JPH08309100A - アイロンおよびその製造方法 - Google Patents
アイロンおよびその製造方法Info
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- JPH08309100A JPH08309100A JP11967095A JP11967095A JPH08309100A JP H08309100 A JPH08309100 A JP H08309100A JP 11967095 A JP11967095 A JP 11967095A JP 11967095 A JP11967095 A JP 11967095A JP H08309100 A JPH08309100 A JP H08309100A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱伝導性が高く、強度が高くて耐磨耗性に優
れ、静電気の発生のないアイロンを提供することを目的
としている。 【構成】 ベースを構成する基材１の表面に形成した保
護膜２がダイヤモンド結合あるいはグラファイト結合を
有する炭素を主成分としており、熱伝導性がよく、対摩
耗性が高く、また導電性の高いものであり、従来のフッ
素コーティングの欠点を解消したアイロンとするもので
ある。
れ、静電気の発生のないアイロンを提供することを目的
としている。 【構成】 ベースを構成する基材１の表面に形成した保
護膜２がダイヤモンド結合あるいはグラファイト結合を
有する炭素を主成分としており、熱伝導性がよく、対摩
耗性が高く、また導電性の高いものであり、従来のフッ
素コーティングの欠点を解消したアイロンとするもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アイロンおよびその製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来使用しているアイロンは、表面をフ
ッ素コーティング処理している。その主たる目的は、ア
イロン掛け時に衣類との摺動性を確保してアイロン掛け
操作が滑らかにできるようにすること、またアイロン掛
け時に衣類に付いている糊がアイロン表面に付着しない
ように非粘着性を確保することにある。
ッ素コーティング処理している。その主たる目的は、ア
イロン掛け時に衣類との摺動性を確保してアイロン掛け
操作が滑らかにできるようにすること、またアイロン掛
け時に衣類に付いている糊がアイロン表面に付着しない
ように非粘着性を確保することにある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしこのフッ素コー
ティングには、熱伝導性・耐磨耗性・静電気の点で課題
を有している。
ティングには、熱伝導性・耐磨耗性・静電気の点で課題
を有している。
【０００４】つまり、ベースを構成する基材としてアル
ミニウムを使用した場合、フッ素コーティング部は熱伝
導率がおよそアルミニウムの１／３７０と非常に小さい
ものである。このためベース中に埋め込んでいるヒータ
部の熱が有効に衣類に伝わらず、ヒーター電力の損失が
大きくなるものである。またフッ素コーティングは基本
的にはフッ素樹脂を主成分としているため柔らかく、衣
類との摩擦によって次第に摩耗するものである。また近
年、アイロンはアイロン掛け時の操作性を向上するため
にコードレス化されてきており、このためアイロン掛け
時に衣類との摩擦によって静電気が発生して、ベースに
衣類がまとわりつくという現象も発生するものである。
ミニウムを使用した場合、フッ素コーティング部は熱伝
導率がおよそアルミニウムの１／３７０と非常に小さい
ものである。このためベース中に埋め込んでいるヒータ
部の熱が有効に衣類に伝わらず、ヒーター電力の損失が
大きくなるものである。またフッ素コーティングは基本
的にはフッ素樹脂を主成分としているため柔らかく、衣
類との摩擦によって次第に摩耗するものである。また近
年、アイロンはアイロン掛け時の操作性を向上するため
にコードレス化されてきており、このためアイロン掛け
時に衣類との摩擦によって静電気が発生して、ベースに
衣類がまとわりつくという現象も発生するものである。
【０００５】本発明はこのような従来のアイロンが有し
ている課題を解決しようとするもので、熱伝導性が高
く、強度が高くて耐磨耗性に優れ、静電気の発生のない
アイロンを提供することを第一の目的としている。また
前記第一の目的に関連して、特に基材と保護膜との密着
性の高いアイロンを提供することを第二の目的としてい
る。また、特にベースの材質が絶縁材料である場合に基
材と保護膜との密着性の高いアイロンを提供することを
第三の目的としている。更に、表面の非粘着性を高めた
アイロンを提供することを第四の目的としている。更
に、保護膜の硬度を高めたアイロンを提供することを第
五の目的としている。また、第一の目的・第二の目的を
達成するアイロンの製造方法を提供することを第六の目
的・第七の目的としている。また、第三の目的・第四の
目的を達成するアイロンの製造方法を提供することを第
八の目的・第九の目的としている。
ている課題を解決しようとするもので、熱伝導性が高
く、強度が高くて耐磨耗性に優れ、静電気の発生のない
アイロンを提供することを第一の目的としている。また
前記第一の目的に関連して、特に基材と保護膜との密着
性の高いアイロンを提供することを第二の目的としてい
る。また、特にベースの材質が絶縁材料である場合に基
材と保護膜との密着性の高いアイロンを提供することを
第三の目的としている。更に、表面の非粘着性を高めた
アイロンを提供することを第四の目的としている。更
に、保護膜の硬度を高めたアイロンを提供することを第
五の目的としている。また、第一の目的・第二の目的を
達成するアイロンの製造方法を提供することを第六の目
的・第七の目的としている。また、第三の目的・第四の
目的を達成するアイロンの製造方法を提供することを第
八の目的・第九の目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第一の目的を達成する本
発明の第一の手段は、金属材料で構成したベースに炭素
もしくは炭素を主成分とする保護膜を備えたアイロンと
するものである。
発明の第一の手段は、金属材料で構成したベースに炭素
もしくは炭素を主成分とする保護膜を備えたアイロンと
するものである。
【０００７】第二の目的を達成するための本発明の第二
の手段は、特に保護膜を第一の薄膜と第二の薄膜とから
構成し、第一の薄膜のビッカース硬度は５０ＨB以下に
第二の薄膜のビッカース硬度は８０ＨB以上とし、基材
側を第一の薄膜としたアイロンとするものである。
の手段は、特に保護膜を第一の薄膜と第二の薄膜とから
構成し、第一の薄膜のビッカース硬度は５０ＨB以下に
第二の薄膜のビッカース硬度は８０ＨB以上とし、基材
側を第一の薄膜としたアイロンとするものである。
【０００８】第三の目的を達成するための本発明の第三
の手段は、絶縁材料で構成したベースに、導電性膜を介
して炭素もしくは炭素を主成分とする保護膜を備えたア
イロンとするものである。
の手段は、絶縁材料で構成したベースに、導電性膜を介
して炭素もしくは炭素を主成分とする保護膜を備えたア
イロンとするものである。
【０００９】第四の目的を達成するための本発明の第四
の手段は、特に保護膜の表面を弗化処理したアイロンと
するものである。
の手段は、特に保護膜の表面を弗化処理したアイロンと
するものである。
【００１０】また第五の目的を達成するための本発明の
第五の手段は、保護膜中に１〜２０％のＳｉ元素を含む
アイロンとするものである。
第五の手段は、保護膜中に１〜２０％のＳｉ元素を含む
アイロンとするものである。
【００１１】第六の目的を達成するための本発明の第六
の手段は、ベースを構成する基材を炭化水素気体を含む
プラズマ雰囲気中に曝露し、この表面にプラズマ中のイ
オンやラジカルを利用して炭素もしくは炭素を主成分と
する薄膜を形成するアイロンの製造方法とするものであ
る。
の手段は、ベースを構成する基材を炭化水素気体を含む
プラズマ雰囲気中に曝露し、この表面にプラズマ中のイ
オンやラジカルを利用して炭素もしくは炭素を主成分と
する薄膜を形成するアイロンの製造方法とするものであ
る。
【００１２】また第七の目的を達成するための本発明の
第七の手段は、特に成膜初期にＡｒガスやＫｒガスなど
の不活性ガスを導入するアイロンの製造方法とするもの
である。
第七の手段は、特に成膜初期にＡｒガスやＫｒガスなど
の不活性ガスを導入するアイロンの製造方法とするもの
である。
【００１３】第八の目的を達成するための本発明の第八
の手段は、ベースを構成する基材を、少なくとも炭化水
素気体とＳｉ元素を含む気体との混合気体からなるプラ
ズマ雰囲気中に曝露し、この表面にプラズマ中のイオン
やラジカルを利用してＳｉ元素を含む炭素もしくは炭素
を主成分とする薄膜を形成するアイロンの製造方法とす
るものである。
の手段は、ベースを構成する基材を、少なくとも炭化水
素気体とＳｉ元素を含む気体との混合気体からなるプラ
ズマ雰囲気中に曝露し、この表面にプラズマ中のイオン
やラジカルを利用してＳｉ元素を含む炭素もしくは炭素
を主成分とする薄膜を形成するアイロンの製造方法とす
るものである。
【００１４】更に第九の目的を達成するための本発明の
第九の手段は、ベースを構成する基材を炭化水素気体を
含むプラズマ雰囲気中に曝露し、この表面にプラズマ中
のイオンやラジカルを利用して炭素もしくは炭素を主成
分とする薄膜を形成した後、この炭素もしくは炭素を主
成分とする薄膜の表面を弗素元素を含むプラズマ雰囲気
中に曝して弗化処理するアイロンの製造方法とするもの
である。
第九の手段は、ベースを構成する基材を炭化水素気体を
含むプラズマ雰囲気中に曝露し、この表面にプラズマ中
のイオンやラジカルを利用して炭素もしくは炭素を主成
分とする薄膜を形成した後、この炭素もしくは炭素を主
成分とする薄膜の表面を弗素元素を含むプラズマ雰囲気
中に曝して弗化処理するアイロンの製造方法とするもの
である。
【００１５】
【作用】本発明の第一の手段は、ベースを構成する基材
の表面に形成した保護膜がダイヤモンド結合あるいはグ
ラファイト結合を有する炭素を主成分としており、熱伝
導性がよく、対摩耗性が高く、また導電性の高いもので
あり、従来のフッ素コーティングの欠点を解消したアイ
ロンとして作用するものである。
の表面に形成した保護膜がダイヤモンド結合あるいはグ
ラファイト結合を有する炭素を主成分としており、熱伝
導性がよく、対摩耗性が高く、また導電性の高いもので
あり、従来のフッ素コーティングの欠点を解消したアイ
ロンとして作用するものである。
【００１６】本発明の第二の手段は、基材の表面にコー
ティングした柔軟な第一の薄膜の上に高度の高い第二の
薄膜をコーティングして、基材との密着性が優れた保護
膜を備えたアイロンとするものである。
ティングした柔軟な第一の薄膜の上に高度の高い第二の
薄膜をコーティングして、基材との密着性が優れた保護
膜を備えたアイロンとするものである。
【００１７】本発明の第三の手段は、基材の表面に導電
性膜を形成しこの上に保護膜を形成するようにして、ベ
ースが絶縁材料で構成されている場合に基材との密着性
が優れた保護膜を備えたアイロンとするものである。
性膜を形成しこの上に保護膜を形成するようにして、ベ
ースが絶縁材料で構成されている場合に基材との密着性
が優れた保護膜を備えたアイロンとするものである。
【００１８】本発明の第四の手段は、保護膜の表面を弗
化処理して表面の非粘着性を高めたアイロンとしてい
る。
化処理して表面の非粘着性を高めたアイロンとしてい
る。
【００１９】また本発明の第五の手段は、保護膜中にＳ
ｉ元素を混入して、一層硬度の高い保護膜としたアイロ
ンとするものである。
ｉ元素を混入して、一層硬度の高い保護膜としたアイロ
ンとするものである。
【００２０】本発明の第六の手段は、ベースを構成する
基材を炭化水素気体を含むプラズマ雰囲気中に曝露し、
この表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用して炭
素もしくは炭素を主成分とする薄膜を形成するようにし
て、熱伝導性がよく、対摩耗性が高く、また導電性の高
い保護膜を有するアイロンの製造方法とするものであ
る。
基材を炭化水素気体を含むプラズマ雰囲気中に曝露し、
この表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用して炭
素もしくは炭素を主成分とする薄膜を形成するようにし
て、熱伝導性がよく、対摩耗性が高く、また導電性の高
い保護膜を有するアイロンの製造方法とするものであ
る。
【００２１】本発明の第七の手段は、成膜初期にＡｒガ
スやＫｒガスなどの不活性ガスを導入するようにして、
特に保護膜の密着性の高いアイロンの製造方法とするも
のである。
スやＫｒガスなどの不活性ガスを導入するようにして、
特に保護膜の密着性の高いアイロンの製造方法とするも
のである。
【００２２】本発明の第八の手段は、ベースを構成する
基材を、少なくとも炭化水素気体とＳｉ元素を含む気体
との混合気体からなるプラズマ雰囲気中に曝露し、この
表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用してＳｉ元
素を含む炭素もしくは炭素を主成分とする薄膜を形成す
るようにして、一層硬度の高い保護膜を有するアイロン
の製造方法とするものである。
基材を、少なくとも炭化水素気体とＳｉ元素を含む気体
との混合気体からなるプラズマ雰囲気中に曝露し、この
表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用してＳｉ元
素を含む炭素もしくは炭素を主成分とする薄膜を形成す
るようにして、一層硬度の高い保護膜を有するアイロン
の製造方法とするものである。
【００２３】本発明の第九の手段は、ベースを構成する
基材を炭化水素気体を含むプラズマ雰囲気中に曝露し、
この表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用して炭
素もしくは炭素を主成分とする薄膜を形成した後、この
炭素もしくは炭素を主成分とする薄膜の表面を弗素元素
を含むプラズマ雰囲気中に曝して弗化処理するようにし
て、表面の非粘着性を高めたアイロンの製造方法とする
ものである。
基材を炭化水素気体を含むプラズマ雰囲気中に曝露し、
この表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用して炭
素もしくは炭素を主成分とする薄膜を形成した後、この
炭素もしくは炭素を主成分とする薄膜の表面を弗素元素
を含むプラズマ雰囲気中に曝して弗化処理するようにし
て、表面の非粘着性を高めたアイロンの製造方法とする
ものである。
【００２４】
（実施例１）以下本発明の実施例について説明する。図
１は、本実施例のアイロンのベースの構成を示してい
る。アイロンのベースの基材１（以下単に基材１と称す
る）の表面には、保護膜２を形成している。
１は、本実施例のアイロンのベースの構成を示してい
る。アイロンのベースの基材１（以下単に基材１と称す
る）の表面には、保護膜２を形成している。
【００２５】保護膜２は、図２に示す装置によって形成
している。真空槽１０には原料ガスをイオン化するイオ
ン銃１１と基材１とをセットしている。基材１には負の
バイアス電圧を、イオン銃１１の表面には正の電圧を印
加している。イオン銃１１内に導入する原料ガスは、本
実施例ではＣ6Ｈ6を使用している。この原料ガスはフィ
ラメント１２から放出される熱電子によってプラズマ化
され、プラズマ中のイオンは基材１に印加されたバイア
ス電圧によって加速され、基材１に衝突することになる
ものである。こうして基材１の表面には炭素もしくは炭
素を主成分とする保護膜２が形成される。保護膜２の硬
度は、基材１に印加するバイアス電圧を制御することに
よって調整することができる。つまり、基材１を炭化水
素気体を含むプラズマ雰囲気中に曝露しておいて、この
表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用して炭素も
しくは炭素を主成分とする保護膜２を形成するようにし
ているものである。なお本装置は、容量結合型の平行平
板電極型プラズマＣＶＤ装置を使用したが、これに限る
ものではない。
している。真空槽１０には原料ガスをイオン化するイオ
ン銃１１と基材１とをセットしている。基材１には負の
バイアス電圧を、イオン銃１１の表面には正の電圧を印
加している。イオン銃１１内に導入する原料ガスは、本
実施例ではＣ6Ｈ6を使用している。この原料ガスはフィ
ラメント１２から放出される熱電子によってプラズマ化
され、プラズマ中のイオンは基材１に印加されたバイア
ス電圧によって加速され、基材１に衝突することになる
ものである。こうして基材１の表面には炭素もしくは炭
素を主成分とする保護膜２が形成される。保護膜２の硬
度は、基材１に印加するバイアス電圧を制御することに
よって調整することができる。つまり、基材１を炭化水
素気体を含むプラズマ雰囲気中に曝露しておいて、この
表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用して炭素も
しくは炭素を主成分とする保護膜２を形成するようにし
ているものである。なお本装置は、容量結合型の平行平
板電極型プラズマＣＶＤ装置を使用したが、これに限る
ものではない。
【００２６】以下本実施例の動作について説明する。本
実施例で基材１の表面に付着させた膜は炭素もしくは炭
素を主成分とするものであり、ＤＬＣ(Diamond Like Ca
rbon)膜となっている。ＤＬＣ膜はアモルファス（非晶
質）でありながら、ダイヤモンド結合を含むために硬く
て対摩耗特性に優れている。
実施例で基材１の表面に付着させた膜は炭素もしくは炭
素を主成分とするものであり、ＤＬＣ(Diamond Like Ca
rbon)膜となっている。ＤＬＣ膜はアモルファス（非晶
質）でありながら、ダイヤモンド結合を含むために硬く
て対摩耗特性に優れている。
【００２７】すなわちダイヤモンドはあらゆる物質の中
で最も硬く、またアイロンの実使用温度範囲内では熱的
に非常に安定しており、物性が変化することはないもの
である。このＤＬＣ膜は、ダイヤモンド結合（以下ＳＰ
3結合と称する）とグラファイト結合（以下ＳＰ2結合と
称する）とが混在した構造であり、ＳＰ3結合が多いほ
ど特性はダイヤモンドに近くなるものである。しかし通
常の環境下ではＳＰ2結合の方が安定であるため、プラ
ズマ中の炭素原子をＳＰ3結合とするためには何らかの
エネルギーが必要となるものである。そこで本実施例で
は、保護膜２の構成時にイオンの衝突エネルギーをＳＰ
3結合の形成に利用して、硬質なＤＬＣ膜を形成してい
るものである。この結果、衣服のアイロン掛け時に保護
膜が摩耗したり、ボタンやファスナーで損傷を受けるこ
ともないものである。
で最も硬く、またアイロンの実使用温度範囲内では熱的
に非常に安定しており、物性が変化することはないもの
である。このＤＬＣ膜は、ダイヤモンド結合（以下ＳＰ
3結合と称する）とグラファイト結合（以下ＳＰ2結合と
称する）とが混在した構造であり、ＳＰ3結合が多いほ
ど特性はダイヤモンドに近くなるものである。しかし通
常の環境下ではＳＰ2結合の方が安定であるため、プラ
ズマ中の炭素原子をＳＰ3結合とするためには何らかの
エネルギーが必要となるものである。そこで本実施例で
は、保護膜２の構成時にイオンの衝突エネルギーをＳＰ
3結合の形成に利用して、硬質なＤＬＣ膜を形成してい
るものである。この結果、衣服のアイロン掛け時に保護
膜が摩耗したり、ボタンやファスナーで損傷を受けるこ
ともないものである。
【００２８】また熱伝導率も非常に大きく、アルミニウ
ム合金ダイカストの９〜２４倍に達している。すなわち
ダイヤモンドは、もともとあらゆる物質の中で最大の熱
伝導率を有し、構造Ｉ型では900W/m・K(at 300K)、また
構造ＩＩ型では1350〜2310W/m・K(at 300K)となってい
る。従ってヒータ部の熱が速やかに衣類へ伝わり、ヒー
タの熱損失を極めて小さくできる。
ム合金ダイカストの９〜２４倍に達している。すなわち
ダイヤモンドは、もともとあらゆる物質の中で最大の熱
伝導率を有し、構造Ｉ型では900W/m・K(at 300K)、また
構造ＩＩ型では1350〜2310W/m・K(at 300K)となってい
る。従ってヒータ部の熱が速やかに衣類へ伝わり、ヒー
タの熱損失を極めて小さくできる。
【００２９】また電気抵抗率は、１０6Ω・cm以下であ
り、従来使用しているフッ素コーティング膜の抵抗率１
０18Ω・cmと比べて１２桁小さいものである。つまり導
電性を有しているものであり、フッ素コーティングでは
避けることのできなかった静電気による衣類のまとわり
つきをなくしたアイロンを実現できるものである。
り、従来使用しているフッ素コーティング膜の抵抗率１
０18Ω・cmと比べて１２桁小さいものである。つまり導
電性を有しているものであり、フッ素コーティングでは
避けることのできなかった静電気による衣類のまとわり
つきをなくしたアイロンを実現できるものである。
【００３０】以下本実施例によって基材１上に成膜した
ＤＬＣ膜の性能を、従来のフッ素コーティング膜と比較
した結果について報告する。この結果を（表１）に示し
ている。
ＤＬＣ膜の性能を、従来のフッ素コーティング膜と比較
した結果について報告する。この結果を（表１）に示し
ている。
【００３１】
【表１】
【００３２】表１から明らかであるように本実施例のＤ
ＬＣ膜は、熱伝導率についてはフッ素コーティング膜の
4000倍、アルミニウム合金の約１０倍となっている。ま
た摩擦係数はフッ素コーティング膜の1/2倍、静電気の
発生はほとんど生じないものとなっている。
ＬＣ膜は、熱伝導率についてはフッ素コーティング膜の
4000倍、アルミニウム合金の約１０倍となっている。ま
た摩擦係数はフッ素コーティング膜の1/2倍、静電気の
発生はほとんど生じないものとなっている。
【００３３】以上のように本実施例のアイロンは、従来
のフッ素コーティングを使用したアイロンが有している
課題を解消するもので、熱伝導性の良い、対摩耗性の高
い、静電気の発生のないのである。特にコードレスアイ
ロンとして使用した場合には、連続アイロンがけ時間を
延長できるものであり、非常に大きな効果を有してい
る。
のフッ素コーティングを使用したアイロンが有している
課題を解消するもので、熱伝導性の良い、対摩耗性の高
い、静電気の発生のないのである。特にコードレスアイ
ロンとして使用した場合には、連続アイロンがけ時間を
延長できるものであり、非常に大きな効果を有してい
る。
【００３４】（実施例２）続いて本発明の第二の実施例
について説明する。実施例１で説明したＤＬＣ膜は、硬
いほど基材１に対する保護効果を有しているものであ
る。しかし硬くなるにつれて膜の内部応力が高まり、基
材１からの剥がれが発生しやすくなるという欠点を有し
ている。そこで本実施例では、図３に示しているように
ＤＬＣ膜を第一の薄膜２ａと第二の薄膜２ｂとから構成
している。また基材１側に配置している第一の薄膜２ａ
のビッカース硬度は５０ＨB以下に、第二の薄膜２ｂの
ビッカース硬度は８０ＨB以上に調整している。
について説明する。実施例１で説明したＤＬＣ膜は、硬
いほど基材１に対する保護効果を有しているものであ
る。しかし硬くなるにつれて膜の内部応力が高まり、基
材１からの剥がれが発生しやすくなるという欠点を有し
ている。そこで本実施例では、図３に示しているように
ＤＬＣ膜を第一の薄膜２ａと第二の薄膜２ｂとから構成
している。また基材１側に配置している第一の薄膜２ａ
のビッカース硬度は５０ＨB以下に、第二の薄膜２ｂの
ビッカース硬度は８０ＨB以上に調整している。
【００３５】以下本実施例のＤＬＣ膜の形成方法につい
て説明する。ビッカース硬度を５０ＨB以下とした軟質
で内部応力が小さい薄膜２ａの形成方法は二通りある。
て説明する。ビッカース硬度を５０ＨB以下とした軟質
で内部応力が小さい薄膜２ａの形成方法は二通りある。
【００３６】一つは図２に示している基材１に印加する
バイアス電圧を大きくする方法である。バイアス電圧が
−０．７ｋＶのときには最も硬いＤＬＣ膜が形成され
る。さらにバイアスを大きくしていくと硬度は低下して
いく。ビッカース硬度を５０Ｈ B以下に調整するために
は、実験の結果、バイアス電圧を−１．０ｋＶ〜−０．
５ｋＶ程度が適当である。
バイアス電圧を大きくする方法である。バイアス電圧が
−０．７ｋＶのときには最も硬いＤＬＣ膜が形成され
る。さらにバイアスを大きくしていくと硬度は低下して
いく。ビッカース硬度を５０Ｈ B以下に調整するために
は、実験の結果、バイアス電圧を−１．０ｋＶ〜−０．
５ｋＶ程度が適当である。
【００３７】第二には、成膜時にＡｒガスやＫｒガス等
の不活性ガスを混入する方法である。例えば、ＣＨ4ガ
スを原料として３０％（体積比率）のＡｒガスを混入し
た場合には、バイアス電圧を−０．５ｋＶ程度とした場
合と同等の効果を認められるものである。こうして軟質
の第一の薄膜２ａを形成し、この上から硬質の第二の薄
膜２ｂを形成する。
の不活性ガスを混入する方法である。例えば、ＣＨ4ガ
スを原料として３０％（体積比率）のＡｒガスを混入し
た場合には、バイアス電圧を−０．５ｋＶ程度とした場
合と同等の効果を認められるものである。こうして軟質
の第一の薄膜２ａを形成し、この上から硬質の第二の薄
膜２ｂを形成する。
【００３８】以上のような構成とすることによって、基
材１からの剥がれが発生し難く、しかも表面の硬度の高
い保護膜２を備えたアイロンを実現できるものである。
材１からの剥がれが発生し難く、しかも表面の硬度の高
い保護膜２を備えたアイロンを実現できるものである。
【００３９】（実施例３）基材１が樹脂等の絶縁材料で
構成されている場合には、基材１の表面に直接ＤＬＣ膜
を形成することは困難である。そこで本実施例では図４
に示しているように、基材１の表面にスパッタリング法
によって導電性膜３を形成し、この上に前記実施例で説
明したＤＬＣ膜で構成した保護膜２を形成するようにし
ているものである。なお導電性膜３は、本実施例では膜
厚２０ｎｍのＳｉ膜としている。この導電性膜３は、Ｄ
ＬＣ成膜時に基材１に適切なバイアス電圧を印加する必
要があるため、抵抗が小さい方が望ましく、比抵抗が１
０3Ωｃｍ以下でなければならない。比抵抗がこれより
大きくなるとバイアス電圧が十分供給されず、ＤＬＣの
膜質が変化してしまうものである。なお導電性膜３とし
て本実施例ではＳｉ膜を使用したが、周期律表の第ＩＶ
属の元素もしくはその炭化物を主成分とするものであっ
ても同様の効果を有するものである。なお基材１を構成
する絶縁材料は、ビッカース硬度が５０ＨBより大きい
ことが必要である。
構成されている場合には、基材１の表面に直接ＤＬＣ膜
を形成することは困難である。そこで本実施例では図４
に示しているように、基材１の表面にスパッタリング法
によって導電性膜３を形成し、この上に前記実施例で説
明したＤＬＣ膜で構成した保護膜２を形成するようにし
ているものである。なお導電性膜３は、本実施例では膜
厚２０ｎｍのＳｉ膜としている。この導電性膜３は、Ｄ
ＬＣ成膜時に基材１に適切なバイアス電圧を印加する必
要があるため、抵抗が小さい方が望ましく、比抵抗が１
０3Ωｃｍ以下でなければならない。比抵抗がこれより
大きくなるとバイアス電圧が十分供給されず、ＤＬＣの
膜質が変化してしまうものである。なお導電性膜３とし
て本実施例ではＳｉ膜を使用したが、周期律表の第ＩＶ
属の元素もしくはその炭化物を主成分とするものであっ
ても同様の効果を有するものである。なお基材１を構成
する絶縁材料は、ビッカース硬度が５０ＨBより大きい
ことが必要である。
【００４０】以下本実施例のアイロンベースの製造方法
について説明する。ベースを構成する基材１を、図２に
示している真空槽１０にセットし、イオン銃１１内に炭
化水素気体とＳｉ元素を含む気体としてテトラメチルシ
ラン（（ＣＨ3）4Ｓｉ）ガスを供給するものである。こ
の原料ガスはフィラメント１２から放出される熱電子に
よってプラズマ化され、プラズマ中のイオンは基材１に
印加されたバイアス電圧によって加速され、基材１に衝
突することになるものである。こうして基材１の表面に
はＳｉ元素を含む導電性膜３が形成される。導電性膜３
を形成した後、実施例１で説明したように原料ガスとし
てＣ6Ｈ6ガスを使用して、同様に前記導電性膜３の表面
に炭素もしくは炭素を主成分とする保護膜２を形成する
ものである。
について説明する。ベースを構成する基材１を、図２に
示している真空槽１０にセットし、イオン銃１１内に炭
化水素気体とＳｉ元素を含む気体としてテトラメチルシ
ラン（（ＣＨ3）4Ｓｉ）ガスを供給するものである。こ
の原料ガスはフィラメント１２から放出される熱電子に
よってプラズマ化され、プラズマ中のイオンは基材１に
印加されたバイアス電圧によって加速され、基材１に衝
突することになるものである。こうして基材１の表面に
はＳｉ元素を含む導電性膜３が形成される。導電性膜３
を形成した後、実施例１で説明したように原料ガスとし
てＣ6Ｈ6ガスを使用して、同様に前記導電性膜３の表面
に炭素もしくは炭素を主成分とする保護膜２を形成する
ものである。
【００４１】以上の構成のサンプルを鉛筆硬度試験によ
って被膜の強度を測定した結果３Ｈ以上を得ることがで
き、基材１が樹脂等の絶縁材料であっても保護膜２の付
着力は非常に高いものである。
って被膜の強度を測定した結果３Ｈ以上を得ることがで
き、基材１が樹脂等の絶縁材料であっても保護膜２の付
着力は非常に高いものである。
【００４２】以上のように本実施例によれば、基材１が
樹脂等の絶縁材料であっても、一旦基材１の表面に導電
性膜３を形成しこの上に保護膜２を形成することによっ
て、保護膜２の付着力の非常に高いアイロンを実現でき
るものである。
樹脂等の絶縁材料であっても、一旦基材１の表面に導電
性膜３を形成しこの上に保護膜２を形成することによっ
て、保護膜２の付着力の非常に高いアイロンを実現でき
るものである。
【００４３】（実施例４）次に本発明の第四の実施例に
ついて説明する。本実施例は、ＤＬＣ膜で形成した保護
膜２の最表面を弗化処理して（化１）に示す分子構造と
したものである。
ついて説明する。本実施例は、ＤＬＣ膜で形成した保護
膜２の最表面を弗化処理して（化１）に示す分子構造と
したものである。
【００４４】
【化１】
【００４５】この弗素処理は、図２に示している装置に
原料ガスとしてＣ4Ｆ8ガスを使用し、高周波電力により
プラズマ化し、このプラズマにＤＬＣ膜の形成を終わっ
た基材１を曝すことで行った。なお原料ガスは弗素元素
を含むものであればＣ4Ｆ8ガスに限るものではない。
原料ガスとしてＣ4Ｆ8ガスを使用し、高周波電力により
プラズマ化し、このプラズマにＤＬＣ膜の形成を終わっ
た基材１を曝すことで行った。なお原料ガスは弗素元素
を含むものであればＣ4Ｆ8ガスに限るものではない。
【００４６】以上のように、ＤＬＣ膜の表面を弗素処理
したアイロンとすることによって、衣類に対する動摩擦
係数がさらに小さくなり、アイロン掛けの操作性の良い
アイロンを実現するものである。
したアイロンとすることによって、衣類に対する動摩擦
係数がさらに小さくなり、アイロン掛けの操作性の良い
アイロンを実現するものである。
【００４７】（実施例５）次に本発明の第五の実施例に
ついて説明する。本実施例では、前記図１・図３・図４
あるいは図５に示した保護膜２を形成する場合に、１〜
２０％のＳｉ元素を含ませているものである。つまり、
図２に示している装置に原料ガスとしてＳｉ元素を含む
炭化水素ガスを使用して、保護膜２を形成するものであ
る。
ついて説明する。本実施例では、前記図１・図３・図４
あるいは図５に示した保護膜２を形成する場合に、１〜
２０％のＳｉ元素を含ませているものである。つまり、
図２に示している装置に原料ガスとしてＳｉ元素を含む
炭化水素ガスを使用して、保護膜２を形成するものであ
る。
【００４８】こうしてＤＬＣ膜にＳｉ元素を含有するこ
とによって、ＤＬＣ膜と基材１との密着性が一段と向上
するものである。また、Ｓｉ元素を含有することによっ
てＤＬＣ膜の比抵抗が１０6Ωｃｍ以下となり、一層低
抵抗となって静電気が発生しにくくくなるものである。
このＳｉ元素の含有量は１〜２０％が望ましく、１％未
満では含有の効果が少なくＤＬＣ膜が基材１から剥離す
る。また２０％を越えると、硬度が低下して耐摩耗性が
悪くなるものである。
とによって、ＤＬＣ膜と基材１との密着性が一段と向上
するものである。また、Ｓｉ元素を含有することによっ
てＤＬＣ膜の比抵抗が１０6Ωｃｍ以下となり、一層低
抵抗となって静電気が発生しにくくくなるものである。
このＳｉ元素の含有量は１〜２０％が望ましく、１％未
満では含有の効果が少なくＤＬＣ膜が基材１から剥離す
る。また２０％を越えると、硬度が低下して耐摩耗性が
悪くなるものである。
【００４９】以上のように本実施例によれば、保護膜２
の密着性・導電性・硬度をより高めたアイロンを実現す
るものである。
の密着性・導電性・硬度をより高めたアイロンを実現す
るものである。
【００５０】
【発明の効果】本発明の第一の手段は、金属材料で構成
したベースに炭素もしくは炭素を主成分とする保護膜を
備えた構成として、熱伝導性が高く、強度が高くて耐磨
耗性に優れ、静電気の発生のないアイロンを実現するも
のである。
したベースに炭素もしくは炭素を主成分とする保護膜を
備えた構成として、熱伝導性が高く、強度が高くて耐磨
耗性に優れ、静電気の発生のないアイロンを実現するも
のである。
【００５１】本発明の第二の手段は、特に保護膜を第一
の薄膜と第二の薄膜とから構成し、第一の薄膜のビッカ
ース硬度は５０ＨB以下に第二の薄膜のビッカース硬度
は８０ＨB以上とし、基材側を第一の薄膜とした構成と
して、特に基材と保護膜との密着性の高いアイロンを実
現するものである。
の薄膜と第二の薄膜とから構成し、第一の薄膜のビッカ
ース硬度は５０ＨB以下に第二の薄膜のビッカース硬度
は８０ＨB以上とし、基材側を第一の薄膜とした構成と
して、特に基材と保護膜との密着性の高いアイロンを実
現するものである。
【００５２】本発明の第三の手段は、絶縁材料で構成し
たベースに、導電性膜を介して炭素もしくは炭素を主成
分とする保護膜を備えた構成として、特にベースの材質
が絶縁材料である場合に基材と保護膜との密着性の高い
アイロンを実現するものである。
たベースに、導電性膜を介して炭素もしくは炭素を主成
分とする保護膜を備えた構成として、特にベースの材質
が絶縁材料である場合に基材と保護膜との密着性の高い
アイロンを実現するものである。
【００５３】また本発明の第四の手段は、特に保護膜の
表面を弗化処理した構成として、表面の非粘着性を高め
たアイロンを実現するものである。
表面を弗化処理した構成として、表面の非粘着性を高め
たアイロンを実現するものである。
【００５４】本発明の第五の手段は、保護膜中に１〜２
０％のＳｉ元素を含む構成として、保護膜の硬度を高め
たアイロンを実現するものである。
０％のＳｉ元素を含む構成として、保護膜の硬度を高め
たアイロンを実現するものである。
【００５５】また本発明の第六の手段は、ベースを構成
する基材を炭化水素気体を含むプラズマ雰囲気中に曝露
し、この表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用し
て炭素もしくは炭素を主成分とする薄膜を形成するよう
にして、熱伝導性が高く、強度が高くて耐磨耗性に優
れ、静電気の発生のないアイロンの製造方法を実現する
ものである。
する基材を炭化水素気体を含むプラズマ雰囲気中に曝露
し、この表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用し
て炭素もしくは炭素を主成分とする薄膜を形成するよう
にして、熱伝導性が高く、強度が高くて耐磨耗性に優
れ、静電気の発生のないアイロンの製造方法を実現する
ものである。
【００５６】本発明の第七の手段は、特に成膜初期にＡ
ｒガスやＫｒガスなどの不活性ガスを導入するようにし
て、特に基材と保護膜との密着性の高いアイロンの製造
方法を実現するものである。
ｒガスやＫｒガスなどの不活性ガスを導入するようにし
て、特に基材と保護膜との密着性の高いアイロンの製造
方法を実現するものである。
【００５７】本発明の第八の手段は、ベースを構成する
基材を、少なくとも炭化水素気体とＳｉ元素を含む気体
との混合気体からなるプラズマ雰囲気中に曝露し、この
表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用してＳｉ元
素を含む炭素もしくは炭素を主成分とする薄膜を形成す
るようにして、保護膜の硬度を高めたアイロンの製造方
法を実現するものである。
基材を、少なくとも炭化水素気体とＳｉ元素を含む気体
との混合気体からなるプラズマ雰囲気中に曝露し、この
表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用してＳｉ元
素を含む炭素もしくは炭素を主成分とする薄膜を形成す
るようにして、保護膜の硬度を高めたアイロンの製造方
法を実現するものである。
【００５８】また本発明の第九の手段は、ベースを構成
する基材を炭化水素気体を含むプラズマ雰囲気中に曝露
し、この表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用し
て炭素もしくは炭素を主成分とする薄膜を形成した後、
この炭素もしくは炭素を主成分とする薄膜の表面を弗素
元素を含むプラズマ雰囲気中に曝して弗化処理するよう
にして、表面の非粘着性を高めたアイロンの製造方法を
実現するものである。
する基材を炭化水素気体を含むプラズマ雰囲気中に曝露
し、この表面にプラズマ中のイオンやラジカルを利用し
て炭素もしくは炭素を主成分とする薄膜を形成した後、
この炭素もしくは炭素を主成分とする薄膜の表面を弗素
元素を含むプラズマ雰囲気中に曝して弗化処理するよう
にして、表面の非粘着性を高めたアイロンの製造方法を
実現するものである。
【図１】本発明のアイロンに使用しているベースの第一
の実施例を示す断面図
の実施例を示す断面図
【図２】同、ベースの製造に用いる成膜装置を示す説明
図
図
【図３】同、第二の実施例であるベースを示す断面図
【図４】同、第三の実施例であるベースを示す断面図
１ 基材 ２ 保護膜 ２ａ 第一の薄膜 ２ｂ 第二の薄膜 ３ 導電性膜
フロントページの続き (72)発明者 柴田 恒雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 金属材料で構成したベースに炭素もしく
は炭素を主成分とする保護膜を備えたアイロン。 - 【請求項２】 保護膜を第一の薄膜と第二の薄膜とから
構成し、第一の薄膜のビッカース硬度は５０ＨB以下に
第二の薄膜のビッカース硬度は８０ＨB以上とし、基材
側を第一の薄膜とした請求項１記載のアイロン。 - 【請求項３】 絶縁材料で構成したベースに、導電性膜
を介して炭素もしくは炭素を主成分とする保護膜を備え
たアイロン。 - 【請求項４】 保護膜の表面を弗化処理した請求項１か
ら３のいずれか１項に記載したアイロン。 - 【請求項５】 保護膜中に１〜２０％のＳｉ元素を含む
請求項１から４のいずれか１項に記載したアイロン。 - 【請求項６】 ベースを構成する基材を炭化水素気体を
含むプラズマ雰囲気中に曝露し、この表面にプラズマ中
のイオンやラジカルを利用して炭素もしくは炭素を主成
分とする薄膜を形成するアイロンの製造方法。 - 【請求項７】 成膜初期にＡｒガスやＫｒガスなどの不
活性ガスを導入する請求項６記載のアイロンの製造方
法。 - 【請求項８】 ベースを構成する基材を、少なくとも炭
化水素気体とＳｉ元素を含む気体との混合気体からなる
プラズマ雰囲気中に曝露し、この表面にプラズマ中のイ
オンやラジカルを利用してＳｉ元素を含む炭素もしくは
炭素を主成分とする薄膜を形成するアイロンの製造方
法。 - 【請求項９】 ベースを構成する基材を炭化水素気体を
含むプラズマ雰囲気中に曝露し、この表面にプラズマ中
のイオンやラジカルを利用して炭素もしくは炭素を主成
分とする薄膜を形成した後、この炭素もしくは炭素を主
成分とする薄膜の表面を弗素元素を含むプラズマ雰囲気
中に曝して弗化処理するアイロンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11967095A JPH08309100A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | アイロンおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11967095A JPH08309100A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | アイロンおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08309100A true JPH08309100A (ja) | 1996-11-26 |
Family
ID=14767152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11967095A Pending JPH08309100A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | アイロンおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08309100A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1048751A1 (de) * | 1999-04-29 | 2000-11-02 | Hort, Stefan | Verfahren zum Aufbringen einer harten Beschichtung auf einen Gegenstand und beschichteter Gegenstand |
| JP2007246996A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Tdk Corp | 保護膜及び該保護膜付き内燃機関用部品 |
| JP2011239963A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Toshiba Home Technology Corp | アイロン |
| JP2014051216A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | 空気入りタイヤ |
| JP2018531708A (ja) * | 2015-10-29 | 2018-11-01 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 被覆されたアイロンがけプレート及び被覆されたアイロンがけプレートを形成する方法 |
| CN108884625A (zh) * | 2016-03-21 | 2018-11-23 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于衣物处理器具的处理板 |
-
1995
- 1995-05-18 JP JP11967095A patent/JPH08309100A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1048751A1 (de) * | 1999-04-29 | 2000-11-02 | Hort, Stefan | Verfahren zum Aufbringen einer harten Beschichtung auf einen Gegenstand und beschichteter Gegenstand |
| JP2007246996A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Tdk Corp | 保護膜及び該保護膜付き内燃機関用部品 |
| JP2011239963A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Toshiba Home Technology Corp | アイロン |
| JP2014051216A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | 空気入りタイヤ |
| JP2018531708A (ja) * | 2015-10-29 | 2018-11-01 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 被覆されたアイロンがけプレート及び被覆されたアイロンがけプレートを形成する方法 |
| CN108884625A (zh) * | 2016-03-21 | 2018-11-23 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于衣物处理器具的处理板 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050428 |
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