WO2020003795A1

WO2020003795A1 - 開閉弁およびこの開閉弁を備えた基板処理装置

Info

Publication number: WO2020003795A1
Application number: PCT/JP2019/019506
Authority: WO
Inventors: 充也楠原
Original assignee: 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date: 2018-06-29
Filing date: 2019-05-16
Publication date: 2020-01-02
Also published as: TWI715045B; TW202001134A; JP2020003042A

Abstract

開閉弁（９）において、弁体（４１）側には弁体側電磁石部（４３）が設けられ、弁座部（３５）側には永久磁石部（３６）が設けられている。電流供給回路（１１）が弁体側電磁石部（４３）に第１方向の電流を供給すると、弁体側電磁石部（４３）は磁界を生成する。そのため、弁体側電磁石部（４３）は、永久磁石部（３６）に引き付けられる。すなわち、弁体（４１）と弁座部（３５）には、磁界による引き付け合う力が働く。これにより、弁座部（３５）に弁体（４１）が近づけられ、弁座部（３５）に弁体（４１）が押し付けられる。また、弁座部（３５）の周方向に均一に弁体（４１）を弁座部（３５）に押し付けることができる。これにより、弁体（４１）と弁座部（３５）との接触を確実にすることができ、リーク発生を防止することができる。

Description

開閉弁およびこの開閉弁を備えた基板処理装置

　本発明は、基板に対して液体を供給するための用いられる開閉弁、およびこの開閉弁を備えた基板処理装置に関する。なお、基板は、半導体基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等を含む。ＦＰＤ用の基板は、液晶表示装置および有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置等を含む。

　基板処理装置は、液体を吐出するノズルと、タンクなどの液体容器と、ノズルと液体容器とを接続する配管とを備えている。配管には、液体を送るためのポンプと、開閉弁とが設けられている。開閉弁は、ノズルに液体を供給し、ノズルへの液体の供給を停止するものである（例えば、特許文献１参照）。

　開閉弁１０１は、図１２に示すように、上流側流路１０２、弁室内流路１０３および下流側流路１０４を備えている。また、開閉弁１０１は、弁座１０５、ダイアフラム１０６、可動部材１０７、変換機構１０８および電動モータ１０９を備えている。ダイアフラム１０６の外縁部は、弁室内流路１０３の側壁に取り付けられ、ダイアフラム１０６の中央部は、可動部材１０７に連結されている。変換機構１０８は、電動モータ１０９の出力の回転を可動部材１０７の上下方向の移動に変換する。

　電動モータ１０９の駆動によって、弁体として用いられるダイアフラム１０６を弁座１０５に近づけて、ダイアフラム１０６を弁座１０５に押し付けると、上流側流路１０２と下流側流路１０４の間で液体の流れが停止する。一方、電動モータ１０９の駆動によって、弁座１０５からダイアフラム１０６を離すと、上流側流路１０２と下流側流路１０４の間で液体が流れる。

　また、開閉弁の他の例として、電磁弁がある（例えば、特許文献２参照）。図１３（ａ）に示すように、電磁弁２０１は、固定鉄心２０２、可動鉄心２０３およびコイル２０４を備えている。固定鉄心２０２および可動鉄心２０３は、直列で配置され、コイル２０４は、固定鉄心２０２および可動鉄心２０３の周りを囲うように設けられている。可動鉄心２０３の先端には、弁カバー２０５が設けられ、第１流路２０６と第２流路２０７とを連通する部分には、弁座２０８が設けられている。可動鉄心２０３は、ばね部材２０９によって、弁カバー２０５を弁座２０８に近づける方向（下方向）に押されている。

　コイル２０４に電流を流すと、ばね部材２０９の復元力に抵抗しながら、固定鉄心２０２に可動鉄心２０３が引き付けられる（図１３（ｂ）参照）。これにより、第１流路２０６と第２流路２０７との間で液体が流れる。一方、コイル２０４に流している電流を停止すると、固定鉄心２０２に可動鉄心２０３が引き付けられなくなり、ばね部材２０９の復元力によって、弁カバー２０５が弁座２０８に押し付けられる（図１３（ａ）参照）。これにより、第１流路２０６と第２流路２０７との間で液体の流れが停止する。

特開２０１７－１９４０８０号公報特開２０１７－１９８２４６号公報

　このような従来の開閉弁には次のような問題がある。開閉弁は、弁体を弁座に押し付けたり弁体を弁座から離したりすることで、開閉動作を行っている。従来の開閉弁は、その構造上、弁体を弁座に押し付ける際に、弁座の軸心に対して弁体の軸心が傾いてしまう可能性がある。これにより、弁体が弁座に対して片当たりの状態になると、弁体と弁座の接触部分における処理液のリークが発生する可能性がある。

　本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、弁体と弁座部の接触部分におけるリーク発生を防止することが可能な開閉弁およびこの開閉弁を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。

　本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
　すなわち、本発明に係る開閉弁は、液体を通す弁室内流路と、前記弁室内流路に各々連通する第１流路および第２流路と、前記弁室内流路と前記第２流路との境界となる開口の周りを取り囲み、前記弁室内流路に設けられた弁座部および、前記第２流路の周りを取り囲み、前記弁座部側に設けられた強磁性体部または磁石部を有する弁座ブロックと、前記弁室内流路内に設けられ、前記弁座部に接触するための弁体および、前記弁体側に設けられた弁体側電磁石部を有する可動部と、前記弁体側電磁石部に第１方向の電流を供給し、前記強磁性体部または前記磁石部に前記弁体側電磁石部を引き付けることで、前記弁座部に前記弁体を近づけさせて前記弁座部に前記弁体を押し付ける電流供給回路と、を備えていることを特徴とするものである。

　本発明に係る開閉弁によれば、弁体側には弁体側電磁石部が設けられ、弁座部側には強磁性体部または磁石部が設けられている。電流供給回路が弁体側電磁石部に第１方向の電流を供給すると、弁体側電磁石部は磁界を生成する。そのため、弁体側電磁石部は、強磁性体部または磁石部に引き付けられる。すなわち、弁体と弁座部には、磁界による引き付け合う力が働く。これにより、弁座部に弁体が近づけられ、弁座部に弁体が押し付けられる。仮に弁体が弁座部に片当たりしても、引き付け合う力によって、片当たりしていない弁体部分にも弁座部に接触しようとする力が働く。すなわち、弁座部の周方向に均一に弁体を弁座部に押し付けることができる。これにより、弁体と弁座部との接触を確実にすることができ、リーク発生を防止することができる。

　また、上述の開閉弁において、前記弁座ブロックは、前記磁石部を有し、前記電流供給回路は、前記弁体側電磁石部に第１方向の電流を供給し、前記磁石部に前記弁体側電磁石部を引き付けることで、前記弁座部に前記弁体を近づけて前記弁座部に前記弁体を押し付け、また、前記弁体側電磁石部に前記第１方向と逆方向の第２方向の電流を供給し、前記磁石部から前記弁体側電磁石部を反発させることで、前記弁座部から前記弁体を離れさせることが好ましい。弁体側電磁石部により生成された磁界によって、弁座部に弁体を近づけて弁座部に弁体を押し付けことができると共に、弁座部から弁体を離すことができる。

　また、上述の開閉弁において、前記磁石部は、永久磁石部であることが好ましい。例えば、弁座部側の磁石部が電磁石部である場合、弁体側電磁石部および弁座部側電磁石部の両方で磁界を発生させることできる。しかしながら、弁体側に加えて弁座部側が電磁石であると、構造が複雑になる。また、弁体側電磁石部に加えて弁座部側電磁石部で発熱することになる。本発明によれば、弁座部側が永久磁石部であるので、構成をシンプルにでき、また、弁座部側の永久磁石部は発熱しないので、発熱を抑えることができる。

　また、上述の開閉弁において、前記磁石部は、弁座部側電磁石部であることが好ましい。これにより、弁体側電磁石部および弁座部側電磁石部の両方で磁界を発生させることできる。また、弁体側電磁石部および弁座部側電磁石部の各々で発生させる磁界の強さを調整することができる。

　また、上述の開閉弁において、前記電流供給回路は、前記弁体側電磁石部に前記第２方向の電流を供給する際に、前記弁体側電磁石部に供給する電流量を調整することで、前記弁座部と前記弁体の間の隙間を調整することが好ましい。これにより、開閉弁が開状態のときの、第１流路と第２流路の間に流れる液体の流量を調整することができる。

　また、上述の開閉弁において、前記弁座ブロックは、前記強磁性体部を有し、前記可動部は、ばね部材が取り付けられており、前記電流供給回路は、前記弁体側電磁石部に第１方向の電流を供給し、前記磁石部に前記弁体側電磁石部を引き付けることで、前記ばね部材にエネルギを蓄積させつつ前記弁座部に前記弁体を近づけて、前記弁座部に前記弁体を押し付け、また、前記弁体側電磁石部に第１方向の電流の供給を停止することで、前記ばね部材に蓄積されたエネルギによって前記弁座部から前記弁体を離れさせることが好ましい。

　弁体側電磁石部により生成される磁界とばね部材に蓄積されるエネルギとによって、弁座部に弁体を近づけて弁座部に弁体を押し付けことができると共に、弁座部から弁体を離すことができる。

　また、本発明に係る開閉弁は、液体を通す弁室内流路と、前記弁室内流路に各々連通する第１流路および第２流路と、前記弁室内流路と前記第２流路との境界となる開口の周りを取り囲み、前記弁室内流路に設けられた弁座部および、前記第２流路の周りを取り囲み、前記弁座部側に設けられた弁座部側電磁石部を有する弁座ブロックと、前記弁室内流路内に設けられ、前記弁座部に接触するための弁体および、前記弁体側に設けられた強磁性体部または磁石部を有する可動部と、前記弁座部側電磁石部に第１方向の電流を供給し、前記弁座部側電磁石部に前記強磁性体部または前記磁石部を引き付けることで、前記弁座部に前記弁体を近づけさせて前記弁座部に前記弁体を押し付ける電流供給回路と、を備えていることを特徴とするものである。

　本発明に係る開閉弁によれば、弁体側には強磁性体部または磁石部が設けられ、弁座部側には弁座部側電磁石部が設けられている。電流供給回路が弁座部側電磁石部に第１方向の電流を供給すると、弁座部側電磁石部は磁界を生成する。そのため、弁座部側電磁石部は、強磁性体部または磁石部を引き付ける。すなわち、弁体と弁座部には、磁界による引き付け合う力が働く。これにより、弁座部に弁体が近づけられ、弁座部に弁体が押し付けられる。仮に弁体が弁座部に片当たりしても、引き付け合う力によって、片当たりしていない弁体部分にも弁座部に接触しようとする力が働く。すなわち、弁座部の周方向に均一に弁体を弁座部に押し付けることができる。これにより、弁体と弁座部との接触を確実にすることができ、リーク発生を防止することができる。

　また、上述の開閉弁において、前記弁体および前記弁座部は、ＰＦＡで形成されていることが好ましい。弁体または弁座部が例えばＰＴＦＥで形成されていると、それらを接触させることでパーティクルが発生する可能性がある。ＰＦＡは、接触によるパーティクルが発生しにくい材料である。そのため、ＰＦＡで共に形成された弁体と弁座部を接触させたときに、パーティクルの発生を抑えることができる。

　また、上述の開閉弁において、前記弁体と前記弁座部の間の接触は、平面同士で行われることが好ましい。弁体および弁座部の接触面が共に平面である。そのため、接触時の衝撃力および弁座部に弁体を押し付ける力を分散させることができるので、パーティクルの発生を抑えることができる。

　また、本発明に係る基板処理装置は、液体を吐出するノズルと、前記ノズルに液体を送るポンプと、前記ノズルと前記ポンプの間で液体を通す配管と、前記配管に設けられ、前記ノズルへの液体の供給とその供給停止を選択できる開閉弁とを備え、前記開閉弁は、液体を通す弁室内流路と、前記弁室内流路に各々連通する第１流路および第２流路と、前記弁室内流路と前記第２流路との境界となる開口の周りを取り囲み、前記弁室内流路に設けられた弁座部および、前記第２流路の周りを取り囲み、前記弁座部側に設けられた強磁性体部または磁石部を有する弁座ブロックと、前記弁室内流路内に設けられ、前記弁座部に接触するための弁体および、前記弁体側に設けられた弁体側電磁石部を有する可動部と、前記弁体側電磁石部に第１方向の電流を供給し、前記強磁性体部または前記磁石部に前記弁体側電磁石部を引き付けることで、前記弁座部に前記弁体を近づけさせて前記弁座部に前記弁体を押し付ける電流供給回路と、を備えていることを特徴とするものである。

　本発明に係る基板処理装置によれば、弁体側には弁体側電磁石部が設けられ、弁座部側には強磁性体部または磁石部が設けられている。電流供給回路が弁体側電磁石部に第１方向の電流を供給すると、弁体側電磁石部は磁界を生成する。そのため、弁体側電磁石部は、強磁性体部または磁石部に引き付けられる。すなわち、弁体と弁座部には、磁界による引き付け合う力が働く。これにより、弁座部に弁体が近づけられ、弁座部に弁体が押し付けられる。仮に弁体が弁座部に片当たりしても、引き付け合う力によって、片当たりしていない弁体部分にも弁座部に接触しようとする力が働く。すなわち、弁座部の周方向に均一に弁体を弁座部に押し付けることができる。これにより、弁体と弁座部との接触を確実にすることができ、リーク発生を防止することができる。

　また、本発明に係る基板処理装置は、液体を吐出するノズルと、前記ノズルに液体を送るポンプと、前記ノズルと前記ポンプの間で液体を通す配管と、前記配管に設けられ、前記ノズルへの液体の供給とその供給停止を選択できる開閉弁とを備え、前記開閉弁は、液体を通す弁室内流路と、前記弁室内流路に各々連通する第１流路および第２流路と、前記弁室内流路と前記第２流路との境界となる開口の周りを取り囲み、前記弁室内流路に設けられた弁座部および、前記第２流路の周りを取り囲み、前記弁座部側に設けられた弁座部側電磁石部を有する弁座ブロックと、前記弁室内流路内に設けられ、前記弁座部に接触するための弁体および、前記弁体側に設けられた強磁性体部または磁石部を有する可動部と、前記弁座部側電磁石部に第１方向の電流を供給し、前記強磁性体部または前記磁石部に前記弁座部側電磁石部を引き付けることで、前記弁座部に前記弁体を近づけさせて前記弁座部に前記弁体を押し付ける電流供給回路と、を備えていることを特徴とするものである。

　本発明に係る基板処理装置によれば、弁体側には強磁性体部または磁石部が設けられ、弁座部側には弁座部側電磁石部が設けられている。電流供給回路が弁座部側電磁石部に第１方向の電流を供給すると、弁座部側電磁石部は磁界を生成する。そのため、弁座部側電磁石部は、強磁性体部または磁石部を引き付ける。すなわち、弁体と弁座部には、磁界による引き付け合う力が働く。これにより、弁座部に弁体が近づけられ、弁座部に弁体が押し付けられる。仮に弁体が弁座部に片当たりしても、引き付け合う力によって、片当たりしていない弁体部分にも弁座部に接触しようとする力が働く。すなわち、弁座部の周方向に均一に弁体を弁座部に押し付けることができる。これにより、弁体と弁座部との接触を確実にすることができ、リーク発生を防止することができる。

　本発明に係る開閉弁およびこの開閉弁を備えた基板処理装置によれば、弁体と弁座部の接触部分におけるリーク発生を防止することができる。

実施例１に係る基板処理装置の概略構成図である。（ａ）は、実施例１に係る開状態の開閉弁を示す縦断面図であり、（ｂ）は、弁体から見た弁座ブロックを示す平面図である。実施例１に係る閉状態の開閉弁を示す縦断面図である。（ａ）は、実施例２に係る開状態の開閉弁を示す縦断面図であり、（ｂ）は、実施例２に係る閉状態の開閉弁の一部を示す縦断面図である。（ａ）は、実施例３に係る開状態の開閉弁を示す縦断面図であり、（ｂ）は、実施例３に係る閉状態の開閉弁の一部を示す縦断面図である。（ａ）は、実施例４に係る開状態の開閉弁を示す縦断面図であり、（ｂ）は、実施例４に係る閉状態の開閉弁の一部を示す縦断面図である。（ａ）は、実施例５に係る開状態の開閉弁を示す縦断面図であり、（ｂ）は、実施例５に係る閉状態の開閉弁の一部を示す縦断面図である。（ａ）は、変形例に係る開閉弁の動作を説明するための縦断面図であり、（ｂ）は、他の変形例に係る開閉弁の一部を示す縦断面図である。他の変形例に係る開閉弁を示す縦断面図である。（ａ）～（ｃ）は、弁体とダイアフラムの変形例を示す図である。（ａ）は、弁体側電磁石部の鉄心の変形例を示す縦断面図であり、（ｂ）は、弁座部側電磁石部の中空鉄心の変形例を示す縦断面図である。電動モータで駆動する従来の開閉弁を示す縦断面図である。（ａ）は、従来の電磁弁の閉状態を示す縦断面図であり、（ｂ）は、従来の電磁弁の開状態を示す縦断面図である。

　以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、基板処理装置の概略構成図である。図２（ａ）は、開状態の開閉弁９を示す縦断面図である。図２（ｂ）は、弁体４１から見た弁座ブロック３１を示す平面図である。図３は、閉状態の開閉弁９を示す縦断面図である。

　＜基板処理装置１の構成＞
　図１を参照する。基板処理装置１は、略水平姿勢で基板Ｗを保持して、保持した基板Ｗを回転させる保持回転部２を備えている。保持回転部２は、例えば真空吸着により基板Ｗの裏面を保持するスピンチャック３と、鉛直方向の回転軸ＡＸ１周りにスピンチャック３を回転させる回転駆動部４とを備えている。回転駆動部４は、電動モータを備えている。

　また、基板処理装置１は、ノズル５、処理液供給源６、処理液配管７、ポンプＰ、開閉弁９および制御部１０を備えている。

　ノズル５は、保持回転部２で保持された基板Ｗ上に処理液を吐出するものである。処理液は、例えば、フォトレジスト液または反射防止膜形成用の液などの塗布液、シンナー等の溶剤、純水（例えばＤＩＷ）、現像液、エッチング液が用いられる。処理液供給源６は、例えば、処理液を収容するタンクやボトルで構成される。処理液配管７は、ノズル５と処理液供給源６との間で処理液を通すものである。なお、処理液は、本発明の液体に相当する。

　処理液配管７には、ポンプＰと開閉弁９が設けられている。なお、処理液配管７には、フィルタその他の構成が設けられていてもよい。ポンプＰは、処理液供給源６から処理液を吸引して、吸引した処理液をノズル５方向に送り出すものである。開閉弁９は、処理液の供給およびその供給の停止を行う。電流供給回路１１は、開閉弁本体９Ａに電流（電力）を供給するものである。電流供給回路１１には、図示しない電源から電力が供給される。

　制御部１０は、１つ以上の中央演算処理装置（ＣＰＵ）を備えている。制御部１０は、開閉弁９を含む基板処理装置１の各構成を制御する。また、制御部１０は、図示しない記憶部に記憶された例えば各種条件やプログラムに基づいて基板処理を実行する。なお、記憶部は、例えば、ＲＯＭ（Read-only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスクの少なくともいずれか１つを備えている。

　＜開閉弁９の構成＞
　次に、図２（ａ）、図２（ｂ）、図３を参照して、本発明の特徴部分である開閉弁９を説明する。開閉弁９は、流路ブロック２１（ボディとも言う）とハウジング２２とを備えている。流路ブロック２１は、弁室内流路２３、上流側流路２５および下流側流路２７を備えている。弁室内流路２３、上流側流路２５および下流側流路２７は各々、処理液を通すものである。上流側流路２５および下流側流路２７は各々、弁室内流路２３に連通する。

　なお、上流側流路２５が本発明の第１流路に相当する。下流側流路２７が本発明の第２流路に相当する。

　また、流路ブロック２１は、弁座ブロック３１を備えている。弁座ブロック３１は、弁座部３５と永久磁石部３６を備えている。弁座部３５は、弁室内流路２３と下流側流路２７との境界となる開口３７の周りを取り囲んでいる。弁座部３５は、弁室内流路２３内に設けられている。また、弁座部３５は、開口３７の半径方向に延びるようにリング状に形成されている。図２（ｂ）は、弁体４１から見た弁座ブロック３１を示す平面図である。

　永久磁石部３６は、下流側流路２７の周りを取り囲み、弁座部３５側に設けられている。永久磁石は、例えばフェライト磁石またはネオジム磁石が用いられる。ここで、弁座部３５と永久磁石部３６の関係を説明する。永久磁石部３６の全ての面は、例えば、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン：perfluoroalkoxyalkane）のカバー３８で覆われている。カバー３８は、所望の厚みで形成されたシートまたは膜で構成されている。弁座部３５は、カバー３８の一部である。すなわち、カバー３８の内、後述する弁体４１および電磁石部４５に対向する平面部分が弁座部３５となる。永久磁石部３６は、弁座部３５に隣接する。

　永久磁石部３６は、例えば、図２（ａ）の上側（弁座部３５側）がＮ極、図２（ａ）の下側（弁座部３５の反対側）がＳ極になるように、構成されている。なお、その逆の配置となるように、永久磁石部３６が構成されていてもよい。すなわち、上側がＳ極、かつ下側がＮ極になるように、永久磁石部３６が構成されてもよい。

　可動部３３は、弁室内流路２３およびハウジング２２に跨がって配置される。可動部３３は、弁体４１、弁体側電磁石部４３、弁棒４５およびダイアフラム４６を備えている。弁体４１は、弁室内流路２３内に設けられている。弁体４１は、弁座部３５に接触するためのものである。すなわち、弁体４１は、弁座部３５に接触して開口３７を塞ぐものである。これにより、上流側流路２５から下流側流路２７への処理液の流れを止めることができる。

　弁体４１と弁体側電磁石部４３の位置関係を説明する。図２（ａ）に示すように、弁体４１は、弁座部３５を挟んで永久磁石部３６の反対側に設けられている。弁体側電磁石部４３は、弁体４１を挟んで弁座部３５の反対側に設けられている。すなわち、弁体４１および弁座部３５は、弁体側電磁石部４３と永久磁石部３６との間に挟まれて配置されている。

　ここで、弁体４１と弁体側電磁石部４３の関係を説明する。弁体側電磁石部４３の全ての面は、例えばＰＦＡのカバー４７で覆われている。カバー４７は、所望の厚みで形成されたシートまたは膜で構成されている。弁体４１は、カバー４７の一部である。すなわち、カバー４７の内、弁座部３５および永久磁石部３６に対向する平面部分が弁体４１となる。弁体側電磁石部４３は、弁体４１と隣接する。弁棒４５は、カバー４７で覆われた弁体側電磁石部４３と連結する。ハウジング２２には、弁棒４５を案内するためのガイド孔４８が設けられている。

　ガイド孔４８には、弁棒４５が収容される。弁棒４５とガイド孔４８との間には、隙間（遊び）４９が形成されている。これにより、図２（ａ）に示す縦方向の軸ＡＸ２（または移動方向）に対して弁棒４５（可動部３３）を僅かに傾けることができる。すなわち、弁棒４５（可動部３３）は、弁体４１をぐらつかせるために隙間を有してガイドされている。なお、軸ＡＸ２は、開口３７または永久磁石部３６の中心軸と平行でかつ開口３７または永久磁石部３６の中心軸を通過する。また、軸ＡＸ２は、図２（ａ）に示す弁座部３５の上面と直交する。

　ダイアフラム４６は、本実施例では、弁室内流路２３と弁棒４５側の空間ＳＰとを仕切るために用いられる。ダイアフラム４６の外周縁は、弁室内流路２３内の側壁２１Ａに取り付けられる。一方、ダイアフラム４６の内周縁は、可動部３３に取り付けられている。なお、図２（ａ）では、ダイアフラム４６の内周縁は、カバー４７と弁棒４５との間に取り付けられている。ダイアフラム４６は、柔軟な材料で形成されており、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン：polytetrafluoroethylene）またはＰＦＡなどのフッ素樹脂で形成されている。

　ハウジング２２には、弁体側電磁石部４３の上昇を受け止めるためのストッパ５０が設けられている。例えば、図２に示すガイド孔４８の端面を含む所定の部分がストッパ５０として構成される。

　弁体側電磁石部４３は、ボビン５１と、ボビン５１に電線を巻き付けて形成されたコイル５３と、ボビン５１の中空部５１Ａに通された鉄心５５とを備えている。ボビン５１、コイル５３および鉄心５５は、例えばＰＴＦＥなどのフッ素樹脂またはその他樹脂で覆われている。この場合、コイル５３への電流供給経路は確保される。

　コイル５３には、電流供給回路１１から電流が供給されるように構成されている。電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３に第１方向の電流を供給する。第１方向とは、例えば、コイル５３に巻き付けられた電線の両端のうち第１端部を正、かつ第２端部を負として電流を流したときの方向をいう。第１方向と逆方向の第２方向とは、例えば、コイル５３に巻き付けられた電線の両端のうち第１端部を負、かつ第２端部を正として電流を流したときの方向をいう。なお、第１方向は、第１端部を負、かつ第２端部を正として流したときの方向であってもよい。

　電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３に第１方向の電流を供給し、永久磁石部３６に弁体側電磁石部４３を引き付けることで、弁座部３５に弁体４１を近づけさせて弁座部３５に弁体４１を押し付ける（図３参照）。また、電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３に第１方向と逆方向の第２方向の電流を供給し、永久磁石部３６から弁体側電磁石部４３を反発させることで、弁座部３５から弁体４１を離れさせる（図２（ａ）参照）。

　＜基板処理装置１および開閉弁９の動作＞
　次に、基板処理装置１および開閉弁９の動作を説明する。図示しない搬送機構は、図１に示す保持回転部２上に基板Ｗを搬送する。スピンチャック３は、基板Ｗの裏面を吸着して基板Ｗを保持する。回転駆動部４は、スピンチャック３を回転軸ＡＸ１周りに回転させる。これにより、予め設定されたタイミング、回転速度および期間で、スピンチャック３に保持された基板Ｗは回転される。図示しないノズル移動機構は、基板Ｗの中心の上方にノズル５を移動させる。

　〔ステップＳ０１〕開閉弁９（閉状態）
　この時点では、開閉弁９は閉じられており、ノズル５から処理液が吐出されていない。図３に示すように、弁体４１は弁座部３５に押し当てられており、上流側流路２５と下流側流路２７との間の処理液の流れが停止している。この際、電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３に第１方向の電流を供給している。そのため、弁体側電磁石部４３の弁体４１側がＳ極となっており、弁体側電磁石部４３と永久磁石部３６は、互いに引き付け合っている。

　〔ステップＳ０２〕開閉弁９を開状態にする
　ノズル５から処理液を吐出するために、電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３に第１方向と逆方向である第２方向に電流を供給する。これにより、図２（ａ）に示すように、弁体側電磁石部４３の弁体４１側（下側）がＮ極となり、弁体側電磁石部４３と永久磁石部３６は、互いに反発する。そのため、弁体４１が弁座部３５から離れる。その後、弁体側電磁石部４３と連結する弁棒４５の裏面４５Ａがストッパ５０に接触し、弁体４１と弁座部３５との間が所定の距離に保たれた状態で、弁体側電磁石部４３がストッパ５０側に位置する。

　これにより、上流側流路２５と下流側流路２７との間で処理液を流すことができる。すなわち、ポンプＰは、処理液供給源６から処理液を吸引し、開閉弁９の方向に処理液を送り出す。開閉弁９において、上流側流路２５に送られた処理液は、順番に、弁室内流路２３、下流側流路２７に送られる。開閉弁９を通過した処理液は、ノズル５に送られ、ノズル５から基板Ｗ上に処理液が吐出される。

　〔ステップＳ０３〕開閉弁９を閉状態にする
　ノズル５から処理液を吐出し、予め設定された時間が経過した後に、ノズル５からの処理液の吐出を停止する。この動作を説明する。電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３に第１方向の電流を供給する。これにより、図３に示すように、弁体側電磁石部４３の弁体４１側（下側）がＳ極となり、弁体側電磁石部４３と永久磁石部３６は、互いに引き付け合う。そのため、弁座部３５に弁体４１が近づけられて弁座部３５に弁体４１が押し付けられる。弁体４１と弁座部３５は、弁体側電磁石部４３と永久磁石部３６によって挟まれている。そのため、弁体側電磁石部４３および永久磁石部３６で生じた磁界（または磁力）は、弁座部３５および開口３７の周方向に均一に、弁体４１を弁座部３５に押し付けようとする。そのため、弁体４１と弁座部３５の接触を確実にすることができる。

　また、弁座部３５に弁体４１を押し付ける際に、弁体４１と弁座部３５の間の接触は、平面同士で行われる。弁体４１および弁座部３５の接触面が共に平面である。そのため、接触時の衝撃力（単位面積当たり）および弁座部に弁体を押し付ける力（単位面積当たり）を分散させることができるので、パーティクルの発生を抑えることができる。

　また、弁体４１と弁座部３５は共に、ＰＦＡで形成されている。弁体４１または弁座部３５が例えばＰＴＦＥで形成されていると、それらを接触させることでパーティクルが発生する可能性がある。ＰＦＡは、接触によるパーティクルが発生しにくい材料である。そのため、ＰＦＡで共に形成された弁体４１と弁座部３５を接触させたときに、パーティクルの発生を抑えることができる。

　弁体４１を弁座部３５に押し付けると、上流側流路２５と下流側流路２７の間の処理液の流通が停止する。これにより、ノズル５からの処理液の吐出が停止される。ノズル５は、基板Ｗの上方の位置から待機位置に移動される。基板Ｗが回転している場合、基板Ｗの回転は停止される。その後、スピンチャック３は、基板Ｗの裏面の吸着を解除し、図示しない搬送機構は、スピンチャック３（保持回転部２）上から基板Ｗを搬送する。

　本実施例によれば、弁体４１側には弁体側電磁石部４３が設けられ、弁座部３５側には永久磁石部３６が設けられている。電流供給回路１１が弁体側電磁石部４３に第１方向の電流を供給すると、弁体側電磁石部４３は磁界を生成する。そのため、弁体側電磁石部４３は、永久磁石部３６に引き付けられる。すなわち、弁体４１と弁座部３５には、磁界による引き付け合う力が働く。これにより、弁座部３５に弁体４１が近づけられ、弁座部３５に弁体４１が押し付けられる。仮に弁体４１が弁座部３５に片当たりしても、引き付け合う力によって、片当たりしていない弁体４１部分にも弁座部３５に接触しようとする力が働く。すなわち、弁座部３５の周方向に均一に弁体４１を弁座部３５に押し付けることができる。これにより、弁体４１と弁座部３５との接触を確実にすることができ、リーク発生を防止することができる。

　また、図１２に示す開閉弁を駆動させる電動モータ１０９は、比較的発熱し易く、発熱によって生じた熱は、電動モータ１０９の出力からダイアフラム１０６に伝わって、開閉弁９を通過する処理液に影響を与える可能性がある。弁体４１を含む可動部３３は、弁体側電磁石部４３よって移動されるが、電磁石は、電動モータ１０９に比べて発熱が抑えられる。そのため、本発明は、発熱によって処理液に与える影響を抑えることができる。

　なお、図１２に示す電動モータで駆動される開閉弁および図１３に示す電磁弁２０１は、可動鉄心２０３（可動部材）の一端で駆動して、可動鉄心２０３の他端で弁座２０８に接触および接触解除を行っている。そのため、可動鉄心２０３を弁座２０８に片当たりさせないために、厳密な組み立て精度を必要とする。しかしながら、弁体４１側には、弁体側電磁石部４３が設けられ、弁座部３５側には、永久磁石部３６が設けられている。これにより、弁体４１と弁座部３５との接触を確実にすることができるので、本発明は、厳密な組み立て精度を必要としなくてもよい。そのため、組み立てを容易に行うことができる。

　また、電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３に第１方向と逆方向の第２方向の電流を供給し、永久磁石部３６から弁体側電磁石部４３を反発させることで、弁座部３５から弁体４１を離れさせる。これにより、弁体側電磁石部４３により生成された磁界によって、弁座部３５に弁体４１を近づけて弁座部３５に弁体４１を押し付けことができると共に、弁座部３５から弁体４１を離すことができる。

　また、弁座ブロック３１が永久磁石部３６を備えている。例えば、弁座部３５側の永久磁石部３６が電磁石である場合、弁体側電磁石部４３および弁座部側電磁石部の両方で磁界を発生させることできる。しかしながら、弁体４１側に加えて弁座部３５側が電磁石であると、構造が複雑になる。また、弁体側電磁石部４３に加えて弁座部側電磁石部で発熱することになる。本実施例によれば、弁座ブロック３１は永久磁石部３６を備えているので、構成をシンプルにでき、また、弁座部側の永久磁石部３６は発熱しないので、発熱を抑えることができる。

　次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。図４（ａ）は、開状態の開閉弁９を示す縦断面図である。図４（ｂ）は、閉状態の開閉弁９の一部を示す縦断面図である。

　実施例１では、弁座ブロック３１は永久磁石部３６を備え、可動部３３は弁体側電磁石部４３を備えていた。この点、本実施例では、図４（ａ）に示すように、弁座ブロック３１は弁座部側電磁石部６１を備え、可動部３３は永久磁石部６３を備えている。

　図４（ａ）を参照する。本実施例の開閉弁９は、処理液を通す弁室内流路２３と、弁室内流路２３に各々連通する上流側流路２５および下流側流路２７とを備えている。また、開閉弁９は、弁座ブロック３１、可動部３３および電流供給回路１１を備えている。

　弁座ブロック３１は、弁座部３５と弁座部側電磁石部６１を備えている。弁座部３５は、弁室内流路２３と下流側流路２７との境界となる開口３７の周りを取り囲んでいる。弁座部３５は、弁室内流路２３内に設けられている。弁座部３５は、弁座部側電磁石部６１の全ての面を覆うカバー３８の一部である。弁座部側電磁石部６１は、下流側流路２７の周りを取り囲み、弁座部３５側に設けられている。弁座部側電磁石部６１は、弁座部３５に隣接する。

　弁座部側電磁石部６１は、中空部６５Ａに下流側流路２７を配置するボビン６５と、ボビン６５に電線を巻き付けて形成されたコイル６６と、ボビン６５の中空部６５Ａに通された中空鉄心６７とを備えている。中空鉄心６７は円筒状で形成されており、中空鉄心６７の中心軸部分の中空部には、下流側流路２７が配置される。ボビン６５、コイル６６および中空鉄心６７は、例えばＰＴＦＥなどのフッ素樹脂またはその他樹脂で覆われている。この場合も、コイル６６への電流供給経路は確保される。

　可動部３３は、弁体４１と永久磁石部６３を備えている。弁体４１は、カバー４７の一部で構成されている。永久磁石部６３は、弁体４１側に設けられている。また、永久磁石部６３は、弁体４１に隣接する。

　永久磁石部６３は、例えば、図４（ａ）の上側（弁体４１の反対側）がＳ極、図４（ａ）の下側（弁体４１側）がＮ極になるように、構成されている。電流供給回路１１は、弁座部側電磁石部６１に第１方向および、第１方向と逆方向である第２方向の電流を選択的に供給する。

　＜開閉弁９を閉状態にする動作＞
　図４（ａ）において、開閉弁９は開状態である。開閉弁９を閉状態にするために、電流供給回路１１は、弁座部側電磁石部６１に第１方向の電流を供給する。これにより、図４（ｂ）に示すように、弁座部側電磁石部６１の上側（弁座部３５側）がＳ極となり、下側（弁座部３５の反対側）がＮ極となる。そのため、永久磁石部６３と弁座部側電磁石部６１は、互いに引き付け合う。これにより、弁座部３５に弁体４１を近づけさせて弁座部３５に弁体４１を押し付ける。そのため、上流側流路２５と下流側流路２７との間における処理液の流通が停止される。

　＜開閉弁９を開状態にする動作＞
　図４（ｂ）において、開閉弁９は閉状態である。開閉弁９を開状態にするために、電流供給回路１１は、弁座部側電磁石部６１に第２方向の電流を供給する。これにより、図４（ａ）に示すように、弁座部側電磁石部６１の上側（弁座部３５側）がＮ極となり、下側（弁座部３５の反対側）がＳ極となる。そのため、永久磁石部６３と弁座部側電磁石部６１は、互いに反発し合う。これにより、弁座部３５から弁体４１を離れさせる。そのため、上流側流路２５と下流側流路２７との間において、処理液が流通される。

　本実施例によれば、弁体４１側には永久磁石部６３が設けられ、弁座部３５側には弁座部側電磁石部６１が設けられている。電流供給回路１１が弁座部側電磁石部６１に第１方向の電流を供給すると、弁座部側電磁石部６１は磁界を生成する。そのため、弁座部側電磁石部６１は、永久磁石部６３を引き付ける。すなわち、弁体４１と弁座部３５には、磁界による引き付け合う力が働く。これにより、弁座部３５に弁体４１が近づけられ、弁座部３５に弁体４１が押し付けられる。仮に弁体４１が弁座部３５に片当たりしても、引き付け合う力によって、片当たりしていない弁体４１部分にも弁座部３５に接触しようとする力が働く。すなわち、弁座部３５の周方向に均一に弁体４１を弁座部３５に押し付けることができる。これにより、弁体４１と弁座部３５との接触を確実にすることができ、リーク発生を防止することができる。

　次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１，２と重複する説明は省略する。図５（ａ）は、開状態の開閉弁９を示す縦断面図である。図５（ｂ）は、閉状態の開閉弁９の一部を示す縦断面図である。

　上述した実施例１では、図２（ａ）に示すように、弁座ブロック３１は、永久磁石部３６を備えていた。この点、永久磁石部３６に代えて、弁座ブロック３１は、強磁性体部７１を備えていてもよい。

　図５（ａ）において、弁座ブロック３１は、弁座部３５と強磁性体部７１を備えている。強磁性体部７１は、下流側流路２７の周りを取り囲み、弁座部３５側に設けられている。強磁性体部７１は、鉄、ニッケルおよびコバルトの少なくとも１つを含んで構成されている。強磁性体部７１は、合金または酸化物であってもよい。強磁性体部７１は、永久磁石でないものであるが、永久磁石であってもよい。

　可動部３３は、実施例１と同様に、弁体４１と弁体側電磁石部４３を備えている。本変形例においては、可動部３３は、ばね部材７３が取り付けられている。ばね部材７３は、例えば、可動部３３を吊り下げるように、ハウジング２２の弁座部３５に対向する面２２Ａに取り付けられている。なお、図５（ａ）において、可動部３３を吊り下げるために、２つのばね部材７３が設けられているが、１つまたは３以上のばね部材７３が設けられていてもよい。

　電流供給回路１１は、第１方向（または第２方向）の電流を弁体側電磁石部４３に供給するものである。電流供給回路１１が弁体側電磁石部４３に電流を供給していないときに（弁体側電磁石部４３が磁界を生成していないときに）、ばね部材７３は可動部３３をストッパ５０に押し付ける。電流供給回路１１が弁体側電磁石部４３に電流を供給すると、弁体側電磁石部４３は磁界を生成し、生成された磁界は、ばね部材７３の復元力に反しながら、弁体４１を含む可動部３３を弁座部３５に近づける方向に移動させる。電流供給回路１１が弁体側電磁石部４３に供給していた電流を停止させると、弁体側電磁石部４３は磁界を生成しなくなり、ばね部材７３の反発力によって、弁体４１を含む可動部３３が弁座部３５から遠ざける方向に移動させる。

　＜開閉弁９を閉状態にする動作＞
　図５（ａ）において、開閉弁９は開状態である。開閉弁９を閉状態にするために、電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３に第１方向の電流を供給する。これにより、図５（ｂ）に示すように、弁体側電磁石部４３の下側（弁体４１側）がＳ極（またはＮ極）となる。そのため、弁体側電磁石部４３が強磁性体部７１に引き付けられる。これにより、ばね部材７３にエネルギを蓄積させつつ（すなわち、ばね部材７３の復元力に抵抗しつつ）弁座部３５に弁体４１を近づけさせて弁座部３５に弁体４１を押し付ける。そのため、上流側流路２５と下流側流路２７との間における処理液の流通が停止される。

　＜開閉弁９を開状態にする動作＞
　図５（ｂ）において、開閉弁９は閉状態である。開閉弁を開状態にするために、電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３への第１方向の電流の供給を停止する。これにより、図５（ａ）に示すように、弁体側電磁石部４３が磁界を生成しなくなり、ばね部材７３に蓄積されたエネルギ（すなわち復元力）によって弁座部３５から弁体４１を離れされる。そのため、上流側流路２５と下流側流路２７との間において、処理液が流れる。また、ばね部材７３は可動部３３をストッパ５０に押し付けるので、開状態の弁体４１の位置を安定させることができる。

　本実施例によれば、弁体側電磁石部４３により生成される磁界とばね部材７３に蓄積されるエネルギとによって、弁座部３５に弁体４１を近づけて弁座部３５に弁体４１を押し付けことができると共に、弁座部３５から弁体４１を離すことができる。

　次に、図面を参照して本発明の実施例４を説明する。なお、実施例１から３と重複する説明は省略する。図６（ａ）は、開状態の開閉弁９を示す縦断面図である。図６（ｂ）は、閉状態の開閉弁９の一部を示す縦断面図である。

　上述した実施例２では、図４（ａ）に示すように、可動部３３は、永久磁石部６３を備えていた。この点、永久磁石部６３に代えて、可動部３３は、強磁性体部７５を備えていてもよい。

　図６（ａ）において、可動部３３は、弁体４１と強磁性体部７５を備えている。強磁性体部７５は、弁体４１側に設けられている。弁体４１および弁座部３５は、強磁性体部７５と弁座部側電磁石部６１との間に挟まれて配置されている。強磁性体部７５は、実施例３の強磁性体部７１と同様に、鉄などで構成されている。強磁性体部７５は、永久磁石でないものであるが、永久磁石であってもよい。

　可動部３３は、実施例３と同様に、ばね部材７３が取り付けられている。電流供給回路１１は、第１方向（または第２方向）の電流を弁座部側電磁石部６１に供給するものである。電流供給回路１１が弁座部側電磁石部６１に電流を供給すると、弁座部側電磁石部６１は磁界を生成し、生成された磁界は、ばね部材７３の復元力に反しながら、弁体４１を含む可動部３３を弁座部３５に近づける方向に移動させる。また、電流供給回路１１が弁座部側電磁石部６１への電流の供給を停止すると、弁座部側電磁石部６１は磁界を生成しなくなり、ばね部材７３の反発力は、弁体４１を含む可動部３３を弁座部３５から遠ざける方向に移動させる。

　＜開閉弁９を閉状態にする動作＞
　図６（ａ）において、開閉弁９は開状態である。開閉弁９を閉状態にするために、電流供給回路１１は、弁座部側電磁石部６１に第１方向の電流を供給する。これにより、図６（ｂ）に示すように、弁座部側電磁石部６１の上側（弁座部３５側）がＳ極（またはＮ極）となる。そのため、弁座部側電磁石部６１に強磁性体部７５を引き付ける。これにより、ばね部材７３にエネルギを蓄積させつつ弁座部３５に弁体４１を近づけさせて弁座部３５に弁体４１を押し付ける。そのため、上流側流路２５と下流側流路２７との間における処理液の流通が停止される。

　＜開閉弁９を開状態にする動作＞
　図６（ｂ）において、開閉弁９は閉状態である。開閉弁９を開状態にするために、電流供給回路１１は、弁座部側電磁石部６１への第１方向の電流の供給を停止する。これにより、図６（ａ）に示すように、弁座部側電磁石部６１が磁界を生じさせなくなり、ばね部材７３に蓄積されたエネルギによって弁座部３５から弁体４１が離れる。そのため、上流側流路２５と下流側流路２７との間において処理液が流れる。また、ばね部材７３は可動部３３をストッパ５０に押し付けるので、開状態の弁体４１の位置を安定させることができる。

　本実施例によれば、弁座部側電磁石部６１により生成される磁界とばね部材７３に蓄積されるエネルギとによって、弁座部３５に弁体４１を近づけて弁座部３５に弁体４１を押し付けことができると共に、弁座部３５から弁体４１を離すことができる。

　次に、図面を参照して本発明の実施例５を説明する。なお、実施例１，２と重複する説明は省略する。図７（ａ）は、開状態の開閉弁９を示す縦断面図である。図７（ｂ）は、閉状態の開閉弁９の一部を示す縦断面図である。

　上述した実施例１，２では、図２（ａ）、図４（ａ）に示すように、弁座ブロック３１および可動部３３の一方が電磁石部を備え、それらの他方が永久磁石部を備えていた。この点、弁座ブロック３１および可動部３３は共に、電磁石部を備えていてもよい。

　図７（ａ）において、弁座ブロック３１は、実施例２と同様に、弁座部３５と弁座部側電磁石部６１を備えている。また、可動部３３は、実施例１と同様に、弁体４１と弁体側電磁石部４３を備えている。

　電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３および弁座部側電磁石部６１に電流を供給する。弁体側電磁石部４３および弁座部側電磁石部６１への電流の供給量は各々、調整される。電流供給回路１１は、２つの電磁石部４３，６１に電流を供給する動作をするために、例えば、弁体側電磁石部４３および弁座部側電磁石部６１のいずれか一方を永久磁石のように使用する。

　すなわち、電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３に予め設定された方向（第１方向または第２方向）の電流を供給する。これにより、例えば、図７（ａ）の上側（弁体４１側）がＳ極、図７（ａ）の下側（弁体４１の反対側）がＮ極になるように、弁体側電磁石部４３は磁界を生成する。

　これに対し、電流供給回路１１は、弁座部側電磁石部６１に第１方向の電流を供給する。これにより、図７（ｂ）に示すように、弁座部側電磁石部６１の上側（弁座部３５側）がＳ極となり、下側（弁座部３５の反対側）がＮ極となる。そのため、弁体側電磁石部４３と弁座部側電磁石部６１は、互いに引き付け合う。

　また、電流供給回路１１は、弁座部側電磁石部６１に第２方向の電流を供給する。これにより、図７（ａ）に示すように、弁座部側電磁石部６１の上側（弁座部３５側）がＮ極となり、下側（弁座部３５の反対側）がＳ極となる。そのため、弁体側電磁石部４３と弁座部側電磁石部６１は、互いに反発し合う。

　この電流供給回路１１の動作は、弁体側電磁石部４３を永久磁石として使用した場合を説明したものである。弁座部側電磁石部６１を永久磁石として使用した場合の電流供給回路１１の動作も同様に行われる。

　本実施例によれば、弁体側電磁石部４３および弁座部側電磁石部６１の両方で磁界を発生させることできる。また、弁体側電磁石部４３および弁座部側電磁石部６１の各々で発生させる磁界の強さを調整することができる。更に、弁体側電磁石部４３および弁座部側電磁石部６１の各々で生成された磁界によって、弁座部３５に弁体４１を近づけて弁座部３５に弁体４１を押し付けことができると共に、弁座部３５から弁体４１を離すことができる。

　本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

　（１）上述した実施例１，２，５では、開閉弁９が開状態のときに、可動部３３をストッパ５０に押し当てており、弁体４１と弁座部３５との間の隙間（開度）は、一定であった。この点、弁体側電磁石部４３および弁座部側電磁石部６１の少なくとも一方に供給する電流量を調整することで、弁体４１と弁座部３５の間の隙間を調整するようにしてもよい。

　例えば、電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３に第２方向の電流を供給する際に、弁体側電磁石部４３に供給する電流量を調整することで、弁座部３５と弁体４１の間の隙間を調整する。これにより、開閉弁９が開状態のときの、上流側流路２５と下流側流路２７の間に流れる処理液の流量を調整することができる。ここで、第２方向の電流とは、図８（ａ）の開閉弁９において、弁体側電磁石部４３と永久磁石部３６を互いに反発させるための方向の電流である。

　例えば、図８（ａ）のように、弁体側電磁石部４３と永久磁石部３６を反発させて、可動部３３をストッパ５０に押し当てているときに、弁体４１と弁座部３５の間の隙間が距離Ｄ１であり、弁体側電磁石部４３に供給される電流量が電流量ＣＡ１（絶対値）であるとする。弁体４１と弁座部３５の間の隙間を、距離Ｄ１よりも狭い距離Ｄ２にする場合（Ｄ１＞Ｄ２）、電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３に供給する電流量を、電流量ＣＡ１よりも少ない電流量ＣＡ２（絶対値）に調整する（ＣＡ１＞ＣＡ２）。

　なお、図７（ａ）のように、開閉弁９が弁体側電磁石部４３と弁座部側電磁石部６１とを備える場合は、弁体側電磁石部４３と弁座部側電磁石部６１の少なくとも一方に供給する電流量を調節することで、弁体４１と弁座部３５の間の隙間を調整するようにしてもよい。

　また、図８（ａ）において、弁室内流路２３内の処理液が弁体４１と弁座部３５の間を通過して下流側流路２７に流れる際に、弁体４１と弁座部３５の間を押し広げる可能性がある。これを抑えるために、例えば、図８（ｂ）のように、可動部３３の上昇を抑えるための上昇抑え部７６を設けてもよい。上昇抑え部７６は、接触部７７とばね部材７８を備えている。ばね部材７８は、ハウジング２２と接触部７７に接続されており、可動部３３には接続されていない。そのため、上昇抑え部７６は、弁体４１と弁座部３５とが接触しているときには、機能せず、弁座部３５から弁体４１を離した際に機能させる。上昇抑え部７６は、弁体４１と弁座部３５の間を押し広げる力を抑え、弁体４１と弁座部３５との間の隙間の変動を抑えることができる。

　また、図８（ｂ）の上昇抑え部７６に代えて、図９に示す、可動部３３に接触させるネジ７９によって、弁体４１と弁座部３５の間の隙間を変化させてもよい。すなわち、ネジ７９は、ハウジング２２に設けられたネジ穴８０に通されており、ネジ７９のねじ山とネジ穴８０のねじ山とが噛み合わされる。ネジ７９の一端にはつまみ７９Ａが設けられ、他端が弁棒４５（可動部３３）と接触する接触面７９Ｂが設けられている。ネジ７９を回すと、ネジ７９がネジ穴８０に対して上または下に移動する。すなわち、ネジ７９を回すと、接触面７９Ｂの高さ位置を変化させることができる。

　閉状態から開状態にする際に、電流供給回路１１は、弁体側電磁石部４３に第２方向の電流を供給し、弁体側電磁石部４３と永久磁石部３６とを互いに反発させる。これにより、弁座部３５から弁体４１を離れさせ、その後、弁棒４５の上面４５Ｂが、ネジ７９により高さ位置が調整された接触面７９Ｂに押し当てられる。ネジ７９の接触面７９Ｂに弁棒４５の上面４５Ｂが接触された高さ位置によって、弁体４１と弁座部３５の間の隙間が設定される。

　（２）上述した各実施例および変形例（１）では、ダイアフラム４６は、弁体４１と個別に設けられていた。この点、図１０（ａ）～図１０（ｃ）に示すように、ダイアフラム８１は、弁室内流路２３と空間ＳＰの間を仕切るだけでなく、弁体としても機能させてもよい。ダイアフラム８１の弁体部分を符号８３で表す。

　なお、図１０（ａ）では、ダイアフラム８１は、弁体側電磁石部４３の弁座部３５と対向する下面、および弁体側電磁石部４３の側面に接合されている。また、図１０（ｂ）では、ダイアフラム８１は、弁体側電磁石部４３の側面に接合されずに、弁体側電磁石部４３の弁座部３５と対向する下面に接合されている。また、図１０（ｃ）では、ダイアフラム８１の弁体８３の部分が弁体８３以外の部分の厚みよりも厚く構成されていてもよい。図１０（ａ）～図１０（ｃ）において、ダイアフラム８１は、弁体側電磁石部４３と接合されるが、開閉弁９の構成に応じて、永久磁石部３６または強磁性体部７５に交換してもよい。

　（３）上述した各実施例および各変形例では、弁体側電磁石部４３および弁座部側電磁石部６１の鉄心５５および中空鉄心６７は、軸方向に直径が同じとなるように構成されていた。この点、鉄心５５および中空鉄心６７は、図１１（ａ）、図１１（ｂ）のように、弁座部３５と対向する端部で、各ボビン５１，６５の内径ＩＤよりも大きい直径を有する対向部８５，８６が設けられてもよい。対向部８５，８６は、例えば、鉄心５５および中空鉄心６７と同じ鉄を含む材料で構成されている。図１１（ａ）は、弁体側電磁石部４３を示す図である。図１１（ｂ）は、弁座部側電磁石部６１を示す図である。なお、対向部８６は、リング状に形成されている。また、対向部８５，８６は各々、鉄心５５または中空鉄心６７の一部として設けられているが、鉄心５５および中空鉄心６７とそれぞれ個別に設けられていてもよい。

　（４）上述した各実施例および各変形例では、弁体４１と弁座部３５の間の接触を、平面同士で行っていた。この点、例えば、パーティクルの発生が殆どない場合は、図２（ａ）のような縦断面図において、弁体４１と弁座部３５のいずれか一方が点接触するように構成されていてもよい。

　（５）上述した各実施例および各変形例では、永久磁石部３６，６３は各々、１つの永久磁石で構成されていたが、例えば、リング状に配置された複数（例えば３つ以上）の永久磁石で構成されていてもよい。また、弁体側電磁石部４３および弁座部側電磁石部６１は各々、１つの電磁石で構成されていたが、例えば、リング状に配置された複数の電磁石で構成されていてもよい。さらに、強磁性体部７１，７５は各々、１つの強磁性体で構成されていたが、例えば、リング状に配置された複数の強磁性体で構成されていてもよい。

　（６）上述した各実施例および各変形例では、例えば図２（ａ）において、上流側流路２５から下流側流路２７に処理液を流していたが、下流側流路２７から上流側流路２５に処理液を流してもよい。

　（７）上述した各実施例および各変形例では、例えば図２（ａ）において、永久磁石部３６および弁体側電磁石部４３は各々、全面がカバー３８，４７で覆われていた。この点、永久磁石部３６および弁体側電磁石部４３は各々、弁座部３５または弁体４１に対応する部分だけカバー３８，４７で覆われていてもよい。また、弁座ブロック２１がＰＦＡで形成される場合、永久磁石部３６は、弁座ブロック２１に埋め込まれていてもよい。また、弁体側電磁石部４３のボビン５１、コイル５３および鉄心５５が、ＰＦＡに埋め込まれていてもよい。

　（８）上述した各実施例および各変形例では、例えば図２（ａ）において、永久磁石部３６は、弁座部３５の下側に設けられていたが、弁座部３５の側方に設けられていてもよい。また、弁体側電磁石部４３は、弁体４１の上側に設けられていたが、弁体４１の側方に設けられていてもよい。この場合、例えば、弁体側電磁石部４３は中空鉄心を備えていてもよい。

　１　　　　…　基板処理装置
　５　　　　…　ノズル
　Ｐ　　　　…　ポンプ
　９　　　　…　開閉弁
　１０　　　…　制御部
　１１　　　…　電流供給回路
　２３　　　…　弁室内流路
　２５　　　…　上流側流路
　２７　　　…　下流側流路
　３１　　　…　弁座ブロック
　３３　　　…　可動部
　３５　　　…　弁座部
　３６，６３　…　永久磁石部
　３７　　　…　開口
　４１，８３　…　弁体
　４３　　　…　弁体側電磁石部
　６１　　　…　弁座部側電磁石部
　７１，７５　…　強磁性体部
　７３　　　…　ばね部材

Claims

　液体を通す弁室内流路と、
　前記弁室内流路に各々連通する第１流路および第２流路と、
　前記弁室内流路と前記第２流路との境界となる開口の周りを取り囲み、前記弁室内流路に設けられた弁座部および、前記第２流路の周りを取り囲み、前記弁座部側に設けられた強磁性体部または磁石部を有する弁座ブロックと、
　前記弁室内流路内に設けられ、前記弁座部に接触するための弁体および、前記弁体側に設けられた弁体側電磁石部を有する可動部と、
　前記弁体側電磁石部に第１方向の電流を供給し、前記強磁性体部または前記磁石部に前記弁体側電磁石部を引き付けることで、前記弁座部に前記弁体を近づけさせて前記弁座部に前記弁体を押し付ける電流供給回路と、
　を備えていることを特徴とする開閉弁。
　請求項１に記載の開閉弁において、
　前記弁座ブロックは、前記磁石部を有し、
　前記電流供給回路は、前記弁体側電磁石部に第１方向の電流を供給し、前記磁石部に前記弁体側電磁石部を引き付けることで、前記弁座部に前記弁体を近づけて前記弁座部に前記弁体を押し付け、また、前記弁体側電磁石部に前記第１方向と逆方向の第２方向の電流を供給し、前記磁石部から前記弁体側電磁石部を反発させることで、前記弁座部から前記弁体を離れさせることを特徴とする開閉弁。
　請求項２に記載の開閉弁において、
　前記磁石部は、永久磁石部であることを特徴とする開閉弁。
　請求項２に記載の開閉弁において、
　前記磁石部は、弁座部側電磁石部であることを特徴とする開閉弁。
　請求項２から４のいずれかに記載の開閉弁において、
　前記電流供給回路は、前記弁体側電磁石部に前記第２方向の電流を供給する際に、前記弁体側電磁石部に供給する電流量を調整することで、前記弁座部と前記弁体の間の隙間を調整することを特徴とする開閉弁。
　請求項１に記載の開閉弁において、
　前記弁座ブロックは、前記強磁性体部を有し、
　前記可動部は、ばね部材が取り付けられており、
　前記電流供給回路は、前記弁体側電磁石部に第１方向の電流を供給し、前記磁石部に前記弁体側電磁石部を引き付けることで、前記ばね部材にエネルギを蓄積させつつ前記弁座部に前記弁体を近づけて、前記弁座部に前記弁体を押し付け、また、前記弁体側電磁石部に第１方向の電流の供給を停止することで、前記ばね部材に蓄積されたエネルギによって前記弁座部から前記弁体を離れさせることを特徴とする開閉弁。
　液体を通す弁室内流路と、
　前記弁室内流路に各々連通する第１流路および第２流路と、
　前記弁室内流路と前記第２流路との境界となる開口の周りを取り囲み、前記弁室内流路に設けられた弁座部および、前記第２流路の周りを取り囲み、前記弁座部側に設けられた弁座部側電磁石部を有する弁座ブロックと、
　前記弁室内流路内に設けられ、前記弁座部に接触するための弁体および、前記弁体側に設けられた強磁性体部または磁石部を有する可動部と、
　前記弁座部側電磁石部に第１方向の電流を供給し、前記弁座部側電磁石部に前記強磁性体部または前記磁石部を引き付けることで、前記弁座部に前記弁体を近づけさせて前記弁座部に前記弁体を押し付ける電流供給回路と、
　を備えていることを特徴とする開閉弁。
　請求項１から７のいずれかに記載の開閉弁において、
　前記弁体および前記弁座部は、ＰＦＡで形成されていることを特徴とする開閉弁。
　請求項１から８のいずれかに記載の開閉弁において、
　前記弁体と前記弁座部の間の接触は、平面同士で行われることを特徴とする開閉弁。
　液体を吐出するノズルと、
　前記ノズルに液体を送るポンプと、
　前記ノズルと前記ポンプの間で液体を通す配管と、
　前記配管に設けられ、前記ノズルへの液体の供給とその供給停止を選択できる開閉弁とを備え、
　前記開閉弁は、液体を通す弁室内流路と、
　前記弁室内流路に各々連通する第１流路および第２流路と、
　前記弁室内流路と前記第２流路との境界となる開口の周りを取り囲み、前記弁室内流路に設けられた弁座部および、前記第２流路の周りを取り囲み、前記弁座部側に設けられた強磁性体部または磁石部を有する弁座ブロックと、
　前記弁室内流路内に設けられ、前記弁座部に接触するための弁体および、前記弁体側に設けられた弁体側電磁石部を有する可動部と、
　前記弁体側電磁石部に第１方向の電流を供給し、前記強磁性体部または前記磁石部に前記弁体側電磁石部を引き付けることで、前記弁座部に前記弁体を近づけさせて前記弁座部に前記弁体を押し付ける電流供給回路と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
　液体を吐出するノズルと、
　前記ノズルに液体を送るポンプと、
　前記ノズルと前記ポンプの間で液体を通す配管と、
　前記配管に設けられ、前記ノズルへの液体の供給とその供給停止を選択できる開閉弁とを備え、
　前記開閉弁は、液体を通す弁室内流路と、
　前記弁室内流路に各々連通する第１流路および第２流路と、
　前記弁室内流路と前記第２流路との境界となる開口の周りを取り囲み、前記弁室内流路に設けられた弁座部および、前記第２流路の周りを取り囲み、前記弁座部側に設けられた弁座部側電磁石部を有する弁座ブロックと、
　前記弁室内流路内に設けられ、前記弁座部に接触するための弁体および、前記弁体側に設けられた強磁性体部または磁石部を有する可動部と、
　前記弁座部側電磁石部に第１方向の電流を供給し、前記強磁性体部または前記磁石部に前記弁座部側電磁石部を引き付けることで、前記弁座部に前記弁体を近づけさせて前記弁座部に前記弁体を押し付ける電流供給回路と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。