TWI406345B - 檢查切割晶圓的檢查系統和方法 - Google Patents

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TWI406345B TW095131750A TW95131750A TWI406345B TW I406345 B TWI406345 B TW I406345B TW 095131750 A TW095131750 A TW 095131750A TW 95131750 A TW95131750 A TW 95131750A TW I406345 B TWI406345 B TW I406345B
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Description

檢查切割晶圓的檢查系統和方法 發明領域
本發明要求下述美國臨時專利的優先權：U.S.provisional patents serial number 60/712,144，標題為“Wafer Mapping and Die Alignment for Post Diced Wafer with Non Linear Distortion of Dice”；U.S.provisional patents serial number 60/712,143，標題為“Automatic die-model creation and wafer mapping for on-line wafer inspection and random retrieval of die-model data”；和U.S.provisional patents serial number 60/712,142，標題為“Automatic Visual Inspection of Post Diced Wafer Placed on a Grid”，全部都在2005年8月30日申請。
發明領域
本發明涉及檢查切割晶圓的檢查方法和檢查系統。
 發明背景
積體電路是用高度複雜和昂貴的製作過程製造的。在該過程的第一階段，是形成晶圓。晶圓包括許多晶粒，這些晶粒排列成晶粒的有序陣列，其中的晶粒彼此平行，如第1圖所示。矩形形狀的晶粒排列成行和列，並以劃線分開。這些晶粒以晶粒的X軸節距26和晶粒Y軸節距28表徵。參考第1圖，晶圓11包括許多晶粒12(0，0)-12(k，j)，總體以12表示。第1圖還畫出全局坐標系統20，它包括X軸22和 Y軸24。晶粒與這些想象的軸平行排列，並與全局坐標系統20對準。
在晶圓的最後製造階段，晶圓被切割(或鋸)，以便使不同晶粒之間分開。晶圓通常置於帶子上，並在切割處理之後，把晶圓彼此拉開，方便的是用理想的徑向力。第2圖畫出切割晶圓13、帶子37、和力(以箭頭35畫出)，該力使切割晶圓擴張。
鋸和晶圓分開過程，在切割晶圓的晶粒之間產生非直線型空間關係。每一晶粒被位移、旋轉、相對於它以前(切割前)的位置和相對於相鄰晶粒發生轉向和伸展。
第3圖畫出示例性的切割晶圓13。切割晶圓13的晶粒(總體以14表示)彼此不平行，且切割晶圓13也相對於全局坐標系統20未對準。後者的旋轉能夠起因於角度的未對準性和機械的不精密性。
晶圓和切割晶圓需要檢查缺陷。檢查可以包括晶粒與基準晶粒之間的比較。下面的專利表明各種晶圓檢查裝置和方法及對齊和對準方法：Gardopee等人的U.S.patent 5,610,102；Fredriksen等人的U.S.patent 6,021,380；O' Dell 等人的U.S.patent 6,937,753與O' Dell等人的U.S.patent 6,324,298；和Tsujita的U.S.patent 4,981,529，這裏引用所有這些專利，供參考。
各種現有技術的切割晶圓檢查方法，包括對唯一特徵進行定位、把它的定位與預料的定位比較、根據唯一特徵的實際定位到預料的定位和再到下一個預料的定位之間的 差別，改變掃描模式。
有必要提供一種能檢查切割晶圓的檢查系統和檢查切割晶圓的方法。
 發明概要
一種檢查包括多個晶粒的切割晶圓的方法，本方法包括：按照預定的像獲取方案，獲取切割晶圓多個部分的多幅像；對多幅像內多種唯一特徵進行定位；和向多個晶粒每一晶粒指配一晶粒指數，並根據多種唯一特徵的定位及至少一種預料晶粒尺寸，在多個晶粒和多個基準晶粒之間建立關聯。
一種檢查系統，本系統包括：像獲取單元，適合按照預定的像獲取方案，獲取包括多個晶粒的切割晶圓多個部分的多幅像；和處理器，適合對該多幅像內多種唯一特徵進行定位、向多個晶粒每一晶粒指配一晶粒指數、和對至少一個預料的晶粒，根據多種唯一特徵的定位，建立多個晶粒與多個基準晶粒之間的關聯。
圖式簡單說明
從下面結合附圖的詳細說明，將對本發明有更充分的瞭解和賞識，附圖有：第1圖畫出現有技術的晶圓；第2圖畫出現有技術的切割晶圓和使切割晶圓擴張的力；第3圖畫出現有技術的切割晶圓； 第4圖畫出包括多種唯一特徵的晶粒；第5圖按照本發明的實施例，畫出多幅像、晶粒、和三個坐標系統；第6圖按照本發明的實施例，畫出一種檢查晶圓的方法；第7圖按照本發明的實施例，畫出步驟流程；第8圖按照本發明的實施例，畫出第一個找到的晶粒和第二個找到的晶粒；第9圖按照本發明的實施例，畫出多個找到的晶粒；第10圖按照本發明的實施例，表明一種系統。
 較佳實施例之詳細說明
這裏僅以舉例方式，參照附圖，說明本發明的各個實施例。現在詳細地具體參考附圖，但要著重指出，出示的各種具體細節，僅僅是作為例子和為了本發明優選實施例示例性討論的目的，且出示的各種具體細節，是在提供過程中給出的，所提供的內容，相信對本發明原理和概念方面是最有用和容易理解的。就此而言，除了對本發明的基本瞭解必需以外，不試圖更詳細地表明本發明的結構細節，結合附圖的說明，可使本領域熟練人員清楚本發明的若干形式是如何實施的。
適宜的做法是，產生切割晶圓圖並使切割晶圓的每一晶粒與一晶粒指數關聯。方便的是，按照定義切割晶圓掃描模式的預定像獲取方案，獲取多幅像。所用方法不要求 為了根據唯一特徵實際的定位與該特徵預料的定位之間的差別，調整掃描模式而停止掃描過程。
此外，掃描模式可以在切割晶圓的任何定位開始，不一定從預定的定位，諸如切割晶圓的上左端開始。第一個晶粒指數可以指配給位於切割晶粒各種定位上的晶粒。
按照本發明的實施例，預定的像獲取方案，包括定義某種掃描模式，該掃描模式對唯一特徵的檢測或晶粒與晶粒指數關聯的反應是不變的。掃描模式可以，但不一定必須包括rater掃描模式。
第4圖畫出包括四種唯一特徵34(0，0，1)-34(0，0，4)的晶粒14(0，0)。這些唯一的小特徵不因切割過程而消失。一旦兩種或多種唯一特徵被識別，晶粒14(0，0)的取向連同它的位置即被確定。
第5圖按照本發明的實施例，畫出多幅像30(n-1,m)-30(n+1,m+2)、晶粒14(0，0)、和三個坐標系統。
晶粒14(0，0)定義晶粒坐標系統60(0，0)。切割晶圓的每一晶粒，定義它自身的坐標系統。這些晶粒坐標系統，通常不與全局坐標系統20對準。
第5圖還畫出多幅像，這些像代表由像獲取單元獲取的像。這些像與畫面坐標系統70對準。適宜的是，不同的晶粒坐標系統不與畫面坐標系統70對準。畫面坐標系統70可以與全局坐標系統20對準，但不一定必須這樣，如第5圖中所示。這種未對準可以從檢查系統的機械不精密和從其他原因產生。通常的情形是，全局坐標系統20與畫面坐標系 統70之間的空間關係，可以在檢查系統的校準流程中確定。
第5圖以覆蓋晶粒14(0，0)及其鄰域的一組3×3幅像30(n-1,m-1)-30(n+1,m+1)畫出。第5圖表明，像30(n-1,m-1)包括唯一特徵34(0，0，1)、像30(n+1,m-1)包括唯一特徵34(0，0，2)、像30(n-1,m+1)包括唯一特徵34(0，0，3)、和像30(n+1,m+1)包括唯一特徵34(0，0，4)。像(n-1,m)包括唯一特徵34(3，3，1)的一部分，而像30(n+1,m)包括唯一特徵34(0，0，4)的一部分。
第6圖按照本發明的實施例，畫出檢查切割晶圓的方法200。
方法200以步驟210開始，步驟210接收或產生基準晶圓圖。
步驟210之後，接著的步驟220是按照預定的像獲取方案，獲取切割晶圓多個部分的多幅像。
適宜的做法是，步驟220包括獲取部分地重疊的像。
適宜的做法是，步驟220包括在切割晶圓與像獲取單元之間引入連續的機械平移。應當指出，切割晶圓可以用連續光源照明、用脈衝光源照明，而區域照明可以用點光源、用亮場檢測或暗場檢測，如此等等。
步驟220之後，接著的步驟240是對多幅像內多種唯一特徵進行定位。
適宜的做法是，步驟240包括應用規格化相關或幾何散列法。幾何散列法在下面的論文和專利中說明：“Rehashing for Bayesian Geometric Hashing”，M.Lifshits,I.Blayvas,R. Goldenberg and E.Rivlin,Proceedings of the 17th international conference on pattern recognition (ICPR' 04)；“Geometric Hashing：An Overview”，H.J.Wolfson and I.Rigoutsos,IEEE Computational Science & Engineering,1997 IEEE；Wagman等人的U.S.patent serial number 6,941,016；Simon等人的U.S.patent serial number 7,027,651；和Silver 的U.S.patent serial number 6,993,192，這裏引用所有以上論文和專利，供參考。
適宜的做法是，步驟240包括應用多種像識別技術。
步驟240之後，接著的步驟260是根據多種唯一特徵的定位及至少一種預料晶粒尺寸，向多個晶粒每一晶粒指配一晶粒指數，並在多個晶粒和多個基準晶粒之間建立關聯。
適宜的做法是，步驟260包括步驟262，步驟262根據多種唯一特徵的定位和根據至少一個晶粒不確定性參數，確定多個晶粒位置。該至少一個晶粒不確定性參數，可以表示晶粒在鋸和擴張操作過程的旋轉、位移、和運動。
適宜的做法是，步驟262之後，接著的步驟264是產生切割晶圓圖，該圖包括多個晶粒的像和關聯的晶粒指數。步驟264可以包括產生全局坐標系統中包含多個晶粒位置的切割晶圓圖。
適宜的做法是，步驟264之後，接著的步驟266是實施切割晶圓圖與基準晶圓圖的對齊。
適宜的做法是，每一晶粒以晶粒坐標系統表徵，且步驟262之後，接著的步驟270是，計算從每一晶粒坐標系統 到全局坐標系統的座標變換。
適宜的做法是，步驟270包括步驟272，步驟272確定每一晶粒坐標系統到畫面坐標系統之間的關係。該座標變換，對被確定的關係和對全局坐標系統與畫面坐標系統之間的關係，是關鍵的。全局坐標系統與像獲取系統之間的關係，能夠在檢查系統的校準對話中確定。
適宜的做法是，步驟240和步驟220部分地重疊。適宜的做法是，步驟220和步驟260部分地重疊。因此，在獲取某些像的同時，能夠對先前獲取的像內的唯一特徵進行定位，甚至能夠把某些晶粒(這些晶粒的像已在先前獲取)與對應晶圓晶粒建立關聯，且甚至能夠指配晶粒指數。
適宜的做法是，對多個晶粒進行定位的步驟240和指配多個晶粒指數的步驟220，包括檢測唯一特徵的流程(諸如第7圖中所示的流程300)和晶粒指數指配步驟。流程300可以從對第一種唯一特徵進行定位、和向包括該唯一特徵的第一個晶粒指配晶粒指數開始。該流程可以繼續重復，對屬於另一個晶粒的另一種唯一特徵進行定位、和向其他晶粒指配另一個晶粒指數。第一和其他晶粒指數之間的關係，對該第一和其他唯一特徵之間的空間關係，是關鍵的。例如，晶粒寬度或晶粒長度(或X軸晶粒節距和Y軸晶粒節距)，和與切割過程關聯的預料的不確定性之間的關係，能夠確定指配給其他晶粒的晶粒指數。如果兩個晶粒是相鄰的晶粒，那麽它們的晶粒指數應差1。
適宜的做法是，步驟260之後，接著是步驟290，步驟 290在晶粒像像素與關聯的基準晶粒像像素比較的基礎上，檢測缺陷。
適宜的做法是，步驟260之後，接著是步驟294，步驟294測量至少一個晶粒的至少一種特徵。測量可以包括分析晶粒的像和以像素或亞像素的精度確定特徵的長度或寬度。
第7圖按照本發明的實施例，畫出步驟的流程300。
流程300之前，是按照預定的像獲取方案，獲取切割晶圓多個部分的多幅像的步驟220。例如，參照第5圖，這裏假定，像30(n-1,m-1)是第一個獲取的像，且唯一特徵34(0，0，1)是第一個檢測的唯一特徵。
流程300以步驟310開始，步驟310取出一幅畫面。步驟310之後，接著的步驟312是對取出的畫面中一種或多種唯一特徵進行定位。如果沒有找到唯一特徵，則步驟312之後，接著的步驟340是取出先前沒有取出的另一幅畫面，直至到達取出判據(例如-所有切割晶粒的畫面已被取出)。步驟340和312之後，接著是步驟314。
步驟314包括在唯一特徵與晶粒之間建立關聯。
步驟314之後，接著的步驟316確定，第一個找到的晶粒是否已經找到(已經指配了指數)。如果回答是否定的(意思是，該唯一特徵是第一個找到的唯一特徵，且它屬於第一個找到的晶粒)，那麽步驟316之後，接著的步驟320定義該晶粒為第一個找到的晶粒，並把它與第一晶粒指數，例如指數(0，0)建立關聯。步驟320之後，接著是步驟330。
如果回答是肯定的(第一個找到的晶粒和可供選擇地其他晶粒，都已經被檢測)，那麽步驟316之後，接著的步驟318是確定，當前已關聯的晶粒是否已指配指數。如果回答是肯定的，則步驟318之後，接著是步驟330。如果回答是否定的，則步驟318之後，接著是步驟326，步驟326向另一個(該其他的)晶粒指配另一個晶粒指數。第一晶粒與該其他晶粒之間的關係，對第一唯一特徵與其他唯一特徵(在最近一次重覆步驟312時找到)之間的空間關係是關鍵的。該指配對晶粒節距及與切割和擴張過程關聯的不確定性(例如旋轉、轉向、移動等等)，是關鍵的。步驟326之後，接著是步驟330。
步驟330跟隨步驟318、326、和320。步驟330包括，確定取出的畫面是否包括另外的唯一特徵。如果回答是肯定的，則步驟326之後，接著的步驟332是選擇另一種唯一特徵，然後跳到步驟314。否則，步驟330之後，接著是步驟340。
現在參照例如在第8圖中舉出的例子，第一個找到的晶粒以14(0，0)標記，而在第一個找到的晶粒下面的相鄰晶粒，與指數(0，1)關聯。例如參照在第9圖中舉出的例子，第一個找到的晶粒與指數(0，0)關聯，而另外的晶粒與範圍在(-1，-2)和(1，4)之間的指數關聯。
在處理了整個切割晶圓的像之後，產生切割晶圓圖。
然後，對切割晶圓圖內每一晶粒與基準晶圓圖對應的晶粒建立關聯。在切割晶圓圖產生之後，可以定義連結切 割晶圓晶粒中心的歪斜的格柵。
應當指出，在切割晶圓中所有晶粒都被指配了晶粒指數之後，所指配的晶粒指數，能夠用指示(或與之有關)晶粒切割前的指數的晶粒指數替換。
第10圖按照本發明的實施例，畫出系統100。系統100包括：像獲取單元111、處理器115、照明器112、光學裝置113、機械工作臺諸如X-Y台114、和儲存單元116。
系統100可以定義或接收預定的像獲取方案，並據此掃描切割的晶圓，同時獲取像。
X-Y台114適合在切割晶圓與像獲取單元之間引入連續的機械平移。
像獲取單元111可以包括一個或多個檢測器，該檢測器能夠獲取被照明器112照明的區域的像。光學裝置13可以用作切割晶圓(置於X-Y台114上)的照明和用作收集光並把光引向像獲取單元111。儲存單元116儲存獲取的像，並可供處理器115接入。應當指出，來自像獲取單元111的檢測信號，能夠被處理器115處理，以便給出像(或畫面)。
晶圓可被光的重疊選通脈衝照明，形成畫面重疊的像。
X-Y台114的運動，受高精度控制系統用電的方法操縱，這樣可使被掃描物體(像)中每一像素的精確定位，與全局坐標系統20相關。
適宜的做法是，像獲取單元112適合獲取包括多個晶粒的切割晶圓多個部分的多幅像，而處理器115適合執行：(i)對多幅像內的多種唯一特徵進行定位；(ii)向多個晶粒每一 晶粒指配一晶粒指數；(iii)對至少一個預料的晶粒，根據該多種唯一特徵的定位，在多個晶粒與多個基準晶粒之間建立關聯。
適宜的做法是，處理器115適合執行至少一種下面的操作或其組合：(i)根據多種唯一特徵的定位和根據至少一個晶粒不確定性參數，確定多個晶粒位置；(ii)產生包括多幅晶粒像和關聯的晶粒指數的切割晶圓圖；(iii)計算從每一晶粒坐標系統到全局坐標系統的座標變換；(iv)確定每一晶粒坐標系統到畫面坐標系統之間的關係；其中的座標變換，對被確定的關係和對全局坐標系統與畫面坐標系統之間的關係，是關鍵的；(v)對第一唯一特徵進行定位，和向包括該唯一特徵的第一晶粒，指配第一晶粒指數；(vi)對屬於另一個晶粒的另一種唯一特徵進行定位，和向其他晶粒指配另一個晶粒指數；其中第一和其他晶粒指數之間的關係，對該第一和其他唯一特徵之間的空間關係，是關鍵的；(vii)實施切割晶圓圖與基準晶圓圖的對齊；(viii)在晶粒像像素與關聯的基準晶粒像像素比較的基礎上，檢測缺陷；(ix)在對至少一種唯一特徵進行定位的同時，像獲取單元獲取至少一幅像；(x)在至少一個晶粒與至少一個基準晶粒之間建立關聯的同時，像獲取單元獲取至少一幅像；(xi)應用規格化相關或幾何散列法，對至少一種唯一特徵進行定位；(xii)應用多種像識別技術，對至少一種唯一特徵進行定位；或(xiii)測量至少一個晶粒的至少一種特徵。
應當指出，儲存器單元116還能儲存基準晶粒的像和有 關切割晶圓晶粒已獲取的像的資訊(諸如晶粒指數)。儲存器單元116能儲存基準晶圓圖，另外或此外，還能儲存切割晶圓圖。
像獲取單元111可以包括一個或多個線感測器、點感測器、兩維感測器陣列等等。照明器112可以包括鐳射光源、燈，能夠提供光脈衝或連續的照明，能夠照射一點或一個區域。照明器112是作為亮場照明器畫出的，但此外或另外，系統100可以應用暗場照明。
處理器115還可以控制系統100中各種部件的運行，但不一定必須如此，而系統100可以包括一個或其他控制器，以控制系統100的運行。
適宜的做法是，處理器115可以包括多個部件，這些部件能夠並行運行，以便增加系統100的處理速度。這些部件可以執行相同功能或不同功能。
適宜的做法是，儲存單元116可以包括一個或多個儲存部件，這些部件能夠按串列或並行方式接入，以加速系統100的處理速度。不同的儲存單元部件，可以儲存不同類型資訊或相同類型資訊。
雖然已經結合具體實施例說明本發明，顯而易見，對本領域的熟練人員，許多替代、修改、和變化是輕而易舉的，因此，應當涵蓋所有這些在附於後面的申請專利範圍的精神和廣泛範圍內的替代、修改、和變化。
11‧‧‧晶圓
12，14‧‧‧晶粒
13‧‧‧切割晶圓
20‧‧‧全局坐標系統
22‧‧‧X軸
24‧‧‧Y軸
26‧‧‧晶粒的X軸節距
28‧‧‧晶粒Y軸節距
30‧‧‧像
34‧‧‧唯一特徵
35‧‧‧箭頭
37‧‧‧帶子
60‧‧‧晶粒坐標系統
70‧‧‧畫面坐標系統
100‧‧‧系統
111‧‧‧單元
112‧‧‧照明器
113‧‧‧光學裝置
114‧‧‧X-Y台
115‧‧‧處理器
116‧‧‧儲存器單元
200‧‧‧方法
210~294，310~340‧‧‧步驟
300‧‧‧流程
第1圖畫出現有技術的晶圓； 第2圖畫出現有技術的切割晶圓和使切割晶圓擴張的力；第3圖畫出現有技術的切割晶圓；第4圖畫出包括多種唯一特徵的晶粒；第5圖按照本發明的實施例，畫出多幅像、晶粒、和三個坐標系統；第6圖按照本發明的實施例，畫出一種檢查晶圓的方法；第7圖按照本發明的實施例，畫出步驟流程；第8圖按照本發明的實施例，畫出第一個找到的晶粒和第二個找到的晶粒；第9圖按照本發明的實施例，畫出多個找到的晶粒；第10圖按照本發明的實施例，表明一種系統。
20‧‧‧全局坐標系統
22‧‧‧X軸
24‧‧‧Y軸
60‧‧‧晶粒坐標系統
70‧‧‧畫面坐標系統

Claims (34)

  1. 一種檢查包括多個晶粒的切割晶圓的方法，本方法包括：按照預定的像獲取方案，獲取切割晶圓多個部分的多幅像；對多幅像內多種唯一特徵進行定位；和向多個晶粒每一晶粒指配一晶粒指數，並根據多種唯一特徵的定位及至少一種預料晶粒尺寸，在多個晶粒和多個基準晶粒之間建立關聯。
  2. 如申請專利範圍第1項的方法，其中的建立關聯，包括根據多種唯一特徵的定位和根據至少一個晶粒不確定性參數，確定多個晶粒位置。
  3. 如申請專利範圍第1項的方法，其中的建立關聯，包括產生切割晶圓圖，該圖包括多個晶粒像和關聯的晶粒指數。
  4. 如申請專利範圍第1項的方法，其中每一晶粒以晶粒坐標系統表徵，且其中，本方法包括計算從每一晶粒坐標系統到全局坐標系統的座標變換。
  5. 如申請專利範圍第4項的方法，其中的計算包括，確定每一晶粒坐標系統到畫面坐標系統之間的關係；其中的座標變換，對被確定的關係和對全局坐標系統與畫面坐標系統之間的關係，是關鍵的。
  6. 如申請專利範圍第1項的方法，其中的獲取，包括在切割晶圓與像獲取單元之間，引入連續的機械平移。
  7. 如申請專利範圍第1項的方法，其中的進行定位包括，對第一種唯一特徵進行定位，而建立關聯包括，向包括該唯一特徵的第一個晶粒，指配第一個晶粒指數。
  8. 如申請專利範圍第7項的方法，其中的進行定位包括，對屬於另一個晶粒的另一種唯一特徵進行定位，並向該其他晶粒指配另一個晶粒指數；其中該第一和其他晶粒指數之間的關係，對該第一和其他唯一特徵之間的空間關係是關鍵的。
  9. 如申請專利範圍第1項的方法，還包括產生基準晶圓圖。
  10. 如申請專利範圍第1項的方法，其中的建立關聯包括，實施切割晶圓圖與基準晶圓圖的對齊。
  11. 如申請專利範圍第1項的方法，還包括在晶粒像像素與關聯的基準晶粒像像素之間比較的基礎上，檢測缺陷。
  12. 如申請專利範圍第1項的方法，其中對多種唯一特徵進行定位的步驟，至少部分地與獲取多幅像的步驟重疊。
  13. 如申請專利範圍第1項的方法，其中在多個晶粒和多個基準晶粒之間建立關聯的步驟，至少部分地與獲取多幅像的步驟重疊。
  14. 如申請專利範圍第1項的方法，其中的進行定位步驟，包括應用規格化相關或幾何散列法。
  15. 如申請專利範圍第1項的方法，其中的進行定位步驟，包括應用多種像識別技術。
  16. 如申請專利範圍第1項的方法，其中在建立關聯步驟之後，接著是測量至少一個晶粒的至少一種特徵。
  17. 如申請專利範圍第1項的方法，其中的獲取，包括獲取部分地重疊的像。
  18. 一種檢查系統，本系統包括：像獲取單元，適合按照預定的像獲取方案，獲取包括多個晶粒的切割晶圓多個部分的多幅像；處理器，適合對該多幅像內多種唯一特徵進行定位，向多個晶粒每一晶粒指配一晶粒指數；和對至少一個預料的晶粒，根據該多種唯一特徵的定位，在多個晶粒和多個基準晶粒之間建立關聯。
  19. 如申請專利範圍第18項的系統，其中的處理器，適合根據多種唯一特徵的定位和根據至少一個晶粒不確定性參數，確定多個晶粒的位置。
  20. 如申請專利範圍第18項的系統，其中的處理器，適合產生切割晶圓圖，該圖包括多個晶粒的像和關聯的晶粒指數。
  21. 如申請專利範圍第18項的系統，其中每一晶粒以晶粒坐標系統表徵，而其中的處理器，適合計算從每一晶粒坐標系統到全局坐標系統的座標變換。
  22. 如申請專利範圍第21項的系統，其中的處理器，適合確定每一晶粒坐標系統到畫面坐標系統之間的關係；其中的座標變換，對被確定的關係和對全局坐標系統與畫面坐標系統之間的關係，是關鍵的。
  23. 如申請專利範圍第18項的系統，還包括機械工作臺，適合在切割晶圓與像獲取單元之間，引入連續的機械平移。
  24. 如申請專利範圍第18項的系統，其中的處理器，適合對第一種唯一特徵進行定位，並向包含該唯一特徵的第一個晶粒，指配第一個晶粒指數。
  25. 如申請專利範圍第24項的系統，其中的處理器，適合對屬於另一個晶粒的另一種唯一特徵進行定位，並向該其他晶粒指配另一個晶粒指數；其中該第一和其他晶粒指數之間的關係，對該第一和其他唯一特徵之間的空間關係是關鍵的。
  26. 如申請專利範圍第18項的系統，其中本系統包括儲存單元，適合儲存基準晶圓圖。
  27. 如申請專利範圍第18項的系統，其中的處理器，適合實施切割晶圓圖與基準晶圓圖的對齊。
  28. 如申請專利範圍第18項的系統，該處理器適合在晶粒像像素與關聯的基準晶粒像像素之間比較的基礎上，檢測缺陷。
  29. 如申請專利範圍第18項的系統，其中的處理器，適合在對至少一種唯一特徵進行定位的同時，使像獲取單元獲取至少一幅像。
  30. 如申請專利範圍第18項的系統，其中的處理器，適合在多個晶粒和多個基準晶粒之間建立關聯的同時，使像獲取單元獲取至少一幅像。
  31. 如申請專利範圍第18項的系統，其中的處理器，適合應用規格化相關或幾何散列法，對至少一種唯一特徵進行定位。
  32. 如申請專利範圍第18項的系統，其中的處理器，適合應用多種像識別技術，對至少一種唯一特徵進行定位。
  33. 如申請專利範圍第18項的系統，其中的處理器，適合測量至少一個晶粒的至少一種唯一特徵。
  34. 如申請專利範圍第18項的系統，其中的像獲取單元，適合獲取部分地重疊的像。
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