JPH08293525A

JPH08293525A - リード付き基板の接合方法

Info

Publication number: JPH08293525A
Application number: JP7248114A
Authority: JP
Inventors: Yoshiharu Sanagawa; 佳治佐名川; Yasushi Masaki; 康史正木; Tokuo Yoshida; 徳雄吉田; Tsukasa Hojo; 司法上; Hitoshi Kitano; 斉北野; Kazuji Kawamura; 和司川村
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1995-02-23
Filing date: 1995-09-26
Publication date: 1996-11-05
Anticipated expiration: 2015-09-26
Also published as: JP3227357B2

Abstract

(57)【要約】【課題】金バンプの形成や、金メッキ、錫メッキ厚の
厚膜化を行なわないで、複数のリードと基板に設けた回
路とを未接合がない状態で均一に一括接合する。【解決手段】可曲性を有する基板１上に形成された回
路２と配列した複数のリード３とを加熱圧着する。接合
に当たり、基板１を加熱ツール７の押圧面４に倣うよう
に変形させて接合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置における半導体搭載基板へのリードの接合方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、特開平２ー１２６６４７号公報に
より半導体素子のアルミニウム電極とＴＡＢ用フィルム
キャリアのリードとの間にバンプが存在する状態にてボ
ンディングツール先端のチップ部で熱圧着するボンディ
ング装置において、ボンディングツールのチップ部を複
数に分割することにより熱膨張によるチップ部の反りを
低減し、一辺を一括に接合する方法が提案されている。

【０００３】しかしながら、チップ部を取付ける基台そ
のものの熱変形や個々のチップ内での熱変形の問題があ
り、金バンプあるいは金、錫の厚メッキと併用しないと
完全な問題の解決にならない。そして、上記のように金
バンプあるいは金、錫のメッキ厚の厚膜化を行うことで
高さばらつきを吸収することができるが、金バンプを行
うものは金メッキの膜厚が厚くなってコスト高となると
いう問題があり、一方、リード側にメッキする錫メッキ
の厚膜化をはかると錫リッチの化合物層により接合され
るため、接合強度が低下するという問題がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記金バンプの形成、
金メッキ、錫メッキ厚の厚膜化を行わないで、基板上に
形成された回路とリードとを共晶反応により接合するこ
とが考えられる。この場合、リード３の上から加熱ツー
ル７により加圧し、リード３を通して熱を基板１の回路
とリード３の界面（以下接合界面と称する）へ伝えるこ
とにより接合される。しかしながら、このように金バン
プの形成、金メッキ、錫メッキ厚の厚膜化を行わない
で、基板１上に形成された回路とリード３とを共晶反応
により接合する場合、複数のリード３と基板１に設けた
回路とを一括して接合しようとすると、接合前において
図４９（ａ）のように押圧面４が平坦面であった加熱ツ
ール７が接合時には熱膨張のため図４９（ｂ）のように
下方に凸となるように反って、図４９（ｃ）のように基
板１の両端部においてリード３と加熱ツール７とが接触
されない部分ができる。また、加熱ツール７の押圧面４
が接合時に平坦であっても、図５０のように基板１の厚
みばらつき等によりリード３と基板１上に形成された回
路２とが接触されない部分ができる。その結果、熱がリ
ード３を通して接合界面に伝わらず、接合されない部分
が生じるという問題が発生する。

【０００５】本発明は上記の従来例の問題点に鑑みて発
明したものであって、その目的とするところは、金バン
プの形成や、金メッキ、錫メッキのメッキ厚の厚膜化を
行わないで、複数のリードと基板に設けた回路とを未接
合がない状態で均一に一括接合できるリード付き基板の
接合方法を提供するにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記従来の問題点を解決
して本発明の目的を達成するために、本発明のリード付
き基板の接合方法は、可曲性を有する基板１上に形成さ
れた回路２と配列した複数のリード３とを加熱圧着する
に当たり、基板１を加熱ツール７の押圧面４に倣うよう
に変形させて接合することを特徴とするものである。

【０００７】そして、基板１の加圧部分のみを基板１が
加熱ツール７の押圧面４に倣うように変形自在に支持し
たり、また、基板１を弾性体により形成した基板下受け
５により支持したり、また、基板１を加熱ツール７の押
圧面４に倣うように変形させて接合する際に弾性体で形
成した基板下受け５の圧縮量を均一にするための手段を
設けたり、また、基板１と基板下受け５との間に断熱材
８を介在したりすることも好ましい。更に、基板下受け
５として剛性体を用いたり、流動体を用いたり、バイメ
タルを用いたりすることも好ましい。また、基板１の下
方にそれぞれ独立して上下方向に可変するアクチュエー
タ９を配置し、そのアクチュエータ９により基板１を可
変させて基板１を加熱ツール７の押圧面４に倣うように
変形させることも好ましい。また、基板１下方からリー
ド３一本一本を加熱ツール７の押圧面４に押し上げるこ
とも好ましい。また、センサー１０により加圧補正量を
検出して、加圧補正量に基づいて加圧力を制御すること
も好ましい。更に、基板１側にクッション層３１を設
け、基板１自身で加熱ツール７の押圧面４に倣うように
変形させたりすることも好ましい。

【０００８】また、基板１上に形成された回路２と配列
した複数のリード３とを加熱圧着するに当たり、加熱時
に加熱ツール７の押圧面４全面が、該加熱ツール７で押
圧される該当する列に含まれる全てのリード３に均一に
当たるように変形して加圧することを特徴とするもので
あってもよい。そして、加熱ツール７を回転自在に支持
し、加熱ツール７の加圧をアクチュエータ９によって補
正するようにしたり、あるいは、加熱ツール７の押圧面
４を凹状にしたり、あるいは、加熱ツール７をリニアガ
イドで配列方向に支持し、この支持を加熱時にフリーと
なるようにすることも好ましい。

【０００９】また、基板１上に形成された回路２と配列
した複数のリード３とを加熱圧着するに当たり、加熱時
に加熱ツール７の押圧面４全面が、該加熱ツール７で押
圧される該当する列に含まれる全てのリード３に均一に
当たるように、加熱ツール７の中央部に膨張吸収穴１１
を設けて加熱時に押圧面が凸状に変形するのを抑えて加
圧することを特徴とするものであってもよい。

【００１０】また、基板１上に形成された回路２と配列
した複数のリード３とを加熱圧着するに当たり、加熱時
に加熱ツール７の押圧面４全面が、該加熱ツール７で押
圧される該当する列に含まれる全てのリード３に均一に
当たるように、加熱ツール７の押圧面４の中央部と両端
部とで温度差を生じさせて加熱時に押圧面が凸状に変形
するのを抑えて加圧することを特徴とするものであって
もよい。

【００１１】そして、加熱ツール７の押圧面４の中央部
の温度を計測し、この中央部の計測温度をフィードバッ
クして指令温度と比較して指令温度になるように加熱す
ることも好ましい。また、基板１を支持する基板受台の
基板１に接する面を弾性体とすることも好ましい。

【００１２】また、予め基板１を加熱ツール７の押圧面
４に倣うように変形させることも好ましい。また、接合
用の加熱ツール７を用いて基板１を基板樹脂のガラス転
移温度付近で加圧して基板１を加熱ツール７の押圧面４
に倣うように変形させた後に接合することも好ましい。

【００１３】また、接合用の加熱ツール７を用いて基板
１を基板樹脂のガラス転移温度付近で加圧して基板１を
加熱ツール７の押圧面４に倣うように変形させる際の加
圧力を接合時の加圧力よりも高くすることも好ましい。
また、基板１上に形成された回路と配列した複数のリー
ド３とを加熱圧着するに当たり、加熱ツール７とリード
３との間に熱伝導性の良いクッション材を介在して基板
１上に形成された全ての回路とそれに対応する全てのリ
ード３を均一に接触させて接合することを特徴とするも
のであってもよい。

【００１４】そして、クッション材にフラックス等の接
合促進剤を含有することも好ましい。また、基板１上に
形成された回路と配列した複数のリード３とを加熱圧着
するに当たり、リード３を塑性変形させることにより基
板１上に形成された全ての回路とそれに対応する全ての
リード３を均一に接触させて接合することを特徴とする
ものであってもよい。

【００１５】そして、加熱ツール７のリード３との接触
面を鋭角化し、加熱ツール７をリード３に食い込ませる
ことによりリード３を塑性変形するようにしたり、ある
いは、リード３の厚み方向の一部に他の部分に比べて塑
性変形しやすい塑性変形可能部を設けることによりリー
ド３を塑性変形することも好ましい。そして、上記した
いずれの方法においても、加熱ツール７の熱が複数のリ
ード３を通して各リード３と基板１に形成された回路２
との接合界面に伝わって、金バンプの形成、金メッキ、
錫メッキの膜厚の厚膜化を行うことなく、複数のリード
３と基板１に形成された回路２とを未接合部無く均一に
一括して接合することができることになる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下本発明を実施形態に基づいて
詳述する。半導体搭載用の基板１は図２（ａ）（ｂ）に
示すように、表面の周端部には基板１の各辺に沿ってリ
ード３と接合するための回路２が複数並んで形成してあ
り、該複数の回路２は基板１に搭載される半導体チップ
１５とワイヤ１６等により接続されるものであり、複数
の回路２の端部にはそれぞれリード３が接続される。そ
して、上記半導体チップ１５を搭載し、リード３を接続
した基板１は図２（ｃ）のように全体を樹脂１７により
封止してある。ここで、リード３には錫メッキが施して
あり、銅よりなる回路２にはニッケル、金メッキが施し
てあり、リード３と基板１上に形成した回路２とを接合
するには、図３に示すように、チタンやモリブデン等で
形成された加熱ツール７によりリード３と回路２とを加
熱圧着してＡｕーＳｎ共晶により接合するものである。
図３（ｄ）において７０はシリンダー装置であって、シ
リンダー装置７０のロッド３２の先端部に加熱ツール７
が装着してあって、シリンダー装置７０を作動すること
で加熱ツール７が上下移動するようになっている。また
７１はトランス、７２は導電部であり、加熱ツール７内
にヒータが設けてあって通電することで加熱されるよう
になっている。そして、本発明においては、上記リード
３と基板１上に形成した回路２とを加熱ツール７により
接合する際、数１０〜数１００本のリード３と回路２と
を一括で接合するのであるが、この場合、上記のように
加熱ツール７で複数のリード３と回路２とを接合する際
に均一に接合するための技術に本発明の特徴がある。な
お、以下に示す各実施形態では共晶接合の例としてＡｕ
ーＳｎ共晶接合の例を示しているが、ＡｕーＳｎ共晶接
合にのみ限定されないのは勿論である。

【００１７】図１には本発明の一実施形態が示してあ
る。図１において５は可曲性を有する基板１の下面側を
支持するための基板下受けであり、基板下受け５の上方
位置に加熱ツール７が対向して配置してある。ここで、
基板下受け５乃至加熱ツール７の少なくとも一方が上下
方向に移動自在となっており、実施形態では加熱ツール
７が上下移動自在となっている。この実施形態では基板
下受け５は基板１の端部のみを受けるようになってお
り、このため、基板下受け５の上面部に基板１の端部の
みを支持するための突状支持部８０が設けてある。しか
して、図１（ａ）のように、基板下受け５の上面に設け
た突状支持部８０の上に可曲性のある基板１の両端部を
支持させる。この場合、接合しようとする複数のリード
３の列と直交する方向の基板１の両端部を突状支持部８
０に載置して支持させる。その後、加熱ツール７を下降
させて加熱ツール７の下面の押圧面４により並列した複
数のリード３を並列した複数の回路２に加熱圧着する。
加熱ツール７により加熱圧着する際、加熱ツール７は熱
膨張により下方に凸となるように変形するが（つまり押
圧面４が下方に凸となるように変形するが）、本実施形
態においては、基板１の端部のみが基板下受け５の突状
支持部８０に支持してあるので、加熱ツール７の押圧面
４の熱による変形に倣って可曲性のある基板１が図１
（ｂ）のように変形し、このことにより加熱ツール７の
押圧面４が複数のリード３に当たって、複数のリード３
をそれぞれ対応する複数の回路２に押し当て、加熱ツー
ル７の熱が複数のリード３を通して各リード３と基板１
に形成された回路２との接合界面に伝わり、各リード３
にメッキされた錫と各回路２にメッキされた金とがＡｕ
ーＳｎ共晶合金となって溶融し、各リード３とこれに対
応する各回路２とが未接合部無く均一に一括して接合さ
れることになる。なお、ＡｕーＳｎ共晶合金の接合条件
としては、例えば、加熱温度（加熱ツール７の接触部分
の温度）が３５０℃、加熱のための通電時間（温度保持
時間）が２ｓｅｃ、加圧が１５０ｇＦ／リードである。
この実施形態において、基板下受け５をゴムのような弾
性体により形成してもよい。また、この場合、突状支持
部８０を含む基板下受け５の全体を弾性体としてもよ
く、あるいは、基板下受け５の上面の突状支持部８０の
みを弾性体としてもよく、あるいは突状支持部８０は剛
体とし、突状支持部８０を除く基板下受け５の本体部分
のみを弾性体としてもよい。いずれにしろ基板下受け５
を弾性体とすることで、より確実に基板１を加熱ツール
７の押圧面４の変形に倣わせることができる。

【００１８】図４、図５には本発明の他の実施形態が示
してある。この実施形態においては、基板下受け５によ
り基板１の加圧部分のみを基板１が加熱ツール７の押圧
面４に倣うように変形自在に支持するようになってい
る。つまり、図４に示すように、隙間を介して対向配置
したゴムのような弾性体よりなる基板下受け５に基板１
の両端部を載置して支持させる。この場合、接合しよう
とする複数のリード３の列と平行な基板１の両端部をそ
れぞれ対向配置した基板下受け５の上に載置するのであ
る。そして、加熱ツール７の下面の押圧面４により並列
した複数のリード３を並列した複数の回路２に加熱圧着
する。加熱ツール７により加熱圧着する際、加熱ツール
７は熱膨張により下方に凸となるように変形するが（つ
まり押圧面４が下方に凸となるように変形するが）、本
実施形態においては、基板１の端部のみが弾性体よりな
る基板下受け５により支持してあるので、図４（ａ）の
ように加熱ツール７の押圧面４が下方に凸に変形して
も、弾性体よりなる基板下受け５が押圧面４の変形に倣
って変形し、これに伴い基板１も弾性体よりなる基板下
受け５に端部を支持された状態で押圧面４の変形に倣っ
て変形し、加熱ツール７の熱が複数のリード３を通して
各リード３と基板１に形成された回路２との接合界面に
伝わり、各リード３とこれに対応する各回路２とが未接
合部無く均一に一括して接合されることになる。ここ
で、図６（ａ）のように基板１の下面全体を弾性体より
なる基板下受け５で支持することも考えられるが、この
場合、基板１の非加圧部（図においてイで示す部分）も
弾性体よりなる基板下受け５で支持されており、このた
め、図６（ｂ）のように加熱ツール７で加熱加圧した場
合、図６（ｂ）のロで示す部分である加圧部の直下では
基板下受け５が下降するが、非加圧部の直下では基板下
受け５が下降せず、このため、基板１が加圧部と非加圧
部との境界で反り、接合界面で十分な接触が得られず、
接合不良が発生するおそれがあるが、図５（ａ）に示す
実施形態のように基板下受け５により基板１の加圧部分
のみを基板１が加熱ツール７の押圧面４に倣うように変
形自在に支持することで、図５（ｂ）のように加熱ツー
ル７で加熱加圧した場合、基板１がロで示す加圧部とイ
で示す非加圧部との境界で反ることが無く、接合界面で
十分な接触が得られ、確実に接合されることになる。

【００１９】なお、上記図１乃至図６に示す各例におい
て基板下受け５をゴム等の弾性体により形成する場合、
図７に示すように、弾性体よりなる基板下受け５を剛体
よりなる基板受台６により支持するようにしてもよい。
図７（ａ）は接合前の状態を示し、図７（ｂ）は接合時
の状態を示している。図８、図９には本発明の他の実施
形態が示してある。この実施形態は、基板１を加熱ツー
ル７の押圧面４に倣うように変形させて接合する際に弾
性体で形成した基板下受け５の圧縮量を均一にするため
の手段を設けたものである。基板１を加熱ツール７の押
圧面４に倣うように変形させて接合するものにおいて、
基板１の下面を支持する基板下受け５をゴム等の弾性体
により形成した場合、図８（ｂ）に示すように基板下受
け５が押圧面４の変形に倣って変形するが、この際、ハ
で示す部分は加圧量が大きくなり、ニで示す部分が加圧
量が小さくなり、このため、複数のリード３を回路２に
一括して接合する際、各部において加圧量が変化してリ
ード３の接合強度が変化し、接合強度が部分的にばらつ
くが、図８（ａ）のようにゴム等の弾性体よりなる基板
下受け５を支持する基板受台６の上面部に両端部に傾斜
面２０を有する凹状溝２１を形成し、基板下受け５の下
面の形状を該凹状溝２１に合致する形状とすることで、
図８（ａ）のように加熱ツール７により加熱加圧する
際、弾性体よりなる基板下受け５が押圧面４の変形に倣
って変形するが、この場合、基板下受け５の加圧量が各
部においてほぼ均一にできることになる。

【００２０】図９に示すものは弾性体よりなる基板下受
け５の両端部の図８（ｂ）においてニで示す加圧量が小
の部分に基板１と基板下受け５との間にフィルム状物２
２を介在した実施形態が示してある。この実施形態で
は、図９に示すように加熱ツール７により加熱加圧する
際、弾性体よりなる基板下受け５が押圧面４の変形に倣
って変形するが、この場合、両端部に介在したフィルム
状物２２が基板下受け５の上面部に食い込み、全体とし
て基板下受け５の加圧量を各部においてほぼ均一にでき
ることになる。

【００２１】図１０には本発明の更に他の実施形態が示
してある。この実施形態においては、弾性体よりなる基
板下受け５としてゴムを用いた場合、ゴム製の基板下受
け５と基板１との間に断熱材８を介在したものである。
すなわち、通常ゴムは耐熱温度が低いために、基板１を
通しての伝導熱により熱影響を受けるので、この熱影響
が基板下受け５におよばないようにゴム製の基板下受け
５と基板１との間に断熱材８を介在するのである。実施
形態においては、ゴム製の基板下受け５の上面に耐熱性
があり、且つ断熱性があり、且つ変形しやすいポリイミ
ドフィルム等の樹脂フィルムよりなる断熱材８を貼って
ある。なお、断熱材８としては上記の実施形態のものに
のみ限定されない。

【００２２】図１１、図１２には本発明の更に他の実施
形態が示してある。この実施形態では基板下受け５とし
て剛性体を用いた例が示してある。図１１においては、
加熱ツール７の押圧面４の変形に倣って基板１が変形す
る形状にあらかじめ剛性体よりなる基板下受け５の上面
を加工してくぼみ２５を設けておき、図１１（ａ）のよ
うにくぼみ２５の両端縁部に基板１の両端部を支持さ
せ、この状態で図１１（ｂ）のように加熱ツール７によ
り加熱押圧するのである。この場合、加熱ツール７の押
圧面４が熱により変形するが、この押圧面４の変形に倣
って基板１がくぼみ２５の底に沿って変形し、このこと
により加熱ツール７の押圧面４が複数のリード３に当た
って、複数のリード３をそれぞれ対応する複数の回路２
に押し当て、加熱ツール７の熱が複数のリード３を通し
て各リード３と基板１に形成された回路２との接合界面
に伝わり、各リード３とこれに対応する各回路２とが未
接合部無く均一に一括して接合されることになる。

【００２３】図１２においては、基板下受け５の本体５
ａにばね材５ｂ等により支持した剛性体よりなる上面が
傾斜した複数の受け部材５ｃを設け、該受け部材５ｃの
上面で基板１を支持し、この状態で図１２のように加熱
ツール７の押圧面４により加熱押圧するのであるが、こ
の場合、加熱ツール７の押圧面４が熱により変形し、こ
の押圧面４の変形に倣って基板１が変形するものであ
る。ここで、ばね材５ｂ材等による受け部材５ｃの支持
高さを調整し、加熱圧着時における加熱ツール７の押圧
面４の反り面に基板１が倣うようにしてもよい。

【００２４】図１３、図１４には本発明の更に他の実施
形態が示してある。この実施形態においては、基板下受
け５として流動体５ｄを用いた例を示している。すなわ
ち図１３に示す実施形態では基板１の下方からエアー、
水、油等の流動体５ｄを吹き付け、その圧により基板１
を加熱ツール７の押圧面４の反りに倣わせるようにして
いる。

【００２５】また、図１４に示す実施形態においては、
エアー、水、油等の流動体５ｄを封じ込めた変形自在の
容器５ｅを基板下受け５としたものであり、この流動体
５ｄを封じ込めた変形自在の容器５ｅの上面に基板１を
載置した状態で、図１４に示すように加熱ツール７の押
圧面４により加熱押圧するのである。この場合、加熱ツ
ール７の押圧面４が熱により変形するが、流動体５ｄを
封じ込めた変形自在の容器５ｅの上面部が押圧面４に倣
って変形し、このことにより基板１も押圧面４に倣って
変形し、接合領域全域にわたって均一に加圧することが
できて複数のリード３が均一な接合強度で接合されるこ
とになる。

【００２６】図１５には本発明の更に他の実施形態が示
してある。この実施形態では、基板１の下方にそれぞれ
独立して上下方向に可変するアクチュエータ９を配置
し、アクチュエータ９により基板１を加熱ツール７の押
圧面４の変形に倣うように変形させるものである。それ
ぞれ独立して上下方向に可変するアクチュエータ９を押
し上げる手段としてはエアー、水、油、ばね、磁石等が
考えられる。アクチュエータ９の配置場所は図１５に示
す実施形態のように基板１の下部全体にのみ限るもので
はなく、基板１の下部の一部の下方に配置してあっても
よい。本実施形態のように各アクチュエータ９ごと独立
して上下方向に可変する構成とすることで、アクチュエ
ータ９ごとに押し上げ量が制御できるため、接合領域全
域にわたって均一に加圧することができるものである。

【００２７】図１６には基板下受け５をバイメタル５ｆ
とした例が示してある。すなわち、加熱ツール７で加熱
押圧した際、基板１を通過した熱により加熱ツール７の
押圧面４の変形に合わせて変形するようなバイメタル５
ｆを基板下受け５として用い、加熱ツール７による加熱
加圧時の押圧面４の変形に倣ってバイメタル５ｆを変形
させることで基板１を押圧面４の変形に倣わせるもので
ある。

【００２８】図１７、図１８においては、基板１下方か
らリード３一本一本を加熱ツール７の押圧面４に押し上
げることで、基板１を加熱ツール７の押圧面４に倣うよ
うに変形させて接合するものである。すなわち図１７に
おいては、ローラ２８を基板１の下方に配置し、該ロー
ラ２８で基板１を矢印ホ方向に押して基板１を加熱ツー
ル７の押圧面４に押し付けながらローラ２８を矢印ヘ方
向に移動させ、複数のリード３を一本一本加熱ツール７
の押圧面に確実に押圧させるものであり、このことによ
り接合領域全域にわたり加圧分布が均一になり、均一な
接合強度を得ることができ、また、複数のリード３を均
一に一括接合することができるものである。

【００２９】また、図１８においては、下部にばね等の
弾性体２９ａをそなえた細い棒２９ｂを基板１の下方に
配置し、全リード３の下部を基板１を介して各細い棒２
９ｂで押し上げることで基板１を加熱ツール７の押圧面
４の変形に倣わせ、同時に複数のリード３を一本一本加
熱ツール７の押圧面に確実に押圧させるものであり、こ
のことにより接合領域全域にわたり加圧分布が均一にな
り、均一な接合強度を得ることができ、また、複数のリ
ード３を均一に一括接合することができるものである。

【００３０】ところで、前述の各実施形態において、温
度や圧力や変位等を検出するセンサー１０により加圧補
正量を検出して、加圧補正量をフィードバックして加圧
力を制御するようにしてもよい。図１９にはその一例が
示してある。図１９においては、図１５に示した基板１
の下方にそれぞれ独立して上下方向に可変するアクチュ
エータ９を配置し、アクチュエータ９により基板１を加
熱ツール７の押圧面４の変形に倣うように変形させるも
のにおいて、各アクチュエータ９の先端に圧力検知のた
めのセンサー１０を設け、各アクチュエータ９の先端の
センサー１０で圧力を検知し、この圧力を制御部にフィ
ードバックし、全体の加圧が均一になるように各アクチ
ュエータ９の押し上げ量を制御するようになっている。
図２０には本実施形態において各アクチュエータ９によ
る加圧制御のフロー図が示してあり、このフロー図にお
いては一例としてａで示すセンサー１０を設けたアクチ
ュエータ９の制御例が示してある。すなわち、加圧を開
始し、ａで示すセンサー１０で圧力を検知し、Ｐａ＜Ｐ
の場合にはアクチュエータ９を伸ばすように制御し、Ｐ
ａ＞Ｐの場合にはアクチュエータ９を縮めるように制御
するものであり（ここでＰａはａで示すセンサーで検知
した圧力、Ｐはａで示すセンサーで検出すべき設計上の
所定値）、これを加圧が終了するまで繰り返す。これは
加圧している間に温度変化等により条件の変化が起こり
得るので、その対応として加圧が終了するまで圧力を検
出し、その値の適否を繰り返しチェックするものであ
る。このことにより接合領域全域にわたり適切な加圧力
を与えることができる。

【００３１】図２１にはセンサー１０を設ける他の例が
示してある。図２１においては、図１６に示した基板下
受け５をバイメタル５ｆとしたものにおいて、圧力検知
のためのセンサー１０をバイメタル５ｆの上面部に複数
設け、また、バイメタル５ｆの下面側にヒータ３０を複
数配置したものであり、加熱ツール７による加熱押圧時
にバイメタル５ｆが変形するが、この際、センサー１０
により圧力を検知し、この圧力を制御部にフィードバッ
クして全体の加圧が均一となるようにバイメタル５ｆ全
体の反り量が一定となるようにヒータ３０を制御するよ
うになっている。図２２には本実施形態においてバイメ
タル５ｆを加熱するヒータ３０の温度制御のフロー図が
示してある。本実施形態においてはヒータ３０は、ヒー
タ温度１、ヒータ温度２、ヒータ温度３の３段階に制御
されるようになっている（ここでヒータ温度１：低、ヒ
ータ温度２：中、ヒータ温度３：高）である。しかし
て、加圧を開始し、ヒータ３０を加熱すると、まずヒー
タ温度２にヒータ３０が制御される。次に、図２１の
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅの各センサー１０により圧力を検出
し、（ａ＋ｅ）／２＜（ｂ＋ｃ＋ｄ）／３の場合にはヒ
ータ温度３となるようにヒータ３０が制御され、（ａ＋
ｅ）／２＞（ｂ＋ｃ＋ｄ）／３の場合にはヒータ温度１
となるようにヒータ３０が制御され、これを加圧が終了
するまで繰り返す。これは加圧している間に温度変化等
により条件の変化が起こり得るので、その対応として加
圧が終了するまで圧力を検出し、その値の適否を繰り返
しチェックするものでこのことにより接合領域全域にわ
たり適切な加圧力を与えることができる。

【００３２】図２３には本発明の更に他の実施形態が示
してある。この実施形態においては、基板１にクッショ
ン層３１を設け、基板１自身で加熱ツール７の押圧面４
に倣うようにしている。すなわち、基板１にはクッショ
ン層３１が設けてあり、図２３（ａ）の接合前の状態か
ら加熱ツール７により加熱押圧すると、図２３（ｂ）の
ようにクッション層３１の存在により、加熱ツール７の
押圧面４の熱による変形に倣って基板１が変形し、複数
のリード３を均一に一括接合することができるものであ
る。ここで、図２３の実施形態では基板１の中間部分に
クッション層３１を作成している例を示しているが、回
路２の直下やあるいは基板１の最下部にクッション層３
１を作成してもよいものである。また、クッション層３
１としてはゴムに限らず、その他の弾性体あるいは加熱
ツール７の反りが吸収できるものであればよい。そし
て、この実施形態では加熱ツール７の押圧面４の変形を
基板１自身で倣うため、基板１を押圧面４に倣うように
変形させるための特別な基板下受け機構が不要となる。

【００３３】上記した各実施形態では、加熱ツール７の
押圧面４の加熱時における熱による変形に対して基板１
側または基板１を支持する基板下受け５側を加熱ツール
７の押圧面４の変形に倣うようにした例を示したが、加
熱ツール７側において押圧面４の熱による変形対策を施
して複数のリード３を一括して均一に接合するようにし
てもよい。以下この実施形態につき説明する。

【００３４】図２４、図２５に示す実施形態において
は、シリンダー装置７０のロッド３２から突出した突片
３３に回転軸３４により加熱ツール７の中央部を回転自
在に支持し、更に、加熱ツール７の上部の両側をそれぞ
れシリンダー装置７０のロッド３２とアクチュエータ３
５ａ，３５ｂにより接続し、アクチュエータ３５ａ、３
５ｂの動作により加熱ツール７を回動させるようにして
ある。ここで、加熱時においてアクチュエータ３５ａ、
３５ｂは図２５に示すように交互に変位させるものであ
る。しかして、加熱ツール７で加熱加圧する際、加熱ツ
ール７の押圧面４が熱により凸状に沿って変形するが、
この加熱加圧時にアクチュエータ３５ａ、３５ｂを作動
して図２５のように交互に変位させて加熱ツール７を回
転運動させることで両端のリード３の加圧不足を補い、
両端のリード３も確実に加圧し、このことにより列に含
まれる全てのリード３を均一に接合するものである。

【００３５】ここで、アクチュエータ３５ａ、３５ｂに
よる加圧補正量を温度や圧力や変位を検出するセンサー
３６で検出してフィードバック制御するようにしてもよ
い。図２６に示す実施形態では基板受台６に圧力を検出
するセンサー３６を複数箇所に設け（図２６ではａ、
ｂ、ｃの３つのセンサー３６を両端部と中央部とに設
け）てある。図２６において９０はＡ／Ｄ変換器、９１
はＣＰＵ、９２はＤ／Ａ変換器、９３は増幅器である。
そして、図２７に示すようなフロー図に従って加熱ツー
ル７によって加熱加圧動作をするものである。すなわ
ち、加熱ツール７を加熱するまではアクチュエータ３５
ａ、３５ｂの変位を等しくしておく。そして、加熱を開
始し、次にｂ位置のセンサー３６により加圧力を測定し
て記憶する。次に、ａ位置のセンサー３６の測定値が、
記憶したｂ位置のセンサー３６の測定値と等しくなるよ
うにアクチュエータ３５ａを伸ばす（この時同時にアク
チュエータ３５ｂを縮める）。次に、ｃ位置のセンサー
３６の測定値が、記憶したｂ位置のセンサー３６の測定
値と等しくなるようにアクチュエータ３５ｂを伸ばす
（この時同時にアクチュエータ３５ａを縮める）。この
ようにして両端部のリード３も確実に加圧するのであ
る。そして、加熱を終了し、アクチュエータ３５ａ、３
５ｂの変位を等しくするものである。しかして、上記の
ように加熱時にセンサー３６の値に基づいて加熱ツール
７を回転運動させることで、押圧面４の中央と両端の加
圧を等しくし、列に含まれる全てのリード３を均一に接
合するものである。

【００３６】上記実施形態ではセンサー３６として圧力
センサーを用いている例を示しているが、温度センサー
を用いて両端のリード３にも確実に入熱されるようにア
クチュエータ３５ａ、３５ｂを駆動してもよい。また、
基板受台の基板受面を弾性体（ゴム等）として、その変
位量を測定してフィードバックしてもよい。また、セン
サー３６は加熱ツール７側に配置してもよい。

【００３７】図２８には本発明の他の実施形態が示して
ある。この実施形態においては、加熱ツール７の押圧面
４を加熱時に熱膨張して変形することでフラットになる
ように非加熱状態ではあらかじめ凹状として凹所８５を
設けたものである。このような加熱ツール７により加熱
押圧すると、加熱により加熱ツール７が変形しても、図
２８の想像線のように加熱ツール７の押圧面４が平坦面
となり、平坦な押圧面４により複数のリード３接合領域
全域にわたって均一に加圧することができて列に含まれ
るすべてのリード３が均一な接合強度で接合されること
になる。

【００３８】この実施形態において、加熱ツール７の押
圧面４を加熱時に熱膨張して変形することでフラットに
なるように非加熱状態ではあらかじめ凹状に加工するに
は次にようにして行うものである。すなわち加熱ツール
７を加熱した状態で加熱ツール７の下面を平坦面となる
ように研削する方法がある。また、他の方法としては図
２９（ａ）に示すように加熱ツール７を加熱した状態で
加熱ツール７の押圧面４の変形の量を距離センサーのよ
うなセンサー３８により測定し（この場合、センサー３
８を図２９（ａ）のＹ方向に移動しながら測定する）こ
のことにより、図２９（ｂ）に示すような変形量Ｘと押
圧面４の端部からの距離Ｙとの関係を求め、この押圧面
４の変形量を示す凸形状（図においてハッチングで示す
Ａ部分）と等しい分を非加熱状態の加熱ツール７の下面
部から図２９（ｃ）のように差し引くように加工する方
法がある。

【００３９】図３０には本発明の更に他の実施形態が示
してある。この実施形態では加熱ツール７をシリンダー
装置７０のロッド３２に対してリード３の配列方向に対
してはフリーとしてあって加熱時に押圧面４が凸状に反
る変形を抑えるようにしている。すなわち、加熱時に加
熱ツール７の支持をリード３配列方向にはフリーなるよ
うに加熱する時までは加熱ツール７をシリンダー装置の
ロッド３２にリニアガイド４０により支持してあり、加
圧時にはロック部４１により加熱ツール７がずれないよ
うにリニアガイド４０をロックしておき、加熱時にのみ
ロック部４１によるロックを解除して押圧面４の凸状変
形を抑えている。図３１（ｂ）は加熱ツール７がシリン
ダー装置のロッド３２に固定されている状態で加熱によ
る押圧面４の変形を示し、（ａ）は本実施形態において
加熱時にロック部４１によるロックを解除して加熱ツー
ル７の支持をリード３の配列方向にフリーとした場合の
押圧面４の変形を示しており、本実施形態においては、
加熱時における押圧面４の凸変形を抑えることができ
る。図３２には本発明の更に他の実施形態が示してあ
る。この実施形態は、加熱ツール７の中央部に膨張吸収
穴１１を設けて加熱時に押圧面が凸状に変形するのを抑
えて加圧するようにしたものである。ここで膨張吸収穴
１１に図３２（ｂ）のように穴の縁の直線部分あるいは
コーナ部分に凹所４３を設けることで熱膨張をより吸収
することができるものである。本実施形態のように加熱
ツール７の中央部に膨張吸収穴１１を設けたものは、加
熱ツール７の加熱時に加熱ツール７の熱による膨張を膨
張吸収穴１１において吸収し、押圧面４が凸状に変形す
るのを抑えるものであり（図３３（ｂ）は膨張吸収穴１
１を設けない場合における加熱時の押圧面４の変形を示
し、同図（ａ）は膨張吸収穴１１を設けた場合における
加熱時の押圧面４の変形を示している）、このことによ
り列に含まれる全てのリード３を均一に接合することが
できる。

【００４０】図３４には本発明の更に他の実施形態が示
してある。この実施形態においては、基板１上に形成さ
れた回路２とリード３とを加熱圧着するに当たり、加熱
時に加熱ツール７の押圧面４全面が、該加熱ツール７で
押圧される該当する列に含まれる全てのリード３に均一
に当たるように、加熱ツール７の押圧面４の中央部と両
端部とで温度差を生じさせて加熱時に押圧面４の中央部
の熱膨張を抑えて押圧面４が凸状に変形するのを抑えて
加圧するものである。すなわち、この実施形態では、基
板１を支持している基板受台６の中央部に冷却部５１を
設けてある。冷却部５１としては加熱ツール７側に向け
て空気を吹き出す吹き出し孔５１ａを基板受け台５０の
中央部に設け、加熱ツール７による加熱時に加熱ツール
７側に向けて空気を吹きかけ、これにより、加熱ツール
７の押圧面４の中央部の温度が両端部の温度より下が
り、このことで、押圧面４の熱による下方への凸状の変
形を抑えて列に含まれる全てのリード３を均一に接合す
ることができる。なお、図３４（ｃ）の押圧面４の実線
は本実施形態のように加熱時に加熱ツール７の押圧面４
の中央部と両端部とで温度差を生じさた場合であり、同
図（ｃ）の想像線は加熱ツール７の押圧面４の中央部と
両端部とで温度差を生じさせない場合の押圧面４の変形
を示している。また、同図（ｄ）は本実施形態の加熱時
における図３４（ｃ）のａ、ｂ、ｃ部分における加熱ツ
ール７の温度分布を示している。

【００４１】図３５には図３４に示す実施形態において
加熱ツール７の中央部の押圧面４付近に熱電対のような
温度センサー５５を設け、この温度センサー５５により
検出した押圧面４の中央部の温度情報に基づいてフィー
ドバック制御して加熱ツール７の加熱を制御するように
したものである。図３６には本実施形態のフロー図が示
してあり、加熱ツール７の加熱を開始し、次に冷却部５
１を構成する吹き出し孔５１ａから空気を加熱ツール７
の中央部側に向けて吹き出し、次に加熱ツール７の押圧
面４の中央部付近に設けた温度センサー５５により押圧
面４の中央部の温度を測定し、この測定温度をフィード
バックして指令温度と比較し、加熱ツール７の中央部の
温度が指令温度になるようにその温度差に比例した加熱
用の電流を流し、これにより冷却用の空気で冷却されて
も加熱ツール７の押圧面４の中央部が所定の温度に加熱
されるように制御されるものである。図３５において９
３は増幅器である。

【００４２】上記各実施形態において図３７に示すよう
に基板１を支持する基板受台６の基板１に接する面を弾
性体６０としてもよいものである。すなわち、基板受台
６の基板１を支持する面に弾性体６０として耐熱性ゴム
（例えば商品名バイトン０．５ｍｍ厚）を設け、加熱ツ
ール７によって加圧して加熱した状態で加熱ツール７の
押圧面４が凸状に変形しようとすると、基板１及び弾性
体６０が弾性変形し、加熱ツール７の押圧面４に倣うよ
うにする。これにより、加熱時に加熱ツール７の押圧面
４が列に含まれるすべてのリード３を加圧することがで
きるものである。

【００４３】次に、図３８、図３９に基づいて本発明の
更に他の実施形態につき説明する。すなわち、本実施形
態においては、予め樹脂等の成形可能な基板１を加熱ツ
ール７の押圧面４と対応した面となるようにプレス機９
５などにより加熱ツール７の押圧面４に倣うように形成
し、次に、このように加熱ツール７の押圧面４に倣うよ
うに変形させた基板１を用いて、該基板１上に形成され
た回路２と配列した複数のリード３とを加熱ツール７に
より加熱圧着するものである。この場合、すでに使用す
る基板１が加熱ツール７の押圧面４に倣うように変形さ
せてあるので、加熱ツール７の押圧面４が複数のリード
３に当たって、複数のリード３をそれぞれ対応する複数
の回路２に押し当て、加熱ツール７の熱が複数のリード
３を通して各リード３と基板１に形成された回路２との
接合界面に伝わり、各リード３にメッキされた錫と各回
路２にメッキされた金とがＡｕーＳｎ共晶合金となって
溶融し、各リード３とこれに対応する回路２とが未接合
部無く均一に一括して接合されることになる。

【００４４】ここで、図３８に示す実施形態において
は、加熱ツール７の押圧面４が接合時に熱膨張により下
方に凸となるように反るので、図３８（ａ）に示すよう
な基板１を図３８（ｂ）に示すように、接合時における
押圧面４に倣うように下面のプレス面９５ａを形成した
プレス機９５により成形し、このように加熱ツール７の
押圧面４に倣うように変形させた基板１を用いて図３８
（ｃ）に示すように、基板１上に形成された回路２と配
列した複数のリード３とを加熱ツール７により加熱圧着
する例を示している。

【００４５】また、図３９に示す実施形態においては、
基板１が凹凸面となっている場合における実施態様であ
り、例えば図３９（ａ）に示すように凹凸面となってい
る基板１を図３９（ｂ）に示すように接合時における押
圧面４に倣うように下面のプレス面９５ａを形成したプ
レス機９５により成形し、このように加熱ツール７の押
圧面４に倣うように変形させた基板１を用いて図３９
（ｃ）に示すように、基板１上に形成された回路２と配
列した複数のリード３とを加熱ツール７により加熱圧着
する例を示している。なお、図３９に示す実施形態で
は、加熱ツール７の押圧面４が接合時に平坦面となって
いる例を示している。つまり、図３９に示す実施形態に
おいて加熱ツール７の押圧面４を接合時に平坦面となる
ようにするには例えば図２８乃至図３６に示す各実施形
態で示すような加熱ツール７の押圧面４を接合時に平坦
面とする技術を用いている。加熱ツール７の押圧面４が
接合時に下方に凸となる場合には、図３９（ａ）に示す
ように凹凸面となっている基板１を図３８（ｂ）のよう
にプレス面９５ａが下方に凸となったプレス機９５を用
いてプレスして、このように加熱ツール７の押圧面４に
倣うように変形させた基板１を用いて図３８（ｃ）に示
すように、基板１上に形成された回路２と配列した複数
のリード３とを加熱ツール７により加熱圧着するのであ
る。

【００４６】次に、図４０に基づいて本発明の更に他の
実施形態につき説明する。本実施形態においては、接合
用の加熱ツール７を用いて基板１を基板樹脂のガラス転
移温度付近で加圧して基板１を加熱ツール７の押圧面４
に倣うように変形させた後に接合するようにした例であ
る。すなわち、本実施形態においては、接合用の加熱ツ
ール７を用いて、成形可能な樹脂等の基板１を該基板樹
脂が軟化し始めるガラス転移温度付近で加圧成形させ、
基板１を加熱ツール７の押圧面４に倣わせる加圧加熱成
形工程と、その後に接合する接合工程とを有している。
図４０には基板１が凹凸面を有し、加熱ツール７の押圧
面４が接合時に平坦面をしている場合の例を示してい
る。すなわち、図４０（ａ）に示すように凹凸面を有す
る基板１を、接合用の加熱ツール７により基板１を基板
樹脂が軟化し始めるガラス転移温度付近で加圧成形して
基板１を図４０（ｂ）のように加熱ツール７の押圧面４
に倣わせ、この工程の後で図４０（ｃ）のように、加熱
ツール７により接合するのである。

【００４７】ここで、接合用の加熱ツール７を用いてガ
ラス転移点付近で加圧加熱する成形工程時の加圧力と、
接合工程時の加圧力とを同じにすれば、加圧力が高い場
合には成形時間を短くすることができるが、接合時に加
圧過剰により基板損傷が生じ、また、加圧力が低い場合
には接合時の基板１損傷は防止できるが成形時間が長く
なることになる。そこで、接合用の加熱ツール７を用い
て基板１を基板樹脂のガラス転移温度付近で加圧して基
板１を加熱ツール７の押圧面４に倣うように変形させる
際の加圧力を接合時の加圧力よりも高くし、このことに
より、加圧加熱成形時間を短縮し、且つ接合時における
加圧過剰による基板１の損傷を防止することができるこ
とになる。また、加圧加熱成形時には上記のように基板
樹脂のガラス転移点付近で加熱するが、接合時には加熱
温度は接合に必要な温度まで高めるものである。図４１
（ａ）、（ｂ）にはそれぞれ図４０の（ｂ）の段階と
（ｃ）の段階における加圧力と加圧時間との関係を示す
グラフ、及び図４０の（ｂ）の段階と（ｃ）の段階にお
ける加熱温度と加熱時間との関係を示すグラフが示して
ある。ここで、図４０（ｂ）の段階（つまり加圧加熱成
形工程）における温度をＴ₁、加圧力をＰ₁、保持時間
をｔ₁とし、図４０（ｃ）の段階（つまり接合工程）に
おける温度をＴ₂、加圧力をＰ₂、保持時間をｔ₂とし
ている。

【００４８】なお、上記した図４０に示す実施形態にお
いては、基板１が凹凸面を有し、加熱ツール７の押圧面
４が接合時に平坦面となっている場合における例を示し
たが、加熱ツール７が接合時に下方に凸となっている場
合にも、同様に、接合用の加熱ツール７を用いて基板１
を基板樹脂のガラス転移温度付近で加圧して基板１を加
熱ツール７の押圧面４に倣うように変形させた後に接合
するようにしてもよい。この場合、基板１が凹凸面を有
した場合で且つ加熱ツール７が接合時に下方に凸となっ
ている場合にも同様にして行うとよい。

【００４９】次に、図４２、図４３に基づいて本発明の
更に他の実施形態につき説明する。本実施形態において
は、基板１上に形成された回路と配列した複数のリード
３とを加熱圧着するに当たり、加熱ツール７とリード３
との間に熱伝導性の良いクッション材９７を介在させ、
該クッション材９７により加熱ツール７の反りや基板１
の凹凸を吸収させ、基板１上に形成された全ての回路と
それに対応する全てのリード３を均一に接触させて接合
するようにしたものである。図４２には基板１の凹凸を
クッション材９７により吸収する例を示しており、図４
２（ａ）は加熱ツール７による接合前の状態を示し、図
４２（ｂ）は接合時において基板１の凹凸をクッション
材９７により吸収しながら基板１上に形成された全ての
回路とそれに対応する全てのリード３を均一に接触させ
て接合している状態を示している。また、図４３には加
熱ツール７の接合時における反りをクッション材９７に
より吸収する例を示しており、図４３（ａ）は加熱ツー
ル７による接合前の状態を示し、図４３（ｂ）は接合時
において加熱ツール７の接合時における反りをクッショ
ン材９７により吸収しながら基板１上に形成された全て
の回路とそれに対応する全てのリード３を均一に接触さ
せて接合している状態を示している。

【００５０】ここで、上記クッション材９７にフラック
スのような接合促進剤９８を含浸させておいてもよい。
図４４にはクッション材９７にフラックスのような接合
促進剤９８を含浸させた例を示しており、図４４（ａ）
は接合前の状態を概略的に示しており、図４４（ｂ）は
接合時の状態を示している。つまり、接合前にはクッシ
ョン材９７に含浸させたフラックスのような接合促進剤
９８が、加熱ツール７による接合時にクッション材９７
からフラックスのような接合促進剤９８が供給され、良
好な接合を行えるようになっている。この結果、加熱ツ
ール７による加熱でＡｎーＳｎ共晶合金となって溶融し
て接合する際に、窒素雰囲気等の参加防止雰囲気を新た
に設けることなく良好な接合ができることになる。

【００５１】次に、図４５に基づいて本発明の更に他の
実施形態を説明する。この実施形態においては、基板１
上に形成された回路と配列した複数のリード３とを加熱
圧着するに当たり、リード３を塑性変形させることによ
り基板１上に形成された全ての回路とそれに対応する全
てのリード３を均一に接触させて接合するものである。
すなわち、リード３を厚み方向に塑性変形させることに
より、加熱ツール７の反りや基板１の凹凸のために生じ
る基板１の回路とリード３とのギャップを吸収させ、基
板１上に形成された全ての回路とそれに対応する全ての
リード３とを均一に接触させて接合するようにしたもの
である。図４５は基板１の凹凸のために生じる基板回路
とリード３とのギャップを吸収する場合の例が示してあ
る。図４５（ａ）は接合前で基板１の表面が凹凸面とな
っていて複数のリード３のうち任意のリード３ａと基板
１との間にギャップＧが生じている状態を示しており、
図４５（ｂ）は接合時に上記リード３ａ以外の他のリー
ド３ｂ……を塑性変形させることにより、基板１上に形
成された全ての回路とそれに対応する全てのリード３と
を均一に接触させて接合するようにしている。

【００５２】ここで、図４６にはリード３を塑性変形さ
せる場合の一実施形態が示してある。この実施形態にお
いては、リード３を塑性変形させるための手段が加熱ツ
ール７側に設けてある。すなわち、通常加熱ツール７の
リード３への押圧面４は図４６（ｃ）のようになってい
るが、この押圧面４を図４６（ｄ）のように先端が尖っ
た鋸刃状凹凸部４ａとし、この鋸刃状凹凸部４ａをリー
ド３を塑性変形させるための手段とするものである。そ
して、例えば、図４６（ａ）のように接合前において任
意のリード３ａと基板１との間にギャップＧが生じてい
る場合、図４６（ｂ）のように上記リード３ａ以外のリ
ード３ｂ……に加熱ツール７の鋸刃状凹凸部４ａが食い
込んでリード３ｂ……が塑性変形し、この結果、基板１
上に形成された全ての回路とそれに対応する全てのリー
ド３とを均一に接触させて接合するのである。

【００５３】次に、図４７、図４８にはそれぞれリード
３を塑性変形させる場合の他の実施形態が示してある。
この図４７、図４８に示すものにおいては、リード３の
厚み方向の一部に切欠や突起等を設けて他の部分に比べ
て塑性変形しやすい塑性変形可能部９９を設けることに
よりリード３を塑性変形させ、加熱ツール７の反りや基
板１の凹凸による基板１の回路とリード３とのギャップ
を吸収し、基板１上に形成された全ての回路とそれに対
応する全てのリード３とを均一に接触させて接合するよ
うになっている。ここで、図４７においては、リード３
の厚み方向の一部に切欠を設けて塑性変形可能部９９と
した例であり、図４８においては、リード３に突起を設
けることで該突起を塑性変形可能部９９とした例であ
る。そして、例えば、図４７（ａ）や図４８（ａ）のよ
うに接合前において任意のリード３ａと基板１との間に
ギャップＧが生じている場合、図４７（ｂ）や図４８
（ｂ）のように上記リード３ａ以外のリード３ｂ……が
塑性変形可能部９９で塑性変形し（つまり、図４７
（ｃ）から図４７（ｄ）のように、あるいは、図４８
（ｃ）から図４８（ｄ）のように塑性変形し）、この結
果、基板１上に形成された全ての回路とそれに対応する
全てのリード３とを均一に接触させて接合するのであ
る。

【００５４】なお、上記したいずれの実施形態でも同時
に一括接合する場所は基板１の１辺のみに限らず、同時
に一括接合する場所は基板１の２辺、あるいは３辺、あ
るいは４辺であってもよい。

【００５５】

【発明の効果】本発明の請求項１記載の発明にあって
は、上述のように、可曲性を有する基板上に形成された
回路と配列した複数のリードとを加熱圧着するに当た
り、基板を加熱ツールの押圧面に倣うように変形させて
接合するので、従来のように金バンプの形成や金メッキ
厚や錫メッキ厚の厚膜化を行なわないで、複数のリード
と基板に設けた回路とを未接合がない状態で均一に一括
接合できるものである。したがって、本発明によれば、
バンプレスで列に含まれる全てのリードを一括して均一
に接合することが可能となったものである。

【００５６】また、請求項２記載の発明にあっては、上
記請求項１記載の発明の効果に加えて、基板の加圧部分
のみを基板が加熱ツールの押圧面に倣うように変形自在
に支持するので、加圧部と非加圧部との境界部分で反り
が発生せず、該基板の反りによる接合不良を無くすこと
ができるものである。また、請求項３記載の発明にあっ
ては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加
えて、基板を弾性体により形成した基板下受けにより支
持するので、簡単な構成で確実に基板を加熱ツールの押
圧面に倣うように変形させて接合することができるもの
である。

【００５７】また、請求項４記載の発明にあっては、上
記請求項３記載の発明の効果に加えて、基板を加熱ツー
ルの押圧面に倣うように変形させて接合する際に弾性体
で形成した基板下受けの圧縮量を均一にするための手段
を設けることで、接合領域の全域にわたり加圧分布が均
一になり、均一な接合強度を得ることができるものであ
る。

【００５８】また、請求項５記載の発明にあっては、上
記請求項３又は請求項４記載の発明の効果に加えて、基
板と基板下受けとの間に断熱材を介在することで、基板
下受けをゴムとした場合に断熱材により基板下受けの熱
による劣化を防止して寿命を長くすることができるもの
であり、また、耐熱温度の低いゴムでも使用できるもの
である。

【００５９】また、請求項６記載の発明にあっては、上
記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、基
板下受けとして剛性体を用いるので、剛性体の基板下受
けにより基板を安定して支持しながら基板を加熱ツール
の押圧面に倣うように変形させて接合することができる
ものである。また、請求項７記載の発明にあっては、上
記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、基
板下受けとして流動体を用いるので、接合領域全域にわ
たり加圧分布を均一にできて、均一な接合強度が得られ
るものである。

【００６０】また、請求項８記載の発明にあっては、上
記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、基
板の下方にそれぞれ独立して上下方向に可変するアクチ
ュエータを配置し、そのアクチュエータにより基板を可
変させて基板を加熱ツールの押圧面に倣うように変形さ
せるので、接合領域全域にわたり加圧分布を均一にでき
て、均一な接合強度が得られるものである。

【００６１】また、請求項９記載の発明にあっては、上
記請求項１記載の発明の効果に加えて、基板下受けとし
てバイメタルを用いるので、簡単な構成で確実に基板を
加熱ツールの押圧面に倣うように変形させて接合するこ
とができるものである。また、請求項１０記載の発明に
あっては、上記請求項１記載の発明の効果に加えて、基
板下方からリード一本一本を加熱ツールの押圧面に押し
上げるので、接合領域全域にわたり加圧分布を均一にで
きて、均一な接合強度が得られるものであり、また、複
数のリードを一本一本加熱ツールに押し当てるため接合
部の信頼性が高まるものである。

【００６２】また、請求項１１記載の発明にあっては、
上記請求項６乃至請求項１０のいずれかに記載の発明の
効果に加えて、センサーにより加圧補正量を検出して、
加圧補正量に基づいて加圧力を制御するので、接合領域
全域にわたり適切な加圧を与えることができるものであ
る。また、請求項１２記載の発明にあっては、上記請求
項１記載の発明の効果に加えて、基板側にクッション層
を設け、基板自身で加熱ツールの押圧面に倣うように変
形させるので、基板自身で加熱ツールの押圧面の変形に
倣うことができて、押圧面の変形に倣うための特別な基
板下受けの機構を必要としないものである。

【００６３】また、請求項１３記載の発明にあっては、
基板上に形成された回路と配列した複数のリードとを加
熱圧着するに当たり、加熱時に加熱ツールの押圧面全面
が、該加熱ツールで押圧される該当する列に含まれる全
てのリードに均一に当たるように変形して加圧するの
で、従来のように金バンプの形成や金メッキ厚や錫メッ
キ厚の厚膜化を行なわないで、複数のリードと基板に設
けた回路とを未接合がない状態で均一に一括接合できる
ものである。したがって、本発明によれば、バンプレス
で列に含まれる全てのリードを一括して均一に接合する
ことが可能となったものである。

【００６４】また、請求項１４記載の発明にあっては、
上記請求項１３記載の効果に加えて、加熱ツールを回転
自在に支持し、加熱ツールの加圧をアクチュエータによ
って補正するので、簡単な構成で加熱ツールの押圧面の
両端部の加圧力を補正して、列に含まれる全てのリード
を一括して均一に接合することができるものである。ま
た、請求項１５記載の発明にあっては、上記請求項１３
記載の効果に加えて、加熱ツールの押圧面を凹状にする
ので、簡単な構成で加熱時に加熱ツールが変形して押圧
面が平面となり、列に含まれた全てのリードを一括して
均一に接合することができるものである。

【００６５】また、請求項１６記載の発明にあっては、
上記請求項１３記載の効果に加えて、加熱ツールをリニ
アガイドでリードの配列方向に支持し、この支持を加熱
時にフリーとなるようにするので、簡単な構成で加熱時
に加熱ツールの押圧面の凸変形を抑え、列に含まれた全
てのリードを一括して均一に接合することができるもの
である。

【００６６】また、請求項１７記載の発明にあっては、
基板上に形成された回路と配列した複数のリードとを加
熱圧着するに当たり、加熱時に加熱ツールの押圧面全面
が、該加熱ツールで押圧される該当する列に含まれる全
てのリードに均一に当たるように、加熱ツールの中央部
に膨張吸収穴を設けて加熱時に押圧面が凸状に変形する
のを抑えて加圧することで、加熱ツールの加熱時におけ
る熱膨張による変形を加熱ツールの中央部に膨張吸収穴
で吸収して押圧面の凸変形を抑え、列に含まれた全ての
リードを一括して均一に接合することができるものであ
る。

【００６７】また、請求項１８記載の発明にあっては、
基板上に形成された回路と配列した複数のリードとを加
熱圧着するに当たり、加熱時に加熱ツールの押圧面全面
が、該加熱ツールで押圧される該当する列に含まれる全
てのリードに均一に当たるように、加熱ツールの押圧面
の中央部と両端部とで温度差を生じさせて加熱時に押圧
面が凸状に変形するのを抑えて加圧するので、簡単な構
成で加熱時に加熱ツールの押圧面の凸変形を抑え、列に
含まれた全てのリードを一括して均一に接合することが
できるものである。

【００６８】また、請求項１９記載の発明にあっては、
上記請求項１８記載の発明の効果に加えて、加熱ツール
の押圧面の中央部の温度を計測し、この中央部の計測温
度をフィードバックして指令温度と比較して指令温度に
なるように加熱するので、加熱ツールの押圧面の中央部
を加熱時に冷却しても、確実に所定の温度まで加熱する
ことができて、列に含まれた全てのリードを一括して均
一に接合することができるものである。

【００６９】また、請求項２０記載の発明にあっては、
上記請求項１３乃至請求項１８のいずれかに記載の発明
の効果に加えて、基板を支持する基板受台の基板に接す
る面を弾性体としてあるので、弾性体で基板を支持する
ことで基板が加熱ツールの押圧面に倣い、加熱ツールの
押圧面全体で列に含まれた全てのリードを均一に接合す
ることができるものである。

【００７０】また、請求項２１記載の発明にあっては、
上記請求項１記載の発明の効果に加えて、予め基板を加
熱ツールの押圧面に倣うように変形させるので、複数の
リードと基板の回路を未接合無く均一に一括して接合す
ることができるものであり、また、予め基板を加熱ツー
ルの押圧面に倣うように変形させるため、接合時に基板
を加熱ツールの押圧面に倣わすための機構が不要となる
ものである。

【００７１】また、請求項２２記載の発明にあっては、
上記請求項１記載の発明の効果に加えて、接合用の加熱
ツールを用いて基板を基板樹脂のガラス転移温度付近で
加圧して基板を加熱ツールの押圧面に倣うように変形さ
せた後に接合するので、複数のリードと基板の回路を未
接合無く均一に一括して接合することができるものであ
り、また、接合用の加熱ツールを用いて基板を成形させ
るため、予め基板を成形させる工程を設けずに接合工程
の一部として基板を加熱ツールの押圧面に簡単且つ確実
に倣わせることができるものである。

【００７２】また、請求項２３記載の発明にあっては、
上記請求項１記載の発明の効果に加えて、接合用の加熱
ツールを用いて基板を基板樹脂のガラス転移温度付近で
加圧して基板を加熱ツールの押圧面に倣うように変形さ
せる際の加圧力を接合時の加圧力よりも高くするので、
基板の成形時間を短縮化でき、また、接合時の加圧過剰
による基板損傷を防止することができるものである。

【００７３】また、請求項２４記載の発明にあっては、
基板上に形成された回路と配列した複数のリードとを加
熱圧着するに当たり、加熱ツールとリードとの間に熱伝
導性の良いクッション材を介在して基板上に形成された
全ての回路とそれに対応する全てのリードを均一に接触
させて接合するので、複数のリードと基板の回路を未接
合無く均一に一括して接合することができるものであ
り、また、クッション材を加熱ツールの反りや基板の凹
凸に倣わせるために加熱ツールの反りを防止したり、基
板を加熱ツールの押圧面に倣わせたりする機構が必要で
ないものである。

【００７４】また、請求項２５記載の発明にあっては、
上記請求項２４記載の発明の効果に加えて、クッション
材にフラックス等の接合促進剤を含有するので、酸化防
止雰囲気を特別に設けることなく良好な接合ができるも
のである。また、請求項２６記載の発明にあっては、基
板上に形成された回路と配列した複数のリードとを加熱
圧着するに当たり、リードを塑性変形させることにより
基板上に形成された全ての回路とそれに対応する全ての
リードを均一に接触させて接合するので、複数のリード
と基板の回路を未接合無く均一に一括して接合すること
ができるものであり、また、リード自身を塑性変形させ
るため、加熱ツールの反りを防止したり、基板を変形さ
せたりする機構が不要となるものである。

【００７５】また、請求項２７記載の発明にあっては、
上記請求項２６記載の発明の効果に加えて、加熱ツール
のリードとの接触面を鋭角化し、加熱ツールをリードに
食い込ませることによりリードを塑性変形するので、加
熱ツールの押圧面に簡単な加工を施すのみで、簡単にリ
ードを塑性変形させることができるものである。また、
請求項２８記載の発明にあっては、上記請求項２６記載
の発明の効果に加えて、リードの厚み方向の一部に他の
部分に比べて塑性変形しやすい塑性変形可能部を設ける
ことによりリードを塑性変形するので、リード自身の簡
単な加工でリードを塑性変形させることができるもので
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態を示し、（ａ）は接合前の
状態を示す断面図であり、（ｂ）は接合時の状態を示す
断面図である。

【図２】（ａ）はリードと基板とを示す分解正面断面図
であり、（ｂ）は分解平面図であり、（ｃ）はリードを
接合した後に樹脂封止をした状態の断面図である。

【図３】（ａ）はリードを接合する前の状態の断面図で
あり、（ｂ）は接合時の断面図であり、（ｃ）は斜視図
であり、（ｄ）は接合状態の概略全体図である。

【図４】本発明の他の実施形態を示し、（ａ）は接合時
の正面断面図であり、（ｂ）は側面断面図であり、
（ｃ）は平面図である。

【図５】（ａ）は同上の接合前の断面図であり、（ｂ）
は接合時の断面図である。

【図６】（ａ）は基板の下面の全面を基板下受けで支持
した場合の接合前の断面図であり、（ｂ）は接合時の断
面図である。

【図７】本発明の他の実施形態を示し、（ａ）は接合前
の状態を示す断面図であり、（ｂ）は接合時の状態を示
す断面図である。

【図８】（ａ）は本発明の他の実施形態を示す接合時の
状態を示す断面図であり、（ｂ）は受け台座に加工をし
ない場合の説明図である。

【図９】本発明の他の実施形態の説明のための断面図で
ある。

【図１０】本発明の更に他の実施形態の説明のための断
面図である。

【図１１】本発明の更に他の実施形態を示し、（ａ）は
接合前の状態を示す断面図であり、（ｂ）は接合時の状
態を示す断面図である。

【図１２】本発明の更に他の実施形態の説明のための断
面図である。

【図１３】本発明の更に他の実施形態の説明のための断
面図である。

【図１４】本発明の更に他の実施形態の説明のための断
面図である。

【図１５】本発明の更に他の実施形態の説明のための断
面図である。

【図１６】本発明の更に他の実施形態の説明のための断
面図である。

【図１７】本発明の更に他の実施形態の説明のための断
面図である。

【図１８】本発明の更に他の実施形態の説明のための断
面図である。

【図１９】本発明の更に他の実施形態の説明のための断
面図である。

【図２０】同上のフロー図である。

【図２１】本発明の更に他の実施形態の説明のための断
面図である。

【図２２】同上のフロー図である。

【図２３】本発明の更に他の実施形態を示し、（ａ）は
接合前の状態を示す断面図であり、（ｂ）は接合時の状
態を示す断面図である。

【図２４】本発明の更に他の実施形態の説明のための説
明図である。

【図２５】同上の２つのアクチュエータの変位と時間と
の関係を示すグラフである。

【図２６】本発明の更に他の実施形態の説明図である。

【図２７】同上のフロー図である。

【図２８】本発明の更に他の実施形態の説明図である。

【図２９】（ａ）（ｃ）は加熱ツールの下面部を加工す
る順序を示す説明図であり、（ｂ）は（ａ）により求め
た変形量と距離との関係を示すグラフである。

【図３０】本発明の更に他の実施形態の説明図である。

【図３１】（ａ）は同上の加熱ツールを加熱時にリード
の配列方向にフリーとした場合の押圧面の変形を示す説
明図であり、（ｂ）は加熱ツールを加熱時にリードの配
列方向にフリーとしない場の押圧面の変形を示す説明図
である。

【図３２】（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明の更に他の実
施形態の説明図である。

【図３３】（ａ）は膨張吸収穴を設けた場合の加熱ツー
ルを加熱した際の押圧面の変形を示す説明図であり、
（ｂ）は膨張吸収穴を設けない場合の加熱ツールを加熱
した際の押圧面の変形を示す説明図である。

【図３４】本発明の更に他の実施形態を示し、（ａ）は
正面説明図であり、（ｂ）は側面説明図であり、（ｃ）
は加熱ツールの加熱時に押圧面の中央部を冷却した場合
と冷却しない場合との押圧面の変形を示す説明図であ
り、（ｄ）は加熱時における加熱ツールの押圧面の温度
分布を示す説明図である。

【図３５】本発明の更に他の実施形態の説明図である。

【図３６】同上のフロー図である。

【図３７】本発明の更に他の実施形態の説明図である。

【図３８】本発明の更に他の実施形態を示し、（ａ）は
基板を示す説明図であり、（ｂ）は（ａ）に示す基板を
プレス機で加熱ツールの押圧面に沿うように変形してい
る状態を示す説明図であり、（ｃ）は加熱ツールで加熱
して接合している状態の説明図である。

【図３９】本発明の更に他の実施形態を示し、（ａ）は
基板を示す説明図であり、（ｂ）は（ａ）に示す基板を
プレス機で加熱ツールの押圧面に沿うように変形してい
る状態を示す説明図であり、（ｃ）は加熱ツールで加熱
して接合している状態の説明図である。

【図４０】本発明の更に他の実施形態を示し、（ａ）は
加熱加圧成形前の状態を示す説明図であり、（ｂ）は基
板樹脂のガラス転移温度付近で加圧している段階の説明
図であり、（ｃ）は接合時の説明図である。

【図４１】（ａ）は図４０の（ｂ）の段階と（ｃ）の段
階における加圧力と加圧時間との関係を示すグラフであ
り、（ｂ）は図４０の（ｂ）の段階と（ｃ）の段階にお
ける加熱温度と加熱時間との関係を示すグラフである。

【図４２】（ａ）（ｂ）は本発明の更に他の実施形態の
説明図である。

【図４３】（ａ）（ｂ）は本発明の更に他の実施形態の
説明図である。

【図４４】（ａ）（ｂ）は本発明の更に他の実施形態の
説明図である。

【図４５】（ａ）（ｂ）は本発明の更に他の実施形態の
説明図である。

【図４６】本発明の更に他の実施形態を示し、（ａ）は
接合前を（ｂ）は接合時の状態を示す説明図であり、
（ｃ）は一般の加熱ツールの押圧面を（ｄ）は本実施形
態の押圧面を示す説明図である。

【図４７】本発明の更に他の実施形態を示し、（ａ）は
接合前を（ｂ）は接合時の状態を示す説明図であり、
（ｃ）は塑性変形前を（ｄ）は加圧により塑性変形した
状態を示す説明図である。

【図４８】本発明の更に他の実施形態を示し、（ａ）は
接合前を（ｂ）は接合時の状態を示す説明図であり、
（ｃ）はリードの塑性変形前を（ｄ）は加圧によりリー
ドが塑性変形した状態を示す説明図である。

【図４９】（ａ）は加熱ツールを加熱する前の断面図で
あり、（ｂ）は加熱ツールを加熱している時の押圧面の
変形を示す断面図であり、（ｃ）は同上の接合時におけ
る問題点を示す説明図である。

【図５０】基板の厚みにばらつきがある場合における問
題点を説明するための説明図である。

【符号の説明】

１基板２回路３リード４押圧面５基板下受け７加熱ツール８断熱材９アクチュエータ１０センサー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者法上司大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者北野斉大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者川村和司大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】可曲性を有する基板上に形成された回路
と配列した複数のリードとを加熱圧着するに当たり、基
板を加熱ツールの押圧面に倣うように変形させて接合す
ることを特徴とするリード付き基板の接合方法。
【請求項２】基板の加圧部分のみを基板が加熱ツール
の押圧面に倣うように変形自在に支持することを特徴と
する請求項１記載のリード付き基板の接合方法。
【請求項３】基板を弾性体により形成した基板下受け
により支持することを特徴とする請求項１又は請求項２
記載のリード付き基板の接合方法。
【請求項４】基板を加熱ツールの押圧面に倣うように
変形させて接合する際に弾性体で形成した基板下受けの
圧縮量を均一にするための手段を設けることを特徴とす
る請求項３記載のリード付き基板の接合方法。
【請求項５】基板と基板下受けとの間に断熱材を介在
することを特徴とする請求項３又は請求項４記載のリー
ド付き基板の接合方法。
【請求項６】基板下受けとして剛性体を用いることを
特徴とする請求項１又は請求項２記載のリード付き基板
の接合方法。
【請求項７】基板下受けとして流動体を用いることを
特徴とする請求項１又は請求項２記載のリード付き基板
の接合方法。
【請求項８】基板の下方にそれぞれ独立して上下方向
に可変するアクチュエータを配置し、そのアクチュエー
タにより基板を可変させて基板を加熱ツールの押圧面に
倣うように変形させることを特徴とする請求項１又は請
求項２記載のリード付き基板の接合方法。
【請求項９】基板下受けとしてバイメタルを用いるこ
とを特徴とする請求項１記載のリード付き基板の接合方
法。
【請求項１０】基板下方からリード一本一本を加熱ツ
ールの押圧面に押し上げることを特徴とする請求項１記
載のリード付き基板の接合方法。
【請求項１１】センサーにより加圧補正量を検出し
て、加圧補正量に基づいて加圧力を制御することを特徴
とする請求項６乃至請求項１０のいずれかに記載のリー
ド付き基板の接合方法。
【請求項１２】基板側にクッション層を設け、基板自
身で加熱ツールの押圧面に倣うように変形させることを
特徴とする請求項１記載のリード付き基板の接合方法。
【請求項１３】基板上に形成された回路と配列した複
数のリードとを加熱圧着するに当たり、加熱時に加熱ツ
ールの押圧面全面が、該加熱ツールで押圧される該当す
る列に含まれる全てのリードに均一に当たるように変形
して加圧することを特徴とするリード付き基板の接合方
法。
【請求項１４】加熱ツールを回転自在に支持し、加熱
ツールの加圧をアクチュエータによって補正することを
特徴とする請求項１３記載のリード付き基板の接合方
法。
【請求項１５】加熱ツールの押圧面を凹状にすること
を特徴とする請求項１３記載のリード付き基板の接合方
法。
【請求項１６】加熱ツールをリニアガイドでリードの
配列方向に支持し、この支持を加熱時にフリーとなるよ
うにすることを特徴とする請求項１３記載のリード付き
基板の接合方法。
【請求項１７】基板上に形成された回路と配列した複
数のリードとを加熱圧着するに当たり、加熱時に加熱ツ
ールの押圧面全面が、該加熱ツールで押圧される該当す
る列に含まれる全てのリードに均一に当たるように、加
熱ツールの中央部に膨張吸収穴を設けて加熱時に押圧面
が凸状に変形するのを抑えて加圧することを特徴とする
リード付き基板の接合方法。
【請求項１８】基板上に形成された回路と配列した複
数のリードとを加熱圧着するに当たり、加熱時に加熱ツ
ールの押圧面全面が、該加熱ツールで押圧される該当す
る列に含まれる全てのリードに均一に当たるように、加
熱ツールの押圧面の中央部と両端部とで温度差を生じさ
せて加熱時に押圧面が凸状に変形するのを抑えて加圧す
ることを特徴とするリード付き基板の接合方法。
【請求項１９】加熱ツールの押圧面の中央部の温度を
計測し、この中央部の計測温度をフィードバックして指
令温度と比較して指令温度になるように加熱することを
特徴とする請求項１８記載のリード付き基板の接合方
法。
【請求項２０】基板を支持する基板受台の基板に接す
る面を弾性体とすることを特徴とする請求項１３乃至請
求項１８のいずれかに記載のリード付き基板の接合方
法。
【請求項２１】予め基板を加熱ツールの押圧面に倣う
ように変形させることを特徴とする請求項１記載のリー
ド付き基板の接合方法。
【請求項２２】接合用の加熱ツールを用いて基板を基
板樹脂のガラス転移温度付近で加圧して基板を加熱ツー
ルの押圧面に倣うように変形させた後に接合することを
特徴とする請求項１記載のリード付き基板の接合方法。
【請求項２３】接合用の加熱ツールを用いて基板を基
板樹脂のガラス転移温度付近で加圧して基板を加熱ツー
ルの押圧面に倣うように変形させる際の加圧力を接合時
の加圧力よりも高くすることを特徴とする請求項２２記
載のリード付き基板の接合方法。
【請求項２４】基板上に形成された回路と配列した複
数のリードとを加熱圧着するに当たり、加熱ツールとリ
ードとの間に熱伝導性の良いクッション材を介在して基
板上に形成された全ての回路とそれに対応する全てのリ
ードを均一に接触させて接合することを特徴とするリー
ド付き基板の接合方法。
【請求項２５】クッション材にフラックス等の接合促
進剤を含有することを特徴とする請求項２４記載のリー
ド付き基板の接合方法。
【請求項２６】基板上に形成された回路と配列した複
数のリードとを加熱圧着するに当たり、リードを塑性変
形させることにより基板上に形成された全ての回路とそ
れに対応する全てのリードを均一に接触させて接合する
ことを特徴とするリード付き基板の接合方法。
【請求項２７】加熱ツールのリードとの接触面を鋭角
化し、加熱ツールをリードに食い込ませることによりリ
ードを塑性変形することを特徴とする請求項２６記載の
リード付き基板の接合方法。
【請求項２８】リードの厚み方向の一部に他の部分に
比べて塑性変形しやすい塑性変形可能部を設けることに
よりリードを塑性変形することを特徴とする請求項２６
記載のリード付き基板の接合方法。