JPH0846131A - リードフレーム及びワイヤボンディング装置 - Google Patents
リードフレーム及びワイヤボンディング装置Info
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- JPH0846131A JPH0846131A JP6201354A JP20135494A JPH0846131A JP H0846131 A JPH0846131 A JP H0846131A JP 6201354 A JP6201354 A JP 6201354A JP 20135494 A JP20135494 A JP 20135494A JP H0846131 A JPH0846131 A JP H0846131A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ワイヤボンディングにおけるリード押えの安
定化を図る。 【構成】 インナーリード４のワイヤ接続面と反対側の
面にバタツキ防止用の絶縁フィルム５が貼着されたリー
ドフレーム１を用いて、ダイパッド３上に搭載された半
導体チップ６とインナーリード４とをワイヤ７にて接続
するワイヤボンディング装置であり、リードフレーム４
が載置されるフレーム載置面１０ａ側に吸着孔１３を有
し、その吸着孔１３にて絶縁フィルム５を介してインナ
ーリード４を吸着保持するボンディングヒータ１０を備
えている。
定化を図る。 【構成】 インナーリード４のワイヤ接続面と反対側の
面にバタツキ防止用の絶縁フィルム５が貼着されたリー
ドフレーム１を用いて、ダイパッド３上に搭載された半
導体チップ６とインナーリード４とをワイヤ７にて接続
するワイヤボンディング装置であり、リードフレーム４
が載置されるフレーム載置面１０ａ側に吸着孔１３を有
し、その吸着孔１３にて絶縁フィルム５を介してインナ
ーリード４を吸着保持するボンディングヒータ１０を備
えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
用のリードフレームとこれを用いてワイヤボンディング
を行うワイヤボンディング装置に関するものである。
用のリードフレームとこれを用いてワイヤボンディング
を行うワイヤボンディング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の樹脂封止型半導体装置用の
リードフレームを示す要部平面図である。図示したリー
ドフレーム３０においては、図示せぬ一対の外枠レール
から４本の吊りリード３１が一体的に延出しており、こ
れらの吊りリード３１によってダイパッド３２が支持さ
れている。また、ダイパッド３２の周辺には複数のイン
ナーリード３３が配置されており、これらのインナーリ
ード３３は図示せぬダムバーによって互いに連結されて
いる。さらに、多ピン化やリード幅の縮小化に伴うイン
ナーリード３３のバタツキを防止するため、インナーリ
ード３３の上面（ワイヤ接続面）には絶縁フィルム３４
が貼着されている。
リードフレームを示す要部平面図である。図示したリー
ドフレーム３０においては、図示せぬ一対の外枠レール
から４本の吊りリード３１が一体的に延出しており、こ
れらの吊りリード３１によってダイパッド３２が支持さ
れている。また、ダイパッド３２の周辺には複数のイン
ナーリード３３が配置されており、これらのインナーリ
ード３３は図示せぬダムバーによって互いに連結されて
いる。さらに、多ピン化やリード幅の縮小化に伴うイン
ナーリード３３のバタツキを防止するため、インナーリ
ード３３の上面（ワイヤ接続面）には絶縁フィルム３４
が貼着されている。
【０００３】このリードフレーム３０を用いて半導体装
置を製造する場合は、図５に示すように、リードフレー
ム３０のダイパッド３２上に半導体チップ３５を搭載
し、これをワイヤボンディング装置に供給する。ワイヤ
ボンディング装置では、同図に示すように、ボンディン
グヒータ４１の上面にリードフレーム３０を載置した状
態で、リードフレーム押え治具（リードクランパ）４２
によりインナーリード３３をボンディングヒータ４１に
押え付ける。さらに、ボンディングヒータ４１により半
導体チップ３５とインナーリード３３を加熱しながら、
図示せぬワイヤボンディング用ツール（キャピラリ等）
により、半導体チップ３５の電極部３６とこれに対応す
るインナーリード３３とを金属細線３７にて接続する。
置を製造する場合は、図５に示すように、リードフレー
ム３０のダイパッド３２上に半導体チップ３５を搭載
し、これをワイヤボンディング装置に供給する。ワイヤ
ボンディング装置では、同図に示すように、ボンディン
グヒータ４１の上面にリードフレーム３０を載置した状
態で、リードフレーム押え治具（リードクランパ）４２
によりインナーリード３３をボンディングヒータ４１に
押え付ける。さらに、ボンディングヒータ４１により半
導体チップ３５とインナーリード３３を加熱しながら、
図示せぬワイヤボンディング用ツール（キャピラリ等）
により、半導体チップ３５の電極部３６とこれに対応す
るインナーリード３３とを金属細線３７にて接続する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来にお
いては、リードフレーム３０のインナーリード３３に絶
縁フィルム３４を貼着することでインナーリード３３の
バタツキを防止する効果があるものの、将来的には、半
導体装置のさらなる多ピン化やリード幅の縮小化に対応
するため、ワイヤボンディング装置において、より安定
したリード押え方式を確立する必要があった。また従来
のワイヤボンディング装置では、リードフレーム３０の
寸法や形状に応じて専用のリードフレーム押え治具４２
を揃える必要があるうえ、全てのインナーリード３３を
均一に押えるためには押え治具４２の取付位置を微調整
しなければならず、治具の製作コストに加えてその取付
調整にも時間がかかるといった問題もあった。
いては、リードフレーム３０のインナーリード３３に絶
縁フィルム３４を貼着することでインナーリード３３の
バタツキを防止する効果があるものの、将来的には、半
導体装置のさらなる多ピン化やリード幅の縮小化に対応
するため、ワイヤボンディング装置において、より安定
したリード押え方式を確立する必要があった。また従来
のワイヤボンディング装置では、リードフレーム３０の
寸法や形状に応じて専用のリードフレーム押え治具４２
を揃える必要があるうえ、全てのインナーリード３３を
均一に押えるためには押え治具４２の取付位置を微調整
しなければならず、治具の製作コストに加えてその取付
調整にも時間がかかるといった問題もあった。
【０００５】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、主として、ワイヤボンディングにおけるリ
ード押えの安定化を図ることを目的とする。
れたもので、主として、ワイヤボンディングにおけるリ
ード押えの安定化を図ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、インナーリードのワイヤ
接続面と反対側の面にバタツキ防止用の絶縁フィルムが
貼着されたリードフレームを用いて、ダイパッド上に搭
載された半導体チップとインナーリードとをワイヤにて
接続するワイヤボンディング装置であって、リードフレ
ームが載置されるフレーム載置面側に吸着部を有し、そ
の吸着部にて絶縁フィルムを介してインナーリードを吸
着保持するボンディングヒータを備えた構成となってい
る。
成するためになされたもので、インナーリードのワイヤ
接続面と反対側の面にバタツキ防止用の絶縁フィルムが
貼着されたリードフレームを用いて、ダイパッド上に搭
載された半導体チップとインナーリードとをワイヤにて
接続するワイヤボンディング装置であって、リードフレ
ームが載置されるフレーム載置面側に吸着部を有し、そ
の吸着部にて絶縁フィルムを介してインナーリードを吸
着保持するボンディングヒータを備えた構成となってい
る。
【０００７】
【作用】本発明においては、ボンディングヒータのフレ
ーム載置面にリードフレームが載置された状態で、その
フレーム載置面側に設けられた吸着部の真空吸着力によ
りインナーリードが絶縁フィルムを介してフレーム載置
面に吸着保持される。
ーム載置面にリードフレームが載置された状態で、その
フレーム載置面側に設けられた吸着部の真空吸着力によ
りインナーリードが絶縁フィルムを介してフレーム載置
面に吸着保持される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明に係わるリードフ
レームの実施例を示す要部平面図である。図示したリー
ドフレーム１においては、図示せぬ一対の外枠レールか
ら４本の吊りリード（支持リードとも言う）２が一体的
に延出しており、これらの吊りリード２によってダイパ
ッド３が支持されている。ダイパッド３の周辺には複数
のインナーリード４が配置されており、これらのインナ
ーリード４は図示せぬダムバーによって互いに連結され
ている。また、各々の吊りリード２にはディプレス加工
が施されており、これによってダイパッド３がインナー
リード３よりも一段低く配置されている。さらに、多ピ
ン化やリード幅の縮小化に伴うインナーリード４のバタ
ツキを防止するため、インナーリード４の表面にはポリ
イミドフィルム等の絶縁フィルム５が貼着されている。
ながら詳細に説明する。図１は本発明に係わるリードフ
レームの実施例を示す要部平面図である。図示したリー
ドフレーム１においては、図示せぬ一対の外枠レールか
ら４本の吊りリード（支持リードとも言う）２が一体的
に延出しており、これらの吊りリード２によってダイパ
ッド３が支持されている。ダイパッド３の周辺には複数
のインナーリード４が配置されており、これらのインナ
ーリード４は図示せぬダムバーによって互いに連結され
ている。また、各々の吊りリード２にはディプレス加工
が施されており、これによってダイパッド３がインナー
リード３よりも一段低く配置されている。さらに、多ピ
ン化やリード幅の縮小化に伴うインナーリード４のバタ
ツキを防止するため、インナーリード４の表面にはポリ
イミドフィルム等の絶縁フィルム５が貼着されている。
【０００９】ここで、従来においては、バタツキ防止用
の絶縁フィルム５がインナーリード４の上面、つまりワ
イヤ接続面４ａに貼着されていたが、本実施例では、絶
縁フィルム５がインナーリード４の下面、つまりワイヤ
接続面４ｂと反対側の面４ｂに貼着されているため、以
下のような点で有利である。
の絶縁フィルム５がインナーリード４の上面、つまりワ
イヤ接続面４ａに貼着されていたが、本実施例では、絶
縁フィルム５がインナーリード４の下面、つまりワイヤ
接続面４ｂと反対側の面４ｂに貼着されているため、以
下のような点で有利である。
【００１０】すなわち、従来においては、絶縁フィルム
５をワイヤ接続面４ａに貼着する場合、インナーリード
４の先端側にワイヤボンディングにおけるインナーリー
ド押え治具の押え領域とワイヤ接続用の領域とを確保す
る必要があり、どうしてもインナーリード４の先端部か
ら離れた位置に絶縁フィルム５を貼着しなければならな
かった。しかしながら、本実施例においては、ワイヤ接
続面４ａと反対側の面４ｂに絶縁フィルム５を貼着する
ため、ワイヤボンディングに際して絶縁フィルム５がワ
イヤ接続を阻害することがなく、ワイヤ接続領域のほぼ
真下に位置するインナーリード４の先端部に絶縁フィル
ム５を貼着することができる。したがって、従来よりも
絶縁フィルム５によるインナーリード４のバタツキ防止
効果を一段と高めることができる。
５をワイヤ接続面４ａに貼着する場合、インナーリード
４の先端側にワイヤボンディングにおけるインナーリー
ド押え治具の押え領域とワイヤ接続用の領域とを確保す
る必要があり、どうしてもインナーリード４の先端部か
ら離れた位置に絶縁フィルム５を貼着しなければならな
かった。しかしながら、本実施例においては、ワイヤ接
続面４ａと反対側の面４ｂに絶縁フィルム５を貼着する
ため、ワイヤボンディングに際して絶縁フィルム５がワ
イヤ接続を阻害することがなく、ワイヤ接続領域のほぼ
真下に位置するインナーリード４の先端部に絶縁フィル
ム５を貼着することができる。したがって、従来よりも
絶縁フィルム５によるインナーリード４のバタツキ防止
効果を一段と高めることができる。
【００１１】このリードフレーム１を用いて半導体装置
を製造する場合は、先ず、図示せぬダイボンディング装
置によって、図中二点鎖線で示すようにリードフレーム
１のダイパッド２上に例えば銀ペーストを介して半導体
チップ６を搭載し、その後、所定個数の半導体チップ６
が搭載されたリードフレーム１をワイヤボンディング装
置に供給する。
を製造する場合は、先ず、図示せぬダイボンディング装
置によって、図中二点鎖線で示すようにリードフレーム
１のダイパッド２上に例えば銀ペーストを介して半導体
チップ６を搭載し、その後、所定個数の半導体チップ６
が搭載されたリードフレーム１をワイヤボンディング装
置に供給する。
【００１２】図２は本発明に係わるワイヤボンディング
装置の一実施例を説明する要部半断面図である。本実施
例のワイヤボンディング装置は、上記リードフレーム１
を用いてダイパッド２上に搭載された半導体チップ６と
インナーリード４とをワイヤ７にて接続するもので、ワ
イヤボンディングの際に半導体チップ６とインナーリー
ド４とを加熱するためのボンディングヒータ（ヒータブ
ロックとも言う）１０を備えている。
装置の一実施例を説明する要部半断面図である。本実施
例のワイヤボンディング装置は、上記リードフレーム１
を用いてダイパッド２上に搭載された半導体チップ６と
インナーリード４とをワイヤ７にて接続するもので、ワ
イヤボンディングの際に半導体チップ６とインナーリー
ド４とを加熱するためのボンディングヒータ（ヒータブ
ロックとも言う）１０を備えている。
【００１３】ボンディングヒータ１０の上面、つまりリ
ードフレーム１が載置されるフレーム載置面側１０ａに
は吊りリード２のディプレス量に応じた凹部１１が設け
られており、この凹部１１には吊りリード２のディプレ
ス加工によってインナーリード４よりも一段低く成形さ
れたダイパッド３が配置されるようになっている。ま
た、凹部１１の外側領域には、インナーリード４に貼着
されている絶縁フィルム５の厚み及び幅に対応した段差
部１２が形成されており、この段差部１２に絶縁フィル
ム５が配置されるようになっている。
ードフレーム１が載置されるフレーム載置面側１０ａに
は吊りリード２のディプレス量に応じた凹部１１が設け
られており、この凹部１１には吊りリード２のディプレ
ス加工によってインナーリード４よりも一段低く成形さ
れたダイパッド３が配置されるようになっている。ま
た、凹部１１の外側領域には、インナーリード４に貼着
されている絶縁フィルム５の厚み及び幅に対応した段差
部１２が形成されており、この段差部１２に絶縁フィル
ム５が配置されるようになっている。
【００１４】ここで本実施例のワイヤボンディング装置
においては、ボンディングヒータ１０のフレーム載置面
１０ａ側に、絶縁フィルム５を介してインナーリード４
を吸着保持するための吸着部として複数の吸着孔１３が
穿設されている。これらの吸着孔１３は、絶縁フィルム
５が配置される段差部１２に貫通する状態で、凹部１１
の周辺に所定の個数（例えば各辺２個ずつの計８個）設
けられている。また、各々の吸着孔１３は、好ましく
は、インナーリード４のワイヤ接続位置４ｃのほぼ真下
に位置するように穿設されている。さらに各吸着孔１３
は、図示はしないがヒータ下部で相互に連通し、且つ共
通の配管系を介して例えば真空ポンプに接続されてい
る。
においては、ボンディングヒータ１０のフレーム載置面
１０ａ側に、絶縁フィルム５を介してインナーリード４
を吸着保持するための吸着部として複数の吸着孔１３が
穿設されている。これらの吸着孔１３は、絶縁フィルム
５が配置される段差部１２に貫通する状態で、凹部１１
の周辺に所定の個数（例えば各辺２個ずつの計８個）設
けられている。また、各々の吸着孔１３は、好ましく
は、インナーリード４のワイヤ接続位置４ｃのほぼ真下
に位置するように穿設されている。さらに各吸着孔１３
は、図示はしないがヒータ下部で相互に連通し、且つ共
通の配管系を介して例えば真空ポンプに接続されてい
る。
【００１５】上記構成からなるワイヤボンディング装置
では、リードフレーム１の両側辺を案内支持する一対の
ガイドレール（不図示）に沿ってリードフレーム１がボ
ンディング位置まで搬送され、そこで図２に示すよう
に、ボンディングヒータ１０のフレーム載置面１０ａ側
にリードフレーム１がセットされる。このとき、リード
フレーム１に搭載されている半導体チップ６はダイパッ
ド３とともにボンディングヒータ１０の凹部１１に配置
され、その外側領域に形成された段差部１２には、イン
ナーリード４に貼着された絶縁フィルム５が配置され
る。
では、リードフレーム１の両側辺を案内支持する一対の
ガイドレール（不図示）に沿ってリードフレーム１がボ
ンディング位置まで搬送され、そこで図２に示すよう
に、ボンディングヒータ１０のフレーム載置面１０ａ側
にリードフレーム１がセットされる。このとき、リード
フレーム１に搭載されている半導体チップ６はダイパッ
ド３とともにボンディングヒータ１０の凹部１１に配置
され、その外側領域に形成された段差部１２には、イン
ナーリード４に貼着された絶縁フィルム５が配置され
る。
【００１６】こうしてボンディングヒータ１０にリード
フレーム１がセットされると、図示せぬ真空ポンプの作
動により上記共通の配管系を介して各々の吸着孔１３に
対する真空排気が行われる。このとき、各吸着孔１３の
上端部は絶縁フィルム５によって閉塞されているため、
それぞれの孔内の雰囲気は真空ポンプの作動による真空
引き作用によって負圧状態に保持される。これにより、
ボンディングヒータ１０のフレーム載置面１０ａに載置
された各々のインナーリード４はその下面側に貼着され
た絶縁フィルム５を介して各吸着孔１３により吸着保持
される。
フレーム１がセットされると、図示せぬ真空ポンプの作
動により上記共通の配管系を介して各々の吸着孔１３に
対する真空排気が行われる。このとき、各吸着孔１３の
上端部は絶縁フィルム５によって閉塞されているため、
それぞれの孔内の雰囲気は真空ポンプの作動による真空
引き作用によって負圧状態に保持される。これにより、
ボンディングヒータ１０のフレーム載置面１０ａに載置
された各々のインナーリード４はその下面側に貼着され
た絶縁フィルム５を介して各吸着孔１３により吸着保持
される。
【００１７】このように本実施例のワイヤボンディング
装置においては、ダイパッド３の周辺に配置された各々
のインナーリード４を吸着孔１３にて吸着保持すること
により、従来のように押え治具を使用することなく、全
てのインナーリード４を均一且つ確実に押えることがで
きる。したがって、ワイヤボンディングに際しては、イ
ンナーリード４のバタツキを防止しつつ、より安定した
押え状態のもとで、半導体チップ６の電極部８とこれに
対応するインナーリード４とを金属細線（金ワイヤ等）
７にて接続することが可能となる。
装置においては、ダイパッド３の周辺に配置された各々
のインナーリード４を吸着孔１３にて吸着保持すること
により、従来のように押え治具を使用することなく、全
てのインナーリード４を均一且つ確実に押えることがで
きる。したがって、ワイヤボンディングに際しては、イ
ンナーリード４のバタツキを防止しつつ、より安定した
押え状態のもとで、半導体チップ６の電極部８とこれに
対応するインナーリード４とを金属細線（金ワイヤ等）
７にて接続することが可能となる。
【００１８】図３は本発明に係わるワイヤボンディング
装置の他の実施例を説明する図であり、図中（ａ）はそ
の要部平面図、（ｂ）はそのＣ−Ｃ断面図である。図３
において、１０はボンディングヒータ、１１はボンディ
ングヒータ１０に設けられた凹部、１２は凹部１１の外
側領域に形成された段差部であり、これらの構成につい
ては先の実施例と同様である。
装置の他の実施例を説明する図であり、図中（ａ）はそ
の要部平面図、（ｂ）はそのＣ−Ｃ断面図である。図３
において、１０はボンディングヒータ、１１はボンディ
ングヒータ１０に設けられた凹部、１２は凹部１１の外
側領域に形成された段差部であり、これらの構成につい
ては先の実施例と同様である。
【００１９】ここで図３に示すワイヤボンディング装置
においては、ボンディングヒータ１０のフレーム載置面
１０ａ側に、絶縁フィルム５を介してインナーリード４
を吸着保持するための吸着部として所定深さの吸着溝１
４が凹部１１の周縁部に沿って設けられ、さらにヒータ
内部には吸着溝１４の下部に連通して真空引き用の孔１
５が穿設されている。さらに詳述すると、吸着溝１４
は、段差部１２の領域内において、好ましくはインナー
リード４のワイヤ接続位置４ｃのほぼ真下に位置するよ
うに形成されている。そして、真空引き用の各孔１５
は、図示はしないが上記吸着孔１３と同様にヒータ下部
で相互に連通し、且つ共通の配管系を介して例えば真空
ポンプに接続されている。
においては、ボンディングヒータ１０のフレーム載置面
１０ａ側に、絶縁フィルム５を介してインナーリード４
を吸着保持するための吸着部として所定深さの吸着溝１
４が凹部１１の周縁部に沿って設けられ、さらにヒータ
内部には吸着溝１４の下部に連通して真空引き用の孔１
５が穿設されている。さらに詳述すると、吸着溝１４
は、段差部１２の領域内において、好ましくはインナー
リード４のワイヤ接続位置４ｃのほぼ真下に位置するよ
うに形成されている。そして、真空引き用の各孔１５
は、図示はしないが上記吸着孔１３と同様にヒータ下部
で相互に連通し、且つ共通の配管系を介して例えば真空
ポンプに接続されている。
【００２０】上記構成からなるワイヤボンディング装置
においては、ボンディングヒータ１０にリードフレーム
１がセットされた状態で図示せぬ真空ポンプを作動させ
ると、真空引き用の孔１５を介して吸着溝１４に対する
真空排気が行われる。このとき、吸着溝１４の上端部は
絶縁フィルム５によって閉塞されるため、その溝内の雰
囲気は真空ポンプの真空引き作用によって負圧状態に保
持される。これにより、ボンディングヒータ１０のフレ
ーム載置面１０ａに載置された各々のインナーリード４
はその下面側に貼着された絶縁フィルム５を介して吸着
溝１４により吸着保持される。
においては、ボンディングヒータ１０にリードフレーム
１がセットされた状態で図示せぬ真空ポンプを作動させ
ると、真空引き用の孔１５を介して吸着溝１４に対する
真空排気が行われる。このとき、吸着溝１４の上端部は
絶縁フィルム５によって閉塞されるため、その溝内の雰
囲気は真空ポンプの真空引き作用によって負圧状態に保
持される。これにより、ボンディングヒータ１０のフレ
ーム載置面１０ａに載置された各々のインナーリード４
はその下面側に貼着された絶縁フィルム５を介して吸着
溝１４により吸着保持される。
【００２１】このように本例のワイヤボンディング装置
においては、インナーリード４のワイヤ接続位置４ｃに
対応させたかたちで、凹部１１の周縁部に沿って吸着溝
１４を形成し、この吸着溝１４にて絶縁フィルム５を介
してインナーリード４を吸着保持するようにしたので、
吸着溝１４の上端部を閉塞する絶縁フィルム５の全域に
一様な吸着力が作用するようになる。これにより、各々
のインナーリード４をより均一な吸着保持力をもってボ
ンディングヒータ１０に押え付けることが可能となるた
め、ワイヤボンディングに際して、さらなるリード押え
の安定化が図られる。
においては、インナーリード４のワイヤ接続位置４ｃに
対応させたかたちで、凹部１１の周縁部に沿って吸着溝
１４を形成し、この吸着溝１４にて絶縁フィルム５を介
してインナーリード４を吸着保持するようにしたので、
吸着溝１４の上端部を閉塞する絶縁フィルム５の全域に
一様な吸着力が作用するようになる。これにより、各々
のインナーリード４をより均一な吸着保持力をもってボ
ンディングヒータ１０に押え付けることが可能となるた
め、ワイヤボンディングに際して、さらなるリード押え
の安定化が図られる。
【００２２】なお、上記実施例においては、ダイパッド
３の４辺にインナーリード４が配置されたＱＦＰ（Ｑｕ
ａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）用のリードフレーム
１を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限らず、例
えばＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）用のリードフレームなど、他のパーケージ形態を
なす半導体装置用のリードフレームに対しても広く適用
できるものである。
３の４辺にインナーリード４が配置されたＱＦＰ（Ｑｕ
ａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）用のリードフレーム
１を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限らず、例
えばＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）用のリードフレームなど、他のパーケージ形態を
なす半導体装置用のリードフレームに対しても広く適用
できるものである。
【００２３】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
ボンディングヒータにリードフレームをセットした状態
で、ダイパッドの周辺に配置されたインナーリードを吸
着部にて吸着保持することにより、従来のように押え治
具を使用することなく、全てのインナーリードを均一且
つ確実に押えることができるため、ワイヤボンディング
におけるリード押えの安定化が図られる。また、ワイヤ
ボンディングに際して押え治具が不要になることから、
治具の製作コストとともに、その取付調整の時間をも削
減することが可能となる。
ボンディングヒータにリードフレームをセットした状態
で、ダイパッドの周辺に配置されたインナーリードを吸
着部にて吸着保持することにより、従来のように押え治
具を使用することなく、全てのインナーリードを均一且
つ確実に押えることができるため、ワイヤボンディング
におけるリード押えの安定化が図られる。また、ワイヤ
ボンディングに際して押え治具が不要になることから、
治具の製作コストとともに、その取付調整の時間をも削
減することが可能となる。
【図１】本発明に係わるリードフレームの実施例を示す
要部平面図である。
要部平面図である。
【図２】本発明に係わるワイヤボンディング装置の一実
施例を説明する要部半断面図である。
施例を説明する要部半断面図である。
【図３】本発明に係わるワイヤボンディング装置の他の
実施例を説明する図である。
実施例を説明する図である。
【図４】従来のリードフレームを示す要部平面図であ
る。
る。
【図５】従来のワイヤボンディング装置を説明する要部
半断面図である。
半断面図である。
１ リードフレーム ３ ダイパッド ４ インナーリード ５ 絶縁フィルム ６ 半導体チップ １０ ボンディングヒータ １３ 吸着孔（吸着部） １４ 吸着溝（吸着部）
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載するためのダイパッ
ドと、このダイパッドの周辺に配置された複数のインナ
ーリードと、前記インナーリードに貼着されたバタツキ
防止用の絶縁フィルムとを備えたリードフレームにおい
て、 前記絶縁フィルムは前記インナーリードのワイヤ接続面
と反対側の面に貼着されていることを特徴とするリード
フレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームを用いて
前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと前記イン
ナーリードとをワイヤにて接続するワイヤボンディング
装置であって、 前記リードフレームが載置されるフレーム載置面側に吸
着部を有し、その吸着部にて前記絶縁フィルムを介して
前記インナーリードを吸着保持するボンディングヒータ
を備えたことを特徴とするワイヤボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6201354A JPH0846131A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | リードフレーム及びワイヤボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6201354A JPH0846131A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | リードフレーム及びワイヤボンディング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846131A true JPH0846131A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16439654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6201354A Pending JPH0846131A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | リードフレーム及びワイヤボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100440498C (zh) * | 2005-05-11 | 2008-12-03 | 株式会社东芝 | 密封了半导体芯片周围而形成的半导体器件 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013109357A1 (en) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | Qualcomm Incorporated | Throughput improvement for cabac coefficient level coding |
-
1994
- 1994-08-02 JP JP6201354A patent/JPH0846131A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013109357A1 (en) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | Qualcomm Incorporated | Throughput improvement for cabac coefficient level coding |
| JP2015507424A (ja) * | 2012-01-17 | 2015-03-05 | クゥアルコム・インコーポレイテッドＱｕａｌｃｏｍｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｃａｂａｃ係数レベルコーディングのためのスループット改善 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JPN6013004389; Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ ＩＴＵ-Ｔ Ｈ．２６４ Ａｄｖａｎｃｅｄ ｖｉｄｅｏ ｃｏｄｉｎｇ ｆｏｒ ｇｅｎｅｒｉｃ ａｕｄｉｏｖｉｓｕａｌ ｓｅｒｖｉｃｅｓ （０３／２０１０） , 201003, ７．３．５．３．３， Ｔａｂｌｅ ９-３４ * |
| JPN6013004390; Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ｂｒｏｓｓ， Ｗｏｏ-Ｊｉｎ Ｈａｎ， Ｊｅｎｓ-Ｒａｉｎｅｒ Ｏｈｍ， Ｇａｒｙ Ｊ． Ｓｕｌｌｉｖａｎ， Ｔｈｏｍａｓ Ｗｉｅｇａｎｄ: ＷＤ４： Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｄｒａｆｔ ４ ｏｆ Ｈｉｇｈ-Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｖｉｄｅｏ Ｃｏｄｉｎｇ , 20111028, ７．３．１０， Ｔａｂｌｅ ９-４６, Ｊｏｉｎｔ Ｃｏｌｌａｂｏｒａｔｉｖｅ Ｔｅａｍ ｏｎ Ｖｉｄｅｏ Ｃｏｄｉｎｇ （ＪＣＴ-ＶＣ） * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100440498C (zh) * | 2005-05-11 | 2008-12-03 | 株式会社东芝 | 密封了半导体芯片周围而形成的半导体器件 |
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