from a storage medium
US9478271B2 (en) * 2013-03-14 2016-10-25 Seagate Technology Llc Nonvolatile memory data recovery after power failure
US9053012B1 (en) 2013-03-15 2015-06-09 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for storing data for solid-state memory
US9026867B1 (en) 2013-03-15 2015-05-05 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for adapting to changing characteristics of multi-level cells in solid-state memory
US9081701B1 (en) 2013-03-15 2015-07-14 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for decoding data for solid-state memory
US9208018B1 (en) 2013-03-15 2015-12-08 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for reclaiming memory for solid-state memory
US9009565B1 (en) 2013-03-15 2015-04-14 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for mapping for solid-state memory
US9842053B2 (en) 2013-03-15 2017-12-12 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for persistent cache logging
US9558108B2 (en) 2013-04-15 2017-01-31 Macronix International Co., Ltd. Half block management for flash storage devices
US10558561B2 (en) 2013-04-16 2020-02-11 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for storage metadata management
US10102144B2 (en) 2013-04-16 2018-10-16 Sandisk Technologies Llc Systems, methods and interfaces for data virtualization
CN103324553B (zh) * 2013-06-21 2016-08-24 华为技术有限公司 数据恢复方法、系统及装置
US9524235B1 (en) 2013-07-25 2016-12-20 Sandisk Technologies Llc Local hash value generation in non-volatile data storage systems
US9842128B2 (en) 2013-08-01 2017-12-12 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for atomic storage operations
US9639463B1 (en) 2013-08-26 2017-05-02 Sandisk Technologies Llc Heuristic aware garbage collection scheme in storage systems
US9442662B2 (en) 2013-10-18 2016-09-13 Sandisk Technologies Llc Device and method for managing die groups
US10019320B2 (en) 2013-10-18 2018-07-10 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for distributed atomic storage operations
US10019352B2 (en) 2013-10-18 2018-07-10 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for adaptive reserve storage
US9436831B2 (en) 2013-10-30 2016-09-06 Sandisk Technologies Llc Secure erase in a memory device
US10073630B2 (en) 2013-11-08 2018-09-11 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for log coordination
US9703816B2 (en) 2013-11-19 2017-07-11 Sandisk Technologies Llc Method and system for forward reference logging in a persistent datastore
US9520197B2 (en) 2013-11-22 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc Adaptive erase of a storage device
US9520162B2 (en) 2013-11-27 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc DIMM device controller supervisor
US9582058B2 (en) 2013-11-29 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Power inrush management of storage devices
CN103713857B (zh) * 2013-12-24 2017-06-27 华为技术有限公司 存储数据的方法及存储装置
US9703636B2 (en) 2014-03-01 2017-07-11 Sandisk Technologies Llc Firmware reversion trigger and control
US9230689B2 (en) 2014-03-17 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Finding read disturbs on non-volatile memories
US9448876B2 (en) 2014-03-19 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Fault detection and prediction in storage devices
US9454448B2 (en) 2014-03-19 2016-09-27 Sandisk Technologies Llc Fault testing in storage devices
US9626399B2 (en) 2014-03-31 2017-04-18 Sandisk Technologies Llc Conditional updates for reducing frequency of data modification operations
US9626400B2 (en) 2014-03-31 2017-04-18 Sandisk Technologies Llc Compaction of information in tiered data structure
US9697267B2 (en) 2014-04-03 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Methods and systems for performing efficient snapshots in tiered data structures
US10656840B2 (en) 2014-05-30 2020-05-19 Sandisk Technologies Llc Real-time I/O pattern recognition to enhance performance and endurance of a storage device
US9703491B2 (en) 2014-05-30 2017-07-11 Sandisk Technologies Llc Using history of unaligned writes to cache data and avoid read-modify-writes in a non-volatile storage device
US10146448B2 (en) 2014-05-30 2018-12-04 Sandisk Technologies Llc Using history of I/O sequences to trigger cached read ahead in a non-volatile storage device
US10162748B2 (en) 2014-05-30 2018-12-25 Sandisk Technologies Llc Prioritizing garbage collection and block allocation based on I/O history for logical address regions
US10656842B2 (en) 2014-05-30 2020-05-19 Sandisk Technologies Llc Using history of I/O sizes and I/O sequences to trigger coalesced writes in a non-volatile storage device
US10114557B2 (en) 2014-05-30 2018-10-30 Sandisk Technologies Llc Identification of hot regions to enhance performance and endurance of a non-volatile storage device
US10372613B2 (en) 2014-05-30 2019-08-06 Sandisk Technologies Llc Using sub-region I/O history to cache repeatedly accessed sub-regions in a non-volatile storage device
US9652381B2 (en) 2014-06-19 2017-05-16 Sandisk Technologies Llc Sub-block garbage collection
US9443601B2 (en) 2014-09-08 2016-09-13 Sandisk Technologies Llc Holdup capacitor energy harvesting
US10552085B1 (en) 2014-09-09 2020-02-04 Radian Memory Systems, Inc. Techniques for directed data migration
US9542118B1 (en) 2014-09-09 2017-01-10 Radian Memory Systems, Inc. Expositive flash memory control
US10114562B2 (en) 2014-09-16 2018-10-30 Sandisk Technologies Llc Adaptive block allocation in nonvolatile memory
US9552171B2 (en) 2014-10-29 2017-01-24 Sandisk Technologies Llc Read scrub with adaptive counter management
US9978456B2 (en) 2014-11-17 2018-05-22 Sandisk Technologies Llc Techniques for reducing read disturb in partially written blocks of non-volatile memory
US9349479B1 (en) 2014-11-18 2016-05-24 Sandisk Technologies Inc. Boundary word line operation in nonvolatile memory
US9627072B2 (en) 2014-11-25 2017-04-18 Macronix International Co., Ltd. Variant operation sequences for multibit memory
US9449700B2 (en) 2015-02-13 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Boundary word line search and open block read methods with reduced read disturb
US9946607B2 (en) 2015-03-04 2018-04-17 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for storage error management
US10009438B2 (en) 2015-05-20 2018-06-26 Sandisk Technologies Llc Transaction log acceleration
US10185513B1 (en) 2015-06-05 2019-01-22 Life365, Inc. Device configured for dynamic software change
CN106547480B (zh) * 2015-09-17 2019-04-12 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置及其数据读取方法
US9653154B2 (en) 2015-09-21 2017-05-16 Sandisk Technologies Llc Write abort detection for multi-state memories
US20170168956A1 (en) * 2015-12-15 2017-06-15 Facebook, Inc. Block cache staging in content delivery network caching system
US10185666B2 (en) 2015-12-15 2019-01-22 Facebook, Inc. Item-wise simulation in a block cache where data eviction places data into comparable score in comparable section in the block cache
US10126962B2 (en) 2016-04-22 2018-11-13 Microsoft Technology Licensing, Llc Adapted block translation table (BTT)
US9817593B1 (en) 2016-07-11 2017-11-14 Sandisk Technologies Llc Block management in non-volatile memory system with non-blocking control sync system
US9881682B1 (en) 2016-11-23 2018-01-30 Seagate Technology Llc Fine grained data retention monitoring in solid state drives
CN108733576B (zh) * 2017-04-20 2022-12-09 得一微电子股份有限公司 一种固态硬盘及其内存转换层对映方法
US10318416B2 (en) * 2017-05-18 2019-06-11 Nxp B.V. Method and system for implementing a non-volatile counter using non-volatile memory
IT201700057287A1 (it) * 2017-05-26 2018-11-26 St Microelectronics Srl Procedimento per gestire schede a circuito integrato, scheda ed apparecchiatura corrispondenti
KR102521746B1 (ko) 2017-12-18 2023-04-13 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치의 주소 맵핑을 관리하는 반도체 장치 및 이를 포함하는 데이터 저장 장치
KR20190120573A (ko) * 2018-04-16 2019-10-24 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템, 데이터 처리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
JP2021023748A (ja) * 2019-08-09 2021-02-22 株式会社島津製作所 X線透視撮影装置
US11586385B1 (en) 2020-05-06 2023-02-21 Radian Memory Systems, Inc. Techniques for managing writes in nonvolatile memory
US12007900B2 (en) * 2022-07-08 2024-06-11 Realtek Semiconductor Corp. Data accessing method and data accessing system capable of providing high data accessing performance and low memory utilization

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0271342A (ja) * 1988-09-07 1990-03-09 Oki Electric Ind Co Ltd メモリ管理装置
JPH0314042A (ja) * 1989-06-13 1991-01-22 Fujitsu Ltd データベースにおける資源管理方式
JPH04137077A (ja) * 1990-09-28 1992-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム
GB2251323A (en) * 1990-12-31 1992-07-01 Intel Corp Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory
JPH0527924A (ja) * 1991-07-12 1993-02-05 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
JPH05282880A (ja) * 1992-01-10 1993-10-29 Toshiba Corp 半導体ディスク装置
JPH0695955A (ja) * 1992-09-09 1994-04-08 Ricoh Co Ltd フラッシュ・ファイル・システム
JPH06124596A (ja) * 1991-11-28 1994-05-06 Hitachi Ltd フラッシュメモリを使用した記憶装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4511964A (en) * 1982-11-12 1985-04-16 Hewlett-Packard Company Dynamic physical memory mapping and management of independent programming environments
EP0473767A1 (en) * 1990-03-23 1992-03-11 Eastman Kodak Company Virtual memory management and allocation arrangement for digital data processing system
US5193184A (en) * 1990-06-18 1993-03-09 Storage Technology Corporation Deleted data file space release system for a dynamically mapped virtual data storage subsystem
US5210866A (en) * 1990-09-12 1993-05-11 Storage Technology Corporation Incremental disk backup system for a dynamically mapped data storage subsystem

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0271342A (ja) * 1988-09-07 1990-03-09 Oki Electric Ind Co Ltd メモリ管理装置
JPH0314042A (ja) * 1989-06-13 1991-01-22 Fujitsu Ltd データベースにおける資源管理方式
JPH04137077A (ja) * 1990-09-28 1992-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム
GB2251323A (en) * 1990-12-31 1992-07-01 Intel Corp Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory
JPH0527924A (ja) * 1991-07-12 1993-02-05 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
JPH06124596A (ja) * 1991-11-28 1994-05-06 Hitachi Ltd フラッシュメモリを使用した記憶装置
JPH05282880A (ja) * 1992-01-10 1993-10-29 Toshiba Corp 半導体ディスク装置
JPH0695955A (ja) * 1992-09-09 1994-04-08 Ricoh Co Ltd フラッシュ・ファイル・システム

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11203191A (ja) * 1997-11-13 1999-07-30 Seiko Epson Corp 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶装置の制御方法、および、不揮発性記憶装置を制御するプログラムを記録した情報記録媒体
JP3680142B2 (ja) * 1997-12-05 2005-08-10 東京エレクトロンデバイス株式会社 記憶装置及びアクセス方法
JP2007200351A (ja) * 1999-04-05 2007-08-09 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd ユニバーサル・シリアル・バスに基づくpcフラッシュディスクのためのアーキテクチャ
USRE42443E1 (en) 1999-04-05 2011-06-07 Sandisk Il Ltd. Architecture for a universal serial bus-based PC flash disk
USRE44641E1 (en) 1999-04-05 2013-12-10 Sandisk Il, Ltd USB flash memory device with integrated USB controller
USRE44653E1 (en) 1999-04-05 2013-12-17 Sandisk Il, Ltd USB flash memory device with integral memory technology driver
JP2004151939A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 記憶装置
JP2008538831A (ja) * 2005-04-14 2008-11-06 サンディスク アイエル リミテッド コンテンツ配布システム
JP4699514B2 (ja) * 2005-04-14 2011-06-15 サンディスク アイエル リミテッド コンテンツ配布システム

Also Published As

Publication number Publication date
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DE69414556T2 (de) 1999-05-06
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KR960701402A (ko) 1996-02-24
IL108766A0 (en) 1994-05-30

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