JPH0837377A - 多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents
多層配線基板およびその製造方法Info
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- JPH0837377A JPH0837377A JP17253994A JP17253994A JPH0837377A JP H0837377 A JPH0837377 A JP H0837377A JP 17253994 A JP17253994 A JP 17253994A JP 17253994 A JP17253994 A JP 17253994A JP H0837377 A JPH0837377 A JP H0837377A
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- Japan
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- layer
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- insulating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 導体層と絶縁層を交互に積層して成る多層配
線基板において、ビアホールのアスペクト比を小さく
し、上層配線のビアホールへの付着を良くし、上層配線
と下層配線の電気的接続信頼性を向上させる。 【構成】 多層配線基板において、下層配線３の形成前
に、下層配線３と上層配線６が接続する場所に凸状の絶
縁パッド２を形成し、その部分の下層配線３の膜厚を高
くする。そのため、その部分の絶縁膜の厚さを薄くする
ことができ、アスペクト比の小さなビアホールを形成す
ることができる。
線基板において、ビアホールのアスペクト比を小さく
し、上層配線のビアホールへの付着を良くし、上層配線
と下層配線の電気的接続信頼性を向上させる。 【構成】 多層配線基板において、下層配線３の形成前
に、下層配線３と上層配線６が接続する場所に凸状の絶
縁パッド２を形成し、その部分の下層配線３の膜厚を高
くする。そのため、その部分の絶縁膜の厚さを薄くする
ことができ、アスペクト比の小さなビアホールを形成す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層配線基板およびその
製造方法に関し、特に上層の配線と下層の配線との接続
部分を設定した多層配線基板およびその製造方法に関す
る。
製造方法に関し、特に上層の配線と下層の配線との接続
部分を設定した多層配線基板およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】上層の配線と下層の配線とを接続する技
術の一例が特開平２−１２８４４８号公報に開示されて
いる。この公報記載の配線形成方法では、所定の位置に
下層の配線接続のためのビアホールを有する絶縁膜上全
面に形成された金属薄膜全面にポジ型液状感光性レジス
トが塗布・乾燥される。次に、所定のマスクを通して露
光・現像され上層の配線部分のレジストが除去される。
さらに、所定のマスクを通して上層の配線部分が露光・
現像され、ポジ型レジストが除去されて金属薄膜が露出
される。露出された金属薄膜上に電解めっきにより配線
導体が形成される。次に、ネガ型レジストが除去されて
金属薄膜が露出される。さらに、露出された金属薄膜が
エッチングにより除去される。
術の一例が特開平２−１２８４４８号公報に開示されて
いる。この公報記載の配線形成方法では、所定の位置に
下層の配線接続のためのビアホールを有する絶縁膜上全
面に形成された金属薄膜全面にポジ型液状感光性レジス
トが塗布・乾燥される。次に、所定のマスクを通して露
光・現像され上層の配線部分のレジストが除去される。
さらに、所定のマスクを通して上層の配線部分が露光・
現像され、ポジ型レジストが除去されて金属薄膜が露出
される。露出された金属薄膜上に電解めっきにより配線
導体が形成される。次に、ネガ型レジストが除去されて
金属薄膜が露出される。さらに、露出された金属薄膜が
エッチングにより除去される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の配線形成方
法における下層配線と上層配線との接続は、接続層に形
成されたビアホールを介して行なわれる。
法における下層配線と上層配線との接続は、接続層に形
成されたビアホールを介して行なわれる。
【０００４】このビアホールの底の一辺を分母にし深さ
を分子にした縦横（アスペクト）比が高くなると、ビア
ホールの内壁に上層配線が付着しにくくなる。またビア
ホールの縦横（アスペクト）比が高くなると、フォトレ
ジストがビアホールの底に残り、このため上層配線と下
層配線との接続状態が悪化する。この結果、配線の断線
等が発生しやすく電気的接続信頼性が低下するという問
題点がある。
を分子にした縦横（アスペクト）比が高くなると、ビア
ホールの内壁に上層配線が付着しにくくなる。またビア
ホールの縦横（アスペクト）比が高くなると、フォトレ
ジストがビアホールの底に残り、このため上層配線と下
層配線との接続状態が悪化する。この結果、配線の断線
等が発生しやすく電気的接続信頼性が低下するという問
題点がある。
【０００５】本発明の目的は、配線の電気的接続信頼性
を向上するようにした多層配線基板およびその製造方法
を提供することにある。
を向上するようにした多層配線基板およびその製造方法
を提供することにある。
【０００６】本発明の他の目的はビアホールのアスペク
ト比を小さくするようにした多層配線基板およびその製
造方法を提供することにある。
ト比を小さくするようにした多層配線基板およびその製
造方法を提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は上層配線層のビアホー
ルの内壁および下層配線層に対する接着状態を良好にす
るようにした多層配線基板およびその製造方法を提供す
ることにある。
ルの内壁および下層配線層に対する接着状態を良好にす
るようにした多層配線基板およびその製造方法を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の多層配線
基板は、基板と、この基板上に形成されたパッドと、こ
のパッドを覆うように前記基板上に形成された下層配線
層と、この下層配線層のうち前記パッドを覆う部分をビ
アホールとして形成された絶縁層と、この絶縁層のビア
ホールに前記下層配線層と電気的に接続するように形成
された上層配線層とを含む。
基板は、基板と、この基板上に形成されたパッドと、こ
のパッドを覆うように前記基板上に形成された下層配線
層と、この下層配線層のうち前記パッドを覆う部分をビ
アホールとして形成された絶縁層と、この絶縁層のビア
ホールに前記下層配線層と電気的に接続するように形成
された上層配線層とを含む。
【０００９】本発明の第２の多層配線基板は、第１の多
層配線基板において前記上層配線層および前記上層配線
層の上に形成されるべき配線層の電気的接続の得られる
部分の下でかつ前記絶縁層と前記上層配線層との間にパ
ッドを形成することを特徴とする。
層配線基板において前記上層配線層および前記上層配線
層の上に形成されるべき配線層の電気的接続の得られる
部分の下でかつ前記絶縁層と前記上層配線層との間にパ
ッドを形成することを特徴とする。
【００１０】本発明の第１の多層基板の製造方法は、下
層配線層と上層配線層との電気的接続部分の下に担当す
る基板上の位置にパッドを形成する第１の工程と、この
第１の工程でパッドを形成した基板の上に前記パッドを
覆うように前記下層配線層を形成する第２の工程とを含
む。
層配線層と上層配線層との電気的接続部分の下に担当す
る基板上の位置にパッドを形成する第１の工程と、この
第１の工程でパッドを形成した基板の上に前記パッドを
覆うように前記下層配線層を形成する第２の工程とを含
む。
【００１１】本発明の第２の多層配線基板の製造方法
は、第１の多層配線基板の製造方法における前記第２の
工程で形成された下層配線層のうち前記パッドを覆う部
分をビアホールとする絶縁層を形成する第３の工程と、
この第３の工程で形成された絶縁層の前記ビアホールに
前記下層配線層と電気的に接続するように前記上層配線
層を形成する第４の工程とを含む。
は、第１の多層配線基板の製造方法における前記第２の
工程で形成された下層配線層のうち前記パッドを覆う部
分をビアホールとする絶縁層を形成する第３の工程と、
この第３の工程で形成された絶縁層の前記ビアホールに
前記下層配線層と電気的に接続するように前記上層配線
層を形成する第４の工程とを含む。
【００１２】本発明の第３の多層配線基板の製造方法
は、第１の多層配線基板の製造方法における前記２の工
程で形成された下層配線層のうち前記パッドを覆う部分
をビアホールとする絶縁層を形成する第３の工程と、前
記上層配線層と前記上層配線層の上に形成されるべき配
線層との電気的接続部分の下に相当する、前記第３の工
程で形成された前記絶縁層の上にパッドを形成する第４
の工程と、この第４の工程で形成されたパッドの上に前
記上層配線層を形成する第５の工程とを含む。
は、第１の多層配線基板の製造方法における前記２の工
程で形成された下層配線層のうち前記パッドを覆う部分
をビアホールとする絶縁層を形成する第３の工程と、前
記上層配線層と前記上層配線層の上に形成されるべき配
線層との電気的接続部分の下に相当する、前記第３の工
程で形成された前記絶縁層の上にパッドを形成する第４
の工程と、この第４の工程で形成されたパッドの上に前
記上層配線層を形成する第５の工程とを含む。
【００１３】
【実施例】次に本発明の一実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１４】まず、本発明の第１の実施例について図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
【００１５】図１を参照すると、本発明の第１の実施例
は、導体層および絶縁層を交互に積層した多層配線基板
１と、上層配線層６と下層配線層３との接着場所の下に
絶縁ペーストや絶縁樹脂のような絶縁材料または導体ペ
ーストのような導体材料で形成された凸状のパッド２，
このパッド２を覆うように導体材料で形成された下層配
線層３，上層配線層６との接着場所を除いた下層配線層
３上の面に絶縁樹脂のような絶縁材料で形成された絶縁
層４，およびビアホール５を形成する位置に下層配線層
３と電気的接続が十分得られるように下層配線層３およ
び絶縁層４上の所定の位置に導体材料で形成された上層
配線層６を含む。
は、導体層および絶縁層を交互に積層した多層配線基板
１と、上層配線層６と下層配線層３との接着場所の下に
絶縁ペーストや絶縁樹脂のような絶縁材料または導体ペ
ーストのような導体材料で形成された凸状のパッド２，
このパッド２を覆うように導体材料で形成された下層配
線層３，上層配線層６との接着場所を除いた下層配線層
３上の面に絶縁樹脂のような絶縁材料で形成された絶縁
層４，およびビアホール５を形成する位置に下層配線層
３と電気的接続が十分得られるように下層配線層３およ
び絶縁層４上の所定の位置に導体材料で形成された上層
配線層６を含む。
【００１６】次に本発明の第１の実施例の製造方法につ
いて図面を参照して詳細に説明する。
いて図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】図２（Ａ）を参照すると、多層配線基板１
上の、上層配線層６と下層配線層３との接着場所の下に
相当する位置に、絶縁ペーストで凸状の絶縁パッド２が
形成される。このパッド２は、絶縁樹脂や導体ペースト
で形成されてもよい。
上の、上層配線層６と下層配線層３との接着場所の下に
相当する位置に、絶縁ペーストで凸状の絶縁パッド２が
形成される。このパッド２は、絶縁樹脂や導体ペースト
で形成されてもよい。
【００１８】図２（Ｂ）を参照すると、絶縁パッド２を
形成した基板１上にスパッタリング法等により金属薄膜
が形成されたあと、フォトレジストが塗布され乾燥され
る。所定のマスクが使用されて露光，現像されたあと、
電解めっきにより下層配線３が形成される。図２（Ｂ）
には、フォトレジストの剥離後，金属薄膜のエッチング
で除去された状態が示されている。
形成した基板１上にスパッタリング法等により金属薄膜
が形成されたあと、フォトレジストが塗布され乾燥され
る。所定のマスクが使用されて露光，現像されたあと、
電解めっきにより下層配線３が形成される。図２（Ｂ）
には、フォトレジストの剥離後，金属薄膜のエッチング
で除去された状態が示されている。
【００１９】絶縁パッド２があるため、絶縁パッド２の
ある部分の下層配線層３の膜厚が絶縁パッド２の厚さの
分だけ高くなる。
ある部分の下層配線層３の膜厚が絶縁パッド２の厚さの
分だけ高くなる。
【００２０】図２（Ｃ）を参照すると、図２（Ｂ）に示
された状態の基板１の上に絶縁樹脂が塗布され、乾燥さ
れ絶縁膜４が形成される。ビアホール５を形成する位置
に相当する部分の下層配線層３が高くなっているため、
その部分の絶縁膜４の厚さは、他の部分の絶縁膜４の厚
さに比較して薄くなっている。この結果、本発明の第１
の実施例はアスペクト比の小さいビアホールを形成する
ことができる。
された状態の基板１の上に絶縁樹脂が塗布され、乾燥さ
れ絶縁膜４が形成される。ビアホール５を形成する位置
に相当する部分の下層配線層３が高くなっているため、
その部分の絶縁膜４の厚さは、他の部分の絶縁膜４の厚
さに比較して薄くなっている。この結果、本発明の第１
の実施例はアスペクト比の小さいビアホールを形成する
ことができる。
【００２１】図２（Ｄ）を参照すると、図２（Ｃ）に示
された状態の基板１上にスパッタリング法等により金属
薄膜が形成されたあと、フォトレジストが塗布され乾燥
される。所定のマスクが使用されて露光，現像されたあ
と、電解めっきにより上層配線層６が形成される。図２
（Ｄ）には、フォトレジストの剥離後，金属薄膜のエッ
チングで除去された状態が示されている。
された状態の基板１上にスパッタリング法等により金属
薄膜が形成されたあと、フォトレジストが塗布され乾燥
される。所定のマスクが使用されて露光，現像されたあ
と、電解めっきにより上層配線層６が形成される。図２
（Ｄ）には、フォトレジストの剥離後，金属薄膜のエッ
チングで除去された状態が示されている。
【００２２】次に本発明の第２の実施例について図面を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
【００２３】図３を参照すると、本発明の第１の実施例
に対する第２の実施例の特徴は、基板１上に形成された
第１の凸状のパッド２の他、絶縁層４上に第２の凸状の
パッド７を設けたことにある。この第２の凸状のパッド
７の絶縁層４上の形成位置は、上層配線層６とさらにこ
の層６の上に電気的接続をもつさらなる上層配線層（図
示せず）との電気的接続部分の下に相当する。
に対する第２の実施例の特徴は、基板１上に形成された
第１の凸状のパッド２の他、絶縁層４上に第２の凸状の
パッド７を設けたことにある。この第２の凸状のパッド
７の絶縁層４上の形成位置は、上層配線層６とさらにこ
の層６の上に電気的接続をもつさらなる上層配線層（図
示せず）との電気的接続部分の下に相当する。
【００２４】本発明の第２の実施例は、下層配線層３，
絶縁層４および第２の凸状のパッド７の上に上層配線層
６が形成される。
絶縁層４および第２の凸状のパッド７の上に上層配線層
６が形成される。
【００２５】次に本発明の第２の実施例の製造方法につ
いて図面を参照して詳細に説明する。
いて図面を参照して詳細に説明する。
【００２６】図４（Ａ）を参照すると、多層配線基板１
上の、上層配線層６と下層配線層３との接着場所の下に
相当する位置に、絶縁ペーストで凸状の絶縁パッド２が
形成される。このパッド２は絶縁樹脂や導体ペーストで
形成されてもよい。
上の、上層配線層６と下層配線層３との接着場所の下に
相当する位置に、絶縁ペーストで凸状の絶縁パッド２が
形成される。このパッド２は絶縁樹脂や導体ペーストで
形成されてもよい。
【００２７】図４（Ｂ）を参照すると、絶縁パッド２を
形成した基板１上にスパッタリング法等により金属薄膜
が形成されたあと、フォトレジストが塗布され乾燥され
る。所定のマスクが使用されて露光，現像されたあと、
電解めっきにより下層配線３が形成される。図４（Ｂ）
には、フォトレジストの剥離後、金属薄膜のエッチング
で除去された状態が示されている。
形成した基板１上にスパッタリング法等により金属薄膜
が形成されたあと、フォトレジストが塗布され乾燥され
る。所定のマスクが使用されて露光，現像されたあと、
電解めっきにより下層配線３が形成される。図４（Ｂ）
には、フォトレジストの剥離後、金属薄膜のエッチング
で除去された状態が示されている。
【００２８】絶縁パッド２があるため、絶縁パッド２の
ある部分の下層配線層３の膜厚が絶縁パッド２の厚さの
分だけ高くなる。
ある部分の下層配線層３の膜厚が絶縁パッド２の厚さの
分だけ高くなる。
【００２９】図４（Ｃ）を参照すると、図４（Ｂ）に示
された状態の基板１の上に絶縁樹脂が塗布され、乾燥さ
れ絶縁膜４が形成される。ビアホール５を形成する位置
に相当する部分の下層配線層３が高くなっているため、
その部分の絶縁膜４の厚さは、他の部分の絶縁膜４の厚
さに比較して薄くなっている。この結果、本発明の第１
の実施例はアスペクト比の小さいビアホールを形成する
ことができる。
された状態の基板１の上に絶縁樹脂が塗布され、乾燥さ
れ絶縁膜４が形成される。ビアホール５を形成する位置
に相当する部分の下層配線層３が高くなっているため、
その部分の絶縁膜４の厚さは、他の部分の絶縁膜４の厚
さに比較して薄くなっている。この結果、本発明の第１
の実施例はアスペクト比の小さいビアホールを形成する
ことができる。
【００３０】図４（Ｄ）を参照すると、本発明の第２の
実施例の特徴であるステップが示されている。すなわ
ち、上層配線層６を形成する前に、上層配線層６とさら
にこの層６の上に電気的接続をもつさらなる上層配線層
（図示せず）との電気的接続部分の下に相当する絶縁層
４上の位置に凸状の絶縁パッド２が再び形成される。
実施例の特徴であるステップが示されている。すなわ
ち、上層配線層６を形成する前に、上層配線層６とさら
にこの層６の上に電気的接続をもつさらなる上層配線層
（図示せず）との電気的接続部分の下に相当する絶縁層
４上の位置に凸状の絶縁パッド２が再び形成される。
【００３１】図４（Ｅ）を参照すると、図４（Ｄ）に示
された状態の基板１上にスパッタリング法等により金属
薄膜が形成されたあと、フォトレジストが塗布され、乾
燥される。所定のマスクが使用されて露光，現像された
あと、電解めっきにより上層配線層６が形成される。図
４（Ｄ）にはフォトレジストの剥離後、金属薄膜のエッ
チングで除去された状態が示されている。
された状態の基板１上にスパッタリング法等により金属
薄膜が形成されたあと、フォトレジストが塗布され、乾
燥される。所定のマスクが使用されて露光，現像された
あと、電解めっきにより上層配線層６が形成される。図
４（Ｄ）にはフォトレジストの剥離後、金属薄膜のエッ
チングで除去された状態が示されている。
【００３２】
【発明の効果】本発明は、上層配線層６と下層配線層３
との電気的接続部分の下に絶縁パッド２を基板１上に形
成するため、ビアホール５を形成する位置に相当する部
分の下層配線層３が高くなる。
との電気的接続部分の下に絶縁パッド２を基板１上に形
成するため、ビアホール５を形成する位置に相当する部
分の下層配線層３が高くなる。
【００３３】このため、その部分の絶縁膜４の厚さは、
他の部分の絶縁膜４の厚さに比較して薄くなる。
他の部分の絶縁膜４の厚さに比較して薄くなる。
【００３４】この結果、本発明は、アスベクト比の小さ
なビアホールを形成することができる。
なビアホールを形成することができる。
【００３５】本発明は、ビアホールのアスペクト比を小
さくできるため、上層配線層６をビアホール５の内壁お
よび下層配線層３に接続しやすくすることができる。
さくできるため、上層配線層６をビアホール５の内壁お
よび下層配線層３に接続しやすくすることができる。
【００３６】この結果、本発明は、配線の電気的接続信
頼性を向上できるという効果がある。
頼性を向上できるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第１の実施例の製
造方法を示す図である。
造方法を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の第２の実施例の製
造方法を示す図である。
造方法を示す図である。
１ 多層配線基板 ２ 凸状のパッド ３ 下層配線層 ４ 絶縁層 ５ ビアホール ６ 上層配線層 ７ 凸状のパッド
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と、 この基板上に形成されたパッドと、 このパッドを覆うように前記基板上に形成された下層配
線層と、 この下層配線層のうち前記パッドを覆う部分をビアホー
ルとして形成された絶縁層と、 この絶縁層のビアホールに前記下層配線層と電気的に接
続するように形成された上層配線層とを含むことを特徴
とする多層配線基板。 - 【請求項２】 前記基板上に形成されたパッドを第１の
パッドとし、 前記上層配線層と前記上層配線層の上に形成されるべき
配線層の電気的接続部分の下でかつ前記絶縁層と前記上
層配線層との間に第２のパッドを形成することを特徴と
する請求項１記載の多層配線基板。 - 【請求項３】 下層配線層と上層配線層との電気的接続
部分の下に相当する基板上の位置にパッドを形成する第
１の工程と、 この第１の工程でパッドを形成した前記基板の上に前記
パッドを覆うように前記下層配線層を形成する第２の工
程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6172539A JP2715920B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 多層配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6172539A JP2715920B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 多層配線基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0837377A true JPH0837377A (ja) | 1996-02-06 |
| JP2715920B2 JP2715920B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=15943774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6172539A Expired - Lifetime JP2715920B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 多層配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2715920B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001016007A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 伝送線路を有する配線基板 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05343854A (ja) * | 1993-02-17 | 1993-12-24 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-07-25 JP JP6172539A patent/JP2715920B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05343854A (ja) * | 1993-02-17 | 1993-12-24 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001016007A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 伝送線路を有する配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2715920B2 (ja) | 1998-02-18 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971007 |