JPH08316292A - ウェハ処理装置 - Google Patents
ウェハ処理装置Info
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- JPH08316292A JPH08316292A JP12132495A JP12132495A JPH08316292A JP H08316292 A JPH08316292 A JP H08316292A JP 12132495 A JP12132495 A JP 12132495A JP 12132495 A JP12132495 A JP 12132495A JP H08316292 A JPH08316292 A JP H08316292A
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- wafer processing
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Abstract
室の真空度が損なわれないようにすることを目的とす
る。 【構成】 ウェハ処理室40は、リフトピン収容部43
を有する。リフトピン収容部43は、筒体44と底板4
5とを有する。リフトピン50は、下端の近くに、鉄製
の中間柱部52を有し、リフトピン収容部43内に、上
下動可能に納まっている。駆動体60は、リフトピン5
0と磁気的に結合している。駆動体60が上動すると、
リフトピン50が、リフトピン収容部43内で、上動す
る。
Description
特に、真空の処理室とリフトピンとを備えたウェハ処理
装置に関する。ウェハ処理装置においては、処理室の真
空度を信頼性良く維持出来ることが重要である。
0を示す。11は処理室であり、静電チャック12が設
けてある。13はリフトピンであり、筒状のガイド14
内に、摺動可能に設けてある。リフトピン13とガイド
14との間には、Oリング15が設けてあり、処理室1
1の真空が保たれている。リフトピン13の下端は、エ
アアクチュエータ16と機械的に連結してある。エアア
クチュエータ16が作動すると、二点鎖線で示すよう
に、リフトピン13がバネ17に抗して上動し、ウェハ
18を、静電チャック12から浮かせて支持する。
は、高温に弱い。一方、ウェハの処理は、より高温の下
で行われるようになってきている。このため、Oリング
15は比較的早くに劣化してしまい、その結果、処理室
11の真空度が低下してしまう。処理室11の真空度が
低下すると、ウェハ処理に不都合が生じてしまう。ま
た、静電チァック12にあっては、電流の供給を断った
後にも、ある時間にわたって電荷が残留し、ウェハ18
が吸着された状態とされる。一方、リフトピン13はエ
アアクチュエータ16と機械的に結合されているため、
エアエクチュエータ16が作動すると、リフトピン13
は必ず上動する。このため、ウェハ18が残留電荷によ
って比較的強く吸着されている状態のときにエアアクチ
ュエータ16が作動した場合には、ウェハ18に強い力
が加わって、ウェハ18が割れてしまう。
ェハ処理装置を提供することを目的とする。
図を示す。ウェハ処理装置30は、ステージ31が収容
してあるウェハ処理室32と、リフトピン33と、有底
筒形状を有し、ウェハ処理室32より下方に延出してお
り、リフトピン33を収容しているリフトピン収容部3
4と、リフトピン収容部34に沿って上下動する昇降手
段35と、昇降手段35とリフトピン33とを磁気的に
結合する磁気的結合手段36とを有する。昇降手段35
が上動すると、磁気的結合手段36を介してリフトピン
33がリフトピン収容部34内で上動する。
気密を維持するように作用する。
0を示す。ウェハ処理室41内には、ステージとしての
静電チャック42及びエッチング用のプラズマ発生装置
(図示せず)が設けてある。
と、この下端に溶接されており筒体44の下端をを塞い
でいる底板45とよりなり、ウェハ処理室41の下面に
取り付けてあり、下方に延出している。筒体44は、静
電チャック42の孔46と整列している。後述する磁気
的結合装置との関係で、筒体44及び底板45は、共に
非磁性であるステンレス製である。
に、テフロン(登録商標)製のリフトピン本体51と、
鉄製の中間柱部52と、テフロン(登録商標)製の補助
体53とよりなる。中間柱部52の両側に、リフトピン
本体51と補助体53とがねじどめしてある。リフトピ
ン本体51及び補助体53は、径がd1であり、中間柱
部52の径d2 は、d1 より少し小さい。リフトピン5
0は、孔46及び筒部44内に、摺動可能に収容されて
いる。図3に示すように、中間柱部52の外周面と筒体
44の内周面との間には、隙間54がある。
3に示すように、貫通孔61を有するステンレス製のブ
ロック62内の中央に、永久磁石組立体63が組み込ま
れ、上下側に、テフロン(登録商標)製の軸受部材6
4、65が組み込まれた構造を有する。この駆動体60
は、筒体44の外側に摺動可能に嵌合している。後述す
る永久磁石70の内径d10は、軸受部材64,65の内
径d11より少し大きく、永久磁石70と筒体44との間
には、隙間68がある。また、駆動体60は、エアアク
チュエータ66のアーム67にねじ止めされている。
に、周方向に複数の磁極が並び且つ軸方向上両端が異極
となるように、着磁されている筒状の永久磁石70と、
この外側を囲む筒状のヨーク71とよりなる。永久磁石
70は、磁界を発生する。内側には、磁力線73で表さ
れる磁界が発生し、外側には、磁力線74で表される磁
界が発生する。
4を通過して中間柱部52に及んでおり、この磁力線7
3によって、永久磁石70と中間柱部52、即ち、駆動
体60とリフトピン50とが磁気的に結合されている。
ここで、磁気的結合の力は、ウェハを割るのに要する力
より小さい力に定めてある。また、ヨーク71があるこ
とによって、磁界が駆動体60の外部に及ぶことがな
い。
手段を構成する。また、ウェハ処理装置40は、図2に
示すように、CPU80、駆動制御回路81,82、ブ
ザー83、操作部84、及びウェハ90までの距離を測
定するセンサ85を有する。
の動作について説明する。図2は、ウェハ90が静電チ
ャック42に吸着されており、プラズマエッチング処理
がなされている状態を示す。この処理が完了すると、静
電チャック42への通電が断たれる。この後、CPU8
0からの指令によって、駆動制御回路81を介してエア
アクチュエータ66が駆動され、駆動体60がZ1方向
に上動する。リフトピン50は、駆動体60と磁気的に
結合されつつ、二点鎖線で示すように、駆動体60と一
体的にZ1方向に上動し、ウェハ90を静電チャック4
2から離して支持する。ロボット(図示せず)によって
ウェハ90がウェハ処理室41から搬出された後、エア
アクチュエータ66が元の状態に戻る方向に動作し、リ
フトピン50はZ2方向に下動する。即ち、リフトピン
50は、リフトピン収容部43の内部において上下動を
繰り返す。従って、ウェハ処理室41の真空度は、リフ
トピン50が上下動を多数開繰り返しても、少しも損な
われず、長期にわたって良好に保たれる。
較的強く吸着されている状態のときにエアアクチュエー
タ66が作動した場合の動作について説明する。ウェハ
90が残留電荷によって比較的強く吸着されているた
め、リフトピン50のZ1方向への上動は、比較的強く
制限されている。このため、駆動体60がエアアクチュ
エータ66によって上動を開始した時に、リフトピン5
0は動かず、駆動体60が中間柱部52から離れ、上記
の磁気的結合が解除される。この後は、リフトピン50
にZ1方向の力を作用させない状態で、駆動体60が上
動する。従って、ウェハ90を割ってしまう事故は防止
される。
にも拘わらずウェハ90が静電チャック42から浮かさ
れないことは、センサ85によって感知され、更には、
CPU80よりの指令により、駆動制御回路82を介し
て、ブザー83が発音する。ブザー音を聞いた操作者
は、操作部84を操作して、エアアクチュエータ66を
逆方向に作動させる。これにより、駆動体60は元の位
置まで下動し、リフトピン50と再び磁気的に結合し、
ウェハ処理装置40は正常に動作する状態となる。
テフロン(登録商標)製の部分51、53だけが筒体4
4の内面を接触しつつ移動し、鉄製の中間柱部52は、
筒体44の内面に対して非接触状態を保ちつつ移動す
る。このため、リフトピン50は、ゴミを発生させず
に、かつ、円滑に移動する。従って、ウェハ処理室44
内が、ゴミによって汚染されることが防止される。
標)製の軸受部材64、65が筒体44の外面に接触し
て、永久磁石70は筒体44の外面に対して非接触状態
を保ちつつ移動する。このため、駆動体600は、ゴミ
を発生させずに、かつ、円滑に移動する。従って、ウェ
ハ処理装置40が、ゴミによって汚染されることが防止
される。
ヨーク71内を通り、磁束は駆動体60の外部には漏洩
していない。このため、磁気的結合を採っていても、プ
ラズマエッチングは少しも影響をうけず、正常に行われ
る。また、リフトピン本体51及び補助体53は、テフ
ロン(登録商標)に限らず、石英、セラミックなどの金
属不純物を含まない高純度材料製であればよい。次に、
本発明の別の実施例について説明する。
永久磁石組立体63に代えて、電磁石組立体100が設
けてある。電磁石組立体100は、内径が上記の永久磁
石70の内径と同じくd10であるボビン101に巻かれ
たコイル102と、コイル102に直列に接続してある
電源103、可変抵抗104、スイッチ105と、スイ
ッチ105の開閉を制御するスイッチ制御装置106と
を有する。
ラズマエッチング処理期間中はOFFとされている。こ
れによって、プラズマエッチング処理期間中は磁束が発
生していず、プラズマエッチングは、正常に行われる。
プラズマエッチング処理が完了すると、スイッチ制御装
置106によってスイッチ105がONとされ、コイル
102に通電され、駆動体60Aが、リフトピン50と
磁気的に結合される。ここで、可変抵抗106を適宜調
整することによって、電磁石組立体100が発生する磁
力の強さが、約5,000Gから12,000G程度の
範囲内で調節され、駆動体60Aとリフトピン50との
磁気的結合力の強さが、処理中のウェハの強度に応じた
強さとされる。
よれば、リフトピンが有底筒形状のリフトピン収容部内
に納まっているため、ウェハ処理室の真空度を良好に維
持することができる。
りに押し上げることが起きないため、ウェハを割ってし
まう事故を防止できる。また、ステージとして静電チャ
ックを使用した場合に特に効果がある。請求項3の発明
によれば、ヨークによって磁束の外部への漏洩が制限さ
れ、ウェハ処理に影響が及ばないようにすることができ
る。
は磁束が発生しないため、ウェハ処理を全く正常に行う
ことができる。請求項5の発明によれば、鉄製の柱部は
リフトピン収容部に対して非接触であるため、リフトピ
ンの上下動は、ゴミを発生させることなく、かつ、円滑
に行われる。
トピン収容部に対して非接触であるため、昇降手段の上
下動は、ゴミを発生させることなく、かつ、円滑に行わ
れる。請求項7の発明によれば、ボビンはリフトピン収
容部に対して非接触であるため、昇降手段の上下動は、
ゴミを発生させることなく、かつ、円滑に行われる。
す図である。
説明する図である。
部を示す図である。
る図である。
Claims (7)
- 【請求項1】ウェハを支持するステージを内部に有する
ウェハ処理室と、 上動して上記ウェハを上記ステージより押し上げるリフ
トピンと、 有底筒形状を有し、上記ウェハ処理室より下方に延出し
ており、上記リフトピンを収容しているリフトピン収容
部と、 該リフトピン収容部に沿って上下動する昇降手段と、 該昇降手段と上記リフトピンとを磁気的に結合する磁気
的結合手段とを有し、 該昇降手段が上動すると、上記磁気的結合手段を介して
上記リフトピンが上記リフトピン収容部内で上動するよ
うに構成したことを特徴とするウェハ処理装置。 - 【請求項2】請求項1の磁気的結合手段は、ウェハを割
る力に到る前に、結合が切れる強さの結合力を発生する
構成としたことを特徴とするウェハ処理装置。 - 【請求項3】請求項1の昇降手段は、永久磁石組立体を
有し、該永久磁石組立体は、筒状の永久磁石と該永久磁
石を囲む筒状のヨークとよりなる構成としたことを特徴
とするウェハ処理装置。 - 【請求項4】請求項1の昇降手段は、電磁石組立体を有
し、該電磁石組立体は、コイルと、該コイルに電流を供
給する電源と、ウェハ処理室内でウェハの処理が行われ
ているときには該コイルへの電流の供給を制御する手段
とよりなる構成としたことを特徴とするウェハ処理装
置。 - 【請求項5】請求項1のリフトピンは、非金属製のリフ
トピン本体に、鉄製の柱部が取付けられた構成であり、
該柱部の径は、リフトピンの径より小さい構成としたこ
とを特徴とするウェハ処理装置。 - 【請求項6】請求項1の昇降手段は、上記リフトピン収
容部の外周を摺動する軸受部材と、永久磁石組立体とを
有し、該永久磁石組立体は、筒状の永久磁石と、該永久
磁石を囲む筒状のヨークとよりなり、該永久磁石の内径
は、該軸受部材の内径より大きい構成としたことを特徴
とするウェハ処理装置。 - 【請求項7】請求項1の昇降手段は、上記リフトピン収
容部の外周を摺動する軸受部材と、電磁石組立体を有
し、該電磁石組立体は、ボビンに巻かれたコイルと、該
コイルに電流を供給する電源と、ウェハ処理室内でウェ
ハの処理が行われているときには該コイルへの電流の供
給を制御する手段とよりなり、該ボビンの内径は、該軸
受部材の内径より大きい構成としたことを特徴とするウ
ェハ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12132495A JP3773561B2 (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | ウェハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12132495A JP3773561B2 (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | ウェハ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08316292A true JPH08316292A (ja) | 1996-11-29 |
JP3773561B2 JP3773561B2 (ja) | 2006-05-10 |
Family
ID=14808440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12132495A Expired - Fee Related JP3773561B2 (ja) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | ウェハ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3773561B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0821404A2 (en) * | 1996-07-24 | 1998-01-28 | Applied Materials, Inc. | Lift pin and support pin apparatus for a processing chamber |
US6447613B1 (en) * | 1998-11-19 | 2002-09-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate dechucking device and substrate dechucking method |
JP2006313766A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Nikon Corp | 基板保持装置及びステージ装置並びに露光装置 |
US8365682B2 (en) | 2004-06-01 | 2013-02-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for supporting substrates |
US9852937B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-12-26 | Asml Netherlands B.V. | Object table, lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
1995
- 1995-05-19 JP JP12132495A patent/JP3773561B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0821404A2 (en) * | 1996-07-24 | 1998-01-28 | Applied Materials, Inc. | Lift pin and support pin apparatus for a processing chamber |
EP0821404A3 (en) * | 1996-07-24 | 2004-03-10 | Applied Materials, Inc. | Lift pin and support pin apparatus for a processing chamber |
US6447613B1 (en) * | 1998-11-19 | 2002-09-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate dechucking device and substrate dechucking method |
US8365682B2 (en) | 2004-06-01 | 2013-02-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for supporting substrates |
JP2006313766A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Nikon Corp | 基板保持装置及びステージ装置並びに露光装置 |
US9852937B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-12-26 | Asml Netherlands B.V. | Object table, lithographic apparatus and device manufacturing method |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3773561B2 (ja) | 2006-05-10 |
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