JPH08298281A - 物体表面上の特徴的部分を利用した物体上の部位を求める方法及び物体の位置決め方法 - Google Patents

物体表面上の特徴的部分を利用した物体上の部位を求める方法及び物体の位置決め方法

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JPH08298281A
JPH08298281A JP2051296A JP2051296A JPH08298281A JP H08298281 A JPH08298281 A JP H08298281A JP 2051296 A JP2051296 A JP 2051296A JP 2051296 A JP2051296 A JP 2051296A JP H08298281 A JPH08298281 A JP H08298281A
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Dan Eylon
ダン・エイロン
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 直交するグリッドラインのアレイと、複数
の特徴的部分とをその表面上に有する、シリコンウエハ
等の物体上の部位を求め、物体の位置決めを行うための
方法を提供する。 【解決手段】 本発明の方法では、基準座標系に対す
るグリッドラインの方向を求め、グリッドジャンクショ
ンを検出し、特徴的部分の1つの方向を検出することに
より、基準座標系に於けるグリッドジャンクションの部
位を求める。別の実施例では、基準座標系に対するグリ
ッドラインの方向を求め、このグリッドラインの方向に
対する相対的方向と、物体表面上の幾何学的中心からの
距離とが既知である非対称方向的特徴的部分を検出し、
更にその方向を検出して、前記基準座標系に於ける前記
非対称方向的特徴的部分の部位を求める。物体は、求め
られたグリッドジャンクションの部位に基づいて位置決
めされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、物体、特に半導体
ウエハの表面上に於ける部位を求め、それに基づいて位
置決めを行うための方法に関する。
【0002】
【従来の技術】当該技術分野に於いてよく知られている
ようにコンピュータチップのような半導体チップは、典
型的にはシリコンウエハである基板を備える形で製造さ
れる。シリコンウエハの製造工程に於いては、品質管理
及びウエハを個別のチップにカットする工程等の様々な
目的のために、ウエハ上に於ける位置決めを行うことが
不可欠である。
【0003】インテル社製またはIBM社製等の一般的
なシリコンウエハは、図1に示すように分散した幾何学
的な特徴的部分を有し、そこにマーキングをなされてい
るのが一般的である。図1に符号10を付して示された
シリコンウエハは、全体的には円形であるが、その一部
に平坦なエッジであるオリエンテーションフラット11
若しくはノッチ(図示せず)を有する。
【0004】従来のシリコンウエハの方向を求めるため
の方法は、ウエハをステージ上で回転させながら、シリ
コンウエハのノッチ若しくはオリエンテーションフラッ
ト11の区間を、センサを用いて検出する過程を有する
のが一般的であった。このような方法を用いた場合には
時間がかかるだけでなく、ウエハの周囲、若しくは少な
くともセンサに対向するノッチ若しくはオリエンテーシ
ョンフラットの部分に於ける形状に高い精度が要求され
た。更に、ステージが回転できない場合にはこの方法を
適用することができなかった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、物体、特にシリコンウエハの表面に於ける部位を求
めるための改善された方法を提供することである。
【0006】更に、本発明の目的は、物体、特にシリコ
ンウエハの位置決めのための改善された方法を提供する
ことである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、シリコ
ンウエハ上に一般に設けられている特徴的部分のよう
な、物体上の特徴的部分を利用することによって、達成
することができる。
【0008】上記の目的を達成すべく、本発明の好適実
施例に基づき、一般的に直交するグリッドラインのアレ
イと、複数の特徴的部分とを表面上に有する物体上の部
位を求めるための方法であって、 a.前記グリッドラインの、基準座標系に対する方向を
求める過程と、 b.前記物体表面上の幾何学的中心からの距離が既知で
あるグリッドジャンクションを検出する過程と、 c.前記複数の方向的な特徴的部分の1つの方向を検出
し、前記基準座標系に於ける前記グリッドジャンクショ
ンの部位を求める過程とを有することを特徴とする物体
上の部位を求めるための方法が提供される。
【0009】更に、本発明の好適実施例に基づき、一般
的に直交するグリッドラインのアレイと、複数の特徴的
部分とを表面上に有する物体の位置決めを行うための方
法であって、 a.前記グリッドラインの、基準座標系に対する方向を
求める過程と、 b.前記物体表面上の幾何学的中心からの距離が既知で
あるグリッドジャンクションを検出する過程と、 c.前記複数の方向的な特徴的部分の1つの方向を検出
し、前記基準座標系に於ける前記グリッドジャンクショ
ンの部位を求める過程と、 d.前記グリッドジャンクションの前記求められた部位
に基づいて、前記物体の位置決めを行う過程とを有する
ことを特徴とする物体の位置決めを行うための方法が提
供される。
【0010】更に、本発明の好適実施例に基づき、一般
的に直交するグリッドラインのアレイと、少なくとも1
つの非対称方向的特徴的部分とを表面上に有する物体上
の部位を求めるための方法であって、 a.前記グリッドラインの、基準座標系に対する方向を
求める過程と、 b.前記グリッドラインの前記方向に対する相対的方向
と、前記物体表面上の幾何学的中心からの距離とが既知
である非対称方向的特徴的部分を検出する過程と、 c.前記非対称方向的特徴的部分の方向を検出し、前記
基準座標系に於ける前記非対称方向的特徴的部分の部位
を求める過程とを有することを特徴とする物体上の部位
を求めるための方法が提供される。
【0011】更に、本発明の好適実施例に基づき、一般
的に直交するグリッドラインのアレイと、少なくとも1
つの非対称方向的特徴的部分とを表面上に有する物体の
位置決めを行うための方法であって、 a.前記グリッドラインの、基準座標系に対する方向を
求める過程と、 b.前記グリッドラインの前記方向に対する相対的方向
と、前記物体表面上の幾何学的中心からの距離とが既知
である非対称方向的特徴的部分を検出する過程と、 c.前記非対称方向的特徴的部分の方向を検出し、前記
基準座標系に於ける前記非対称方向的特徴的部分の部位
を求める過程と、 d.前記少なくとも1つの非対称方向的特徴的部分の前
記求められた部位に基づいて、前記物体の位置決めを行
う過程とを有することを特徴とする物体の位置決めを行
うための方法が提供される。
【0012】更に、本発明の好適実施例に基づき、前述
の方法に於いて、前記グリッドラインの、基準座標系に
対する方向を求める過程の前に、前記物体を支持体上に
配置する過程が加えられ、前記支持体の座標系が前記基
準座標系であり、その原点は前記物体表面上の幾何学的
中心に一致し、このことによって、検出されたグリッド
ジャンクションが前記物体表面上の幾何学的中心に隣接
するグリッドジャンクションの中の1つであることを保
証するという特徴が加えられる。
【0013】更に、本発明の好適実施例に基づき、前述
の方法に於いて、グリッドジャンクションを検出する過
程が、 a.前記グリッドラインの1つの方向に一致する方向に
移動する過程であって、その移動方向に垂直な方向に延
びるグリッドラインが検出されるまで移動する、該過程
と、 b.前記検出されたグリッドラインに沿って、グリッド
ジャンクションが検出されるまで移動する過程とを含む
という特徴が加えられる。
【0014】更に、本発明の好適実施例に基づき、前述
の方法に於いて、グリッドラインの方向を検出する過程
及びグリッドジャンクションを検出する過程が、前記物
体表面の表示と、それに対する基準の表示との間の相関
を表す関数を用いる過程を含むという特徴が加えられ
る。また、前記表示は1次元の関数若しくは2次元の像
として示されるものである。
【0015】更に、本発明の好適実施例に基づき、前述
の方法に於いて、前記特徴的部分が前記グリッドジャン
クションに存在すること、また、前記特徴的部分が、前
記グリッドジャンクションに於いて検出されない場合、
異なるグリッドジャンクションに移動する過程を含むと
いう特徴が加えられる。
【0016】更に、本発明の好適実施例に基づき、前述
の方法に於いて、前記物体がシリコンウエハであるこ
と、また、前記グリッドラインが、前記シリコンウエハ
のチップの間のスクライブラインであり、前記グリッド
ジャンクションが、スクライブラインの交差部分である
という特徴が加えられる。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明は、物体上の部位を求める
ための方法、またシリコンウエハのような物体の位置決
めのための方法を提供するものである。本発明に於いて
は、物体の表面上の幾何学的特徴的部分を利用するが、
以下に詳細に述べるように、この幾何学的特徴的部分は
一般にシリコンウエハ上に設けることができるものであ
る。
【0018】図1に示すように、シリコンウエハ10
が、スクライブライン12が互いに垂直に交差したグリ
ッドを有している。このスクライブラインに沿ってシリ
コンウエハは最終的にチップ13のようなチップに切断
され、逆に言えば各チップはウエハから作られるのであ
る。スクライブライン上には、拡大図15に示されるよ
うに、黒い四角形及び3本の線のようなマーキングが施
されているのが一般的である。
【0019】2本のスクライブラインの交差する部分で
あるジャンクション14にも、拡大図16に示すよう
に、矢印20のような特徴的なマーキングが施されてい
る。
【0020】シリコンウエハ10は、少なくとも1つの
非対称方向的特徴的部分22を有し、これは1個または
2個以上のチップ13上、及び/若しくは1つまたは2
つ以上のスクライブライン12上またはジャンクション
14に存在する。
【0021】図2を参照すると、本発明の好適実施例を
実現するべく構築され、かつ動作するシリコンウエハ位
置決めシステムの概略的なブロック図が示されている。
このシリコンウエハ位置決めシステム100は、例えば
IBM製のパソコンのようなコンピュータ102、及び
可動光学的アセンブリ104を有する。
【0022】コンピュータ102は、CPU106、C
ortexIフレームグラバーカードのようなフレーム
グラバーカード(frame grabber card)108、及びデ
ィスプレイ110を有するものであるのが好ましい。更
に、これは必ずしも必要ではないが、ディスプレイ11
0は、CPU106に入力されるコマンドの表示用と、
像表示用の2つのディスプレイを有するものであるのが
好ましい。
【0023】可動光学的アセンブリ104は、XYステ
ージ112と、それに接続されたビデオカメラ114
と、光学的拡大システム116とを有するのものである
のが好ましい。
【0024】光学的拡大システム116は、光源、顕微
鏡、及びフォーカシングアセンブリを有することが好ま
しい。光源は、キセノンまたはハロゲンランプであっ
て、ウエハ10の表面を照射し、顕微鏡は、例えば10
倍程度の所望の倍率で像を拡大する。フォーカシングア
センブリは、顕微鏡をウエハ10に接近させたり、そこ
から離したりするように動かして、ビデオカメラ114
に於いて、焦点の合ったシャープな像が得られるように
するものである。
【0025】フォーカシングアセンブリは移動システム
(図示せず)にも接続されており、これによって光学的
拡大システム116を動かして焦点を合わせることが可
能となる。移動システムはCPU106によって制御さ
れる。
【0026】本発明の好適実施例の1つによれば、シリ
コンウエハ位置決めシステム100は、符号10で示さ
れるようなシリコンウエハ上の所望の部位を求めるべく
動作する。シリコンウエハ10の選択された部分の像は
比較的小さい面積の像であることが好ましく、この像の
面積は光学的拡大システムによって決定される。この像
はビデオカメラ114によって感知され、フレームグラ
バーカード108を介してCPU106へ与えられる。
CPU106は像を分析し、またXYステージ112を
動かすことによって可動光学的アセンブリ104の位置
を調節する。物体上の部位を求めるための処理内容は以
下に詳細に記述するが、以上のような処理が繰り返され
て最終的に所望の部位が見つけられる。
【0027】本発明の他の好適実施例によれば、シリコ
ンウエハ位置決めシステム100は、例えばシリコンウ
エハ切削システムのような何らかのシステムに関連する
所望の位置にシリコンウエハ10を位置決めするべく動
作する。
【0028】図3を参照すると、本発明の好適実施例に
基づく、シリコンウエハ上の所望の部位を求めるための
方法を示す流れ図が示されている。図3の流れ図は、本
発明の好適実施例に基づき、図2のシステムを利用して
実行される方法である。この方法では、約1μmの検知
精度が得られる。
【0029】図3の方法を用いるために、初めにウエハ
10がシステムのステージ上に、例えばユーザーの手に
よって置かれる。このようにウエハを手で配置すること
によって、シリコンウエハの中心の位置が、ステージも
対して若しくは可動光学アセンブリに対して約1ミリ程
度の誤差を含んだ配置となる。
【0030】従来の方法及びシステムと異なり、本発明
の方法ではシリコンウエハの回転が不要であることが理
解されよう。また、シリコンウエハの形状の精度も部分
的に低くて済むことにもなる。
【0031】次に、可動光学的アセンブリ104がウエ
ハの中心の上に配置され、本発明の方法の実施を開始す
る準備が整えられる(ブロック202)。
【0032】シリコンウエハのステージ及び可動光学的
アセンブリは、好ましくは、座標系を有するものである
ことに注意されたい。この座標系は原点がステージの中
心である直交座標系であることが好ましい。
【0033】図3の方法によれば、シリコンウエハ10
の主方向、即ちスクライブラインの方向が始めに求めら
れる(ブロック204)。この方向はステージの座標系
に対して定められるのが好ましい。つまり、方向がステ
ージの座標系に対する回転角として表現されるのであ
る。
【0034】ステージの座標系に対するスクライブライ
ンの方向は、ウエハ表面上の要素の大半が、シリコンウ
エハ10の主方向と平行なラインによって囲まれた形状
であるという事実を利用した、適切な方法によって求め
られる。
【0035】本発明の好適実施例によれば、捕捉された
像にハフ変換(Hough transform)を施し、選択された
方向のラインの大きさに関する情報を得て、どのライン
がスクライブラインかを検出する。
【0036】ひとたびスクライブラインの方向が決定さ
れると、図の符号206、208、及び210を付して
示されたブロックのループによって、可動光学的アセン
ブリ104がスクライブラインの主方向の1つに沿って
1回につき1ステップ移動し、最終的に該ラインの方向
に対して垂直に横切るスクライブラインが検出される。
【0037】シリコンウエハは、約1mmの誤差を含
み、正確にではないがステージの中心部に配置されてお
り、また、光学的可動アセンブリ104の移動距離は知
ることができるので、検出されたスクライブラインがウ
エハの中心を取り囲む4本のスクライブラインの1つで
あるか否かを知ることができる、ということは理解され
よう。
【0038】スクライブラインの検出には、像の中の既
知の特徴的部分を検出する適当な方法が用いられる。例
えば、シリコンウエハ表面の像とコンピュータ102に
格納された基準像との相関を表す関数を用いる方法があ
る。これとは別に、各チップの寸法は概ね同一で、スク
ライブラインの幅も概ね一定であるため、基準像のスク
ライブラインと概ね等しい幅を有するラインのみを表示
する像を用いて、ライン間の相関を調べる方法によって
もスクライブラインの検出を行うことができる。
【0039】本発明の好適実施例の1つによれば、スク
ライブラインの検出のために、シリコンウエハ上の特徴
的部分を表す1次元の関数と基準関数との相関が用いら
れる。この場合、2次元の像を表す1次元の関数を得る
べく、シリコンウエハ上のスクライブラインと同じ方向
のラインに沿った画素値の大きさが合計され、平均が求
められる。即ち各ラインの光強度の平均値が求められ
る。次に該ラインに垂直な向きのベースライン上の各位
置に於ける光強度値をプロットすることによって像を表
す一次元の関数が求められる。ここで、光強度値とは、
モノクロ画像のグレーレベル値、若しくはカラー画像の
RGB値を指す。
【0040】次に、可動光学的アセンブリ104が、検
出されたスクライブラインに沿って、スクライブライン
どうしが交差する部位に移動させられる(ブロック21
2)。この交差部分は、前記のジャンクションと称され
た部位である(ブロック214)。
【0041】ジャンクションの部位は、像(好ましくは
ジャンクションの拡大された像)とコンピュータ102
に格納された基準像との間の相関を表す第2の関数によ
って検出されうる。別の方法として、あるいは今述べた
方法に更に加えて、上述した2つの直行するスクライブ
ラインについての相関を表す関数を求める手続を用いて
2つのスクライブラインの交差部分を求めることによっ
てもジャンクションの位置が検出されうる。
【0042】検出されたジャンクションはシリコンウエ
ハの幾何学的中心に隣接する4つのジャンクションのう
ちの1つである。4つのジャンクションのどのジャンク
ションかを確認し(ブロック216)、シリコンウエハ
上の正確な部位を求めるために、可動光学的アセンブリ
が、図1のジャンクション16の矢印20のような識別
可能な特徴的部分を探す(ブロック218)。4つの隣
接するジャンクションの1つ、即ちチップのコーナー部
分の1つには識別可能な特徴的部分が設けられているこ
とが好ましい。
【0043】ブロック220によって示されているよう
に識別可能な特徴的部分が検出された場合は、ブロック
222に示されるようにウエハが座標系に対して一定の
方向を向くようにされる。可動光学的アセンブリは、シ
リコンウエハ上の所望の部位に移動することができる。
【0044】識別可能な特徴が検出されない場合は、ブ
ロック224に示すように可動光学的アセンブリを隣接
するジャンクションに移動し、これが識別可能な特徴的
部分が検出されるまで繰り返される。即ちブロック21
8及び220によって示されるループが繰り返されて、
最終的に識別可能な特徴的部分が検出されるのである。
【0045】図4を参照すると、本発明の別の好適実施
例に基づく、シリコンウエハ上の所望の部位を求めるた
めの第2の方法を表す流れ図が示されている。図4の流
れ図が示すのは、本発明の第2の好適実施例に基づく、
図2のシステムを用いて実行される方法である。この方
法により約1μmの精度で部位が検出できる。
【0046】図3の方法と同様に、図4の方法を用いる
ために、初めに例えばユーザーの手によってウエハ10
がシリコンウエハ位置決めシステムのステージ上に置か
れる。前述のように、手でウエハを配置することにより
シリコンウエハの中心の位置が、ステージに対して若し
くは可動光学的アセンブリに対して約1mm程度の誤差
を含んだ配置となる。
【0047】次に可動光学的アセンブリ104がウエハ
の中心の上に配置され、本発明の方法の実施が、ブロッ
ク302によって示されているように開始される。
【0048】図4の方法によれば、シリコンウエハ10
の主方向、即ちスクライブラインの延びる方向が、ブロ
ック304に示されているように求められる。この方向
はステージ上の座標系に対して定められるのが望まし
い。つまり、ステージの座標系に対する回転角として方
向が表されるのである。
【0049】図3のブロック204と同様に、ブロック
304に於いてステージの座標系に対するスクライブラ
インの方向が求められるが、ここで用いられる方法は、
図3の方法に関連して前述したどの方法でもよい。
【0050】ひとたびスクライブラインの方向が決定さ
れると、可動光学的アセンブリ104(図2に示す)
は、内部に非対称方向的特徴的部分22を含む4つの部
位の1つに移動させられる。そしてブロック306に示
すように、選択された部位に於いて前記非対称方向的特
徴的部分22の検出が試みられる。これについては以下
に詳述する。
【0051】シリコンウエハは、約1mmの誤差を含
み、正確にではないがステージの中心に配置され、ま
た、可動光学的アセンブリ104の移動距離は知ること
ができるので、検出された非対称方向的特徴的部分22
が、ウエハの中心を取り囲む4つのチップの1つの中に
存在しているのか否かが確認できる、ということは理解
されよう。
【0052】更に、非対称方向的特徴的部分22の相対
的方向が図5A〜図5Dに示すように既知である場合
は、非対称方向的特徴的部分22を検出することによっ
て、ウエハ10の上の部位の絶対的な位置が求められる
ということも理解されたい。非対称方向的特徴的部分2
2の、主方向に対する相対的方向は何らかの適切な方法
によって求められ得るが、その方法の例としては、可動
光学的アセンブリ104を用いてウエハ10をスキャン
し、オリエンテーションフラット11に対する非対称方
向的特徴的部分22の相対的方向を格納する方法があ
る。このとき、図4に示された方法のような正確な部位
の確認を行う必要はない。
【0053】図5A〜図5Dには、オリエンテーション
フラット11に対して4つの異なった向きの非対称方向
的特徴的部分22が示されている。即ちここでは、ひと
たび非対称方向的特徴的部分が検出されると、ウエハの
主方向、即ちスクライブラインの方向に対する特徴的部
分の相対的方向が分かり、ウエハ上の1つの部位が画定
されることが示されているのである。
【0054】ブロック306に於いては、非対称方向的
特徴的部分22が適当な方法によって探されるが、この
方法の例として、以下に述べる2つの方法がある。ブロ
ック308によって示されるように、非対称方向的特徴
的部分22が検出された場合は、310に示すようにシ
リコンウエハ上の正確な部位が求められる。非対称方向
的特徴的部分22が初めの部位に於いて検出されない場
合は、ブロック312に示すように、可動光学的アセン
ブリ104が第2の部位に移動させられる。
【0055】更に、ブロック306及び308に於いて
特徴的部分の検出過程が繰り返され、非対称方向的特徴
的部分22を検出し、正確な部位が求められる(ブロッ
ク310)か、若しくは可動光学的アセンブリ104が
続けて第3の部位に移動させられる。
【0056】本発明の好適実施例の1つによれば、可動
光学的アセンブリ104は各部位に於ける1つの位置に
動いて、検出ブロック306及び308が実施され、検
出されない場合にはこの処理は継続される(ブロック3
12)。即ち、一旦非対称方向的特徴的部分22が各検
出可能な部位に於いてサーチされた後、ブロック30
6、308、及び312が繰り返されるのである。この
サイクルは継続させられて、特徴的部分が検出されるこ
とが期待される4つの部位のうちの1つに於いて非対称
方向的特徴的部分22が検出されることになる。ここ
で、各部位に於いて非対称方向的特徴的部分22を検出
しようとする試みは、1サイクルの間に1回実行され
る。
【0057】これとは別に、各部位に於ける特徴的部分
のサーチに際しては、非対称方向的特徴的部分22が検
出されることが期待される部位の近傍の複数の部位に於
けるサーチが行われる。即ちブロック306及び308
は、可動光学的アセンブリ104を1つの部位の中の複
数の位置の間で動かし、非対称方向的特徴的部分22を
検出する過程を含んでいる。非対称方向的特徴的部分2
2が検出された場合は、ループはブロック310で終了
し、検出されない場合はブロック312に於いて第2の
部位に移動して続行される。次に特徴的部分のサーチは
第2の部位に於いて繰り返され、そこで非対称方向的特
徴的部分22が検出されない場合は、第3の、更に必要
ならば第4の非対称方向的特徴的部分22が検出される
ことが期待される部位に於いて処理が続けられる。
【0058】図4に関連して記述された実施例には、1
つの非対称方向的特徴的部分を検出しその方向を知るこ
とによって、ウエハ10上の部位の絶対的な位置を求
め、物体のほぼ絶対的な位置決めを行うことができると
いう利点があることを理解されたい。
【0059】上述の好適実施例は単なる例示として示し
たものであり、本発明の範囲を逸脱することなくさまざ
まな改変が可能であることも理解されたい。即ち、可動
光学的アセンブリ104を固定し、シリコンウエハのス
テージを可動式にすることも可能である。
【0060】また、本発明はシリコンウエハに限られる
ものでないことも理解されたい。即ちその表面にグリッ
ド及びグリッドのジャンクションに於いて識別可能な特
徴的部分が設けられている物体であれば、本発明を適用
して所望の位置を検出することが可能である。
【0061】
【発明の効果】以上より、本発明に基づき、直交するグ
リッドラインのアレイと、複数の特徴的部分とをその表
面上に有するシリコンウエハ等の物体上の部位を求め、
更に、それに基づいて物体の位置決めを行うための方法
が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の一般的なシリコンウエハの模式図であ
る。
【図2】本発明の好適実施例に基づいて構築され動作す
る、シリコンウエハの位置決めを行うためのシステムの
概略的なブロック図である。
【図3】本発明の好適実施例に基づく、シリコンウエハ
上の正確な部位を求めるための方法を示す流れ図であ
る。
【図4】本発明の第2の好適実施例に基づく、シリコン
ウエハ上の正確な部位を求めるための方法を示す流れ図
である。
【図5】A〜Dからなり、それぞれ異なる4つの方向を
向いたシリコンウエハの模式図である。
【符号の説明】
10 シリコンウエハ 11 オリエンテーションフラット 12 スクライブライン 13 チップ 14 ジャンクション 15 拡大図 16 拡大図 20 矢印 22 非対称方向的特徴的部分 100 シリコンウエハ位置決めシステム 102 コンピュータ 104 可動光学的アセンブリ 106 CPU 108 フレームグラバーカード 110 ディスプレイ 112 XYステージ 114 ビデオカメラ 116 光学的拡大システム

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般的に直交するグリッドラインのア
    レイと、複数の特徴的部分とを表面上に有する物体上の
    部位を求めるための方法であって、 a.前記グリッドラインの、基準座標系に対する方向を
    求める過程と、 b.前記物体表面上の幾何学的中心からの距離が既知で
    あるグリッドジャンクションを検出する過程と、 c.前記複数の方向的な特徴的部分の1つの方向を検出
    し、前記基準座標系に於ける前記グリッドジャンクショ
    ンの部位を求める過程とを有することを特徴とする物体
    上の部位を求めるための方法。
  2. 【請求項2】 一般的に直交するグリッドラインのア
    レイと、複数の特徴的部分とを表面上に有する物体の位
    置決めを行うための方法であって、 a.前記グリッドラインの、基準座標系に対する方向を
    求める過程と、 b.前記物体表面上の幾何学的中心からの距離が既知で
    あるグリッドジャンクションを検出する過程と、 c.前記複数の方向的な特徴的部分の1つの方向を検出
    し、前記基準座標系に於ける前記グリッドジャンクショ
    ンの部位を求める過程と、 d.前記グリッドジャンクションの前記求められた部位
    に基づいて、前記物体の位置決めを行う過程とを有する
    ことを特徴とする物体の位置決めを行うための方法。
  3. 【請求項3】 一般的に直交するグリッドラインのア
    レイと、少なくとも1つの非対称方向的特徴的部分とを
    表面上に有する物体上の部位を求めるための方法であっ
    て、 a.前記グリッドラインの、基準座標系に対する方向を
    求める過程と、 b.前記グリッドラインの前記方向に対する相対的方向
    と、前記物体表面上の幾何学的中心からの距離とが既知
    である非対称方向的特徴的部分を検出する過程と、 c.前記非対称方向的特徴的部分の方向を検出し、前記
    基準座標系に於ける前記非対称方向的特徴的部分の部位
    を求める過程とを有することを特徴とする物体上の部位
    を求めるための方法。
  4. 【請求項4】 一般的に直交するグリッドラインのア
    レイと、少なくとも1つの非対称方向的特徴的部分とを
    表面上に有する物体の位置決めを行うための方法であっ
    て、 a.前記グリッドラインの、基準座標系に対する方向を
    求める過程と、 b.前記グリッドラインの前記方向に対する相対的方向
    と、前記物体表面上の幾何学的中心からの距離とが既知
    である非対称方向的特徴的部分を検出する過程と、 c.前記非対称方向的特徴的部分の方向を検出し、前記
    基準座標系に於ける前記非対称方向的特徴的部分の部位
    を求める過程と、 d.前記少なくとも1つの非対称方向的特徴的部分の前
    記求められた部位に基づいて、前記物体の位置決めを行
    う過程とを有することを特徴とする物体の位置決めを行
    うための方法。
  5. 【請求項5】 前記グリッドラインの、基準座標系に
    対する方向を求める過程の前に、前記物体を支持体上に
    配置する過程を有し、 前記支持体の座標系が前記基準座標系であり、その原点
    は前記物体表面上の幾何学的中心に一致し、このことに
    よって、検出されたグリッドジャンクションが前記物体
    表面上の幾何学的中心に隣接するグリッドジャンクショ
    ンの中の1つであることを保証することを特徴とする請
    求項1及び2の何れかに記載の方法。
  6. 【請求項6】 前記物体表面上の幾何学的中心からの
    距離が既知であるグリッドジャンクションを検出する過
    程が、 a.前記グリッドラインの1つの方向に一致する方向に
    移動する過程であって、その移動方向に垂直な方向に延
    びるグリッドラインが検出されるまで移動する、該過程
    と、 b.前記検出されたグリッドラインに沿って、グリッド
    ジャンクションが検出されるまで移動する過程とを有す
    ることを特徴とする請求項1及び2の何れかに記載の方
    法。
  7. 【請求項7】 前記グリッドラインの、基準座標系に
    対する方向を求める過程が、 前記物体表面の表示と、それに対する基準の表示との間
    の相関を表す関数を用いる過程を有することを特徴とす
    る請求項1乃至4に記載の方法。
  8. 【請求項8】 前記表示が、2次元の像であることを
    特徴とする請求項7に記載の方法。
  9. 【請求項9】 前記表示が、1次元の関数であること
    を特徴とする請求項7に記載の方法。
  10. 【請求項10】 前記特徴的部分が、前記グリッドジ
    ャンクションにあることを特徴とする請求項1及び2に
    記載の方法。
  11. 【請求項11】 前記特徴的部分が、前記グリッドジ
    ャンクションに於いて検出されない場合、異なるグリッ
    ドジャンクションに移動する過程を更に有することを特
    徴とする請求項10に記載の方法。
  12. 【請求項12】 前記物体がシリコンウエハであるこ
    とを特徴とする請求項1乃至4に記載の方法。
  13. 【請求項13】 前記グリッドラインが、前記シリコ
    ンウエハのチップの間のスクライブラインであり、前記
    グリッドジャンクションが、スクライブラインの交差部
    分であることを特徴とする請求項12に記載の方法。
  14. 【請求項14】 前記グリッドラインの、基準座標系
    に対する方向を求める過程の前に、前記物体を支持体上
    に配置する過程を有し、 前記支持体の座標系が前記基準座標系であり、その原点
    は前記物体表面上の幾何学的中心に一致し、このことに
    よって、前記検出された非対称方向的特徴的部分が前記
    物体表面上の幾何学的中心に隣接することを保証するこ
    とを特徴とする請求項3及び4の何れかに記載の方法。
  15. 【請求項15】 前記非対称方向的特徴的部分を検出
    する過程が、 a.前記非対称方向的特徴的部分が、前記物体表面上の
    第1の部位で検出されるか否かを判定する過程と、 b.前記物体表面上の第2の部位へ移動する過程と、 c.前記非対称方向的特徴的部分が検出されるまで、前
    記判定する過程と前記移動する過程とを繰り返す過程と
    を有することを特徴とする請求項3及び4の何れかに記
    載の方法。
  16. 【請求項16】 前記判定する過程が、前記移動する
    前の各部位の中の1つの位置に於いて実施されることを
    特徴とする請求項15に記載の方法。
  17. 【請求項17】 前記判定する過程が、前記移動する
    前の各部位の中の複数の位置に於いて実施されることを
    特徴とする請求項15に記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997043785A1 (fr) * 1996-05-14 1997-11-20 Komatsu Ltd. Procede d'alignement de plaquettes
JP2019160904A (ja) * 2018-03-09 2019-09-19 リンテック株式会社 方位認識装置および方位認識方法、並びに、位置決め装置および位置決め方法

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5827629A (en) * 1995-05-11 1998-10-27 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Position detecting method with observation of position detecting marks
US5965307A (en) * 1995-05-11 1999-10-12 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Position detecting method with observation of position detecting marks
US6151406A (en) 1997-10-09 2000-11-21 Cognex Corporation Method and apparatus for locating ball grid array packages from two-dimensional image data
IL123575A (en) * 1998-03-05 2001-08-26 Nova Measuring Instr Ltd Method and apparatus for alignment of a wafer
EP1098360A4 (en) * 1998-06-15 2004-09-15 Nikon Corp POSITION DETECTING METHOD, POSITION SENSOR, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US6320609B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-20 Nanometrics Incorporated System using a polar coordinate stage and continuous image rotation to compensate for stage rotation
US7295314B1 (en) 1998-07-10 2007-11-13 Nanometrics Incorporated Metrology/inspection positioning system
IL125337A0 (en) * 1998-07-14 1999-03-12 Nova Measuring Instr Ltd Method and apparatus for lithography monitoring and process control
JP4722244B2 (ja) * 1998-07-14 2011-07-13 ノバ・メジャリング・インストルメンツ・リミテッド 所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置
IL126949A (en) 1998-11-08 2004-03-28 Nova Measuring Instr Ltd Apparatus for integrated monitoring of wafers and for process control in semiconductor manufacturing and a method for use thereof
US6212961B1 (en) 1999-02-11 2001-04-10 Nova Measuring Instruments Ltd. Buffer system for a wafer handling system
IL128920A0 (en) 1999-03-10 2000-02-17 Nova Measuring Instr Ltd Method for monitoring metal cmp
WO2000054325A1 (en) 1999-03-10 2000-09-14 Nova Measuring Instruments Ltd. Method and apparatus for monitoring a chemical mechanical planarization process applied to metal-based patterned objects
IL130874A (en) * 1999-07-09 2002-12-01 Nova Measuring Instr Ltd System and method for measuring pattern structures
US8531678B2 (en) 1999-07-09 2013-09-10 Nova Measuring Instruments, Ltd. Method and system for measuring patterned structures
IL132314A0 (en) 1999-10-11 2001-03-19 Nova Measuring Instr Ltd An apparatus for in-cassette monitoring of semiconductor wafers
US6791686B1 (en) 2000-07-26 2004-09-14 Nova Measuring Instruments Ltd. Apparatus for integrated monitoring of wafers and for process control in the semiconductor manufacturing and a method for use thereof
US20020190207A1 (en) 2000-09-20 2002-12-19 Ady Levy Methods and systems for determining a characteristic of micro defects on a specimen
US6812045B1 (en) 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
US6694284B1 (en) 2000-09-20 2004-02-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least four properties of a specimen
US6919957B2 (en) 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US6673637B2 (en) 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
US6782337B2 (en) 2000-09-20 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen
US7130029B2 (en) 2000-09-20 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen
US20020114507A1 (en) * 2001-02-21 2002-08-22 Mark Lynch Saw alignment technique for array device singulation
IL144806A (en) * 2001-08-08 2005-11-20 Nova Measuring Instr Ltd Method and apparatus for process control in semiconductor manufacturing
IL145699A (en) * 2001-09-30 2006-12-10 Nova Measuring Instr Ltd Method of thin film characterization
US7085676B2 (en) * 2003-06-27 2006-08-01 Tokyo Electron Limited Feed forward critical dimension control
IL158086A (en) * 2003-09-24 2010-02-17 Nova Measuring Instr Ltd Method and system for positioning articles with respect to a processing tool
WO2005069082A1 (en) * 2003-12-19 2005-07-28 International Business Machines Corporation Differential critical dimension and overlay metrology apparatus and measurement method
IL162290A (en) * 2004-06-01 2013-06-27 Nova Measuring Instr Ltd Optical measurement system
GB0515695D0 (en) * 2005-07-29 2005-09-07 Randox Lab Ltd Method
JP4262232B2 (ja) * 2005-10-17 2009-05-13 リンテック株式会社 測定装置
DE102007010224B4 (de) 2007-02-28 2010-08-05 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Vorrichtung zum Haltern von scheibenförmigen Objekten
DE102007010223B4 (de) 2007-02-28 2010-07-29 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Bestimmung geometrischer Parameter eines Wafers und Verwendung des Verfahren bei der optischen Inspektion von Wafern
TWI495886B (zh) * 2014-01-06 2015-08-11 Wistron Corp 自動化對位系統及方法
CN106477125A (zh) * 2016-09-27 2017-03-08 杭州南江机器人股份有限公司 一种自动贴标装置以及贴标方法
JP6955955B2 (ja) * 2017-10-12 2021-10-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4856904A (en) * 1985-01-21 1989-08-15 Nikon Corporation Wafer inspecting apparatus
US4780615A (en) * 1985-02-01 1988-10-25 Canon Kabushiki Kaisha Alignment system for use in pattern transfer apparatus
JPS61277003A (ja) * 1985-05-31 1986-12-08 Mitsubishi Electric Corp ウエハ−のストリ−ト検出装置
JPS6265436A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Tokyo Sokuhan Kk ダイボンダにおけるウエハ−位置制御方法
JPH0789534B2 (ja) * 1986-07-04 1995-09-27 キヤノン株式会社 露光方法
US4918320A (en) * 1987-03-20 1990-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Alignment method usable in a step-and-repeat type exposure apparatus for either global or dye-by-dye alignment
JP2635617B2 (ja) * 1987-09-29 1997-07-30 株式会社東芝 半導体素子特性評価用の直交格子点の発生方法
US5238354A (en) * 1989-05-23 1993-08-24 Cybeq Systems, Inc. Semiconductor object pre-aligning apparatus
US5037771A (en) * 1989-11-28 1991-08-06 Cross-Check Technology, Inc. Method for implementing grid-based crosscheck test structures and the structures resulting therefrom
US5241266A (en) * 1992-04-10 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Built-in test circuit connection for wafer level burnin and testing of individual dies

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997043785A1 (fr) * 1996-05-14 1997-11-20 Komatsu Ltd. Procede d'alignement de plaquettes
JP2019160904A (ja) * 2018-03-09 2019-09-19 リンテック株式会社 方位認識装置および方位認識方法、並びに、位置決め装置および位置決め方法

Also Published As

Publication number Publication date
IL112313A (en) 1999-08-17
DE19601708A1 (de) 1996-07-18
FR2729216A1 (fr) 1996-07-12
FR2729216B1 (fr) 1998-06-19
US5682242A (en) 1997-10-28
IL112313A0 (en) 1995-03-30

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