JPH08304259A - 試料検出装置 - Google Patents

試料検出装置

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JPH08304259A
JPH08304259A JP7109593A JP10959395A JPH08304259A JP H08304259 A JPH08304259 A JP H08304259A JP 7109593 A JP7109593 A JP 7109593A JP 10959395 A JP10959395 A JP 10959395A JP H08304259 A JPH08304259 A JP H08304259A
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JP
Japan
Prior art keywords
sample
scattered light
laser beam
particle size
scanning
Prior art date
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Pending
Application number
JP7109593A
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English (en)
Inventor
Toshimi Goshiyozono
利美 御所園
Yasushi Kono
靖 河野
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Publication date
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Priority to JP7109593A priority Critical patent/JPH08304259A/ja
Publication of JPH08304259A publication Critical patent/JPH08304259A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 微粒子からなる試料の位置及び粒径を計測す
る試料検出装置に関し、光学系に依存せずレーザービー
ムを走査することにより高精度の測定を可能とする。 【構成】 レーザ光源1からのビーム光Aはレンズ3を
介し、ガルバノミラー2に入る。コンピュータ9は定電
流電源4を制御し、検出槽7内の試料面6を走査する。
試料面6の試料からの散乱光はCCDラインセンサ8で
検出され、コンピュータ9に入り、走査面の各位置にお
ける散乱光強度より散乱光強度分布を求める。同時に散
乱光強度の散乱角度依存性は粒径の大きさにより異なる
性質があるので、この関係より粒子の径を算出する。従
って光学系の精度に依存せず、レーザービームの走査位
置精度のみに依存して高精度な測定が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液中あるいは空気中に存
在する微粒子、等の試料粒子の空間的分布、粒径、等を
検出する試料検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の液中あるいは空気中に存在する微
粒子、等の試料検出機構としては、試料の吸光度を計測
する検出機構及び試料による散乱光を計測する検出機構
が用いられている。従来の散乱光を利用した試料検出機
構の例を図9に示す。図9は従来の光散乱方式試料検出
装置の構成図であり、レーザーダイオード(または発光
ダイオード)33からの光はレンズ34により面状に広
げられた後レンズ35により平行光に修正され、検出槽
7内の試料面6に入射する。試料C及びDによる散乱光
は、集光レンズ36で集光され、CCDセンサ8により
検出される。試料の位置は、CCDセンサ8のイメージ
を解析することにより得られる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような液中あるい
は空気中に存在する微粒子、等の試料をモニタするため
に、位置を検出する検出機構が必要とされる。従来行わ
れている試料による光の吸収を利用した吸光度を計測す
る検出機構は、対象とする試料の光の吸収率が悪い場合
には検出が困難になる問題がある。
【0004】又、従来の散乱光を利用した検出機構は、
図9にも示すように散乱光検出部に集光レンズ等の光学
系を用いており、位置の計測をCCDセンサ上のイメー
ジにより行うため、散乱光検出部をコンパクト化するの
が困難な上に、光学系の微細な調整が必要であり、光学
系の調整のずれは直接試料検出位置の誤差につながる。
【0005】集光光学系を用いる検出機構では、試料か
らの散乱光がセンサ上に単一の輝点としてとらえられる
ため、そのデータから試料の粒径についての情報を得る
ことは困難である。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために、レーザービームを走査し、試料に入
射する光源部、試料粒子からのレーザービーム散乱光を
検出する検出部及び検出部の検出信号に基づいて試料粒
子の散乱光の強度分布と散乱光強度の角度依存性から試
料の粒子径を算出する演算部を備えてなる散乱光検出方
式の試料検出装置の構成とする。
【0007】即ち、本発明は、レーザー光源から発する
レーザービームを走査しながら液中あるいは空気中に存
在する微粒子等からなる試料粒子に入射する光源部と;
同光源部からのレーザービームの前記試料粒子からの散
乱光を直接検出する検出部と;同検出部からの検出信号
を取込み、前記レーザービームの各走査位置での前記散
乱光の強度を求めることにより前記試料粒子の空間的な
分布を検出すると共に、粒子径と散乱光強度の角度依存
性の関係より前記試料粒子の粒径を算出する演算部とを
具備してなることを特徴とする試料検出装置を提供す
る。
【0008】
【作用】本発明は前述の手段により、レーザー光源から
のレーザービームは光源部から試料面に入射され、対象
とする面はレーザービームで走査される。レーザービー
ムで走査された試料面に試料粒子が存在すればその粒子
からレーザービームの散乱光が生じ、検出部において検
出される。検出部での出力信号は粒子が存在すればそれ
に応じた出力が発生し、粒子が存在しないと出力を生じ
ることがなく、これらの信号は演算部に入力される。演
算部では、これらの信号によりレーザービーム走査位置
に対応する散乱光の強度分布を求めると共に散乱強度の
角度依存性は粒子のサイズにより異る性質があるのでこ
の関係より試料粒子の径を演算し、求める。
【0009】このように本発明の試料検出装置において
は、散乱光の検出部に集光光学系を用いないことによ
り、検出部のコンパクト化が可能であり、検出機構全体
を小型化することが可能である。また、光源部でレーザ
ービームを走査することによる試料の濃度検出方式は、
試料の位置検出精度がレーザービームの走査精度にのみ
依存し、検出部の光学系の精度には依存しないため、レ
ーザービーム径を小さくすることおよび走査精度を高め
ることにより高精度化が可能である。
【0010】さらに、検出部で、例えば、CCDライン
センサで散乱光を直接計測することにより、散乱光の平
均的強度と散乱光強度の角度依存性が同時に計測可能で
あり、レーザービームが照射されている部分の試料の濃
度および試料の粒径を同時に計測することを可能とす
る。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて具体
的に説明する。図1は本発明の一実施例に係る試料検出
装置の構成図である。図において、1はレーザー光源、
2はガルバノミラー、3はレンズ、4は定電流電源、5
はレンズ、6は液中あるいは空気中に存在する微粒子、
等の試料面で7は検出槽、8はCCDラインセンサ、9
はコンピュータである。
【0012】このような構成において、レーザー光源1
のビーム光Aは、ガルバノミラー2により反射し、検出
槽7内の試料面6の一点に入射する。ガルバノミラー2
は定電流電源4から加えられる電流により角度が調整で
き、コンピュータ9からの指令により定電流電源4の電
流値を制御することによりビーム光をA1→A2→A3
の方向の任意の位置に連続的に走査することが可能であ
る。このときレンズ3及びレンズ5により、検出槽7の
試料面6に入射する走査ビーム光は平行性が保たれる。
試料からの散乱光は、検出槽7の背面に配置されたCC
Dラインセンサ8により検出され、コンピュータ9に入
力され、処理される。
【0013】図2は散乱光を検出するCCDラインセン
サ8の配置を示すものである。散乱光Bを検出するため
のCCDラインセンサ8は、走査ビームの光軸から角度
θ回転した方向に配置され、試料Pからの散乱光Bを直
接測定する。走査ビームの直接透過光は、計測雑音の低
減のため、ミラー12によりCCDラインセンサ8に検
出されない方向へ反射される。
【0014】散乱光強度の角度分布から試料の粒径を計
測するためには、θが低角度の散乱光を検出するのが効
果的である。この場合、図3に示すように、前述と同様
に直接透過光はミラー12により検出されない方向に反
射し、CCDラインセンサ8の前方に凹面シリンドリカ
ルレンズ11を配置し、低角度の散乱光を屈折させ、C
CDラインセンサ8に導く方法が有効である。
【0015】図4はCCDラインセンサ8の計測データ
の例を示すものである。走査ビーム光が検出槽7内の試
料のない位置に入射している場合、CCDラインセンサ
8は(a)に示すように領域21では信号を出力しな
い。これに対し、走査ビーム光が検出槽内の試料Pの位
置に入射した場合は入射光は試料Pにより散乱され、C
CDラインセンサ8は(b)に示すような出力信号を出
力する。この斜線の領域20を積分することにより、現
在の走査ビーム光が入射している点での試料Pからの散
乱光の強度が求められる。
【0016】このように、試料面6に入射する走査ビー
ム光の位置を走査し、各位置で上記に述べた散乱光の強
度を求めることにより、散乱光の強度の空間分布を求め
ることができる。散乱光の強度は試料の濃度に対応する
ものであり、したがって、試料の各位置での濃度分布を
測定することができる。
【0017】図5は本発明において、試料による散乱光
強度の角度依存性を計測するためのラインセンサ8の配
置の概念を示すものである。図において、ラインセンサ
8上の座標Xにおいて計測される散乱光Bの散乱角度φ
は、検出すべき試料Pの位置からラインセンサまでの距
離lと、角度θを用いて、次式で表される。
【0018】
【数1】
【0019】すなわち、ラインセンサ8上の各点での散
乱光強度は、それぞれ異なった散乱角度φでの散乱光強
度を測定していることにほかならない。光の波長と同等
あるいはそれ以上の粒径をもつ粒子からの散乱光強度の
散乱角度依存性は、粒子サイズにより異なる傾向がある
ことが知られている。この理論的な散乱光強度の散乱角
度依存性と本発明による検出機構のCCDラインセンサ
で検出される散乱光強度の散乱角度依存性を比較するこ
とにより、試料粒子のサイズの計測が可能となる。
【0020】図6は本発明による試料検出装置により散
乱光強度の角度依存性を計測した結果の一例を示すもの
である。(a)は粒子径1.1μmのラテックス球を試
料として用いた場合の計測結果ならびに理論より計算さ
れる散乱光強度の角度依存性を示すものであり、(b)
は粒子径6.4μmの場合について同様に示したもので
あり、実際の計測結果と理論計測結果の一致が確認され
ている。
【0021】図7は本発明における試料の空間的濃度分
布ならびに試料の粒径を計測するための制御フローの一
例を示すものである。図において、手順101で装置を
初期化し、レーザー走査開始位置を初期設定する。
【0022】手順102において、CCDラインセンサ
8の出力データをコンピュータ9で取得し、手順103
でCCDラインセンサ8全体に渡るデータを積分するこ
とにより散乱光の強度を求め(散乱光強度演算)、レー
ザー光の走査位置のデータならびに散乱光強度データを
記録する。
【0023】手順104において、手順103で求めら
れた散乱光強度があらかじめ設定されているしきい値よ
り大きいか判断し、散乱光強度がしきい値より大きい場
合、レーザー光の走査位置に試料粒子が存在すると判断
し、粒径計測を行う。
【0024】手順111において、CCDラインセンサ
8上の各位置における散乱光強度を測定し、式で示した
関係を用いて散乱光強度の角度依存性を演算する。次に
手順112において、手順111で演算した散乱光強度
の角度依存性と理論計算から導かれる散乱光強度の角度
依存性を比較することにより、試料粒径を計算する。計
算結果は、手順122において出力され、手順105へ
移る。
【0025】一方、手順104において散乱光強度がし
きい値より大きくないと判断された場合は、手順105
へ移り、レーザービームの走査があらかじめ設定された
全範囲の走査を終了したか判断し、終了していない場合
はレーザービームの走査位置をあらかじめ設定された移
動量のみ移動させ、手順102からの手順を繰り返す。
【0026】手順105で全範囲の走査が終了したと判
断された場合は、手順121で全走査位置における散乱
光強度分布を出力し、計測を終了する。
【0027】図8はレーザービームの走査機構を光ファ
イバにより行う場合の斜視図であり、LEDマトリック
ス22からの光を光ファイバ23でセンサまで導き、ビ
ームを交互に点灯させて走査を行う例を示している。こ
のような走査を行っても同様の効果が得られるものであ
る。
【0028】以上説明の試料検出装置は要するに、試料
Pの散乱光Bを計測する検出試料Pに入射する光はビー
ム状とし、1点にのみ入射し、入射位置をガルバノミラ
ー2で走査できる光源部とする。散乱光の検出部は、C
CDラインセンサ8を用い、走査された各位置での散乱
光を集光せずにコンピュータ9に入力し、散乱光強度の
みを直接測定し、光源部からの入射光の走査位置と、検
出部で検出した散乱光強度を対応付けることにより試料
における試料の位置を測定する構成とする。又、CCD
ラインセンサ8の配置を考慮することにより、試料Pの
位置検出を行うのと同時に試料Pからの散乱光強度の角
度依存性の計測を行うことにより、試料Pの粒径計測が
可能とするものである。
【0029】このような試料検出装置により、検出部の
コンパクト化が可能であり、検出機構全体を小型化する
ことが可能である。また、光源部でレーザービームAを
走査することによる試料Pの濃度検出方式は、試料Pの
位置検出精度がレーザービームAの走査精度にのみ依存
し、検出部の光学系の精度には依存しないため、レーザ
ービーム径を小さくすることおよび走査精度を高めるこ
とにより高精度化が可能である。さらに、検出部のCC
Dラインセンサ8で散乱光Bを直接計測することによ
り、散乱光の平均的強度と散乱光強度の角度依存性が同
時に計測可能であり、レーザービームが照射されている
部分の試料の濃度および試料の粒径を同時に計測するこ
とを可能とする。
【0030】又、本実施例の試料検出装置は試料を連続
的に供給するようにした無担体電気泳動用試料検出器と
しても適用でき、大きな処理能力を有する装置として利
用することができるものである。従って、DNA、細胞
の分離などへの分野で利用できるものである。
【0031】なお、上記の実施例ではレーザービームの
走査機構は、ガルバノミラー2を用いる方法の例で説明
したが、この他に、ポリゴンミラーを用いる方法あるい
は図8に示すように光ファイバー23により導入される
ビームを交互に点灯させることによっても同様の効果が
得られるものである。
【0032】
【発明の効果】以上、具体的に説明したように、本発明
はレーザービームを走査し、試料に入射する光源部、試
料粒子からのレーザービーム散乱光を検出する検出部及
び検出部の検出信号に基づいて試料粒子の散乱光の強度
分布と散乱光強度の角度依存性から試料の粒子径を算出
する演算部を備えてなる散乱光検出方式の試料検出装置
の構成としたので、次のような効果を奏するものであ
る。
【0033】(1)試料粒子の位置検出を光学系の精度
に依存せずレーザービームの走査位置精度にのみ依存す
る高精度計測が可能になるとともに、同時に試料の流系
を計測することが可能となる。
【0034】(2)また、散乱光検出部に光学系を用い
ないことから、装置のコンパクト化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る試料検出装置の全体構
成図である。
【図2】本発明の一実施例に係る試料検出装置における
CCDラインセンサの配置図である。
【図3】本発明の一実施例に係る試料検出装置における
CCDラインセンサの配置図で、凹面レンズを用いた場
合の例である。
【図4】本発明の一実施例に係る試料検出装置による出
力信号を示す図で、(a)はビーム光が試料のない位置
に入射した場合、(b)は試料の位置に入射した場合の
出力信号をそれぞれ示す。
【図5】本発明の一実施例に係る試料検出装置のCCD
ラインセンサによる散乱光強度の角度依存性計測の概念
図を示す。
【図6】本発明の一実施例に係る試料検出装置による散
乱光強度の角度依存性の計測結果及び理論計測値を示す
図で、(a)は粒子径が1.1μmの場合、(b)は粒
子径が6.4μmの場合を示す。
【図7】本発明の一実施例に係る試料検出装置の制御フ
ローチャートである。
【図8】本発明の他の実施例に係る試料検出装置のビー
ム走査機構を示す図で、光ファイバーによるビームの取
出しを示している。
【図9】従来の光散乱方式試料検出装置の構成図であ
る。
【符号の説明】
1 レーザー光源 2 ガルバノミラー 3 レンズ 4 定電流電源 5 レンズ 6 試料面 7 検出槽 8 CCDラインセンサ 9 コンピュータ 11 シリンドリカルレンズ 12 ミラー

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザー光源から発するレーザービーム
    を走査しながら液中あるいは空気中に存在する微粒子等
    からなる試料粒子に入射する光源部と;同光源部からの
    レーザービームの前記試料粒子からの散乱光を直接検出
    する検出部と;同検出部からの検出信号を取込み、前記
    レーザービームの各走査位置での前記散乱光の強度を求
    めることにより前記試料粒子の空間的な分布を検出する
    と共に、粒子径と散乱光強度の角度依存性の関係より前
    記試料粒子の粒径を算出する演算部とを具備してなるこ
    とを特徴とする試料検出装置。
JP7109593A 1995-05-08 1995-05-08 試料検出装置 Pending JPH08304259A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7109593A JPH08304259A (ja) 1995-05-08 1995-05-08 試料検出装置

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JP7109593A JPH08304259A (ja) 1995-05-08 1995-05-08 試料検出装置

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JPH08304259A true JPH08304259A (ja) 1996-11-22

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ID=14514206

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JP (1) JPH08304259A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007024783A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Shimadzu Corp 粒度分布測定装置
JP2010236920A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Jasco Corp 微粒子測定装置
CN108139310A (zh) * 2016-01-06 2018-06-08 Lg伊诺特有限公司 颗粒感测装置

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Effective date: 20030506