JPH082962Y2 - サーミスタ - Google Patents
サーミスタInfo
- Publication number
- JPH082962Y2 JPH082962Y2 JP8458589U JP8458589U JPH082962Y2 JP H082962 Y2 JPH082962 Y2 JP H082962Y2 JP 8458589 U JP8458589 U JP 8458589U JP 8458589 U JP8458589 U JP 8458589U JP H082962 Y2 JPH082962 Y2 JP H082962Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- electrode
- characteristic
- resistor
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［考案の目的］ （産業上の利用分野） 本考案は、広い温度範囲にわたってリニア性に優れた
抵抗温度特性を有するサーミスタに関する。
抵抗温度特性を有するサーミスタに関する。
（従来の技術） 温度計測や温度補償等を行うために、温度検出素子と
して対象回路に接続し一定電流を流して信号電圧を検出
するようにしたサーミスタが使用されている。
して対象回路に接続し一定電流を流して信号電圧を検出
するようにしたサーミスタが使用されている。
第６図はこのようなサーミスタの従来の一例を示すも
ので，負の抵抗温度係数を有するサーミスタ（以下単に
サーミスタと称する）10と固定抵抗器11とを並列接続し
たものである。第７図はこのようなサーミスタの抵抗温
度特性を示すもので、サーミスタ10の特性Ａと固定抵抗
器11の特性Ｂとを合成した特性Ｃがこのサーミスタの特
性となる。この特性Ｃには低温度領域では特性Ｂに接近
すると共に高温度領域では特性Ａに接近する特性とな
る。従ってリニア性に優れている特性領域Ｌが温度検出
領域として使用される。
ので，負の抵抗温度係数を有するサーミスタ（以下単に
サーミスタと称する）10と固定抵抗器11とを並列接続し
たものである。第７図はこのようなサーミスタの抵抗温
度特性を示すもので、サーミスタ10の特性Ａと固定抵抗
器11の特性Ｂとを合成した特性Ｃがこのサーミスタの特
性となる。この特性Ｃには低温度領域では特性Ｂに接近
すると共に高温度領域では特性Ａに接近する特性とな
る。従ってリニア性に優れている特性領域Ｌが温度検出
領域として使用される。
（考案が解決しようとする課題） ところで従来のサーミスタでは、温度検出領域として
使用されるリニア性に優れた特性領域Ｌが狭いので、温
度検出の適用分野が制約されてしまうという問題があ
る。
使用されるリニア性に優れた特性領域Ｌが狭いので、温
度検出の適用分野が制約されてしまうという問題があ
る。
本考案は以上のような問題に対処してなされたもの
で、広い温度範囲にわたってリニア特性に優れた抵抗温
度特性を有するサーミスタを提供することを目的とする
ものである。
で、広い温度範囲にわたってリニア特性に優れた抵抗温
度特性を有するサーミスタを提供することを目的とする
ものである。
［考案の構成］ （課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために本考案は、サーミスタ素体
の両端部及び中央部に各々第1,第２及び第３の電極を設
け、第１及び第２の電極間に第３の電極を介して直列に
サーミスタ層を形成すると共に、第１及び第３の電極間
と第１及び第２の電極間に各々抵抗体を形成したことを
特徴とするものである。
の両端部及び中央部に各々第1,第２及び第３の電極を設
け、第１及び第２の電極間に第３の電極を介して直列に
サーミスタ層を形成すると共に、第１及び第３の電極間
と第１及び第２の電極間に各々抵抗体を形成したことを
特徴とするものである。
（作用） サーミスタ素体に設けた第１及び第３の電極間と第１
及び第２の電極間に各々抵抗体を形成し、これら抵抗体
を所望の抵抗値に調整することにより抵抗温度特性を容
易に改善することができる。従って広い温度範囲にわた
ってリニア性に優れた抵抗温度特性を得ることができ
る。
及び第２の電極間に各々抵抗体を形成し、これら抵抗体
を所望の抵抗値に調整することにより抵抗温度特性を容
易に改善することができる。従って広い温度範囲にわた
ってリニア性に優れた抵抗温度特性を得ることができ
る。
（実施例） 以下図面を参照して本考案実施例を説明する。
第１図は本考案のサーミスタの実施例を示す断面図、
第２図（ａ），（ｂ）は上面図及び裏面図である。１は
負の抵抗温度係数を有するサーミスタ素体で例えばFe,,
Mn,Ni等の遷移金属の酸化物から成り、このサーミスタ
素体１の表面1aの一部及び裏面1bの全体には第１の絶縁
体２及び第２の絶縁体３が形成されている。またサーミ
スタ素体１の両端部には第１の電極４及び第２の電極５
が各々絶縁体2,3上まで延びるように形成され、さらに
サーミスタ素体１の表面の中央部には第１の絶縁体２に
またがるように第３の電極６が形成されている。
第２図（ａ），（ｂ）は上面図及び裏面図である。１は
負の抵抗温度係数を有するサーミスタ素体で例えばFe,,
Mn,Ni等の遷移金属の酸化物から成り、このサーミスタ
素体１の表面1aの一部及び裏面1bの全体には第１の絶縁
体２及び第２の絶縁体３が形成されている。またサーミ
スタ素体１の両端部には第１の電極４及び第２の電極５
が各々絶縁体2,3上まで延びるように形成され、さらに
サーミスタ素体１の表面の中央部には第１の絶縁体２に
またがるように第３の電極６が形成されている。
７は第１の抵抗体で第１の電極４の第３の電極６間に
形成されている。８は第２の抵抗体で第１の電極４と第
２の電極５間に形成されている。これら第１及び第２の
抵抗体7,8は、例えばRuO2,Ag-Pd系材料から成り、又はN
i合金,Ni-Cr合金さらにはTa,Zr,Nbの中から選ばれた少
なくとも一種の窒化物から成っている。これら抵抗体7,
8は後述のように各種の手段によって形成された後、加
工手段によって任意の抵抗値を有するように調整され
る。
形成されている。８は第２の抵抗体で第１の電極４と第
２の電極５間に形成されている。これら第１及び第２の
抵抗体7,8は、例えばRuO2,Ag-Pd系材料から成り、又はN
i合金,Ni-Cr合金さらにはTa,Zr,Nbの中から選ばれた少
なくとも一種の窒化物から成っている。これら抵抗体7,
8は後述のように各種の手段によって形成された後、加
工手段によって任意の抵抗値を有するように調整され
る。
次に本実施例サーミスタの製造方法について第３図
（ａ）乃至（ｆ）を参照して説明する。
（ａ）乃至（ｆ）を参照して説明する。
先ず、第３図（ａ）のように負の抵抗温度係数を有す
るサーミスタ素体１を用意する。次に第３図（ｂ）のよ
うにサーミスタ素体１の表面1aの一部及び裏面1bの全体
に各々第１及び第２の絶縁体2,3例えばガラスを形成す
る。次に第３図（ｃ）のように第１の絶縁体２上に第１
の電極パッド9aを、第１の絶縁体２とサーミスタ素体１
の表面にまたがるように第２の電極パッド9b（第２の電
極６となる）を、第２の絶縁体３上の両端部に第３及び
第４の電極パッド9c,9dを形成する。
るサーミスタ素体１を用意する。次に第３図（ｂ）のよ
うにサーミスタ素体１の表面1aの一部及び裏面1bの全体
に各々第１及び第２の絶縁体2,3例えばガラスを形成す
る。次に第３図（ｃ）のように第１の絶縁体２上に第１
の電極パッド9aを、第１の絶縁体２とサーミスタ素体１
の表面にまたがるように第２の電極パッド9b（第２の電
極６となる）を、第２の絶縁体３上の両端部に第３及び
第４の電極パッド9c,9dを形成する。
次に、第３図（ｄ）のように第１及び第２の電極パッ
ド9a,9bにまたがるように第１の抵抗体７を形成すると
共に、第３及び第４の電極パッド9c,9dにまたがるよう
に第２の抵抗体８を形成する。これら抵抗体7,8は前記
したようにRuO2,Ag-Pd系材料を印刷法等によって形成
し、又はNi合金,Ni-Cr合金あるいはTa,Zr,Nbの中から選
ばれた少なくとも一種の窒化物から成る材料を真空蒸着
法，スパッタ法等によって形成する。続いて第３図
（ｅ）のようにこれら抵抗体7,8をフォトエッチング
法，レーザートリミング法，機械的加工法等によって所
望のパターンに加工して所望の抵抗値となるように調整
する。
ド9a,9bにまたがるように第１の抵抗体７を形成すると
共に、第３及び第４の電極パッド9c,9dにまたがるよう
に第２の抵抗体８を形成する。これら抵抗体7,8は前記
したようにRuO2,Ag-Pd系材料を印刷法等によって形成
し、又はNi合金,Ni-Cr合金あるいはTa,Zr,Nbの中から選
ばれた少なくとも一種の窒化物から成る材料を真空蒸着
法，スパッタ法等によって形成する。続いて第３図
（ｅ）のようにこれら抵抗体7,8をフォトエッチング
法，レーザートリミング法，機械的加工法等によって所
望のパターンに加工して所望の抵抗値となるように調整
する。
次に第３図（ｆ）のようにサーミスタ素体１の両端部
に第１及び第３の電極パッド9a,9cにまたがるように第
１の電極４を形成すると共に、サーミスタ素体１の表面
1aと第４の電極パッド9dにまたがるように第２の電極５
を形成する。これによって第１の電極４と第３の電極６
（電極パッド9b）との間に第１の抵抗体７を有すると共
に、第１の電極４と第２の電極５との間に第２の抵抗体
８を有し、さらに第１の電極４と第２の電極５との間に
第３の電極６を介して第１のサーミスタ層TH1と第２の
サーミスタ層TH2とが直列に接続されたサーミスタが得
られる。
に第１及び第３の電極パッド9a,9cにまたがるように第
１の電極４を形成すると共に、サーミスタ素体１の表面
1aと第４の電極パッド9dにまたがるように第２の電極５
を形成する。これによって第１の電極４と第３の電極６
（電極パッド9b）との間に第１の抵抗体７を有すると共
に、第１の電極４と第２の電極５との間に第２の抵抗体
８を有し、さらに第１の電極４と第２の電極５との間に
第３の電極６を介して第１のサーミスタ層TH1と第２の
サーミスタ層TH2とが直列に接続されたサーミスタが得
られる。
第５図はこのようなサーミスタの等価回路を示し、ま
た第４図は抵抗温度特性を示すものである。
た第４図は抵抗温度特性を示すものである。
このような本実施例によれば、第１及び第２のサーミ
スタ層TH1,TH2に並列に接続された第１及び第２の抵抗
体7,8が設けられ、これら抵抗体7,8は所望の抵抗値に調
整されたサーミスタを得ることができる。よって第４図
において第１及び第２の抵抗体7,8によって特性Ｂが得
られ、この特性Ｂに第１及び第２のサーミスタ層TH1,TH
2によって得られる特性Ａを合成することにより、特性
Ｃのような抵抗温度特性が得られる。この特性Ｃは広い
温度範囲にわたってリニア性に優れており、温度検出領
域Ｌが広くなっていることを示している。従って温度検
出の適用分野を拡大することができ、各種温度検出分野
に適用することができる。
スタ層TH1,TH2に並列に接続された第１及び第２の抵抗
体7,8が設けられ、これら抵抗体7,8は所望の抵抗値に調
整されたサーミスタを得ることができる。よって第４図
において第１及び第２の抵抗体7,8によって特性Ｂが得
られ、この特性Ｂに第１及び第２のサーミスタ層TH1,TH
2によって得られる特性Ａを合成することにより、特性
Ｃのような抵抗温度特性が得られる。この特性Ｃは広い
温度範囲にわたってリニア性に優れており、温度検出領
域Ｌが広くなっていることを示している。従って温度検
出の適用分野を拡大することができ、各種温度検出分野
に適用することができる。
［考案の効果］ 以上述べたように本考案によれば、サーミスタ層に複
数の抵抗体を並列に接続するように形成したので、これ
ら抵抗体を任意の抵抗値に調整することにより、広い温
度範囲にわたってリニア性に優れた抵抗温度特性を得る
ことができる。
数の抵抗体を並列に接続するように形成したので、これ
ら抵抗体を任意の抵抗値に調整することにより、広い温
度範囲にわたってリニア性に優れた抵抗温度特性を得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】 第１図及び第２図（ａ），（ｂ）は本考案のサーミスタ
の実施例を示す断面図，上面図及び裏面図、第３図
（ａ）乃至（ｆ）は本実施例サーミスタの製造方法を示
す断面図、第４図は本実施例サーミスタの抵抗温度特性
図、第５図は本実施例サーミスタの等価回路、第６図及
び第７図は従来サーミスタの等価回路及び抵抗温度特性
図である。 １……サーミスタ素体、４……第１の電極、５……第２
の電極、６……第３の電極、７……第１の抵抗体、８…
…第２の抵抗体。
の実施例を示す断面図，上面図及び裏面図、第３図
（ａ）乃至（ｆ）は本実施例サーミスタの製造方法を示
す断面図、第４図は本実施例サーミスタの抵抗温度特性
図、第５図は本実施例サーミスタの等価回路、第６図及
び第７図は従来サーミスタの等価回路及び抵抗温度特性
図である。 １……サーミスタ素体、４……第１の電極、５……第２
の電極、６……第３の電極、７……第１の抵抗体、８…
…第２の抵抗体。
Claims (3)
- 【請求項１】サーミスタ素体の両端部及び中央部に各々
第1,第２及び第３の電極を設け、第１及び第２の電極間
に第３の電極を介して直列にサーミスタ層を形成すると
共に、第１及び第３の電極間と第１及び第２の電極間に
各々抵抗体を形成したことを特徴とするサーミスタ。 - 【請求項２】抵抗体がRuO2及び又はAg-Pd系から成る請
求項１記載のサーミスタ。 - 【請求項３】抵抗体がNi,Ni-Cr系合金又はTa,Zr,Nbの中
から選ばれた少なくとも一種の窒化物から成る請求項１
記載のサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8458589U JPH082962Y2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8458589U JPH082962Y2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323901U JPH0323901U (ja) | 1991-03-12 |
| JPH082962Y2 true JPH082962Y2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=31633163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8458589U Expired - Lifetime JPH082962Y2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH082962Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005277362A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-10-06 | Mitsubishi Materials Corp | 複合素子 |
| TW200539196A (en) * | 2004-05-18 | 2005-12-01 | Mitsubishi Materials Corp | Compound device |
| JP4970236B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2012-07-04 | 田村 のり子 | ブロックの製造方法および装置 |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP8458589U patent/JPH082962Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0323901U (ja) | 1991-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960011154B1 (ko) | SiC 박막더어미스터 및 그 제조방법 | |
| KR870011634A (ko) | 고저항 및 고안정성을 가진 적층 필름 저항기 | |
| EP1197737A1 (en) | Strain gauge | |
| CN109825809A (zh) | 一种聚酰亚胺基电阻式薄膜应变传感器及其制备方法与应用 | |
| JP2639481B2 (ja) | 荷重検出装置の温度補償方法 | |
| JPH082962Y2 (ja) | サーミスタ | |
| US5994996A (en) | Thin-film resistor and resistance material for a thin-film resistor | |
| JP2585681B2 (ja) | 金属薄膜抵抗ひずみゲ―ジ | |
| JP4073673B2 (ja) | 抵抗器の製造方法 | |
| US4138656A (en) | Attachment of leads to electrical components | |
| JP2860799B2 (ja) | 感温抵抗器の製造方法 | |
| JP2847102B2 (ja) | チップ型サーミスタおよびその製造方法 | |
| JP3229460B2 (ja) | 歪みゲージ | |
| JP3288241B2 (ja) | 抵抗材料および抵抗材料薄膜 | |
| JP2567550Y2 (ja) | 測温マッチング抵抗体 | |
| JP3367495B2 (ja) | 測温抵抗体とその製造方法 | |
| JP2000124008A (ja) | 複合チップサーミスタ電子部品およびその製造方法 | |
| JPH04131721A (ja) | 応力センサ | |
| JPS5931202B2 (ja) | 真の実効値測定用交流直流変換素子 | |
| JPH0285702A (ja) | フリーフィラメントひずみゲージとその製造方法 | |
| JPH06196772A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPH0258304A (ja) | 薄膜白金温度センサ | |
| JPH09260113A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
| JPH02281704A (ja) | 薄膜白金温度センサ | |
| JPS63169058A (ja) | 薄膜集積回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |