JPH08321407A - 電圧非直線抵抗体用素体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体用素体の製造方法Info
- Publication number
- JPH08321407A JPH08321407A JP7128132A JP12813295A JPH08321407A JP H08321407 A JPH08321407 A JP H08321407A JP 7128132 A JP7128132 A JP 7128132A JP 12813295 A JP12813295 A JP 12813295A JP H08321407 A JPH08321407 A JP H08321407A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- sintered
- hour
- voltage
- withstand voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】雷サージ耐量、開閉サージ耐量、耐久性の優れ
た電圧非直線性抵抗体を提供する。 【構成】電圧非直線性抵抗体の製造方法において、焼結
体の電極を付与する面を研磨した後、４５０〜８５０℃
の範囲で熱処理する。
た電圧非直線性抵抗体を提供する。 【構成】電圧非直線性抵抗体の製造方法において、焼結
体の電極を付与する面を研磨した後、４５０〜８５０℃
の範囲で熱処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サージに対する安定性
が優れた電圧非直線抵抗体用素体の製造方法に関する。
が優れた電圧非直線抵抗体用素体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、電圧非直線抵抗体は、例えば
主成分であるＺｎＯの粉末にＢｉ2 Ｏ 3 、Ｓｂ2 Ｏ3 等
の金属酸化物を微量添加剤として混合し、図２に示すよ
うに得られた混合粉末をディスク等の形に成形した後、
この成形体を８００℃以上の温度で一次焼成し、高抵抗
層を形成する側面剤を塗布し、二次焼成して電圧非直線
性を有する素体とし、ガラス塗布、ガラス焼付後、該素
体の上下両端面を平面ラップ盤等で研磨して平行面に
し、その後、ここにＡｌ溶射電極等を付与して製造され
ている。
主成分であるＺｎＯの粉末にＢｉ2 Ｏ 3 、Ｓｂ2 Ｏ3 等
の金属酸化物を微量添加剤として混合し、図２に示すよ
うに得られた混合粉末をディスク等の形に成形した後、
この成形体を８００℃以上の温度で一次焼成し、高抵抗
層を形成する側面剤を塗布し、二次焼成して電圧非直線
性を有する素体とし、ガラス塗布、ガラス焼付後、該素
体の上下両端面を平面ラップ盤等で研磨して平行面に
し、その後、ここにＡｌ溶射電極等を付与して製造され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術の方法で
は、バリスタ特性、特にサージ耐量にばらつきが生ずる
ことが問題であった。
は、バリスタ特性、特にサージ耐量にばらつきが生ずる
ことが問題であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の発明者が種々検討の結果、研磨加工後、
熱処理することにより、サージに対する安定性が良好な
電圧非直線抵抗体用素体の製造方法を見いだした。本発
明の概要は、電圧非直線性を有する焼結体の電極を付与
する面を研磨する第１の工程と、前記研磨した焼結体を
熱処理する第２の工程と、からなることを特徴とするも
のである。また、前記熱処理の温度が４５０〜８５０℃
の範囲であること、さらに、前記熱処理を２サイクル以
上繰り返すことも好ましい実施態様とするものである。
めに、本発明の発明者が種々検討の結果、研磨加工後、
熱処理することにより、サージに対する安定性が良好な
電圧非直線抵抗体用素体の製造方法を見いだした。本発
明の概要は、電圧非直線性を有する焼結体の電極を付与
する面を研磨する第１の工程と、前記研磨した焼結体を
熱処理する第２の工程と、からなることを特徴とするも
のである。また、前記熱処理の温度が４５０〜８５０℃
の範囲であること、さらに、前記熱処理を２サイクル以
上繰り返すことも好ましい実施態様とするものである。
【０００５】
【作用】従来は図２に示す通り研磨加工後、電極付を行
っていたが、本発明は研磨加工後、熱処理をした後、電
極付をする、すなわち、図１に示す通り側面剤塗布、二
次焼成、研磨加工、熱処理、電極付の順で製作した結
果、限界サージ耐量のばらつき、特に低値破壊が改善さ
れた。この低値破壊の原因が研磨加工工程にあることを
うかがわせる。これらの理由は定かではないが、研磨加
工時の残留歪み、微小欠陥の生成等が低値破壊の原因と
考えられる。研磨加工後の熱処理によって、それらが除
去され、限界サージ耐量のばらつきの改善がなされるも
のと考える。なお、熱処理の温度は４５０〜８５０℃の
範囲であることが好ましく、より好ましくは５００〜６
５０℃である。これは、４５０〜８５０℃の温度範囲の
熱処理によりＢｉ2 Ｏ3 結晶相のγ化が図られるためで
ある。また、上記熱処理を２サイクル以上繰り返すこと
が好適である。これは、２サイクル以上繰り返すことに
よって、素体内の均一性が増し、低値破壊が発生しにく
くなるものと考えられる。さらに、熱処理の保持時間は
２時間、１サイクル、好ましくは１時間、２サイクルで
ある。なお、電極形成に４５０〜８５０℃の範囲で焼き
付ける厚膜ペーストを使用する場合は、その焼き付け工
程は、本発明の熱処理に相当する。
っていたが、本発明は研磨加工後、熱処理をした後、電
極付をする、すなわち、図１に示す通り側面剤塗布、二
次焼成、研磨加工、熱処理、電極付の順で製作した結
果、限界サージ耐量のばらつき、特に低値破壊が改善さ
れた。この低値破壊の原因が研磨加工工程にあることを
うかがわせる。これらの理由は定かではないが、研磨加
工時の残留歪み、微小欠陥の生成等が低値破壊の原因と
考えられる。研磨加工後の熱処理によって、それらが除
去され、限界サージ耐量のばらつきの改善がなされるも
のと考える。なお、熱処理の温度は４５０〜８５０℃の
範囲であることが好ましく、より好ましくは５００〜６
５０℃である。これは、４５０〜８５０℃の温度範囲の
熱処理によりＢｉ2 Ｏ3 結晶相のγ化が図られるためで
ある。また、上記熱処理を２サイクル以上繰り返すこと
が好適である。これは、２サイクル以上繰り返すことに
よって、素体内の均一性が増し、低値破壊が発生しにく
くなるものと考えられる。さらに、熱処理の保持時間は
２時間、１サイクル、好ましくは１時間、２サイクルで
ある。なお、電極形成に４５０〜８５０℃の範囲で焼き
付ける厚膜ペーストを使用する場合は、その焼き付け工
程は、本発明の熱処理に相当する。
【０００６】なお、前記ガラス塗布、ガラス焼付は、沿
面閃絡防止および側面の汚れ防止のために施されている
と一般に考えられている。側面高抵抗層（塗布された側
面剤の二次焼成後の層）のみで充分沿面閃絡防止をする
ことが分かった。したがって、前記ガラス塗布、ガラス
焼付を省略することも可能である。
面閃絡防止および側面の汚れ防止のために施されている
と一般に考えられている。側面高抵抗層（塗布された側
面剤の二次焼成後の層）のみで充分沿面閃絡防止をする
ことが分かった。したがって、前記ガラス塗布、ガラス
焼付を省略することも可能である。
【０００７】
【実施例】以下に電圧非直線抵抗体用素体の実施例につ
いて説明する。なお、本発明は酸化ビスマス系に限るも
のではなく、希土類系等の他の電圧非直線抵抗体用素体
でも良い。 （実施例１〜６）ＺｎＯ89.165モル％、Ｂｉ2 Ｏ30.8モ
ル％、Ｓｂ2 Ｏ31.0モル％、Ｃｏ2 Ｏ31.0モル％、Ｓｉ
Ｏ27.0モル％、Ｃｒ2 Ｏ30.5モル％、ＭｎＯ20.5モル
％、Ａｇ2Ｏ30.006モル％、ＺｒＯ20.005モル％、Ａｌ
2 Ｏ30.004モル％、Ｂ2 Ｏ30.02 モル％秤量し、これら
を混合・造粒した後、成形した。成形体を空気中、９０
０℃×２時間の一次焼成をし、側面高抵抗層を形成する
側面剤を塗布し、１１００℃×２時間で二次焼成した。
得られた焼結体の両端面を平面ラップ盤を用い、ＧＣ＃
８００砥粒で研磨加工し、直径５０ｍｍ、厚み２４ｍｍ
のディスク素体を得た。次いで、昇温速度１５０℃／時
間、降温速度１５０℃／時間、最高温度４５０℃〜８５
０℃×１時間で熱処理を２回繰り返し、その後、両端面
の全面にわたり、Ａｌ溶射電極を付与した。評価項目
は、バリスタ電圧（Ｖ／ｍｍ）およびそのバラツキ、制
限電圧比（Ｖ 30KA/ Ｖ1mA ）、耐雷サージ評価として短
波尾限界放電耐量（４／１０μs 、２回）、耐開閉サー
ジ評価として長波尾限界放電耐量（２ｍＳ、２０回）、
耐久試験〔表ではＩ−Ｎ試験と表した。〕（２／２０μ
s 、２０ＫＡ）およびＢｉ2 Ｏ 3 の結晶相分析をした。
その結果を表１および表２に示す。
いて説明する。なお、本発明は酸化ビスマス系に限るも
のではなく、希土類系等の他の電圧非直線抵抗体用素体
でも良い。 （実施例１〜６）ＺｎＯ89.165モル％、Ｂｉ2 Ｏ30.8モ
ル％、Ｓｂ2 Ｏ31.0モル％、Ｃｏ2 Ｏ31.0モル％、Ｓｉ
Ｏ27.0モル％、Ｃｒ2 Ｏ30.5モル％、ＭｎＯ20.5モル
％、Ａｇ2Ｏ30.006モル％、ＺｒＯ20.005モル％、Ａｌ
2 Ｏ30.004モル％、Ｂ2 Ｏ30.02 モル％秤量し、これら
を混合・造粒した後、成形した。成形体を空気中、９０
０℃×２時間の一次焼成をし、側面高抵抗層を形成する
側面剤を塗布し、１１００℃×２時間で二次焼成した。
得られた焼結体の両端面を平面ラップ盤を用い、ＧＣ＃
８００砥粒で研磨加工し、直径５０ｍｍ、厚み２４ｍｍ
のディスク素体を得た。次いで、昇温速度１５０℃／時
間、降温速度１５０℃／時間、最高温度４５０℃〜８５
０℃×１時間で熱処理を２回繰り返し、その後、両端面
の全面にわたり、Ａｌ溶射電極を付与した。評価項目
は、バリスタ電圧（Ｖ／ｍｍ）およびそのバラツキ、制
限電圧比（Ｖ 30KA/ Ｖ1mA ）、耐雷サージ評価として短
波尾限界放電耐量（４／１０μs 、２回）、耐開閉サー
ジ評価として長波尾限界放電耐量（２ｍＳ、２０回）、
耐久試験〔表ではＩ−Ｎ試験と表した。〕（２／２０μ
s 、２０ＫＡ）およびＢｉ2 Ｏ 3 の結晶相分析をした。
その結果を表１および表２に示す。
【０００８】なお、バリスタ電圧およびそのバラツキ
は、３０個の試料の平均および標準偏差で示した。短波
尾限界放電耐量は、３個の試料に先ず５０ＫＡ、４／１
０μs のサージを印加し、試料が破壊しなかった場合は
○、破壊した場合は×で示した。次に、破壊しなかった
試料に５分後、同一波形のサージを印加した。次に、破
壊しなかった試料に５５ＫＡ、４／１０μs のサージを
印加し、以下同様に６５ＫＡまで繰り返した。長波尾限
界放電耐量は、２個の試料に先ず２００Ａ、２ｍＳ、２
分間隔で２０回のサージを印加し、試料が破壊しなかっ
た場合は○、破壊した場合は×で示した。次に、破壊し
なかった試料に３００Ａ、２ｍＳ、２０回のサージを印
加し、以下同様に６００Ａまで繰り返した。耐久試験
は、２／２０μs 、２０ＫＡのサージを何回印加したと
きに破壊したかを示した。
は、３０個の試料の平均および標準偏差で示した。短波
尾限界放電耐量は、３個の試料に先ず５０ＫＡ、４／１
０μs のサージを印加し、試料が破壊しなかった場合は
○、破壊した場合は×で示した。次に、破壊しなかった
試料に５分後、同一波形のサージを印加した。次に、破
壊しなかった試料に５５ＫＡ、４／１０μs のサージを
印加し、以下同様に６５ＫＡまで繰り返した。長波尾限
界放電耐量は、２個の試料に先ず２００Ａ、２ｍＳ、２
分間隔で２０回のサージを印加し、試料が破壊しなかっ
た場合は○、破壊した場合は×で示した。次に、破壊し
なかった試料に３００Ａ、２ｍＳ、２０回のサージを印
加し、以下同様に６００Ａまで繰り返した。耐久試験
は、２／２０μs 、２０ＫＡのサージを何回印加したと
きに破壊したかを示した。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【表２】
【００１１】（実施例７〜８）実施例１〜６と同様にし
て得られた二次焼成焼結体を昇温速度１５０℃／時間、
降温速度１５０℃／時間、最高温度５５０℃〜８５０℃
×１時間で熱処理をし、その後の両端面を平面ラップ盤
を用い、ＧＣ＃８００砥粒で研磨加工し、直径５０ｍ
ｍ、厚み２４ｍｍのディスク素体を得た後、さらに、昇
温速度１５０℃／時間、降温速度１５０℃／時間、最高
温度５５０℃〜８５０℃×１時間で熱処理をし、その
後、両端面の全面にわたり、Ａｌ溶射電極を付与した。
その他は実施例１〜６と同様とした。その結果を表２に
示す。
て得られた二次焼成焼結体を昇温速度１５０℃／時間、
降温速度１５０℃／時間、最高温度５５０℃〜８５０℃
×１時間で熱処理をし、その後の両端面を平面ラップ盤
を用い、ＧＣ＃８００砥粒で研磨加工し、直径５０ｍ
ｍ、厚み２４ｍｍのディスク素体を得た後、さらに、昇
温速度１５０℃／時間、降温速度１５０℃／時間、最高
温度５５０℃〜８５０℃×１時間で熱処理をし、その
後、両端面の全面にわたり、Ａｌ溶射電極を付与した。
その他は実施例１〜６と同様とした。その結果を表２に
示す。
【００１２】（実施例９）実施例１〜６と同様にして得
られた焼結体の両主面を平面ラップ盤を用い、ＧＣ＃８
００砥粒で研磨加工し、直径５０ｍｍ、厚み２４ｍｍの
ディスク素体を得た。次いで、昇温速度１５０℃／時
間、降温速度１５０℃／時間、最高温度５５０℃×２時
間で熱処理をし、その後、両端面の全面にわたり、Ａｌ
溶射電極を付与した。その他は実施例１〜６と同様とし
た。その結果を表２に示す。
られた焼結体の両主面を平面ラップ盤を用い、ＧＣ＃８
００砥粒で研磨加工し、直径５０ｍｍ、厚み２４ｍｍの
ディスク素体を得た。次いで、昇温速度１５０℃／時
間、降温速度１５０℃／時間、最高温度５５０℃×２時
間で熱処理をし、その後、両端面の全面にわたり、Ａｌ
溶射電極を付与した。その他は実施例１〜６と同様とし
た。その結果を表２に示す。
【００１３】（実施例１０）実施例１〜６と同様にして
得られた焼結体の両主面を平面ラップ盤を用い、ＧＣ＃
８００砥粒で研磨加工し、直径５０ｍｍ、厚み２４ｍｍ
のディスク素体を得た。次いで、昇温速度１５０℃／時
間、降温速度１５０℃／時間、最高温度５５０℃×１時
間で熱処理をし（熱処理を１回とした。）、その後、両
端面の全面にわたり、Ａｌ溶射電極を付与した。その他
は実施例１〜６と同様とした。その結果を表２に示す。
得られた焼結体の両主面を平面ラップ盤を用い、ＧＣ＃
８００砥粒で研磨加工し、直径５０ｍｍ、厚み２４ｍｍ
のディスク素体を得た。次いで、昇温速度１５０℃／時
間、降温速度１５０℃／時間、最高温度５５０℃×１時
間で熱処理をし（熱処理を１回とした。）、その後、両
端面の全面にわたり、Ａｌ溶射電極を付与した。その他
は実施例１〜６と同様とした。その結果を表２に示す。
【００１４】（比較例１〜３）前記熱処理温度を４００
℃、９００℃、１０００℃とし、その他は実施例１〜６
と同様とした。その結果を表３に示す。
℃、９００℃、１０００℃とし、その他は実施例１〜６
と同様とした。その結果を表３に示す。
【００１５】
【表３】
【００１６】（比較例４〜５）実施例１〜６と同様にし
て得られた二次焼成焼結体を昇温速度１５０℃／時間、
降温速度１５０℃／時間、最高温度５５０℃〜８５０℃
×１時間で熱処理を２回繰り返し、その後、焼結体の両
端面を平面ラップ盤を用い、ＧＣ＃８００砥粒で研磨加
工し、直径５０ｍｍ、厚み２４ｍｍのディスク素体を得
た。その後、両端面の全面にわたり、Ａｌ溶射電極を付
与した。その他は実施例１〜６と同様とした。その結果
を表３に示す。
て得られた二次焼成焼結体を昇温速度１５０℃／時間、
降温速度１５０℃／時間、最高温度５５０℃〜８５０℃
×１時間で熱処理を２回繰り返し、その後、焼結体の両
端面を平面ラップ盤を用い、ＧＣ＃８００砥粒で研磨加
工し、直径５０ｍｍ、厚み２４ｍｍのディスク素体を得
た。その後、両端面の全面にわたり、Ａｌ溶射電極を付
与した。その他は実施例１〜６と同様とした。その結果
を表３に示す。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よって得られる素体を用いれば、雷サージ耐量、開閉サ
ージ耐量、耐久性の優れた電圧非直線抵抗体用素体の製
造することができる。
よって得られる素体を用いれば、雷サージ耐量、開閉サ
ージ耐量、耐久性の優れた電圧非直線抵抗体用素体の製
造することができる。
【図１】本発明の電圧非直線抵抗体用素体の製造工程で
ある。
ある。
【図２】従来技術の電圧非直線抵抗体用素体の製造工程
である。
である。
Claims (3)
- 【請求項１】 電圧非直線性を有する焼結体の電極を付
与する面を研磨する第１の工程と、 前記研磨した焼結体を熱処理する第２の工程と、からな
ることを特徴とする電圧非直線抵抗体用素体の製造方
法。 - 【請求項２】 前記熱処理の温度が４５０〜８５０℃の
範囲である特許請求の範囲第１項に記載の電圧非直線抵
抗体用素体の製造方法。 - 【請求項３】 前記熱処理を２サイクル以上繰り返す特
許請求の範囲第１項又は第２項に記載の電圧非直線抵抗
体用素体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7128132A JPH08321407A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 電圧非直線抵抗体用素体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7128132A JPH08321407A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 電圧非直線抵抗体用素体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321407A true JPH08321407A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14977197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7128132A Pending JPH08321407A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 電圧非直線抵抗体用素体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08321407A (ja) |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP7128132A patent/JPH08321407A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08321407A (ja) | 電圧非直線抵抗体用素体の製造方法 | |
| JPH0670658B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の課電検査方法 | |
| JPH08172002A (ja) | 電圧非直線型抵抗体の製造方法 | |
| JPS6221242B2 (ja) | ||
| JPH04253302A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JP2001052907A (ja) | セラミック素子とその製造方法 | |
| JP2718175B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 | |
| JP2533597B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH04296002A (ja) | 非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH07263204A (ja) | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 | |
| JPH04257201A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPH05144610A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPS6310561B2 (ja) | ||
| JPH06140207A (ja) | 非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH02239602A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造法 | |
| JPH02135701A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH02302002A (ja) | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 | |
| JPH04188802A (ja) | 酸化亜鉛非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH01111302A (ja) | 避雷器素子 | |
| JPS5831721B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子およびその製造方法 | |
| JPS6031207A (ja) | 電圧非直線抵抗体及びその製法 | |
| JPH0429205B2 (ja) | ||
| JPH0817123B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造法 | |
| JPS63146408A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH0555012A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021101 |