JPH08321747A - 入力判定回路 - Google Patents
入力判定回路Info
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- JPH08321747A JPH08321747A JP7125372A JP12537295A JPH08321747A JP H08321747 A JPH08321747 A JP H08321747A JP 7125372 A JP7125372 A JP 7125372A JP 12537295 A JP12537295 A JP 12537295A JP H08321747 A JPH08321747 A JP H08321747A
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- voltage
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/0038—Circuits for comparing several input signals and for indicating the result of this comparison, e.g. equal, different, greater, smaller (comparing pulses or pulse trains according to amplitude)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 複数チャネルのアナログ入力信号をデジタル
変換して演算処理によって大小判定を行うのではなく、
構成を簡略化することができるアナログ回路で判定を行
うようにした最大入力検出回路21において、各入力電
圧Vijを基準電圧と比較する検出部31と、その出力
電圧Vojに対応して判定のためのレンジを決定するフ
ィードバック電流IFを出力するフィードバック電流発
生回路32とを設けるとともに、そのフィードバック電
流量を決定する第7のトランジスタQ7と対を成し、入
力電圧が小さいときにおいてもバイアス電流I6を確保
しておくための第10のトランジスタQ10を各基本回
路Cjに共通に設ける。 【効果】 全入力チャネル数nに対して最大レベルおよ
びそのレベル付近の入力チャネル数kが比較的に小さい
ときにも、トランジスタQ7によって発生されるフィー
ドバック電流量を前記基準電圧を変化させるための充分
な値とすることができる。
変換して演算処理によって大小判定を行うのではなく、
構成を簡略化することができるアナログ回路で判定を行
うようにした最大入力検出回路21において、各入力電
圧Vijを基準電圧と比較する検出部31と、その出力
電圧Vojに対応して判定のためのレンジを決定するフ
ィードバック電流IFを出力するフィードバック電流発
生回路32とを設けるとともに、そのフィードバック電
流量を決定する第7のトランジスタQ7と対を成し、入
力電圧が小さいときにおいてもバイアス電流I6を確保
しておくための第10のトランジスタQ10を各基本回
路Cjに共通に設ける。 【効果】 全入力チャネル数nに対して最大レベルおよ
びそのレベル付近の入力チャネル数kが比較的に小さい
ときにも、トランジスタQ7によって発生されるフィー
ドバック電流量を前記基準電圧を変化させるための充分
な値とすることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多数チャネルのアナロ
グ入力信号から、最大値または最小値であるチャネルを
判定するための入力判定回路に関する。
グ入力信号から、最大値または最小値であるチャネルを
判定するための入力判定回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、多数チャネルのアナログ入力
信号からの最大値または最小値であるチャネルの判定
は、入力された各アナログ信号をデジタル変換し、得ら
れたデジタルデータを演算処理することによって行われ
ている。したがって、判定すべき入力チャネル数が増加
すると、演算量は飛躍的に増加し、演算処理装置に高い
処理能力が要求され、回路構成が複雑になり、また電力
消費も増大する。
信号からの最大値または最小値であるチャネルの判定
は、入力された各アナログ信号をデジタル変換し、得ら
れたデジタルデータを演算処理することによって行われ
ている。したがって、判定すべき入力チャネル数が増加
すると、演算量は飛躍的に増加し、演算処理装置に高い
処理能力が要求され、回路構成が複雑になり、また電力
消費も増大する。
【0003】このような不具合を解決するために、入力
された複数チャネルのアナログ入力電圧から、最大値と
なる入力チャネルを判定するようにした従来技術が、た
とえば McGraw-Hill出版、Ismail, Fiez編、Analog VSL
I: Signal and InformationProcessingのp100,Fig
ure 3.31 に示されている。この従来技術による最大入
力検出回路1の電気回路図を図4に示す。
された複数チャネルのアナログ入力電圧から、最大値と
なる入力チャネルを判定するようにした従来技術が、た
とえば McGraw-Hill出版、Ismail, Fiez編、Analog VSL
I: Signal and InformationProcessingのp100,Fig
ure 3.31 に示されている。この従来技術による最大入
力検出回路1の電気回路図を図4に示す。
【0004】この最大入力検出回路1では、複数j(j
=1,2,…,n)チャネルの入力電圧Vijに個別的
に対応した基本回路c1〜cnが設けられている。
=1,2,…,n)チャネルの入力電圧Vijに個別的
に対応した基本回路c1〜cnが設けられている。
【0005】基本回路c1は、MOS(金属酸化膜半導
体)から成る5つの電界効果トランジスタq1〜q5を
備えて構成されている。前記入力電圧Vi1は、N型の
トランジスタq1のゲートに入力されており、このトラ
ンジスタq1のドレインはP型のトランジスタq2のド
レインおよびゲートに接続されている。トランジスタq
2のソースはハイレベルVddの電源ライン2に接続さ
れている。
体)から成る5つの電界効果トランジスタq1〜q5を
備えて構成されている。前記入力電圧Vi1は、N型の
トランジスタq1のゲートに入力されており、このトラ
ンジスタq1のドレインはP型のトランジスタq2のド
レインおよびゲートに接続されている。トランジスタq
2のソースはハイレベルVddの電源ライン2に接続さ
れている。
【0006】このトランジスタq2に対応して、同様の
P型のトランジスタq3が設けられており、これらトラ
ンジスタq2,q3はカレントミラー回路を構成する。
トランジスタq3のゲートは前記トランジスタq2のゲ
ートとともにトランジスタq1のドレインに接続されて
おり、またソースは前記電源ライン2に接続され、ドレ
インはN型のトランジスタq4のドレインに接続されて
いる。トランジスタq4のゲートには予め定める基準電
圧Vb2が印加されており、またソースは接地レベルの
電源ライン3に接続されている。これらトランジスタq
3,q4の接続点4からは、該トランジスタq3,q4
のインピーダンスに応じた出力電圧Vo1が出力され
る。
P型のトランジスタq3が設けられており、これらトラ
ンジスタq2,q3はカレントミラー回路を構成する。
トランジスタq3のゲートは前記トランジスタq2のゲ
ートとともにトランジスタq1のドレインに接続されて
おり、またソースは前記電源ライン2に接続され、ドレ
インはN型のトランジスタq4のドレインに接続されて
いる。トランジスタq4のゲートには予め定める基準電
圧Vb2が印加されており、またソースは接地レベルの
電源ライン3に接続されている。これらトランジスタq
3,q4の接続点4からは、該トランジスタq3,q4
のインピーダンスに応じた出力電圧Vo1が出力され
る。
【0007】また、前記トランジスタq1のソースはN
型のトランジスタq5のドレインに接続されており、こ
のトランジスタq5のソースは前記電源ライン3に接続
され、ゲートには予め定める基準電圧Vb1が印加され
ている。各トランジスタq1〜q5は、飽和領域で動作
する。
型のトランジスタq5のドレインに接続されており、こ
のトランジスタq5のソースは前記電源ライン3に接続
され、ゲートには予め定める基準電圧Vb1が印加され
ている。各トランジスタq1〜q5は、飽和領域で動作
する。
【0008】残余の基本回路c2〜cnも、前記基本回
路c1と同様に構成されており、各基本回路c1〜cn
におけるトランジスタq1とq5との接続点5は、接線
cm1によって相互に同電位に保たれている。
路c1と同様に構成されており、各基本回路c1〜cn
におけるトランジスタq1とq5との接続点5は、接線
cm1によって相互に同電位に保たれている。
【0009】上述のように構成された各基本回路cjに
おいて、トランジスタq1を流れる電流をI1とすると
き、この電流I1と出力電圧Vojとの関係は図5で示
されるようになる。
おいて、トランジスタq1を流れる電流をI1とすると
き、この電流I1と出力電圧Vojとの関係は図5で示
されるようになる。
【0010】すなわち、出力電圧Vojは、電流I1が
電流Ia以下であるときにはVdd/3以下のローレベ
ルとなり、前記電流Iaより大きく電流Ib未満である
ときには前記電流I1に対応してVdd/3〜2・Vd
d/3の範囲で変化し、電流Ib以上であるときには2
・Vdd/3以上のハイレベルとなる。
電流Ia以下であるときにはVdd/3以下のローレベ
ルとなり、前記電流Iaより大きく電流Ib未満である
ときには前記電流I1に対応してVdd/3〜2・Vd
d/3の範囲で変化し、電流Ib以上であるときには2
・Vdd/3以上のハイレベルとなる。
【0011】前記電流Ia,Ibは、前記基準電圧Vb
2によって定められるトランジスタq4を流れる参照用
のバイアス電流をI4とし、トランジスタq2とトラン
ジスタq3とのゲート幅/ゲート長(W/L)の比をr
(2,3)とするとき、それぞれr(2,3)・I4−ΔIa,
r(2,3)・I4+ΔIbで表すことができる。
2によって定められるトランジスタq4を流れる参照用
のバイアス電流をI4とし、トランジスタq2とトラン
ジスタq3とのゲート幅/ゲート長(W/L)の比をr
(2,3)とするとき、それぞれr(2,3)・I4−ΔIa,
r(2,3)・I4+ΔIbで表すことができる。
【0012】したがって、各基本回路cjにそれぞれ入
力電圧Vijを印加し、電流I1k≧IbかつI1j≦
Ia(j≠k)となる各入力電圧Vijに対応した出力
電圧は、Vok=ハイレベルかつVoj=ローレベルと
なる。こうして、複数の入力電圧Vijのうち、唯一の
最大値となる入力電圧Vikが検出されることになる。
力電圧Vijを印加し、電流I1k≧IbかつI1j≦
Ia(j≠k)となる各入力電圧Vijに対応した出力
電圧は、Vok=ハイレベルかつVoj=ローレベルと
なる。こうして、複数の入力電圧Vijのうち、唯一の
最大値となる入力電圧Vikが検出されることになる。
【0013】しかしながら、上述のような最大入力検出
回路1では、図6(a)において参照符I01,I0
2,I03で示すように、電流I1が電流Ib以上で複
数得られるときには、それらの電流I01,I02,I
03に対して、出力電圧Vojはすべてハイレベルとな
ってしまい、大小判定を行うことができなくなってしま
う。すなわち、該最大入力検出回路1における判定レン
ジが有効に使用されず、分解能に劣るという問題があ
る。
回路1では、図6(a)において参照符I01,I0
2,I03で示すように、電流I1が電流Ib以上で複
数得られるときには、それらの電流I01,I02,I
03に対して、出力電圧Vojはすべてハイレベルとな
ってしまい、大小判定を行うことができなくなってしま
う。すなわち、該最大入力検出回路1における判定レン
ジが有効に使用されず、分解能に劣るという問題があ
る。
【0014】したがって、図6(b)において参照符I
01a,I02a,I03aで示すように、電流I1の
レベルを低レベル側にシフトして前記判定レンジを有効
に活用することが考えられる。このような考え方を用い
る他の従来技術は、J.Choi and B.J.Shue, A High-Prec
ision VLSI Winner-Take-All Circuit for Self-Organ
aizing Neural Networks, IEEE Journal of Solid-Stat
e Circuits, Vol.28,No.5, pp.576-584, May 1993に示
されている。この従来技術による最大入力検出回路11
の電気回路図を図7で示す。図7において、前記図6に
類似し、対応する部分には、同一の参照符を付してその
説明を省略する。
01a,I02a,I03aで示すように、電流I1の
レベルを低レベル側にシフトして前記判定レンジを有効
に活用することが考えられる。このような考え方を用い
る他の従来技術は、J.Choi and B.J.Shue, A High-Prec
ision VLSI Winner-Take-All Circuit for Self-Organ
aizing Neural Networks, IEEE Journal of Solid-Stat
e Circuits, Vol.28,No.5, pp.576-584, May 1993に示
されている。この従来技術による最大入力検出回路11
の電気回路図を図7で示す。図7において、前記図6に
類似し、対応する部分には、同一の参照符を付してその
説明を省略する。
【0015】この最大入力検出回路11では、各基本回
路cajには、それぞれトランジスタq6〜q10から
成るフィードバック電流発生回路12が設けられてい
る。フィードバック電流発生回路12において、前記接
続点4からの出力電圧Vojは、N型のトランジスタq
7のゲートに入力されており、このトランジスタq7の
ソースは、N型のトランジスタq6を介して前記電源ラ
イン3に接続されるとともに、接線cm2によって各基
本回路caj間で相互に同電位に保持される。トランジ
スタq6のゲートには予め定める基準電圧Vb3が印加
されており、したがって、各基本回路cajのトランジ
スタq6を流れるバイアス電流I6は、前記基準電圧V
b3によって規定されている。
路cajには、それぞれトランジスタq6〜q10から
成るフィードバック電流発生回路12が設けられてい
る。フィードバック電流発生回路12において、前記接
続点4からの出力電圧Vojは、N型のトランジスタq
7のゲートに入力されており、このトランジスタq7の
ソースは、N型のトランジスタq6を介して前記電源ラ
イン3に接続されるとともに、接線cm2によって各基
本回路caj間で相互に同電位に保持される。トランジ
スタq6のゲートには予め定める基準電圧Vb3が印加
されており、したがって、各基本回路cajのトランジ
スタq6を流れるバイアス電流I6は、前記基準電圧V
b3によって規定されている。
【0016】前記トランジスタq7のドレインは、P型
のトランジスタq8を介して電源ライン2に接続されて
いる。このトランジスタq8と対を成すトランジスタq
9が設けられており、これらトランジスタq8,q9は
カレントミラー回路を構成し、トランジスタq9は前記
トランジスタq7に流れる電流に対応する電流を、フィ
ードバック電流IFとして、前記接続点5に正帰還す
る。
のトランジスタq8を介して電源ライン2に接続されて
いる。このトランジスタq8と対を成すトランジスタq
9が設けられており、これらトランジスタq8,q9は
カレントミラー回路を構成し、トランジスタq9は前記
トランジスタq7に流れる電流に対応する電流を、フィ
ードバック電流IFとして、前記接続点5に正帰還す
る。
【0017】また、前記トランジスタq7と対を成すN
型のトランジスタq10が設けられており、該トランジ
スタq10のゲートおよびドレインは前記電源ライン2
に接続され、ソースはトランジスタq7のソースととも
に前記トランジスタq6のドレインに接続されている。
各トランジスタq6〜q10は、飽和領域で動作する。
型のトランジスタq10が設けられており、該トランジ
スタq10のゲートおよびドレインは前記電源ライン2
に接続され、ソースはトランジスタq7のソースととも
に前記トランジスタq6のドレインに接続されている。
各トランジスタq6〜q10は、飽和領域で動作する。
【0018】したがって、各基本回路cajにおいて、
前記出力電圧Vojが接線cm2の電圧にMOSFET
の導通に要する閾値電圧Vthを加算した電圧よりも高
くなる程、前記接続点5にフィードバック電流IFが正
帰還されることになり、トランジスタq1を流れる電流
I1、すなわちトランジスタq3を流れる電流I3が減
少する。これによって、前記出力電圧Vojが接線cm
2の電圧に閾値電圧Vthを加算した電圧よりも低くな
ると、トランジスタq7はOFFとなって、トランジス
タq6の前記バイアス電流I6はトランジスタq10か
らすべて供給されることになる。このような動作が、入
力電圧Vijの小さいチャネルの基本回路から行われ、
前記判定レンジが最大入力付近にシフトして、最終的に
最大入力の基本回路のみが出力電圧Vojにハイレベル
を出力することになる。
前記出力電圧Vojが接線cm2の電圧にMOSFET
の導通に要する閾値電圧Vthを加算した電圧よりも高
くなる程、前記接続点5にフィードバック電流IFが正
帰還されることになり、トランジスタq1を流れる電流
I1、すなわちトランジスタq3を流れる電流I3が減
少する。これによって、前記出力電圧Vojが接線cm
2の電圧に閾値電圧Vthを加算した電圧よりも低くな
ると、トランジスタq7はOFFとなって、トランジス
タq6の前記バイアス電流I6はトランジスタq10か
らすべて供給されることになる。このような動作が、入
力電圧Vijの小さいチャネルの基本回路から行われ、
前記判定レンジが最大入力付近にシフトして、最終的に
最大入力の基本回路のみが出力電圧Vojにハイレベル
を出力することになる。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】上述のような最大入力
検出回路11では、出力電圧Vojがハイレベルとなる
べきチャネル数をk(≧2)とすると、前記チャネル数
kが小さいとき、すなわちたとえば2つの入力電圧だけ
がハイレベルの出力電圧を得ることができる値であり、
残余の多数の入力電圧がローレベルの出力電圧となるべ
き値であるときには、充分なフィードバック電流を得る
ことができない。したがって、前記判定レンジを、前記
図6(b)で示すように、前記2つのチャネルの入力電
圧に対応した電流値付近にシフトさせることができず、
この2つの入力電圧に対して大小判定ができないという
問題がある。
検出回路11では、出力電圧Vojがハイレベルとなる
べきチャネル数をk(≧2)とすると、前記チャネル数
kが小さいとき、すなわちたとえば2つの入力電圧だけ
がハイレベルの出力電圧を得ることができる値であり、
残余の多数の入力電圧がローレベルの出力電圧となるべ
き値であるときには、充分なフィードバック電流を得る
ことができない。したがって、前記判定レンジを、前記
図6(b)で示すように、前記2つのチャネルの入力電
圧に対応した電流値付近にシフトさせることができず、
この2つの入力電圧に対して大小判定ができないという
問題がある。
【0020】以下に、フィードバック電流が不足する理
由を詳述する。MOSFETの飽和領域での電流Iの基
本式は、 I=K・(W/L)・(Vgs−Vth)2 …(1) で表される。ただし、Kは、MOSFETの物性によっ
て決定される比例定数である。またW/Lは、ゲート幅
とゲート長との比であり、大きくなる程、電流通過量が
多くなる。Vgsは、ゲート−ソース間電圧であり、V
thは導通に要する閾値電圧である。
由を詳述する。MOSFETの飽和領域での電流Iの基
本式は、 I=K・(W/L)・(Vgs−Vth)2 …(1) で表される。ただし、Kは、MOSFETの物性によっ
て決定される比例定数である。またW/Lは、ゲート幅
とゲート長との比であり、大きくなる程、電流通過量が
多くなる。Vgsは、ゲート−ソース間電圧であり、V
thは導通に要する閾値電圧である。
【0021】ここで、全入力チャネル数nのうち最大値
およびその付近となる入力チャネル数を前記kとし、残
余のn−k個の入力チャネルは入出力ともローレベルの
0Vとするとき、接続点5にフィードバックされるフィ
ードバック電流IFは、前記基準電圧Vb3によって定
められるトランジスタq6を流れるバイアス電流I6の
総和n・I6を、出力電圧Vojがハイレベルであるk
個のトランジスタq7と、n個のトランジスタq10と
で分流した値のr(9,8)倍、したがって、 IF=r(9,8)・n・I6{k/(k+r(10,7)・n)} …(2) を超えることはない。ただし、r(9,8)はカレントミラ
ー回路を構成するトランジスタq9とq8との前記ゲー
ト幅/ゲート長の比であり、r(10,7)はトランジスタq
10とq7とのゲート幅/ゲート長の比である。
およびその付近となる入力チャネル数を前記kとし、残
余のn−k個の入力チャネルは入出力ともローレベルの
0Vとするとき、接続点5にフィードバックされるフィ
ードバック電流IFは、前記基準電圧Vb3によって定
められるトランジスタq6を流れるバイアス電流I6の
総和n・I6を、出力電圧Vojがハイレベルであるk
個のトランジスタq7と、n個のトランジスタq10と
で分流した値のr(9,8)倍、したがって、 IF=r(9,8)・n・I6{k/(k+r(10,7)・n)} …(2) を超えることはない。ただし、r(9,8)はカレントミラ
ー回路を構成するトランジスタq9とq8との前記ゲー
ト幅/ゲート長の比であり、r(10,7)はトランジスタq
10とq7とのゲート幅/ゲート長の比である。
【0022】これに対して、相互にほぼレベルの等しい
k個の入力を分離するにあたって、前記トランジスタq
1を流れる電流I1は、基準電圧である該トランジスタ
q1のソース電圧に対する入力電圧Vijの差に対応し
ており、したがって入力電圧Vijが最大値およびその
付近であり、出力電圧Vojがハイレベルとなる前記k
チャネル分は、該トランジスタq1からトランジスタq
5へ必要となるバイアス電流I5を充分に供給すること
ができる。しかしながら出力電圧Vojがローレベルと
なるn−kチャネル分のバイアス電流I5が不足し、フ
ィードバック電流IFaとして、 IFa=(n−k)・I5 …(3) が必要となる。
k個の入力を分離するにあたって、前記トランジスタq
1を流れる電流I1は、基準電圧である該トランジスタ
q1のソース電圧に対する入力電圧Vijの差に対応し
ており、したがって入力電圧Vijが最大値およびその
付近であり、出力電圧Vojがハイレベルとなる前記k
チャネル分は、該トランジスタq1からトランジスタq
5へ必要となるバイアス電流I5を充分に供給すること
ができる。しかしながら出力電圧Vojがローレベルと
なるn−kチャネル分のバイアス電流I5が不足し、フ
ィードバック電流IFaとして、 IFa=(n−k)・I5 …(3) が必要となる。
【0023】前記フィードバック電流IFとIFaとを
比較すると、出力電圧Vojがハイレベルとなるチャネ
ル数kを一定値として、全入力チャネル数nに対するオ
ーダを考えると、すなわちn=∞としたとき、フィード
バック電流IFは定数となるのに対して、フィードバッ
ク電流IFaは発散してしまう。したがって、各パラメ
ータr(9,8),r(10,7),I5,I6をいかなる値とし
ても、全入力チャネル数nが多くなる程、実際のフィー
ドバック電流IFは要求されるフィードバック電流IF
aを満たすことができない。
比較すると、出力電圧Vojがハイレベルとなるチャネ
ル数kを一定値として、全入力チャネル数nに対するオ
ーダを考えると、すなわちn=∞としたとき、フィード
バック電流IFは定数となるのに対して、フィードバッ
ク電流IFaは発散してしまう。したがって、各パラメ
ータr(9,8),r(10,7),I5,I6をいかなる値とし
ても、全入力チャネル数nが多くなる程、実際のフィー
ドバック電流IFは要求されるフィードバック電流IF
aを満たすことができない。
【0024】したがって、最大値付近のチャネル数kが
小さく、全入力チャネル数nが大きい場合には、前述の
ように判定レンジをシフトさせることができず、分解能
が低下してしまうという問題がある。
小さく、全入力チャネル数nが大きい場合には、前述の
ように判定レンジをシフトさせることができず、分解能
が低下してしまうという問題がある。
【0025】このような問題を解決するためには、n=
1におけるトランジスタq10の電流容量に対して、n
>1の場合には前記電流容量を1/nとする方法が考え
られる。しかしながら、n=16,32,64,…のよ
うに種々の全入力チャネル数に対応するためには、その
全入力チャネル数に合わせて電極面積やパターン幅など
を個別に設計する必要があり、汎用性に欠けるという問
題がある。また、全入力チャネル数が多くなると、前記
電極面積やパターン幅などが微小になり、既存の設計ル
ールで対応できないという問題もある。
1におけるトランジスタq10の電流容量に対して、n
>1の場合には前記電流容量を1/nとする方法が考え
られる。しかしながら、n=16,32,64,…のよ
うに種々の全入力チャネル数に対応するためには、その
全入力チャネル数に合わせて電極面積やパターン幅など
を個別に設計する必要があり、汎用性に欠けるという問
題がある。また、全入力チャネル数が多くなると、前記
電極面積やパターン幅などが微小になり、既存の設計ル
ールで対応できないという問題もある。
【0026】本発明の目的は、多数のアナログ入力から
アナログ/デジタル変換器を用いることのない簡便な構
成で、最大値または最小値を正確に判定することができ
る入力判定回路を提供することである。
アナログ/デジタル変換器を用いることのない簡便な構
成で、最大値または最小値を正確に判定することができ
る入力判定回路を提供することである。
【0027】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係る入
力判定回路は、入力電圧に対応して定められる基準電圧
に対する入力電圧の差に対応した電流を通過させる第1
のトランジスタと、前記第1のトランジスタと一方の電
源ラインとの間に介在される第2のトランジスタと、前
記一方の電源ラインに接続され、第2のトランジスタと
対を成してカレントミラー回路を構成する第3のトラン
ジスタと、前記第3のトランジスタと他方の電源ライン
との間に介在され、予め定める電流を通過させる第4の
トランジスタと、前記第1のトランジスタと他方の電源
ラインとの間に介在され、予め定める電流を通過させる
第5のトランジスタとを含む複数の基本回路が、前記第
1のトランジスタと第5のトランジスタとの接続点が同
電位となるように相互に並列に接続されて構成され、第
3のトランジスタと第4のトランジスタとの接続点から
出力される各基本回路からの出力によって、各基本回路
への入力のうち、いずれの入力が最も大きいか、または
最も小さいかを判定するようにした入力判定回路におい
て、前記各基本回路は、他方の電源ラインに接続され、
予め定める電流を通過させる第6のトランジスタと、前
記第6のトランジスタに接続され、該第6のトランジス
タの端子電圧に対する前記出力の差に対応した電流を通
過させる第7のトランジスタと、前記第7のトランジス
タと一方の電源ラインとの間に介在される第8のトラン
ジスタと、一方の電源ラインに接続され、前記第8のト
ランジスタと対を成してカレントミラー回路を構成し、
前記第1のトランジスタと第5のトランジスタとの接続
点に前記基準電圧を変化させるためのフィードバック電
流を供給する第9のトランジスタとを備えるフィードバ
ック電流発生回路を有し、さらに前記一方の電源ライン
と各基本回路の第6のトランジスタとの間に共通に介在
され、第6のトランジスタに、該第6のトランジスタの
端子電圧に対応した電流をバイパスして通過させる第1
0のトランジスタを備え、前記第9のトランジスタと第
8のトランジスタとのゲート幅/ゲート長の比をr(9,
8)とし、前記第10のトランジスタと第7とのトランジ
スタのゲート幅/ゲート長の比をr(10,7)とし、第5お
よび第6のトランジスタを流れる電流をそれぞれI5,
I6とするとき、r(9,8)・I6・{2/(2+r(10,
7))}>I5を満足するように、前記各パラメータI
5,I6,r(9,8),r(10,7)を設定することを特徴と
する。
力判定回路は、入力電圧に対応して定められる基準電圧
に対する入力電圧の差に対応した電流を通過させる第1
のトランジスタと、前記第1のトランジスタと一方の電
源ラインとの間に介在される第2のトランジスタと、前
記一方の電源ラインに接続され、第2のトランジスタと
対を成してカレントミラー回路を構成する第3のトラン
ジスタと、前記第3のトランジスタと他方の電源ライン
との間に介在され、予め定める電流を通過させる第4の
トランジスタと、前記第1のトランジスタと他方の電源
ラインとの間に介在され、予め定める電流を通過させる
第5のトランジスタとを含む複数の基本回路が、前記第
1のトランジスタと第5のトランジスタとの接続点が同
電位となるように相互に並列に接続されて構成され、第
3のトランジスタと第4のトランジスタとの接続点から
出力される各基本回路からの出力によって、各基本回路
への入力のうち、いずれの入力が最も大きいか、または
最も小さいかを判定するようにした入力判定回路におい
て、前記各基本回路は、他方の電源ラインに接続され、
予め定める電流を通過させる第6のトランジスタと、前
記第6のトランジスタに接続され、該第6のトランジス
タの端子電圧に対する前記出力の差に対応した電流を通
過させる第7のトランジスタと、前記第7のトランジス
タと一方の電源ラインとの間に介在される第8のトラン
ジスタと、一方の電源ラインに接続され、前記第8のト
ランジスタと対を成してカレントミラー回路を構成し、
前記第1のトランジスタと第5のトランジスタとの接続
点に前記基準電圧を変化させるためのフィードバック電
流を供給する第9のトランジスタとを備えるフィードバ
ック電流発生回路を有し、さらに前記一方の電源ライン
と各基本回路の第6のトランジスタとの間に共通に介在
され、第6のトランジスタに、該第6のトランジスタの
端子電圧に対応した電流をバイパスして通過させる第1
0のトランジスタを備え、前記第9のトランジスタと第
8のトランジスタとのゲート幅/ゲート長の比をr(9,
8)とし、前記第10のトランジスタと第7とのトランジ
スタのゲート幅/ゲート長の比をr(10,7)とし、第5お
よび第6のトランジスタを流れる電流をそれぞれI5,
I6とするとき、r(9,8)・I6・{2/(2+r(10,
7))}>I5を満足するように、前記各パラメータI
5,I6,r(9,8),r(10,7)を設定することを特徴と
する。
【0028】また、請求項2の発明に係る入力判定回路
は、前記各基本回路の後段に、前記第1〜第5のトラン
ジスタから成る判定回路をそれぞれ設け、該判定回路は
基本回路の出力をレベル弁別して出力することを特徴と
する。
は、前記各基本回路の後段に、前記第1〜第5のトラン
ジスタから成る判定回路をそれぞれ設け、該判定回路は
基本回路の出力をレベル弁別して出力することを特徴と
する。
【0029】
【作用】請求項1の発明に従えば、多数チャネルのアナ
ログ入力信号から、アナログ/デジタル変換器を用いる
ことのない簡便な構成で、最大値または最小値であるチ
ャネルを直接判定するようにした入力判定回路におい
て、各入力毎に個別的に対応して設けられ、入力電圧
と、該入力電圧に対応して定められる基準電圧とを比較
する基本回路に、入力電圧に対応して前記基準電圧を変
化し、該基本回路の判定レンジをシフトするためのフィ
ードバック電流発生回路を設けておく。
ログ入力信号から、アナログ/デジタル変換器を用いる
ことのない簡便な構成で、最大値または最小値であるチ
ャネルを直接判定するようにした入力判定回路におい
て、各入力毎に個別的に対応して設けられ、入力電圧
と、該入力電圧に対応して定められる基準電圧とを比較
する基本回路に、入力電圧に対応して前記基準電圧を変
化し、該基本回路の判定レンジをシフトするためのフィ
ードバック電流発生回路を設けておく。
【0030】すなわち、各基本回路は、図1で示すよう
に、一対の電源ライン間に、第2、第1および第5のト
ランジスタから成る直列回路と、第3および第4のトラ
ンジスタから成る直列回路とが介在されて構成されてい
る。たとえば、該入力判定回路が最大値検出のための回
路であるときには、一方の電源ライン、すなわち第2お
よび第3のトランジスタ側の電源ラインはハイレベルと
なり、したがって第5および第4のトランジスタ側の電
源ラインはローレベルとなる。またこのとき、第2およ
び第3のトランジスタはP型のたとえばMOSFETで
あり、第1、第4および第5のトランジスタはN型のM
OSFETである。
に、一対の電源ライン間に、第2、第1および第5のト
ランジスタから成る直列回路と、第3および第4のトラ
ンジスタから成る直列回路とが介在されて構成されてい
る。たとえば、該入力判定回路が最大値検出のための回
路であるときには、一方の電源ライン、すなわち第2お
よび第3のトランジスタ側の電源ラインはハイレベルと
なり、したがって第5および第4のトランジスタ側の電
源ラインはローレベルとなる。またこのとき、第2およ
び第3のトランジスタはP型のたとえばMOSFETで
あり、第1、第4および第5のトランジスタはN型のM
OSFETである。
【0031】入力電圧は第1のトランジスタに入力され
ており、この第1のトランジスタはソースに印加される
基準電圧と入力電圧との差、すなわちゲート−ソース間
の電位差に対応した電流を通過させる。この第1のトラ
ンジスタと他方の電源ラインとの間に介在される第5の
トランジスタには、予め定める基準電圧が印加されて、
該第5のトランジスタは予め定める電流を通過させるよ
うになっている。
ており、この第1のトランジスタはソースに印加される
基準電圧と入力電圧との差、すなわちゲート−ソース間
の電位差に対応した電流を通過させる。この第1のトラ
ンジスタと他方の電源ラインとの間に介在される第5の
トランジスタには、予め定める基準電圧が印加されて、
該第5のトランジスタは予め定める電流を通過させるよ
うになっている。
【0032】また、前記第1のトランジスタと一方の電
源ラインとの間に介在される第2のトランジスタは第3
のトランジスタと対を成してカレントミラー回路を構成
しており、したがって前記第1のトランジスタに流れる
電流に対応した電流が第3のトランジスタに流れる。こ
の第3のトランジスタの出力端と他方の電源ラインとの
間には第4のトランジスタが介在されており、この第4
のトランジスタは、前記第5のトランジスタと同様に、
予め定める基準電圧が印加されて予め定める電流を通過
させるように構成されている。
源ラインとの間に介在される第2のトランジスタは第3
のトランジスタと対を成してカレントミラー回路を構成
しており、したがって前記第1のトランジスタに流れる
電流に対応した電流が第3のトランジスタに流れる。こ
の第3のトランジスタの出力端と他方の電源ラインとの
間には第4のトランジスタが介在されており、この第4
のトランジスタは、前記第5のトランジスタと同様に、
予め定める基準電圧が印加されて予め定める電流を通過
させるように構成されている。
【0033】このような各基本回路が、前記第1のトラ
ンジスタと第5のトランジスタとの接続点が相互に接続
されて同電位とされて並列接続されている。したがっ
て、第3および第4のトランジスタの接続点から出力さ
れる各基本回路の出力は、入力電圧が高くなって第1の
トランジスタを流れる電流、すなわち第3のトランジス
タを流れる電流が大きくなってゆく程、第4のトランジ
スタに比べて該第3のトランジスタ側のインピーダンス
が小さくなって、高くなってゆく。こうして各基本回路
では、同電位の基準電圧に対して、入力電圧の比較的高
いチャネルの出力電圧がハイレベルとなるように構成さ
れている。
ンジスタと第5のトランジスタとの接続点が相互に接続
されて同電位とされて並列接続されている。したがっ
て、第3および第4のトランジスタの接続点から出力さ
れる各基本回路の出力は、入力電圧が高くなって第1の
トランジスタを流れる電流、すなわち第3のトランジス
タを流れる電流が大きくなってゆく程、第4のトランジ
スタに比べて該第3のトランジスタ側のインピーダンス
が小さくなって、高くなってゆく。こうして各基本回路
では、同電位の基準電圧に対して、入力電圧の比較的高
いチャネルの出力電圧がハイレベルとなるように構成さ
れている。
【0034】このような基本回路の構成に、本発明では
第6〜第9のトランジスタから成るフィードバック電流
発生回路が設けられている。すなわち、前記第1および
第5のトランジスタと同様に、他方の電源ラインに対し
て予め定める電流を通過させる第6のトランジスタが接
続され、その第6のトランジスタに第7のトランジスタ
から、該第6のトランジスタの端子電圧と前記基本回路
の出力電圧との差に対応した電流が入力される。前記第
7のトランジスタを流れる電流に対応した電流が、該第
7のトランジスタと一方の電源ラインとの間に介在され
る第8のトランジスタおよび該第8のトランジスタとカ
レントミラー回路を構成する第9のトランジスタによっ
て、前記第1のトランジスタと第5のトランジスタとの
接続点、すなわち第1のトランジスタに前記基準電圧を
与えるべき点へフィードバックされる。
第6〜第9のトランジスタから成るフィードバック電流
発生回路が設けられている。すなわち、前記第1および
第5のトランジスタと同様に、他方の電源ラインに対し
て予め定める電流を通過させる第6のトランジスタが接
続され、その第6のトランジスタに第7のトランジスタ
から、該第6のトランジスタの端子電圧と前記基本回路
の出力電圧との差に対応した電流が入力される。前記第
7のトランジスタを流れる電流に対応した電流が、該第
7のトランジスタと一方の電源ラインとの間に介在され
る第8のトランジスタおよび該第8のトランジスタとカ
レントミラー回路を構成する第9のトランジスタによっ
て、前記第1のトランジスタと第5のトランジスタとの
接続点、すなわち第1のトランジスタに前記基準電圧を
与えるべき点へフィードバックされる。
【0035】したがって、第1のトランジスタへの入力
電圧が高くなると、第3および第4のトランジスタの接
続点から出力される出力電圧が高くなり、これに伴って
フィードバック電流が増大し、第1のトランジスタを流
れる電流と、第5のトランジスタを流れる予め定める電
流との比に対応して、前記基準電圧が上昇する。これに
よって、該第1のトランジスタを流れる電流が減少し、
前記基準電圧に対する入力電圧の大小判定のための判定
レンジが該入力電圧の高レベル側にシフトすることにな
る。こうして、複数の入力から最大値または最小値を正
確に判定することが可能となる。
電圧が高くなると、第3および第4のトランジスタの接
続点から出力される出力電圧が高くなり、これに伴って
フィードバック電流が増大し、第1のトランジスタを流
れる電流と、第5のトランジスタを流れる予め定める電
流との比に対応して、前記基準電圧が上昇する。これに
よって、該第1のトランジスタを流れる電流が減少し、
前記基準電圧に対する入力電圧の大小判定のための判定
レンジが該入力電圧の高レベル側にシフトすることにな
る。こうして、複数の入力から最大値または最小値を正
確に判定することが可能となる。
【0036】本発明では、さらにこのような構成に加え
て、一方の電源ラインと各基本回路の第6のトランジス
タとの間に、共通に第10のトランジスタを設けてお
き、この第10のトランジスタによって、予め規定され
ている第6のトランジスタを流れるべき電流を、入力電
圧の小さいときには前記第7のトランジスタをバイパス
して一方の電源ラインから供給する。ただし、この第1
0のトランジスタと前記第7のトランジスタとのゲート
幅/ゲート長の比をr(10,7)とし、前記第9のトランジ
スタと第8のトランジスタとのゲート幅/ゲート長の比
をr(9,8)とし、第5および第6のトランジスタを流れ
る電流をそれぞれI5,I6とするとき、 r(9,8)・I6・{2/(2+r(10,7))}>I5 を満足するように、各パラメータI5,I6,r(9,
8),r(10,7)の設定を行う。
て、一方の電源ラインと各基本回路の第6のトランジス
タとの間に、共通に第10のトランジスタを設けてお
き、この第10のトランジスタによって、予め規定され
ている第6のトランジスタを流れるべき電流を、入力電
圧の小さいときには前記第7のトランジスタをバイパス
して一方の電源ラインから供給する。ただし、この第1
0のトランジスタと前記第7のトランジスタとのゲート
幅/ゲート長の比をr(10,7)とし、前記第9のトランジ
スタと第8のトランジスタとのゲート幅/ゲート長の比
をr(9,8)とし、第5および第6のトランジスタを流れ
る電流をそれぞれI5,I6とするとき、 r(9,8)・I6・{2/(2+r(10,7))}>I5 を満足するように、各パラメータI5,I6,r(9,
8),r(10,7)の設定を行う。
【0037】したがって、上式から、前記フィードバッ
ク電流の基になる電流I6は、前記基準電圧を発生する
ために必要となる電流I5を充分に満足することにな
り、該入力判定回路が最大値検出回路であるときには最
大値およびその付近のレベルの入力チャネル数が全入力
チャネル数に比べて比較的小さいとき、または該入力判
定回路が最小値検出回路であるときには最小値およびそ
の付近のレベルの入力チャネル数が全入力チャネル数よ
りも比較的に小さいときにも、充分なフィードバック電
流を発生して判定レンジのシフトを実現し、高い分解能
で正確な最大値または最小値の判定を可能とすることが
できる。
ク電流の基になる電流I6は、前記基準電圧を発生する
ために必要となる電流I5を充分に満足することにな
り、該入力判定回路が最大値検出回路であるときには最
大値およびその付近のレベルの入力チャネル数が全入力
チャネル数に比べて比較的小さいとき、または該入力判
定回路が最小値検出回路であるときには最小値およびそ
の付近のレベルの入力チャネル数が全入力チャネル数よ
りも比較的に小さいときにも、充分なフィードバック電
流を発生して判定レンジのシフトを実現し、高い分解能
で正確な最大値または最小値の判定を可能とすることが
できる。
【0038】また、請求項2の発明に従えば、前記フィ
ードバック電流発生回路を備える各基本回路の後段に、
前記第1〜第5のトランジスタから成る、すなわち該基
本回路にフィードバック電流発生回路が設けられていな
い構成で実現される回路が、判定回路としてそれぞれ設
けられている。
ードバック電流発生回路を備える各基本回路の後段に、
前記第1〜第5のトランジスタから成る、すなわち該基
本回路にフィードバック電流発生回路が設けられていな
い構成で実現される回路が、判定回路としてそれぞれ設
けられている。
【0039】したがって、最大値判定すべき出力または
最小値判定すべき出力が多数存在しても、それらの出力
電圧が出力チャネル数に対応して分圧されてしまうよう
なことはなく、一方レベルまたは他方レベルの出力電圧
を正確に出力することが可能となる。
最小値判定すべき出力が多数存在しても、それらの出力
電圧が出力チャネル数に対応して分圧されてしまうよう
なことはなく、一方レベルまたは他方レベルの出力電圧
を正確に出力することが可能となる。
【0040】
【実施例】本発明の一実施例について、図1に基づいて
説明すれば、以下のとおりである。
説明すれば、以下のとおりである。
【0041】図1は、本発明の一実施例の最大入力検出
回路21の電気回路図である。この最大入力検出回路2
1は、複数j(j=1,2,…,n)チャネルのアナロ
グ入力電圧Vijに個別的に対応した基本回路C1〜C
nを備えている。
回路21の電気回路図である。この最大入力検出回路2
1は、複数j(j=1,2,…,n)チャネルのアナロ
グ入力電圧Vijに個別的に対応した基本回路C1〜C
nを備えている。
【0042】基本回路C1は、MOSから成る5つの電
界効果トランジスタQ1〜Q5を有する検出部31と、
4つの電界効果トランジスタQ6〜Q9を有するフィー
ドバック電流発生回路32とを備えて構成されている。
前記検出部31において、前記入力電圧Vi1はN型の
トランジスタQ1のゲートに入力されており、このトラ
ンジスタQ1のドレインはP型のトランジスタQ2のド
レインおよびゲートに接続されている。
界効果トランジスタQ1〜Q5を有する検出部31と、
4つの電界効果トランジスタQ6〜Q9を有するフィー
ドバック電流発生回路32とを備えて構成されている。
前記検出部31において、前記入力電圧Vi1はN型の
トランジスタQ1のゲートに入力されており、このトラ
ンジスタQ1のドレインはP型のトランジスタQ2のド
レインおよびゲートに接続されている。
【0043】トランジスタQ2のソースは、ハイレベル
Vddである一方の電源ライン22に接続されている。
このトランジスタQ2に対応して、同様のP型のトラン
ジスタQ3が設けられており、これらトランジスタQ
2,Q3はカレントミラー回路を構成する。トランジス
タQ3のゲートは前記トランジスタQ2のゲートととも
にトランジスタQ1のドレインに接続されており、また
ソースは前記電源ライン22に接続され、ドレインはN
型のトランジスタQ4のドレインに接続されている。
Vddである一方の電源ライン22に接続されている。
このトランジスタQ2に対応して、同様のP型のトラン
ジスタQ3が設けられており、これらトランジスタQ
2,Q3はカレントミラー回路を構成する。トランジス
タQ3のゲートは前記トランジスタQ2のゲートととも
にトランジスタQ1のドレインに接続されており、また
ソースは前記電源ライン22に接続され、ドレインはN
型のトランジスタQ4のドレインに接続されている。
【0044】トランジスタQ4のゲートには予め定める
基準電圧Vb2が印加されており、またソースは接地レ
ベルである他方の電源ライン23に接続されている。こ
れらトランジスタQ3,Q4の接続点24からは、該ト
ランジスタQ3,Q4のインピーダンスに応じた出力電
圧Vo1が出力される。また、前記トランジスタQ1の
ソースはN型のトランジスタQ5のドレインに接続され
ており、このトランジスタQ5のソースは前記電源ライ
ン23に接続され、ゲートには予め定める基準電圧Vb
1が印加されている。
基準電圧Vb2が印加されており、またソースは接地レ
ベルである他方の電源ライン23に接続されている。こ
れらトランジスタQ3,Q4の接続点24からは、該ト
ランジスタQ3,Q4のインピーダンスに応じた出力電
圧Vo1が出力される。また、前記トランジスタQ1の
ソースはN型のトランジスタQ5のドレインに接続され
ており、このトランジスタQ5のソースは前記電源ライ
ン23に接続され、ゲートには予め定める基準電圧Vb
1が印加されている。
【0045】前記接続点24からの出力電圧Vo1はま
た、フィードバック電流発生回路32に入力され、N型
のトランジスタQ7のゲートに入力される。このトラン
ジスタQ7のソースは、N型のトランジスタQ6を介し
て前記電源ライン23に接続される。トランジスタQ6
のゲートには予め定める基準電圧Vb3が印加されてお
り、したがって、該トランジスタQ6を流れるバイアス
電流I6は前記基準電圧Vb3によって規定された一定
値となる。
た、フィードバック電流発生回路32に入力され、N型
のトランジスタQ7のゲートに入力される。このトラン
ジスタQ7のソースは、N型のトランジスタQ6を介し
て前記電源ライン23に接続される。トランジスタQ6
のゲートには予め定める基準電圧Vb3が印加されてお
り、したがって、該トランジスタQ6を流れるバイアス
電流I6は前記基準電圧Vb3によって規定された一定
値となる。
【0046】前記トランジスタQ7のドレインは、P型
のトランジスタQ8を介して電源ライン22に接続され
ている。このトランジスタQ8と対を成すトランジスタ
Q9が設けられており、これらトランジスタQ8,Q9
はカレントミラー回路を構成し、トランジスタQ9は前
記トランジスタQ7に流れる電流に対応したフィードバ
ック電流IFを前記トランジスタQ1とトランジスタQ
5との接続点25に正帰還する。
のトランジスタQ8を介して電源ライン22に接続され
ている。このトランジスタQ8と対を成すトランジスタ
Q9が設けられており、これらトランジスタQ8,Q9
はカレントミラー回路を構成し、トランジスタQ9は前
記トランジスタQ7に流れる電流に対応したフィードバ
ック電流IFを前記トランジスタQ1とトランジスタQ
5との接続点25に正帰還する。
【0047】残余の基本回路C2〜Cnも前記基本回路
C1と同様に構成されており、各基本回路C1〜Cnに
おける接続点25は接線CM1によって相互に同電位に
保たれている。また、トランジスタQ7とトランジスタ
Q6との接続点26は、接線CM2によって各基本回路
Cj間で相互に同電位に保持される。
C1と同様に構成されており、各基本回路C1〜Cnに
おける接続点25は接線CM1によって相互に同電位に
保たれている。また、トランジスタQ7とトランジスタ
Q6との接続点26は、接線CM2によって各基本回路
Cj間で相互に同電位に保持される。
【0048】本発明の最大入力検出回路21では、上述
のような入力チャネル数nに対応した数の基本回路C1
〜Cnとともに、これらの基本回路C1〜Cnに共通
に、前記トランジスタQ6のバイアス電流I6を供給す
るためのN型のトランジスタQ10が設けられている。
このトランジスタQ10のゲートおよびドレインは前記
ハイレベルVddの電源ライン22に接続され、ソース
はトランジスタQ6のドレイン、すなわち接線CM2に
接続されている。各トランジスタQ1〜Q10は、飽和
領域で動作する。
のような入力チャネル数nに対応した数の基本回路C1
〜Cnとともに、これらの基本回路C1〜Cnに共通
に、前記トランジスタQ6のバイアス電流I6を供給す
るためのN型のトランジスタQ10が設けられている。
このトランジスタQ10のゲートおよびドレインは前記
ハイレベルVddの電源ライン22に接続され、ソース
はトランジスタQ6のドレイン、すなわち接線CM2に
接続されている。各トランジスタQ1〜Q10は、飽和
領域で動作する。
【0049】上述のように構成された最大入力検出回路
21において、まず検出部31の動作を詳述する。各ト
ランジスタQ5を流れるバイアス電流I5は基準電圧V
b1によって前述のように規定されており、したがって
各トランジスタQ1は、各トランジスタQ5が接線CM
1で並列接続されていることから、各トランジスタQ9
からのすべてのフィードバック電流IFと、各トランジ
スタQ5を流れる電流I5の総和n・I5とに対応した
値となる該トランジスタQ1のソース電圧と、入力電圧
Vijとの差に対応した電流I1を通過させる。
21において、まず検出部31の動作を詳述する。各ト
ランジスタQ5を流れるバイアス電流I5は基準電圧V
b1によって前述のように規定されており、したがって
各トランジスタQ1は、各トランジスタQ5が接線CM
1で並列接続されていることから、各トランジスタQ9
からのすべてのフィードバック電流IFと、各トランジ
スタQ5を流れる電流I5の総和n・I5とに対応した
値となる該トランジスタQ1のソース電圧と、入力電圧
Vijとの差に対応した電流I1を通過させる。
【0050】これによって、電流I3が流れるトランジ
スタQ3のインピーダンスと、前記基準電圧Vb2によ
って規定される電流I4が流れるトランジスタQ4のイ
ンピーダンスとの差に対応した電圧が、接続点24から
出力電圧Vojとして出力されるとともに、トランジス
タQ7のゲートに入力される。また、これによってトラ
ンジスタQ7は、相互に並列接続されている各トランジ
スタQ6において前記バイアス電圧Vb3によって規定
される電流I6の総和n・I6と、前記トランジスタQ
10を流れる電流I10とに対応した該トランジスタQ
7のソース電圧と、入力される前記出力電圧Vojとの
差に対応した電流I7をトランジスタQ8から引込み、
トランジスタQ9を介して前記接続点25にフィードバ
ック電流IFとして正帰還する。
スタQ3のインピーダンスと、前記基準電圧Vb2によ
って規定される電流I4が流れるトランジスタQ4のイ
ンピーダンスとの差に対応した電圧が、接続点24から
出力電圧Vojとして出力されるとともに、トランジス
タQ7のゲートに入力される。また、これによってトラ
ンジスタQ7は、相互に並列接続されている各トランジ
スタQ6において前記バイアス電圧Vb3によって規定
される電流I6の総和n・I6と、前記トランジスタQ
10を流れる電流I10とに対応した該トランジスタQ
7のソース電圧と、入力される前記出力電圧Vojとの
差に対応した電流I7をトランジスタQ8から引込み、
トランジスタQ9を介して前記接続点25にフィードバ
ック電流IFとして正帰還する。
【0051】すなわち、前記図5で示すように、出力電
圧Vojは、電流I1が、電流Ia以下であるときには
Vdd/3以下のローレベルとなり、前記電流Iaより
大きく電流Ib未満であるときには該電流I1に対応し
てVdd/3〜2・Vdd/3の範囲で変化し、電流I
b以上であるときには2・Vdd/3以上のハイレベル
となる。
圧Vojは、電流I1が、電流Ia以下であるときには
Vdd/3以下のローレベルとなり、前記電流Iaより
大きく電流Ib未満であるときには該電流I1に対応し
てVdd/3〜2・Vdd/3の範囲で変化し、電流I
b以上であるときには2・Vdd/3以上のハイレベル
となる。
【0052】ここで、前記電流Ia,Ibは、前記基準
電圧Vb2によって定められるトランジスタQ4を流れ
る参照用のバイアス電流をI4とし、トランジスタQ
2,Q3のゲート幅/ゲート長の比をr(2,3)とすると
き、それぞれr(2,3)・I4−ΔIa,r(2,3)・I4
+ΔIbで表すことができる。
電圧Vb2によって定められるトランジスタQ4を流れ
る参照用のバイアス電流をI4とし、トランジスタQ
2,Q3のゲート幅/ゲート長の比をr(2,3)とすると
き、それぞれr(2,3)・I4−ΔIa,r(2,3)・I4
+ΔIbで表すことができる。
【0053】また、フィードバック電流発生回路32
は、前述のように前記出力電圧Vojが接線CM2の電
圧にMOSFETの導通に要する閾値電圧Vthを加算
した電圧よりも高くなる程、前記接続点25に大きなフ
ィードバック電流IFを正帰還する。したがって、出力
電圧Vojが高くなる程、トランジスタQ1を流れる電
流I1、すなわちトランジスタQ3を流れる電流I3が
減少し、出力電圧Vojが接線CM2の電圧に前記閾値
電圧Vthを加算した電圧よりも低くなると、トランジ
スタQ7はOFFとなって、トランジスタQ6の前記バ
イアス電流I6はトランジスタQ10から供給される。
このような動作が、入力電圧Vijの小さいチャネルの
基本回路から行われ、前記判定レンジが最大入力付近に
シフトして、最終的に最大入力の基本回路のみが出力電
圧Vojにハイレベルを出力し、最大値の選択が行われ
る。
は、前述のように前記出力電圧Vojが接線CM2の電
圧にMOSFETの導通に要する閾値電圧Vthを加算
した電圧よりも高くなる程、前記接続点25に大きなフ
ィードバック電流IFを正帰還する。したがって、出力
電圧Vojが高くなる程、トランジスタQ1を流れる電
流I1、すなわちトランジスタQ3を流れる電流I3が
減少し、出力電圧Vojが接線CM2の電圧に前記閾値
電圧Vthを加算した電圧よりも低くなると、トランジ
スタQ7はOFFとなって、トランジスタQ6の前記バ
イアス電流I6はトランジスタQ10から供給される。
このような動作が、入力電圧Vijの小さいチャネルの
基本回路から行われ、前記判定レンジが最大入力付近に
シフトして、最終的に最大入力の基本回路のみが出力電
圧Vojにハイレベルを出力し、最大値の選択が行われ
る。
【0054】本発明ではさらに、バイアス電流I6を供
給するトランジスタQ10を、各基本回路C1〜Cnに
対して共通に単一個だけ設けている。したがって、必要
となるバイアス電流n・I6のうち、トランジスタQ1
0を流れる電流I10は入力チャネル数nに無関係とな
り、フィードバック電流IFは、前記式2から、 IF=r(9,8)・n・I6・{k/(k+r(10,7))} …(4) となる。ただし、kは相互にほぼレベルの等しい最大入
力のチャネル数であり、r(9,8)はカレントミラー回路
を構成するトランジスタQ9とトランジスタQ8とのゲ
ート幅/ゲート長の比であり、r(10,7)はトランジスタ
Q10とトランジスタQ7とのゲート幅/ゲート長の比
である。
給するトランジスタQ10を、各基本回路C1〜Cnに
対して共通に単一個だけ設けている。したがって、必要
となるバイアス電流n・I6のうち、トランジスタQ1
0を流れる電流I10は入力チャネル数nに無関係とな
り、フィードバック電流IFは、前記式2から、 IF=r(9,8)・n・I6・{k/(k+r(10,7))} …(4) となる。ただし、kは相互にほぼレベルの等しい最大入
力のチャネル数であり、r(9,8)はカレントミラー回路
を構成するトランジスタQ9とトランジスタQ8とのゲ
ート幅/ゲート長の比であり、r(10,7)はトランジスタ
Q10とトランジスタQ7とのゲート幅/ゲート長の比
である。
【0055】したがって、常に充分なフィードバック電
流IFを確保するためには、前記式3で示すように、出
力電圧Vojがローレベルとなるn−kチャネル分のバ
イアス電流I5を供給するための電流をIFaとすると
き、IF>IFaとなることが必要である。ところが、
フィードバック電流IFaは前記式3からチャネル数k
の増加に対して減少する関数であり、フィードバック電
流IFは前記式4からチャネル数kの増加に対して増加
する関数である。したがって、k=2においてIF>I
Faとなっていればよい。そこで前記式4にk=2を代
入して、 r(9,8)・n・I6・{2/(2+r(10,7))}>(n−2)・I5…(5) が得られ、したがって、 r(9,8)・I6・{2/(2+r(10,7))}>I5 …(6) を満足していれば、全入力チャネル数nがn≧2に対し
て、前記式5を満足してIF>IFaとすることができ
る。この式6を満足するように前記各パラメータI5,
I6,r(9,8),r(10,7)を設定することによって、充
分なフィードバック電流IFを得ることができ、前記図
6(b)で示すように判定レンジをシフトして、分解能
を向上することができる。
流IFを確保するためには、前記式3で示すように、出
力電圧Vojがローレベルとなるn−kチャネル分のバ
イアス電流I5を供給するための電流をIFaとすると
き、IF>IFaとなることが必要である。ところが、
フィードバック電流IFaは前記式3からチャネル数k
の増加に対して減少する関数であり、フィードバック電
流IFは前記式4からチャネル数kの増加に対して増加
する関数である。したがって、k=2においてIF>I
Faとなっていればよい。そこで前記式4にk=2を代
入して、 r(9,8)・n・I6・{2/(2+r(10,7))}>(n−2)・I5…(5) が得られ、したがって、 r(9,8)・I6・{2/(2+r(10,7))}>I5 …(6) を満足していれば、全入力チャネル数nがn≧2に対し
て、前記式5を満足してIF>IFaとすることができ
る。この式6を満足するように前記各パラメータI5,
I6,r(9,8),r(10,7)を設定することによって、充
分なフィードバック電流IFを得ることができ、前記図
6(b)で示すように判定レンジをシフトして、分解能
を向上することができる。
【0056】たとえば、具体的には、I5:I6=2:
1とし、r(9,8)=4とすると、前記式6からr(10,7)
<2を求めることができる。これらの各条件を満足する
ように、前記各トランジスタQ1〜Q10および基準電
圧Vb1,Vb2,Vb3を発生させるための基準電圧
源などを設計すればよい。
1とし、r(9,8)=4とすると、前記式6からr(10,7)
<2を求めることができる。これらの各条件を満足する
ように、前記各トランジスタQ1〜Q10および基準電
圧Vb1,Vb2,Vb3を発生させるための基準電圧
源などを設計すればよい。
【0057】このように本発明では、各基本回路Cjの
トランジスタQ6のバイアス電流I6を供給するための
バイパス用のトランジスタQ10を、各基本回路Cjに
共通に単一個だけ設け、かつ各トランジスタQ1〜Q1
0の構造などを上述の条件を満足するように設定するの
で、フィードバック電流IFの基になる電流I6は、前
記第1のトランジスタQ1のための基準電圧を発生させ
るために必要となる電流I5を充分に満足することにな
る。
トランジスタQ6のバイアス電流I6を供給するための
バイパス用のトランジスタQ10を、各基本回路Cjに
共通に単一個だけ設け、かつ各トランジスタQ1〜Q1
0の構造などを上述の条件を満足するように設定するの
で、フィードバック電流IFの基になる電流I6は、前
記第1のトランジスタQ1のための基準電圧を発生させ
るために必要となる電流I5を充分に満足することにな
る。
【0058】したがって、最大入力チャネル数kが小さ
くても、判定レンジをシフトすることができる充分なフ
ィードバック電流IFを得ることができ、大小判定の分
解能を向上することができる。また、全入力チャネル数
nの変化に対しても、トランジスタQ10の設計を変更
する必要が無く、高い汎用性を得ることができるととも
に、既存の設計ルールで対応することができる。
くても、判定レンジをシフトすることができる充分なフ
ィードバック電流IFを得ることができ、大小判定の分
解能を向上することができる。また、全入力チャネル数
nの変化に対しても、トランジスタQ10の設計を変更
する必要が無く、高い汎用性を得ることができるととも
に、既存の設計ルールで対応することができる。
【0059】また、各入力チャネルj毎に、第1段目の
基本回路の出力を第2段目の基本回路の入力に与え、さ
らに第2段目の基本回路の出力を第3段目の基本回路の
入力に与えるというように、基本回路を多段に設けてお
くと、小信号に対する増幅率は、その段数のべき乗、す
なわちたとえば3段構成であるときには、1段当りの増
幅率をAとすると、A3 で向上し、分解能を向上するこ
とができる。
基本回路の出力を第2段目の基本回路の入力に与え、さ
らに第2段目の基本回路の出力を第3段目の基本回路の
入力に与えるというように、基本回路を多段に設けてお
くと、小信号に対する増幅率は、その段数のべき乗、す
なわちたとえば3段構成であるときには、1段当りの増
幅率をAとすると、A3 で向上し、分解能を向上するこ
とができる。
【0060】ところが上述の最大入力検出回路21で
は、特定の入力条件では出力が正確に大小の判定結果を
表すことができないことがある。すなわち、最大入力が
相互に近接したレベルで多数存在する場合には、正確に
はそれら最大入力のすべてに対応する出力電圧がハイレ
ベルとなるべきであるのに対して、最大入力チャネル数
kが増加するに従って、出力電圧がハイレベル、たとえ
ば3Vから徐々に低下してゆくという問題がある。この
ような問題は、前述のように各基本回路Cjを多段接続
した構成であっても解決することができない。
は、特定の入力条件では出力が正確に大小の判定結果を
表すことができないことがある。すなわち、最大入力が
相互に近接したレベルで多数存在する場合には、正確に
はそれら最大入力のすべてに対応する出力電圧がハイレ
ベルとなるべきであるのに対して、最大入力チャネル数
kが増加するに従って、出力電圧がハイレベル、たとえ
ば3Vから徐々に低下してゆくという問題がある。この
ような問題は、前述のように各基本回路Cjを多段接続
した構成であっても解決することができない。
【0061】本発明の他の実施例について、図2に基づ
いて説明すれば、以下のとおりである。
いて説明すれば、以下のとおりである。
【0062】図2は、上述のような問題点を解決するこ
とができる本発明の他の実施例の最大入力検出回路41
の電気回路図である。この図2において、前述の図1の
構成に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付
し、その説明を省略する。注目すべきはこの実施例で
は、各基本回路Cjの後段に、それぞれ各基本回路Cj
の出力電圧Vojが、後述するように共通に定められる
基準電圧より高いかまたは低いかをレベル弁別して、そ
の判定結果に従うハイレベルまたはローレベルのいずれ
かの出力電圧Vajを出力する判定回路Djがそれぞれ
設けられていることである。
とができる本発明の他の実施例の最大入力検出回路41
の電気回路図である。この図2において、前述の図1の
構成に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付
し、その説明を省略する。注目すべきはこの実施例で
は、各基本回路Cjの後段に、それぞれ各基本回路Cj
の出力電圧Vojが、後述するように共通に定められる
基準電圧より高いかまたは低いかをレベル弁別して、そ
の判定結果に従うハイレベルまたはローレベルのいずれ
かの出力電圧Vajを出力する判定回路Djがそれぞれ
設けられていることである。
【0063】各判定回路Djは、トランジスタQ11〜
Q15を有し、前記トランジスタQ1〜Q5 から成る検
出部31と同様に構成されている。前段の基本回路Cj
からの出力電圧VojはトランジスタQ11のゲートに
入力され、またトランジスタQ13,Q14の接続点4
4からは判定結果を表す前記出力電圧Vajが出力され
る。
Q15を有し、前記トランジスタQ1〜Q5 から成る検
出部31と同様に構成されている。前段の基本回路Cj
からの出力電圧VojはトランジスタQ11のゲートに
入力され、またトランジスタQ13,Q14の接続点4
4からは判定結果を表す前記出力電圧Vajが出力され
る。
【0064】トランジスタQ11とトランジスタQ15
との接続点45は、各判定回路Dj間で接線CM11に
よって相互に接続されており、各トランジスタQ11に
は前記共通の基準電圧が与えられる。また、トランジス
タQ15のゲートには予め定める基準電圧Vb11が印
加されており、これによって該トランジスタQ15を流
れるバイアス電流I15が規定される。同様に、トラン
ジスタQ14のゲートには予め定める基準電圧Vb12
が印加されており、これによって該トランジスタQ14
を流れるバイアス電流I14が規定される。
との接続点45は、各判定回路Dj間で接線CM11に
よって相互に接続されており、各トランジスタQ11に
は前記共通の基準電圧が与えられる。また、トランジス
タQ15のゲートには予め定める基準電圧Vb11が印
加されており、これによって該トランジスタQ15を流
れるバイアス電流I15が規定される。同様に、トラン
ジスタQ14のゲートには予め定める基準電圧Vb12
が印加されており、これによって該トランジスタQ14
を流れるバイアス電流I14が規定される。
【0065】したがって、この判定回路Djは、前記基
本回路Cjにおけるフィードバック電流発生回路32を
削除した、フィードバックを行わない最大入力検出回路
と考えることができる。
本回路Cjにおけるフィードバック電流発生回路32を
削除した、フィードバックを行わない最大入力検出回路
と考えることができる。
【0066】上述のように構成された最大入力検出回路
41において、最大入力であるチャネル数をkとし、そ
の最大入力に対応した基本回路の出力電圧をVoとし、
残余のn−kチャネルの入力および出力をローレベルの
0Vとすると、電流保存の法則から、接線CM2から各
トランジスタQ6へ流込む電流の総和n・I6は、該接
線CM2にトランジスタQ10から流込む電流I10
と、各トランジスタQ7から流込む電流I7の総和とに
等しい、すなわち、 n・I6=Kr・(Vdd−Vcm2−Vth1)2 +k・Kf・(Vo−Vcm2−Vth1)2 =r(10,7)・Kf・(Vdd−Vcm2−Vth1)2 +k・Kf・(Vo−Vcm2−Vth1)2 …(7) で表すことができる。ただし、Kr,Kfは、それぞれ
トランジスタQ10、Q7の形状によって決定される定
数であり、Kr=r(10,7)・Kfである。また、Vcm
2は接線CM2の電圧であり、Vth1はこれらトラン
ジスタQ10,Q7が導通することができるゲート−ソ
ース間の閾値電圧である。
41において、最大入力であるチャネル数をkとし、そ
の最大入力に対応した基本回路の出力電圧をVoとし、
残余のn−kチャネルの入力および出力をローレベルの
0Vとすると、電流保存の法則から、接線CM2から各
トランジスタQ6へ流込む電流の総和n・I6は、該接
線CM2にトランジスタQ10から流込む電流I10
と、各トランジスタQ7から流込む電流I7の総和とに
等しい、すなわち、 n・I6=Kr・(Vdd−Vcm2−Vth1)2 +k・Kf・(Vo−Vcm2−Vth1)2 =r(10,7)・Kf・(Vdd−Vcm2−Vth1)2 +k・Kf・(Vo−Vcm2−Vth1)2 …(7) で表すことができる。ただし、Kr,Kfは、それぞれ
トランジスタQ10、Q7の形状によって決定される定
数であり、Kr=r(10,7)・Kfである。また、Vcm
2は接線CM2の電圧であり、Vth1はこれらトラン
ジスタQ10,Q7が導通することができるゲート−ソ
ース間の閾値電圧である。
【0067】一方、前記式7における電流I7の総和の
項にトランジスタQ9とトランジスタQ8とのゲート幅
/ゲート長の比であるr(9,8)を乗算した値は、前記式
3で示すフィードバック電流IFaにほぼ等しく、した
がって、 r(9,8)・k・Kf・(Vo−Vcm2−Vth1)2 =(n−k)・I5 …(8) が求められる。したがって、前記式7およびこの式8か
ら、 r(9,8)・{n・I6−r(10,7)・Kf・(Vdd−Vcm2−Vth1)2 } =(n−k)・I5 ゆえに、 n・I6−r(10,7)・Kf・(Vdd−Vcm2−Vth1)2 =(n−k)・I5/r(9,8) ゆえに、 Vcm2+Vth1=Vdd −{(n・I6−(n−k)・I5/r(9,8))/(r(10,7)・Kf)}1/2 …(9) が求められる。また前記式8から、 Vo−Vcm2−Vth1 ={(n−k)・I5/(r(9,8)・k・Kf)}1/2 …(10) であり、したがって、式9および式10から、 Vo=Vdd+{(n−k)・I5/(r(9,8)・k・Kf)}1/2 −{(n・I6−(n−k)・I5/r(9,8))/(r(10,7)・Kf)}1/2 …(11) となる。
項にトランジスタQ9とトランジスタQ8とのゲート幅
/ゲート長の比であるr(9,8)を乗算した値は、前記式
3で示すフィードバック電流IFaにほぼ等しく、した
がって、 r(9,8)・k・Kf・(Vo−Vcm2−Vth1)2 =(n−k)・I5 …(8) が求められる。したがって、前記式7およびこの式8か
ら、 r(9,8)・{n・I6−r(10,7)・Kf・(Vdd−Vcm2−Vth1)2 } =(n−k)・I5 ゆえに、 n・I6−r(10,7)・Kf・(Vdd−Vcm2−Vth1)2 =(n−k)・I5/r(9,8) ゆえに、 Vcm2+Vth1=Vdd −{(n・I6−(n−k)・I5/r(9,8))/(r(10,7)・Kf)}1/2 …(9) が求められる。また前記式8から、 Vo−Vcm2−Vth1 ={(n−k)・I5/(r(9,8)・k・Kf)}1/2 …(10) であり、したがって、式9および式10から、 Vo=Vdd+{(n−k)・I5/(r(9,8)・k・Kf)}1/2 −{(n・I6−(n−k)・I5/r(9,8))/(r(10,7)・Kf)}1/2 …(11) となる。
【0068】したがって、この式11において第2項お
よび第3項は最大入力チャネル数kの増加に対して単調
に減少する関数であり、各基本回路Cjからの出力電圧
Vojは最大入力チャネル数kの増加に伴って低下して
ゆくことが理解される。
よび第3項は最大入力チャネル数kの増加に対して単調
に減少する関数であり、各基本回路Cjからの出力電圧
Vojは最大入力チャネル数kの増加に伴って低下して
ゆくことが理解される。
【0069】これに対して、各判定回路Djにおいて出
力電圧Vajがハイレベルとなる条件は、トランジスタ
Q11への入力電圧Viが、接続点44の電圧が前記第
5図から2・Vdd/3より大きくなるような電流I1
1を該トランジスタQ11が通過させることのできる電
圧以上となることである。
力電圧Vajがハイレベルとなる条件は、トランジスタ
Q11への入力電圧Viが、接続点44の電圧が前記第
5図から2・Vdd/3より大きくなるような電流I1
1を該トランジスタQ11が通過させることのできる電
圧以上となることである。
【0070】一方、トランジスタQ11を流れる電流I
11は、K1を該トランジスタQ11の形状によって決
定される定数とし、Viを前段の各基本回路Cjからの
入力電圧とし、Vcm11を接線CM11の電圧とし、
Vthnを該トランジスタQ11が導通することのでき
るゲート−ソース間の閾値電圧とするとき、前記式1を
参照して、 I11=K1・(Vi−Vcm11−Vthn)2 …(12) で表される。
11は、K1を該トランジスタQ11の形状によって決
定される定数とし、Viを前段の各基本回路Cjからの
入力電圧とし、Vcm11を接線CM11の電圧とし、
Vthnを該トランジスタQ11が導通することのでき
るゲート−ソース間の閾値電圧とするとき、前記式1を
参照して、 I11=K1・(Vi−Vcm11−Vthn)2 …(12) で表される。
【0071】また、r(5,1)をトランジスタQ15とト
ランジスタQ11とのゲート幅/ゲート長の比とし、V
b11をトランジスタQ15のゲートに印加される基準
電圧とし、Vthnを該トランジスタQ15が導通する
ためのゲート−ソース間の閾値電圧とするとき、トラン
ジスタQ15を流れるバイアス電流I15は、 I15=r(5,1)・K1・(Vb11−Vthn)2 …(13) で表される。
ランジスタQ11とのゲート幅/ゲート長の比とし、V
b11をトランジスタQ15のゲートに印加される基準
電圧とし、Vthnを該トランジスタQ15が導通する
ためのゲート−ソース間の閾値電圧とするとき、トラン
ジスタQ15を流れるバイアス電流I15は、 I15=r(5,1)・K1・(Vb11−Vthn)2 …(13) で表される。
【0072】ここで、バイアス電流I15を通過させる
トランジスタQ15が飽和領域にあるためには、前記式
13から、 Vcm11≧Vb11−Vthn={I15/(r(5,1)・K1)}1/2 …(14) となる必要がある。したがって前記式12から、 Vi=(I11/K1)1/2 +Vcm11+Vthn ≧(I11/K1)1/2 +{I15/(r(5,1)・K1)}1/2 + Vthn …(15) が得られる。
トランジスタQ15が飽和領域にあるためには、前記式
13から、 Vcm11≧Vb11−Vthn={I15/(r(5,1)・K1)}1/2 …(14) となる必要がある。したがって前記式12から、 Vi=(I11/K1)1/2 +Vcm11+Vthn ≧(I11/K1)1/2 +{I15/(r(5,1)・K1)}1/2 + Vthn …(15) が得られる。
【0073】また、各判定回路Djの出力電圧Vajが
ハイレベルとなる条件は、前記図5から、I11≧r
(2,3)・I14+ΔIbであり、したがって、 Vi≧{(r(2,3)・I14+ΔIb)/K1}1/2 +{I15/(r(5,1)・K1)}1/2 +Vthn …(16) の条件を求めることができる。ただし、r(2,3)はトラ
ンジスタQ12とトランジスタQ13とのゲート幅/ゲ
ート長の比であり、I14は基準電圧Vb12によって
決定されるトランジスタQ14を流れるバイアス電流で
ある。
ハイレベルとなる条件は、前記図5から、I11≧r
(2,3)・I14+ΔIbであり、したがって、 Vi≧{(r(2,3)・I14+ΔIb)/K1}1/2 +{I15/(r(5,1)・K1)}1/2 +Vthn …(16) の条件を求めることができる。ただし、r(2,3)はトラ
ンジスタQ12とトランジスタQ13とのゲート幅/ゲ
ート長の比であり、I14は基準電圧Vb12によって
決定されるトランジスタQ14を流れるバイアス電流で
ある。
【0074】したがって、最大入力チャネル数kが増加
して前段の基本回路Cjからの出力電圧Vojのレベル
が低下しても、その出力電圧Vojが前記式16を満足
していると、判定回路Djからの出力電圧Vajをハイ
レベルにすることができる。
して前段の基本回路Cjからの出力電圧Vojのレベル
が低下しても、その出力電圧Vojが前記式16を満足
していると、判定回路Djからの出力電圧Vajをハイ
レベルにすることができる。
【0075】具体的には、たとえばVdd=3V、Vt
hn=0.7V、I5:I4:I6=2:2:1、r
(2,3)=1、r(5,1)=1、r(9,8)=4、I6/Kf
=1/20、I5/K1=1/10およびΔIb/K1
=1/80とすると、前記式11から、 Voj=3+{(n−k)・2/(4・20・k)}1/2 −{(n/20−(n−k)・2/(4・20))/r(10,7)}1/2 =3+{(n−k)/(40・k)}1/2 −{(n+k)/(40・r(10,7))}1/2 となる。さらに、前述のような各パラメータを前記式6
に代入して得られる条件r(10,7)<2を満足するよう
に、たとえばr(10,7)=1/2とすると、 Voj=3+{(n−k)/(40・k)}1/2 {(n+k)/20}1/2 が得られる。
hn=0.7V、I5:I4:I6=2:2:1、r
(2,3)=1、r(5,1)=1、r(9,8)=4、I6/Kf
=1/20、I5/K1=1/10およびΔIb/K1
=1/80とすると、前記式11から、 Voj=3+{(n−k)・2/(4・20・k)}1/2 −{(n/20−(n−k)・2/(4・20))/r(10,7)}1/2 =3+{(n−k)/(40・k)}1/2 −{(n+k)/(40・r(10,7))}1/2 となる。さらに、前述のような各パラメータを前記式6
に代入して得られる条件r(10,7)<2を満足するよう
に、たとえばr(10,7)=1/2とすると、 Voj=3+{(n−k)/(40・k)}1/2 {(n+k)/20}1/2 が得られる。
【0076】したがって、たとえば全入力チャネル数n
=64とすると、 Voj=3+{(64−k)/(40・k)}1/2-{(64
+k)/20}1/2 となり、最大入力チャネル数kを変化させた場合の各基
本回路Cjの出力電圧Vojは、表1のようになる。
=64とすると、 Voj=3+{(64−k)/(40・k)}1/2-{(64
+k)/20}1/2 となり、最大入力チャネル数kを変化させた場合の各基
本回路Cjの出力電圧Vojは、表1のようになる。
【0077】
【表1】
【0078】ここで、前記式16に前記各パラメータを
代入すると、 Vi≧(1/10+1/80)1/2 +(1/10)1/2 +0.7 =0.335+0.316+0.7=1.351(V) となる。
代入すると、 Vi≧(1/10+1/80)1/2 +(1/10)1/2 +0.7 =0.335+0.316+0.7=1.351(V) となる。
【0079】したがって、前述のように設定した各パラ
メータでは、前記表1から、最大入力チャネル数kが1
2以下であれば、最大入力に対応したチャネルの出力電
圧Vajを、ハイレベルに保持することが可能となる。
また、一般に、画像処理などにおける最大入力判定で
は、前記n=64に対して、k=10程度となることが
知られており、したがってこのように全入力チャネル数
nと予想される最大入力チャネル数kとに対応して、各
判定回路Djからハイレベルの判定結果を出力可能とす
るように各パラメータを設定することによって、正確な
判定結果を出力することができる。
メータでは、前記表1から、最大入力チャネル数kが1
2以下であれば、最大入力に対応したチャネルの出力電
圧Vajを、ハイレベルに保持することが可能となる。
また、一般に、画像処理などにおける最大入力判定で
は、前記n=64に対して、k=10程度となることが
知られており、したがってこのように全入力チャネル数
nと予想される最大入力チャネル数kとに対応して、各
判定回路Djからハイレベルの判定結果を出力可能とす
るように各パラメータを設定することによって、正確な
判定結果を出力することができる。
【0080】この点、前述のように基本回路Cjを各入
力チャネル毎に多段に接続しても、前記表1で示すよう
に最大入力チャネル数kが大きくなる程、出力電圧Vo
は低下してゆき、ハイレベルである2・Vdd/3であ
る2V以上とならず、ハイレベルとローレベルとの中間
的な値になるのに対して、本発明の最大入力検出回路4
1では、上述のようにしてこのような不具合を解消する
ことができる。
力チャネル毎に多段に接続しても、前記表1で示すよう
に最大入力チャネル数kが大きくなる程、出力電圧Vo
は低下してゆき、ハイレベルである2・Vdd/3であ
る2V以上とならず、ハイレベルとローレベルとの中間
的な値になるのに対して、本発明の最大入力検出回路4
1では、上述のようにしてこのような不具合を解消する
ことができる。
【0081】また、前記各基本回路Cjを多段に接続す
る場合に比べて、本発明では、1段当り、トランジスタ
Q6〜Q9の4個に、全入力チャネル数nを乗算し、ト
ランジスタQ10の1個をプラスした4n+1個だけ削
減することができ、回路構成を簡略化することができる
とともに、電力消費を低減することができる。
る場合に比べて、本発明では、1段当り、トランジスタ
Q6〜Q9の4個に、全入力チャネル数nを乗算し、ト
ランジスタQ10の1個をプラスした4n+1個だけ削
減することができ、回路構成を簡略化することができる
とともに、電力消費を低減することができる。
【0082】本発明のさらに他の実施例について、図3
に基づいて説明すれば以下のとおりである。
に基づいて説明すれば以下のとおりである。
【0083】図3は、本発明のさらに他の実施例の最小
入力検出回路51の電気回路図である。この最小入力検
出回路51は前述の最大入力検出回路41に類似した構
成を有しており、ただしトランジスタの導電形式はすべ
て逆極性となっている。
入力検出回路51の電気回路図である。この最小入力検
出回路51は前述の最大入力検出回路41に類似した構
成を有しており、ただしトランジスタの導電形式はすべ
て逆極性となっている。
【0084】すなわち、最大入力検出回路41において
N型のMOSFETから成るトランジスタQ1,Q4,
Q5,Q6,Q7,Q10,Q11,Q14,Q15
が、それぞれこの最小入力検出回路51ではP型のMO
SFETによって構成され、したがってこの最小入力検
出回路51では、前記最大入力検出回路41における対
応するトランジスタの参照符号に添字aを付して示す。
また同様に、最大入力検出回路41におけるP型のMO
SFETから成るトランジスタQ2,Q3,Q8,Q
9,Q12,Q13は、この最小入力検出回路51では
N型のMOSFETから成り、同一の参照符号に添字a
を付して示す。その他、対応する部分には、同一の参照
符号または添字aを付した参照符号を付して示す。
N型のMOSFETから成るトランジスタQ1,Q4,
Q5,Q6,Q7,Q10,Q11,Q14,Q15
が、それぞれこの最小入力検出回路51ではP型のMO
SFETによって構成され、したがってこの最小入力検
出回路51では、前記最大入力検出回路41における対
応するトランジスタの参照符号に添字aを付して示す。
また同様に、最大入力検出回路41におけるP型のMO
SFETから成るトランジスタQ2,Q3,Q8,Q
9,Q12,Q13は、この最小入力検出回路51では
N型のMOSFETから成り、同一の参照符号に添字a
を付して示す。その他、対応する部分には、同一の参照
符号または添字aを付した参照符号を付して示す。
【0085】したがって、各トランジスタQ1a〜Q1
5aは、前述の各トランジスタQ1〜Q15とは、入力
電圧Vijに対して反対の動作を行い、出力電圧Vaj
には、入力電圧Vijが最小値入力となるチャネルだけ
が前記Vdd/3以下のローレベルの出力が導出され
る。このように前記最大入力検出回路41におけるトラ
ンジスタQ1〜Q15の導電形式および基準電圧Vb
1,Vb2,Vb3,Vb11,Vb12を変更するこ
とによって、最小入力を判定する回路を実現することが
できる。
5aは、前述の各トランジスタQ1〜Q15とは、入力
電圧Vijに対して反対の動作を行い、出力電圧Vaj
には、入力電圧Vijが最小値入力となるチャネルだけ
が前記Vdd/3以下のローレベルの出力が導出され
る。このように前記最大入力検出回路41におけるトラ
ンジスタQ1〜Q15の導電形式および基準電圧Vb
1,Vb2,Vb3,Vb11,Vb12を変更するこ
とによって、最小入力を判定する回路を実現することが
できる。
【0086】
【発明の効果】請求項1の発明に係る入力判定回路は、
以上のように、複数チャネルのアナログ入力信号から、
アナログ/デジタル変換器を用いることのない簡便な構
成で、最大値または最小値であるチャネルを直接判定す
るようにした入力判定回路において、各入力チャネル毎
に、入力電圧を、該入力電圧に対応して定められる基準
電圧と比較して大小判定を行う基本回路に、該基本回路
の判定レンジをシフトするためのフィードバック電流発
生回路を設けるとともに、たとえば該入力判定回路が最
大値検出のための回路であるときには、入力電圧がハイ
レベルとなる程、前記フィードバック電流を大きくする
第7のトランジスタに対応して、入力電圧が小さいとき
にこの第7のトランジスタをバイパスして第6のトラン
ジスタにバイアス電流を供給する第10のトランジスタ
を各基本回路に共通に設ける。
以上のように、複数チャネルのアナログ入力信号から、
アナログ/デジタル変換器を用いることのない簡便な構
成で、最大値または最小値であるチャネルを直接判定す
るようにした入力判定回路において、各入力チャネル毎
に、入力電圧を、該入力電圧に対応して定められる基準
電圧と比較して大小判定を行う基本回路に、該基本回路
の判定レンジをシフトするためのフィードバック電流発
生回路を設けるとともに、たとえば該入力判定回路が最
大値検出のための回路であるときには、入力電圧がハイ
レベルとなる程、前記フィードバック電流を大きくする
第7のトランジスタに対応して、入力電圧が小さいとき
にこの第7のトランジスタをバイパスして第6のトラン
ジスタにバイアス電流を供給する第10のトランジスタ
を各基本回路に共通に設ける。
【0087】それゆえ、最大値付近の入力チャネル数が
少なくても、前記第7のトランジスタを流れる電流によ
って発生されるフィードバック電流を充分得ることがで
き、大小判定のための判定レンジを入力電圧に対応して
シフトして、複数の入力電圧から最大値または最小値を
正確に判定することができる。
少なくても、前記第7のトランジスタを流れる電流によ
って発生されるフィードバック電流を充分得ることがで
き、大小判定のための判定レンジを入力電圧に対応して
シフトして、複数の入力電圧から最大値または最小値を
正確に判定することができる。
【0088】また、請求項2の発明に係る入力判定回路
は、以上のように、フィードバック電流発生回路を備え
る各基本回路の後段に、該基本回路に前記フィードバッ
ク電流発生回路を設けていない構成で実現される判定回
路をそれぞれ設ける。
は、以上のように、フィードバック電流発生回路を備え
る各基本回路の後段に、該基本回路に前記フィードバッ
ク電流発生回路を設けていない構成で実現される判定回
路をそれぞれ設ける。
【0089】それゆえ、最大値または最小値として判定
すべき出力が多数存在しても、それらの出力電圧が出力
チャネル数に対応して分圧されてしまうようなことはな
く、一方レベルまたは他方レベルの出力電圧を正確に出
力することができる。
すべき出力が多数存在しても、それらの出力電圧が出力
チャネル数に対応して分圧されてしまうようなことはな
く、一方レベルまたは他方レベルの出力電圧を正確に出
力することができる。
【図1】本発明の一実施例の最大入力検出回路の電気回
路図である。
路図である。
【図2】本発明の他の実施例の最大入力検出回路の電気
回路図である。
回路図である。
【図3】本発明のさらに他の実施例の最大入力検出回路
の電気回路図である。
の電気回路図である。
【図4】典型的な従来技術の最大入力検出回路の電気回
路図である。
路図である。
【図5】前記各最大入力検出回路における基本回路の動
作を説明するためのグラフである。
作を説明するためのグラフである。
【図6】前記基本回路によって発生する問題点およびそ
れを解決することができるフィードバック電流発生回路
の動作を説明するためのグラフである。
れを解決することができるフィードバック電流発生回路
の動作を説明するためのグラフである。
【図7】他の従来技術の最大入力検出回路の電気回路図
である。
である。
21 最大入力検出回路 22 電源ライン 23 電源ライン 31 検出部 32 フィードバック電流発生回路 41 最大入力検出回路 51 最小入力検出回路 Cj 基本回路 Caj 基本回路 Dj 判定回路 Daj 判定回路 Q1〜15 トランジスタ Q1a〜Q15a トランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 裕文 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】入力電圧に対応して定められる基準電圧に
対する入力電圧の差に対応した電流を通過させる第1の
トランジスタと、前記第1のトランジスタと一方の電源
ラインとの間に介在される第2のトランジスタと、前記
一方の電源ラインに接続され、第2のトランジスタと対
を成してカレントミラー回路を構成する第3のトランジ
スタと、前記第3のトランジスタと他方の電源ラインと
の間に介在され、予め定める電流を通過させる第4のト
ランジスタと、前記第1のトランジスタと他方の電源ラ
インとの間に介在され、予め定める電流を通過させる第
5のトランジスタとを含む複数の基本回路が、前記第1
のトランジスタと第5のトランジスタとの接続点が同電
位となるように相互に並列に接続されて構成され、第3
のトランジスタと第4のトランジスタとの接続点から出
力される各基本回路からの出力によって、各基本回路へ
の入力のうち、いずれの入力が最も大きいか、または最
も小さいかを判定するようにした入力判定回路におい
て、 前記各基本回路は、他方の電源ラインに接続され、予め
定める電流を通過させる第6のトランジスタと、前記第
6のトランジスタに接続され、該第6のトランジスタの
端子電圧に対する前記出力の差に対応した電流を通過さ
せる第7のトランジスタと、前記第7のトランジスタと
一方の電源ラインとの間に介在される第8のトランジス
タと、一方の電源ラインに接続され、前記第8のトラン
ジスタと対を成してカレントミラー回路を構成し、前記
第1のトランジスタと第5のトランジスタとの接続点に
前記基準電圧を変化させるためのフィードバック電流を
供給する第9のトランジスタとを備えるフィードバック
電流発生回路を有し、 さらに前記一方の電源ラインと各基本回路の第6のトラ
ンジスタとの間に共通に介在され、第6のトランジスタ
に、該第6のトランジスタの端子電圧に対応した電流を
バイパスして通過させる第10のトランジスタを備え、 前記第9のトランジスタと第8のトランジスタとのゲー
ト幅/ゲート長の比をr(9,8)とし、前記第10のトラ
ンジスタと第7のトランジスタとのゲート幅/ゲート長
の比をr(10,7)とし、第5および第6のトランジスタを
流れる電流をそれぞれI5,I6とするとき、 r(9,8)・I6・{2/(2+r(10,7))}>I5 を満足するように、前記各パラメータI5,I6,r
(9,8),r(10,7)を設定することを特徴とする入力判定
回路。 - 【請求項2】前記各基本回路の後段に、前記第1〜第5
のトランジスタから成る判定回路をそれぞれ設け、該判
定回路は基本回路の出力をレベル弁別して出力すること
を特徴とする請求項1記載の入力判定回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12537295A JP3176821B2 (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 入力判定回路 |
US08/653,946 US5703503A (en) | 1995-05-24 | 1996-05-22 | Winner-take-all circuit |
EP96303711A EP0744624B1 (en) | 1995-05-24 | 1996-05-24 | Winner-take-all circuit |
DE69624865T DE69624865T2 (de) | 1995-05-24 | 1996-05-24 | Winner-Take-All Schaltkreis |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12537295A JP3176821B2 (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 入力判定回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08321747A true JPH08321747A (ja) | 1996-12-03 |
JP3176821B2 JP3176821B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=14908509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12537295A Expired - Fee Related JP3176821B2 (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 入力判定回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5703503A (ja) |
EP (1) | EP0744624B1 (ja) |
JP (1) | JP3176821B2 (ja) |
DE (1) | DE69624865T2 (ja) |
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JPH1125200A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Tadahiro Omi | 半導体集積回路 |
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JP5694342B2 (ja) | 2009-10-23 | 2015-04-01 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 複数の蛍光信号を監視する装置 |
CN103516340B (zh) * | 2012-06-29 | 2017-01-25 | 快捷半导体(苏州)有限公司 | 一种最大电压选择电路、方法及子选择电路 |
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WO1996010753A1 (en) * | 1994-09-30 | 1996-04-11 | Philips Electronics N.V. | Extreme level circuit |
-
1995
- 1995-05-24 JP JP12537295A patent/JP3176821B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-05-22 US US08/653,946 patent/US5703503A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-24 DE DE69624865T patent/DE69624865T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-24 EP EP96303711A patent/EP0744624B1/en not_active Expired - Lifetime
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DE69624865D1 (de) | 2003-01-02 |
DE69624865T2 (de) | 2003-07-03 |
JP3176821B2 (ja) | 2001-06-18 |
EP0744624A3 (en) | 1998-01-07 |
EP0744624B1 (en) | 2002-11-20 |
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